JP2007305675A - 固体撮像素子、撮像装置 - Google Patents
固体撮像素子、撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007305675A JP2007305675A JP2006130493A JP2006130493A JP2007305675A JP 2007305675 A JP2007305675 A JP 2007305675A JP 2006130493 A JP2006130493 A JP 2006130493A JP 2006130493 A JP2006130493 A JP 2006130493A JP 2007305675 A JP2007305675 A JP 2007305675A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- imaging device
- state imaging
- infrared light
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 86
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 44
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】光電変換がなされるセンサ部13が半導体基板11の表面側に形成され、画素領域に有効画素部31とオプティカルブラック部32とを有し、半導体基板11の裏面側に、赤外光の反射率の低い低反射膜21が形成されている固体撮像素子を構成する。
【選択図】図1
Description
図5に示すように、有効画素部31の画素においては、センサ部13上の遮光膜(配線層16に開口が形成されているため、赤外光がシリコン基板11に入射する。
そして、図5に示す、シリコン基板11に斜めに入射した赤外光Lは、シリコン基板11の裏面で反射することによって、隣接するOPB部32の画素のセンサ部13に入射することがある。
特に、波長800nm〜1300nm程度の赤外光は、シリコンにある程度吸収されるため、OPB部32の画素のセンサ部13に赤外光が入射すると、センサ部13で吸収されて光電変換が起こってしまう。
このようにIRカットフィルタを設けることにより、OPB部だけでなく、有効画素部へも赤外線が入射しないようにすることができる。
また、本発明の撮像装置は、固体撮像素子と、固体撮像素子へ入射光を導く光学部品とを少なくとも備え、固体撮像素子を上記本発明の固体撮像素子の構成としたものである。
従って、黒レベルを決めるための画像に色が付いたり、明るさが変化してしまったりする問題の発生を抑えることができる。
これにより、良好な撮像特性を有する固体撮像素子を構成することができる。
また、赤外光をカットするIRカットフィルタを、安価なものとしたり、省略したりすることが可能になる。
本実施の形態は、本発明をCMOS型固体撮像素子に適用した場合である。
センサ部13は、n型の半導体領域から成り、p型の半導体ウェル領域12とによってフォトダイオードPDが構成される。
各画素のセンサ部13の間は、一部がシリコン基板11に埋め込まれたSiO2層から成る素子分離層14により、分離されている。
シリコン基板21の上方には、絶縁層15を介して配線層16が設けられている。
一方、オプティカルブラック(OPB)部32の画素では、最上層の配線層17が遮光層を兼ねていて、センサ部13上をも覆って連続的に形成されている。これにより、センサ部13に光が入射しないようにしている。
カラー固体撮像素子に使用する場合には、図示しないが、オンチップレンズ18の下にさらにカラーフィルターを設ける。
そして、低反射膜21の具体的な構成として、赤外光に対する屈折率が、シリコン基板11との差が比較的大きい材料から成る膜を形成している。
シリコン基板11に入射した光のうち、実線で示す一部の光L1は、シリコン基板11の裏面即ちシリコン基板11と低反射膜21との界面で反射する。また、破線で示す他の光L2は、低反射膜21の裏面で反射する。
ここで、低反射膜21が、該当する赤外光の波長λに対して、λ/(4n)程度の膜厚であることから、光学膜厚(膜厚×屈折率)がλ/4程度となり、低反射膜21の裏面で反射した光L2は、位相が変化して1/4周期+1/4周期=1/2周期ずれる。このように位相が半周期ずれることにより、シリコン基板11の裏面で反射した光L1と干渉して互いに弱めあうことになり、シリコン基板11の裏面から反射する赤外光が低減されるため、低反射膜21の赤外光の反射率が低くなる。
ただし、kをあまり大きくすると、低反射膜21の成膜に長い時間を要するため、kを1〜3程度とするとよい。
シリコン基板11の裏面に対してバックグラインドを行わない場合は、シリコン基板11の表面側の工程に引き続いて、低反射膜21を形成する工程を行うことも可能である。
これにより、シリコン基板11の裏面で反射して、OPB部32の画素のセンサ部13に入射した赤外光に起因する、OPB部32の画素から得られる信号の変化を、抑制することができる。
従って、黒レベルを決めるための画像に色が付いたり、明るさが変化してしまったりする問題の発生を抑えることができ、良好な撮像特性を有する固体撮像素子を構成することができる。
なお、このような撮像装置が備える固体撮像素子の個数は1個に限定されるものではなく、3つの固体撮像素子を備えた所謂3板式の構成のように、複数個の固体撮像素子を設けて撮像装置を構成してもよい。
また、前述したような、IRカットフィルタを設けることができないような撮像装置においても、赤外光の反射光による問題の発生を抑えて、良好な画像を得ることが可能になる。
本実施の形態では、シリコン基板11の裏面側に形成する低反射膜21を、互いの赤外光の屈折率の差が大きい、第1の膜22と第2の膜23とを交互に2層ずつ積層した多層膜としている。
その他の構成は、図1に示した先の実施の形態と同様であるので、同一符号を付して重複説明を省略する。
そして、各種の材料から、屈折率の差が比較的大きい2つの材料を選んで、一方の材料を第1の膜22に使用して、他方の材料を第2の膜23に使用すればよい。
例えば、SiNとSiO2との組み合わせを、第1の膜22及び第2の膜23に用いれば、屈折率の差を大きくすることができ、また容易に安価に成膜することができる。
このように設定することにより、使用する材料にもよるが、低反射膜21の多層膜の合計の光学膜厚は、おおむね単層膜の場合と同様に200nm〜1000nm程度となる。
これにより、シリコン基板11の裏面で反射して、OPB部32の画素のセンサ部13に入射した赤外光に起因する、OPB部32の画素から得られる信号の変化を、抑制することができる。
従って、黒レベルを決めるための画像に色が付いたり、明るさが変化してしまったりする問題の発生を抑えることができ、良好な撮像特性を有する固体撮像素子を構成することができる。
そして、本実施の形態の固体撮像素子を備えて撮像装置を構成することにより、IRカットフィルタを安価なものとすることや、IRカットフィルタを省略することが可能になる。
また、前述したような、IRカットフィルタを設けることができないような撮像装置においても、赤外光の反射光による問題の発生を抑えて、良好な画像を得ることが可能になる。
いずれの構成であっても、低反射膜全体で反射光の位相が(2k−1)/4(kは自然数)変化するように、各層の光学膜厚(屈折率と膜厚)を設定すればよい。
本実施の形態においては、シリコン基板11の裏面側に形成する低反射膜21として、赤外光を吸収する膜24を設ける。
これにより、シリコン基板11の裏面から反射してくる赤外光を減少させることができる。
具体的には、例えば、ベース材をポリマーとしてフタルシアニン系色素を混合した材料を使用することができる。
これにより、シリコン基板11の裏面で反射して、OPB部32の画素のセンサ部13に入射した赤外光に起因する、OPB部32の画素から得られる信号の変化を、抑制することができる。
従って、黒レベルを決めるための画像に色が付いたり、明るさが変化してしまったりする問題の発生を抑えることができ、良好な撮像特性を有する固体撮像素子を構成することができる。
そして、本実施の形態の固体撮像素子を備えて撮像装置を構成することにより、IRカットフィルタを安価なものとすることや、IRカットフィルタを省略することが可能になる。
また、前述したような、IRカットフィルタを設けることができないような撮像装置においても、赤外光の反射光による問題の発生を抑えて、良好な画像を得ることが可能になる。
また、シリコン基板の表面側に、シリコンエピタキシャル層を形成し、センサ部をこのシリコンエピタキシャル層内に形成した構成としてもよい。
なお、他の半導体(例えばGaAs等の化合物半導体)は、赤外光の吸収特性がシリコンとは異なるので、その半導体の赤外光の吸収特性に合わせて、低反射膜の膜厚等を設定する。
Claims (5)
- 光電変換がなされるセンサ部が、半導体基板の表面側に形成され、
画素領域に有効画素部とオプティカルブラック部とを有し、
前記半導体基板の裏面側に、赤外光の反射率の低い低反射膜が形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記低反射膜が、前記半導体基板の材料との屈折率の差が大きい材料から成る単層膜であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記低反射膜が、互いの屈折率の差が大きい複数の膜を積層して成る多層膜であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記低反射膜が、赤外光を吸収する特性を有する材料から成ることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 固体撮像素子と、前記固体撮像素子へ入射光を導く光学部品とを少なくとも備え、
前記固体撮像素子は、光電変換がなされるセンサ部が、半導体基板の表面側に形成され、画素領域に有効画素部とオプティカルブラック部とを有し、前記半導体基板の裏面側に、赤外光の反射率の低い低反射膜が形成されている
ことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006130493A JP4193870B2 (ja) | 2006-05-09 | 2006-05-09 | 固体撮像素子、撮像装置 |
US11/745,723 US7800684B2 (en) | 2006-05-09 | 2007-05-08 | Solid-state image pickup device and image pickup apparatus with a low reflective film on the substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006130493A JP4193870B2 (ja) | 2006-05-09 | 2006-05-09 | 固体撮像素子、撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007305675A true JP2007305675A (ja) | 2007-11-22 |
JP4193870B2 JP4193870B2 (ja) | 2008-12-10 |
Family
ID=38839380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006130493A Expired - Fee Related JP4193870B2 (ja) | 2006-05-09 | 2006-05-09 | 固体撮像素子、撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7800684B2 (ja) |
JP (1) | JP4193870B2 (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010135844A (ja) * | 2008-01-24 | 2010-06-17 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2011040468A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 固体撮像素子用の反射防止膜 |
JP2011086674A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Canon Inc | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム |
US8319305B2 (en) | 2009-05-12 | 2012-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing apparatus |
JP2013505587A (ja) * | 2009-09-17 | 2013-02-14 | サイオニクス, インコーポレイテッド | 感光撮像素子および関連方法 |
US8564033B2 (en) | 2008-01-24 | 2013-10-22 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same |
US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US9673250B2 (en) | 2013-06-29 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
US9741761B2 (en) | 2010-04-21 | 2017-08-22 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US9761739B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
US9762830B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High dynamic range CMOS image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
US9905599B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-02-27 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
US10244188B2 (en) | 2011-07-13 | 2019-03-26 | Sionyx, Llc | Biometric imaging devices and associated methods |
US10361083B2 (en) | 2004-09-24 | 2019-07-23 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
US10374109B2 (en) | 2001-05-25 | 2019-08-06 | President And Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
WO2021246146A1 (ja) | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
US20220373387A1 (en) * | 2021-05-18 | 2022-11-24 | Au Optronics Corporation | Optical sensing device and electronic apparatus having the same |
US11973154B2 (en) | 2018-01-29 | 2024-04-30 | Waymo Llc | Controlling detection time in photodetectors |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9379275B2 (en) | 2012-01-31 | 2016-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for reducing dark current in image sensors |
KR102367384B1 (ko) | 2015-01-13 | 2022-02-25 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
KR102310586B1 (ko) * | 2015-04-21 | 2021-10-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비가시용 ir 픽셀에서의 가시용 컬러 노이즈 저감 기능을 갖는 4-컬러 픽셀 이미지 센서 |
JP2018133392A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US10475834B1 (en) * | 2017-10-06 | 2019-11-12 | Facebook Technologies, Llc | Apparatuses, systems, and methods for disrupting light at a back-side of an image sensor array |
CN115020511B (zh) * | 2021-07-23 | 2024-03-19 | 友达光电股份有限公司 | 生物特征感测模块 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5918909A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Victor Co Of Japan Ltd | カラ−撮像装置のフイルタ装置 |
JPH07209516A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光学多層膜フィルタ |
JP2001144280A (ja) | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
KR100340938B1 (ko) * | 1999-11-17 | 2002-06-20 | 박병선 | 광 저 대역 통과 필터 일체형 고체 촬상 소자 |
US6818962B2 (en) * | 2002-10-25 | 2004-11-16 | Omnivision International Holding Ltd | Image sensor having integrated thin film infrared filter |
JP4404568B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2010-01-27 | 株式会社エルモ社 | 赤外線カットフィルタおよびその製造方法 |
JP2005043755A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 光学多層膜フィルタ、光学多層膜フィルタの製造方法、光学ローパスフィルタ、及び電子機器装置 |
US20070235771A1 (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Yan-Hsiu Liu | Semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
-
2006
- 2006-05-09 JP JP2006130493A patent/JP4193870B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-08 US US11/745,723 patent/US7800684B2/en active Active
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10374109B2 (en) | 2001-05-25 | 2019-08-06 | President And Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
US10741399B2 (en) | 2004-09-24 | 2020-08-11 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
US10361083B2 (en) | 2004-09-24 | 2019-07-23 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
US9666628B2 (en) | 2008-01-24 | 2017-05-30 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same |
US8564033B2 (en) | 2008-01-24 | 2013-10-22 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same |
US9082898B2 (en) | 2008-01-24 | 2015-07-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same |
JP2010135844A (ja) * | 2008-01-24 | 2010-06-17 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US8319305B2 (en) | 2009-05-12 | 2012-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing apparatus |
JP2011040468A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 固体撮像素子用の反射防止膜 |
US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
JP2013505587A (ja) * | 2009-09-17 | 2013-02-14 | サイオニクス, インコーポレイテッド | 感光撮像素子および関連方法 |
JP7386830B2 (ja) | 2009-09-17 | 2023-11-27 | サイオニクス、エルエルシー | 感光撮像素子および関連方法 |
US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
JP2021193737A (ja) * | 2009-09-17 | 2021-12-23 | サイオニクス、エルエルシー | 感光撮像素子および関連方法 |
JP2011086674A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Canon Inc | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム |
US9741761B2 (en) | 2010-04-21 | 2017-08-22 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US10229951B2 (en) | 2010-04-21 | 2019-03-12 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US9761739B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
US10505054B2 (en) | 2010-06-18 | 2019-12-10 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
US9666636B2 (en) | 2011-06-09 | 2017-05-30 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
US10269861B2 (en) | 2011-06-09 | 2019-04-23 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
US10244188B2 (en) | 2011-07-13 | 2019-03-26 | Sionyx, Llc | Biometric imaging devices and associated methods |
US10224359B2 (en) | 2012-03-22 | 2019-03-05 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
US9905599B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-02-27 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
US9762830B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High dynamic range CMOS image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
US10347682B2 (en) | 2013-06-29 | 2019-07-09 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
US11069737B2 (en) | 2013-06-29 | 2021-07-20 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
US9673250B2 (en) | 2013-06-29 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
US11973154B2 (en) | 2018-01-29 | 2024-04-30 | Waymo Llc | Controlling detection time in photodetectors |
WO2021246146A1 (ja) | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
KR20230021000A (ko) | 2020-06-04 | 2023-02-13 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 광 검출 소자 |
US20220373387A1 (en) * | 2021-05-18 | 2022-11-24 | Au Optronics Corporation | Optical sensing device and electronic apparatus having the same |
US11781905B2 (en) * | 2021-05-18 | 2023-10-10 | Au Optronics Corporation | Optical sensing device and electronic apparatus having the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4193870B2 (ja) | 2008-12-10 |
US7800684B2 (en) | 2010-09-21 |
US20080106626A1 (en) | 2008-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4193870B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置 | |
KR102201627B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
KR100874954B1 (ko) | 후면 수광 이미지 센서 | |
US8970769B2 (en) | Solid-state imaging apparatus, method of manufacturing the same, and camera | |
US8941200B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP4826111B2 (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法および画像撮影装置 | |
KR20180108525A (ko) | 고체 촬상 소자와 그 제조 방법, 고체 촬상 장치 및 촬상 장치 | |
JP5288823B2 (ja) | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 | |
JP5438374B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2011100900A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法と設計方法並びに電子機器 | |
JP2014130890A (ja) | 光電変換装置 | |
JP6527868B2 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
JP5429208B2 (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
JP4779304B2 (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
WO2010100897A1 (ja) | 固体撮像素子および撮像装置 | |
JP2008112944A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2008177362A (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
JP2008305873A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 | |
JP4871499B2 (ja) | 固体撮像装置及び該固体撮像装置を用いた撮像システム | |
JP6086715B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
KR100974618B1 (ko) | 광감도가 개선된 이미지 센서 | |
JP2011040774A (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
WO2022138901A1 (ja) | 撮像装置、または撮像装置を備えた電子機器 | |
JP2011061134A (ja) | 半導体イメージセンサ | |
JPH08222722A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080902 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080915 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |