JP2007308803A - 耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット及び同シリサイドターゲット製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MSi0.8−1.2(M:Zr、Hf)からなり、遊離Siが存在せず、相対密度が99%以上であり、かつ平均結晶粒径が30μm以下であることを特徴とする耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
【選択図】なし
Description
従来、このゲート絶縁膜としてSiO2膜が使用されているが、界面特性からみて最も優れたものであった。そして、このゲート絶縁膜として使用されているSiO2膜が薄いほどキャリヤである電子又は正孔の数が増えてドレイン電流を増やすことができるという特性を有している。
一方で、トランジスタをより微細化しようとしているが、前記のようにゲート絶縁膜であるSiO2膜の膜厚に制限がある以上、トランジスタの微細化が意味をなさず、性能が改善されないという問題を生じた。
また、LSIの電源電圧を下げ消費電力を下げるためには、ゲート絶縁膜をより一層薄くする必要があるが、SiO2膜を3nm以下にすると上記のようにゲート絶縁破壊の問題があるので、薄膜化それ自体に限界があった。
この高誘電体ゲート絶縁膜は比較的厚い膜でSiO2膜と同等の容量を得ることができ、トンネル漏れ電流を抑制できるという特徴を有している。また、SiO2にZr又はHfを添加したものとみなすことができるため、界面特性もSiO2に近いものとなると予想される。
このため、良質のZrO2・SiO2又はHfO2・SiO2高誘電体ゲート絶縁膜を、容易かつ安定して形成できるスパッタリングターゲットが求められている。
1.MSi0.8−1.2(M:Zr、Hf)からなり、遊離Siが存在せず、相対密度が99%以上であり、かつ平均結晶粒径が30μm以下であることを特徴とする耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット
2.MSi単相からなることを特徴とする上記1記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット
3.MSi、M5Si4又はMSi2から選択した少なくとも2種以上の混相からなることを特徴とする上記1記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット
4.平均結晶粒径が10μm以下であることを特徴とする上記1〜3のいずれかに記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット
5.抗折力が200MPa以上であることを特徴とする上記1〜4のいずれかに記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット
6.水素化金属(M)粉とSi粉を1:0.8〜1:1.2のモル比に調製・混合した後、焼成し、焼成の際の加熱により、脱水素とシリサイド化を一度に行い、得られたシリサイド粉を粉砕し、これを焼結して、遊離Siが存在せず、相対密度が99%以上であり、かつ平均結晶粒径が30μm以下であるMSi0.8−1.2(M:Zr、Hf)からなる焼結体を製造することを特徴とする耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットの製造方法
7.焼成の際の加熱により、脱水素とシリサイド化を行うことを特徴とする上記6記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットの製造方法
8.600°C〜800°Cで焼成することを特徴とする上記7記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットの製造方法、を提供する。
また、本シリサイドターゲットは結晶粒の成長を抑制でき、成型する際には高密度化が達成できる。さらに、相対密度を99%以上に高密度化したシリサイドターゲットは抗折力が200MPa以上の優れた強度をもつ。
さらに、高密度化された本発明のシリサイドターゲットは、スパッタリング中にポアに起因するパーティクルの発生や脆性組織の破壊飛散に起因するパーティクルの発生を防止できる著しい効果を有する。
本発明は、MSi0.8−1.2(M:Zr、Hf)からなるシリサイドターゲットであり、遊離Siが存在せず、MSi単相からなるシリサイドターゲット、又はMSi、M5Si4又はMSi2から選択した少なくとも2種以上の混相からなるシリサイドターゲットである。
高誘電体ゲート絶縁膜として要求されるモル比はZr:Si=1:1である。所定のモル比に調製する場合、極論するとZr金属粉とSi粉あるいはZrSi2粉といった、所望のモル比から大きくはずれた組成の混相でも作製可能といえる。
しかし、金属シリサイドのパーティクル発生には、遊離Si相が大きく関与していることが分かっている。すなわち、シリサイド相とSi相が混在する組織をもつスパッタリングターゲットをスパッタしていくと、Si相と金属シリサイド相のスパッタ速度差に起因する表面凹凸が顕著になり、この段差がパーティクル増を引き起こすと考えられている。
本発明では、遊離Siを無くし、所望のモル比近傍のMSi、M5Si4又はMSi2の3相に限定することにより、スパッタ速度差に起因するエロージョン表面の凹凸を少なくし、パーティクルの発生を抑えることが可能となる。
相対密度を99%未満及び平均結晶粒径が30μmを超えると、密度不足で脆性が低くなり加工性も悪くなる。さらに脆性結晶の破壊飛散によるパーティクル増を引き起こす。したがって、上記の範囲とするのが望ましい。
Zr及びHf粉を使用することも考えられるが、Zr及びHf粉は酸化力が強く、微粉化すると発火するという問題を生ずる。
したがって、このような発火防止のために、水素化ジルコニウム又は水素化ハフニウムを使用する。これらの水素化粉及びシリコン粉は平均粒径10μm以下に微粉砕して用いる。この微粉を用いることにより焼結時の高密度化が可能となる。
上記焼成の際の加熱により、脱水素とシリサイド化を行う。脱水素は600°Cから起こる。焼結は真空中(1×10−4〜1×10−2Torr)で行うが、脱水素のために若干水素雰囲気になっている。
このように、本発明では低温で焼成するため結晶粒の成長を抑制できる大きな特徴を有している。そして、焼結する際に高密度化が達成できる。
相対密度を99%以上に高密度化したシリサイドターゲットは抗折力が200MPa以上の強度を示す。
高密度化された本発明のシリサイドターゲットは、スパッタリング中にポアに起因するパーティクルの発生や脆性組織の破壊飛散に起因するパーティクルの発生を防止できる効果を有する。
(実施例1)
ZrH2粉とSi粉とを混合し、真空中、800°Cで加熱することにより、脱水素反応とシリサイド合成反応を一挙に行い、ZrSix(x=1.0)の合成粉を得た。このシリサイド粉を粉砕し、−200メッシュのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉は、XRDによりZrSi1.0相のみからなっていることを確認した。
このシリサイド粉末を用いてホットプレス法により密度99.2%の焼結体を作製し、機械加工によりφ300mm×6.35mmtのターゲットを作製した。この焼結体ターゲットの結晶粒径は、15μmであった。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定したところ、0.2μm以上の寸法のパーティクルが合計25ケであった。
さらに、ターゲットのエロージョン表面を観察すると、ZrSix相の破壊した痕は見られず、スパッタ速度差に起因する表面凹凸も見られなかった。また、ターゲットの抗折力を測定した結果、220MPaであった。
ZrH2粉とSi粉とを混合し、真空中、800°Cで加熱することにより、脱水素反応とシリサイド合成反応を一挙に行い、ZrSix(x=0.9)の合成粉を得た。このシリサイド粉を粉砕し、−200メッシュのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉は、XRDによりZr5Si4相及びZrSi相の2相からなっていることを確認した。
このシリサイド粉末を用いてホットプレス法により密度99.3%の焼結体を作製し、機械加工によりφ300mm×6.35mmtのターゲットを作製した。この焼結体ターゲットの結晶粒径は、9μmであった。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定したところ、0.2μm以上の寸法のパーティクルが合計35ケであった。
さらに、ターゲットのエロージョン表面を観察すると、ZrSix相の破壊した痕は見られず、スパッタ速度差に起因する表面凹凸も見られなかった。また、ターゲットの抗折力を測定した結果、215MPaであった。
ZrH2粉とSi粉とを混合し、真空中、800°Cで加熱することにより、脱水素反応とシリサイド合成反応を一挙に行い、ZrSix(x=0.8及びx=1.2)の2種類の合成粉を得た。このシリサイド粉を粉砕し、−200メッシュとした後、モル比Si/Zr=1.0となるように混合したシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉は、XRDによりZr5Si4相、ZrSi相及びZrSi2相の3相からなっていることを確認した。
このシリサイド粉末を用いてホットプレス法により密度99.0%の焼結体を作製し、機械加工によりφ300mm×6.35mmtのターゲットを作製した。この焼結体ターゲットの結晶粒径は、25μmであった。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定したところ、0.2μm以上の寸法のパーティクルが合計30ケであった。
さらに、ターゲットのエロージョン表面を観察すると、ZrSix相の破壊した痕は見られず、スパッタ速度差に起因する表面凹凸も殆ど見られなかった。また、ターゲットの抗折力を測定した結果、205MPaであった。
ZrH2粉とSi粉とを混合し、真空中、1200°Cで加熱することにより、脱水素反応とシリサイド合成反応を一挙に行い、ZrSix(x=1.0)の合成粉を得た。このシリサイド粉を粉砕し、−200メッシュとしたシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉は、XRDによりZrSi相のみからなっていることを確認した。
このシリサイド粉末を用いてホットプレス法により密度89.0%の焼結体を作製し、機械加工によりφ300mm×6.35mmtのターゲットを作製した。この焼結体ターゲットの結晶粒径は、100μmであった。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定したところ、0.2μm以上の寸法のパーティクルが合計95ケであった。
さらに、ターゲットのエロージョン表面を観察すると、ZrSix相が破壊され、明らかに発塵源になったと思われる痕が観察された。スパッタ速度差に起因する表面凹凸は見られなかったが、ノジュールが多数発生していた。また、ターゲットの抗折力を測定した結果、150MPaであった。
ZrH2粉とSi粉とを混合し、真空中、1200°Cで加熱することにより、脱水素反応とシリサイド合成反応を一挙に行い、ZrSix(x=0.6及び2.2)の2種類の合成粉を得た。このシリサイド粉を粉砕し、−200メッシュとした後、モル比Si/Zr=1.0となるように混合したシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉は、XRDによりZr5Si3相、ZrSi2相及びSi相の3相からなっていることを確認した。
このシリサイド粉末を用いてホットプレス法により密度93%の焼結体を作製し、機械加工によりφ300mm×6.35mmtのターゲットを作製した。この焼結体ターゲットの結晶粒径は、100μmであった。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定したところ、0.2μm以上の寸法のパーティクルが合計120ケであった。
さらに、ターゲットのエロージョン表面を観察すると、ZrSix相が破壊され、明らかに発塵源になったと思われる痕が観察された。スパッタ速度差に起因する表面凹凸が見られ、ノジュールが多数発生していた。また、ターゲットの抗折力を測定した結果、165MPaであった。
表1から明らかなように、実施例1〜3のターゲットの平均結晶粒径はいずれも30μm以下であり、相対密度は99%以上である。パーティクル数は35ケ以下であり、ZrSix相の破壊した痕は見られず、スパッタ速度差に起因する表面凹凸も殆ど見られなかった。また、ターゲットの抗折力は、220MPa、215MPa、205MPaであり、高い抗折力を有していた。
これに対し、比較例1は平均結晶粒径が100μmと大きく、また相対密度が89%と低かった。この結果、パーティクル数は95ケ以下であり、ZrSix相が破壊した痕が観察された。スパッタ速度差に起因する表面凹凸は見られなかったが、ノジュールが発生し、ターゲットの抗折力は150MPaと低く、悪い結果となった。
また、比較例2は平均結晶粒径が100μmと大きく、また相対密度は93%と高いが、遊離Siが存在した。この結果、パーティクル数は120ケ以下であり、ZrSix相が破壊した痕が観察された。また、スパッタ速度差に起因する表面凹凸も観察され、ノジュールが発生し、ターゲットの抗折力は165MPaと低く、悪い結果となった。
以上から、本発明の実施例の優位性は明らかであり、優れた特性を有することが分かる。
Claims (7)
- MSi0.8−1.2(M:Zr、Hf)からなり、遊離Siが存在せず、相対密度が99%以上であり、かつ平均結晶粒径が30μm以下であることを特徴とする耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
- MSi単相からなることを特徴とする請求項1記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
- MSi、M5Si4又はMSi2から選択した少なくとも2種以上の混相からなることを特徴とする請求項1記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
- 平均結晶粒径が10μm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
- 抗折力が200MPa以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
- 水素化金属(M)粉とSi粉を1:0.8〜1:1.2のモル比に調製・混合した後、焼成し、焼成の際の加熱により、脱水素とシリサイド化を一度に行い、得られたシリサイド粉を粉砕し、これを焼結して、遊離Siが存在せず、相対密度が99%以上であり、かつ平均結晶粒径が30μm以下であるMSi0.8−1.2(M:Zr、Hf)からなる焼結体を製造することを特徴とする耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットの製造方法。
- 600°C〜800°Cで焼成することを特徴とする請求項6記載の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットの製造方法。
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