JP2001143929A - Thin film magnetic device and method for manufacturing the same - Google Patents
Thin film magnetic device and method for manufacturing the sameInfo
- Publication number
- JP2001143929A JP2001143929A JP32163699A JP32163699A JP2001143929A JP 2001143929 A JP2001143929 A JP 2001143929A JP 32163699 A JP32163699 A JP 32163699A JP 32163699 A JP32163699 A JP 32163699A JP 2001143929 A JP2001143929 A JP 2001143929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- coil
- magnetic film
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路において
スパイラルコイル上に磁性薄膜を構成してなる薄膜磁気
デバイス、例えば、携帯電話などの通信端末に用いられ
る整合回路一体型ＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍ
ｉｃｒｏｗａｖｅ ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉ
ｔ）において受信フロントエンドにおける電力整合イン
ピーダンスマッチングなどに用いる薄膜インダクタに関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic device in which a magnetic thin film is formed on a spiral coil in an integrated circuit, for example, a matching circuit integrated type MMIC (Monolithic MMIC) used for a communication terminal such as a mobile phone.
microwave IntegratedCircui
At t), the present invention relates to a thin-film inductor used for power matching impedance matching at the reception front end.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図８は従来の薄膜インダクタの構成を示
す図である。図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）は図８
（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。図８において、１
は磁性膜、２はスパイラル状のコイル、３、４は非磁性
絶縁体、５は基板である。2. Description of the Related Art FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a conventional thin film inductor. FIG. 8A is a plan view, and FIG.
It is sectional drawing in the AA of (a). In FIG. 8, 1
Is a magnetic film, 2 is a spiral coil, 3, 4 is a non-magnetic insulator, and 5 is a substrate.
【０００３】図８（ｂ）に示すように、従来のインダク
タは、基板５上に、非磁性絶縁体４、コイル２、非磁性
絶縁体３、磁性膜１を、下から順番に成膜して付けられ
る。磁性膜１は、膜全面にわたって矢印に示すような一
軸異方性を有している。As shown in FIG. 8B, in the conventional inductor, a non-magnetic insulator 4, a coil 2, a non-magnetic insulator 3, and a magnetic film 1 are sequentially formed on a substrate 5 from the bottom. Attached. The magnetic film 1 has a uniaxial anisotropy as shown by an arrow over the entire surface of the film.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜インダクタ
は以上のように構成されており、スパイラルコイル上に
一方向のみに異方性を有する磁性膜を使用していたので
磁化回転しうる領域はコイル上の磁性膜の５０％であ
り、残り５０％は全くインダクタンスに寄与していな
い。また、特開平８−８８１１９号公報に示されるよう
に、磁性膜１の異方性は、磁場中成膜、もしくは磁場中
焼鈍（アニール）などによる誘導磁気異方性によってい
るため、コイルの周回方向に沿って磁化容易軸を持って
くることはきわめて難しかった。そのため、例えば、携
帯電話などの通信端末に用いられる整合回路一体型ＭＭ
ＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉ
ｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）において受信フ
ロントエンドにおける電力整合インピーダンスマッチン
グなどに用いる薄膜インダクタの場合には、磁性膜を用
いない空芯のコイルが用いられ、所望のインダクタンス
を得るためには、コイルの巻き数が多くなり、ＩＣチッ
プ上の面積のほぼ半分をインダクタが占め、ＩＣのイー
ルドレートをきわめて悪化させ、また、長いコイル線長
は、直流抵抗の増大をもたらし、微弱な受信波の相当な
部分をこのインダクタでロスしていた。The conventional thin-film inductor is configured as described above. Since a magnetic film having anisotropy in only one direction is used on a spiral coil, the region where magnetization can rotate is limited. This is 50% of the magnetic film on the coil, and the remaining 50% does not contribute to the inductance at all. Also, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-88119, the anisotropy of the magnetic film 1 depends on induced magnetic anisotropy caused by film formation in a magnetic field or annealing (annealing) in a magnetic field. Bringing the easy axis along the direction was extremely difficult. Therefore, for example, a matching circuit integrated type MM used for a communication terminal such as a mobile phone.
IC (Monolitic Microwave I)
In the case of a thin film inductor used for power matching impedance matching or the like in a reception front end in an integrated circuit, an air-core coil without using a magnetic film is used, and in order to obtain a desired inductance, the number of turns of the coil is large. Inductors occupy almost half of the area on the IC chip, greatly deteriorating the yield rate of the IC, and the long coil wire length causes an increase in the DC resistance, and a considerable part of the weak reception wave is generated by this inductor. Was lost.
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高周波においても効率よく動作
する薄膜磁気デバイス、およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a thin-film magnetic device that operates efficiently even at a high frequency, and a method of manufacturing the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成によ
る薄膜磁気デバイスは、基板上に積層形成されたコイ
ル、このコイル上に積層形成された非磁性絶縁体、この
非磁性絶縁体上に積層形成された磁性膜により構成され
た薄膜磁気デバイスにおいて、上記磁性膜にミゾを形成
することにより、上記磁性膜の磁化容易軸の方向を、上
記コイルに流れる電流により発生する磁場の方向にほぼ
垂直方向となるようにしたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a thin-film magnetic device comprising a coil laminated on a substrate, a non-magnetic insulator laminated on the coil, and a non-magnetic insulator laminated on the coil. In a thin-film magnetic device composed of magnetic films laminated on each other, by forming a groove in the magnetic film, the direction of the axis of easy magnetization of the magnetic film is changed to the direction of the magnetic field generated by the current flowing through the coil. The direction is almost vertical.
【０００７】また、本発明の第２の構成による薄膜磁気
デバイスは、第１の構成において、ミゾとミゾとの間に
形成される磁性膜の幅と厚みと長さ、及びミゾの幅を、 （磁性膜の誘導磁気異方性のエネルギー）＜（磁性膜の
静磁エネルギー） となるようにしたものである。In the thin film magnetic device according to the second configuration of the present invention, in the first configuration, the width, thickness and length of the magnetic film formed between the grooves and the width of the groove are defined by: (Energy of induced magnetic anisotropy of magnetic film) <(Magnetostatic energy of magnetic film).
【０００８】また、本発明の第３の構成による薄膜磁気
デバイスは、第１の構成において、磁性膜として誘導磁
気異方性、結晶磁気異方性の値の小さな等方性の膜を用
いたものである。Further, in the thin film magnetic device according to the third configuration of the present invention, in the first configuration, an isotropic film having small values of induced magnetic anisotropy and crystal magnetic anisotropy is used as the magnetic film. Things.
【０００９】また、本発明の第１の方法による薄膜磁気
デバイスの製造方法は、基板上にコイルを積層形成する
工程、このコイル上に非磁性絶縁体を積層形成する工
程、この非磁性絶縁体上に磁性膜を積層形成する工程、
及び上記磁性膜にミゾを形成し、上記磁性膜の磁化容易
軸の方向を、上記コイルに流れる電流により発生する磁
場の方向にほぼ垂直方向となるようにする工程を施した
ものである。The method of manufacturing a thin-film magnetic device according to the first method of the present invention includes a step of forming a coil on a substrate, a step of forming a non-magnetic insulator on the coil, and a step of forming a non-magnetic insulator on the coil. A step of laminating a magnetic film thereon,
And forming a groove in the magnetic film so that the direction of the axis of easy magnetization of the magnetic film is substantially perpendicular to the direction of the magnetic field generated by the current flowing through the coil.
【００１０】また、本発明の第２の方法による薄膜磁気
デバイスの製造方法は、第１の方法において、コイルが
矩形状スパイラルコイルであり、非磁性絶縁体上に磁性
膜を積層形成する際に、磁化容易軸の方向を、上記矩形
状スパイラルコイルの各辺に対しほぼ４５°の方向とな
るようにしたものである。Further, in the method of manufacturing a thin-film magnetic device according to the second method of the present invention, the method according to the first method, wherein the coil is a rectangular spiral coil and a magnetic film is laminated on a non-magnetic insulator. The direction of the axis of easy magnetization is set to be approximately 45 ° with respect to each side of the rectangular spiral coil.
【００１１】また、本発明の第３の方法による薄膜磁気
デバイスの製造方法は、第１または第２の方法におい
て、磁性膜にミゾを形成した後、熱処理を行なうもので
ある。Further, in the method of manufacturing a thin-film magnetic device according to the third method of the present invention, in the first or second method, heat treatment is performed after forming a groove in the magnetic film.
【００１２】また、本発明の第４の方法による薄膜磁気
デバイスの製造方法は、第１の方法において、非磁性絶
縁体上に磁性膜を積層形成後、回転磁界中で熱処理を施
し、その後、上記磁性膜にミゾを形成したものである。In a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film magnetic device according to the first aspect, wherein a heat treatment is performed in a rotating magnetic field after forming a magnetic film on the non-magnetic insulator. A groove is formed on the magnetic film.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。実施の形態の説明に先立って本発明の原理を、本
発明に至る実験結果に基づいて説明する。磁性膜を１Ｇ
Ｈｚを越えるような高周波で動作させるためには、その
磁化過程として、磁壁移動モードでなく、スピンの回転
によるモードを用いる必要がある。磁化容易軸方向に磁
場が印加された場合は磁壁移動モードの磁化過程に、磁
化困難軸方向に磁場が印加された場合にはスピン回転モ
ードの磁化過程になる。従って、磁性膜を高周波で動作
させるためには、コイルを流れる電流が発生する磁場の
方向が、磁性膜の磁化容易軸方向と垂直となることが必
要である。また、さらに高周波においては、磁性体のス
ピンが異方性磁場に対して共鳴し、損失（抵抗分）とな
るため、すへての方向でスピンの回転モードで磁化する
よう、磁場の方向が磁化困難軸方向と一致し、なおか
つ、異方性磁場の大きさが、共鳴周波数ｆｒを使用周波
数帯域より十分高くする大きさにする必要がある。磁性
膜の異方性磁場の大きさＨｋと自然共鳴のピーク周波数
ｆrの間には、ランダウ−リフシッツ−ギルバート（Ｌ
ａｎｄｏｕ−Ｌｉｆｓｈｉｔｚ−Ｇｉｌｂｅｒｔ）方程
式から、以下の関係があることがよく知られている。Embodiments of the present invention will be described below. Prior to the description of the embodiments, the principle of the present invention will be described based on experimental results leading to the present invention. 1G magnetic film
In order to operate at a high frequency exceeding Hz, it is necessary to use not a domain wall motion mode but a spin rotation mode as the magnetization process. When a magnetic field is applied in the direction of the easy axis of magnetization, the magnetization process is in the domain wall motion mode. When a magnetic field is applied in the direction of the hard axis, the magnetization process is in the spin rotation mode. Therefore, in order to operate the magnetic film at a high frequency, it is necessary that the direction of the magnetic field generated by the current flowing through the coil is perpendicular to the direction of the easy axis of the magnetic film. Further, at higher frequencies, the spin of the magnetic material resonates with the anisotropic magnetic field, resulting in loss (resistance), so that the direction of the magnetic field is changed so that the magnetization is performed in the spin rotation mode in all directions. It is necessary to match the direction of the hard axis with the magnitude of the anisotropic magnetic field so that the resonance frequency fr is sufficiently higher than the frequency band used. Between the size Hk and natural resonance peak frequency f r of the anisotropy field of the magnetic film, Landau - Lifshitz - Gilbert (L
It is well known that the following relationship is obtained from the (andou-Lifshitz-Gilbert) equation.
【００１４】[0014]
【数１】 (Equation 1)
【００１５】ここで、μ0は磁性膜の真空中での透磁
率、γは、ジャイロ磁気定数（１．１０５×１０5ｇ
［ｍ／Ａｓ］，ｇ：ｇ−ｆａｃｔｏｒ）、Ｍｓは飽和磁
化［Ｔ＝Ｗｂ／ｍ2］を表す。多くの磁性体では、軌道
角運動量は消失しており、ゼロであるからｇ−ｆａｃｔ
ｏｒは２である。ちなみに、磁性体の磁化の値を１．５
［Ｔ］、真空中の透磁率μ0＝４π×１０-7［Ｈ／ｍ］
とすると、共振周波数を３ＧＨｚ以上へ持って行くに
は、異方性磁場Ｈｋの大きさを、４０６３［Ａ／ｍ］
（＝５１［Ｏｅ］）以上にする必要がある。Here, μ 0 is the magnetic permeability of the magnetic film in vacuum, and γ is the gyromagnetic constant (1.105 × 10 5 g).
[M / As], g: g-factor), and Ms represents saturation magnetization [T = Wb / m 2 ]. In many magnetic materials, the orbital angular momentum has disappeared and is zero, so g-fact
or is 2. By the way, the value of the magnetization of the magnetic material is set to 1.5
[T], permeability in vacuum μ 0 = 4π × 10 −7 [H / m]
In order to increase the resonance frequency to 3 GHz or more, the magnitude of the anisotropic magnetic field Hk is set to 4063 [A / m].
(= 51 [Oe]) or more.
【００１６】磁性膜の磁気異方性は、結晶磁気異方性、
磁歪などによる誘導磁気異方性と、静磁エネルギーによ
る形状磁気異方性により決まる。図１に示すように、飽
和磁化Ｍｓのきわめて薄い磁性膜にミゾを掘った場合の
反磁場Ｈｄは、文献（Ｈｉｄｅｏ Ｆｕｊｉｗａｒａ，
Ｊ．Ｐｈｙｓ． Ｓｏｃ， Ｊａｐａｎ Ｖｏｌ．２
０ （１９６５） ｐ２０９２）によると以下のように
なる。The magnetic anisotropy of the magnetic film includes crystal magnetic anisotropy,
It is determined by induced magnetic anisotropy due to magnetostriction and the like and shape magnetic anisotropy due to magnetostatic energy. As shown in FIG. 1, the demagnetizing field Hd when a groove is dug in a magnetic film having a very small saturation magnetization Ms is described in the literature (Hide Fujiwara,
J. Phys. Soc, Japan Vol. 2
0 (1965) p2092) is as follows.
【００１７】[0017]
【数２】 (Equation 2)
【００１８】但し、磁性膜の長さは磁性膜の幅より十分
長く、磁性膜の厚さは磁性膜の幅より十分薄いものとす
る。ａは磁性膜の幅、δ（δ＜＜ａ）はミゾの幅、μは
磁性膜の透磁率である。いま、Ｍｓ＝１．５［Ｔ］、μ
＝３００μ0（μ0＝４π×１０ -7［Ｈ／ｍ］）、δ＝１
μｍ、ａ＝２０μｍとすると、反磁場Ｈｄは、４４７６
０［Ａ／ｍ］（＝５６３［Ｏｅ］）となる。従って、図
１のように、きわめて薄い磁性膜にミゾを掘ることによ
り、異方性磁場の大きさを、共鳴周波数ｆｒを使用周波
数帯域より十分高くするような大きさにすることがで
き、磁性膜を１ＧＨｚを越えるような高周波で動作させ
ることが可能となる。However, the length of the magnetic film is sufficiently larger than the width of the magnetic film.
Long and the thickness of the magnetic film is sufficiently smaller than the width of the magnetic film.
You. a is the width of the magnetic film, δ (δ << a) is the width of the groove, μ is
This is the magnetic permeability of the magnetic film. Now, Ms = 1.5 [T], μ
= 300μ0(Μ0= 4π × 10 -7[H / m]), δ = 1
μm, a = 20 μm, the demagnetizing field Hd is 4476
0 [A / m] (= 563 [Oe]). Therefore, the figure
By digging a groove in an extremely thin magnetic film as in 1,
The magnitude of the anisotropic magnetic field is determined by using the resonance frequency fr
It can be big enough to be higher than a few bands
Operating the magnetic film at a high frequency exceeding 1 GHz
It becomes possible.
【００１９】次に、磁気異方性の方向の制御に関して説
明する。以下に示す２種類のプロセスでその磁化容易軸
方向を制御した。 （１）図２に示すように、スライドガラス６上に磁性膜
１０を０．１μｍの厚さに成膜する。磁性膜１０の磁化
容易軸は図２の矢印方向とする。このような磁性膜１０
に対し、レジスト膜を塗布後、レジスト上に所定幅と長
さのミゾのパターンを作製し、イオンミリングにより上
記磁性膜１０をパターニングして、短冊状の磁性膜１０
ａを作製する。この際、図２に示すように、磁化容易軸
方向に対し、４５°方向を短冊長手方向とし、互いに直
交する短冊を同一基板上に作成した。なお、１０ｂはミ
ゾである。その後、この試料に対し、温度４００℃で、
１時間、無磁界中で熱処理を行った。 （２）図３に示すように、スライドガラス６上に磁性膜
１０を０．１μｍの厚さに成膜する。磁性膜１０の磁化
容易軸は任意とする。このような磁性膜１０に対し、回
転磁界中で熱処理を施し（回転磁界中熱処理条件は、４
００℃、２時間、５００Ｏｅ、６０ｒｐｍ）、膜自身の
磁気異方性を消失させ、その後、レジスト膜を塗布し、
レジスト上に所定幅と長さのミゾのパターンを作製し
て、上記磁性膜をパターニングし、図２と同様の形状
の、互いに直交する短冊を同一基板上に作成した。な
お、磁性膜の短冊寸法は、（１）（２）何れの場合も、
幅１０μｍ、長さ３．９ｍｍ、短冊同士の間隔（ミゾ）
１μｍと、幅２０μｍ、長さ３．９ｍｍ、短冊同士の間
隔（ミゾ）１μｍとの２種を作製した。Next, control of the direction of magnetic anisotropy will be described. The direction of the easy axis was controlled by the following two processes. (1) As shown in FIG. 2, a magnetic film 10 is formed on a slide glass 6 to a thickness of 0.1 μm. The axis of easy magnetization of the magnetic film 10 is set in the direction of the arrow in FIG. Such a magnetic film 10
After applying a resist film, a groove pattern having a predetermined width and length is formed on the resist, and the magnetic film 10 is patterned by ion milling.
Prepare a. At this time, as shown in FIG. 2, strips perpendicular to each other were formed on the same substrate, with the direction of 45 ° to the direction of the easy axis being the longitudinal direction of the strip. In addition, 10b is a groove. Then, at a temperature of 400 ° C.,
The heat treatment was performed for 1 hour in the absence of a magnetic field. (2) As shown in FIG. 3, a magnetic film 10 is formed on the slide glass 6 to a thickness of 0.1 μm. The axis of easy magnetization of the magnetic film 10 is arbitrary. Such a magnetic film 10 is subjected to heat treatment in a rotating magnetic field (heat treatment conditions in a rotating magnetic field are 4
(00 ° C., 2 hours, 500 Oe, 60 rpm) to eliminate the magnetic anisotropy of the film itself, and then apply a resist film,
A pattern of grooves having a predetermined width and length was formed on the resist, and the magnetic film was patterned. Thus, strips orthogonal to each other and having the same shape as in FIG. 2 were formed on the same substrate. The strip dimensions of the magnetic film are (1) and (2)
10 μm width, 3.9 mm length, spacing between strips (grooves)
Two types, 1 μm, a width of 20 μm, a length of 3.9 mm, and an interval (slot) between strips of 1 μm were prepared.
【００２０】磁性体の異方性が所望の方向についたか
は、その磁区構造を観察することでわかる。各々の試料
内の磁区構造を調べるために、ビッター法による磁壁観
察を行った。前記（１）の方法により、磁性膜の磁化容
易軸方向に対し４５°方向を長手として微細パターン化
をおこなった短冊内の磁壁構造は、幅１０μｍ、２０μ
ｍ両者において、短冊端部に静磁エネルギーの出現を回
避するための還流磁区構造が見られたが、短冊の９９％
以上において磁壁が観察されず単磁区構造が支配的であ
った。単磁区内の磁化の向きは静磁エネルギーを避ける
ため短冊長手方向を向いており、目的とする磁化の向き
の制御が達成された。前記（２）の方法により、磁性膜
に対し回転磁界中熱処理を施し磁性膜自身の異方性を消
失させた上で磁性膜に微細パターン化を施した短冊内の
磁壁構造は、磁化容易軸方向とミゾの方向が一致して観
察された。Whether or not the anisotropy of the magnetic material has reached a desired direction can be determined by observing the magnetic domain structure. In order to examine the magnetic domain structure in each sample, domain walls were observed by the Bitter method. According to the method (1), the domain wall structure in the strip in which the fine patterning is performed with the longitudinal direction at 45 ° to the easy axis direction of the magnetic film has a width of 10 μm and 20 μm.
m In both cases, a return magnetic domain structure was observed at the end of the strip to avoid the appearance of magnetostatic energy.
In the above, no domain wall was observed, and the single domain structure was dominant. The direction of magnetization in the single magnetic domain was oriented in the longitudinal direction of the strip to avoid magnetostatic energy, and the intended control of the direction of magnetization was achieved. According to the method (2), the magnetic wall is subjected to a heat treatment in a rotating magnetic field to eliminate the anisotropy of the magnetic film itself, and then the magnetic film is finely patterned. The direction and the direction of the groove were observed in agreement.
【００２１】以上の結果より、磁性膜を短冊状のパター
ンとし、短冊寸法を幅１０μｍ〜２０μｍ、膜厚０．１
μｍ、長さ３．９ｍｍとすることにより、形状異方性に
よって、磁化の向きを制御することができることが確認
され、ミゾにより異方性の制御が可能なことがわかる。From the above results, the magnetic film was formed into a strip pattern, and the strip dimensions were 10 μm to 20 μm in width and 0.1 μm in film thickness.
It is confirmed that the direction of magnetization can be controlled by the shape anisotropy by setting μm and the length to 3.9 mm, and it can be seen that the anisotropy can be controlled by the groove.
【００２２】次に前記（１）の方法において施された熱
処理に対する効果について説明する。前記（１）の方法
により、磁化容易軸より４５°方向の短冊長手方向に磁
化を制御できた試料に対し、誘導磁気異方性を弱めるた
めに、無磁場中で熱処理を施す。熱処理条件は先に示し
た通りである。図４に短冊幅２０μｍの、（ａ）熱処理
前、（ｂ）熱処理後の、短冊幅方向（ミゾに垂直な方
向）のＭ−Ｈ特性を、図５に短冊幅１０μｍの、（ａ）
熱処理前、（ｂ）熱処理後の、短冊幅方向のＭ−Ｈ特性
を示す。一見して明らかなように、無磁界中で熱処理を
行うことで、両者（幅１０μｍ、２０μｍ）ともに、保
磁力（Ｈｃ）が低下してヒステリシスの減少が見られ、
ミゾに沿った方向は磁化容易軸、ミゾに垂直な方向が磁
化困難軸となったことがわかる。Next, the effect on the heat treatment performed in the method (1) will be described. The sample whose magnetization can be controlled in the longitudinal direction of the strip 45 ° from the axis of easy magnetization by the method (1) is subjected to a heat treatment in the absence of a magnetic field in order to reduce induced magnetic anisotropy. The heat treatment conditions are as described above. FIG. 4 shows the MH characteristics of the strip width of 20 μm, (a) before the heat treatment, and (b) the MH characteristics in the strip width direction (direction perpendicular to the groove) after the heat treatment, and FIG.
The MH characteristics in the strip width direction before heat treatment and (b) after heat treatment are shown. As is apparent at a glance, by performing the heat treatment in the absence of a magnetic field, the coercive force (Hc) of both of them (widths of 10 μm and 20 μm) is reduced and hysteresis is reduced.
It can be seen that the direction along the groove is the easy axis of magnetization, and the direction perpendicular to the groove is the hard axis.
【００２３】磁性膜の磁化過程が磁化回転のみによって
起きると仮定した場合、磁化困難軸方向以外のＭ−Ｈ特
性にはヒステリシスが生じることは良く知られている。
ここに示した試料は、先に述べたように、短冊内部の磁
化はほぼ短冊長手方向を向いているものの、磁性膜自身
の磁化容易軸は短冊長手より４５°の方向である。そこ
で熱処理前において、これらの試料の短冊幅方向は完全
な磁化困難軸方向ではない。逆に無磁場中で熱処理する
ことによってヒステリシスが減少したことは、本来の誘
導磁気異方性が弱められ、形状磁気異方性が支配的とな
り、短冊の磁化容易軸が短冊長手方向を向き、短冊幅方
向がほぼ困難軸方向になっていることを示すものである
（図６）。以上の結果より、微細パターン化による形状
異方性により磁化の向きを制御し、その後試料に無磁場
中で熱処理を施すことにより、試料中の磁化の方向（短
冊長手方向）に完全に磁化容易軸を誘導できることが分
かった。It is well known that when it is assumed that the magnetization process of the magnetic film occurs only by the magnetization rotation, hysteresis occurs in the MH characteristics other than the direction of the hard axis.
In the sample shown here, as described above, the magnetization inside the strip is almost oriented in the longitudinal direction of the strip, but the axis of easy magnetization of the magnetic film itself is at 45 ° from the longitudinal direction of the strip. Therefore, before the heat treatment, the strip width direction of these samples is not a perfect hard axis direction. Conversely, the decrease in hysteresis by heat treatment in the absence of a magnetic field means that the original induced magnetic anisotropy is weakened, the shape magnetic anisotropy becomes dominant, and the easy axis of magnetization of the strip is oriented in the longitudinal direction of the strip, This indicates that the strip width direction is almost the direction of the hard axis (FIG. 6). From the above results, the magnetization direction is controlled by the shape anisotropy by fine patterning, and then the sample is subjected to a heat treatment in the absence of a magnetic field, so that the magnetization direction in the sample (the longitudinal direction of the strip) is completely easily magnetized. It was found that the axis could be guided.
【００２４】この事実は、矩形状のスパイラルコイルの
走る方向に磁性膜の磁化容易軸方向を制御可能であるこ
とを示すものである。This fact indicates that the direction of the axis of easy magnetization of the magnetic film can be controlled in the running direction of the rectangular spiral coil.
【００２５】実施の形態１．図７は本発明の薄膜インダ
クタを示す図である。図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）
は図７（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。図７におい
て、１は磁性膜、２は矩形状のスパイラルコイル、３、
４は非磁性絶縁体、５は基板である。Embodiment 1 FIG. 7 is a view showing a thin film inductor of the present invention. FIG. 7A is a plan view, and FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. In FIG. 7, 1 is a magnetic film, 2 is a rectangular spiral coil,
4 is a non-magnetic insulator and 5 is a substrate.
【００２６】図７（ｂ）に示すように、基板５上に、非
磁性絶縁体４、コイル２、非磁性絶縁体３、磁性膜１
を、下から順番に成膜する。磁性膜１は、例えばＣｏ85
Ｎｂ12Ｚｒ3を、絶縁体４上にスパッタ法等により、
０．１μｍの厚さに成膜する。この時、磁性膜の磁化容
易軸は矩形状のスパイラルコイル２の各辺に対し、ほぼ
４５°の方向となるようにする。その後、この磁性膜に
対して、レジスト膜を塗布し、図７（ａ）に示すような
微細パターンを作製する。即ち、矩形状のスパイラルコ
イル２の走る方向に沿ってミゾ１ｂを形成し、磁性膜１
を、スパイラルコイル２の走る方向に沿った短冊状の磁
性膜１ａの集合体とする。ここで、ミゾは絶縁体３まで
達していても、途中まででもよい。As shown in FIG. 7B, a non-magnetic insulator 4, a coil 2, a non-magnetic insulator 3, and a magnetic film 1 are formed on a substrate 5.
Are formed in order from the bottom. The magnetic film 1 is made of, for example, Co 85
Nb 12 Zr 3 is deposited on insulator 4 by sputtering or the like.
A film is formed to a thickness of 0.1 μm. At this time, the axis of easy magnetization of the magnetic film is set at approximately 45 ° with respect to each side of the rectangular spiral coil 2. Thereafter, a resist film is applied to the magnetic film to form a fine pattern as shown in FIG. That is, the grooves 1b are formed along the running direction of the rectangular spiral coil 2 and the magnetic film 1 is formed.
Is an aggregate of strip-shaped magnetic films 1a along the direction in which the spiral coil 2 runs. Here, the groove may reach the insulator 3 or may extend halfway.
【００２７】なお、磁性膜１は図７（ａ）に示すよう
に、４つの領域に分け、各領域において短冊状の磁性膜
１ａは、幅１０μｍ〜２０μｍ、膜厚０．１μｍとし、
ミゾ幅は０．６μｍとした。磁性膜１ａをこのような幅
とすることにより、磁性膜の誘導磁気異方性のエネルギ
ーより磁性膜の静磁エネルギーが大きくなるため、各磁
性膜１ａにおいて、磁化の向きを図７（ａ）の矢印に示
すように、短冊長手方向、即ちコイルの周方向に沿う方
向にすることができる。As shown in FIG. 7A, the magnetic film 1 is divided into four regions. In each region, the strip-shaped magnetic film 1a has a width of 10 μm to 20 μm and a thickness of 0.1 μm.
The groove width was 0.6 μm. When the magnetic film 1a has such a width, the magnetostatic energy of the magnetic film becomes larger than the energy of the induced magnetic anisotropy of the magnetic film. Therefore, in each magnetic film 1a, the direction of magnetization is changed as shown in FIG. As shown by the arrow, the direction can be in the longitudinal direction of the strip, that is, the direction along the circumferential direction of the coil.
【００２８】なお、本実施の形態において、磁性膜作成
時に磁化容易軸の向きを、矩形状のスパイラルコイル２
の各辺に対し、ほぼ４５°の方向となるようにしたが、
これは長手方向が互いに直交する短冊状の磁性膜１ａに
する際に、磁性膜の誘導磁気異方性がどちらの方向の磁
性膜１ａに対しても同じになるようにするためであり、
必ずしも４５°としなくてもよい。In the present embodiment, the direction of the axis of easy magnetization is changed to the rectangular spiral coil 2 when the magnetic film is formed.
The direction of each side is approximately 45 °,
This is to make the induced magnetic anisotropy of the magnetic film the same in both directions when forming the strip-shaped magnetic film 1a whose longitudinal direction is orthogonal to each other.
The angle does not necessarily have to be 45 °.
【００２９】実施の形態２．本実施の形態２において
は、上記実施の形態１のものに対して、さらに温度４０
０℃で、１時間、無磁界中で熱処理を行った。これによ
り、磁性膜１の誘導磁気異方性が弱まり、形状磁気異方
性が支配的となって、短冊状の磁性膜１ａの磁化容易軸
をほぼ完全に短冊長手方向に誘導し、かつ短冊幅方向を
磁化困難軸方向にすることができる。Embodiment 2 In the second embodiment, the temperature of the first embodiment is further increased by 40 ° C.
The heat treatment was performed at 0 ° C. for 1 hour in the absence of a magnetic field. Thereby, the induced magnetic anisotropy of the magnetic film 1 is weakened, the shape magnetic anisotropy becomes dominant, and the axis of easy magnetization of the strip-shaped magnetic film 1a is almost completely guided in the longitudinal direction of the strip. The width direction can be the direction of the hard axis.
【００３０】実施の形態３．本実施の形態３において
は、図７（ｂ）に示すように、基板５上に、非磁性絶縁
体４、コイル２、非磁性絶縁体３、磁性膜１を、下から
順番に成膜し、成膜された磁性膜１に対して、回転磁界
中で熱処理を施す。上記熱処理条件は、４００℃、２時
間、５００Ｏｅ、６０ｒｐｍであり、これにより、磁性
膜自身の磁気異方性を消失させる。その後、この磁性膜
に対して、レジスト膜を塗布し、図７（ａ）と同様の形
状の微細パターンを作製する。即ち、矩形状のスパイラ
ルコイル２の走る方向に沿ってミゾ１ｂを形成し、磁性
膜１を、スパイラルコイル２の走る方向に沿った短冊状
の磁性膜１ａの集合体とする。Embodiment 3 In the third embodiment, as shown in FIG. 7B, a non-magnetic insulator 4, a coil 2, a non-magnetic insulator 3, and a magnetic film 1 are sequentially formed on a substrate 5 from the bottom. Then, heat treatment is performed on the formed magnetic film 1 in a rotating magnetic field. The heat treatment conditions are 400 ° C., 2 hours, 500 Oe, and 60 rpm, thereby eliminating the magnetic anisotropy of the magnetic film itself. After that, a resist film is applied to the magnetic film to form a fine pattern having the same shape as that of FIG. That is, the grooves 1b are formed along the direction in which the rectangular spiral coil 2 runs, and the magnetic film 1 is an aggregate of strip-shaped magnetic films 1a along the direction in which the spiral coil 2 runs.
【００３１】なお、磁性膜１は図７（ａ）に示すよう
に、４つの領域に分け、各領域において短冊状の磁性膜
１ａは、幅１０μｍ〜２０μｍ、膜厚０．１μｍとし、
ミゾ幅は０．６μｍとした。磁性膜１ａをこのような幅
とすることにより、形状異方性によって、磁化容易軸を
誘導することができ、各磁性膜１ａにおいて、磁化の向
きを図７（ａ）の矢印に示すように、短冊長手方向、即
ちコイルの周方向に沿う方向にすることができる。As shown in FIG. 7 (a), the magnetic film 1 is divided into four regions, and in each region, the strip-shaped magnetic film 1a has a width of 10 μm to 20 μm and a thickness of 0.1 μm.
The groove width was 0.6 μm. By setting the magnetic film 1a to such a width, an axis of easy magnetization can be induced by the shape anisotropy. In each magnetic film 1a, the direction of magnetization is changed as shown by an arrow in FIG. , The longitudinal direction of the strip, that is, the direction along the circumferential direction of the coil.
【００３２】なお、本実施の形態において、磁性膜は実
施の形態１で示したＣｏＮｂＺｒの他に、ＦｅＡｌＯグ
ラニュラー膜系軟磁性膜、ＣｏＰｄＯグラニュラー膜系
軟磁性膜、パーマロイ、センダスト等でもよい。また、
誘導磁気異方性、結晶磁気異方性の値の小さな等方性の
膜を用いてもよく、このような場合には、成膜された磁
性膜１に対して、回転磁界中で熱処理を施す工程を省略
してもよい。In the present embodiment, the magnetic film may be a FeAlO granular film-based soft magnetic film, a CoPdO granular film-based soft magnetic film, permalloy, sendust or the like in addition to CoNbZr described in the first embodiment. Also,
An isotropic film having small values of induced magnetic anisotropy and crystal magnetic anisotropy may be used. In such a case, the heat treatment is performed on the formed magnetic film 1 in a rotating magnetic field. The step of applying may be omitted.
【００３３】また、上記各実施の形態において、コイル
２は矩形状スパイラルコイルを示したが、コイル形状は
矩形でなくともよいし、スパイラル状でなく、ヘリカル
状でもよい。In each of the above embodiments, the coil 2 is a rectangular spiral coil. However, the coil shape is not limited to a rectangular shape, and may be a spiral shape instead of a spiral shape.
【００３４】また、上記各実施の形態において、磁性膜
１は４つの領域に分けたが、磁性膜を分割しなくてもよ
い。In each of the above embodiments, the magnetic film 1 is divided into four regions, but the magnetic film need not be divided.
【００３５】また、上記各実施の形態においては薄膜イ
ンダクタについて説明したが、これに限らず、集積回路
においてコイル上に磁性薄膜を構成してなる他の薄膜磁
気デバイス、例えば磁気記録再生用ヘッドや薄膜トラン
ス等に本発明を適用してもよい。In each of the above embodiments, a thin film inductor has been described. However, the present invention is not limited to this, and other thin film magnetic devices in which a magnetic thin film is formed on a coil in an integrated circuit, such as a magnetic recording / reproducing head, The present invention may be applied to a thin film transformer or the like.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上のように、この発明の第１の構成に
よれば、基板上に積層形成されたコイル、このコイル上
に積層形成された非磁性絶縁体、この非磁性絶縁体上に
積層形成された磁性膜により構成された薄膜磁気デバイ
スにおいて、上記磁性膜にミゾを形成することにより、
上記磁性膜の磁化容易軸の方向を、上記コイルに流れる
電流により発生する磁場の方向にほぼ垂直方向となるよ
うにしたので、高周波においても効率よく動作する薄膜
磁気デバイスが得られる効果がある。As described above, according to the first structure of the present invention, a coil laminated on a substrate, a non-magnetic insulator laminated on the coil, and a non-magnetic insulator laminated on the coil, In a thin-film magnetic device composed of laminated magnetic films, by forming a groove in the magnetic film,
Since the direction of the axis of easy magnetization of the magnetic film is substantially perpendicular to the direction of the magnetic field generated by the current flowing through the coil, a thin-film magnetic device that operates efficiently even at high frequencies can be obtained.
【００３７】また、この発明の第２の構成によれば、第
１の構成において、ミゾとミゾとの間に形成される磁性
膜の幅と厚みと長さ、及びミゾの幅を、 （磁性膜の誘導磁気異方性のエネルギー）＜（磁性膜の
静磁エネルギー） となるようにしたので、容易に高周波においても効率よ
く動作する薄膜磁気デバイスが得られる効果がある。According to the second configuration of the present invention, in the first configuration, the width, thickness, and length of the magnetic film formed between the grooves and the width of the grooves are defined by (magnetic Since the energy of the induced magnetic anisotropy of the film is set to be smaller than the magnetostatic energy of the magnetic film, there is an effect that a thin-film magnetic device that easily operates efficiently even at a high frequency can be obtained.
【００３８】また、この発明の第３の構成によれば、第
１の構成において、磁性膜として誘導磁気異方性、結晶
磁気異方性の値の小さな等方性の膜を用いたので、形状
異方性によって、磁化容易軸を容易に誘導することがで
き、容易に高周波においても効率よく動作する薄膜磁気
デバイスが得られる効果がある。According to the third configuration of the present invention, in the first configuration, an isotropic film having small values of induced magnetic anisotropy and crystal magnetic anisotropy is used as the magnetic film. Due to the shape anisotropy, an axis of easy magnetization can be easily induced, and there is an effect that a thin-film magnetic device that easily operates efficiently even at a high frequency can be obtained.
【００３９】また、この発明の第１の方法によれば、基
板上にコイルを積層形成する工程、このコイル上に非磁
性絶縁体を積層形成する工程、この非磁性絶縁体上に磁
性膜を積層形成する工程、及び上記磁性膜にミゾを形成
し、上記磁性膜の磁化容易軸の方向を、上記コイルに流
れる電流により発生する磁場の方向にほぼ垂直方向とな
るようにする工程を施したので、容易に高周波において
も効率よく動作する薄膜磁気デバイスを製造できる効果
がある。Further, according to the first method of the present invention, a step of laminating a coil on a substrate, a step of laminating a non-magnetic insulator on the coil, and a step of forming a magnetic film on the non-magnetic insulator A step of forming a lamination and a step of forming a groove in the magnetic film so that the direction of the axis of easy magnetization of the magnetic film is substantially perpendicular to the direction of the magnetic field generated by the current flowing through the coil. Therefore, there is an effect that a thin-film magnetic device that easily operates efficiently even at a high frequency can be manufactured.
【００４０】また、この発明の第２の方法によれば、第
１の方法において、コイルが矩形状スパイラルコイルで
あり、非磁性絶縁体上に磁性膜を積層形成する際に、磁
化容易軸の方向を、上記矩形状スパイラルコイルの各辺
に対しほぼ４５°の方向となるようにしたので、コイル
の周回方向に沿ったいずれの方向の短冊状磁性膜に対し
ても、短冊状磁性膜の磁化容易軸が上記短冊状磁性膜の
長手方向に沿うようにすることができる。According to the second method of the present invention, in the first method, the coil is a rectangular spiral coil, and when the magnetic film is laminated on the non-magnetic insulator, the coil has an easy axis of magnetization. Since the direction is set to be approximately 45 ° to each side of the rectangular spiral coil, the rectangular magnetic film in any direction along the winding direction of the coil is The axis of easy magnetization can be set along the longitudinal direction of the strip-shaped magnetic film.
【００４１】また、この発明の第３の方法によれば、第
１または第２の方法において、磁性膜にミゾを形成した
後、熱処理を行なうので、磁性膜の誘導磁気異方性を下
げることができ、容易に高周波においても効率よく動作
する薄膜磁気デバイスを製造できる効果がある。According to the third method of the present invention, in the first or second method, heat treatment is performed after forming a groove in the magnetic film, so that the induced magnetic anisotropy of the magnetic film is reduced. This makes it possible to easily manufacture a thin-film magnetic device that efficiently operates even at a high frequency.
【００４２】また、この発明の第４の方法によれば、第
１の方法において、非磁性絶縁体上に磁性膜を積層形成
後、回転磁界中で熱処理を施し、その後、上記磁性膜に
ミゾを形成したので、磁性膜の誘導磁気異方性を下げる
ことができ、容易に高周波においても効率よく動作する
薄膜磁気デバイスを製造できる効果がある。According to the fourth method of the present invention, in the first method, after forming a magnetic film on the non-magnetic insulator, heat treatment is performed in a rotating magnetic field. Is formed, the induced magnetic anisotropy of the magnetic film can be reduced, and there is an effect that a thin-film magnetic device that can easily operate efficiently at high frequencies can be manufactured.
【図１】 静磁エネルギーを計算するにあたって、短冊
状磁性膜の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a strip-shaped magnetic film in calculating magnetostatic energy.
【図２】 微細パターンの作製プロセスを示す図であ
る。FIG. 2 is a view showing a process for producing a fine pattern.
【図３】 微細パターンの他の作製プロセスを示す図で
ある。FIG. 3 is a view showing another process for producing a fine pattern.
【図４】 短冊幅２０μｍの磁性膜における、短冊幅方
向のＭ−Ｈ特性を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing MH characteristics in a strip width direction of a magnetic film having a strip width of 20 μm.
【図５】 短冊幅１０μｍの磁性膜における、短冊幅方
向のＭ−Ｈ特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing MH characteristics in a strip width direction of a magnetic film having a strip width of 10 μm.
【図６】 熱処理により短冊内の磁性膜自身の磁化容易
軸が変化する様子を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a state in which the axis of easy magnetization of the magnetic film in the strip changes by heat treatment.
【図７】 本発明の薄膜インダクタを示す平面図及び断
面図である。FIG. 7 is a plan view and a sectional view showing a thin-film inductor of the present invention.
【図８】 従来の薄膜インダクタを示す平面図及び断面
図である。FIG. 8 is a plan view and a sectional view showing a conventional thin film inductor.
１，１０ 磁性膜、１ａ，１０ａ 短冊状磁性膜、１
ｂ，１０ｂ ミゾ、２コイル、３，４ 非磁性絶縁体、
５ 基板、６ スライドガラス。1,10 magnetic film, 1a, 10a strip-shaped magnetic film, 1a
b, 10b groove, 2 coils, 3, 4 non-magnetic insulator,
5 substrates, 6 glass slides.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒井 賢一 宮城県仙台市青葉区片平二丁目１番１号 東北大学 電気通信研究所内 (72)発明者 島田 寛 宮城県仙台市青葉区片平二丁目１番１号 東北大学 科学計測研究所内 Ｆターム(参考） 5E049 AA04 AA09 BA11 CB10 EB06 GC01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Kenichi Arai 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai City, Miyagi Prefecture Inside the Institute of Electrical Communication, Tohoku University (72) Inventor Hiroshi Shimada 2-chome Katahira, Aoba-ku, Sendai City, Miyagi Prefecture No. 1 F-term in Tohoku University Scientific Measurement Laboratory (reference) 5E049 AA04 AA09 BA11 CB10 EB06 GC01
Claims (7)
イル上に積層形成された非磁性絶縁体、この非磁性絶縁
体上に積層形成された磁性膜により構成された薄膜磁気
デバイスにおいて、上記磁性膜にミゾを形成することに
より、上記磁性膜の磁化容易軸の方向を、上記コイルに
流れる電流により発生する磁場の方向にほぼ垂直方向と
なるようにしたことを特徴とする薄膜磁気デバイス。1. A thin-film magnetic device comprising a coil laminated on a substrate, a non-magnetic insulator laminated on the coil, and a magnetic film laminated on the non-magnetic insulator. A thin film magnetic device wherein a direction of an axis of easy magnetization of the magnetic film is substantially perpendicular to a direction of a magnetic field generated by a current flowing through the coil by forming a groove in the magnetic film.
幅と厚みと長さ、及びミゾの幅を、（磁性膜の誘導磁気
異方性のエネルギー）＜（磁性膜の静磁エネルギー）と
なるようにしたことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁
気デバイス。2. The width, thickness and length of a magnetic film formed between the grooves and the width of the groove are defined as (energy of induced magnetic anisotropy of the magnetic film) <(static magnetostatic of the magnetic film). 2. The thin-film magnetic device according to claim 1, wherein the device comprises:
異方性の値の小さな等方性の膜を用いたことを特徴とす
る請求項１または２記載の薄膜磁気デバイス。3. The thin-film magnetic device according to claim 1, wherein an isotropic film having small values of induced magnetic anisotropy and crystal magnetic anisotropy is used as the magnetic film.
のコイル上に非磁性絶縁体を積層形成する工程、この非
磁性絶縁体上に磁性膜を積層形成する工程、及び上記磁
性膜にミゾを形成し、上記磁性膜の磁化容易軸の方向
を、上記コイルに流れる電流により発生する磁場の方向
にほぼ垂直方向となるようにする工程を施したことを特
徴とする薄膜磁気デバイスの製造方法。4. A step of laminating a coil on a substrate, a step of laminating a non-magnetic insulator on the coil, a step of laminating a magnetic film on the non-magnetic insulator, and Wherein the direction of the axis of easy magnetization of the magnetic film is substantially perpendicular to the direction of the magnetic field generated by the current flowing through the coil. .
り、非磁性絶縁体上に磁性膜を積層形成する際に、磁化
容易軸の方向を、上記矩形状スパイラルコイルの各辺に
対しほぼ４５°の方向となるようにしたことを特徴とす
る請求項４記載の薄膜磁気デバイスの製造方法。5. The coil is a rectangular spiral coil. When a magnetic film is laminated on a non-magnetic insulator, the direction of the axis of easy magnetization is set to approximately 45 ° with respect to each side of the rectangular spiral coil. 5. The method for manufacturing a thin-film magnetic device according to claim 4, wherein the direction is set to the direction.
なうことを特徴とする請求項４または５記載の薄膜磁気
デバイスの製造方法。6. The method for manufacturing a thin-film magnetic device according to claim 4, wherein heat treatment is performed after forming a groove in the magnetic film.
回転磁界中で熱処理を施し、その後、上記磁性膜にミゾ
を形成したことを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気デ
バイスの製造方法。7. After forming a magnetic film on a non-magnetic insulator,
5. The method according to claim 4, wherein heat treatment is performed in a rotating magnetic field, and then a groove is formed in the magnetic film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32163699A JP2001143929A (en) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | Thin film magnetic device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32163699A JP2001143929A (en) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | Thin film magnetic device and method for manufacturing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001143929A true JP2001143929A (en) | 2001-05-25 |
Family
ID=18134725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32163699A Pending JP2001143929A (en) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | Thin film magnetic device and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001143929A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294880A (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Tdk Corp | Thin-film magnetic device |
| US7791836B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-09-07 | Tdk Corporation | Thin film magnetic device having strip-shaped magnetic films with their magnetization easy axes arranged orthogonal to a thin film coil and method of manufacturing the same |
| US7973630B2 (en) | 2007-01-31 | 2011-07-05 | Tdk Corporation | Thin film magnetic device and method of manufacturing the same |
| US9159778B2 (en) | 2014-03-07 | 2015-10-13 | International Business Machines Corporation | Silicon process compatible trench magnetic device |
| US9490421B2 (en) | 2012-12-21 | 2016-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing vertical spin transfer switched magnetic junctions and memories using such junctions |
-
1999
- 1999-11-11 JP JP32163699A patent/JP2001143929A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294880A (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Tdk Corp | Thin-film magnetic device |
| US7791836B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-09-07 | Tdk Corporation | Thin film magnetic device having strip-shaped magnetic films with their magnetization easy axes arranged orthogonal to a thin film coil and method of manufacturing the same |
| US7973630B2 (en) | 2007-01-31 | 2011-07-05 | Tdk Corporation | Thin film magnetic device and method of manufacturing the same |
| US9490421B2 (en) | 2012-12-21 | 2016-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing vertical spin transfer switched magnetic junctions and memories using such junctions |
| US9159778B2 (en) | 2014-03-07 | 2015-10-13 | International Business Machines Corporation | Silicon process compatible trench magnetic device |
| US9406740B2 (en) | 2014-03-07 | 2016-08-02 | International Business Machines Corporation | Silicon process compatible trench magnetic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yamaguchi et al. | Sandwich-type ferromagnetic RF integrated inductor | |
| US9773612B2 (en) | Integrated magnetic devices with multi-axial magnetic anisotropy | |
| JP2002158112A (en) | Fine element of type such as minute inductor and minute transformer | |
| US6573818B1 (en) | Planar magnetic frame inductors having open cores | |
| EP1293792A3 (en) | Magnetic detection element utilizing magneto-impedance effect, production method of the element, and portable equipment using the element | |
| JP2001143929A (en) | Thin film magnetic device and method for manufacturing the same | |
| JP2009182168A (en) | Magnetic thin film and thin-film magnetic device | |
| JPH07254116A (en) | Method of heat treatment for thin film magnetic head | |
| EP4084101A1 (en) | Magnetic sensor | |
| Shin et al. | Fabrication of double rectangular type FeTaN film inductors | |
| JP2002176210A (en) | Magneto-impedance effect element and method for manufacturing the same | |
| JP2744945B2 (en) | Magnetic multilayer film | |
| WO2005031762A2 (en) | Magnetic thin film for high frequency and its production method, and magnetic element | |
| JP2001358378A (en) | Magnetic impedance effect element and its manufacturing method | |
| JP2002050520A (en) | Microinductor or microelement or microtransformer type | |
| JP2006005887A (en) | Microwave transmission line and microwave filter | |
| JP2001119081A (en) | Magnetic impedance effect element and manufacturing method therefor | |
| JPH10289821A (en) | Magnetic device for high-frequency band use | |
| JP4893367B2 (en) | Thin film magnetic device | |
| JP2001518702A (en) | Method of increasing operating frequency of magnetic circuit and magnetic circuit thereof | |
| JP3866498B2 (en) | Magneto-impedance effect element and manufacturing method thereof | |
| JP2007073551A (en) | Magnetic multilayer film and its manufacturing method | |
| JP2001059859A (en) | Manufacture of thin film magnetic impedance effect component | |
| JPH0547555A (en) | Amorphous soft magnetic thin film and manufacture thereof | |
| JPH0696951A (en) | Three-dimensional closed-magnetic circuit core type inductance element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040630 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051004 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080311 |