JP2007294882A - Thin-film magnetic device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薄膜コイルと磁性膜とを備えた薄膜磁気デバイスおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to a thin film magnetic device including a thin film coil and a magnetic film, and a method for manufacturing the same.
従来より、各種用途の電子機器分野において、集積化受動部品として、薄膜コイルおよび磁性膜を含んで構成される薄膜インダクタや薄膜トランスなどの薄膜磁気デバイスが広く利用されている。 Conventionally, thin film magnetic devices such as thin film inductors and thin film transformers including thin film coils and magnetic films have been widely used as integrated passive components in the field of electronic equipment for various applications.
図25は、矩形状のスパイラルコイルにより構成された従来の薄膜磁気デバイス(薄膜インダクタ101)の一例を表したものであり、図25(A)は平面構成を、図25(B)は図25(A)に示したIII−III部分の矢視断面構成を、それぞれ表している。この薄膜インダクタ101では、基板111上に、絶縁膜112、端子113T1,113T2を有する矩形状のスパイラルコイル113、および中央部分に開口115を有する磁性膜114がこの順にZ軸方向に積層された積層構造をなしている。また、磁性膜114は、成膜時などにX軸方向に所定の磁場が印加されることにより、この磁場印加方向(X軸方向)に磁場容易軸Meが形成される一方、これと直交する方向(Y軸方向)に磁場困難軸Mhが形成され、一軸異方性を示すようになっている。
FIG. 25 shows an example of a conventional thin film magnetic device (thin film inductor 101) configured by a rectangular spiral coil. FIG. 25 (A) shows a planar configuration, and FIG. 25 (B) shows FIG. Each cross-sectional structure of the III-III part shown to (A) is each represented. In this
ところで、近年ではこのような薄膜磁気デバイスにおいて、GHz(ギガ・ヘルツ)帯域等での高周波用途が期待され、高周波特性の良好な磁性膜、具体的には高周波領域において高い透磁率を示す磁性膜が求められている。 By the way, in recent years, in such a thin film magnetic device, a high frequency application in a GHz (gigahertz) band or the like is expected, and a magnetic film having good high frequency characteristics, specifically, a magnetic film exhibiting high permeability in a high frequency region. Is required.
例えば、図25に示したような従来の薄膜磁気デバイスでは、薄膜コイルが矩形状のスパイラルコイルであるため、X軸方向およびY軸方向に延在するコイルパターンがそれぞれ存在し、磁化容易軸Meに沿ったものと、磁化困難軸Mhに沿ったものとが混在している。そのため、コイルによって生成される磁化方向が磁化容易軸Meと直交するコイルパターン(X軸方向のもの)については、もともと低周波領域での透磁率が低いものの、高周波領域まである程度の透磁率を維持できる一方、磁化方向が磁化容易軸Meと平行するコイルパターン(Y軸方向のもの)については、低周波領域での透磁率が高いものの、高周波領域では透磁率が急激に低下してしまうことになる。よって、磁性膜の磁気特性利用効率が悪く(正方形状のスパイラルコイルの場合、約50%となる)、高周波領域において高い透磁率を示すことが困難であった。 For example, in the conventional thin film magnetic device as shown in FIG. 25, since the thin film coil is a rectangular spiral coil, there are coil patterns extending in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively, and the easy magnetization axis Me. And those along the hard magnetization axis Mh are mixed. For this reason, the coil pattern (in the X-axis direction) in which the magnetization direction generated by the coil is orthogonal to the easy magnetization axis Me originally has a low permeability in the low frequency region, but maintains a certain degree of permeability up to the high frequency region. On the other hand, the coil pattern (in the Y-axis direction) whose magnetization direction is parallel to the easy magnetization axis Me has a high permeability in the low frequency region, but the permeability rapidly decreases in the high frequency region. Become. Therefore, the efficiency of using magnetic characteristics of the magnetic film is poor (about 50% in the case of a square spiral coil), and it is difficult to exhibit high magnetic permeability in a high frequency region.
そこで、例えば特許文献1には、矩形状のスパイラルコイルが構成する2方向のコイルパターンにそれぞれ対応させ、磁性膜の形状磁気異方性を利用して磁性膜の磁化容易軸方向がそれぞれ異なることとなるようにした技術が開示されている。具体的には、2方向のコイルパターンに対応して別個に磁場中で磁性膜を形成することにより、両方向のコイルパターンともに磁化容易軸と直交するようにし、高周波領域での透磁率向上を図ったものである。
Therefore, for example,
また、例えば特許文献2には、矩形状のスパイラルコイルのコイルパターンに対応して周回する微細なスリットを形成することにより、磁性膜の磁化容易軸方向を回転させるようにした技術が開示されている。これも上記技術と同様に、両方向のコイルパターンを磁化容易軸と直交させることにより、高周波領域での透磁率向上を図ったものである。
Further, for example,
しかしながら、特許文献1,2に示された薄膜磁気デバイスでは、高周波領域での透磁率が実用上十分なレベルまでには至っていなかった。よって、高周波領域での透磁率の更なる向上が望まれる。
However, in the thin film magnetic devices disclosed in
また、特に特許文献1に示された薄膜磁気デバイスの製造方法では、2方向のコイルパターンに対応して磁性膜を別個に形成する必要があるため、図25に示したような従来の薄膜磁気デバイスのものと比べて製造工程が複雑化してしまい、簡易に製造するのが困難であった
In particular, in the method of manufacturing a thin film magnetic device disclosed in
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、高周波領域での透磁率をより効果的に向上させることが可能な薄膜磁気デバイス、およびそのような薄膜磁気デバイスの製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and a first object thereof is a thin film magnetic device capable of more effectively improving the permeability in a high frequency region, and such a thin film magnetic device. It is to provide a manufacturing method.
また、本発明の第2の目的は、高周波領域において高い透磁率を示す薄膜磁気デバイスを簡易に得ることが可能な薄膜磁気デバイスの製造方法を提供することにある。 A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a thin film magnetic device that can easily obtain a thin film magnetic device exhibiting high magnetic permeability in a high frequency region.
本発明の第1の薄膜磁気デバイスは、薄膜コイルと、この薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延設された複数の帯状磁性膜とを備え、帯状磁性膜がこの帯状磁性膜の長手方向に沿って並んだ複数の磁区を有すると共に、この磁区の長手方向が帯状磁性膜の幅方向と一致するようにしたものである。 A first thin film magnetic device of the present invention includes a thin film coil, and a plurality of strip-like magnetic films laminated on an extending surface of the thin-film coil and extending in one direction in the laminate surface. Has a plurality of magnetic domains arranged along the longitudinal direction of the belt-like magnetic film, and the longitudinal direction of the magnetic domains coincides with the width direction of the belt-like magnetic film.
本発明の第2の薄膜磁気デバイスは、薄膜コイルと、この薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延びる複数のスリットが形成された磁性膜とを備え、この磁性膜のうちの複数のスリット間に挟まれた帯状領域に、複数の磁区が帯状領域の長手方向に沿って並ぶようにすると共に、この磁区の長手方向が帯状領域の幅方向と一致するようにしたものである。なお、「スリット」とは、短冊状や帯状の開口に加え、短冊状や帯状の凹面をも含む意味である。 A second thin film magnetic device of the present invention includes a thin film coil and a magnetic film laminated on the extending surface of the thin film coil and formed with a plurality of slits extending in one direction in the laminated surface. A plurality of magnetic domains are arranged along the longitudinal direction of the band-like region in the band-like region sandwiched between the plurality of slits of the film, and the longitudinal direction of the magnetic domain coincides with the width direction of the band-like region. It is a thing. The term “slit” means a strip-shaped or strip-shaped concave surface as well as a strip-shaped or strip-shaped opening.
本発明の薄膜磁気デバイスでは、複数の磁区が、積層面内の一方向に延びる帯状磁性膜またはスリット間の帯状領域の幅方向を長手方向としつつ帯状磁性膜または帯状領域の長手方向に沿って並んでいるため、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとの間の位置関係によらず、すなわち、これらが互いに平行な場合および互いに直交している場合のいずれにおいても、高周波領域である程度の透磁率が維持される。 In the thin film magnetic device of the present invention, a plurality of magnetic domains extend along the longitudinal direction of the strip-shaped magnetic film or the strip-shaped region, with the width direction of the strip-shaped region between the strip-shaped magnetic film or slit extending in one direction in the laminated plane as the longitudinal direction. Because they are lined up, the high frequency region regardless of the positional relationship between the easy magnetization axis of the belt-like magnetic film or magnetic film and the thin film coil, that is, both in the case where they are parallel to each other and perpendicular to each other A certain degree of permeability is maintained.
本発明の薄膜磁気デバイスでは、上記帯状磁性膜またはスリットを、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域にのみ対応してこの磁化容易軸と直交する方向を長手方向として形成するのが好ましい。なお、「直交する」とは、文字通り完全に直交する態様だけでなく、略直交する態様をも含むものである。このように構成した場合、磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域の透磁率が選択的に増加される。 In the thin film magnetic device of the present invention, the band-shaped magnetic film or the slit is formed so that the direction perpendicular to the easy magnetization axis corresponds to the region where the easy magnetization axis of the belt-shaped magnetic film or magnetic film is orthogonal to the thin film coil. It is preferable to form as. Note that “orthogonally” includes not only a literally orthogonal aspect but also an approximately orthogonal aspect. When configured in this manner, the magnetic permeability in the region where the easy axis of magnetization and the thin film coil are orthogonal to each other is selectively increased.
本発明の薄膜磁気デバイスでは、上記薄膜コイルが、磁化容易軸に沿って延在する第1のコイルパターンと磁化容易軸と直交する方向に沿って延在する第2のコイルパターンとを含む場合、上記帯状磁性膜またはスリットをこの第2のコイルパターンに沿って形成するように構成可能である。 In the thin film magnetic device of the present invention, the thin film coil includes a first coil pattern extending along the easy axis and a second coil pattern extending along a direction orthogonal to the easy axis. The band-like magnetic film or the slit can be formed along the second coil pattern.
本発明の薄膜磁気デバイスでは、上記帯状磁性膜または帯状領域の幅を0.1mm以上かつ5mm以下にするのが好ましく、0.3mm以上かつ2mm以下にするのがより好ましく、0.3mm以上かつ1mm以下にするのがさらに好ましい。 In the thin film magnetic device of the present invention, the width of the band-shaped magnetic film or the band-shaped region is preferably 0.1 mm or more and 5 mm or less, more preferably 0.3 mm or more and 2 mm or less, and 0.3 mm or more and More preferably, it is 1 mm or less.
本発明の薄膜磁気デバイスでは、上記磁区の長手方向の長さに対する磁区の幅方向の長さの比が0.3以下となるようにするのが好ましい。 In the thin film magnetic device of the present invention, the ratio of the length in the width direction of the magnetic domain to the length in the length direction of the magnetic domain is preferably 0.3 or less.
本発明の第1の薄膜磁気デバイスの製造方法は、基板上に薄膜コイルを形成する第1の工程と、この薄膜コイルの延在面上に、積層面内の所定方向に磁化容易軸を有すると共にこの磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域に対応して磁化容易軸と直交する方向を長手方向とする複数の帯状磁性膜を形成する第2の工程とを含むようにしたものである。 The first thin film magnetic device manufacturing method of the present invention includes a first step of forming a thin film coil on a substrate, and an easy axis of magnetization in a predetermined direction in the laminated surface on the extending surface of the thin film coil. And a second step of forming a plurality of strip-like magnetic films whose longitudinal direction is a direction perpendicular to the easy magnetization axis corresponding to a region where the easy magnetization axis and the thin film coil are orthogonal to each other. .
本発明の第1の薄膜磁気デバイスの製造方法では、第1の工程において、基板上に薄膜コイルが形成される。そして第2の工程において、薄膜コイルの延在面上に、磁化容易軸と直交する方向を長手方向とする複数の帯状磁性膜が形成される。ここで、この帯状磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域に対応して帯状磁性膜が形成されると共に磁化容易軸と直交する方向に延在することとなるため、磁化容易軸と薄膜コイルとが平行な領域だけでなく直交する領域、すなわち帯状磁性膜が延在する領域においても、高周波領域である程度の透磁率が維持される。また、上記第1および第2の工程により、製造工程が複雑化することはない。 In the first method of manufacturing a thin film magnetic device of the present invention, a thin film coil is formed on a substrate in the first step. In the second step, a plurality of strip-shaped magnetic films having a longitudinal direction in the direction orthogonal to the easy magnetization axis are formed on the extending surface of the thin film coil. Here, since the band-like magnetic film is formed corresponding to the region where the easy axis of magnetization of the belt-like magnetic film and the thin film coil are orthogonal to each other and extends in the direction perpendicular to the easy axis of magnetization, A certain degree of magnetic permeability is maintained in the high-frequency region not only in the region where the thin film coil is parallel but also in the region orthogonal to each other, that is, in the region where the belt-like magnetic film extends. In addition, the manufacturing process is not complicated by the first and second processes.
本発明の第2の薄膜磁気デバイスの製造方法は、基板上に薄膜コイルを形成する第1の工程と、この薄膜コイルの延在面上に、積層面内の所定方向に磁化容易軸を有すると共にこの磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域に対応して磁化容易軸と直交する方向にスリットが設けられた磁性膜を形成する第2の工程とを含むようにしたものである。 The second thin film magnetic device manufacturing method of the present invention includes a first step of forming a thin film coil on a substrate, and an easy axis of magnetization in a predetermined direction in the laminated surface on the extending surface of the thin film coil. And a second step of forming a magnetic film provided with a slit in a direction orthogonal to the easy magnetization axis corresponding to a region where the easy magnetization axis and the thin film coil are orthogonal to each other.
本発明の第2の薄膜磁気デバイスの製造方法では、第1の工程において、基板上に薄膜コイルが形成される。そして第2の工程において、薄膜コイルの延在面上に、磁化容易軸と直交する方向にスリットが設けられた磁性膜が形成される。ここで、この磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域に対応してスリットが形成されると共に磁化容易軸と直交する方向に延在することとなるため、磁化容易軸と薄膜コイルとが平行な領域だけでなく直交する領域、すなわちスリットが延在する領域においても、高周波領域である程度の透磁率が維持される。また、上記第1および第2の工程により、製造工程が複雑化することはない。 In the second method of manufacturing a thin film magnetic device of the present invention, a thin film coil is formed on a substrate in the first step. In the second step, a magnetic film provided with slits in the direction orthogonal to the easy axis of magnetization is formed on the extending surface of the thin film coil. Here, since the slit is formed corresponding to the region where the easy axis of the magnetic film and the thin film coil are orthogonal to each other and extends in the direction orthogonal to the easy axis, the easy axis and the thin film coil A certain degree of permeability is maintained in the high-frequency region not only in the region where the two are parallel but also in the region orthogonal to each other, that is, in the region where the slit extends. In addition, the manufacturing process is not complicated by the first and second processes.
本発明の第2の薄膜磁気デバイスの製造方法では、上記第2の工程が、薄膜コイルの延在面上に磁性膜を形成する工程と、この磁性膜の積層面内の所定方向に磁場を印加しつつ熱処理を行う工程と、この磁場の印加方向と薄膜コイルとが直交する領域に対応させて磁場の印加方向と直交する方向にスリットを形成する工程とを含むようにしてもよい。また、薄膜コイルの延在面上に磁性膜を形成する工程と、この磁性膜の積層面内において薄膜コイルの一部分と平行となるようにスリットを形成する工程と、磁性膜の積層面内のスリットと直交する方向に所定方向に磁場を印加しつつ熱処理を行う工程とを含むようにしてもよい。また、薄膜コイルの延在面上に、この延在面内の所定方向に磁場を印加しつつ磁性膜を形成する工程と、この磁場の印加方向と薄膜コイルとが直交する領域に対応させて磁場の印加方向と直交する方向にスリットを形成する工程とを含むようにしてもよい。 In the second method of manufacturing a thin film magnetic device of the present invention, the second step includes a step of forming a magnetic film on the extending surface of the thin film coil, and a magnetic field in a predetermined direction within the laminated surface of the magnetic film. You may make it include the process of heat-processing while applying, and the process of forming a slit in the direction orthogonal to the application direction of a magnetic field corresponding to the area | region where this application direction of a magnetic field and a thin film coil orthogonally cross. Also, a step of forming a magnetic film on the extending surface of the thin film coil, a step of forming a slit so as to be parallel to a part of the thin film coil in the laminated surface of the magnetic film, and a step in the laminated surface of the magnetic film And a step of performing heat treatment while applying a magnetic field in a predetermined direction in a direction perpendicular to the slit. In addition, a step of forming a magnetic film on the extending surface of the thin film coil while applying a magnetic field in a predetermined direction in the extending surface, and a region where the application direction of the magnetic field and the thin film coil are orthogonal to each other. A step of forming a slit in a direction orthogonal to the direction of application of the magnetic field.
本発明の薄膜磁気デバイスの製造方法では、上記第2の工程の後に、帯状磁性膜または磁性膜の積層面内方向に回転する磁場を印加しつつ熱処理を行う工程を含むようにするのが好ましい。このようにした場合、帯状磁性膜または磁性膜の応力が緩和されると共に磁気異方性が低減し、磁化容易軸と直交する磁化困難軸方向の透磁率がより増加する。 The thin film magnetic device manufacturing method of the present invention preferably includes a step of performing a heat treatment while applying a magnetic field rotating in the in-plane direction of the belt-like magnetic film or the magnetic film after the second step. . In this case, the stress of the belt-like magnetic film or the magnetic film is relaxed and the magnetic anisotropy is reduced, and the magnetic permeability in the hard axis direction perpendicular to the easy axis is further increased.
本発明の薄膜磁気デバイスによれば、複数の磁区を、積層面内の一方向に延びる帯状磁性膜またはスリット間の帯状領域の幅方向を長手方向としつつ帯状磁性膜または帯状領域の長手方向に沿って並んでいるようにしたので、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが互いに平行な場合および互いに直交している場合のいずれにおいても、高周波領域である程度の透磁率を維持することができる。よって、高周波領域での透磁率をより効果的に向上させることが可能となる。 According to the thin film magnetic device of the present invention, a plurality of magnetic domains are arranged in the longitudinal direction of the strip-shaped magnetic film or the strip-shaped region while the longitudinal direction is the width direction of the strip-shaped magnetic film extending in one direction in the laminated surface or the strip-shaped region between the slits. Since the striped magnetic film or magnetic film easy magnetization axis and the thin film coil are parallel to each other or orthogonal to each other, a certain degree of permeability is maintained in the high frequency region. can do. Therefore, the magnetic permeability in the high frequency region can be improved more effectively.
特に、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域のみに対応して帯状磁性膜またはスリットを形成すると共に磁化容易軸と直交する方向に延在させるようにした場合、磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域の高周波での透磁率を選択的に増加させることができる。よって、高周波領域での透磁率をさらに効果的に向上させることが可能となる。 In particular, when the band-like magnetic film or slit is formed corresponding to only the region where the easy axis of magnetization of the belt-like magnetic film or magnetic film and the thin-film coil are orthogonal to each other and extended in the direction perpendicular to the easy axis of magnetization, It is possible to selectively increase the magnetic permeability at a high frequency in a region where the easy magnetization axis and the thin film coil are orthogonal to each other. Therefore, the magnetic permeability in the high frequency region can be further effectively improved.
また、本発明の薄膜磁気デバイスの製造方法によれば、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域に対応して帯状磁性膜またはスリットを形成すると共に磁化容易軸と直交する方向に延在させるようにしたので、磁化容易軸と薄膜コイルとが平行な領域だけでなく直交する領域、すなわち帯状磁性膜またはスリットが延在する領域においても、高周波領域である程度の透磁率を維持することができる。また、これらの工程によって製造工程が複雑化することはない。よって、上記のように高周波領域において高い透磁率を示す薄膜磁気デバイスを簡易に得ることが可能となる。 In addition, according to the method of manufacturing a thin film magnetic device of the present invention, the band-like magnetic film or slit is formed corresponding to the region where the band-like magnetic film or the easy axis of magnetization of the magnetic film and the thin-film coil are orthogonal to each other, and Since it extends in the orthogonal direction, not only in the region where the easy axis of magnetization and the thin film coil are parallel, but also in the orthogonal region, that is, in the region where the band-shaped magnetic film or slit extends, a certain degree of transparency in the high frequency region. Magnetic susceptibility can be maintained. Further, the manufacturing process is not complicated by these processes. Therefore, it is possible to easily obtain a thin film magnetic device exhibiting high magnetic permeability in the high frequency region as described above.
以下、本発明を実施するための最良の形態(以下、単に実施の形態という。)について、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention (hereinafter simply referred to as an embodiment) will be described in detail with reference to the drawings.
図1および図2は、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気デバイスとしての薄膜インダクタ1の構成を表しており、図1はX−Y平面構成を、図2は図1に示したII−II線に沿ったX−Z断面構成を表している。この薄膜インダクタ1は、基板11上に、絶縁膜12、薄膜状のコイル13、および磁性膜14がこの順に形成された積層構造を有している。
1 and 2 show a configuration of a
基板11は、薄膜インダクタ1全体を支持ずる矩形状の基板であり、例えば、ガラス、シリコン(Si)、酸化アルミニウム(Al2O3;いわゆるアルミナ)、セラミックス、半導体または樹脂などにより構成されている。なお、基板11の構成材料は、必ずしも上記した一連の材料に限らず、自由に選定可能である。
The
絶縁膜12は、コイル13を周辺から電気的に絶縁するものであり、例えば、酸化ケイ素(SiO2)などの絶縁性材料により構成されている。
The insulating
コイル13は、一端(13T1)と他端(13T2)との間にインダクタを構成するものであり、例えば銅(Cu)などの導電性材料により構成されている。このコイル13は、X−Y平面内で端子13T1,13T2がいずれも外部へ導出されるように巻回された矩形状のスパイラル型構造となっており、X軸方向に沿って延在するコイルパターン(第1のコイルパターン)と、Y軸方向に沿って延在するコイルパターン(第2のコイルパターン)とを有している。また、コイル13のうちの端子13T2に通じる部分は、コイル13のうちの端子13T1に通じる部分を含む巻回部分と接触せずに外部に導かれるように、その巻回部分よりも下層に配置されている。なお、図2では図示内容を簡略化するために、コイル13のうちの端子13T2へ通じる部分の図示を省略している。
The
磁性膜14は、薄膜インダクタ1のインダクタンスを高めるためのものであり、中央部に矩形状の開口15を有している。また、磁性膜14は、X軸方向に磁化容易軸Meを有すると共にY軸方向に磁化困難軸Mhを有し、一軸異方性を示している。この磁性膜14は、例えば、コバルト(Co)系合金、鉄(Fe)系合金またはニッケル鉄合金(NiFe;いわゆるパーマロイ)などの磁性材料により構成されている。このうち、コバルト系合金としては、例えば、薄膜インダクタ1の実用上の観点から、コバルトジルコニウムタンタル(CoZrTa)系合金またはコバルトジルコニウムニオブ(CoZrNb)系合金などが好ましい。なお、開口15の形状は矩形状には限らず、任意の形状とすることができる。
The
磁性膜14には、磁化容易軸Meとコイル14とが略直交する領域、すなわちコイル14のうちのY軸方向に延在する第2のコイルパターンに対応する領域に、この第2のコイルパターンと重なるように、磁化容易軸Meと略直交する方向、すなわちY軸方向(磁化困難軸Mh方向)に延びる短冊状(帯状)の複数のスリット16が形成されている。また、別の観点から見ると、この磁性膜14には、コイル13の延在領域をその巻回方向に沿って分割してなる4つの領域(開口15の上下左右に位置する4つの領域)のうちの互いに対向する一対の領域(ここでは、開口15の左右に位置する2つの領域)にのみ、一方向(Y軸方向)に延びる複数のスリット16が形成されている。これらスリット16の幅(スリット幅S)は5μm〜20μm程度であり、各スリット16間の磁性膜14の幅(パターン幅L)は、後述するように0.1mm〜5mm程度である。なお、ここでは各スリット16は磁性膜14を貫通するものとなっているが、完全に貫通するものには限られず、短冊状(帯状)の凹面であってもよい。
In the
次に、図3〜図7を参照して、薄膜インダクタ1の製造方法の一例について説明する。ここで図3〜図7は、薄膜インダクタ1の製造方法の一例を表したものであり、図3および図5はX−Z断面構成を、図4,図6および図7はX−Y平面構成を、それぞれ表している。
Next, an example of a method for manufacturing the
まず、図3(A)に示したように、前述した材料よりなる基板11上に、絶縁膜12およびコイル13を形成する。絶縁膜12の形成は、例えばスパッタリング法により行い、コイル13の形成は、例えばめっき法により行う。また、図のようにコイル13が絶縁膜12中に埋設されるようにするため、例えば、絶縁膜12を分割形成しつつコイル13を形成する。
First, as shown in FIG. 3A, the insulating
続いて、図3(B)に示したように、絶縁膜12およびコイル13の上に、前述した材料よりなる磁性膜14を一様に形成する。この磁性膜14の形成は、例えばスパッタリング法により行う。
Subsequently, as shown in FIG. 3B, the
続いて、図4に示したように、磁性膜14の積層面(X−Y平面)内で固定磁場H1を印加しつつ熱処理を行う。その際、固定磁場H1の印加方向は、コイル13が構成する第1および第2のコイルパターンのうちの一方と略平行、すなわちこの場合X軸方向またはY軸方向(図4ではX軸方向となっている)となるようにする。また、固定磁場H1の大きさは例えば300×103/4π[A/m](=300Oe)程度とし、熱処理温度は例えば330℃程度とし、熱処理時間は例えば1時間程度とする。すると図5に示したように、固定磁場H1の印加方向(X軸方向)に沿って磁化容易軸Meが、印加方向と直交する方向(Y軸方向)に沿って磁化困難軸Mhがそれぞれ生じ、磁性膜14が一軸異方性を示すようになる。
Subsequently, as shown in FIG. 4, heat treatment is performed while applying a fixed magnetic field H <b> 1 within the laminated surface (XY plane) of the
続いて、図6(A)に示したように、フォトレジスト法により、磁性膜14に開口15およびスリット16を形成するためのフォトレジストパターン2を形成する。このフォトレジストパターン2の形成領域は、開口15およびスリット16の形成領域に対応したものであり、前述のように、磁性膜14の中央部分を開口15の形成領域とすると共に、磁化容易軸Meとコイル14とが略直交する領域、すなわちコイル14のうちのY軸方向に延在する第2のコイルパターンに対応する領域をスリット16の形成領域とし、磁化容易軸Meと略直交する方向、すなわちY軸方向(磁化困難軸Mh方向)に沿って短冊状(帯状)の複数のスリット16が形成されるようにする。
Subsequently, as shown in FIG. 6A, a
続いて、図6(B)に示したように、所定のエッチング材料を用いて磁性膜14のエッチングを行い、開口15およびスリット16を形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 6B, the
最後に、所定のレジスト除去材料を用いてフォトレジストパターン2を除去することにより、図1および図2に示したような薄膜インダクタ1が製造される。
Finally, the
なお、例えば図7に示したように、この後に磁性膜14の積層面(X−Y平面)内で回転磁場H2を印加しつつ熱処理を行うようにするのが望ましい。磁性膜14上の応力が緩和されると共に磁気異方性が低減するため、磁化困難軸Mh方向の透磁率μhをより高めることができ、薄膜インダクタ1のインダクタンスをより大きくすることができるからである。なお、回転磁場H2の大きさは例えば300×103/4π[A/m](=300Oe)程度とし、回転磁場H2の回転数は例えば90[rpm]程度とし、熱処理温度は例えば330℃程度とし、熱処理時間は例えば1時間程度とする。
For example, as shown in FIG. 7, it is desirable to perform heat treatment while applying a rotating magnetic field H2 in the laminated surface (XY plane) of the
また、上記した薄膜インダクタ1の製造方法では、固定磁場H1を印加しつつ熱処理を行い、磁化容易軸Meおよび磁化困難軸Mhを形成した後にスリット16を形成するようにしているが、逆にスリット16(および開口15)を形成した後に、図4に示したように固定磁場H1を印加しつつ熱処理を行い、磁化容易軸Meおよび磁化困難軸Mhを形成するようにしてもよい。具体的には、磁性膜14の積層面内においてコイル13の一部分、すなわち第1および第2のコイルパターンのうちの一方と略平行となるようにスリット16を形成し、磁性膜14の積層面(X−Y平面)内でこのスリット16と直交する方向に固定磁場H1を印加しつつ熱処理を行うようにする。このように製造した場合にも、上記の場合と同様の薄膜インダクタ1を製造することができる。
In the method of manufacturing the
さらに、上記した薄膜インダクタ1の製造方法では、磁性膜14を形成した後に固定磁場H1を印加しつつ熱処理を行い、磁化容易軸Meおよび磁化困難軸Mhを形成するようにしているが、例えばDCマグネトロンスパッタリング法を用いて固定磁場H1を印加しつつ磁性膜14を形成することにより、磁化容易軸Meおよび磁化困難軸Mhを形成するようにしてもよい。このように製造した場合にも、上記の場合と同様の薄膜インダクタ1を製造することができる。
Furthermore, in the manufacturing method of the
次に、図8〜図19を参照して、このようにして形成された薄膜インダクタ1の磁気特性について詳細に説明する。ここで、図8〜図10は、パターン幅Lを6mmから0.02mmまで変化させた場合における透磁率μの周波数依存性の一例を、図11は透磁率μのパターン幅L依存性の一例を、図12は磁化曲線(印加磁場Hと磁化Mとの関係)の一例を、図13は透磁率μと共鳴周波数frとの関係の一例を、それぞれ表している。また、図14〜図17は、それぞれパターン幅L=0.5mm,0.2mm,0.05mm,0.02mmの場合における磁性膜14の平面形態の一例を拡大して示す磁性コロイドを用いたビッター法による顕微鏡像であり、図18は顕微鏡写真に示される磁区構造の詳細を模式的に表したものであり、図19は後述する90°ドメインの占有率とパターン幅Lとの関係の一例を表したものである。なお、各図におけるパターン幅L=6mmの場合は、スリット16が形成されていない従来の場合に対応し、比較例として挙げたものである。
Next, the magnetic characteristics of the
なお、各実施例における薄膜インダクタ1の製造条件としては、以下の通りである。まず、磁性膜14はDCマグネトロンスパッタリング法を用いて固定磁場H1を印加しつつ形成しており、ターゲットはCoZrTaを用いている。また、スリット16を形成する際に、フォトレジストパターン2の形成には半導体用ポジレジストを使用し、エッチング材料(エッチャント)としては、塩化鉄(FeCl3):H2O:フッ化水素(HF)=1:2:0.2のものを使用し、レジスト除去剤としてはアセトンを使用している。また、製造した薄膜インダクタ1の評価にはインピーダンスアナライザを使用し、測定方法としてはフェライトヨーク法を用いている。
The manufacturing conditions of the
まず、図8〜図10に示した透磁率μの周波数依存性によれば、固定磁場H1の印加方向の垂直方向(磁化困難軸Mh方向)の透磁率μhは、パターン幅L=6mm〜0.1mmまでほとんど変化しない一方、固定磁場H1の印加方向の水平方向(磁化容易軸Me方向)の透磁率μeは、パターン幅Lの値が減少するにつれて(L=6mmのスリット16が形成されていない比較例からスリット16が形成され、パターン幅Lが細くなっていくのにつれて)、透磁率μeが低下すると共に高周波領域まである程度の値を維持するように(L=0.2mmの場合で約107Hz=約10MHz)なり、共鳴周波数frも増大していることが分かる。
First, according to the frequency dependence of the magnetic permeability μ shown in FIGS. 8 to 10, the magnetic permeability μh in the direction perpendicular to the application direction of the fixed magnetic field H <b> 1 (direction of hard magnetization Mh) is the pattern width L = 6 mm˜0. On the other hand, the permeability μe in the horizontal direction (direction of easy magnetization Me) of the application direction of the fixed magnetic field H1 hardly changes to 1 mm, and the
これらの透磁率μとパターン幅Lとの関係をまとめると、以下の表1のようになる。なお、図11(A),(B)は、それぞれ、この表1に示した値をもとにグラフ化したものであり、図11(A)は周波数f=1kHzの場合のものを、図11(B)は周波数f=1MHzの場合のものを、それぞれ表している。 The relationship between the magnetic permeability μ and the pattern width L is summarized as shown in Table 1 below. FIGS. 11A and 11B are graphs based on the values shown in Table 1. FIG. 11A shows the case where the frequency is f = 1 kHz. 11 (B) represents the case where the frequency is f = 1 MHz.
表1および図11(A),(B)によれば、まず垂直方向の透磁率μhは、周波数f=1kHz,1MHzの場合とも、パターン幅Lによらず値がほとんど変化していないことが分かる。また、水平方向の透磁率μeは、比較的低周波領域の周波数f=1kHzの場合(図11(A))ではパターン幅Lの値が小さくなるのにつれて単調減少している一方、高周波領域の周波数f=1MHzの場合(図11(B))では、比較例(L=6mm)と比べてパターン幅Lの値が小さくなるのにつれていったん増加し、L=0.5mm付近にピーク値を持っていることが分かる。よって、このような高周波領域における透磁率μを増加させるためには、スリット16を形成すると共に、図11(B)から分かるように、複数のスリット間のパターン幅Lが0.1mm以上かつ0.5mm以下程度であるのが望ましい。また、透磁率μをより増加させるためには、パターン幅Lが0.3mm以上かつ2mm以下であるのがより好ましく、0.3mm以上かつ1mm以下であるのがさらに好ましい。
According to Table 1 and FIGS. 11A and 11B, first, the permeability μh in the vertical direction hardly changes regardless of the pattern width L even when the frequencies are f = 1 kHz and 1 MHz. I understand. Further, in the case where the frequency f = 1 kHz in the relatively low frequency region (FIG. 11A), the horizontal magnetic permeability μe monotonously decreases as the value of the pattern width L decreases, whereas in the high frequency region, In the case of the frequency f = 1 MHz (FIG. 11B), it increases once as the value of the pattern width L becomes smaller compared to the comparative example (L = 6 mm), and has a peak value near L = 0.5 mm. I understand that Therefore, in order to increase the magnetic permeability μ in such a high frequency region, the
ここで、図12(A),(B)を参照して、スリット16の形成と高周波領域での透磁率μの増加との関連性について考察すると、以下のようなことが考えられる。なお、図12(A)はスリット16が形成されていない比較例(L=6mm)における磁化曲線を、図12(B)はスリット16が形成されている場合(L=0.5mm)の磁化曲線を、それぞれ表している。
Here, with reference to FIGS. 12A and 12B, the following is considered when the relationship between the formation of the
まず、磁性膜の磁化困難軸Mh方向においては、異方性磁界Hkと透磁率μまたは共鳴周波数frとの間に、以下の(1)式および(2)式が成り立つことが知られているが、これら(1)式および(2)式は、磁化容易軸Me方向についても同様に成り立つものと考えられる。なお、式中において、Bsは飽和磁束を、Msは飽和磁化を、μ0は真空中の透磁率を、γは磁気回転比を、それぞれ表している。 First, it is known that the following equations (1) and (2) are established between the anisotropic magnetic field Hk and the magnetic permeability μ or the resonance frequency fr in the hard magnetization axis Mh direction of the magnetic film. However, these equations (1) and (2) are considered to hold in the same manner in the direction of the easy axis Me. In the equation, Bs represents a saturation magnetic flux, Ms represents a saturation magnetization, μ0 represents a magnetic permeability in vacuum, and γ represents a magnetorotation ratio.
ここで磁化容易軸Me方向について着目した場合、図12(B)に示した磁化曲線では、反磁場Hdの影響により、図12(A)に示した比較例の磁化曲線と比べてその傾きが緩やかになっており、異方性磁界Hkの値が増大(Hkが(Hk+Hd)に増大)している。よって、(1)式および(2)式により、透磁率μの値自体は減少するが共鳴周波数frは増加するため、高周波領域まで透磁率μがある程度の値を維持できるようになることが分かる。このようにして、反磁場Hdの影響により異方性磁界Hkの値が増加するため、高周波領域における水平方向の透磁率μeが増加し、全体としても透磁率μが増加することが分かる。 When focusing on the easy magnetization axis Me direction, the magnetization curve shown in FIG. 12B has an inclination compared to the magnetization curve of the comparative example shown in FIG. 12A due to the influence of the demagnetizing field Hd. The value of the anisotropic magnetic field Hk increases (Hk increases to (Hk + Hd)). Therefore, it can be seen from the equations (1) and (2) that the value of the magnetic permeability μ decreases, but the resonance frequency fr increases, so that the magnetic permeability μ can maintain a certain value up to the high frequency region. . In this way, the value of the anisotropic magnetic field Hk increases due to the influence of the demagnetizing field Hd, so that the horizontal magnetic permeability μe in the high frequency region increases and the magnetic permeability μ increases as a whole.
また、表2は、パターン幅Lを6mmから0.02mmまで変化させた場合における共鳴周波数frと水平方向の透磁率μeとの関係をまとめたものである。なお、図13は、この表2に示した値をもとにグラフ化したものである。 Table 2 summarizes the relationship between the resonance frequency fr and the horizontal magnetic permeability μe when the pattern width L is changed from 6 mm to 0.02 mm. FIG. 13 is a graph based on the values shown in Table 2.
これら表2および図13からも、スリット16を形成すると共にパターン幅Lの値が小さくなるのにつれて、水平方向の透磁率μeの値自体は減少するが、共鳴周波数frは増加していることが分かる。
Also from Table 2 and FIG. 13, as the
次に、図14〜図17に示した磁性膜14の顕微鏡写真によれば、各スリット16の幅方向(X軸方向)に磁化された複数の磁区が、磁性膜14のうちのスリット16に挟まれた帯状領域の長手方向(Y磁区方向)に沿って並んでいることが分かる。また、図14から図17までパターン幅Lが狭くなっていっても、横長、すなわち上記帯状領域の幅方向(X軸方向)の磁区構造は横長のままであり、磁化容易軸Meの90°回転といった現象は生じていないことが分かる。ただし、パターン幅Lが狭くなるのにつれて磁区のアスペクト比(磁区の長軸方向の長さに対する短軸方向の長さの比)が変化し、徐々に正方形に近づく方向に変化(アスペクト比が増加)していることが分かる。なお、この各磁区のアスペクト比は、下記の90°ドメインの占有率との関係により、0.3以下であることが望ましい。上述したような反磁場Hdの影響によって、透磁率μをより高周波側まで維持できるようになるからである。
Next, according to the micrographs of the
さらに、図14(L=0.5mm)中の符号P1,P2で示したようなスパイク構造が図15〜図17(L=0.2,0.05,0.02mm)では消失し、変わりに符号P3〜P5で示したようなスリット16の長手方向(Y軸方向)を磁化方向とする三角磁区(90°ドメイン)がこの長手方向に沿って延在するようにして形成され、幅方向(X軸方向)を磁化方向とする磁区の両端に位置するようになっていることが分かる。
Furthermore, the spike structure as indicated by reference signs P1 and P2 in FIG. 14 (L = 0.5 mm) disappears and changes in FIGS. 15 to 17 (L = 0.2, 0.05, 0.02 mm). Are formed such that triangular domains (90 ° domains) having the longitudinal direction (Y-axis direction) of the
図18は、これらの磁区構造を模式的に表したものであり、スリット16間に存在するパターン幅Lの磁性膜14に相当するものである。ここでは、上述したように、複数の磁区14Dが形成され、長手方向(Y軸方向、磁化困難軸Mh方向)に沿って延在している。また、各磁区14Dは、上述した幅方向(X磁区方向、磁化容易軸Me方向)を磁化方向とする一対の磁区14Deと、長手方向を磁化方向とすると共に磁区14Deの両端に位置する一対の磁区(90°ドメイン)14Dhとから構成されている。また、磁区14De,14Dhによる磁化方向は閉ループを構成し、隣り合う磁区14D同士では閉ループの方向が互いに逆向きとなるようになっている。
FIG. 18 schematically shows these magnetic domain structures and corresponds to the
また、図19に示したパターン幅Lと磁区14における90°ドメインの占有率との関係によれば、パターン幅Lが0.5mm以上では、90°ドメインの占有率はほぼ0%であり、磁区14中にほとんど存在していないが、パターン幅Lが0.5mm未満では、90°ドメインの占有率が単調増加していることが分かる。また、図11(B)に示したように、水平方向(磁化容易軸Me方向)の透磁率μeは、パターン幅L=0.5mm付近でピーク値となることから、90°ドメインの占有率が増加すると、パターン幅Lが幻想するにつれて増加傾向にあった水平方向の透磁率μeが、減少する傾向にあることも分かる。よってこれらの結果から、高周波領域での透磁率μをより効果的に向上させるためには、90°ドメインの占有率が12%以下であるのが望ましい。
Further, according to the relationship between the pattern width L shown in FIG. 19 and the 90 ° domain occupancy in the
以上のように、本実施の形態では、磁性膜14のうちの複数のスリット16に挟まれた帯状領域において、この帯状領域の幅方向(X磁区方向、磁化容易軸Me方向)を長手方向とする磁区14Deを、帯状領域の長手方向(Y軸方向)に沿って並んでいるようにしたので、磁化容易軸Meとコイル13とが互いに略平行となっている場合および互いに略直交となっている場合のいずれにおいても、高周波領域である程度の透磁率を維持することができる。よって、高周波領域での透磁率をより効果的に向上させることが可能となる。
As described above, in the present embodiment, in the band-shaped region sandwiched between the plurality of
特に、本実施の形態では、磁性膜14の磁化容易軸Meとコイル13とが略直交する領域のみに対応してスリット16を形成すると共にこのスリット16を磁化容易軸Meと直交する方向(磁化困難軸Mh方向)に延在させるようにしたので、磁化容易軸Meとコイル13とが略直交する領域(スリット16が延在する第2のコイルパターンに対応する領域)の高周波での透磁率を選択的に増加させることができる。よって、磁化容易軸Meとコイル13とが略平行な領域(第1のコイルパターンに対応する領域)だけでなく略直交する領域においても、高周波領域である程度の透磁率を維持することができ、高周波領域での透磁率をさらに効果的に向上させることが可能となる。
In particular, in the present embodiment, the
また、上記帯状領域をコイル13の第2のコイルパターンと重なるように形成したので、この帯状領域における磁性膜14と第2のコイルパターンとの距離を短くし、透磁率をさらに向上させることが可能となる。
Further, since the band-shaped region is formed so as to overlap the second coil pattern of the
また、上記帯状領域において、磁区14Dh(90°ドメイン)を帯状領域の幅方向(X軸方向)の両端に対配置させつつ帯状領域の長手方向(Y軸方向)に沿って並んでいるようにしたので、これらの一対の磁区14Dhに挟まれた磁区14Deにおける反磁場Hdに起因した共鳴周波数frの増加作用を効果的に促進させることができる。よって、高周波領域での透磁率をさらに効果的に向上させることが可能となる。 Further, in the belt-like region, the magnetic domains 14Dh (90 ° domain) are arranged along the longitudinal direction (Y-axis direction) of the belt-like region while being arranged opposite to both ends in the width direction (X-axis direction) of the belt-like region. Therefore, it is possible to effectively promote the increase in the resonance frequency fr caused by the demagnetizing field Hd in the magnetic domain 14De sandwiched between the pair of magnetic domains 14Dh. Therefore, the magnetic permeability in the high frequency region can be further effectively improved.
さらに、本実施の形態の薄膜磁気デバイスとしての薄膜インダクタ1の製造方法によれば、特に製造工程が複雑化することはないので、上記のように高周波領域において高い透磁率を示す薄膜磁気デバイスを簡易に得ることが可能となる。
Furthermore, according to the manufacturing method of the
なお、本実施の形態では、磁化容易軸Meとコイル13とが略直交する領域だけに対応してスリット16が形成されている場合で説明したが、これに加えて他の領域、例えば図20に示した薄膜インダクタ1Aのように、磁性膜14A上の開口15からの対角線上などにも、スリット16を形成するようにしてもよい。すなわち、積層面内の一方向(この場合、磁化容易軸Me方向、X軸方向)に沿って複数の帯状磁性膜14Aが形成されているようにしてもよい。このように構成した場合も、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
In the present embodiment, the case where the
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。 While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to this embodiment, and various modifications can be made.
例えば、上記実施の形態では、磁化容易軸Meとコイル13とが略直交する領域だけに対応してスリット16を形成していたが、これに加えて他の領域、例えば図20に示した薄膜インダクタ1Aのように、磁性膜14A上の開口15からの対角線上などにも、スリット16を形成するようにしてもよい。
For example, in the above-described embodiment, the
また、上記実施の形態では、コイル13が互いに略直交する第1および第2のコイルパターンを有する矩形状のスパイラルコイルから構成されている場合で説明したが、薄膜コイルであるコイル13の形状は、これには限られない。例えば、図21(A)〜(C)にそれぞれ示した薄膜インダクタ1C〜1Eのように、磁性膜14C〜14E等が円形状(楕円形でもよい)であって例えばコイル13も円形状のスパイラルの場合であってよい。この場合、コイル13の形状によらず、磁化容易軸Meと直交する方向(磁化困難軸Mh方向)に沿ってスリット16を形成するようにすればよい。また、例えば図22に示した薄膜インダクタ1Fのように、コイル13が正方形状ではなく長方形状のスパイラルコイルであってもよい。
Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the
また、例えば図23に示した薄膜インダクタ1Gのように、コイルが矩形状のミアンダコイル13Gであってもよく、また、例えば図24に示した薄膜インダクタ1Hのように、コイルがソレノイドコイル13Hであってもよい。
Further, the coil may be a meander coil 13G having a rectangular shape, for example, like a thin film inductor 1G shown in FIG. 23, and the coil may be a
また、上記実施の形態では、薄膜磁気デバイスの一例として薄膜インダクタを挙げて説明したが、本発明はこの他にも薄膜トランスなどに適用することも可能である。すなわち、上記実施の形態で説明した磁性膜と所定の電極とを備えているのであれば、薄膜インダクタには限られず、広く薄膜磁気デバイスとして適用することが可能である。 In the above embodiment, the thin film inductor has been described as an example of the thin film magnetic device, but the present invention can also be applied to a thin film transformer or the like. That is, as long as the magnetic film described in the above embodiment and a predetermined electrode are provided, the present invention is not limited to a thin film inductor, and can be widely applied as a thin film magnetic device.
さらに、上記実施の形態において説明した各層の材料、成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、また他の成膜方法および成膜条件としてもよい。 Further, the material, film formation method, and film formation conditions of each layer described in the above embodiment are not limited, and other materials and thicknesses may be used, and other film formation methods and film formation conditions may be used. Good.
1,1A,1C〜1H…薄膜インダクタ、11…基板、12…絶縁膜、13,13F〜13H…コイル、13T1,13T2…端子、14,14A,14C〜14H…磁性膜、14D,14Dh…磁区、14Dh…磁区(90°ドメイン)、15…開口、16,17…スリット、2…フォトレジストパターン、Me…磁化容易軸、Mh…磁化困難軸、L…パターン幅、S…スリット幅、H1…固定磁場、H2…回転磁場、m…磁化方向。
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延設された複数の帯状磁性膜と
を備え、
前記帯状磁性膜は、この帯状磁性膜の長手方向に沿って並んだ複数の磁区を有し、
前記磁区の長手方向が、前記帯状磁性膜の幅方向と一致している
ことを特徴とする薄膜磁気デバイス。 A thin film coil;
A plurality of strip-like magnetic films laminated on the extending surface of the thin film coil and extending in one direction in the laminated surface;
The band-shaped magnetic film has a plurality of magnetic domains arranged along the longitudinal direction of the band-shaped magnetic film,
A thin film magnetic device, wherein a longitudinal direction of the magnetic domain coincides with a width direction of the belt-like magnetic film.
前記薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延びる複数のスリットが形成された磁性膜と
を備え、
前記磁性膜のうちの前記複数のスリット間に挟まれた帯状領域に、複数の磁区が前記帯状領域の長手方向に沿って並んでおり、
前記磁区の長手方向が、前記帯状領域の幅方向と一致している
ことを特徴とする薄膜磁気デバイス。 A thin film coil;
A magnetic film laminated on the extending surface of the thin film coil, and formed with a plurality of slits extending in one direction in the laminated surface;
A plurality of magnetic domains are arranged along the longitudinal direction of the band-shaped region in the band-shaped region sandwiched between the plurality of slits of the magnetic film,
A thin film magnetic device, wherein a longitudinal direction of the magnetic domain coincides with a width direction of the band-like region.
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜磁気デバイス。 The strip-shaped magnetic film or the slit is formed with a direction perpendicular to the easy-magnetization axis as a longitudinal direction corresponding to only a region where the easy-magnetization axis of the strip-shaped magnetic film or the magnetic film is orthogonal to the thin-film coil. The thin film magnetic device according to claim 1, wherein the thin film magnetic device is provided.
前記磁化容易軸に沿って延在する第1のコイルパターンと、
前記磁化容易軸と直交する方向に沿って延在する第2のコイルパターンとを含み、
前記帯状磁性膜または前記スリットは、前記第2のコイルパターンに沿って形成されている
ことを特徴とする請求項3に記載の薄膜磁気デバイス。 The thin film coil is
A first coil pattern extending along the easy axis;
A second coil pattern extending along a direction orthogonal to the easy axis of magnetization,
The thin film magnetic device according to claim 3, wherein the strip-shaped magnetic film or the slit is formed along the second coil pattern.
ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の薄膜磁気デバイス。 5. The thin film magnetic device according to claim 1, wherein a width of the belt-like magnetic film or the belt-like region is not less than 0.1 mm and not more than 5 mm.
ことを特徴とする請求項5に記載の薄膜磁気デバイス。 The thin film magnetic device according to claim 5, wherein a width of the band-shaped magnetic film or the band-shaped region is 0.3 mm or more and 2 mm or less.
ことを特徴とする請求項6に記載の薄膜磁気デバイス。 The thin film magnetic device according to claim 6, wherein a width of the band-shaped magnetic film or the band-shaped region is 0.3 mm or more and 1 mm or less.
ことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の薄膜磁気デバイス。 8. The thin film magnetic device according to claim 1, wherein a ratio of a length in the width direction of the magnetic domain to a length in the longitudinal direction of the magnetic domain is 0.3 or less. .
前記薄膜コイルの延在面上に、積層面内の所定方向に磁化容易軸を有すると共にこの磁化容易軸と前記薄膜コイルとが直交する領域に対応して前記磁化容易軸と直交する方向を長手方向とする複数の帯状磁性膜を形成する第2の工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気デバイスの製造方法。 A first step of forming a thin film coil on a substrate;
On the extending surface of the thin film coil, an easy magnetization axis is provided in a predetermined direction in the laminated surface, and a direction perpendicular to the easy magnetization axis is elongated corresponding to a region where the easy magnetization axis and the thin film coil are orthogonal to each other. And a second step of forming a plurality of strip-like magnetic films in the direction.
前記薄膜コイルの延在面上に、積層面内の所定方向に磁化容易軸を有すると共にこの磁化容易軸と前記薄膜コイルとが直交する領域に対応して前記磁化容易軸と直交する方向にスリットが設けられた磁性膜を形成する第2の工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気デバイスの製造方法。 A first step of forming a thin film coil on a substrate;
On the extending surface of the thin film coil, there is an easy magnetization axis in a predetermined direction in the laminated surface and a slit in a direction perpendicular to the easy magnetization axis corresponding to a region where the easy magnetization axis and the thin film coil are orthogonal to each other. And a second step of forming a magnetic film provided with a thin film magnetic device manufacturing method.
前記薄膜コイルの延在面上に磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜の積層面内の所定方向に磁場を印加しつつ熱処理を行う工程と、
前記磁場の印加方向と前記薄膜コイルとが直交する領域に対応させて前記磁場の印加方向と直交する方向にスリットを形成する工程とを含む
ことを特徴とする請求項10に記載の薄膜磁気デバイスの製造方法。 The second step includes
Forming a magnetic film on the extending surface of the thin film coil;
Performing a heat treatment while applying a magnetic field in a predetermined direction within the laminated surface of the magnetic film;
The thin film magnetic device according to claim 10, further comprising: forming a slit in a direction orthogonal to the magnetic field application direction in correspondence with a region where the magnetic field application direction and the thin film coil are orthogonal to each other. Manufacturing method.
前記薄膜コイルの延在面上に磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜の積層面内において前記薄膜コイルの一部分と平行となるようにスリットを形成する工程と、
前記磁性膜の積層面内の前記スリットと直交する方向に所定方向に磁場を印加しつつ熱処理を行う工程とを含む
ことを特徴とする請求項10に記載の薄膜磁気デバイスの製造方法。 The second step includes
Forming a magnetic film on the extending surface of the thin film coil;
Forming a slit so as to be parallel to a part of the thin-film coil in the laminated surface of the magnetic film;
The method of manufacturing a thin film magnetic device according to claim 10, further comprising a step of performing a heat treatment while applying a magnetic field in a predetermined direction in a direction orthogonal to the slit in the laminated surface of the magnetic film.
前記薄膜コイルの延在面上に、この延在面内の所定方向に磁場を印加しつつ磁性膜を形成する工程と、
前記磁場の印加方向と前記薄膜コイルとが直交する領域に対応させて前記磁場の印加方向と直交する方向にスリットを形成する工程とを含む
ことを特徴とする請求項10に記載の薄膜磁気デバイスの製造方法。 The second step includes
Forming a magnetic film on the extending surface of the thin film coil while applying a magnetic field in a predetermined direction in the extending surface;
The thin film magnetic device according to claim 10, further comprising: forming a slit in a direction orthogonal to the magnetic field application direction in correspondence with a region where the magnetic field application direction and the thin film coil are orthogonal to each other. Manufacturing method.
ことを特徴とする請求項9ないし請求項13のいずれか1項に記載の薄膜磁気デバイスの製造方法。 14. The method according to claim 9, further comprising a step of performing a heat treatment while applying a magnetic field rotating in an in-plane direction of the band-shaped magnetic film or the magnetic film after the second step. 2. A method for manufacturing a thin film magnetic device according to item 1.
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