JP2007294855A - Wafer processing method, and tape for processing wafer which is employed therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はウェハ加工方法及びそれに用いるウェハ加工用テープに関し、詳しくは、半導体装置やその部品を製造するにあたり、ウェハを加工するためのウェハ加工方法及びそれに用いるウェハ加工用テープに関する。 The present invention relates to a wafer processing method and a wafer processing tape used therefor, and more particularly to a wafer processing method for processing a wafer and a wafer processing tape used therefor in manufacturing a semiconductor device and its components.
ＩＣなどの半導体装置の組立工程においてパターン形成後の半導体ウェハ等の加工工程は、ウェハを個々のチップに切断分離（ダイシング）する工程と、そのチップを基板等にマウントする工程、さらにそれを樹脂等で封止する工程からなっている。ウェハをダイシングして加工する工程では、例えばダイシングダイボンドテープが用いられる。ここで一般にダイシングダイボンドテープには、少なくとも基材フィルム、粘着剤層、接着剤層がこの順に積層されている。そしてダイシング工程において、半導体ウェハをダイシングダイボンドテープに貼り付けて固定した後、チップ形状に沿ってダイシングを行う。その後のマウント工程では、接着剤付きのチップを粘着剤層から剥離（ピックアップ）させ、チップに付着した接着固定用の接着剤で基板等に固定する。 In the process of assembling a semiconductor device such as an IC, the processing process of a semiconductor wafer after pattern formation includes a process of cutting and separating (dicing) the wafer into individual chips, a process of mounting the chips on a substrate, etc. It consists of the process of sealing with etc. In the process of dicing and processing the wafer, for example, a dicing die bond tape is used. Here, generally, at least a base film, a pressure-sensitive adhesive layer, and an adhesive layer are laminated in this order on the dicing die-bonding tape. In the dicing step, the semiconductor wafer is affixed to a dicing die bond tape and fixed, and then dicing is performed along the chip shape. In the subsequent mounting process, the chip with adhesive is peeled off (pickup) from the adhesive layer, and fixed to the substrate or the like with an adhesive for fixing the adhesive attached to the chip.
上記目的に使用するダイシングダイボンドテープとしては、フィルム状接着剤をダイシングテープ上に付設し一体化したテープと、粘着剤層と接着剤層が一つの層になったテープがあり、いずれもダイシングする際にはウェハが剥離しないように十分な粘着力を必要とし、ピックアップの際には容易に剥離できる性質が要求される。 The dicing die-bonding tape used for the above purpose includes a tape in which a film adhesive is attached and integrated on the dicing tape, and a tape in which the adhesive layer and the adhesive layer are combined into one layer, both of which are diced. At this time, a sufficient adhesive force is required so that the wafer does not peel off, and the property of being easily peeled off is required at the time of pickup.
また、マウント工程においては、チップ−チップ間およびチップ−基板間において十分な接着力が要求され、各種のダイシングダイボンドテープが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。これらは、ダイシング後、チップ裏面に接着剤層を付けたままでピックアップし、基板等にマウントした後加熱などにより硬化接着させるいわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、接着剤の塗布工程を省略できるようにするものである。しかしながら、これらのダイシングダイボンドテープに用いられているフィルム状接着剤（ダイボンドフィルム）はエポキシ樹脂等の低分子量物質を多く含んでおり、軟らかく高タックである。そのため、ダイシング後のピックアップ工程でピックアップ不良をおこしやすく、ＩＣチップの不良品が発生してしまうという問題点があった。 Further, in the mounting process, sufficient adhesive force is required between the chip and the chip and between the chip and the substrate, and various dicing die bond tapes have been proposed (see, for example, Patent Documents 1 to 3). These are so-called direct die bonding that can be picked up with an adhesive layer attached to the back side of the chip after dicing, mounted on a substrate, etc., and then cured and bonded by heating, etc., so that the adhesive application step can be omitted. Is. However, the film adhesive (die bond film) used for these dicing die bond tapes contains a lot of low molecular weight substances such as epoxy resin, and is soft and high tack. For this reason, there is a problem in that pick-up failure is likely to occur in the pick-up process after dicing, and defective IC chips are generated.
そこで、本発明はウェハ等を固定しダイシングするための優れたウェハ加工方法及びそれに用いるウェハ加工用テープの提供を目的とする。詳しくは、ウェハ加工用テープ上のウェハをダイシングした後、接着剤層（例えばウェハと比べて柔らかく極性基を多くもった化合物からなる接着剤層）が付されたチップを容易に剥離することができ、糊残りを生じにくいウェハ加工方法及びそれに用いるウェハ加工用テープの提供を目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide an excellent wafer processing method for fixing and dicing a wafer or the like and a wafer processing tape used therefor. Specifically, after dicing a wafer on a wafer processing tape, a chip with an adhesive layer (for example, an adhesive layer made of a compound softer and more polar groups than the wafer) can be easily peeled off. An object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of producing adhesive residue and a wafer processing tape used therefor.
上記の課題は以下の手段により達成された。
（１）（ａ）ウェハの片面に、順に接着剤層と、表面に粘着剤層を設けた基材フィルムとを、少なくとも前記接着剤層と粘着剤層面とを貼合して配設する工程、（ｂ）所望のチップ形状にそって前記ウェハをダイシングする工程、（ｃ）接着剤層付チップを粘着剤層から剥離する工程を有するウェハ加工方法であって、
前記粘着剤層にアルキル（メタ）アクリレートと極性基含有モノマーとの共重合物を含有させ、
前記接着剤層と接する側の粘着剤層表面について、ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ法により求めた１７１０ｃｍ−１〜１７４０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値に対する３４８０ｃｍ−１〜３５６０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値のＩＲ吸収強度比を０．０２以下としたことを特徴とするウェハ加工方法。
（２）基材フィルム上に間接的あるいは直接的に粘着剤層を設け、更に前記粘着剤層の基材フィルムとは反対側に接着剤層を設けたウェハ加工用テープであって、
前記粘着剤層にアルキル（メタ）アクリレートと極性基含有モノマーとの共重合物を含有させ、
接着剤層と接する側の粘着剤層表面について、ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ法により求めた１７１０ｃｍ−１〜１７４０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値に対する３４８０ｃｍ−１〜３５６０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値のＩＲ吸収強度比を０．０２以下としたことを特徴とするウェハ加工用テープ。
（３）基材フィルム上に間接的あるいは直接的に粘着剤層を設けた、接着剤層付ウェハを加工するウェハ加工用テープであって、
前記粘着剤層にアルキル（メタ）アクリレートと極性基含有モノマーとの共重合物を含有させ、
基材フィルムとは反対側の粘着剤層表面について、ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ法により求めた１７１０ｃｍ−１〜１７４０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値に対する３４８０ｃｍ−１〜３５６０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値のＩＲ吸収強度比を０．０２以下としたことを特徴とするウェハ加工用テープ。
（４）前記アルキル（メタ）アクリレートと極性基含有モノマーとの共重合体が、構成成分として２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート成分または２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート成分を含有するものであることを特徴とする（２）または（３）記載のウェハ加工用テープ。
なお、ここで一般に言われるように、接着剤層は物体間に介在し、物体を結合する層であり、粘着剤層は物体間に介在し、一時的に物体を接着する層である。
The above problems have been achieved by the following means.
(1) (a) The process which bonds and arrange | positions the adhesive layer and the base film which provided the adhesive layer on the surface in order on the single side | surface of a wafer at least the said adhesive layer and an adhesive layer surface. (B) a wafer processing method comprising a step of dicing the wafer along a desired chip shape, and (c) a step of peeling the chip with the adhesive layer from the adhesive layer,
The pressure-sensitive adhesive layer contains a copolymer of an alkyl (meth) acrylate and a polar group-containing monomer,
For the pressure-sensitive adhesive layer surface of the side in contact with the adhesive layer, absorption in the range of 3480cm -1 ~3560cm -1 for absorption maximum in the range of 1710cm -1 ~1740cm -1 determined by ATR method FT-IR A wafer processing method characterized in that the maximum IR absorption intensity ratio is 0.02 or less.
(2) A wafer processing tape in which an adhesive layer is provided indirectly or directly on a base film, and an adhesive layer is further provided on the side opposite to the base film of the adhesive layer,
The pressure-sensitive adhesive layer contains a copolymer of an alkyl (meth) acrylate and a polar group-containing monomer,
For the pressure-sensitive adhesive layer surface of the side contacting the adhesive layer, the absorption maximum in the range of 3480cm -1 ~3560cm -1 for absorption maximum in the range of 1710cm -1 ~1740cm -1 determined by ATR method FT-IR A wafer processing tape characterized by having an IR absorption intensity ratio of 0.02 or less.
(3) A wafer processing tape for processing a wafer with an adhesive layer, in which an adhesive layer is indirectly or directly provided on a base film,
The pressure-sensitive adhesive layer contains a copolymer of an alkyl (meth) acrylate and a polar group-containing monomer,
The opposite side of the pressure-sensitive adhesive layer surface and the base film, absorption in the range of 3480cm -1 ~3560cm -1 for absorption maximum in the range of 1710cm -1 ~1740cm -1 determined by ATR method FT-IR A wafer processing tape having a maximum IR absorption intensity ratio of 0.02 or less.
(4) The copolymer of the alkyl (meth) acrylate and the polar group-containing monomer contains a 2-hydroxyethyl (meth) acrylate component or a 2-hydroxypropyl (meth) acrylate component as a constituent component. (2) or (3) wafer processing tape characterized by these.
As generally referred to herein, the adhesive layer is a layer that is interposed between the objects and bonds the objects, and the adhesive layer is a layer that is interposed between the objects and temporarily bonds the objects.
本発明のウェハ加工方法及びウェハ加工用テープは、接着剤層と粘着剤層との剥離を容易にし、そのためウェハをダイシングした後、接着剤層が貼られたチップ（半導体素子等）のピックアップを容易にし、糊残りを生じにくくするという優れた効果を奏する。
本発明のウェハ加工方法及びウェハ加工用テープは、ウェハの加工品質を安定化し、さらには半導体素子の良好なダイレクトダイボンディングを可能とするものである。
The wafer processing method and the wafer processing tape according to the present invention facilitate peeling of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer, and therefore, after dicing the wafer, picking up a chip (semiconductor element or the like) to which the adhesive layer is attached is picked up. It has an excellent effect of facilitating and making it difficult to produce adhesive residue.
The wafer processing method and the wafer processing tape of the present invention stabilize the processing quality of a wafer and further enable good direct die bonding of semiconductor elements.
本発明者らは、ウェハ加工用テープの粘着剤層表面に存在する水酸基量を少なくすることにより、ウェハに付される接着剤層が柔らかく極性基の多い表面を有する場合でも、その接着剤層と粘着剤層との良好な剥離が可能となることを見出し本発明に至った。以下、本発明について説明する。
本発明のウェハ加工用テープは、基材フィルムの上に間接的もしくは直接的に粘着剤層が設けられており、あるいは更に接着剤層が設けられている。このとき、例えば、基材フィルムと粘着剤層の間に中間樹脂層を設けることが好ましい。それぞれの層は使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。また、ウェハ等が貼合される前のウェハ加工用テープには、接着剤層もしくは粘着剤層を保護するためにセパレータを設けてもよい。
The present inventors have reduced the amount of hydroxyl groups present on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the wafer processing tape, so that even when the adhesive layer applied to the wafer has a soft surface with many polar groups, the adhesive layer As a result, it was found that good peeling between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer became possible. The present invention will be described below.
In the tape for wafer processing of the present invention, an adhesive layer is provided indirectly or directly on a base film, or an adhesive layer is further provided. At this time, for example, an intermediate resin layer is preferably provided between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer. Each layer may be cut into a predetermined shape (pre-cut) in advance according to the use process and apparatus. Moreover, in order to protect an adhesive bond layer or an adhesive layer, you may provide a separator in the tape for wafer processing before a wafer etc. are bonded.
（基材フィルム）
本発明のウェハ加工用テープに設けられる基材フィルムについて説明する。
基材フィルムは特に限定されるものではなく、通常のプラスチック、ゴムなどを用いることができる。一般に基材フィルムとしては熱可塑性のプラスチックフィルムが用いられている。特に粘着剤層に光重合性の粘着剤を使用する場合には、その粘着剤が硬化する波長での放射線透過性の良いものを選択する必要がある。ここでいう光重合性とは、例えば紫外線のような光、あるいはレーザ光、または電子線のような放射線等を照射することにより硬化する性質のことである。このような基材として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、これらの混合物等が挙げられる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。
(Base film)
The base film provided on the wafer processing tape of the present invention will be described.
A base film is not specifically limited, A normal plastic, rubber | gum, etc. can be used. In general, a thermoplastic plastic film is used as the base film. In particular, when a photopolymerizable pressure-sensitive adhesive is used for the pressure-sensitive adhesive layer, it is necessary to select a material having good radiation transparency at a wavelength at which the pressure-sensitive adhesive is cured. The photopolymerization here refers to a property of being cured by irradiation with light such as ultraviolet rays, laser light, or radiation such as an electron beam. Examples of polymers that can be selected as such a substrate include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic. Homopolymer or copolymer of α-olefin such as ethyl acid copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer, or a mixture thereof, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate Engineering plastics such as polyurethane, thermoplastic elastomers such as polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers, polyamide-polyol copolymers, and mixtures thereof. Moreover, you may use what made these two or more layers.
なお、素子間隙を大きくするためには、ネッキング（基材フィルムを放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生）の極力少ないものが好ましく、ポリウレタン、分子量およびスチレン含有量を限定したスチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を挙げることができ、ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルムを用いることが好ましい。 In order to increase the gap between elements, it is preferable that necking (occurrence of partial elongation due to poor propagation of force that occurs when the base film is stretched radially) is as small as possible. Polyurethane, molecular weight and styrene content Styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, etc., which are limited to the above, can be used, and a cross-linked base film is preferably used to prevent elongation or deflection during dicing.
さらには基材フィルムの粘着剤層又は中間樹脂層が設けられる側の表面には、粘着剤層又は中間樹脂層との接着性を向上させるためにコロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。 Furthermore, the surface of the base film on which the pressure-sensitive adhesive layer or intermediate resin layer is provided is subjected to a treatment such as a corona treatment or a primer layer in order to improve the adhesiveness with the pressure-sensitive adhesive layer or the intermediate resin layer. You may give suitably.
基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当である。なお、基材フィルムの粘着剤層が塗布されない側の表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすることによって、ブロッキングを防止し、テープを放射状延伸する時のテープと治具との摩擦を減少することにより基材フィルムのネッキングを防止するなどの効果が得られ、好ましい。 The thickness of the substrate film is usually suitably from 30 to 300 μm from the viewpoint of strong elongation characteristics and radiation transparency. The surface of the base film on which the pressure-sensitive adhesive layer is not applied is textured or coated with a lubricant to prevent blocking and reduce the friction between the tape and the jig when the tape is radially stretched. The effect of preventing necking of the material film is obtained, which is preferable.
（粘着剤層）
本発明のウェハ加工用テープに設けられる粘着剤層は、通常のダイシングテープと同様に基材フィルムに直接的あるいは間接的に塗工して製造してもよい。そして、本発明のウェハ加工用テープは、ピックアップ時の接着剤層からの剥離を容易化するために粘着剤層表面の水酸基量を低減したものである。具体的には、粘着剤層表面についてＦＴ−ＩＲのＡＴＲ法により求めた３４８０ｃｍ−１〜３５６０ｃｍ−１の範囲内における水酸基由来の吸収極大値と、１７１０ｃｍ−１〜１７４０ｃｍ−１の範囲内におけるエステル基由来の吸収極大値とのＩＲ吸収強度比（［水酸基］／［エステル基］）が０．０２以下である粘着剤層表面としたものであり、ＩＲ吸収強度比を０．０１５以下とすることが好ましい。前記ＩＲ吸収強度比が０．０２より大きいと、粘着剤層と接着剤層（ダイボンドフィルム）の剥離が困難になり、ピックアップ不良等を起こす場合がある。なお、粘着剤層としては、光重合性のものが好ましい。また、ダイシング時にはチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性を有するものであればよい。
(Adhesive layer)
The pressure-sensitive adhesive layer provided on the wafer processing tape of the present invention may be produced by coating directly or indirectly on a substrate film in the same manner as a normal dicing tape. And the tape for wafer processing of this invention reduces the amount of hydroxyl groups of the adhesive layer surface in order to make easy peeling from the adhesive bond layer at the time of pick-up. Specifically, the absorption maxima from hydroxyl groups in the range of 3480cm -1 ~3560cm -1 determined by ATR method FT-IR for the pressure-sensitive adhesive layer surface, esters within the scope of 1710cm -1 ~1740cm -1 The surface of the pressure-sensitive adhesive layer has an IR absorption intensity ratio ([hydroxyl group] / [ester group]) of 0.02 or less with the absorption maximum value derived from the group, and the IR absorption intensity ratio is 0.015 or less. It is preferable. When the IR absorption intensity ratio is larger than 0.02, it is difficult to peel off the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer (die bond film), which may cause a pickup failure or the like. The pressure-sensitive adhesive layer is preferably a photopolymerizable layer. Further, it is sufficient if it has a retaining property that does not cause defects such as chip skipping during dicing.
本発明において、ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ法は、通常の固体試料の表面分析に用いられるＡＴＲ法に従って行うことができ、例えばＮｉｃｏｌｅｔ社製のＮＥＸＵＳ４７０等のＡＴＲ法モードを用いて行うことができる。粘着剤層表面（粘着剤層と接着剤層とが貼合わせてあるダイシングダイボンドテープに関しては接着剤層を剥がした後の粘着剤層表面）の測定については、粘着剤層が光重合性である場合には放射線照射後の粘着剤層表面の測定を行うが、放射線硬化時の反応で水酸基量とエステル基量が変わらない場合は、照射前の粘着剤層表面を測定してもよい。詳しくは、それぞれ、使用セル：ＺｎＳｅプリズム、スキャン回数：１００回、入射角：４５度、ベースライン：４０００ｃｍ−１と２０００ｃｍ−１を結ぶ直線とする。尚、ＡＴＲ法における測定試料への測定波長の進入深さｄは下記の数式１で求められ、測定試料の屈折率ｎ２により変わるが、通常のアクリル系粘着剤等においては１．５で近似することができる。したがって、各入射光の試料進入量ｄは測定試料間で同等であると近似できる。また、試料の屈折率はアッベ屈折計等を用いて測定することができ、測定試料の屈折率ｎ２が１．５より大きく異なる場合は、進入深さｄが屈折率１．５と同等の深さとなるように吸収強度を補正する。 In the present invention, the FT-IR ATR method can be performed according to the ATR method used for the surface analysis of a normal solid sample, for example, using an ATR method mode such as NEXUS470 manufactured by Nicolet. For the measurement of the pressure-sensitive adhesive layer surface (the pressure-sensitive adhesive layer surface after peeling the adhesive layer for a dicing die-bonding tape in which the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer are bonded), the pressure-sensitive adhesive layer is photopolymerizable. In some cases, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer after irradiation is measured, but when the amount of hydroxyl groups and the amount of ester groups are not changed by the reaction during radiation curing, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation may be measured. For more information, respectively, using the cell: ZnSe prism, number of scans: 100 times, incident angle: 45 degrees, baseline: a straight line connecting the 4000 cm -1 and 2000 cm -1. In addition, the penetration depth d of the measurement wavelength to the measurement sample in the ATR method is obtained by the following mathematical formula 1, and varies depending on the refractive index n 2 of the measurement sample. can do. Therefore, it can be approximated that the sample penetration amount d of each incident light is equal between the measurement samples. The refractive index of the sample can be measured using an Abbe refractometer or the like, when the refractive index n 2 of the measurement sample is significantly different than 1.5, penetration depth d is equal to the refractive index of 1.5 The absorption intensity is corrected to the depth.
入深さｄ＝λ／（２π（ｓｉｎ２θ−（ｎ２／ｎ１）２） １／２） ・・・数式（１）
ここで、λはＡＴＲ結晶中での測定波長、θは入射角、ｎ２は測定試料の屈折率、ｎ１はＡＴＲ結晶の屈折率（ＺｎＳｅの場合、２．４）を表す。
Depth of penetration d = λ / (2π (sin 2 θ− (n 2 / n 1 ) 2 ) 1/2 ) (1)
Here, λ is the measurement wavelength in the ATR crystal, θ is the incident angle, n 2 is the refractive index of the measurement sample, and n 1 is the refractive index of the ATR crystal (in the case of ZnSe, 2.4).
本発明のウェハ加工用テープに設けられる粘着剤層にはアルキル（メタ）アクリレート及び極性基含有モノマーの共重合体（以下、この共重合体を「アクリル系化合物」ともいう）を含有し、アクリル系化合物と後述する硬化剤とを主成分とするアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。アルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートや、官能基を有する、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル、ビニルアルコール等が挙げられる。 The pressure-sensitive adhesive layer provided on the wafer processing tape of the present invention contains a copolymer of an alkyl (meth) acrylate and a polar group-containing monomer (hereinafter, this copolymer is also referred to as an “acrylic compound”), and acrylic. It is preferable to use an acrylic pressure-sensitive adhesive mainly composed of a base compound and a curing agent described later. Examples of the alkyl (meth) acrylate include pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, Or methacrylates similar to these, or functional groups having acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates , Glycol monomethacrylates, N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylamino ester Acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, phthalic anhydride, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, vinyl acetate, styrene, Examples include acrylonitrile and vinyl alcohol.
アクリル系化合物は、１種もしくは複数種を用いてもよく、更に、相溶性や各種性能を上げる目的で低分子化合物を共存させることも可能である。前記アクリル系化合物としては、光重合性を有するものであることが好ましく、光重合性を付与する方法としては、前記アクリル系化合物に直接光重合性炭素−炭素二重結合を導入する方法、前記アクリル系化合物と混合可能な光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を添加する方法等が挙げられる。 One or a plurality of acrylic compounds may be used, and a low molecular compound may be allowed to coexist for the purpose of improving compatibility and various performances. The acrylic compound is preferably one having photopolymerizability, and as a method for imparting photopolymerizability, a method of directly introducing a photopolymerizable carbon-carbon double bond into the acrylic compound, Examples thereof include a method of adding a compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond that can be mixed with an acrylic compound.
前記アクリル系化合物に直接、光重合性炭素−炭素二重結合を導入する方法としては、前記アクリル系化合物の側鎖に官能基を有するものを用い、これと付加反応可能な官能基と光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を前記アクリル系化合物に付加させて得ることができる。前記アクリル系化合物に付加反応可能な官能基と光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としては、付加反応の対象となる側鎖がカルボキシル基または酸無水物である場合には、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられ、付加反応の対象となる側鎖がエポキシ基である場合には、（メタ）アクリル酸等が挙げられ、付加反応の対象となる側鎖が水酸基である場合には、２−イソシアネートアルキル（メタ）アクリレート等が挙げられる。 As a method of directly introducing a photopolymerizable carbon-carbon double bond into the acrylic compound, a method having a functional group in the side chain of the acrylic compound and a photopolymerization with a functional group capable of undergoing addition reaction therewith It can be obtained by adding a compound having a reactive carbon-carbon double bond to the acrylic compound. As the compound having a functional group capable of addition reaction with the acrylic compound and a photopolymerizable carbon-carbon double bond, when the side chain to be subjected to the addition reaction is a carboxyl group or an acid anhydride, glycidyl ( When (meth) acrylate etc. are mentioned and the side chain which is the object of addition reaction is an epoxy group, (meth) acrylic acid etc. are mentioned, and when the side chain which is the object of addition reaction is a hydroxyl group , 2-isocyanate alkyl (meth) acrylate and the like.
前記アクリル系化合物と混合可能な光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としては、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する化合物であり、重量平均分子量が１００から３００００の範囲にある化合物を用いることができる。このような化合物の具体例として、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート等が挙げられる。また、この他にウレタンアクリレート系化合物を用いることもできる。ウレタンアクリレート系化合物は、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。 The compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond that can be mixed with the acrylic compound is a compound having two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule, and the weight average molecular weight is from 100. Compounds in the range of 30000 can be used. Specific examples of such compounds include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene. Examples include glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, and oligoester acrylate. In addition, urethane acrylate compounds can also be used. The urethane acrylate compound includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc., with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl) Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by.
アルキル（メタ）アクリレート及び極性基含有モノマーの共重合体の水酸基価は特に限定されないが、水酸基価が１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。このとき、極性基（例えば水酸基）含有モノマーの共重合率を調節して目的の水酸基価を有する共重合体を得ることが好ましく、用いられるモノマーの種類等にもよるが、例えば極性基含有モノマーの共重合率（極性基含有モノマーのモル数／共重合体を構成する全モノマーのモル数）を０モル%以上６０モル％未満として所望の水酸基価の共重合体を得ることが好ましい。なお、前記共重合体においては本発明の効果を妨げなければその他のモノマーを含む共重合体としてもよい。アルキル（メタ）アクリレート及び極性基含有モノマーの共重合体の分子量は特に限定されず、用いられるモノマーの種類等により適宜定めることができるが、例えば重量平均分子量で２０万〜１５０万とすることが好ましい。 The hydroxyl value of the copolymer of the alkyl (meth) acrylate and the polar group-containing monomer is not particularly limited, but the hydroxyl value is preferably 150 mgKOH / g or less, more preferably 50 mgKOH / g or less. At this time, it is preferable to obtain a copolymer having the desired hydroxyl value by adjusting the copolymerization rate of the polar group (for example, hydroxyl group) -containing monomer. Depending on the type of monomer used, for example, the polar group-containing monomer It is preferable to obtain a copolymer having a desired hydroxyl value with a copolymerization ratio (number of moles of polar group-containing monomer / number of moles of all monomers constituting the copolymer) of 0 mol% or more and less than 60 mol%. The copolymer may contain other monomers as long as the effects of the present invention are not hindered. The molecular weight of the copolymer of the alkyl (meth) acrylate and the polar group-containing monomer is not particularly limited and can be appropriately determined depending on the type of the monomer used. For example, the weight average molecular weight is 200,000 to 1,500,000. preferable.
本発明のウェハ加工用テープの粘着剤層には、さらに硬化剤を含有させることができ、例えば、ポリイソシアネート化合物、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれるものなどが挙げられ、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。硬化剤がアクリル系化合物と反応した結果できる架橋構造により、粘着剤の凝集力を粘着剤塗布後に向上させることができる。 The pressure-sensitive adhesive layer of the tape for wafer processing of the present invention can further contain a curing agent, and examples thereof include those selected from polyisocyanate compounds, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins, alone or Two or more types can be used in combination. Due to the cross-linked structure resulting from the reaction of the curing agent with the acrylic compound, the cohesive force of the adhesive can be improved after application of the adhesive.
ポリイソシアネート化合物としては特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等を重合させたポリイソシアネート化合物を挙げることができ、具体的には、市販品としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）等を用いることができる。 The polyisocyanate compound is not particularly limited. For example, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4- Aromatic isocyanate such as phenoxyphenyl) propane] diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, Examples thereof include polyisocyanate compounds obtained by polymerizing lysine diisocyanate, lysine triisocyanate, and the like. Specifically, Coronate L (Japan It is possible to use a Polyurethane Co., Ltd.), and the like.
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業社製）等を用いることができる。さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学社製）等を用いることができる。本発明においては、中でもポリイソシアネート化合物を用いることが好ましい。
硬化剤の添加量としては、アクリル系化合物の総量１００質量部に対して０．１〜１５質量部とすることが好ましく、１〜１０質量部とすることがより好ましい。その量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、１５質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行して架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれることがある。
Further, as the melamine / formaldehyde resin, specifically, Nicalac MX-45 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), melan (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) and the like can be used as commercial products. Furthermore, as an epoxy resin, TETRAD-X (made by Mitsubishi Chemical Corporation) etc. can be used. In the present invention, it is particularly preferable to use a polyisocyanate compound.
As addition amount of a hardening | curing agent, it is preferable to set it as 0.1-15 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of an acryl-type compound, and it is more preferable to set it as 1-10 mass parts. If the amount is less than 0.1 parts by mass, the effect of improving the cohesive force tends to be insufficient. If the amount exceeds 15 parts by mass, the curing reaction proceeds rapidly during the blending and application of the adhesive to form a crosslinked structure. Therefore, workability may be impaired.
また、アクリル系化合物が光重合性を有する場合には、粘着剤層に光重合開始剤が含まれていることが好ましい。粘着剤層に含まれる光重合開始剤は特に限定されず、通常のものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等が挙げられ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 Moreover, when an acrylic compound has photopolymerizability, it is preferable that the photoinitiator is contained in the adhesive layer. The photoinitiator contained in an adhesive layer is not specifically limited, A normal thing can be used. For example, benzophenones such as benzophenone, 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone and 4,4′-dichlorobenzophenone, acetophenones such as acetophenone and diethoxyacetophenone, 2-ethylanthraquinone, t- Anthraquinones such as butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triallylimidazole dimer (rophine dimer), acridine compounds, etc. These can be used alone or in combination of two or more.
光重合開始剤の添加量としては、アクリル系化合物の総量１００質量部に対して０．１〜１５質量部とすることが好ましく、０．５〜１２質量部とすることがより好ましい。
さらに本発明のウェハ加工用テープの粘着剤層には、必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を含有させることができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。粘着剤層の厚さは５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。粘着剤層の厚さの上限は特に限定されないが、１００μｍ以下とすることが実際的である。
As addition amount of a photoinitiator, it is preferable to set it as 0.1-15 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of an acryl-type compound, and it is more preferable to set it as 0.5-12 mass parts.
Furthermore, the pressure-sensitive adhesive layer of the tape for wafer processing of the present invention can contain a tackifier, a tackifier, a surfactant, or other modifiers as necessary. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 5 μm or more, and more preferably 10 μm or more. Although the upper limit of the thickness of an adhesive layer is not specifically limited, It is practical to set it as 100 micrometers or less.
（中間樹脂層）
前述のように、本発明のウェハ加工用テープについては、基材フィルムと粘着剤層の間に中間樹脂層を設けてもよい。中間樹脂層とは、基材フィルムと粘着剤層の間に設けた樹脂層のことで、粘着成分と硬化成分とを含む混合物を基材フィルム上に塗工した後、硬化させることによって設けられる。また、放射線照射によって硬化する材料を使用してもよい。その場合には、粘着剤の塗工は中間樹脂層が放射線によって硬化された後に塗工することが必要である。
(Intermediate resin layer)
As described above, in the wafer processing tape of the present invention, an intermediate resin layer may be provided between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer. The intermediate resin layer is a resin layer provided between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer, and is provided by applying a mixture containing a pressure-sensitive adhesive component and a curing component on the base film and then curing the mixture. . Moreover, you may use the material hardened | cured by radiation irradiation. In that case, it is necessary to apply the adhesive after the intermediate resin layer is cured by radiation.
粘着成分は、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系、シリコーン系、天然ゴム系などの種々の汎用粘着剤を用いることができるが、本発明においては、特にアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤としては、特に制限なく使用することができ、前記粘着剤層に使用される様なアクリル系化合物や、更にこれに、光重合性を付与したものであってもよい。 As the adhesive component, various general-purpose adhesives such as acrylic, polyester, urethane, silicone, and natural rubber can be used. In the present invention, an acrylic adhesive is particularly preferable. The acrylic pressure-sensitive adhesive can be used without any particular limitation, and may be an acrylic compound used in the pressure-sensitive adhesive layer, or a material further imparted with photopolymerizability.
硬化剤成分としては、前記粘着剤層で用いられるようなものを使用することができ、本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
放射線により中間樹脂層を重合させる場合には、各種光重合性開始剤を用いることができ、必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を含有させることができる。
中間樹脂層の厚さは５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。中間樹脂層の厚さの上限は特に限定されないが、１００μｍ以下とすることが実際的である。なお、中間樹脂層は複数の層が積層された構成であってもよい。このような中間樹脂層を設けることで、基材フィルムと粘着剤層の密着性向上およびダイシング時の切削性が上がる。
As a hardening | curing agent component, what is used by the said adhesive layer can be used, and it is preferable to use polyisocyanate especially in this invention.
When the intermediate resin layer is polymerized by radiation, various photopolymerization initiators can be used, and if necessary, a tackifier, a tackifier, a surfactant, or other modifiers are contained. Can be made.
The thickness of the intermediate resin layer is preferably 5 μm or more, and more preferably 10 μm or more. The upper limit of the thickness of the intermediate resin layer is not particularly limited, but is practically 100 μm or less. The intermediate resin layer may have a structure in which a plurality of layers are stacked. By providing such an intermediate resin layer, the adhesion between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer is improved and the machinability during dicing is improved.
（接着剤層）
本発明のウェハ加工用テープの好ましい態様としては、例えば、図１に示したように粘着剤層１３の基材フィルム１４とは反対側に接着剤層１２を積層したウェハ加工用テープ１５とし、ウェハ１１を接着剤層１２に貼合位置Ａで貼合してダイシングを行う態様（態様Ｉ）のほか、図２に示したように接着剤層２２をテープ内に有さず基材フィルム２４に粘着剤層２３を設けたウェハ加工用テープ２５とし、ウェハ２１に接着剤層２２をあらかじめ貼合した接着剤層付ウェハ２６を貼合位置Ｂで貼り合わせてダイシングを行う態様（態様ＩＩ）が挙げられる。したがって、例えば、（態様Ｉ）のウェハ加工用テープにおいては、ウェハ等を固定しダイシングするために使用されるダイシングダイボンドテープとして用いることができ、（態様ＩＩ）のウェハ加工用テープにおいては、ダイシング後にリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用される接着剤付き半導体ウェハのダイシングテープとして用いることができる（但し、粘着剤層に直接ウェハを貼合して用いることを妨げるものではない。）。
(Adhesive layer)
As a preferred embodiment of the wafer processing tape of the present invention, for example, as shown in FIG. 1, a
なお、ここで接着剤層は半導体ウェハ等が貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に粘着剤層と剥離した後もチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層は、特に限定されるものではないが、ダイシングダイボンドテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤（ダイボンドフィルム）であればよく、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。 Here, after the semiconductor wafer or the like is bonded and diced, the adhesive layer is adhered to the chip even after peeling off the adhesive layer when picking up the chip, and the chip is fixed to the substrate or the lead frame. It is used as an adhesive. The adhesive layer is not particularly limited, but may be a film adhesive (die bond film) generally used for dicing die bond tapes, and is an acrylic adhesive, epoxy resin / phenol resin / An acrylic resin blend adhesive is preferred. The thickness may be appropriately set, but is preferably about 5 to 100 μm.
接着剤層としては予め接着剤層がフィルム化されたもの（ダイボンドフィルム）を用いることができる。接着剤層を粘着剤層に積層したウェハ加工用テープ（態様Ｉ）においては、例えば粘着剤層を基材フィルム上に設けたテープの粘着剤層面に、ダイボンドフィルムをラミネートして形成してもよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．１〜１００ｋｇｆ／ｃｍの線圧をかけることが好ましい。なお、ダイボンドフィルムはセパレータ上に形成されたものを用い、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままダイシングダイボンドテープのカバーフィルムとして使用し、ウェハ等を貼合する際に剥離してもよい。 As the adhesive layer, a film (die bond film) in which the adhesive layer is formed in advance can be used. In the tape for wafer processing (Aspect I) in which the adhesive layer is laminated on the adhesive layer, for example, the adhesive layer may be formed by laminating the die bond film on the adhesive layer surface of the tape provided on the base film. Good. It is preferable to apply a linear pressure of 0.1 to 100 kgf / cm at a laminating temperature of 10 to 100 ° C. In addition, the die bond film may be formed on a separator, and the separator may be peeled off after lamination, or it may be used as it is as a cover film for a dicing die bond tape and peeled when a wafer is bonded. Good.
また、ダイボンドフィルムは粘着剤層の全面に積層してもよいが、予め貼合されるウェハ形状に応じた形状に切断（プリカット）されたダイボンドフィルムを積層してもよい。ウェハに応じたダイボンドフィルムを積層した場合、本発明のウェハ加工用テープの使用時において、ウェハが貼合される部分には接着剤層が有り、ダイシング用のリングフレームが貼合される部分には接着剤層がなく粘着剤層に貼合される。一般に接着剤層は被着体と剥離しにくいため、リングフレーム等に糊残りを生じやすい。したがって、プリカットされたダイボンドフィルムを使用することで、リングフレームは粘着剤層に貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくくする点で好ましい。 Moreover, although a die-bonding film may be laminated | stacked on the whole surface of an adhesive layer, you may laminate | stack the die-bonding film cut | disconnected (pre-cut) in the shape according to the wafer shape bonded beforehand. When the die bond film according to the wafer is laminated, when using the wafer processing tape of the present invention, the portion where the wafer is bonded has an adhesive layer, and the portion where the dicing ring frame is bonded Is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer without an adhesive layer. In general, since the adhesive layer is difficult to peel off from the adherend, adhesive residue is likely to occur on the ring frame or the like. Therefore, the ring frame can be bonded to the pressure-sensitive adhesive layer by using a pre-cut die bond film, which is preferable in that the adhesive residue on the ring frame is less likely to occur when the tape is peeled after use.
本発明のウェハ加工用テープにおいては、上述のとおり、接着剤層をあらかじめ備えたもの（態様Ｉ）、あるいは、接着剤層をテープ内には備えず別途接着剤層付きウェハを貼合するもの（態様ＩＩ）が挙げられる。いずれの場合においても粘着剤層は、ウェハをダイシングする際にはウェハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に粘着剤層と接着剤層とが剥離できるよう低い粘着力であることが好ましい。したがって粘着剤層の粘着力をダイシングの前後で変化させることが好ましく、その方法は特に限定されないが、例えばダイシング後に紫外線を照射して粘着力を低下させることが好ましい。紫外線照射前後の粘着力は特に限定されないが、剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおいて、予め接着剤層を貼合したウェハの接着剤層面に対して、例えば紫外線照射前では粘着力を１〜５Ｎ／２５ｍｍとすることが好ましく、紫外線照射後において粘着力を０〜１．５Ｎ／２５ｍｍとすることが好ましい。 In the tape for wafer processing of the present invention, as described above, the tape provided with the adhesive layer in advance (Aspect I), or the wafer with the adhesive layer separately bonded without providing the adhesive layer in the tape (Aspect II). In any case, the pressure-sensitive adhesive layer has sufficient adhesive strength so that the wafer does not peel when dicing the wafer, and when the chip is picked up after dicing, the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer are easily It is preferable that the adhesive strength is low so that can be peeled off. Therefore, it is preferable to change the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer before and after dicing, and the method is not particularly limited. For example, it is preferable to reduce the adhesive strength by irradiating ultraviolet rays after dicing. The adhesive strength before and after UV irradiation is not particularly limited. However, at a peeling angle of 90 ° and a peeling speed of 50 mm / min, for example, the adhesive strength is 1 before UV irradiation with respect to the adhesive layer surface of the wafer to which the adhesive layer has been bonded in advance. It is preferable to set it to -5N / 25mm, and it is preferable to set adhesive force to 0-1.5N / 25mm after ultraviolet irradiation.
次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 EXAMPLES Next, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited by these.
（粘着剤層組成物Ａ）
ｎ−ブチルアクリレート５０ｍｏｌ％、２−エチルヘキシルアクリレート４０ｍｏｌ％、メチルメタクリレート４ｍｏｌ％、メタクリル酸１ｍｏｌ％、及び２−ヒドロキシエチルアクリレート５ｍｏｌ％を共重合させたアクリル系共重合体に、２−イソシアネートエチルメタクリレートを付加反応させて紫外線硬化性アクリル系共重合体を得た。このとき、前記２−ヒドロキシエチルアクリレートの重合量を、得られる紫外線硬化性アクリル系共重合体の水酸基価が５ｍｇＫＯＨ／ｇとなるようにした。この紫外線硬化性アクリル系共重合体を１００質量部、硬化剤として日本ポリウレタン社製コロネートＬを３質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製イルガキュア１８４を２質量部、溶剤として酢酸エチル５０質量部を用いて混合し、粘着剤組成物を得た。
(Adhesive layer composition A)
To an acrylic copolymer obtained by copolymerizing 50 mol% of n-butyl acrylate, 40 mol% of 2-ethylhexyl acrylate, 4 mol% of methyl methacrylate, 1 mol% of methacrylic acid, and 5 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, 2-isocyanate ethyl methacrylate was added. By addition reaction, an ultraviolet curable acrylic copolymer was obtained. At this time, the polymerization amount of the 2-hydroxyethyl acrylate was adjusted such that the obtained ultraviolet curable acrylic copolymer had a hydroxyl value of 5 mgKOH / g. 100 parts by weight of this UV curable acrylic copolymer, 3 parts by weight of Coronate L from Nippon Polyurethane as a curing agent, 2 parts by weight of Irgacure 184 from Ciba Geigy Corporation as a photopolymerization initiator, and 50 parts by weight of ethyl acetate as a solvent The mixture was used to obtain an adhesive composition.
（粘着剤層組成物Ｂ）
ｎ−ブチルアクリレート５０ｍｏｌ％、２−エチルヘキシルアクリレート２０ｍｏｌ％、メチルメタクリレート９ｍｏｌ％、メタクリル酸１ｍｏｌ％、及び２−ヒドロキシエチルアクリレート２０ｍｏｌ％を共重合させたアクリル系共重合体に、２−イソシアネートエチルメタクリレートを付加反応させて紫外線硬化性アクリル系共重合体を得た。このとき、前記２−ヒドロキシエチルアクリレートの重合量を、得られる紫外線硬化性アクリル系共重合体の水酸基価が３０ｍｇＫＯＨ／ｇとなるようにした。この紫外線硬化性アクリル系共重合体を１００質量部、硬化剤として日本ポリウレタン社製コロネートＬを３質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製イルガキュア１８４を２質量部、溶剤として酢酸エチル５０質量部を用いて混合し、粘着剤層組成物を得た。
(Adhesive layer composition B)
To an acrylic copolymer obtained by copolymerizing 50 mol% of n-butyl acrylate, 20 mol% of 2-ethylhexyl acrylate, 9 mol% of methyl methacrylate, 1 mol% of methacrylic acid, and 20 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, 2-isocyanate ethyl methacrylate was added. By addition reaction, an ultraviolet curable acrylic copolymer was obtained. At this time, the polymerization amount of the 2-hydroxyethyl acrylate was adjusted such that the obtained ultraviolet curable acrylic copolymer had a hydroxyl value of 30 mgKOH / g. 100 parts by weight of this UV curable acrylic copolymer, 3 parts by weight of Coronate L from Nippon Polyurethane as a curing agent, 2 parts by weight of Irgacure 184 from Ciba Geigy Corporation as a photopolymerization initiator, and 50 parts by weight of ethyl acetate as a solvent The mixture was used to obtain an adhesive layer composition.
（粘着剤層組成物Ｃ）
ｎ−ブチルアクリレート５０ｍｏｌ％、２−エチルヘキシルアクリレート４０ｍｏｌ％、メチルメタクリレート４ｍｏｌ％、メタクリル酸１ｍｏｌ％、及び２−ヒドロキシプロピルアクリレート５ｍｏｌ％を共重合させたアクリル系共重合体に、２−イソシアネートエチルメタクリレートを付加反応させて紫外線硬化性アクリル系共重合体を得た。このとき、前記２−ヒドロキシエチルアクリレートの重合量を、得られる紫外線硬化性アクリル系共重合体の水酸基価が５ｍｇＫＯＨ／ｇとなるようにした。この紫外線硬化性アクリル系共重合体を１００質量部、硬化剤として日本ポリウレタン社製コロネートＬを３質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製イルガキュア１８４を２質量部、溶剤として酢酸エチル５０質量部を用いて混合し、粘着剤組成物を得た。
(Adhesive layer composition C)
2-isocyanate ethyl methacrylate was added to an acrylic copolymer obtained by copolymerizing 50 mol% of n-butyl acrylate, 40 mol% of 2-ethylhexyl acrylate, 4 mol% of methyl methacrylate, 1 mol% of methacrylic acid, and 5 mol% of 2-hydroxypropyl acrylate. By addition reaction, an ultraviolet curable acrylic copolymer was obtained. At this time, the polymerization amount of the 2-hydroxyethyl acrylate was adjusted such that the obtained ultraviolet curable acrylic copolymer had a hydroxyl value of 5 mgKOH / g. 100 parts by weight of this UV curable acrylic copolymer, 3 parts by weight of Coronate L from Nippon Polyurethane as a curing agent, 2 parts by weight of Irgacure 184 from Ciba Geigy Corporation as a photopolymerization initiator, and 50 parts by weight of ethyl acetate as a solvent The mixture was used to obtain an adhesive composition.
（中間樹脂層組成物Ｄ）
アクリル系樹脂（平均質量分子量：５５万、ガラス転移温度：−１８℃）１００質量部、硬化剤として日本ポリウレタン社製コロネートＬを５質量部、溶剤として酢酸エチル５０質量部を用いて混合し、中間樹脂層組成物を得た。
(Intermediate resin layer composition D)
100 parts by mass of acrylic resin (average mass molecular weight: 550,000, glass transition temperature: −18 ° C.), 5 parts by mass of Coronate L manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd. as a curing agent, and 50 parts by mass of ethyl acetate as a solvent, An intermediate resin layer composition was obtained.
（粘着剤層組成物Ｅ）
ｎ−ブチルアクリレート３９ｍｏｌ％、メタクリル酸１ｍｏｌ％、及び２−ヒドロキシエチルアクリレート６０ｍｏｌ％を共重合させたアクリル共重合体に、２−イソシアネートエチルメタクリレートを付加反応させて紫外線硬化性アクリル系共重合体を得た。このとき、前記２−ヒドロキシエチルアクリレートの重合量を、得られる紫外線硬化性アクリル系共重合体の水酸基価が１２０ｍｇＫＯＨ／ｇとなるようにした。この紫外線硬化性アクリル系共重合体を１００質量部、硬化剤として日本ポリウレタン社製コロネートＬを３質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製イルガキュア１８４を２質量部、溶剤として酢酸エチル５０質量部を用いて混合し、粘着剤層組成物を得た。
(Adhesive layer composition E)
An ultraviolet curable acrylic copolymer was prepared by adding 2-isocyanatoethyl methacrylate to an acrylic copolymer obtained by copolymerizing 39 mol% of n-butyl acrylate, 1 mol% of methacrylic acid, and 60 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate. Obtained. At this time, the polymerization amount of the 2-hydroxyethyl acrylate was adjusted such that the obtained ultraviolet curable acrylic copolymer had a hydroxyl value of 120 mgKOH / g. 100 parts by weight of this UV curable acrylic copolymer, 3 parts by weight of Coronate L from Nippon Polyurethane as a curing agent, 2 parts by weight of Irgacure 184 from Ciba Geigy Corporation as a photopolymerization initiator, and 50 parts by weight of ethyl acetate as a solvent The mixture was used to obtain an adhesive layer composition.
（ダイシングテープの作製）
［実施例１〜４、８及び比較例１、２］
厚さ１００μｍの基材フィルム（エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム）に、それぞれ表１に示した粘着剤層組成物を乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗工してウェハ加工用テープ（ダイシングテープ）を作製した。
［実施例５、６、７及び比較例３、４］
中間樹脂層組成物Ｄを乾燥膜厚が１０μｍとなるように基材フィルム（厚さ１００μｍ、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム）に塗工し、さらに中間樹脂層の上に、それぞれ表１に示した粘着剤層組成物を乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗工してウェハ加工用テープ（ダイシングテープ）を作製した。
(Production of dicing tape)
[Examples 1 to 4, 8 and Comparative Examples 1 and 2]
Tape for wafer processing (dicing) by coating the adhesive layer composition shown in Table 1 on a substrate film (ethylene-vinyl acetate copolymer film) having a thickness of 100 μm to a dry film thickness of 10 μm. Tape).
[Examples 5, 6, 7 and Comparative Examples 3, 4]
The intermediate resin layer composition D was applied to a base film (thickness 100 μm, ethylene-vinyl acetate copolymer film) so that the dry film thickness was 10 μm. The indicated pressure-sensitive adhesive layer composition was applied to a dry film thickness of 10 μm to produce a wafer processing tape (dicing tape).
（ダイシングダイボンドテープの作製）
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）５０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
(Production of dicing die bond tape)
50 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 197, molecular weight 1200, softening point 70 ° C.) as an epoxy resin, 1.5 parts by mass of γ-mercaptopropyltrimethoxysilane as a silane coupling agent, γ-ureidopropyltriethoxysilane Cyclohexanone was added to a composition consisting of 3 parts by mass and 30 parts by mass of silica filler having an average particle size of 16 nm, and the mixture was stirred and mixed, and further kneaded for 90 minutes using a bead mill.
これにアクリル樹脂（質量平均分子量：８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ（四国化成社製、商品名：２−フェニルイミダゾール）２．５質量部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、ダイボンドフィルム組成物を得た。 To this, 100 parts by mass of acrylic resin (mass average molecular weight: 800,000, glass transition temperature -17 ° C), 5 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate as a hexafunctional acrylate monomer, 0.5 mass of adduct of hexamethylene diisocyanate as a curing agent Part, Curesol 2PZ (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., trade name: 2-phenylimidazole) 2.5 parts by mass, stirred and mixed, vacuum degassed to obtain a die bond film composition.
ダイボンドフィルム組成物を厚さ２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が４０μｍの塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えたダイボンドフィルムを作製した。 A die-bonding film composition having a carrier film is formed by coating a die-bonding film composition on a 25-μm-thick polyethylene terephthalate film subjected to a release treatment and heating and drying at 110 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 40 μm. Produced.
実施例１、２、５、７、８及び比較例１、３については、ダイシングテープの粘着剤層上にダイボンドフィルムを貼合して、接着剤層を有するウェハ加工用テープ（ダイシングダイボンドテープ）とした。 For Examples 1, 2, 5, 7, and 8 and Comparative Examples 1 and 3, a wafer processing tape (dicing die bond tape) having an adhesive layer bonded to a die bond film on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape. It was.
（試験例１）
（ウェハの貼合）
実施例１、２、５、７、８及び比較例１、３のウェハ加工用テープ（ダイシングダイボンドテープ）については既に接着剤層（ダイボンドフィルム）が貼合されているので、そこにウェハを貼合した。このとき上述のようにダイシングテープの粘着剤層上にダイボンドフィルムを室温で貼り合わせた後（ダイシングダイボンドテープにした後）、これをシリコンウェハ（厚さ１００μｍ）に加熱貼合（７０℃×１０秒）した（以下、これを貼合方法（ｉ）という。）。
実施例３、４、６及び比較例２、４のウェハ加工用テープ（ダイシングテープ）については、ウェハに先にダイボンドフィルムのみを貼った後、ダイシングテープと貼合した。このときシリコンウェハ（厚さ１００μｍ）にダイボンドフィルムのみを加熱貼合（７０℃×１０秒）した後、ダイシングテープを室温で貼り合わせた（以下、これを貼合方法（ｉｉ）という。）。
(Test Example 1)
(Wafer bonding)
Since the adhesive layer (die-bonding film) is already bonded to the wafer processing tapes (dicing die-bonding tape) of Examples 1, 2, 5, 7, 8 and Comparative Examples 1 and 3, the wafer is pasted there. Combined. At this time, after bonding the die bond film on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape as described above at room temperature (after making it into a dicing die bond tape), this was heated and bonded to a silicon wafer (thickness 100 μm) (70 ° C. × 10 (Hereafter, this is called bonding method (i).).
About Example 3, 4, 6 and the tape for wafer processing (dicing tape) of the comparative examples 2 and 4, after pasting only the die-bonding film on the wafer first, it bonded with the dicing tape. At this time, only a die bond film was bonded by heating (70 ° C. × 10 seconds) to a silicon wafer (thickness: 100 μm), and then a dicing tape was bonded at room temperature (hereinafter referred to as bonding method (ii)).
（ＡＴＲ法を用いたＦＴ−ＩＲ測定）
実施例、比較例で得た各ウェハ加工用テープについて、接着剤層と接する側の粘着剤層表面のＦＴ−ＩＲ測定を行った。このとき、Ｎｉｃｏｌｅｔ社製、ＮＥＸＵＳ４７０を使用し、そのＡＴＲ法モードを用いて測定を行った。得られた赤外吸収スペクトルにおいて、粘着剤層表面におけるＯＨ伸縮振動由来のピーク（３５０６ｃｍ−１）とエステル基のＣ＝Ｏ伸縮振動由来のピーク（１７２８ｃｍ−１）の吸収強度比（［水酸基］／［エステル基］）を求めた。粘着剤層と接着剤層が貼合わせてあるダイシングダイボンドテープに関しては接着剤層を剥がした後の粘着剤層表面を測定した。それぞれ、使用セル：ＺｎＳｅプリズム、スキャン回数：１００回、入射角：４５度、ベースライン：４０００ｃｍ−１と２０００ｃｍ−１を結ぶ直線とした（尚、測定波長の進入深さｄは、先に述べたとおり通常のアクリル系粘着剤等においては試料間で同等であると近似することができ、必要なときには吸収強度を補正して同等の深さとなるようにした。）。
(FT-IR measurement using ATR method)
About each wafer processing tape obtained by the Example and the comparative example, the FT-IR measurement of the adhesive layer surface of the side which contact | connects an adhesive bond layer was performed. At this time, Nexus 470 manufactured by Nicolet was used, and measurement was performed using the ATR method mode. In the obtained infrared absorption spectrum, the absorption intensity ratio ([hydroxyl group]) of the peak derived from OH stretching vibration (3506 cm −1 ) and the peak derived from ester group C═O stretching vibration (1728 cm −1 ) on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. / [Ester group]). Regarding the dicing die-bonding tape in which the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer were bonded, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer after the adhesive layer was peeled off was measured. Each cells used: ZnSe prism, number of scans: 100 times, incident angle: 45 degrees, Baseline: 4000 cm was a line drawn from -1 and 2000 cm -1 (Note that penetration depth d of the measurement wavelength, mentioned earlier As can be seen, it can be approximated that the normal acrylic pressure-sensitive adhesive is equivalent between samples, and when necessary, the absorption intensity is corrected so that the depth is equivalent.)
（ピックアップ試験）
前記貼合方法（ｉ）及び貼合方法（ｉｉ）に従って作製したテープ付きシリコンウェハを、５ｍｍ×５ｍｍにダイシングした後、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）により２００ｍＪ／ｃｍ２照射し、シリコンウェハ中央部のチップ５０個についてダイボンダー装置（旧ＮＥＣマシナリー社製、ＣＰＳ−１００ＦＭ）によるピックアップ試験を行い、ピックアップ成功率を求めた。その際、ピックアップされた素子に粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。
(Pickup test)
A silicon wafer with a tape prepared according to the bonding method (i) and the bonding method (ii) is diced to 5 mm × 5 mm, and then ultraviolet light is applied to the adhesive layer with an air-cooled high-pressure mercury lamp (80 W / cm, irradiation distance 10 cm). Was irradiated with 200 mJ / cm 2 , and a pick-up test was performed on a die bonder device (formerly manufactured by NEC Machinery Co., Ltd., CPS-100FM) for 50 chips in the center of the silicon wafer to obtain a pick-up success rate. At that time, the pick-up success rate was calculated by assuming that the picked-up element had the adhesive layer peeled off from the adhesive layer and that the pick-up was successful.
それぞれの実施例、比較例におけるＦＴ−ＩＲ測定とピックアップ試験の結果を表１にまとめた。 The results of the FT-IR measurement and the pickup test in each example and comparative example are summarized in Table 1.
ＩＲ吸収強度比が０．０２より大きい値である比較例１〜４のテープを使用した場合には、接着剤層からの剥離力が不十分でピックアップミスを起こした。 When the tapes of Comparative Examples 1 to 4 having an IR absorption intensity ratio greater than 0.02 were used, pick-up errors occurred due to insufficient peel force from the adhesive layer.
ＩＲ吸収強度比が０．０２以下である実施例２、４、７、８については、ピンハイト０．５ｍｍにおいてピックアップ成功率が１００％であり、ピックアップ性が良好であった。ＩＲ吸収強度比が０．０１５以下である実施例１、３については、ピンハイト０．５ｍｍと０．３ｍｍにおいてピックアップ成功率が１００％であり、ピックアップ性が更に良好であった。また、中間樹脂層を設けた実施例５、６、７については、ピンハイト０．５ｍｍと０．３ｍｍ、０．１ｍｍにおいてピックアップ成功率が１００％であり、ピックアップ性が極めて良好であった。 In Examples 2, 4, 7, and 8 having an IR absorption intensity ratio of 0.02 or less, the pickup success rate was 100% at a pin height of 0.5 mm, and the pickup property was good. In Examples 1 and 3 having an IR absorption intensity ratio of 0.015 or less, the pick-up success rate was 100% at pin heights of 0.5 mm and 0.3 mm, and the pick-up property was even better. In Examples 5, 6, and 7 provided with an intermediate resin layer, the pick-up success rate was 100% at pin heights of 0.5 mm, 0.3 mm, and 0.1 mm, and the pick-up property was extremely good.
また、実施例で得られたテープのピックアップ試験により得られた良好なＩＣチップを、ダイボンダーを用いてリードフレーム上にダイマウントした後、１７０℃、２時間の条件で加熱を行いリードフレームとＩＣチップとを強固に接着できることを確認した。 In addition, after a good IC chip obtained by the tape pickup test obtained in the example was die mounted on a lead frame using a die bonder, the lead frame and the IC were heated by heating at 170 ° C. for 2 hours. It was confirmed that the chip can be firmly bonded.
（試験例２）
従来用いられている、エチルアクリレート５０ｍｏｌ％、２-エチルヘキチルアクリレート９ｍｏｌ％、メチルメタクリレート１ｍｏｌ％、及び２−ヒドロキシエチルアクリレート４０ｍｏｌ％を共重合させたアクリル系共重合体：１００質量部、トリメチロールプロパントリアクリレート：５０質量部、トリレンジイソシアネート：２質量部、ベンゾフェノン：３質量部を含有する粘着剤組成物用いた以外、実施例２と同様にしてウェハ加工用テープ（ダイシングテープ）を作製した。得られたテープについて、貼合方法（ｉｉ）と同様にしてウェハに接着剤層のみを貼合した接着剤層付きウェハの接着剤層に対する粘着力を測定した（剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎ）。
(Test Example 2)
Conventionally used acrylic copolymer obtained by copolymerizing 50 mol% of ethyl acrylate, 9 mol% of 2-ethylhexyl acrylate, 1 mol% of methyl methacrylate, and 40 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate: 100 parts by mass, trimethylol A wafer processing tape (dicing tape) was produced in the same manner as in Example 2 except that the pressure-sensitive adhesive composition containing propane triacrylate: 50 parts by mass, tolylene diisocyanate: 2 parts by mass, and benzophenone: 3 parts by mass was used. . About the obtained tape, the adhesive force with respect to the adhesive layer of the wafer with an adhesive layer in which only the adhesive layer was bonded to the wafer was measured in the same manner as in the bonding method (ii) (peeling angle 90 °, peeling speed 50 mm). / Min).
粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）により２００ｍＪ／ｃｍ２照射し、紫外線照射前後の粘着力を測定した。紫外線照射前の粘着力は約２Ｎ／２５ｍｍであり、紫外線照射後は約４Ｎ／２５ｍｍであった。 The pressure-sensitive adhesive layer was irradiated with ultraviolet rays of 200 mJ / cm 2 by an air-cooled high-pressure mercury lamp (80 W / cm, irradiation distance 10 cm), and the adhesive strength before and after the ultraviolet irradiation was measured. The adhesive strength before UV irradiation was about 2 N / 25 mm, and after UV irradiation was about 4 N / 25 mm.
これとは別に実施例２で得たウェハ加工用テープ（ダイシングテープ）について、上記と同様にして紫外線照射及び粘着力の測定を行った。実施例２のものは、紫外線照射前の粘着力が約１．５Ｎ／２５ｍｍであり、紫外線照射後は約０．２Ｎ／２５ｍｍであった。 Separately from this, the wafer processing tape (dicing tape) obtained in Example 2 was measured for ultraviolet irradiation and adhesive strength in the same manner as described above. In Example 2, the adhesive strength before UV irradiation was about 1.5 N / 25 mm, and after UV irradiation was about 0.2 N / 25 mm.
上記試験例２の結果から分かるとおり、従来の粘着剤組成物を用いたテープでは紫外線照射によって粘着力が増加してしまいピックアップに適さない。これに対し、本発明のウェハ加工用テープは紫外線照射により粘着力が大幅に低下し、ダイシングされたチップについて良好なピックアップが可能となることが分かる。 As can be seen from the results of Test Example 2, the tape using the conventional pressure-sensitive adhesive composition is not suitable for pick-up because the adhesive strength increases due to ultraviolet irradiation. On the other hand, it can be seen that the wafer processing tape of the present invention has a significantly reduced adhesive force when irradiated with ultraviolet rays, and that a good pick-up is possible for the diced chips.
１１、２１ ウェハ
１２、２２ 接着剤層（ボンディングフィルム）
１３、２３ 粘着剤層
１４、２４ 基材フィルム
１５ ダイシングダイボンドテープ（接着剤層を有するウェハ加工用テープ）
２５ ダイシングテープ（接着剤層付ウェハを加工するウェハ加工用テープ）
２６ 接着剤層付ウェハ
Ａ ウェハの貼合を示す矢印
Ｂ 接着剤付ウェハの貼合を示す矢印
11, 21
13, 23
25 Dicing tape (wafer processing tape for processing wafer with adhesive layer)
26 Wafer A with Adhesive Layer Arrow B showing the bonding of the wafer B Arrow showing the bonding of the wafer with the adhesive
Claims (4)
前記粘着剤層にアルキル（メタ）アクリレートと極性基含有モノマーとの共重合体を含有させ、
前記接着剤層と接する側の粘着剤層表面について、ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ法により求めた１７１０ｃｍ−１〜１７４０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値に対する３４８０ｃｍ−１〜３５６０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値のＩＲ吸収強度比を０．０２以下としたことを特徴とするウェハ加工方法。 (A) A step of laminating and arranging an adhesive layer and a base film having a pressure-sensitive adhesive layer on the surface in order by bonding at least the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer surface on one side of the wafer; A wafer processing method having a step of dicing the wafer along a desired chip shape, and (c) a step of peeling the chip with the adhesive layer from the adhesive layer,
The pressure-sensitive adhesive layer contains a copolymer of an alkyl (meth) acrylate and a polar group-containing monomer,
For the pressure-sensitive adhesive layer surface of the side in contact with the adhesive layer, absorption in the range of 3480cm -1 ~3560cm -1 for absorption maximum in the range of 1710cm -1 ~1740cm -1 determined by ATR method FT-IR A wafer processing method characterized in that the maximum IR absorption intensity ratio is 0.02 or less.
前記粘着剤層にアルキル（メタ）アクリレートと極性基含有モノマーとの共重合体を含有させ、
接着剤層と接する側の粘着剤層表面について、ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ法により求めた１７１０ｃｍ−１〜１７４０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値に対する３４８０ｃｍ−１〜３５６０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値のＩＲ吸収強度比を０．０２以下としたことを特徴とするウェハ加工用テープ。 A tape for wafer processing in which an adhesive layer is provided indirectly or directly on a base film, and an adhesive layer is provided on the opposite side of the adhesive layer from the base film;
The pressure-sensitive adhesive layer contains a copolymer of an alkyl (meth) acrylate and a polar group-containing monomer,
For the pressure-sensitive adhesive layer surface of the side contacting the adhesive layer, the absorption maximum in the range of 3480cm -1 ~3560cm -1 for absorption maximum in the range of 1710cm -1 ~1740cm -1 determined by ATR method FT-IR A wafer processing tape characterized by having an IR absorption intensity ratio of 0.02 or less.
前記粘着剤層にアルキル（メタ）アクリレートと極性基含有モノマーとの共重合体を含有させ、
基材フィルムとは反対側の粘着剤層表面について、ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ法により求めた１７１０ｃｍ−１〜１７４０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値に対する３４８０ｃｍ−１〜３５６０ｃｍ−１の範囲内における吸収極大値のＩＲ吸収強度比を０．０２以下としたことを特徴とするウェハ加工用テープ。 A wafer processing tape for processing a wafer with an adhesive layer, in which an adhesive layer is indirectly or directly provided on a base film,
The pressure-sensitive adhesive layer contains a copolymer of an alkyl (meth) acrylate and a polar group-containing monomer,
The opposite side of the pressure-sensitive adhesive layer surface and the base film, absorption in the range of 3480cm -1 ~3560cm -1 for absorption maximum in the range of 1710cm -1 ~1740cm -1 determined by ATR method FT-IR A wafer processing tape having a maximum IR absorption intensity ratio of 0.02 or less.
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