JP5731080B2 - Adhesive tape and wafer processing tape - Google Patents
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Description
本発明は半導体ウエハをチップ状の素子に分断するダイシング工程において、半導体ウエハを固定するのに利用でき、さらにダイシング後のチップ−チップ間あるいはチップ−基板間を接着するダイボンディング工程やマウント工程においても利用できるとともに、エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いられる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープなどに関する。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for fixing a semiconductor wafer in a dicing process for dividing a semiconductor wafer into chip-like elements, and in a die bonding process or a mounting process for bonding a chip-chip or a chip-substrate after dicing. Further, the present invention relates to an expandable wafer processing tape and the like used when dividing an adhesive layer along a chip by an expand.
ＩＣなどの半導体装置の製造工程では、回路パターン形成後のウエハを薄膜化するためにウエハ裏面を研削するバックグラインド工程、ウエハの裏面に粘着性および伸縮性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後、ウエハをチップ単位に分断するダイシング工程、ウエハ加工用テープを拡張（エキスパンド）するエキスパンド工程、分断されたチップをピックアップするピックアップ工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する（あるいは、スタックドパッケージにおいては、チップ同士を積層、接着する）ダイボンディング（マウント）工程が実施される。 In the manufacturing process of semiconductor devices such as ICs, a back grinding process for grinding the back surface of the wafer to reduce the thickness of the wafer after the circuit pattern is formed, and adhesive and stretchable wafer processing tape is attached to the back surface of the wafer. Then, a dicing process for dividing the wafer into chips, an expanding process for expanding (expanding) the wafer processing tape, a pickup process for picking up the divided chips, and bonding the picked-up chips to a lead frame or a package substrate (Alternatively, in a stacked package, a die bonding (mounting) step is performed in which chips are stacked and bonded together.
上記バックグラインド工程では、ウエハの回路パターン形成面（ウエハ表面）を汚染から保護するために、表面保護テープが使用される。ウエハの裏面研削終了後、この表面保護テープをウエハ表面から剥離する際には、以下に述べるウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングテープ）をウエハ裏面に貼合した後、吸着テーブルにウエハ加工用テープ側を固定し、表面保護テープに、ウエハに対する接着力を低下させる処理を施した後、表面保護テープを剥離する。表面保護テープが剥離されたウエハは、その後、裏面にウエハ加工用テープが貼合された状態で、吸着テーブルから取り上げられ、次のダイシング工程に供される。なお、上記の接着力を低下させる処理とは、表面保護テープが紫外線等のエネルギー線硬化性成分からなる場合は、エネルギー線照射処理であり、表面保護テープが熱硬化性成分からなる場合は、加熱処理である。 In the back grinding process, a surface protection tape is used to protect the circuit pattern forming surface (wafer surface) of the wafer from contamination. When this surface protection tape is peeled off from the wafer surface after the backside grinding of the wafer is completed, the wafer processing tape (dicing / die bonding tape) described below is bonded to the backside of the wafer and then applied to the suction table for wafer processing. The tape side is fixed, the surface protective tape is subjected to a treatment for reducing the adhesive strength to the wafer, and then the surface protective tape is peeled off. The wafer from which the surface protective tape has been peeled is then picked up from the suction table with the wafer processing tape being bonded to the back surface, and is subjected to the next dicing process. In addition, when the surface protection tape is made of an energy ray curable component such as ultraviolet rays, the treatment for reducing the adhesive force is an energy ray irradiation treatment, and when the surface protection tape is made of a thermosetting component, Heat treatment.
上記バックグラインド工程の後のダイシング工程〜マウント工程では、基材フィルム上に、粘着剤層と接着剤層とが、この順に積層されたウエハ加工用テープが使用される。一般に、ウエハを用いる場合は、まず、ウエハの裏面にウエハの接着剤層を貼合してウエハを固定し、ダイシングブレードを用いてウエハおよび接着剤層をチップ単位にダイシングする。その後、テープをウエハの径方向に拡張することによって、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程が実施される。このエキスパンド工程は、その後のピックアップ工程において、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、チップをピックアップする際に、隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。その後、チップは、ピックアップ工程にて接着剤層とともに粘着剤層から剥離してピックアップされ、マウント工程にて、リードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着される。このように、ウエハ加工用テープを用いることで、接着剤層付きのチップをリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着することが可能となるので、接着剤の塗布工程や別途各チップにダイボンディングフィルムを接着する工程を省略することができる。 In the dicing process to the mounting process after the back grinding process, a wafer processing tape in which an adhesive layer and an adhesive layer are laminated in this order on a base film is used. In general, when using a wafer, first, the wafer adhesive layer is bonded to the back surface of the wafer to fix the wafer, and the wafer and the adhesive layer are diced into chips using a dicing blade. Thereafter, an expanding process is performed to expand the distance between the chips by expanding the tape in the radial direction of the wafer. This expanding process is performed in the subsequent pick-up process in order to improve chip recognition by a CCD camera or the like and to prevent chip breakage caused by contact between adjacent chips when picking up a chip. The Thereafter, the chip is peeled off from the adhesive layer together with the adhesive layer in the pickup process and picked up, and directly attached to the lead frame, the package substrate, etc. in the mounting process. In this way, by using wafer processing tape, it is possible to directly bond chips with an adhesive layer to lead frames, package substrates, etc., so the adhesive coating process and die bonding to each chip separately The step of adhering the film can be omitted.
しかしながら、前記ダイシング工程では、上述のように、ダイシングブレードを用いてウエハと接着剤層とを一緒にダイシングするため、ウエハの切削屑だけでなく、接着剤層の切削屑も発生してしまう。そして、接着剤層の切削屑がウエハのダイシング溝に詰まった場合、チップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生し、半導体装置の製造歩留まりが低下してしまうという問題があった。 However, in the dicing step, as described above, since the wafer and the adhesive layer are diced together using the dicing blade, not only the cutting waste of the wafer but also the cutting waste of the adhesive layer is generated. Then, when the cutting waste of the adhesive layer is clogged in the dicing groove of the wafer, there is a problem that chips are stuck to each other to cause a pickup failure and the manufacturing yield of the semiconductor device is lowered.
このような問題を解決するために、ダイシング工程ではブレードによりウエハのみをダイシングし、エキスパンド工程において、ウエハ加工用テープを拡張することにより、接着剤層を個々のチップ毎に分断する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。このような、拡張時の張力を利用した接着剤層の分断方法によれば、接着剤の切削屑が発生せず、ピックアップ工程において悪影響を及ぼすこともない。 In order to solve such problems, a method has been proposed in which only the wafer is diced with a blade in the dicing process, and the wafer processing tape is expanded in the expanding process to divide the adhesive layer into individual chips. (For example, Patent Document 1). According to such a method for dividing the adhesive layer using the tension at the time of expansion, no cutting waste of the adhesive is generated, and there is no adverse effect in the pickup process.
また、近年、ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエハを切断できる、いわゆるステルスダイシング法が提案されている。例えば、特許文献２には、ステルスダイシング法として、接着剤層（ダイボンド樹脂層）を介在させて、シートが貼り付けられた半導体基板の内部に焦点光を合わせ、レーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域を切断予定部とする工程と、シートを拡張させることにより、切断予定部に沿って半導体基板および接着剤層を切断する工程とを備えた半導体基板の切断方法が開示されている。 In recent years, a so-called stealth dicing method that can cut a wafer in a non-contact manner using a laser processing apparatus has been proposed as a wafer cutting method. For example, in Patent Document 2, as a stealth dicing method, an adhesive layer (die bond resin layer) is interposed, a focus light is adjusted inside a semiconductor substrate to which a sheet is attached, and laser light is irradiated. Forming a modified region by multiphoton absorption inside the semiconductor substrate, cutting the modified region into the planned cutting part, and expanding the sheet to cut the semiconductor substrate and the adhesive layer along the planned cutting part A method for cutting a semiconductor substrate comprising the steps of:
また、レーザー加工装置を用いた別のウエハの切断方法として、例えば、特許文献３には、ウエハの裏面にダイボンディング用の接着剤層（接着フィルム）を装着する工程と、該接着剤層が貼合されたウエハの接着剤層側に、伸長可能な保護粘着テープを貼合する工程と、保護粘着テープを貼合したウエハの表面から、ストリートに沿ってレーザー光線を照射し、個々のチップに分割する工程と、保護粘着テープを拡張して接着剤層に引張力を付与し、接着剤層をチップ毎に破断する工程と、破断された接着剤層が貼合されているチップを保護粘着テープから離脱する工程を含むウエハの分割方法が提案されている。 Further, as another wafer cutting method using a laser processing apparatus, for example, Patent Document 3 discloses a process of attaching an adhesive layer (adhesive film) for die bonding to the back surface of a wafer, and the adhesive layer includes The process of pasting a stretchable protective adhesive tape on the adhesive layer side of the bonded wafer, and irradiating laser light along the street from the surface of the wafer to which the protective adhesive tape was bonded to each chip The process of dividing, the process of expanding the protective adhesive tape to give tensile force to the adhesive layer, breaking the adhesive layer for each chip, and protecting the chip to which the broken adhesive layer is bonded A wafer dividing method including a step of separating from a tape has been proposed.
これら特許文献２および特許文献３に記載のウエハの切断方法によれば、レーザー光の照射およびテープの拡張によって、非接触でウエハを切断するので、ウエハへの物理的負荷が小さく、現在主流のブレードダイシングを行う場合のようなウエハの切削屑（チッピング）を発生させることなくウエハの切断が可能である。また、拡張によって接着剤層を分断するので、接着剤層の切削屑を発生させることもない。このため、ブレードダイシングに代わり得る優れた技術として注目されている。 According to the wafer cutting methods described in Patent Document 2 and Patent Document 3, since the wafer is cut in a non-contact manner by laser light irradiation and tape expansion, the physical load on the wafer is small and the current mainstream. The wafer can be cut without generating wafer chipping (chipping) as in blade dicing. Further, since the adhesive layer is divided by the expansion, cutting waste of the adhesive layer is not generated. For this reason, it attracts attention as an excellent technique that can replace blade dicing.
上記特許文献１〜３に記載にされたように、拡張によって接着剤層を分断する方法では、使用されるウエハには、チップに沿って接着剤層を確実に分断するために、基材フィルムの均一かつ等方的な拡張性が粘着剤層を通して、接着剤層に十分に伝わる必要がある。
接着剤層と粘着剤層との界面でずれが生じた場合には、その箇所では接着剤層に十分な引張力が伝搬されず、接着剤層が分断できなくなってしまうからである。As described in Patent Documents 1 to 3, in the method of dividing the adhesive layer by expansion, the substrate film is used to reliably cut the adhesive layer along the chip on the wafer to be used. It is necessary that the uniform and isotropic expandability is sufficiently transmitted to the adhesive layer through the pressure-sensitive adhesive layer.
This is because when a deviation occurs at the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer, sufficient tensile force is not propagated to the adhesive layer at that location, and the adhesive layer cannot be divided.
しかし、一般に、接着剤層と粘着剤層との界面ずれを発生させない設計のウエハ加工用テープとした場合、接着剤層と粘着剤層の剥離強度を増す方法があるが、ピックアップ工程において分割されたチップを剥離できなくなるという問題が生じてしまう。逆に接着剤層と粘着剤層の剥離強度を低くしすぎると、ブレードダイシング工程において、チップ飛びが発生しやすくなるという問題が生じてしまう。 However, in general, there is a method for increasing the peel strength between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer when the wafer processing tape is designed so as not to cause an interface shift between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer. This causes a problem that the chip cannot be peeled off. On the other hand, if the peel strength between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer is too low, there arises a problem that chip fly tends to occur in the blade dicing process.
そこで、本発明は、拡張によって接着剤層を分断する工程に適した均一拡張性とピックアップ性を有し、かつブレードダイシング工程における切削性とピックアップ性にも優れるウエハ加工用テープを提供することを課題とする。 Therefore, the present invention provides a wafer processing tape that has uniform expandability and pick-up property suitable for the process of dividing the adhesive layer by expansion, and is excellent in cutting property and pick-up property in the blade dicing process. Let it be an issue.
本発明の課題は、以下の手段によって達成された。
＜１＞基材フィルムの一方の面に粘着剤層が積層され、前記粘着剤層の前記基材フィルム側の表面から厚さ１μｍの領域の赤外吸収分析による４０００〜６５０ｃｍ−１の赤外スペクトルと、前記粘着剤層の前記基材フィルム側とは反対側の表面から厚さ１μｍの領域の赤外吸収分析による４０００〜６５０ｃｍ−１の赤外スペクトルとを比較した際のヒット率が９５％以下であり、前記基材フィルム側とは反対側の表面から厚さ１μｍの領域の粘着剤層が、分子中に放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも１種選ばれる化合物（Ｂ）とを含有していることを特徴とする粘着テープ。
＜２＞前記粘着剤層の厚さが１．５〜１５μｍであることを特徴とする＜１＞に記載の粘着テープ。
＜３＞前記放射線硬化性炭素−炭素二重結合のヨウ素価が０．５〜３０であることを特徴とする＜１＞または＜２＞に記載の粘着テープ。
＜４＞前記放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物は、分子量が３０万〜２００万であることを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の粘着テープ。
＜５＞ ＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の粘着テープの前記粘着剤層の、少なくともウエハの貼合が予定される部分には接着剤層が積層され、ダイシングフレームへの貼合が予定される部分には前記接着剤層が積層されないことを特徴とするウエハ加工用テープ。
＜６＞ ＜５＞に記載のウエハ加工用テープを使用して半導体装置を製造する方法であって、
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハの分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記ウエハと前記ウエハ加工用テープの前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜７＞ ＜５＞に記載のウエハ加工用テープを使用して半導体装置を製造する方法であって、
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハ表面の分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハをチップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜８＞ ＜５＞に記載のウエハ加工用テープを使用して半導体装置を製造する方法であって、
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工
用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記ウエハを分断ラインに沿って切削し、チップに
分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜９＞ ＜５＞に記載のウエハ加工用テープを使用して半導体装置を製造する方法であっ
て、
（ａ）回路パタ−ンが形成されたウエハを、ダイシングブレードを用いて分断予定ラインに沿って前記ウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記ウエハ裏面を研削してチップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記チップに分断された前記ウエ
ハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記チップに分断された前記ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に
分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜１０＞ ＜５＞に記載のウエハ加工用テープを使用して半導体装置を製造する方法であって、
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハの分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｄ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記ウエハと前記ウエハ加工用テープの前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。The object of the present invention has been achieved by the following means.
<1> An adhesive layer is laminated on one surface of the base film, and infrared of 4000 to 650 cm −1 by infrared absorption analysis of a region of 1 μm thickness from the surface of the adhesive layer on the base film side. The hit rate when the spectrum was compared with an infrared spectrum of 4000 to 650 cm −1 by infrared absorption analysis of a region having a thickness of 1 μm from the surface opposite to the substrate film side of the pressure-sensitive adhesive layer was 95. % Of the pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 1 μm from the surface opposite to the substrate film side, the compound (A) having a radiation-curable carbon-carbon double bond in the molecule, and a polyisocyanate And a compound (B) selected from at least one selected from melamine / formaldehyde resin and epoxy resin.
<2> The pressure-sensitive adhesive tape according to <1>, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of 1.5 to 15 μm.
<3> The pressure-sensitive adhesive tape according to <1> or <2>, wherein the radiation curable carbon-carbon double bond has an iodine value of 0.5 to 30.
<4> The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of <1> to <3>, wherein the compound having a radiation curable carbon-carbon double bond has a molecular weight of 300,000 to 2,000,000.
<5> An adhesive layer is laminated on at least a portion of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape according to any one of <1> to <4> where bonding of a wafer is planned, and bonding to a dicing frame The wafer processing tape is characterized in that the adhesive layer is not laminated on a portion where the film is planned.
<6> A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing tape according to <5>,
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(C) The process of bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(D) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(E) irradiating a laser beam along a dividing line of the wafer to form a modified region by multiphoton absorption inside the wafer;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the wafer and the adhesive layer of the wafer processing tape along a cutting line to obtain a plurality of chips with the adhesive layer Process,
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape, and a method of manufacturing a semiconductor device.
<7> A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing tape according to <5>,
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(C) The process of bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(D) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(E) irradiating a laser beam along a cutting line on the wafer surface, and cutting the wafer into chips;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the adhesive layer for each chip and to obtain a plurality of chips with the adhesive layer;
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
<8> A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing tape according to <5>,
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(C) The process of bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(D) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(E) cutting the wafer along a cutting line using a dicing blade and cutting the wafer into chips;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the adhesive layer for each chip and to obtain a plurality of chips with the adhesive layer;
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
<9> A method for producing a semiconductor device using the wafer processing tape according to <5>,
(A) cutting the wafer on which the circuit pattern is formed to a depth less than the thickness of the wafer along a line to be cut using a dicing blade;
(B) bonding a surface protective tape to the wafer surface;
(C) a back grinding process for grinding the wafer back surface and dividing it into chips;
(D) bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer divided into the chips while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(E) peeling the surface protection tape from the wafer surface divided into the chips;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the adhesive layer for each chip and to obtain a plurality of chips with the adhesive layer;
(G) in the expanded wafer processing tape, removing the slack generated in the expanding step by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, and maintaining the interval between the chips;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
<10> A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing tape according to <5>,
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) irradiating a laser beam along a dividing line of the wafer, and forming a modified region by multiphoton absorption inside the wafer;
(C) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(D) a step of bonding an adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(E) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the wafer and the adhesive layer of the wafer processing tape along a cutting line to obtain a plurality of chips with the adhesive layer Process,
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
本発明により、拡張によって接着剤層を分断する工程に適した均一拡張性とピックアップ性を有し、かつブレードダイシング工程における切削性とピックアップ性にも優れるウエハ加工用テープを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a wafer processing tape having uniform expandability and pick-up property suitable for a process of dividing an adhesive layer by expansion, and having excellent cutting performance and pick-up performance in a blade dicing process.
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープ１０を示す断面図である。本発明のウエハ加工用テープ１０は、エキスパンドによりウエハをチップに分断する際に、接着剤層１３がチップに沿って分断されるものである。このウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有し、接着剤層１３上にウエハの裏面が貼合されるものである。なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。さらに、本発明のウエハ加工用テープ１０は、ウエハ１枚分ごとに切断された形態であってもよいし、ウエハ１枚分ごとに切断されたものが複数形成された長尺のシートを、ロール状に巻き取った形態であってもよい。以下に、各層の構成について説明する。また、基材フィルム１１と粘着剤層１２が積層したものを粘着テープ１５とする。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a wafer processing tape 10 according to an embodiment of the present invention. The wafer processing tape 10 of the present invention is one in which the adhesive layer 13 is divided along the chip when the wafer is divided into chips by expanding. The wafer processing tape 10 includes a base film 11, a pressure-sensitive adhesive layer 12 provided on the base film 11, and an adhesive layer 13 provided on the pressure-sensitive adhesive layer 12. The back surface of the wafer is pasted on 13. Each layer may be cut (precut) into a predetermined shape in advance according to the use process and the apparatus. Further, the wafer processing tape 10 of the present invention may be in a form cut for each wafer, or a long sheet in which a plurality of pieces cut for each wafer are formed, The form wound up in roll shape may be sufficient. Below, the structure of each layer is demonstrated. Also, a laminate of the base film 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12 is referred to as a pressure-sensitive adhesive tape 15.
＜基材フィルム＞
基材フィルム１１は、エキスパンド工程において均一かつ等方的な拡張性を有するものであればよく、その材質についてはとくに限定されない。一般に、架橋樹脂は、非架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きく、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えた際の収縮応力が大きい。したがって、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去でき、これにより、テープを緊張させて個々のチップの間隔を安定に保持することができる。したがって、架橋樹脂、なかでも熱可塑性架橋樹脂が基材フィルムとして好ましく使用される。<Base film>
The base film 11 is not particularly limited as long as it has uniform and isotropic expandability in the expanding process. In general, the cross-linked resin has a greater restoring force against tension than the non-cross-linked resin, and has a large shrinkage stress when heat is applied to the stretched state after the expanding step. Therefore, the slack generated in the tape after the expanding step can be removed by heating and shrinking, whereby the tape can be tensioned and the interval between the individual chips can be stably maintained. Therefore, a crosslinked resin, especially a thermoplastic crosslinked resin, is preferably used as the base film.
このような熱可塑性架橋樹脂としては、例えば、エチレン−（メタ）アクリル酸二元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸を、金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂が、例示される。これらは、均一拡張性の面でエキスパンド工程に適し、かつ架橋によって加熱時に強く復元力が働く点で、特に好適である。上記アイオノマー樹脂に含まれる金属イオンはとくに限定されないが、特に溶出性の低い亜鉛イオンが、低汚染性の面から好ましい。 Examples of such a thermoplastic crosslinked resin include an ionomer resin obtained by crosslinking an ethylene- (meth) acrylic acid binary copolymer or ethylene- (meth) acrylic acid- (meth) acrylic acid with a metal ion. Is done. These are particularly suitable in that they are suitable for the expanding process in terms of uniform expansibility and have a strong restoring force when heated by crosslinking. The metal ion contained in the ionomer resin is not particularly limited, but zinc ion having particularly low elution property is preferable from the viewpoint of low contamination.
このような熱可塑性架橋樹脂としては、基材フィルム１１は、複数層構造であってもよく、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステルを主な重合体構成成分とした３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂からなる。
これらは、均一拡張性の面でエキスパンド工程に適し、かつ架橋によって加熱時に強く復元力が働く点で、特に好適である。上記アイオノマー樹脂に含まれる金属イオンはとくに限定されないが、亜鉛、ナトリウム等が挙げられるが、中でも亜鉛が好ましい。これは、半導体ウエハ上に形成された回路に、アイオノマー樹脂中のナトリウムイオンが移行し、金属不純物汚染や腐食を引き起こす可能性があるからである。前記３元共重合体の（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、アルキル基が長くなるほど樹脂は柔らかくなることから、炭素数が１〜４であることが好ましい。このような（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸プロピル、メタアクリル酸ブチル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル等が挙げられる。As such a thermoplastic crosslinked resin, the base film 11 may have a multi-layer structure, and an ethylene- (meth) acrylic acid binary copolymer or ethylene- (meth) acrylic acid- (meth) acrylic. It consists of an ionomer resin obtained by crosslinking a terpolymer having an acid alkyl ester as a main polymer component with a metal ion.
These are particularly suitable in that they are suitable for the expanding process in terms of uniform expansibility and have a strong restoring force when heated by crosslinking. Although the metal ion contained in the said ionomer resin is not specifically limited, Although zinc, sodium, etc. are mentioned, Zinc is preferable especially. This is because sodium ions in the ionomer resin may migrate to the circuit formed on the semiconductor wafer and cause metal impurity contamination and corrosion. Since the resin becomes softer as the alkyl group becomes longer, the alkyl group of the (meth) acrylic acid alkyl ester of the ternary copolymer preferably has 1 to 4 carbon atoms. Examples of such (meth) acrylic acid alkyl esters include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, and butyl acrylate. Can be mentioned.
また、このような熱可塑性架橋樹脂としては、前記のアイオノマー樹脂の他に比重０．９１０以上〜０．９３０未満の低密度ポリエチレンもしくは比重０．９１０未満の超低密度ポリエチレンに、電子線等のエネルギー線を照射することで架橋させたものも好適である。このような熱可塑性架橋樹脂は、架橋部位と非架橋部位が樹脂中に共存していることから、一定の均一拡張性を有する。また、加熱時に強く復元力が働くことから、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する上でも好適である。低密度ポリエチレンや超低密度ポリエチレンに対して照射するエネルギー線の量を適宜に調製することで、十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。 Moreover, as such a thermoplastic crosslinked resin, in addition to the ionomer resin, a low density polyethylene having a specific gravity of 0.910 to less than 0.930 or an ultra low density polyethylene having a specific gravity of less than 0.910, What was bridge | crosslinked by irradiating an energy ray is also suitable. Such a thermoplastic cross-linked resin has a certain uniform expansibility since a cross-linked site and a non-cross-linked site coexist in the resin. Further, since a strong restoring force is exerted during heating, it is also suitable for removing tape slack generated in the expanding process. A resin having sufficient uniform expandability can be obtained by appropriately adjusting the amount of energy rays irradiated to the low density polyethylene or the ultra low density polyethylene.
さらに、熱可塑性架橋樹脂としては、前記のアイオノマー樹脂やエネルギー線架橋されたポリエチレンの他に、エチレン−酢酸ビニル共重合体に電子線等のエネルギー線を照射して架橋させたものも好適である。この熱可塑性架橋樹脂は、加熱時に強く復元力が働くことから、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去でき、好適である。 Furthermore, as the thermoplastic cross-linked resin, in addition to the above-mentioned ionomer resin and energy ray-crosslinked polyethylene, those obtained by irradiating an ethylene-vinyl acetate copolymer with an energy beam such as an electron beam are also suitable. . This thermoplastic cross-linked resin is suitable because it can remove the slack of the tape generated in the expanding process because it has a strong restoring force when heated.
なお、図１に示す例では、基材フィルム１１は単層であるが、これに限定されず、２種以上の熱可塑性架橋樹脂を積層させた複数層構造であってもよい。基材フィルム１１の厚みは特に規定しないが、ウエハ加工用テープ１０のエキスパンド工程において引き伸ばし易く、かつ破断しないだけの十分な強度を持つ厚みとして、５０〜２００μｍ程度がよく、１００μｍ〜１５０μｍがより好ましい。 In addition, in the example shown in FIG. 1, although the base film 11 is a single layer, it is not limited to this, The multilayer structure which laminated | stacked 2 or more types of thermoplastic crosslinked resin may be sufficient. Although the thickness of the base film 11 is not particularly defined, the thickness is preferably about 50 to 200 μm, more preferably 100 μm to 150 μm, as the thickness that is easily stretched in the expanding process of the wafer processing tape 10 and has sufficient strength not to break. .
複数層の基材フィルム１１の製造方法としては、従来公知の押出法、ラミネート法などを用いることができる。ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。接着剤としては従来公知の接着剤を用いることができる。 As a method for producing the multi-layer base film 11, a conventionally known extrusion method, laminating method, or the like can be used. When the laminating method is used, an adhesive may be interposed between the layers. A conventionally well-known adhesive agent can be used as an adhesive agent.
＜粘着剤層＞
粘着剤層１２は、基材フィルム１１に粘着剤組成物を塗工して形成することができる。
本発明のウエハ加工用テープ１０を構成する粘着剤層１２は、ダイシング時において接着剤層１３との剥離を生じず、チップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時において接着剤層１３との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。具体的には、粘着剤層１２の基材フィルム１１側の表面から厚さ１μｍの領域の赤外吸収分析による４０００〜６５０ｃｍ−１の赤外スペクトルと、粘着剤層１２の基材フィルム１１側とは反対側の表面から厚さ１μｍの領域の赤外吸収分析による４０００〜６５０ｃｍ−１の赤外スペクトルとを比較した際のヒット率が９５％以下である。<Adhesive layer>
The pressure-sensitive adhesive layer 12 can be formed by applying a pressure-sensitive adhesive composition to the base film 11.
The pressure-sensitive adhesive layer 12 constituting the wafer processing tape 10 of the present invention has a holding property that does not cause separation from the adhesive layer 13 during dicing and does not cause defects such as chip jumping, and an adhesive during pickup. Any material may be used as long as it can be easily separated from the layer 13. Specifically, the infrared spectrum of 4000 to 650 cm −1 by infrared absorption analysis in the region of 1 μm thickness from the surface of the adhesive layer 12 on the base film 11 side, and the base film 11 side of the adhesive layer 12 The hit rate is 95% or less when compared with an infrared spectrum of 4000 to 650 cm −1 by infrared absorption analysis in a region of 1 μm thickness from the opposite surface.
粘着剤層１２の基材フィルム近傍面と、基材フィルム１１とは反対側の近傍面の赤外吸収分光計によるヒット率が９５％以下であることから、基材フィルム層１１側の粘着剤層１２の性質と、接着剤層１３側の粘着剤層１２の性質が異なり、基材フィルム層１１側の粘着剤層１２は基材との密着性がよく、接着剤層１３側の粘着剤層１２は放射線硬化前は接着剤層１３との密着性に優れ、チップに分割する際に接着剤層１３と粘着剤層１２との界面でのズレが生じることがない。さらに、放射線硬化後には剥離性が低下しピックアップ性に優れるたけではなく、ブレードダイシングの際には、異なる性質の粘着剤で構成されているため、それらの凝集力が小さくなり、接着剤層１３も含めた切削くず自体が脆くなる。これにより端部において接着剤層１３に付着した切削くずが脆くなるため、ピックアップ工程の際に余分な力が加わることなく、ブレードダイシング工程において良好なピックアップ性能を有する。なお、ここでいう近傍とは表面から深さ１μｍ以内の範囲を示す。また、赤外スペクトルのヒット率は、７０％以上であることが好ましい。７０％未満でも問題ないが、７０％以上であると、粘着剤同士の密着性がさらに良好になり、ダイシングやピックアップの際に層間剥離が発生しにくくなる。 Since the hit rate by the infrared absorption spectrometer of the surface near the base film of the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the surface near the base film 11 is 95% or less, the pressure-sensitive adhesive on the base film layer 11 side The property of the layer 12 is different from the property of the pressure-sensitive adhesive layer 12 on the adhesive layer 13 side, the pressure-sensitive adhesive layer 12 on the base film layer 11 side has good adhesion to the base material, and the pressure-sensitive adhesive on the adhesive layer 13 side. The layer 12 is excellent in adhesiveness with the adhesive layer 13 before radiation curing, and there is no deviation at the interface between the adhesive layer 13 and the pressure-sensitive adhesive layer 12 when divided into chips. Furthermore, after radiation curing, not only the releasability is lowered and the pick-up property is excellent, but also the blade dicing is composed of pressure-sensitive adhesives having different properties. The cutting waste itself including it becomes brittle. As a result, the cutting waste adhering to the adhesive layer 13 at the end becomes brittle, so that an extra force is not applied during the pick-up process, and a good pick-up performance is obtained in the blade dicing process. Here, the vicinity means a range within 1 μm depth from the surface. The infrared spectrum hit rate is preferably 70% or more. If it is less than 70%, there is no problem, but if it is 70% or more, the adhesiveness between the adhesives is further improved, and delamination hardly occurs during dicing or pickup.
粘着剤層１２の赤外吸収分析は、ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ法（Attenuated Total
Reflection、減衰全反射法）により行われる。粘着剤層１２の断面を露出させ、基材フィルム１１側の表面から厚さ１μｍの領域の赤外スペクトル（基材側スペクトル）を得る。
また、粘着剤層１２の基材フィルム１１側とは反対側の表面から厚さ１μｍの領域の赤外スペクトル（接着層側スペクトル）を得る。これらの二つの赤外スペクトルを比較し、ヒット率を算出する。このような微小領域の測定には、赤外顕微鏡とＡＴＲ法とを組み合わせた顕微ＡＴＲ法により行われることが好ましい。
なお、ヒット率の算出は、コリレーション法を用いる。具体的には、４０００〜６５０ｃｍ−１の赤外スペクトル（縦軸：強度、横軸：波数）のグラフにおける、各波数におけるスペクトルの傾きについて、基材側スペクトルの傾きと接着層側スペクトルの傾きとで相関係数を求める方法で得られる。The infrared absorption analysis of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is performed using the ATR method (Attenuated Total of FT-IR).
Reflection, attenuated total reflection method). The cross section of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is exposed, and an infrared spectrum (base material side spectrum) in a region having a thickness of 1 μm is obtained from the surface on the base material film 11 side.
Moreover, the infrared spectrum (adhesion layer side spectrum) of a 1 micrometer-thick area | region is obtained from the surface on the opposite side to the base film 11 side of the adhesive layer 12. FIG. The hit rate is calculated by comparing these two infrared spectra. The measurement of such a minute region is preferably performed by a microscopic ATR method in which an infrared microscope and an ATR method are combined.
The hit rate is calculated using a correlation method. Specifically, regarding the inclination of the spectrum at each wave number in the graph of the infrared spectrum (vertical axis: intensity, horizontal axis: wave number) of 4000 to 650 cm −1 , the inclination of the substrate side spectrum and the inclination of the adhesive layer side spectrum. To obtain the correlation coefficient.
本発明において、ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ法は、通常の固体試料の表面分析に用いられるＡＴＲ法に従って行うことができ、例えばＮｉｃｏｌｅｔ社製のＮＥＸＵＳ４７０等のＡＴＲ法モードを用いて行うことができる。詳しくは、それぞれ、使用セル：ＺｎＳｅプリズム、スキャン回数：１００回、入射角：４５度、ベースライン：４０００ｃｍ−１と６５０ｃｍ−１を結ぶ直線とする。尚、ＡＴＲ法における測定試料への測定波長の進入深さｄは下記の数式１で求められ、測定試料の屈折率ｎ２により変わるが、通常のアクリル系粘着剤等においては１．５で近似することができる。したがって、各入射光の試料進入量ｄは測定試料間で同等であると近似できる。また、試料の屈折率はアッベ屈折計等を用いて測定することができ、測定試料の屈折率ｎ２が１．５より大きく異なる場合は、進入深さｄが屈折率１．５と同等の深さとなるように吸収強度を補正する。In the present invention, the FT-IR ATR method can be performed according to the ATR method used for the surface analysis of a normal solid sample, for example, using an ATR method mode such as NEXUS470 manufactured by Nicolet. Specifically, the cell used: ZnSe prism, the number of scans: 100 times, the incident angle: 45 degrees, and the base lines: straight lines connecting 4000 cm −1 and 650 cm −1 . In addition, the penetration depth d of the measurement wavelength to the measurement sample in the ATR method is obtained by the following mathematical formula 1, and varies depending on the refractive index n 2 of the measurement sample. can do. Therefore, it can be approximated that the sample penetration amount d of each incident light is equal between the measurement samples. The refractive index of the sample can be measured using an Abbe refractometer or the like, when the refractive index n 2 of the measurement sample is significantly different than 1.5, penetration depth d is equal to the refractive index of 1.5 The absorption intensity is corrected to the depth.
進入深さｄ＝λ／（２π（ｓｉｎ２θ−（ｎ２／ｎ１）２） １／２） ・・・数式（１）
ここで、λはＡＴＲ結晶中での測定波長、θは入射角、ｎ２は測定試料の屈折率、ｎ１はＡＴＲ結晶の屈折率（ＺｎＳｅの場合、２．４）を表す。Depth of penetration d = λ / (2π (sin 2 θ− (n 2 / n 1 ) 2 ) 1/2 ) (1)
Here, λ is the measurement wavelength in the ATR crystal, θ is the incident angle, n 2 is the refractive index of the measurement sample, and n 1 is the refractive index of the ATR crystal (in the case of ZnSe, 2.4).
本発明のウエハ加工用テープにおいて、粘着剤層１２を構成する粘着剤組成物の構成はとくに限定されないが、ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、エネルギー線硬化性のものが好ましく、硬化後に接着剤層１３との剥離が容易となる材料であることが好ましい。具体的には、粘着剤組成物中に、ベース樹脂として、炭素数が６〜１２のアルキル鎖を有する（メタ）アクリレートを６０モル％以上含み、かつヨウ素価５〜３０のエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有する重合体（Ａ）を有するものが好ましく例示される。なお、ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線をいう。 In the wafer processing tape of the present invention, the configuration of the pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, but in order to improve the pick-up property after dicing, an energy ray-curable one is preferable, and after curing, A material that can be easily peeled off from the adhesive layer 13 is preferable. Specifically, the pressure-sensitive adhesive composition contains 60 mol% or more of (meth) acrylate having an alkyl chain having 6 to 12 carbon atoms as the base resin, and energy ray curable carbon having an iodine value of 5 to 30. -What has a polymer (A) which has a carbon double bond is illustrated preferably. Here, the energy ray means a light ray such as ultraviolet rays or ionizing radiation such as an electron beam.
このような重合体（Ａ）において、エネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で５〜３０、より好ましくは１０〜３０である。これは、重合体（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となるためである。また、ヨウ素価が５未満の場合には、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果が十分に得られない場合があり、ヨウ素価が３０より大きい場合には、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性が不十分となり、ウエハ加工用テープ１０の拡張後におけるチップの間隙を十分得ることができなくなり、ピックアップ時に各チップの画像認識が困難になる場合がある。 In such a polymer (A), the preferable introduction amount of the energy ray-curable carbon-carbon double bond is 5 to 30, more preferably 10 to 30 in terms of iodine value. This is because the polymer (A) itself is stable and easy to manufacture. In addition, when the iodine value is less than 5, the effect of reducing the adhesive strength after energy beam irradiation may not be sufficiently obtained. When the iodine value is greater than 30, the pressure-sensitive adhesive after energy beam irradiation In some cases, the fluidity becomes insufficient, and a sufficient gap between the chips after expansion of the wafer processing tape 10 cannot be obtained, so that it is difficult to recognize an image of each chip during pickup.
さらに、重合体（Ａ）は、ガラス転移温度が−７０℃〜１５℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移温度が−７０℃以上であれば、エネルギー線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、１５℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後のチップの飛散防止効果が十分得られる。 Furthermore, the polymer (A) preferably has a glass transition temperature of -70 ° C to 15 ° C, more preferably -66 ° C to -28 ° C. If the glass transition temperature is −70 ° C. or higher, the heat resistance against energy irradiation is sufficient, and if it is 15 ° C. or lower, the effect of preventing chip scattering after dicing on a wafer having a rough surface is sufficiently obtained. It is done.
前記の重合体（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体とエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合をもつ化合物とを混合して得られるものや、官能基を有するアクリル系共重合体または官能基を有するメタクリル系共重合体（Ａ１）と、その官能基と反応し得る官能基を有し、かつ、エネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合をもつ化合物（Ａ２）とを反応させて得られるものが用いられる。 The polymer (A) may be produced by any method, for example, a polymer obtained by mixing an acrylic copolymer and a compound having an energy ray-curable carbon-carbon double bond, An acrylic copolymer having a functional group or a methacrylic copolymer having a functional group (A1), a functional group capable of reacting with the functional group, and an energy ray-curable carbon-carbon double bond What is obtained by reacting with a compound (A2) having a hydrogen atom is used.
このうち、前記の官能基を有するメタクリル系共重合体（Ａ１）としては、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの炭素−炭素二重結合を有する単量体（Ａ１−１）と、炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基を有する単量体（Ａ１−２）とを共重合させて得られるものが例示される。単量体（Ａ１−１）としては、炭素数が６〜１２のアルキル鎖を有するヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、ラウリルアクリレートまたはアルキル鎖の炭素数が５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。 Among these, as the methacrylic copolymer (A1) having the above functional group, a monomer (A1-1) having a carbon-carbon double bond such as an alkyl acrylate ester or an alkyl methacrylate ester, and carbon -What is obtained by copolymerizing the monomer (A1-2) which has a carbon double bond and has a functional group is illustrated. As the monomer (A1-1), hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, lauryl acrylate or alkyl chain having an alkyl chain having 6 to 12 carbon atoms Examples thereof include pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, and methacrylates similar to these, which are monomers having 5 or less carbon atoms.
なお、単量体（Ａ１−１）においてアルキル鎖の炭素数が６よりも小さい成分が多いと、粘着剤層と接着剤層の剥離力が大きくなってしまい、ピックアップ工程において、チップ割れなどの不具合が生じることがある。また、炭素数が１２よりも大きい成分が多いと、室温で固体となりやすいため、加工性に乏しく、粘着剤層と接着剤層の十分な接着力が得られず、界面でのずれが生じて、接着剤層の分断において不具合が生じることがある。 In addition, when there are many components whose carbon number of an alkyl chain is smaller than 6 in a monomer (A1-1), the peeling force of an adhesive layer and an adhesive bond layer will become large, and in a pick-up process, chip crack etc. Problems may occur. Also, if there are many components having more than 12 carbon atoms, they tend to be solid at room temperature, so the processability is poor, and sufficient adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer cannot be obtained, resulting in deviation at the interface. In some cases, problems may occur when the adhesive layer is divided.
さらに、単量体（Ａ１−１）として、アルキル鎖の炭素数が大きな単量体を使用するほどガラス転移温度は低くなるので、適宜選択することにより、所望のガラス転移温度を有する粘着剤組成物を調製することができる。また、ガラス転移温度の他、相溶性等の各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも可能である。その場合、これらの低分子化合物は、単量体（Ａ１−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で配合するものとする。 Furthermore, as the monomer (A1-1), the more the monomer having a larger alkyl chain carbon number is used, the lower the glass transition temperature. By appropriately selecting the pressure-sensitive adhesive composition having the desired glass transition temperature. Product can be prepared. In addition to the glass transition temperature, a low molecular compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene or acrylonitrile may be blended for the purpose of improving various properties such as compatibility. In that case, these low molecular compounds shall mix | blend within the range of 5 mass% or less of the total mass of a monomer (A1-1).
一方、単量体（Ａ１−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（Ａ１−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテルなどを列挙することができる。 On the other hand, examples of the functional group of the monomer (A1-2) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group. The monomer (A1-2) Specific examples of acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates, N -Methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, phthalic anhydride Acid, glycidyl aqua Rate, glycidyl methacrylate, it is possible to enumerate and allyl glycidyl ether.
さらに、化合物（Ａ２）において、用いられる官能基としては、化合物（Ａ１）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（Ａ１−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。また、化合物（Ａ２）として、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基およびエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものを用いることもできる。 Furthermore, in the compound (A2), examples of the functional group used include a hydroxyl group, an epoxy group, and an isocyanate group when the functional group of the compound (A1) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group. In the case of a hydroxyl group, a cyclic acid anhydride group, an isocyanate group, and the like can be exemplified. In the case of an amino group, an epoxy group, an isocyanate group, and the like can be exemplified. , A carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, an amino group, and the like, and specific examples thereof include those similar to those listed in the specific examples of the monomer (A1-2). Moreover, what urethanated a part of isocyanate group of the polyisocyanate compound with the monomer which has a hydroxyl group or a carboxyl group, and an energy-beam curable carbon-carbon double bond as a compound (A2) can also be used.
なお、化合物（Ａ１）と化合物（Ａ２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、所望のものを製造することができる。重合体（Ａ）の水酸基価が５〜１００となるようにＯＨ基を残すと、エネルギー線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができる。
また、重合体（Ａ）の酸価が０．５〜３０となるようにＣＯＯＨ基を残すと、本発明のウエハ加工用テープを拡張させた後の粘着剤層の復元後の改善効果が得られ、好ましい。ここで、重合体（Ａ）の水酸基価が低すぎると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。In the reaction of the compound (A1) and the compound (A2), by leaving an unreacted functional group, a desired product with respect to characteristics such as acid value or hydroxyl value can be produced. If the OH group is left so that the hydroxyl value of the polymer (A) is 5 to 100, the risk of pick-up mistakes can be further reduced by reducing the adhesive strength after energy beam irradiation.
Further, if the COOH group is left so that the acid value of the polymer (A) is 0.5 to 30, an improvement effect after restoration of the pressure-sensitive adhesive layer after expanding the wafer processing tape of the present invention is obtained. And preferred. Here, if the hydroxyl value of the polymer (A) is too low, the effect of reducing the adhesive strength after irradiation with energy rays is not sufficient, and if too high, the fluidity of the adhesive after irradiation with energy rays tends to be impaired. . If the acid value is too low, the effect of improving the tape restoring property is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive tends to be impaired.
上記の重合体（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の重合体（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。 In the synthesis of the above polymer (A), as the organic solvent when the reaction is carried out by solution polymerization, ketone-based, ester-based, alcohol-based and aromatic-based solvents can be used, among which toluene, acetic acid A good solvent for acrylic polymers such as ethyl, isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, and the like, and preferably a solvent having a boiling point of 60 to 120 ° C. The polymerization initiator is α, α′-azobis. A radical generator such as an azobis type such as isobutyl nitrile or an organic peroxide type such as benzoyl peroxide is usually used. At this time, if necessary, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used in combination, and the polymer (A) having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. This reaction is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.
以上のようにして、重合体（Ａ）を得ることができるが、本発明において、重合体（Ａ）の分子量は、３０万〜２００万程度が好ましい。３０万未満では、凝集力が小さくなって、エキスパンドの際に接着剤層との界面でのずれが生じやすくなり、接着剤層に十分な引張力が伝搬されず、接着剤層の分割が不十分となることがある。このずれを、極力防止するためには、分子量が３０万以上である方が好ましい。また、分子量が２００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。 As described above, the polymer (A) can be obtained. In the present invention, the molecular weight of the polymer (A) is preferably about 300,000 to 2,000,000. If it is less than 300,000, the cohesive force becomes small, and the expansion tends to cause a deviation at the interface with the adhesive layer, and sufficient tensile force is not propagated to the adhesive layer, so that the adhesive layer is not divided. May be sufficient. In order to prevent this shift as much as possible, the molecular weight is preferably 300,000 or more. Further, if the molecular weight exceeds 2 million, there is a possibility of gelation during synthesis and coating. In addition, the molecular weight in this invention is a mass mean molecular weight of polystyrene conversion.
また、本発明のウエハ加工用テープ１０において、粘着剤層１２を構成する樹脂組成物は、重合体（Ａ）に加えて、さらに、架橋剤として作用する化合物（Ｂ）を有していてもよい。具体的には、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選択される少なくとも１種の化合物である。これらは、単独または２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は、重合体（Ａ）または基材フィルムと反応し、その結果できる架橋構造により、粘着剤組成物塗工後に重合体（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を向上することができる。 In the wafer processing tape 10 of the present invention, the resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 12 may further contain a compound (B) that acts as a crosslinking agent in addition to the polymer (A). Good. Specifically, it is at least one compound selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins. These can be used alone or in combination of two or more. This compound (B) reacts with the polymer (A) or the base film, and as a result, a pressure-sensitive adhesive mainly composed of the polymers (A) and (B) after coating the pressure-sensitive adhesive composition due to the resulting crosslinked structure. The cohesive strength of can be improved.
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を用いることができる。エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製、商品名）等を用いることができる。本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。 The polyisocyanates are not particularly limited, and examples thereof include 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 '-[2,2-bis (4 -Phenoxyphenyl) propane] aromatic isocyanate such as diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate , Lysine diisocyanate, lysine triisocyanate, and the like. Specifically, Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) can be used. Kill. Specific examples of the melamine / formaldehyde resin include Nicalac MX-45 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), Melan (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and the like. As the epoxy resin, TETRAD-X (trade name, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) or the like can be used. In the present invention, it is particularly preferable to use polyisocyanates.
化合物（Ｂ）の添加量としては、重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好ましくは０．５〜５質量部の配合比となるよう、選択する。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないため、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。 The addition amount of the compound (B) is selected so as to be a blending ratio of 0.1 to 10 parts by mass, preferably 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer (A). By selecting within this range, it is possible to obtain an appropriate cohesive force, and since the crosslinking reaction does not proceed abruptly, workability such as blending and application of the adhesive is improved.
また、本発明において、粘着剤層１２には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤層１２に含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。光重合開始剤（Ｃ）の添加量としては、重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。 In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains a photopolymerization initiator (C). There is no restriction | limiting in particular in the photoinitiator (C) contained in the adhesive layer 12, A conventionally well-known thing can be used. For example, benzophenones such as benzophenone, 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone and 4,4′-dichlorobenzophenone, acetophenones such as acetophenone and diethoxyacetophenone, 2-ethylanthraquinone, t- Examples include anthraquinones such as butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triallylimidazole dimer (rophine dimer), and acridine compounds. These can be used alone or in combination of two or more. As addition amount of a photoinitiator (C), it is preferable to set it as 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of polymers (A), and it is more preferable to set it as 0.5-5 mass parts. .
さらに本発明に用いられるエネルギー線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調製剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。 Further, the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive used in the present invention can be blended with a tackifier, a pressure-sensitive adhesive preparation agent, a surfactant, or other modifiers, if necessary. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably.
粘着剤層１２の厚さは１．３〜１６μｍが好ましく、さらに好ましくは１．５〜１５μｍ、より好ましくは２〜１０μｍである。なお、粘着剤層１２は複数の層が積層された構成であってもよい。 As for the thickness of the adhesive layer 12, 1.3-16 micrometers is preferable, More preferably, it is 1.5-15 micrometers, More preferably, it is 2-10 micrometers. The pressure-sensitive adhesive layer 12 may have a configuration in which a plurality of layers are laminated.
＜接着剤層＞
本発明のウエハ加工用テープでは、接着剤層１３は、ウエハが貼合され、ダイシングされた後、チップをピックアップした際に、粘着剤層１２から剥離してチップに付着するものである。そして、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層１３は、特に限定されるものではないが、ウエハに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１５０μｍ程度が好ましい。<Adhesive layer>
In the wafer processing tape of the present invention, the adhesive layer 13 peels off from the adhesive layer 12 and adheres to the chip when the chip is picked up after the wafer is bonded and diced. And it is used as an adhesive agent when fixing a chip | tip to a board | substrate or a lead frame. The adhesive layer 13 is not particularly limited, but may be a film-like adhesive generally used for wafers. Acrylic adhesive, epoxy resin / phenolic resin / acrylic resin blend system An adhesive or the like is preferable. The thickness may be appropriately set, but is preferably about 5 to 150 μm.
本発明のウエハ加工用テープ１０において、接着剤層１３は、予めフィルム化されたもの（以下、接着フィルムという）を、基材フィルム１１上に直接または間接的にラミネートして形成してもよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲とし、０．０１〜１０Ｎ／ｍの線圧をかけることが好ましい。なお、このような接着フィルムは、セパレータ上に接着剤層１３が形成されたものであってもよく、その場合、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままウエハ加工用テープ１０のカバーフィルムとして使用し、ウエハを貼合する際に剥離してもよい。 In the wafer processing tape 10 of the present invention, the adhesive layer 13 may be formed by laminating a film formed in advance (hereinafter referred to as an adhesive film) directly or indirectly on the base film 11. . The laminating temperature is preferably in the range of 10 to 100 ° C., and a linear pressure of 0.01 to 10 N / m is preferably applied. Such an adhesive film may be one in which the adhesive layer 13 is formed on the separator. In that case, the separator may be peeled off after lamination, or the cover of the wafer processing tape 10 may be used as it is. You may use as a film and peel when bonding a wafer.
前記接着フィルムは、粘着剤層１２の全面に積層してもよいが、予め貼合されるウエハに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着フィルムを粘着剤層１２に積層してもよい。このように、ウエハに応じた接着フィルムを積層した場合、図３に示すように、ウエハＷが貼合される部分には接着剤層１３があり、リングフレーム２０が貼合される部分には接着剤層１３がなく粘着剤層１２のみが存在する。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着フィルムを使用することで、リングフレーム２０は粘着剤層１２と貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。 Although the said adhesive film may be laminated | stacked on the whole surface of the adhesive layer 12, even if it laminate | stacks the adhesive film cut | disconnected in the shape according to the wafer previously bonded (pre-cut) on the adhesive layer 12 Good. Thus, when the adhesive film according to a wafer is laminated | stacked, as shown in FIG. 3, there exists the adhesive bond layer 13 in the part to which the wafer W is bonded, and in the part to which the ring frame 20 is bonded. Only the pressure-sensitive adhesive layer 12 is present without the adhesive layer 13. In general, since the adhesive layer 13 is difficult to peel off from the adherend, the ring frame 20 can be bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 12 by using a pre-cut adhesive film, and the ring is peeled off when the tape is peeled off after use. The effect that the adhesive residue to the frame 20 hardly occurs is obtained.
＜用途＞
本発明のウエハ加工用テープ１０は、少なくとも拡張により接着剤層１３を分断するエキスパンド工程を含む半導体装置の製造方法に使用されるものである。したがって、その他の工程や工程の順序などは特に限定されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法（Ａ）〜（Ｅ）において好適に使用できる。<Application>
The wafer processing tape 10 of the present invention is used in a method for manufacturing a semiconductor device including an expanding process for dividing the adhesive layer 13 by at least expansion. Therefore, other processes and the order of processes are not particularly limited. For example, it can be suitably used in the following semiconductor device manufacturing methods (A) to (E).
半導体装置の製造方法（Ａ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハの分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記ウエハと前記ウエハ加工用テープの前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。Manufacturing method of semiconductor device (A)
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(C) The process of bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(D) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(E) irradiating a laser beam along a dividing line of the wafer to form a modified region by multiphoton absorption inside the wafer;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the wafer and the adhesive layer of the wafer processing tape along a cutting line to obtain a plurality of chips with the adhesive layer Process,
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method of manufacturing a semiconductor device including:
半導体装置の製造方法（Ｂ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハ表面の分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハをチップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、を含む半導体装置の製造方法。Manufacturing method of semiconductor device (B)
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(C) The process of bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(D) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(E) irradiating a laser beam along a cutting line on the wafer surface, and cutting the wafer into chips;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the adhesive layer for each chip and to obtain a plurality of chips with the adhesive layer;
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape, and a method of manufacturing a semiconductor device.
半導体装置の製造方法（Ｃ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記ウエハを分断ラインに沿って切削し、チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。Manufacturing method of semiconductor device (C)
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(C) The process of bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(D) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(E) cutting the wafer along a cutting line using a dicing blade and cutting the wafer into chips;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the adhesive layer for each chip and to obtain a plurality of chips with the adhesive layer;
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method of manufacturing a semiconductor device including:
半導体装置の製造方法（Ｄ）
（ａ）回路パタ−ンが形成されたウエハを、ダイシングブレードを用いて分断予定ラインに沿って前記ウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記ウエハ裏面を研削してチップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記チップに分断された前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記チップに分断された前記ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。Manufacturing method of semiconductor device (D)
(A) cutting the wafer on which the circuit pattern is formed to a depth less than the thickness of the wafer along a line to be cut using a dicing blade;
(B) bonding a surface protective tape to the wafer surface;
(C) a back grinding process for grinding the wafer back surface and dividing it into chips;
(D) bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer divided into the chips while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(E) peeling the surface protection tape from the wafer surface divided into the chips;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the adhesive layer for each chip and to obtain a plurality of chips with the adhesive layer;
(G) in the expanded wafer processing tape, removing the slack generated in the expanding step by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, and maintaining the interval between the chips;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method of manufacturing a semiconductor device including:
半導体装置の製造方法（Ｅ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハの分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｄ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記ウエハと前記ウエハ加工用テープの前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。Manufacturing method of semiconductor device (E)
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) irradiating a laser beam along a dividing line of the wafer, and forming a modified region by multiphoton absorption inside the wafer;
(C) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(D) a step of bonding an adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(E) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the wafer and the adhesive layer of the wafer processing tape along a cutting line to obtain a plurality of chips with the adhesive layer Process,
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
＜使用方法＞
本発明のウエハ加工用テープ１０を、上記半導体装置の製造方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。まず、図２に示すように、回路パターンが形成されたウエハＷの表面に、紫外線硬化性成分を粘着剤に含む、回路パターン保護用の表面保護テープ１４を貼合し、ウエハＷの裏面を研削するバック
グラインド工程を実施する。<How to use>
A method of using the tape when the wafer processing tape 10 of the present invention is applied to the semiconductor device manufacturing method (A) will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 2, a surface protection tape 14 for protecting a circuit pattern containing an ultraviolet curable component in an adhesive is bonded to the surface of a wafer W on which a circuit pattern is formed. Perform back grinding process to grind.
バックグラインド工程の終了後、図３に示すように、ウエハマウンターのヒーターテーブル２５上に、表面側を下にしてウエハＷを載置した後、ウエハＷの裏面にウエハ加工用テープ１０を貼合する。ここで使用するウエハ加工用テープ１０は、貼合するウエハＷに応じた形状に予め切断（プリカット）された接着フィルムを積層したものであり、ウエハＷと貼合する面においては、接着剤層１３が露出した領域の周囲に粘着剤層１２が露出している。このウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３が露出した部分とウエハＷの裏面を貼り合わせるとともに、接着剤層１３の周囲の粘着剤層１２が露出した部分とリングフレーム２０を貼り合わせる。このとき、ヒーターテーブル２５は７０〜８０℃に設定されており、これにより加熱貼合が実施される。 After the back grinding process is finished, as shown in FIG. 3, after placing the wafer W on the heater table 25 of the wafer mounter with the front side down, the wafer processing tape 10 is bonded to the back side of the wafer W. To do. The wafer processing tape 10 used here is obtained by laminating an adhesive film that has been cut (precut) in advance in a shape corresponding to the wafer W to be bonded, and the adhesive layer on the surface to be bonded to the wafer W. The adhesive layer 12 is exposed around the area where 13 is exposed. The portion of the wafer processing tape 10 where the adhesive layer 13 is exposed and the back surface of the wafer W are bonded together, and the portion where the adhesive layer 12 around the adhesive layer 13 is exposed and the ring frame 20 are bonded together. At this time, the heater table 25 is set to 70 to 80 ° C., and thus heat bonding is performed.
次に、ウエハ加工用テープ１０が貼合されたウエハＷをヒーターテーブル２５上から搬出し、図４に示すように、ウエハ加工用テープ１０側を下にして吸着テーブル２６上へ載置する。そして、吸着テーブル２６に吸着固定されたウエハＷの上方から、エネルギー線光源２７を用いて、例えば１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を表面保護テープ１４の基材面側に照射し、表面保護テープ１４のウエハＷに対する接着力を低下させ、ウエハＷ表面から表面保護テープ１４を剥離する。Next, the wafer W to which the wafer processing tape 10 is bonded is unloaded from the heater table 25 and placed on the suction table 26 with the wafer processing tape 10 side down as shown in FIG. Then, from the upper side of the wafer W sucked and fixed to the suction table 26, for example, the substrate surface side of the surface protection tape 14 is irradiated with ultraviolet rays of 1000 mJ / cm 2 using the energy beam light source 27, The adhesive strength to the wafer W is reduced, and the surface protection tape 14 is peeled off from the surface of the wafer W.
次に、図５に示すように、分断ラインに沿って、ウエハＷの分割予定部分にレーザー光Ｌを照射して、ウエハＷの内部に多光子吸収による改質領域を３２形成する。 Next, as shown in FIG. 5, the laser beam L is irradiated to the part to be divided of the wafer W along the dividing line to form 32 modified regions by multiphoton absorption inside the wafer W.
次に、図６（ａ）に示すように、ウエハＷおよびリングフレーム２０が貼り合わされたウエハ加工用テープ１０を、基材フィルム１１側を下にして、エキスパンド装置のステージ２１上に載置する。 Next, as shown in FIG. 6A, the wafer processing tape 10 to which the wafer W and the ring frame 20 are bonded is placed on the stage 21 of the expanding apparatus with the base film 11 side facing down. .
次に、図６（ｂ）に示すように、リングフレーム２０を固定した状態で、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材２２をＡ方向に上昇させ、ウエハ加工用テープ１０を拡張（エキスパンド）する。拡張条件としては、エキスパンド速度が、例えば５〜５００ｍｍ／ｓｅｃであり、エキスパンド量（突き上げ量）が、例えば５〜２５ｍｍである。このようにウエハ加工用テープ１０がウエハＷの径方向に引き伸ばされることで、ウエハＷが、前記改質領域３２を起点としてチップ３４単位に分断される。このとき、接着剤層１３は、ウエハＷの裏面に接着している部分では拡張による伸び（変形）が抑制されて破断は起こらないが、チップ３４間の位置では、テープの拡張による張力が集中して破断する。したがって、図６（ｃ）に示すように、ウエハＷとともに接着剤層１３も分断されることになる。これにより、接着剤層１３が付いた複数のチップ３４を得ることができる。 Next, as shown in FIG. 6B, with the ring frame 20 fixed, the hollow cylindrical push-up member 22 of the expanding device is raised in the A direction to expand (expand) the wafer processing tape 10. . As expansion conditions, the expanding speed is, for example, 5 to 500 mm / sec, and the expanding amount (push-up amount) is, for example, 5 to 25 mm. In this way, the wafer processing tape 10 is stretched in the radial direction of the wafer W, whereby the wafer W is divided into chips 34 starting from the modified region 32. At this time, in the adhesive layer 13, elongation (deformation) due to expansion is suppressed at the portion bonded to the back surface of the wafer W, and no breakage occurs. However, tension due to expansion of the tape is concentrated between the chips 34. And break. Therefore, as shown in FIG. 6C, the adhesive layer 13 is also cut off together with the wafer W. Thereby, the some chip | tip 34 with the adhesive bond layer 13 can be obtained.
次に、図７に示すように、突き上げ部材２２を元の位置に戻し、先のエキスパンド工程において発生したウエハ加工用テープ１０の弛みを除去して、チップ３４の間隔を安定に保持するための工程を行う。この工程では、例えば、ウエハ加工用テープ１０におけるチップ３４が存在する領域と、リングフレーム２０との間の円環状の加熱収縮領域２８に、温風ノズル２９を用いて９０〜１２０℃の温風を当てて基材フィルム１１を加熱収縮させ、ウエハ加工用テープ１０を緊張させる。その後、粘着剤層１２にエネルギー線硬化処理または熱硬化処理等を施し、粘着剤層１２の接着剤層１３に対する粘着力を弱めた後、基材フィルム１１側からピンでチップ３４を突き上げ、チップ３４と接着剤層１３を粘着剤層１２から剥離させ、チップ３４をピックアップする。
Next, as shown in FIG. 7, the push-up member 22 is returned to the original position, the slack of the wafer processing tape 10 generated in the previous expanding process is removed, and the distance between the chips 34 is stably maintained. Perform the process. In this step, for example, hot air of 90 to 120 ° C. is used by using a
次に、本発明の効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Next, in order to further clarify the effects of the present invention, examples and comparative examples will be described in detail, but the present invention is not limited to these examples.
〔ウエハ加工用テープの作製〕
（１）基材フィルムの作製
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸−メタアクリル酸エチル（質量比７．５：１．４：１．１）３元共重合体の亜鉛アイオノマー（密度０．９３ｇ／ｃｍ３、亜鉛イオン含有量５質量％、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点５５℃、融点８５℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。[Production of tape for wafer processing]
(1) Production of substrate film Zinc ionomer (density) of ethylene-methacrylic acid-ethyl methacrylate (mass ratio 7.5: 1.4: 1.1) terpolymer synthesized by radical polymerization method 0.93 g / cm 3 , zinc ion content 5% by mass, chlorine content less than 1% by mass, Vicat softening point 55 ° C., melting point 85 ° C.) were melted at 140 ° C., and the thickness was measured using an extruder. A base film was prepared by forming into a 100 μm long film.
（２）アクリル系共重合体の調製
（ａ−１）
官能基を有するアクリル系共重合体（Ａ１）として、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびアクリル酸からなり質量平均分子量８０万の共重合体を調製した。次に、ヨウ素価が２０となるように、エネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合をもつ化合物（Ａ２）として、２−イソシアナトエチルメタクリレートを添加して、ガラス転移温度−６０℃、水酸基価３０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価５ｍｇＫＯＨ／ｇのアクリル系共重合体（ａ−１）を調製した。(2) Preparation of acrylic copolymer (a-1)
As the acrylic copolymer (A1) having a functional group, a copolymer composed of 2-ethylhexyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and acrylic acid and having a mass average molecular weight of 800,000 was prepared. Next, 2-isocyanatoethyl methacrylate is added as a compound (A2) having an energy ray-curable carbon-carbon double bond so that the iodine value becomes 20, and the glass transition temperature is −60 ° C., the hydroxyl value. An acrylic copolymer (a-1) having 30 mg KOH / g and an acid value of 5 mg KOH / g was prepared.
（ａ−２）
官能基を有するアクリル系共重合体（Ａ１）として、ｎ−ブチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびアクリル酸からなり、質量平均分子量７０万、ガラス転移温度−７０℃、水酸基価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価３ｍｇＫＯＨ／ｇのアクリル系共重合体（ａ−２）を調製した。(A-2)
The acrylic copolymer (A1) having a functional group is composed of n-butyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and acrylic acid, and has a mass average molecular weight of 700,000, a glass transition temperature of -70 ° C., a hydroxyl value of 20 mgKOH / g, and an acid. An acrylic copolymer (a-2) having a value of 3 mgKOH / g was prepared.
（ａ−３）
官能基を有するアクリル系共重合体（Ａ１）として、ラウリルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびアクリル酸からなり、質量平均分子量８０万の共重合体を調製した。次に、ヨウ素価が２０となるように、エネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合をもつ化合物（Ａ２）として、２−イソシアナトエチルメタクリレートを添加して、ガラス転移温度５℃、水酸基価５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価６ｍｇＫＯＨ／ｇのアクリル系共重合体（ａ−３）を調製した。(A-3)
As the acrylic copolymer (A1) having a functional group, a copolymer consisting of lauryl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and acrylic acid and having a mass average molecular weight of 800,000 was prepared. Next, 2-isocyanatoethyl methacrylate is added as a compound (A2) having an energy ray-curable carbon-carbon double bond so that the iodine value becomes 20, a glass transition temperature of 5 ° C., and a hydroxyl value of 50 mgKOH. / G, an acrylic copolymer (a-3) having an acid value of 6 mgKOH / g was prepared.
（ａ−４）
官能基を有するアクリル系共重合体（Ａ１）として、ラウリルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびアクリル酸からなり、質量平均分子量８０万、ガラス転移温度−１０℃、水酸基価３０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価３ｍｇＫＯＨ／ｇのアクリル系共重合体（ａ−４）を調製した。(A-4)
The acrylic copolymer (A1) having a functional group is composed of lauryl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and acrylic acid, and has a mass average molecular weight of 800,000, a glass transition temperature of −10 ° C., a hydroxyl value of 30 mgKOH / g, and an acid value of 3 mgKOH. / G acrylic copolymer (a-4) was prepared.
（３）接着剤組成物の調製
（ｄ−１）
エポキシ樹脂「ＹＤＣＮ−７０３」（東都化成株式会社製、商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）３０質量部と、エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂「ミレックスＸＬＣ−ＬＬ」（三井化学株式会社製、商品名、フェノール樹脂）２５質量部と、シランカップリング剤である「Ａ−１１６０」（日本ユニカー株式会社製、商品名）１．８質量部、および、「Ａ−１８９」（日本ユニカー株式会社製、商品名）１．０質量部と、シリカフィラー（粒子）である「アエロジルＲ９７２」（日本アエロジル株式会社製、商品名、平均粒径：０．０１６μｍ、比表面積１２０ｍ２／ｇ）２２．２質量部とからなる組成物に、シクロヘキサノンを加え、攪拌混合してからビーズミルを用いてさらに９０分混練した。(3) Preparation of adhesive composition (d-1)
30 parts by mass of epoxy resin “YDCN-703” (trade name, cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 210) manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., and phenol resin “Mirex XLC-LL” (Mitsui Chemicals) as a curing agent for epoxy resin Co., Ltd., trade name, phenol resin) 25 parts by mass, silane coupling agent “A-1160” (manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd., trade name) 1.8 parts by mass, and “A-189” ( Nippon Unicar Co., Ltd., trade name: 1.0 part by mass and silica filler (particles) “Aerosil R972” (Nihon Aerosil Co., Ltd., trade name, average particle size: 0.016 μm, specific surface area 120 m 2 / g) Cyclohexanone is added to the composition consisting of 22.2 parts by mass, mixed with stirring, and then kneaded for 90 minutes using a bead mill. did.
これにグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートに由来するモノマー単位を、３質量％含むアクリルゴム（高分子量成分）である「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」（ナガセケムテックス株式会社製、商品名、質量平均分子量８０万）２００質量部、および硬化促進剤としての「キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ」（四国化成工業株式会社製、商品名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）０．０１質量部を加え、攪拌混合して、接着剤組成物（ｄ−１）を得た。 "HTR-860P-3" (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name, mass average molecular weight 800,000) which is an acrylic rubber (high molecular weight component) containing 3% by mass of a monomer unit derived from glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate. ) 200 parts by mass and 0.01 part by mass of “Curazole 2PZ-CN” (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole) as a hardening accelerator, An adhesive composition (d-1) was obtained.
＜実施例１＞
アクリル系共重合体（ａ−１）１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン製）を３質量部加え、光重合開始剤としてイルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）を３質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤組成物１を調製した。
次にアクリル系共重合体（ａ−２）１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン製）を６質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤組成物２を調製した。
次に、離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、この粘着剤組成物１，２の順に乾燥後の厚さがそれぞれ５μｍで合計１０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させた後、基材フィルムと貼り合わせ、基材フィルム上に粘着剤層が形成された粘着シートを作製した。<Example 1>
3 parts by mass of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane) as a polyisocyanate is added to 100 parts by mass of the acrylic copolymer (a-1), and 3 parts by mass of Irgacure 184 (manufactured by Ciba Geigy Japan) as a photopolymerization initiator The added mixture was dissolved in ethyl acetate and stirred to prepare an adhesive composition 1.
Next, a mixture obtained by adding 6 parts by mass of coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane) as a polyisocyanate to 100 parts by mass of the acrylic copolymer (a-2) is dissolved in ethyl acetate and stirred to produce a pressure-sensitive adhesive composition. Product 2 was prepared.
Next, the pressure-sensitive adhesive compositions 1 and 2 were applied in this order to the release liner made of a polyethylene-terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 5 μm and 10 μm in total. After drying for a minute, it bonded together with the base film and produced the adhesive sheet in which the adhesive layer was formed on the base film.
次に、離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、接着剤組成物（ｄ−１）を、乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工し、１１０℃で５分間乾燥させて、剥離ライナー上に接着剤層が形成された接着フィルムを作製した。 Next, the adhesive composition (d-1) is applied to a release liner made of a polyethylene-terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying becomes 20 μm, and dried at 110 ° C. for 5 minutes. Thus, an adhesive film having an adhesive layer formed on a release liner was produced.
粘着シートをリングフレームに対して開口部を覆うように貼り合わせることができるような図３等に示した形状に裁断した。また、接着フィルムを、ウエハ裏面を覆うことのできるような図３等に示した形状に裁断した。そして、前記粘着シートの粘着剤層側と前記接着フィルムの接着剤層側とを、図３等に示したように接着フィルムの周囲に粘着剤層１２が露出する部分が形成されるように貼り合わせ、ウエハ加工用テープを作製した。 The pressure-sensitive adhesive sheet was cut into a shape shown in FIG. 3 or the like that can be attached to the ring frame so as to cover the opening. Moreover, the adhesive film was cut into the shape shown in FIG. Then, the adhesive layer side of the adhesive sheet and the adhesive layer side of the adhesive film are pasted so that a portion where the adhesive layer 12 is exposed is formed around the adhesive film as shown in FIG. In addition, a wafer processing tape was produced.
＜実施例２＞
粘着剤組成物３としてアクリル系共重合体（ａ−１）の代わりにアクリル系共重合体（ａ−３）を使用した以外は、実施例１の粘着剤組成物１と同様にして粘着剤組成物３を調製した。この粘着剤組成物３を使用して、実施例１と同様の手法により、粘着剤組成物３、２の順に剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 2>
The pressure-sensitive adhesive is the same as the pressure-sensitive adhesive composition 1 of Example 1, except that the acrylic copolymer (a-3) is used as the pressure-sensitive adhesive composition 3 instead of the acrylic copolymer (a-1). Composition 3 was prepared. Using this pressure-sensitive adhesive composition 3, the pressure-sensitive adhesive compositions 3 and 2 were applied in this order to the release liner in the same manner as in Example 1 to produce a wafer processing tape.
＜実施例３＞
粘着剤組成物４としてアクリル系共重合体（ａ−２）の代わりにアクリル系共重合体（ａ−４）を使用した以外は、実施例１の粘着剤組成物２と同様にして粘着剤組成物４を調製した。この粘着剤組成物４を使用して、実施例１と同様の手法により、粘着剤組成物１、４の順に剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 3>
The pressure-sensitive adhesive was the same as the pressure-sensitive adhesive composition 2 of Example 1, except that the acrylic copolymer (a-4) was used instead of the acrylic copolymer (a-2) as the pressure-sensitive adhesive composition 4. Composition 4 was prepared. Using this pressure-sensitive adhesive composition 4, the pressure-sensitive adhesive compositions 1 and 4 were applied in this order to the release liner in the same manner as in Example 1 to produce a wafer processing tape.
＜実施例４＞
実施例３において、粘着剤組成物１の代わりに粘着剤組成物３を使用して、実施例１と同様の手法により、粘着剤組成物３、４の順に剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 4>
In Example 3, the pressure-sensitive adhesive composition 3 was used in place of the pressure-sensitive adhesive composition 1, and the adhesive compositions 3 and 4 were coated in the order of the pressure-sensitive adhesive compositions 3 and 4 in the same manner as in Example 1 to process the wafer. A tape was prepared.
＜実施例５＞
実施例１において、粘着剤組成物２の代わりに粘着剤組成物３を使用して、実施例１と同様の手法により、粘着剤組成物１、３の順に剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 5>
In Example 1, the pressure-sensitive adhesive composition 3 was used in place of the pressure-sensitive adhesive composition 2, and the adhesive compositions 1 and 3 were coated in the order of the pressure-sensitive adhesive compositions 1 and 3 in the same manner as in Example 1 to process the wafer. A tape was prepared.
＜実施例６＞
実施例１において、それぞれの厚み比率を変えずに乾燥後の厚さが１５μｍになるように剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 6>
In Example 1, it applied to the release liner so that the thickness after drying might be set to 15 micrometers, without changing each thickness ratio, and the tape for wafer processing was produced.
＜実施例７＞
実施例１において、それぞれの厚み比率を変えずに乾燥後の厚さが２μｍになるように剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 7>
In Example 1, it applied to the release liner so that the thickness after drying might be set to 2 micrometers, without changing each thickness ratio, and the tape for wafer processing was produced.
＜実施例８＞
実施例１において、それぞれの厚み比率を変えずに乾燥後の厚さが１．５μｍになるように剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 8>
In Example 1, it applied to the release liner so that the thickness after drying might be set to 1.5 micrometers, without changing each thickness ratio, and the tape for wafer processing was produced.
＜実施例９＞
実施例１において、粘着剤組成物１の乾燥後の厚さが１μｍ、粘着剤組成物２の乾燥後の厚さが９μｍになるように剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 9>
In Example 1, the pressure-sensitive adhesive composition 1 was coated on a release liner so that the thickness after drying was 1 μm, and the thickness after drying of the pressure-sensitive adhesive composition 2 was 9 μm, thereby producing a wafer processing tape. .
＜実施例１０＞
実施例１において、粘着剤組成物１の乾燥後の厚さが２μｍ、粘着剤組成物２の乾燥後の厚さが８μｍになるように剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 10>
In Example 1, the pressure-sensitive adhesive composition 1 was coated on a release liner so that the thickness after drying was 2 μm and the thickness after drying of the pressure-sensitive adhesive composition 2 was 8 μm, and a wafer processing tape was produced. .
＜実施例１１＞
実施例１において、粘着剤組成物１の乾燥後の厚さが３μｍ、粘着剤組成物２の乾燥後の厚さが７μｍになるように剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 11>
In Example 1, the pressure-sensitive adhesive composition 1 was coated on a release liner so that the thickness after drying was 3 μm, and the thickness after drying of the pressure-sensitive adhesive composition 2 was 7 μm, thereby producing a wafer processing tape. .
＜実施例１２＞
実施例１において、粘着剤組成物１の乾燥後の厚さが４μｍ、粘着剤組成物２の乾燥後の厚さが６μｍになるように剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 12>
In Example 1, the pressure-sensitive adhesive composition 1 was coated on a release liner so that the thickness after drying was 4 μm and the thickness after drying of the pressure-sensitive adhesive composition 2 was 6 μm, and a wafer processing tape was produced. .
＜実施例１３＞
実施例１において、粘着剤組成物１の乾燥後の厚さが０．６μｍ、粘着剤組成物２の乾燥後の厚さが０．７μｍになるように剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 13>
In Example 1, the pressure-sensitive adhesive composition 1 was coated on a release liner so that the thickness after drying was 0.6 μm, and the thickness after drying of the pressure-sensitive adhesive composition 2 was 0.7 μm. A tape was prepared.
＜実施例１４＞
実施例１において、粘着剤組成物１の乾燥後の厚さが９μｍ、粘着剤組成物２の乾燥後の厚さが７μｍになるように剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Example 14>
In Example 1, the pressure-sensitive adhesive composition 1 was coated on a release liner so that the thickness after drying was 9 μm, and the thickness after drying of the pressure-sensitive adhesive composition 2 was 7 μm, thereby producing a wafer processing tape. .
＜比較例１＞
実施例１と同様にして粘着剤組成物１を調製した。この粘着剤組成物１のみを使用して、実施例１と同様の手法により、ウエハ加工用テープを作製した。<Comparative Example 1>
A pressure-sensitive adhesive composition 1 was prepared in the same manner as in Example 1. A wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 1 using only this pressure-sensitive adhesive composition 1.
＜比較例２＞
実施例１と同様にして粘着剤組成物２を調製した。この粘着剤組成物２のみを使用して、実施例１と同様の手法により、ウエハ加工用テープを作製した。<Comparative Example 2>
An adhesive composition 2 was prepared in the same manner as in Example 1. A wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 1 using only the pressure-sensitive adhesive composition 2.
＜比較例３＞
実施例１と同様にして粘着剤組成物１および２を調製した。この粘着剤組成物を使用して、実施例１と同様の手法により、粘着剤組成物２、１の順に剥離ライナーに塗工し、ウエハ加工用テープを作製した。<Comparative Example 3>
Adhesive compositions 1 and 2 were prepared in the same manner as in Example 1. Using this pressure-sensitive adhesive composition, a pressure-sensitive adhesive composition 2 and 1 were applied to the release liner in the same manner as in Example 1 to prepare a wafer processing tape.
〔ウエハ加工用テープの物性と評価〕
（１）赤外吸収スペクトルの測定
実施例、比較例で得た各ウエハ加工用テープについて、ミクロトームによる断面切断により粘着剤層を露出させ、基材フィルムの近傍および接着剤層近傍の粘着剤層の赤外吸収スペクトルを測定した。このときＮｉｃｏｌｅｔ社製のＮＥＸＵＳ４７０のＡＴＲ法モードを用いた。詳しくは、それぞれ、使用セル：ＺｎＳｅプリズム、スキャン回数：１００回、入射角：４５度、ベースライン：４０００ｃｍ−１と６５０ｃｍ−１を結ぶ直線とした。（尚、測定波長の進入深さｄは、先に述べたとおり通常のアクリル系粘着剤等においては試料間で同等であると近似することができ、必要なときには吸収強度を補正して同等の深さとなるようにした。）。得られたスペクトルの合致率（ヒット率）を求め、結果を表１に示した。
なお、ヒット率の算出は、コリレーション法を用いた。具体的には、４０００〜６５０ｃｍ−１の赤外スペクトル（縦軸：強度、横軸：波数）のグラフにおける、各波数におけるスペクトルの傾きについて、基材側スペクトルの傾きと接着層側スペクトルの傾きとで相関係数を求めた。[Physical properties and evaluation of wafer processing tape]
(1) Measurement of infrared absorption spectrum About each wafer processing tape obtained in Examples and Comparative Examples, the pressure-sensitive adhesive layer was exposed by cross-section cutting with a microtome, and the pressure-sensitive adhesive layer near the base film and the adhesive layer The infrared absorption spectrum of was measured. At this time, the ATR method mode of NEXUS470 manufactured by Nicolet was used. Specifically, each of the cells used was a ZnSe prism, the number of scans was 100, the incident angle was 45 degrees, and the baseline was a straight line connecting 4000 cm −1 and 650 cm −1 . (Incidentally, the penetration depth d of the measurement wavelength can be approximated to be equivalent between samples in a normal acrylic adhesive, etc. as described above, and the absorption intensity is corrected when necessary to obtain the same equivalent. To be deep.) The coincidence rate (hit rate) of the obtained spectrum was determined, and the results are shown in Table 1.
The hit rate was calculated using a correlation method. Specifically, regarding the inclination of the spectrum at each wave number in the graph of the infrared spectrum (vertical axis: intensity, horizontal axis: wave number) of 4000 to 650 cm −1 , the inclination of the substrate side spectrum and the inclination of the adhesive layer side spectrum. And the correlation coefficient was obtained.
（２）分断率の測定
以下に示す方法により、前記実施例および前記比較例の各ウエハ加工用テープについて、前記の半導体装置の製造方法（Ａ）に相当する下記の半導体加工工程における適合性試験を実施した。(2) Measurement of slicing rate By the method shown below, the compatibility test in the following semiconductor processing steps corresponding to the semiconductor device manufacturing method (A) for each of the wafer processing tapes of the examples and the comparative examples is performed. Carried out.
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合した。
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程を行った。
（ｃ）ウエハを７０℃に加熱した状態で、前記ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合し、同時にウエハ加工用リングフレームを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層が接着剤層と重ならずに露出した部分と貼合した。
（ｄ）前記ウエハ表面から表面保護テープを剥離した。
（ｅ）前記ウエハの分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成した。
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを１０％エキスパンドすることにより、前記ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得た。
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記チップと重ならない部分（チップが存在する領域とリングフレームとの間の円環状の領域）を１２０℃に加熱、収縮させることで（ｆ）のエキスパンド工程において生じた弛みを除去し、該チップの間隔を保持した。
（ｈ）接着剤層が付いた前記チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップ
した。(A) A surface protection tape was bonded to the wafer surface on which the circuit pattern was formed.
(B) A back grinding process for grinding the wafer back surface was performed.
(C) With the wafer heated to 70 ° C., the wafer processing tape adhesive layer is bonded to the back surface of the wafer, and at the same time, the wafer processing ring frame is attached to the wafer processing tape adhesive layer. It bonded with the exposed part, without overlapping with an adhesive bond layer.
(D) The surface protection tape was peeled from the wafer surface.
(E) A laser beam was irradiated along the dividing line of the wafer to form a modified region by multiphoton absorption inside the wafer.
(F) The wafer processing tape was expanded by 10% to divide the wafer and the adhesive layer along a cutting line, thereby obtaining a plurality of chips with the adhesive layer.
(G) In the expanding step (f), a portion of the wafer processing tape that does not overlap with the chip (an annular region between the region where the chip is present and the ring frame) is heated to 120 ° C. and contracted. The resulting slack was removed and the tip spacing was maintained.
(H) The chip with the adhesive layer was picked up from the adhesive layer of the wafer processing tape.
なお、（ｆ）工程では、株式会社ディスコ社製ＤＤＳ−２３００で、ウエハ加工用テープに貼合されたダイシング用リングフレームを、株式会社ディスコ社製ＤＤＳ−２３００のエキスパンドリングにより押し下げ、ウエハ加工用テープのウエハ貼合部位外周の、ウエハに重ならない部分を円形の突き上げ部材に押し付けることでエキスパンドを実施した。また、（ｆ）および（ｇ）工程の条件としては、エキスパンド速度３００ｍｍ／ｓｅｃ、エキスパンド量（突き上げ量）２０ｍｍとした。ここで、エキスパンド量とは、押下げ前と押下げ後のリングフレームと突き上げ部材の相対位置の変化量をいう。 In the step (f), the ring frame for dicing bonded to the wafer processing tape with DDS-2300 manufactured by DISCO Corporation is pushed down by the expanding ring of DDS-2300 manufactured by DISCO Corporation, and used for wafer processing. The expansion was carried out by pressing a portion of the outer periphery of the wafer bonding portion of the tape that did not overlap the wafer against a circular push-up member. Further, as the conditions of the steps (f) and (g), the expanding speed was 300 mm / sec, and the expanding amount (push-up amount) was 20 mm. Here, the amount of expansion refers to the amount of change in the relative position between the ring frame and the push-up member before and after pressing.
実施例１〜１４および比較例１〜３のウエハ加工用テープについて、上記の（ｆ）工程における接着剤層の分断率を、（ｇ）工程直後にチップ１００個の分断有無を観察することにより評価した。結果を表１に示した。 For the wafer processing tapes of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 3, the dividing rate of the adhesive layer in the above step (f) was determined by observing whether or not 100 chips were divided immediately after the step (g). evaluated. The results are shown in Table 1.
（３）ピックアップ性の評価（１）
ステルスダイシング法により分断されたチップについてのピックアップ性の評価を行った。
（ａ）〜（ｆ）での工程を経たのち、（ｇ）工程の後（ｈ）工程前に、ウエハ加工用テープの、基材フィルムにおける粘接着剤層が積層された面とは反対側の面に対して、メタルハライド高圧水銀灯により、窒素雰囲気下、３６５ｎｍで３０ｍＷ／ｃｍ２、２００ｍＪ／ｃｍ２の条件で紫外線を照射した。そして、１０.０×１０.０ｍｍに個片化されたチップ１００個について、（h）工程にてダイスピッカー装置（キヤノンマシナリー社製、商品名ＣＡＰ−３００II）によるピックアップ試験を行い、突き上げピンによる突き上げ高さ０．３ｍｍにおいて、粘着剤層から剥離した接着剤層がチップに保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。結果を表１に示した。(3) Pickup evaluation (1)
The pick-up property of the chips divided by the stealth dicing method was evaluated.
After the steps (a) to (f), after the step (g) and before the step (h), opposite to the surface of the wafer processing tape on which the adhesive layer of the base film is laminated The side surface was irradiated with ultraviolet rays by a metal halide high-pressure mercury lamp in a nitrogen atmosphere under conditions of 30 mW / cm 2 and 200 mJ / cm 2 at 365 nm. And about 100 chips separated into 10.0 × 10.0 mm, a pick-up test using a die picker device (product name: CAP-300II, manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.) is performed in step (h), and a push-up pin is used. The pick-up success rate was calculated assuming that the pick-up was successful when the adhesive layer peeled from the pressure-sensitive adhesive layer was held on the chip at a push-up height of 0.3 mm. The results are shown in Table 1.
（４）ブレードダイシング工程でのチップ飛びの評価
（ａ）〜（ｄ）までの工程を経たのち、（ｅ）工程の代わりにリングフレームに固定された半導体ウエハを、ダイシング装置を用いて、下記のダイシング条件で、設定した分割予定ラインに沿ってフルカットした。
（ダイシング条件１：シリコンウエハ５０μｍ厚）
ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「ＤＦＤ−３４０」
ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「２７ＨＥＥＥ」
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
ダイシング速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシング深さ：２５μｍ
カットモード：ダウンカット
ダイシングサイズ：１.０×１.０ｍｍ
その際、１００チップに対して、チップが飛んだ数を評価した。
評価結果を表１に示した。(4) Evaluation of chip fly in blade dicing process After passing through the steps (a) to (d), the semiconductor wafer fixed to the ring frame instead of the step (e) A full cut was made along the set division line under the dicing conditions.
(Dicing condition 1: Silicon wafer 50 μm thickness)
Dicer: DISCO, product name “DFD-340”
Blade: Made by DISCO, trade name “27HEEE”
Blade rotation speed: 40000 rpm
Dicing speed: 100mm / sec
Dicing depth: 25μm
Cut mode: Down cut dicing size: 1.0 × 1.0mm
At that time, the number of chips flying was evaluated with respect to 100 chips.
The evaluation results are shown in Table 1.
（５）ピックアップ性の評価（２）
ブレードダイシング法により分断されたチップについてのピックアップ性の評価を行った。
（ａ）〜（ｄ）までの工程を経たのち、（ｅ）工程の代わりにリングフレームに固定された半導体ウエハを、ダイシング装置を用いて、下記のダイシング条件で、設定した分割予定ラインに沿ってフルカットした。
（ダイシング条件１：シリコンウエハ５０μｍ厚）
ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「ＤＦＤ−３４０」
ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「２７ＨＥＥＥ」
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
ダイシング速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシング深さ：２５μｍ
カットモード：ダウンカット
ダイシングサイズ：１０.０×１０.０ｍｍ
その後、ウエハ加工用テープの、基材フィルムにおける粘接着剤層が積層された面とは反対側の面に対して、メタルハライド高圧水銀灯により、窒素雰囲気下、３６５ｎｍで３０ｍＷ／ｃｍ２、２００ｍＪ／ｃｍ２の条件で紫外線を照射した。そして、ダイシングされたチップ１００個について、（ｈ）工程にてダイスピッカー装置（キヤノンマシナリー社製、商品名ＣＡＰ−３００ＩＩ）によるピックアップ試験を行い粘着剤層から剥離した接着剤層がチップに保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。
なお、ピックアップ成功率が９０％以上のものが合格と判定できる。
（ピックアップ条件：シリコンウエハ５０μｍ厚）
ダイボンダー：キャノンマシナリー社製「ＣＡＰ−３００ＩＩ」
ピン数：４本
ピンの間隔：９．０×９．０ｍｍ
ピン先端曲率：０．２５ｍｍ
ピン突き上げ量：０．３０ｍｍ
ピン突き上げ速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ
ピン突き上げ保持時間：１００ｍｓ
結果を表１に示した。(5) Pickup evaluation (2)
The pick-up property of the chips cut by the blade dicing method was evaluated.
After passing through the steps (a) to (d), the semiconductor wafer fixed to the ring frame instead of the step (e) is subjected to the set division planned line under the following dicing conditions using a dicing apparatus. And cut it full.
(Dicing condition 1: Silicon wafer 50 μm thickness)
Dicer: DISCO, product name “DFD-340”
Blade: Made by DISCO, trade name “27HEEE”
Blade rotation speed: 40000 rpm
Dicing speed: 100mm / sec
Dicing depth: 25μm
Cut mode: Down cut Dicing size: 10.0 × 10.0mm
Thereafter, the surface of the wafer processing tape opposite to the surface of the base film on which the adhesive layer is laminated is irradiated with a metal halide high pressure mercury lamp in a nitrogen atmosphere at 30 nm at 30 mW / cm 2 and 200 mJ / 200 nm. Ultraviolet rays were irradiated under the condition of cm 2 . And about 100 diced chips, the adhesive layer peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer after a pick-up test using a die picker device (product name: CAP-300II, manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.) is held on the chip in step (h). The pickup success rate was calculated assuming that the pickup was successful.
A pickup having a success rate of 90% or more can be determined to be acceptable.
(Pickup conditions: silicon wafer 50 μm thick)
Die bonder: “CAP-300II” manufactured by Canon Machinery
Number of pins: 4-pin spacing: 9.0 x 9.0 mm
Pin tip curvature: 0.25mm
Pin push-up amount: 0.30mm
Pin push-up speed: 300mm / min
Pin push-up holding time: 100 ms
The results are shown in Table 1.
表１に示すように、実施例１〜１４のウエハ加工用テープの粘着剤層１２において、前記粘着剤層の基材フィルム近傍面と接着剤層近傍面での赤外吸収分析による４０００〜６５０ｃｍ−１の赤外スペクトルのヒット率が９５％以下である。また、実施例１〜１４の接着剤層近傍の粘着剤層には、アクリル系共重合体（ａ−１）を使用した粘着剤組成物１や、アクリル系共重合体（ａ−３）を使用した粘着剤組成物３を使用しているため、実施例１〜８のウエハ加工用テープは、分子中に放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも１種選ばれる化合物（Ｂ）とを含有しているウエハ加工用テープである。
実施例１〜１４のウエハ加工用テープは、ブレードダイシング工程後のピックアップ時に半導体チップにストレスを与えることなく、半導体チップと容易に剥離できるとともに、拡張によって接着剤層を分断する工程に適した均一拡張性を有し、かつピックアップ性に優れるウエハ加工用テープであることが明らかとなった。As shown in Table 1, in the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the wafer processing tapes of Examples 1 to 14, 4000 to 650 cm by infrared absorption analysis of the pressure-sensitive adhesive layer on the surface near the base film and the surface near the adhesive layer. The infrared spectrum hit rate of −1 is 95% or less. Moreover, the adhesive composition 1 and the acrylic copolymer (a-3) which used the acrylic copolymer (a-1) for the adhesive layer vicinity of the adhesive bond layer of Examples 1-14 are used. Since the used pressure-sensitive adhesive composition 3 is used, the wafer processing tapes of Examples 1 to 8 are compounds (A) having a radiation-curable carbon-carbon double bond in the molecule, polyisocyanates, A wafer processing tape containing at least one compound (B) selected from melamine / formaldehyde resin and epoxy resin.
The wafer processing tapes of Examples 1 to 14 can be easily separated from the semiconductor chip without applying stress to the semiconductor chip during pick-up after the blade dicing process, and are suitable for the process of dividing the adhesive layer by expansion. It became clear that this was a tape for wafer processing having expandability and excellent pick-up properties.
これに対して、比較例１と２のように、粘着剤層を一つの粘着剤組成物で構成すると、赤外吸収スペクトルのヒット率が１００％となる。比較例１と２より、粘着剤層の基材フィルム近傍面と接着剤層近傍面の赤外吸収分析による４０００〜６５０ｃｍ−１の赤外スペクトルのヒット率が９５％以上である場合は、ブレードダイシング工程時にチップ飛びやピックアップ不良を生じることが明らかとなった。また、比較例３の接着剤層近傍の粘着剤層には、アクリル系共重合体（ａ−２）を使用した粘着剤組成物２を使用おり、アクリル系共重合体（ａ−２）は、分子中に放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有しない。比較例３によると、剥離フィルム近傍の粘着剤層が分子中に放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも１種選ばれる化合物（Ｂ）とを含有していないと、基材フィルム近傍面と接着剤層近傍面の赤外吸収スペクトルにおけるヒット率が９５％以下で分断性に優れたとしても、ピックアップ成功率が悪くなることが明らかとなった。On the other hand, when the pressure-sensitive adhesive layer is composed of one pressure-sensitive adhesive composition as in Comparative Examples 1 and 2, the infrared absorption spectrum hit rate is 100%. From Comparative Examples 1 and 2, when the hit rate of the infrared spectrum of 4000 to 650 cm −1 by infrared absorption analysis of the adhesive film near the base film and the adhesive layer is 95% or more, the blade It became clear that chip skipping and pick-up failure occurred during the dicing process. Moreover, the pressure-sensitive adhesive composition 2 using the acrylic copolymer (a-2) is used for the pressure-sensitive adhesive layer in the vicinity of the adhesive layer of Comparative Example 3, and the acrylic copolymer (a-2) is The molecule does not have a radiation curable carbon-carbon double bond. According to Comparative Example 3, the pressure-sensitive adhesive layer in the vicinity of the release film is at least one selected from the compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond in the molecule, polyisocyanates, melamine / formaldehyde resin and epoxy resin. If the compound (B) is not contained, even if the hit rate in the infrared absorption spectrum of the substrate film vicinity surface and the adhesive layer vicinity surface is 95% or less and the splitting property is excellent, the pickup success rate is poor. It became clear that
なお、前記の半導体装置の製造方法ＢからＤは、エキスパンド工程において、すでに個々のチップに分断されている点を除き、半導体装置の製造方法Ａにおけるエキスパンド工程、ヒートシュリンク工程、ピックアップ工程と同等の工程を行うものである。また、前記の半導体装置の製造方法Ｅは、半導体装置の製造方法Ａに比べて、早めにレーザー光を照射して改質領域を形成する工程を行うものである。したがって、実施例１〜１４および比較例１〜３のウエハ加工用テープ１０を用いた場合の結果は、表１に示す結果と同等の結果となることは明らかであり、半導体装置の製造方法ＢからＥにおいても本発明のウエハ加工用テープ１０を用いることは分断性、ブレードダイシング性、ピックアップ性の観点
において有用である。The semiconductor device manufacturing methods B to D are the same as the expanding step, the heat shrinking step, and the picking up step in the semiconductor device manufacturing method A except that they are already divided into individual chips in the expanding step. A process is performed. In addition, the semiconductor device manufacturing method E performs a step of forming a modified region by irradiating laser light earlier than the semiconductor device manufacturing method A. Therefore, it is clear that the results when using the wafer processing tapes 10 of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 3 are equivalent to the results shown in Table 1, and the semiconductor device manufacturing method B From E to E, it is useful to use the wafer processing tape 10 of the present invention from the viewpoints of severability, blade dicing property, and pickup property.
１０ ウエハ加工用テープ
１１ 基材フィルム
１２ 粘着剤層
１３ 接着剤層
１４ 表面保護テープ
１５ 粘着テープ
２０ リングフレーム
２１ ステージ
２２ 突き上げ部材
２５ ヒーターテーブル
２６ 吸着テーブル
２７ エネルギー線光源
２８ 加熱収縮領域
２９ 温風ノズル
３２ 改質領域
３４ チップ
Ｌ レーザー
Ｗ ウエハDESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer processing tape 11 Base film 12 Adhesive layer 13 Adhesive layer 14 Surface protection tape 15 Adhesive tape 20 Ring frame 21 Stage 22 Push-up member 25 Heater table 26 Adsorption table 27 Energy beam light source 28
Claims (10)
前記粘着剤層の前記基材フィルム側の表面から厚さ１μｍの領域の赤外吸収分析による４０００〜６５０ｃｍ−１の赤外スペクトルと、前記粘着剤層の前記基材フィルム側とは反対側の表面から厚さ１μｍの領域の赤外吸収分析による４０００〜６５０ｃｍ−１の赤外スペクトルとを、各波数における両者のスペクトルの傾きで相関係数を求める方法によって得られるヒット率が７０％以上９５％以下であり、
前記基材フィルム側の表面から厚さ１μｍの領域の粘着剤層が、（メタ）アクリル酸アルキルエステルと水酸基を有する単量体とカルボキシル基を有する単量体とを重合して得られるアクリル系共重合体と、ポリイソシアネートとを含有し、
前記基材フィルム側とは反対側の表面から厚さ１μｍの領域の粘着剤層が、（メタ）アクリル酸アルキルエステルと水酸基を有する単量体とカルボキシル基を有する単量体とを重合して得られるアクリル系共重合体に放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体を反応させた、分子中に放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するアクリル系共重合体（Ａ）と、ポリイソシアネートとを含有する
ことを特徴とする粘着テープ。 An adhesive layer is laminated on one side of the base film,
An infrared spectrum of 4000 to 650 cm −1 by infrared absorption analysis in a region of 1 μm thickness from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer on the side of the base film, and the side opposite to the base film side of the pressure-sensitive adhesive layer A hit rate obtained by a method of obtaining a correlation coefficient with an infrared spectrum of 4000 to 650 cm −1 by infrared absorption analysis in a 1 μm-thick region from the surface by the slope of both spectra at each wave number is 70% or more and 95 % Or less,
An acrylic system obtained by polymerizing a (meth) acrylic acid alkyl ester, a hydroxyl group monomer, and a carboxyl group monomer, in a pressure sensitive adhesive layer having a thickness of 1 μm from the surface of the base film side Containing a copolymer and a polyisocyanate,
A pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 1 μm from the surface opposite to the base film side polymerizes a (meth) acrylic acid alkyl ester, a hydroxyl group monomer, and a carboxyl group monomer. An acrylic copolymer (A) having a radiation-curable carbon-carbon double bond in the molecule, obtained by reacting the resulting acrylic copolymer with a monomer having a radiation-curable carbon-carbon double bond; A pressure-sensitive adhesive tape comprising polyisocyanate .
ダイシングフレームへの貼合が予定される部分には前記接着剤層が積層されないことを特徴とするウエハ加工用テープ。 An adhesive layer is laminated on at least a portion of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape according to any one of claims 1 to 4 where bonding of a wafer is planned,
A wafer processing tape, wherein the adhesive layer is not laminated on a portion where bonding to a dicing frame is planned.
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハの分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記ウエハと前記ウエハ加工用テープの前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップするピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing tape according to claim 5,
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(C) The process of bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(D) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(E) irradiating a laser beam along a dividing line of the wafer to form a modified region by multiphoton absorption inside the wafer;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the wafer and the adhesive layer of the wafer processing tape along a cutting line to obtain a plurality of chips with the adhesive layer Process,
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) a pickup step of picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハ表面の分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハをチップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップするピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing tape according to claim 5,
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(C) The process of bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(D) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(E) irradiating a laser beam along a cutting line on the wafer surface, and cutting the wafer into chips;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the adhesive layer for each chip and to obtain a plurality of chips with the adhesive layer;
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) a pickup step of picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記ウエハを分断ラインに沿って切削し、チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップするピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing tape according to claim 5,
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(C) The process of bonding the adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(D) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(E) cutting the wafer along a cutting line using a dicing blade and cutting the wafer into chips;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the adhesive layer for each chip and to obtain a plurality of chips with the adhesive layer;
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) a pickup step of picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
（ａ）回路パタ−ンが形成されたウエハを、ダイシングブレードを用いて分断予定ラインに沿って前記ウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記ウエハ裏面を研削してチップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記チップに分断された前記ウエハ裏面に、前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記チップに分断された前記ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップするピックアップ工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing tape according to claim 5,
(A) cutting the wafer on which the circuit pattern is formed to a depth less than the thickness of the wafer along a line to be cut using a dicing blade;
(B) bonding a surface protective tape to the wafer surface;
(C) a back grinding process for grinding the wafer back surface and dividing it into chips;
(D) a step of bonding an adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer divided into the chips while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(E) peeling the surface protection tape from the wafer surface divided into the chips;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the adhesive layer for each chip and to obtain a plurality of chips with the adhesive layer;
(G) in the expanded wafer processing tape, removing the slack generated in the expanding step by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, and maintaining the interval between the chips;
(H) a pickup step of picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハの分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｄ）前記ウエハを７０〜８０℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記ウエハと前記ウエハ加工用テープの前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing tape according to claim 5,
(A) a step of bonding a surface protection tape to the wafer surface on which a circuit pattern is formed;
(B) irradiating a laser beam along a dividing line of the wafer, and forming a modified region by multiphoton absorption inside the wafer;
(C) a back grinding process for grinding the back surface of the wafer;
(D) a step of bonding an adhesive layer of the wafer processing tape to the back surface of the wafer while the wafer is heated to 70 to 80 ° C .;
(E) peeling the surface protection tape from the wafer surface;
(F) Expanding the wafer processing tape to divide the wafer and the adhesive layer of the wafer processing tape along a cutting line to obtain a plurality of chips with the adhesive layer Process,
(G) In the expanded wafer processing tape, by heating and shrinking a portion that does not overlap the chip, the slack generated in the expanding step is removed, and the interval between the chips is maintained;
(H) picking up the chip with the adhesive layer from the adhesive layer of the wafer processing tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
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