JP2007304235A - 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】液晶装置等の電気光学装置における開口率を高める。
【解決手段】中継層９３は、非開口領域から開口領域に突出した凸部９３ａを有しており
、凸部９３ａが開口領域に突出している分、凸部９３ａを設けない場合に比べて開口領域
の面積が狭められることになる。しかしながら、凸部９３ａを領域端１９０の一部（例え
ば領域端１９０の中央）から開口領域に突出させることによって、Ｘ方向に沿って領域端
１９０のうち領域端１９０の中央を除く他の部分によって開口領域との境界が構成される
非開口領域の幅を狭めることができ、開口率を高めることが可能である。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及び該
電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば
液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、画素部において保持された画像信号
がリークすることを防ぐために、液晶容量と並列に保持容量が付加される。このような保
持容量は、液晶装置の表示領域を構成する複数の画素における開口領域の周囲に設けられ
た非開口領域に形成されている。開口領域は、非開口領域によって囲まれた領域であり、
矩形状に形成されていることが多い。加えて、非開口領域に形成された保持容量と、当該
保持容量上における開口領域に形成された透明な画素電極とを電気的に接続するためには
、画素電極及び保持容量が非開口領域で相互に重なるように画素電極を保持容量上まで延
在し、非開口領域において画素電極及び保持容量を電気的に接続するコンタクトホール等
の接続手段が設けてられている場合が多い（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００５−３０１３０６号公報
しかしながら、開口率を高めることによる液晶装置の高画質化が要望されるに伴い、非
開口領域における配線の配線幅の狭小化及び各種素子のサイズの小型化を行った場合、非
開口領域においてコンタクトホール等の接続手段を設けるためのスペースを確保すること
が困難となる製造プロセス上及び設計上の問題点がある。より具体的には、例えば、非開
口領域の幅が、相互に隣接する画素間に設けられた配線及び保持容量等の幅によって規定
される場合、単に配線等の幅を狭めることによって開口率を高めることが可能となったと
しても、形成されるべきコンタクトホールのサイズと、当該コンタクトホールを形成する
際に絶縁膜を部分的に除去するために用いられるマスクの位置合わせを考慮したマージン
とを確保することは困難である。
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、アクティブマト
リクス方式で駆動される液晶装置等の電気光学装置であって、保持容量及び画素電極の電
気的な接続を確保しつつ、開口率を高めることが可能な電気光学装置に用いられる電気光
学装置用基板、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びに電子機
器を提供することを課題とする。
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、
前記基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及
び前記複数の走査線の交差に対応して規定された複数の画素の夫々に形成された画素電極
と、前記複数の画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成されており、前記
開口領域を規定する複数の領域端の一の領域端の一部から前記開口領域の側に突出した凸
部を有する導電膜と、前記画素電極及び前記凸部を互いに電気的に接続する第１コンタク
ト部とを備える。
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板は、例えば、電気光学物質の一例である
液晶を挟持するために対向基板に対向配置されるＴＦＴアレイ基板、或いはＴＦＴアレイ
基板及び当該ＴＦＴアレイ基板上に形成された構成要素からなる板状構造体である。電気
光学装置の動作時には、走査線を介して走査信号が各画素部に供給され、画像信号がデー
タ線を介して各画素の画素電極に供給される。より具体的には、例えば画素部毎に設けら
れた画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（以下、適宜「ＴＦＴ」という。）等の半導
体素子のゲートは、走査線に電気的に接続されており、走査信号に応じてオンオフされる
。画像信号は、ＩＴＯ等の透明電極で構成された画素電極へデータ線を介して選択的に供
給される。対向基板に設けられた対向電極及び画素電極間に挟持された液晶等の電気光学
物質は、画素毎にこれら電極間に生じた電界によってチルト角が制御される。チルト角の
変化に応じて各画素を透過する光量が制御され、アクティブマトリクス駆動された液晶装
置等の電気光学装置によって画像が表示される。
導電膜は、複数の画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成されており、
開口領域を規定する領域端の一の領域端の一部から開口領域に突出した凸部を有している
。ここで、本発明の「開口領域」とは、実質的に光が透過する画素内の領域であり、例え
ば、画素電極が形成される領域であって、透過率の変更に応じて液晶等の電気光学物質を
抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域である。換言すれば、「開口
領域」とは、画素に集光される光が光を透過させない、或いは光透過率が透明電極に比べ
て相対的に小さい配線、遮光膜、及び各種素子等の遮光体で遮られることがない領域を意
味する。
本発明の「非開口領域」とは、表示に寄与する光が透過しない領域を意味し、例えば画
素内に非透明な配線或いは電極、若しくは各種素子等の遮光体が配設されている領域を意
味する。開口領域及び非開口領域を加えた画素のサイズにおける開口領域の割合を意味す
る開口率が大きいほど、本発明に係る電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の表示性
能が向上する。
開口領域を規定する複数の領域端の一の領域端は、例えば非開口領域に形成された配線
或いは電極等の縁で規定されている。ここで、「複数の領域端」とは、例えば開口領域が
矩形状である場合には、当該矩形状を規定する４つの辺を意味し、複数の領域端は開口領
域の外形を規定する。各領域端は、特定方向に一直線状に延びる場合に限定されず、大な
り小なり当該領域端が延びる方向に交わる方向に沿って凹凸形状を有していてもよい。
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板では、凸部が開口領域に突出している分
、凸部を設けない場合に比べて開口領域の面積が狭められることになる。しかしながら、
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板では、凸部を一の領域端の一部から開口領
域に突出させることによって、当該一の領域端が延びる方向に沿って一の領域端の他の部
分によって開口領域との境界が構成される非開口領域の幅を狭めることができる。より具
体的には、後述するように第１コンタクト部は凸部に電気的に接続されているため、一の
領域端において当該一の領域端の一部の両側に延びる非開口領域には第１コンタクト部を
形成するためのスペースを確保する必要がなく、その分、例えば遮光性を有する配線等の
遮光体を一の領域端の一部の両側で狭めることによって凸部の両側の夫々において非開口
領域の幅を狭くでき、開口領域全体の面積を大きくとることが可能である。
したがって、本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板によれば、凸部が開口領域
に突出しているため、開口領域の実質的な平面形状は正確には矩形状にならないが、凸部
を設けない場合に比べて相対的に開口率を高めることが可能であり、当該電気光学装置用
基板を備えた電気光学装置の画質を高めることが可能である。加えて、非開口領域を狭め
た場合でも、第１コンタクト部を形成するためのエッチング処理を行うために必要となる
スペースのマージンも確保できる。
第１コンタクト部は、画素電極及び凸部を互いに電気的に接続するコンタクトホール等
の接続手段である。導電膜が、例えば保持容量等の素子の一部を構成する電極に電気的に
接続されている場合には、当該保持容量は画素電極に供給された画像信号に応じて画素電
極の電位を一時的に維持できる。この場合、導電膜は、例えば保持容量及び画素電極を電
気的に中継する中継層として機能する。
ここで、導電膜を介すことなく保持容量の電極及び画素電極を相互に電気的に接続した
場合、当該保持容量の電極は、画素電極との接続を図るためのコンタクト部を形成するた
めに幅が大きくなり、これに伴い非開口領域の幅も大きくなる。しかしながら、本発明に
よれば、非開口領域から開口領域に凸部を突出させておくことによって、例えば保持容量
の電極全体を開口領域に拡げる必要がない。
以上説明したように、本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板によれば、画素電
極及び導電膜の電気的な接続を確保しながら、開口率を向上させることができるため、本
発明に係る電気光学装置用基板を備えた液晶装置等の電気光学装置の画質を高めることが
可能である。
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の一の態様では、前記非開口領域に形成
された第１電極、前記非開口領域において前記第１電極上に形成された第２電極、並びに
、前記第１電極及び前記第２電極に挟持された誘電体膜を有しており、前記画素電極に供
給される画像信号に応じて前記画素電極の電位を一時的に保持する保持容量と、前記非開
口領域において、前記導電膜及び前記第２電極を電気的に接続する第２コンタクト部とを
備えていてもよい。
この態様によれば、導電膜は、第１コンタクト部及び第２コンタクト部の夫々に電気的
に接続されているため、保持容量及び画素電極の電気的な接続を中継する中継層として機
能する。
この態様によれば、開口領域に突出させた第２電極及び第２コンタクト部を直接接続す
る場合に比べて、開口領域が狭められる割合を小さくできる。より具体的には、第１電極
及び第２電極が相互に重なる面積がより大きくなるように第１電極及び第２電極をパター
ニングすることによって保持容量の容量を大きくし、画素電極の電位を保持する保持性能
を向上させるほうが好ましい反面、一の領域端の全体に渡って第２電極を開口領域に張り
出させることは、開口率を高める観点からみて好ましい設計とは言い難い。そこで、導電
膜を介して画素電極及び保持容量を電気的に接続することによって、第２電極が開口領域
に突出する部分を低減でき、開口率の低下を抑制することが可能となる。
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記非開口領域に形成
された第１電極、前記非開口領域において前記第１電極上に形成された第２電極、並びに
、前記第１電極及び前記第２電極に挟持された誘電体膜を有しており、前記画素電極に供
給される画像信号に応じて前記画素電極の電位を一時的に保持する保持容量と、前記非開
口領域において、前記画素電極及び前記第２電極を電気的に接続する第２コンタクト部と
を備えていてもよい。
この態様によれば、中継層として導電膜を介することなく保持容量及び画素電極を電気
的に接続できる。
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記第１電極及び前記
第２電極の夫々は、金属膜であってもよい。
この態様によれば、保持容量は、所謂ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を有する
保持容量である。第２電極は、例えばデータ線に電気的に接続された画素電位側容量電極
であり、第１電極は、固定電位とされる固定電位側容量電極である。ここで、固定電位側
容量電極は通常複数の画素に渡って延在されるため、当該第１電極の面積は第２電極に比
べて相対的に大きくなる。そこで、第１電極及び第２電極を金属膜としておくことにより
、半導体を用いてこれら電極を構成する場合に比べて電気光学装置用基板全体で消費され
る消費電力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。
本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、
前記基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及
び前記複数の走査線の交差に対応して規定された複数の画素の夫々に形成された画素電極
と、前記複数の画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成されており、前記
開口領域を規定する複数の領域端の一の領域端の一部から前記開口領域に突出した凸部を
有する導電膜と、前記一部を含んで前記非開口領域から前記開口領域に渡って延びる第１
電極、及び前記第１電極上に形成された第２電極、並びに前記第１電極及び前記第２電極
に挟持された誘電体膜を有しており、前記画素電極に供給される画像信号に応じて前記画
素電極の電位を一時的に保持する保持容量と、前記非開口領域において前記導電膜及び前
記画素電極を電気的に接続する第１コンタクト部と、前記凸部及び前記第１電極を電気的
に接続する第２コンタクト部とを備える。
本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板によれば、上述した電気光学装置用基板
と同様に、開口領域を規定する複数の領域端の一の領域端の一部から開口領域に突出した
凸部を有する導電膜、及び保持容量を備えている。
第１コンタクト部は、非開口領域で導電膜及び画素電極を電気的に接続しているため、
開口領域を狭めていない。
保持容量は、非開口領域から開口領域に渡って延びる第１電極を有しており、凸部及び
第１電極は、第２コンタクト部によって電気的に接続されている。ここで、凸部は、開口
領域を規定する複数の領域端の一の領域端の一部から開口領域に突出しており、第１電極
も一の領域端の一部から開口領域に延びている。したがって、第１電極は、第２コンタク
ト部に接続される部分のみを開口領域に延ばしておけばよく、第１電極全体を開口領域に
延在させることによって開口率が低下することを低減できる。加えて、本発明の第１の発
明に係る電気光学装置用基板と同様に、非開口領域のうち一の領域端が延びる方向に沿っ
て第２コンタクト部の両側に延びる領域を狭めることができるため、開口率を高めること
が可能である。
よって、本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板によれば、画素電極及び導電膜
、並びに保持容量の電気的な接続を確保しながら、開口率を向上させることができるため
、本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板を備えた液晶装置等の電気光学装置の画
質を高めることが可能である。
本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板の一の態様では、前記第１電極は、前記
非開口領域から前記開口領域に延び、且つ前記第２電極に重ならない第１部分を有する半
導体層であり、前記第２コンタクト部は、前記第１部分に電気的に接続されていてもよい
。
この態様によれば、保持容量は、所謂ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造
を有しており、例えば非開口領域に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のドレインに
電気的に接続された第１電極を介して画素電極に画像信号が供給される。
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記一の領域
端は、前記走査線が延びる方向に沿って延びており、前記凸部は、前記一の領域端の中央
から前記開口領域に突出していてもよい。
この態様によれば、画素内において開口領域の平面形状が非対称な形状になることによ
って画質が低下することを抑制できる。
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記一の領域
端は、前記走査線が延びる方向に沿って延びており、前記凸部は、中央を基準として前記
中央より前記一の領域端の端に近い側から前記開口領域に突出していてもよい。
この態様によれば、凸部を一の領域端の中央より端に近い側から開口領域に突出させる
ことにより、非開口領域に形成される配線又は素子のレイアウトに応じて一の領域端の中
央から凸部を開口領域に突出させることができない場合でも、導電膜及び画素電極を電気
的に接続できる。
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記凸部は、
前記開口領域の隅から前記開口領域に突出していてもよい。
この態様によれば、凸部は、例えば一の領域端及び他の領域端が交わる部分から開口領
域に突出しており、非開口領域における配線及び各種素子の配置に関する自由度が増す。
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記データ線
にソースが電気的に接続され、且つ前記走査線にゲートが電気的に接続されたトランジス
タを備え、前記保持容量は、前記トランジスタの直上に配置されていてもよい。
この態様によれば、保持容量によってトランジスタに入射する光を遮ることが可能であ
る。尚、「直上」とは、トランジスタの真上において他の遮光膜を介在させることなく保
持容量が配置されていることを意味する。この態様によれば、特にトランジスタの直上に
保持容量が配置されているため、トランジスタが有する半導体層の法線方向に対して大き
な角度に入射する入射光を遮ることができ、トランジスタにおける光リーク電流の発生を
低減できる。
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記導電膜は
、前記データ線と同層に形成されていてもよい。
この態様によれば、例えば導電材料で構成される薄膜をデータ線が設けられる層に薄膜
形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去することによって、データ線及び
導電膜を相互に離間させた状態で形成することが可能である。この態様によれば、データ
線及び導電膜を同一工程で形成できるため、製造プロセスを簡便にすることが可能である
。
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために上述した本発明の電気光学装置
用基板を備える。
本発明に係る電気光学装置によれば、上述した電気光学装置用基板を備えているため、
表示性能に優れた電気光学装置を提供することができる。
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を
備えている。
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるの
で、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、
ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テ
レビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に
係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能であ
る。
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
以下図面を参照しながら、本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置用基板及び
電気光学装置、並びに電子機器の各実施形態を説明する。
（第１実施形態）
＜１−１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板及び
これを備えた電気光学装置の各実施形態を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上
に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２
は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回
路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対
向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入され
ており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられる画素領域
たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相
互に接着されている。
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等
からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、
加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と
対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガ
ラスビーズ等のギャップ材が散布されている。本実施形態の液晶装置１は、プロジェクタ
のライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領
域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、この
ような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設
けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換
えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮
光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額
縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０
ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１
０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設
けられている。
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導
通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対
向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１
０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、
データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、
対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には
最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティ
ック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板であ
る。対向基板２０もＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。
ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング
処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。例えば、画素電極９ａはＩ
ＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの
有機膜からなる。
対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１
は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電膜からなる。配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機
膜からなる。
対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。この
ような構成を採ることで、上部容量電極３００として設けられた上側遮光膜と併せ、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０側からの入射光のチャネル領域１ａ´ないしその周辺への侵入をより確
実に阻止することができる。
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、
画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態をとる。
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリ
ングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリ
チャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の
当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
＜１−２：画素部の電気的な接続構成＞
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の画素部の電気的な接続構成を詳細に説明する
。図３は、液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素に
おける各種素子、配線等の等価回路である。
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された
複数の画素の夫々には、画素電極９ａ、及び本発明の「トランジスタ」の一例であるＴＦ
Ｔ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶
装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線
６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信
号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複
数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタ
イミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線
順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的
に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉
じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定
のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に
書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された
対向電極との間で一定期間保持される。
液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変
化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであ
れば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリ
ーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過
率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出
射される。ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対
向電極との間に形成される液晶容量と並列に、本発明の第１の発明に係る「保持容量」の
一例である蓄積容量７０ａが電気的に接続されている。これにより、画素電極９ａにおけ
る電位保持特性が向上し、コントラストやフリッカーといった表示特性の向上が可能とな
る。
＜１−３：画素部の具体的な構成＞
次に、図４乃至図６を参照しながら画素部の具体的な構成を説明する。図４は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面
図である。図５は、図４のＶ−Ｖ´断面図である。図６は、図４のＶＩ−ＶＩ´断面図で
ある。尚、図４乃至図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするた
め、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図５及び図６では、説明の便
宜上画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。図５において、ＴＦＴ
アレイ基板１０から画素電極９ａまでの部分が、本発明の第１の発明に係る「電気光学装
置用基板」の一例である。
図４及び図５において、液晶装置１のＴＦＴアレイ基板１０上には、図中Ｘ方向及びＹ
方向に対してマトリクス状に複数の透明な画素電極９ａが設けられており、画素電極９ａ
の縦横の境界に各々沿って複数のデータ線６ａ及び複数の走査線３ａが設けられている。
半導体層１ａのうち図４中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向する
ように走査線３ａが配置されている。走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所
の夫々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
データ線６ａは、その上面が平坦化された図５に示す第２層間絶縁膜４２を下地として
形成されており、半導体層１ａに含まれるＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄにコンタク
トホール８１ａを介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８
１ａ内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料
、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、Ｔ
ＦＴ３０を遮光する機能も有している。
蓄積容量７０は、本発明の第１の発明に係る「第１電極」の一例である下部容量電極７
１ｍと、本発明の第１の発明に係る「第２電極」の一例である上部容量電極３００とが誘
電体膜７５ａを介して対向配置されることにより形成されている。
上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気
的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、上部容量電極３００は、本
発明の第１の発明に係る「第２コンタクト部」の一例であるコンタクトホール８４ａを介
して本発明の第１の発明に係る「導電膜」の一例である中継層９３に電気的に接続されて
おり、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中
継する。
上部容量電極３００は、例えば金属又は合金を含んでＴＦＴ３０の上側に設けられた金
属膜である。上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）と
しても機能する。上部容量電極３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属を
含んで形成されている。上部容量電極３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム
）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）
等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリ
シリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。
下部容量電極７１ｍは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に
延設されている。下部容量電極７１ｍは、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持
された固定電位側容量電極である。
下部容量電極７１ｍも、上部容量電極３００と同様に金属膜である。したがって、蓄積
容量７０ａは、金属膜−誘電体膜−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ（Metal−Ins
ulator−Metal）構造として構成されている。ここで、下部容量電極７１ｍは、複数の画
素に渡って延在され、これら複数の画素によって共用される。本実施形態では、下部容量
電極７１ｍを金属膜として形成しておくことにより、半導体を用いて下部容量電極７１ｍ
を構成する場合に比べて液晶装置１の駆動時に、当該液晶装置１全体で消費される消費電
力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。
誘電体膜７５ａは、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temper
ature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成されている。
ＴＦＴ３０の下側に下地絶縁膜１２を介して格子状に設けられた下側遮光膜１１ａは、
ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ
´及びその周辺を遮光する。下側遮光膜１１ａは、上部容量電極３００及び下部容量電極
７１ｍと同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少
なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層
したもの等からなる。
下地絶縁層１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴ
アレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時に
おける荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止
する機能を有する。
画素電極９ａは、上部容量電極３００、コンタクトホール８３ａ、８４ａ及び８５ａ、
並びに中継層９３を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続さ
れている。コンタクトホール８５ａは、本発明の「第１コンタクト部」の一例であり、第
３層間絶縁層４３を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構
成する導電材料が成膜されることによって形成されている。
図５において、ＴＦＴ３０は、ゲート電極として共用される走査線３ａからの電界によ
りチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´と、走査線３ａ及び半導体層
１ａとを絶縁する２層の絶縁膜２ａ及び２ｂを含むゲート絶縁膜２とを有している。半導
体層１ａは、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及
び高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＬＤＤ(Lightly Doped Drain）構造を有している。低
濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイ
ン領域１ｅは、半導体層１ａの不純物領域を構成しており、チャネル領域１ａ´の両側に
ミラー対称に形成されている。
蓄積容量７０ａは、第１層間絶縁膜４１を介してＴＦＴ３０の直上に配置されているた
め、ＴＦＴ３０が有する半導体層１ａの法線方向から半導体層１ａが延びる方向に沿って
当該法線方向に対して大きな角度で半導体層１ａに入射する入射光を遮ることができ、半
導体層１ａに生じる光リーク電流を低減することが可能である。したがって、ＴＦＴ３０
の非動作時において低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに流れるオフ電流
が低減でき、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。よって、液
晶装置１は、その動作時に高品位で画像を表示できる。
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１ａ及び高濃度
ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３ａが各々開孔された第１層間絶縁膜４１
が形成されている。第１層間絶縁膜４１上には下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３０
０が形成されており、これらの上には、コンタクトホール８１ａが開孔された第２層間絶
縁膜４２が形成されている。データ線６ａの上から第２層間絶縁膜４２の全面及び中継層
９３を覆うように、コンタクトホール８５ａが形成された第３層間絶縁膜４３が形成され
ている。画素電極９ａ及び不図示の配向膜は、第３層間絶縁膜４３の上面に設けられてい
る。
中継層９３は、第２層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。
データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を第２層間
絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパター
ニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。したがって、データ線６ａ
及び中継層９３を同一工程で形成できるため、液晶装置１の製造プロセスを簡便にできる
。
図４において、走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０ａ、下側遮光膜１１ａ、中継
層９３及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応
する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射
される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線３ａ、蓄積容
量７０ａ、データ線９ａ、下側遮光膜１１ａ、及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならない
ように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。
次に、図４及び図６を参照しながら、中継層９３の配置を詳細に説明する。
図４において、開口領域は、画素において上部容量電極３００、下部容量電極７１ｍ及
び下側遮光膜１１ａの夫々の縁を領域端とする略矩形状の平面形状を有する。例えば、一
の開口領域を規定する４つの領域端の一の領域端１９０は、上部容量電極３００及び下部
容量電極７１ｍの夫々がＸ方向に延びる部分の縁３００ｅ及び７１ｍｅによって規定され
ている。中継層９３は、非開口領域から開口領域に突出した凸部９３ａを有している。凸
部９３ａは、領域端１９０の中央から開口領域に突出している。
ここで、凸部９３ａが開口領域に突出している分、凸部９３ａを設けない場合に比べて
開口領域の面積が狭められることになる。しかしながら、本実施形態では、凸部９３ａを
領域端１９０の一部（例えば領域端１９０の中央）から開口領域に突出させることによっ
て、Ｘ方向に沿って領域端１９０のうち領域端１９０の中央を除く他の部分によって開口
領域との境界が構成される非開口領域の幅を狭めることができる。より具体的には、後述
するようにコンタクトホール８５ａは、凸部９３ａに電気的に接続されているため、領域
端１９０において領域端１９０の中央の両側に延びる非開口領域にはコンタクトホール８
５ａを形成するためのスペースを確保する必要がなく、その分、非開口領域に形成された
配線等の遮光体を領域端１９０の中央の両側で狭めることが可能である。よって、凸部９
３ａの両側の夫々において非開口領域の幅を狭くでき、開口領域全体の面積を大きくとる
ことが可能である。
中継層９３によれば、凸部９３ａが開口領域に突出しているため、開口領域の実質的な
平面形状は正確には矩形状にならない。しかしながら、中継層９３によれば、凸部９３ａ
を設けない場合に比べて相対的に開口率を高めることが可能であり、液晶装置１の画質を
高めることが可能である。加えて、非開口領域を狭めた場合でも、第３層間絶縁膜４３を
部分的に除去してコンタクトホール８５ａを形成する際に、エッチング処理等の除去工程
を行うために必要となるスペースのマージンも確保できる。
本実施形態では、凸部９３ａが、領域端１９０の中央から開口領域に突出しているため
、画素内において開口領域の平面形状が非対称な形状になることによって画質が低下する
ことを抑制できる。
次に、図６を参照しながら、画素電極９ａ及び上部容量電極３００間の電気的な接続構
造を詳細に説明する。
図６において、コンタクトホール８５ａは、画素電極９ａ及び凸部９３ａを互いに電気
的に接続する接続手段の一例である。凸部９３ａは、中継層９３の一部を構成しており、
非開口領域から開口領域に突出している。非開口領域において、中継層９３は、コンタク
トホール８４ａを介して上部容量電極３００に電気的に接続されている。したがって、蓄
積容量７０ａは、画素電極９ａと電気的に接続されている。蓄積容量７０ａは、画素電極
９ａに供給された画像信号に応じて画素電極９ａの電位を一時的に維持できる。
ここで、中継層９３を介すことなく上部容量電極３００及び画素電極９ａを相互に電気
的に接続した場合、上部容量電極３００は、開口領域をより狭めるように画素電極９ａと
重なることになる。より具体的には、上部容量電極３００及び画素電極９ａを相互に電気
的に接続するコンタクト部を形成するためのスペースを確保できるように、上部容量電極
３００及び画素電極９ａが相互に重なる部分が大きくなる。このような重なり部分が大き
くなると、上部容量電極３００の縁で規定される非開口領域の幅も大きくなり、相対的に
開口領域が狭められる。そこで、本実施形態では、凸部９３ａを介して上部容量電極３０
０及び画素電極９ａを相互に電気的に接続することによって、すでに述べたように開口領
域の減少を極力抑制でき、且つ相対的に開口領域を広げることが可能である。
加えて、コンタクトホール８４ａによれば、例えば開口領域に突出させた上部容量電極
３００と、第２層間絶縁膜４２を貫通するように形成されたコンタクトホール８５ａとを
直接する接続する場合に比べて、開口領域が狭められる割合を小さくできる。より具体的
には、上部容量電極３００及び下部容量電極７１ｍが相互に重なる面積がより大きくなる
ように上部容量電極３００及び下部容量電極７１ｍをパターニングすることによって蓄積
容量７０ａの容量を大きくし、画素電極９ａの電位を保持する保持性能を向上させるほう
が好ましい反面、領域端１９０の全体に渡って上部容量電極３００を開口領域に張り出さ
せることは、開口率を高める観点からみて好ましい設計とは言い難い。そこで、中継層９
３を介して画素電極９ａ及び蓄積容量７０ａを相互に電気的に接続することによって、上
部容量電極３００が開口領域に突出する部分を低減でき、開口率の低下を抑制することが
可能となる。
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置用基板によれば、画素電極９ａ及
び蓄積容量７０ａ相互の電気的な接続を確保しながら、開口率を向上させることができる
。したがって、本実施形態に係る液晶装置１によれば、高品位の画像を表示可能である。
（変形例１）
次に、図７を参照しながら画素における中継層９３の変形例を説明する。図７は、デー
タ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平
面図の変形例である。尚、以下では、上述の液晶装置１と共通する部分に同一の参照符号
を付し、詳細な説明を省略する。
図７において、本例の液晶装置では、中継層９３は、Ｘ方向に沿って領域端１９０の中
央より端に近い側から開口領域に突出する凸部９３ａａを有している。凸部９３ａａによ
れば、非開口領域に形成される配線及び蓄積容量７０ａ等の素子のレイアウトに応じて一
の領域端の中央から中継層９３の一部を開口領域に突出させることができない場合でも、
凸部９３ａａを介して中継層９３及び画素電極９ａを電気的に接続できる。
（変形例２）
次に、図８を参照しながら画素における中継層９３の変形例の他の例を説明する。図８
は、データ線６ａ、走査線３ａ、画素電極９ａ等が形成されたＴＦＴアレイ基板１０の相
隣接する複数の画素群の平面図の変形例である。
図８において、中継層９３から開口領域に突出する凸部９３ａｂは、略矩形状を有する
開口領域の隅から開口領域に突出している。より具体的には、凸部９３ａｂは、領域端１
９０及び領域端１９０に交わる他の領域端が相互に交わる部分（即ち、開口領域の隅）か
ら開口領域に突出している。したがって、凸部９３ａｂは、上述した領域端１９０の中央
或いは端に近い部分から開口領域に突出させる場合に限定されず、非開口領域における配
線及び蓄積容量等の各種素子の配置に応じて配設位置を便宜変更可能である。したがって
、非開口領域における配線及び蓄積容量等の各種素子の配置の関する自由度が増す。
（第２実施形態）
次に、図９乃至図１１を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板
及びこれを備えた電気光学装置の各実施形態を説明する。図９は、データ線６ａ、走査線
３ａ、画素電極９ａ等が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上の相隣接する複数の画素群の
平面図である。図１０は、図９のＸ−Ｘ´断面図である。図１１は、図９のＸＩ−ＸＩ´
断面図である。
尚、図９乃至図１１においても、図４乃至図６と同様に、各層・各部材を図面上で認識
可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、
図１０及び図１１では、説明の便宜上画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略
し、第１実施形態に係る液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付している。図１
０において、ＴＦＴアレイ基板１０から画素電極９ａまでの部分が、本発明の第２の発明
に係る「電気光学装置用基板」の一例である。
図９及び図１０において、本実施形態の液晶装置は、本発明の第２の発明に係る「導電
膜」の一例である中継層９３、本発明の第２の発明に係る「保持容量」の一例である蓄積
容量７０ｂ、本発明の第２の発明に係る「第１コンタクト部」の一例であるコンタクトホ
ール８５ｂ、及び本発明の第２の発明に係る「第２コンタクト部」の一例であるコンタク
トホール８４ｂを備えている。
蓄積容量７０ｂは、非開口領域から開口領域に渡って延びる下部容量電極７１ｓ、上部
容量電極３００、及びこれら電極に挟持された誘電体膜７５ｂを有している。上部容量電
極３００は、固定電位側容量電極であり、下部容量電極７１ｓは、コンタクトホール８３
ｂを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続された画素電位側容量電
極である。下部容量電極７１ｓは、ポリシリコン等の半導体層で形成されている。したが
って、蓄積容量７０ｂは、所謂ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造を有して
いる。尚、下部容量電極７１ｓは、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜と
しての上部容量電極３００とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜とし
ての機能も有する。データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び第２層間絶縁
膜４２を貫通するコンタクトホール８１ｂを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続
されている。第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２間には、部分的に絶縁膜６１が
介在している。
図９に示すように、下部容量電極７１ｓは、画素毎に互いに離間されている。したがっ
て、データ線６ａを介して供給される画像信号がＴＦＴ３０のスイッチング動作に応じて
画素毎に供給される。上部容量電極３００は、図９中Ｘ方向に沿って複数の画素に延在さ
れている。したがって、上部容量電極３００は、複数の画素で共用されることによって電
極面積が下部容量電極７１ｓより大きくなる。
しかしながら、上部容量電極３００は、Ａｌ等の金属膜で構成されているため、半導体
で上部容量電極を形成する場合に比べて電極面積の増大による電気抵抗の増大分を抑制で
きる。よって、液晶装置の動作時における消費電力の低減、及び各画素における各種素子
の高速駆動が可能となり、液晶装置によって画像が表示される際の応答性が低下すること
を抑制できる利点がある。このような利点は、本実施形態のように上部容量電極３００が
図中Ｙ方向に沿って互いに隣接する画素に亘って延在するように形成されている場合に限
定されず、上部容量電極３００が画像表示領域１０ａにおいてより大きな面積を占めるよ
うに複数の画素に渡って形成されている場合により顕著に現れる。
コンタクトホール８５ｂは、非開口領域で中継層９３及び画素電極９ａを電気的に接続
しているため、開口領域を狭めていない。
開口領域を規定する複数の領域端の一つである領域端１９０は、上部容量電極３００の
縁３００ｅで規定されている。凸部９３ａは、領域端１９０の一部から開口領域に突出し
ており下部容量電極７１ｓも領域端１９０の一部から開口領域に延びている。したがって
、下部容量電極７１ｓは、コンタクトホール８４ｂに接続される部分のみを開口領域に延
ばしておけばよく、下部容量電極７１ｓ全体を開口領域に延在させることによって開口率
が低下することを低減できる。加えて、第１実施形態と同様に、非開口領域のうちＸ方向
に沿ってコンタクトホール８４ｂの両側に延びる非開口領域を狭めることができるため、
開口率を高めることが可能である。
よって、本実施形態に係る液晶装置によれば、画素電極９ａ及び中継層９３、並びに蓄
積容量７０ｂの電気的な接続を確保しながら、開口率を向上させることができ、液晶装置
によって表示される画像の画質を高めることが可能である。
次に、図１１を参照しながら画素電極９ａ及び下部容量電極７１ｓ間の電気的な接続構
造を詳細に説明する。
図１１において、下部容量電極７１ｓは、非開口領域から開口領域に延び、且つ上部容
量電極３００に重ならない第１部分７１ｓａを有している。中継層９３は、非開口領域か
ら開口領域に突出した凸部９３ａを有している。
コンタクトホール８４ｂは、第１部分７１ｓａ及び中継層９３を相互に電気的に接続し
ている。コンタクトホール８５ｂは、画素電極９ａ及び中継層９３を電気的に接続してい
る。したがって、非開口領域に形成されたＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続された下
部容量電極７１ｓを介して画素電極９ａに画像信号が供給され、画像表示が行われる。
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置用基板を備えた液晶装置等の電気
光学装置によれば、蓄積容量によって画素電極９ａの電位を一時的に保持でき、且つ開口
率を高めることが可能であるため、高品位の画像を表示できる。
尚、本実施形態においても、第１実施形態と同様に凸部９３ａを領域端１９０の中央、
当該領域端１９０の中央を基準として端に近い側、及び開口領域の隅の何れかの領域から
凸部９３ａを開口領域に突出させておけば、開口率向上が実現されることは言うまでもな
い。加えて、保持容量７０ｂが、ＴＦＴ３０の直上に設けられているため、特に半導体層
１ａの法線方向に対して大きな角度で当該半導体層１ａに斜めに入射する光を保持容量７
０ｂによって遮光できる。また、中継層９３がデータ線６ａと同層に形成されているため
、液晶装置の製造プロセスが簡便なものとなる。
（電子機器）
次に、図１２を参照しながら上述した液晶装置を各種の電子機器に適用する場合につい
て説明する。本実施形態に係る電子機器は、上述の液晶装置をライトバルブとして用いた
プロジェクタである。図１２は、上述した液晶装置を備えた電子機器の一例であるプロジ
ェクタの構成例を示す平面図である。図１２に示すように、プロジェクタ１１００内部に
は、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。こ
のランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置され
た４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３
原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１
０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同
等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動される
ものである。これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１
１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒおよ
びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成さ
れる結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることと
なる。
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について
着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ
による表示像に対して左右反転される。尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１
１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する
光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
尚、本実施形態に係る電子機器によれば、上述の液晶装置を具備してなるので、高品位
の表示が可能であり、且つ小型サイズを有する、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、
ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワー
クステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現でき
る。
本発明の第１実施形態に係る電気光学装置をＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。 図１のＨ−Ｈ´断面図である。 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図４のＶ−Ｖ´断面図である。 図４のＶＩ−ＶＩ´断面図である。 本発明の第１実施形態における、ＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の変形例（その１）を示した平面図である。 本発明の第１実施形態における、ＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の変形例（その２）を示した平面図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図９のＸ−Ｘ´断面図である。 図９のＸＩ−ＸＩ´断面図である。 本実施形態に係る電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す平面図である。
符号の説明
１・・・液晶装置、１ａ・・・半導体層、２・・・ゲート絶縁膜、３ａ・・・走査線、
６ａ・・・データ線、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１１ａ・・・下側遮光膜、７０ａ、
７０ｂ・・・蓄積容量、７１ｍ、７１ｓ・・・下部容量電極、７５ａ、７５ｂ・・・誘電
体膜、９３・・・中継層、３００・・・上部容量電極

Claims (13)

  1. 基板と、
    前記基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
    前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定された複数の画素の夫
    々に形成された画素電極と、
    前記複数の画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成されており、前記開
    口領域を規定する複数の領域端の一の領域端の一部から前記開口領域の側に突出した凸部
    を有する導電膜と、
    前記画素電極及び前記凸部を互いに電気的に接続する第１コンタクト部と
    を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
  2. 前記非開口領域に形成された第１電極、前記非開口領域において前記第１電極上に形成
    された第２電極、並びに、前記第１電極及び前記第２電極に挟持された誘電体膜を有して
    おり、前記画素電極に供給される画像信号に応じて前記画素電極の電位を一時的に保持す
    る保持容量と、
    前記非開口領域において、前記導電膜及び前記第２電極を電気的に接続する第２コンタ
    クト部と
    を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
  3. 前記非開口領域に形成された第１電極、前記非開口領域において前記第１電極上に形成
    された第２電極、並びに、前記第１電極及び前記第２電極に挟持された誘電体膜を有して
    おり、前記画素電極に供給される画像信号に応じて前記画素電極の電位を一時的に保持す
    る保持容量と、
    前記非開口領域において、前記画素電極及び前記第２電極を電気的に接続する第２コン
    タクト部と
    を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
  4. 前記第１電極及び前記第２電極の夫々は、金属膜であること
    を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
  5. 基板と、
    前記基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
    前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定された複数の画素の夫
    々に形成された画素電極と、
    前記複数の画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成されており、前記開
    口領域を規定する複数の領域端の一の領域端の一部から前記開口領域に突出した凸部を有
    する導電膜と、
    前記一部を含んで前記非開口領域から前記開口領域に渡って延びる第１電極、及び前記
    第１電極上に形成された第２電極、並びに前記第１電極及び前記第２電極に挟持された誘
    電体膜を有しており、前記画素電極に供給される画像信号に応じて前記画素電極の電位を
    一時的に保持する保持容量と、
    前記非開口領域において前記導電膜及び前記画素電極を電気的に接続する第１コンタク
    ト部と、
    前記凸部及び前記第１電極を電気的に接続する第２コンタクト部と
    を備えたことを特徴とする電気光学装置。
  6. 前記第１電極は、前記非開口領域から前記開口領域に延び、且つ前記第２電極に重なら
    ない第１部分を有する半導体層であり、
    前記第２コンタクト部は、前記第１部分に電気的に接続されていること
    を特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板。
  7. 前記一の領域端は、前記走査線が延びる方向に沿って延びており、
    前記凸部は、前記一の領域端の中央から前記開口領域に突出していること
    を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
  8. 前記一の領域端は、前記走査線が延びる方向に沿って延びており、
    前記凸部は、中央を基準として前記中央より前記一の領域端の端に近い側から前記開口
    領域に突出していること
    を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
  9. 前記凸部は、前記開口領域の隅から前記開口領域に突出していること
    を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
  10. 前記データ線にソースが電気的に接続され、且つ前記走査線にゲートが電気的に接続さ
    れたトランジスタを備え、
    前記保持容量は、前記トランジスタの直上に配置されていること
    を特徴とする請求項１から９の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
  11. 前記導電膜は、前記データ線と同層に形成されていること
    を特徴とする請求項１から１０の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
  12. 請求項１から１１の何れか一項に記載の電気光学装置用基板を備えたこと
    を特徴とする電気光学装置。
  13. 請求項１２に記載の電気光学装置を具備してなること
    を特徴とする電子機器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010128421A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
CN103926760A (zh) * 2013-01-14 2014-07-16 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构及像素阵列基板

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6369801B2 (ja) * 2014-07-24 2018-08-08 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 液晶表示装置
CN113437101A (zh) * 2015-02-27 2021-09-24 索尼公司 固态成像装置及电子装置
KR102454468B1 (ko) * 2017-09-20 2022-10-14 주식회사 디비하이텍 유기 발광 다이오드 표시 장치용 신호 제어 유닛, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 소자

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001021919A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP2001305580A (ja) * 2000-04-24 2001-10-31 Seiko Epson Corp 電気光学装置
JP2002098991A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板およびこれを用いた電気光学装置と電子機器
JP2004012730A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2004170915A (ja) * 2002-10-31 2004-06-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2004193624A (ja) * 2004-01-13 2004-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体回路、表示装置及び電子機器
JP2004199074A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを含む液晶表示装置
JP2005107548A (ja) * 1998-11-26 2005-04-21 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100469109B1 (ko) 1998-11-26 2005-02-02 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치 및 그 제조방법 및 전자기기
JP4144183B2 (ja) 2001-02-14 2008-09-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、その製造方法及び投射型表示装置
JP4462128B2 (ja) 2001-10-04 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3821067B2 (ja) * 2002-07-11 2006-09-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4214741B2 (ja) 2002-08-27 2009-01-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2005222019A (ja) * 2004-01-07 2005-08-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法
JP2005250448A (ja) 2004-02-05 2005-09-15 Sharp Corp 電子素子、表示素子及びその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005107548A (ja) * 1998-11-26 2005-04-21 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2001021919A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP2001305580A (ja) * 2000-04-24 2001-10-31 Seiko Epson Corp 電気光学装置
JP2002098991A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板およびこれを用いた電気光学装置と電子機器
JP2004012730A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2004170915A (ja) * 2002-10-31 2004-06-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2004199074A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを含む液晶表示装置
JP2004193624A (ja) * 2004-01-13 2004-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体回路、表示装置及び電子機器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010128421A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
CN103926760A (zh) * 2013-01-14 2014-07-16 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构及像素阵列基板
CN103926760B (zh) * 2013-01-14 2017-08-25 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构及像素阵列基板

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