JP2007294547A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately align chromaticity in a semiconductor light emitting device even if a resistor for controlling a current is incorporated into a package to obtain white light. <P>SOLUTION: Light emitting diodes D1-D3 and chip resistors R1-R3 connected in parallel with the light emitting diodes D1-D3, respectively, are arranged inside the package 2. The resistance values of the chip resistors R1-R3 correspond to light intensities of the light emitting diodes D1-D3, respectively, in order to control currents in the light emitting diodes D1-D3, respectively. The light intensities of the light emitting diodes D1-D3 when predetermined currents are caused to flow therein, respectively, and the chromaticity at the simultaneous emission, are measured. Based on the measurement results, the currents in the light emitting diodes D1 and D3 are increased from the predetermined current values to change the resistance values of the chip resistors R1 and R3 so that white light may be emitted at the simultaneous emission of the light emitting diodes D1-D3. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体発光装置に関し、より特定的には複数の発振波長の光を混合して白色光を作り出し、液晶のバックライトや照明装置に使用される半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light-emitting device, and more particularly to a semiconductor light-emitting device that is used in a liquid crystal backlight or lighting device by mixing light of a plurality of oscillation wavelengths to produce white light.

発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を用いた白色光源は、例えば、液晶表示装置のバックライト、照明装置、画像読取装置などへの適用が可能である。このため、発光ダイオードを用いて高品質な白色光源を作り出す研究開発が進められている。   A white light source using a light emitting diode (LED) can be applied to, for example, a backlight of a liquid crystal display device, an illumination device, an image reading device, and the like. For this reason, research and development for producing a high-quality white light source using a light-emitting diode is underway.

発光ダイオードにより白色光源を作る方法は、蛍光材を用いる方法と、複数の発振波長を用いる方法とに大別される。蛍光材を用いる方法では、紫外から青色の発光ダイオードの放射光を黄色、緑色および赤色等に変換する蛍光材を使用して白色を作り出す。複数の発振波長を用いる方法では、２種類または３種類以上の異なる発振波長を有する複数の発光ダイオードを点灯させて白色を作り出す。   A method of producing a white light source by using a light emitting diode is roughly classified into a method using a fluorescent material and a method using a plurality of oscillation wavelengths. In the method using a fluorescent material, white is produced using a fluorescent material that converts the emitted light of an ultraviolet to blue light emitting diode into yellow, green, red, and the like. In the method using a plurality of oscillation wavelengths, white is produced by lighting a plurality of light emitting diodes having two or three or more different oscillation wavelengths.

しかしながら、どちらの方法においても、所望の色度および発光強度を得ることは実際には困難である。   However, in either method, it is actually difficult to obtain a desired chromaticity and emission intensity.

前者の蛍光材を用いる方法では、紫外から青色の発光ダイオードの輝度にバラツキがあるのに加えて、蛍光材の塗布バラツキによって色度が大きく異なってくる。さらに、蛍光材を用いた白色光源がいったん製品化されると、色度の調整は事実上不可能である。   In the former method using a fluorescent material, in addition to variations in the luminance of light emitting diodes from ultraviolet to blue, the chromaticity varies greatly depending on the application variation of the fluorescent material. Furthermore, once a white light source using a fluorescent material is commercialized, it is virtually impossible to adjust the chromaticity.

後者の複数の発振波長を用いる方法については、従来、様々な技術が公知となっている。たとえば、特開２００１−１４４３３２号公報（特許文献１）には、駆動電流値により発光色が変化するＬＥＤ素子において、ＬＥＤ素子を駆動するためのパルス電流の電流値が発光波長に対応して設定されるか、または、パルス電流のデューティが発光強度に対応して設定されることによって、光強度を変化させても発光色が変化しないＬＥＤ駆動方法およびＬＥＤ装置ならびにＬＥＤランプ、ＬＥＤランプ駆動方法と表示装置とが開示されている。   For the latter method using a plurality of oscillation wavelengths, various techniques are conventionally known. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-144332 (Patent Document 1), in an LED element whose emission color changes depending on a drive current value, a current value of a pulse current for driving the LED element is set corresponding to the emission wavelength. LED driving method and LED device, LED lamp, and LED lamp driving method in which the light emission color does not change even if the light intensity is changed by setting the duty of the pulse current corresponding to the light emission intensity A display device is disclosed.

特開２００４−８６０８１号公報（特許文献２）には、複数個の発光ダイオードの発光時間を記憶する時間メモリ回路と、時間メモリ回路の記憶情報に基づいて発光ダイオードの発光時間を可変する制御部とを含み、複数個の発光素子が発光して得られる光の白色バランスを時間メモリ回路の記憶情報を書き換えることによって調整するカラー表示装置について開示されている。   Japanese Patent Laying-Open No. 2004-86081 (Patent Document 2) discloses a time memory circuit that stores light emission times of a plurality of light emitting diodes, and a control unit that varies the light emission times of the light emitting diodes based on information stored in the time memory circuits. A color display device that adjusts the white balance of light obtained by light emission from a plurality of light emitting elements by rewriting information stored in a time memory circuit.

このように、従来の技術では、発光素子ごとに流れる電流量すなわち発光強度を変化させて所望の色度を作り出し、駆動電圧のパルス幅またはデューティ比を変化させて発光強度を調整している。   As described above, in the conventional technique, a desired chromaticity is created by changing the amount of current flowing for each light emitting element, that is, the emission intensity, and the emission intensity is adjusted by changing the pulse width or duty ratio of the drive voltage.

なお、発光強度を調整することなく色度の調整だけを行なうことについては、各発振波長の発光ダイオードの点灯時間の割合を変えることによっても可能である。   Note that it is possible to adjust only the chromaticity without adjusting the light emission intensity by changing the ratio of the lighting time of the light emitting diode of each oscillation wavelength.

駆動回路の一部を半導体発光装置内に搭載することについても、従来、次のような様々な技術が公知となっている。   For mounting a part of the drive circuit in the semiconductor light emitting device, various techniques as described below have been conventionally known.

電流制限用の抵抗が発光素子と直列に接続されている場合の従来例は、特開平５−３４７４３４号公報（特許文献３）に記載されている。特開平１１−２５１６４６号公報（特許文献４）においては、駆動のためのトランジスタ素子が発光素子を搭載するサブマウントに形成されていることが記載されている。また、特開２００１−２３０４４８号公報（特許文献５）では、サブマウントにＬＥＤ素子保護のためのダイオード素子が形成されている。また、特開２００５−２００３８号公報（特許文献６）においては、ツェナーダイオードをＬＥＤ素子の保護のために逆並列に電気接続することが記載されている。   A conventional example in which a current limiting resistor is connected in series with a light emitting element is described in JP-A-5-347434 (Patent Document 3). Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-251646 (Patent Document 4) describes that a transistor element for driving is formed on a submount on which a light emitting element is mounted. In Japanese Patent Laid-Open No. 2001-230448 (Patent Document 5), a diode element for protecting an LED element is formed on a submount. Japanese Patent Laying-Open No. 2005-20038 (Patent Document 6) describes that a Zener diode is electrically connected in antiparallel to protect an LED element.

図１０は、特許文献６に開示された、駆動回路の一部をＬＥＤ素子が搭載されたパッケージ内に内蔵する従来の半導体発光装置を示す。図１１は、この半導体発光装置の回路構成を示す。   FIG. 10 shows a conventional semiconductor light emitting device disclosed in Patent Document 6 in which a part of a drive circuit is built in a package on which LED elements are mounted. FIG. 11 shows a circuit configuration of this semiconductor light emitting device.

図１１に示すように、この半導体発光装置において、発光素子Ｄ１０１およびツェナーダイオードＺＤは、パッケージ１０１の上面に設けられた開口１０１ａから露出し、かつ近接して配置されている。発光素子Ｄ１０１は、リードフレーム１０２上に配置されており、ボンディングワイヤ１０４を介してリードフレーム１０３に接続されている。一方、ツェナーダイオードＺＤは、両端がリードフレーム１０２，１０３上に固定されている。また、図１０に示すように、ツェナーダイオードＺＤは、発光素子Ｄ１０１と並列に電気的に接続されている。   As shown in FIG. 11, in this semiconductor light emitting device, the light emitting element D101 and the Zener diode ZD are exposed from the opening 101a provided on the upper surface of the package 101 and are arranged close to each other. The light emitting element D101 is disposed on the lead frame 102 and is connected to the lead frame 103 via the bonding wire 104. On the other hand, both ends of the Zener diode ZD are fixed on the lead frames 102 and 103. Further, as shown in FIG. 10, the Zener diode ZD is electrically connected in parallel with the light emitting element D101.

特開平７−２２１４０５号公報（特許文献７）においては、半導体レーザ素子の保護のためにセラミックコンデンサの上にサブマウントを介して半導体レーザ素子が搭載されていることが記載されている。特開２００３−２７３４０４号公報（特許文献８）では、ＬＥＤパッケージの外に出たリード端子を分割して、ＬＥＤと直列になるように電流制限用素子を挿入し、それらにホルダを被せて内臓することが記載されている。   Japanese Laid-Open Patent Publication No. 7-212405 (Patent Document 7) describes that a semiconductor laser element is mounted on a ceramic capacitor via a submount in order to protect the semiconductor laser element. In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-273404 (Patent Document 8), a lead terminal that goes out of an LED package is divided, a current limiting element is inserted so as to be in series with the LED, and a holder is put on the built-in device. It is described to do.

このように、従来技術では、静電気やサージ電流からの発光素子の保護のためにダイオードやコンデンサを発光素子と並列に電気的に接続して一つのパッケージ内に収めたり、電流制限用の抵抗を発光素子に直列に挿入して一つのパッケージ内に収めたりしている。
特開２００１−１４４３３２号公報（２００１年５月２５日公開） 特開２００４−８６０８１号公報（２００４年３月１８日公開） 特開平５−３４７４３４号公報（１９９３年１２月２７日公開） 特開平１１−２５１６４６号公報（１９９９年９月１７日公開） 特開２００１−２３０４４８号公報（２００１年８月２４日公開） 特開２００５−２００３８号公報（２００５年１月２０日公開） 特開平７−２２１４０５号公報（１９９５年８月１８日公開） 特開２００３−２７３４０４号公報（２００３年９月２６日公開） As described above, in the prior art, a diode or a capacitor is electrically connected in parallel with the light emitting element in order to protect the light emitting element from static electricity or surge current, and the current limiting resistor is provided in one package. It is inserted in series in the light emitting element and stored in one package.
JP 2001-144332 A (published on May 25, 2001) JP 2004-86081 A (published March 18, 2004) Japanese Patent Laid-Open No. 5-347434 (released on December 27, 1993) JP 11-251646 A (published September 17, 1999) JP 2001-230448 A (published on August 24, 2001) JP 2005-20038 A (published January 20, 2005) Japanese Laid-Open Patent Publication No. 7-212405 (released on August 18, 1995) JP 2003-273404 A (published September 26, 2003)

白色光源を複数個並べて、液晶のバックライトや照明光源とする場合に、個々の白色光源の間にわずかな色度の違いであっても、人間の目には比較によって色の違いが大きく感じられるため、違和感を生じてしまう。そのため、白色光源の色度を可能な限り揃える必要がある。   When multiple white light sources are arranged to form a liquid crystal backlight or illumination light source, even if there is a slight difference in chromaticity between the individual white light sources, the difference in color appears to the human eye by comparison. Therefore, a sense of incongruity occurs. Therefore, it is necessary to align the chromaticity of the white light source as much as possible.

従来技術による複数の発振波長で白色光源を作り出す方法では、各発光素子に流れる電流を素子毎に調整して白色を作る。しかし、ユーザ側で色度の揃った白色光源を得るためには、個別に色度を測定して個別に電流を設定した回路を用意する必要がある。実際には、電流値を制御する抵抗値を個別に変えて対応をしている。そのため、白色光源を測定あるいはランク分けしたものを購入し、回路基板上で可変の抵抗器を調整するか、ランク分けに応じた回路定数の基板にアッセンブリを行う。従って、測定と調整作業が煩雑になったり、ランク分けでは精度良く色度を合わすことができない。   In the conventional method of creating a white light source with a plurality of oscillation wavelengths, white is produced by adjusting the current flowing through each light emitting element for each element. However, in order to obtain a white light source with uniform chromaticity on the user side, it is necessary to prepare a circuit that individually measures the chromaticity and sets the current individually. Actually, the resistance value for controlling the current value is individually changed to cope with it. Therefore, a white light source that is measured or ranked is purchased, and a variable resistor is adjusted on the circuit board, or an assembly is made on a circuit board having a circuit constant according to the rank. Therefore, the measurement and adjustment work becomes complicated, and the chromaticity cannot be accurately adjusted by ranking.

上記のような理由で、抵抗などの駆動回路の一部を半導体発光装置のパッケージの中に内蔵したとしても、精度良く色度を合わすことができない。   For the above reasons, even if a part of a driving circuit such as a resistor is incorporated in the package of the semiconductor light emitting device, the chromaticity cannot be adjusted with high accuracy.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、電流制御用の抵抗をパッケージに内蔵しても、白色光源として色度を精度良く合わせることができる半導体発光装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a semiconductor light-emitting device that can accurately match chromaticity as a white light source even if a resistance for current control is incorporated in a package. It is an object.

本発明の基本の半導体発光装置は、一つのパッケージ内に複数の発光素子が配置されている半導体発光装置において、それぞれの発光素子に流れる電流を制御するために抵抗値を発光素子の光度に対応させた抵抗がパッケージに内蔵されていることを特徴としている。   The basic semiconductor light emitting device of the present invention is a semiconductor light emitting device in which a plurality of light emitting elements are arranged in one package, and the resistance value corresponds to the luminous intensity of the light emitting element in order to control the current flowing through each light emitting element. The feature is that the resistor is embedded in the package.

上記の構成では、上記の抵抗がパッケージに内蔵されているので、発光素子に流れる電流が、発光素子の光度に対応した抵抗の抵抗値によって制御される。これにより、色度が精度良く合わせられるので、白色光源の色度を揃えることができる。   In the above configuration, since the resistor is built in the package, the current flowing through the light emitting element is controlled by the resistance value of the resistor corresponding to the luminous intensity of the light emitting element. As a result, the chromaticity can be adjusted with high accuracy, so that the chromaticity of the white light source can be made uniform.

前記半導体発光装置において、抵抗は発光素子に並列に電気的に接続されていることが好ましい。これにより、発光素子で発生した熱が細い金線や熱伝導の悪い樹脂だけでなく抵抗（たとえば熱伝導の良いチップ抵抗のセラミック部）を伝わる。それゆえ、発光素子が搭載されているリード端子と反対側のリード端子にも抵抗を介して熱が伝わりやすくなるためにリード端子からの放熱効率の高いパッケージ２を得ることができる。   In the semiconductor light emitting device, the resistor is preferably electrically connected in parallel to the light emitting element. Thereby, the heat generated in the light emitting element is transmitted not only through the thin gold wire and the resin having poor heat conduction but also through the resistance (for example, a ceramic portion of a chip resistor having good heat conduction). Therefore, heat can be easily transferred to the lead terminal opposite to the lead terminal on which the light emitting element is mounted through the resistor, so that the package 2 having high heat dissipation efficiency from the lead terminal can be obtained.

あるいは、前記半導体発光装置において、抵抗は発光素子に直列に電気的に接続されていることが好ましい。これにより、抵抗に流れる電流がそのまま発光素子に流れるため、抵抗と発光素子とが並列接続される構成に比べて、発光素子に流す電流を少なくすることができる。それゆえ、装置全体としての消費電力が小さくなる。   Or in the said semiconductor light-emitting device, it is preferable that resistance is electrically connected to the light emitting element in series. Thereby, since the current flowing through the resistor flows through the light emitting element as it is, the current flowing through the light emitting element can be reduced as compared with the configuration in which the resistor and the light emitting element are connected in parallel. Therefore, the power consumption of the entire apparatus is reduced.

前記のいずれかの半導体発光装置において、発光素子からの光を所定の方向に反射させるために発光素子を囲むようにして設けられる反射板を有し、抵抗が反射板の外側に配置されていることが好ましい。反射板の内側に抵抗が配置されると、発光素子からの光が反射板に達するまでに抵抗によって遮られることにより、反射板で反射されなくなる。これに対し、抵抗が反射板の外側に配置されることにより、発光素子からの光が反射板に達するまでに抵抗によって遮られることがなく、反射板に達する。従って、発光素子の出射光を有効に利用することができる。   In any one of the semiconductor light-emitting devices described above, the semiconductor light-emitting device has a reflector provided so as to surround the light-emitting element in order to reflect light from the light-emitting element in a predetermined direction, and the resistor is disposed outside the reflector. preferable. When the resistor is disposed inside the reflecting plate, the light from the light emitting element is blocked by the resistor before reaching the reflecting plate, so that it is not reflected by the reflecting plate. On the other hand, by arranging the resistor outside the reflector, the light from the light emitting element is not blocked by the resistor until it reaches the reflector, and reaches the reflector. Therefore, the light emitted from the light emitting element can be used effectively.

この半導体発光装置又は基本の半導体発光装置において、抵抗は発光素子が搭載されているリードフレームの発光素子と同じ上面側に搭載されていることが好ましい。これにより、発光素子の光度測定、及び抵抗の抵抗値の調整（たとえば後述のレーザトリミング）のための作業を半導体発光装置の同じ側からすることができる。また、半導体発光装置の外観検査も一方側からできるので容易になる。   In this semiconductor light emitting device or the basic semiconductor light emitting device, the resistor is preferably mounted on the same upper surface side as the light emitting element of the lead frame on which the light emitting element is mounted. Thereby, the operations for measuring the luminous intensity of the light emitting element and adjusting the resistance value of the resistor (for example, laser trimming described later) can be performed from the same side of the semiconductor light emitting device. Further, since the appearance inspection of the semiconductor light emitting device can be performed from one side, it becomes easy.

あるいは、上記の半導体発光装置又は基本の半導体発光装置において、抵抗は発光素子が搭載されているリードフレームの発光素子とは反対の下面側に搭載されていることが好ましい。これにより、発光素子の光を出射させるためにパッケージに形成される開口部の位置に関係なく抵抗を配置することができる。それゆえ、開口部のサイズでパッケージの大きさが決まるので、パッケージを極力小さくして、半導体発光装置の小型化を図ることができる。   Alternatively, in the above semiconductor light emitting device or basic semiconductor light emitting device, the resistor is preferably mounted on the lower surface side opposite to the light emitting element of the lead frame on which the light emitting element is mounted. Thereby, the resistor can be arranged regardless of the position of the opening formed in the package in order to emit the light of the light emitting element. Therefore, since the size of the package is determined by the size of the opening, it is possible to reduce the size of the semiconductor light emitting device by minimizing the package.

前記の基本の半導体発光装置において、抵抗は搭載後に抵抗値が変更可能な可変抵抗であることが好ましい。このような可変抵抗としてはレーザトリミング抵抗が利用される。これにより、抵抗をパッケージに搭載した状態で抵抗値を発光素子の光度に対応させることができる。   In the basic semiconductor light emitting device, the resistor is preferably a variable resistor whose resistance value can be changed after mounting. A laser trimming resistor is used as such a variable resistor. Thereby, the resistance value can be made to correspond to the luminous intensity of the light emitting element in a state where the resistor is mounted on the package.

上記の半導体発光装置又は基本の半導体発光装置において、発光素子及び抵抗を搭載後に発光素子を発光させて光度を測定することにより、抵抗の抵抗値が所定値に変更されていることが好ましい。この構成では、半導体発光装置の製造過程において各発光素子の光度を測定し、白色になるように電流を調整する抵抗の抵抗値を個別に設定される。これは、すなわち、上記の半導体発光装置においては、複数の発光素子の発振波長を組み合わせによって白色が得られるように、可変抵抗の抵抗値をレーザ等によるトリミングで変更することである。   In the semiconductor light emitting device or the basic semiconductor light emitting device, it is preferable that the resistance value of the resistor is changed to a predetermined value by measuring the luminous intensity by causing the light emitting element to emit light after mounting the light emitting element and the resistor. In this configuration, the light intensity of each light emitting element is measured in the manufacturing process of the semiconductor light emitting device, and the resistance value of the resistor that adjusts the current to be white is set individually. That is, in the semiconductor light emitting device described above, the resistance value of the variable resistor is changed by trimming with a laser or the like so that white is obtained by combining the oscillation wavelengths of the plurality of light emitting elements.

上記の抵抗の抵抗値が抵抗の搭載後に変更可能な半導体発光装置において、抵抗の抵抗値を外部より変更するための孔がパッケージに設けられていることが好ましい。これにより、抵抗をパッケージに内蔵していても、搭載後の抵抗の抵抗値を容易に変更することができる。従って、発光素子の電流の制御をより容易にすることができる。   In the semiconductor light emitting device in which the resistance value of the resistor can be changed after the resistor is mounted, a hole for changing the resistance value of the resistor from the outside is preferably provided in the package. Thereby, even if the resistor is incorporated in the package, the resistance value of the resistor after mounting can be easily changed. Therefore, it is possible to more easily control the current of the light emitting element.

前記の基本の半導体発光装置において、発光素子の発振波長を赤、緑、青色を含むことが好ましい。これにより、基本色の発光素子を用いて高演色の白色光源を得ることができる。   In the basic semiconductor light emitting device, it is preferable that the oscillation wavelengths of the light emitting elements include red, green, and blue. Thus, a high color rendering white light source can be obtained using the light emitting element of the basic color.

上記の半導体発光装置又は基本の半導体発光装置において、それぞれの発光素子の光の混合によって所望の白色となるように発光素子に流れる電流値を抵抗によって制御することが好ましい。これにより、製造時に検査する光度を用いて白色となるように個別の発光素子の光度（電流値）を抵抗の抵抗値を変化させるなどして合わせる。それゆえ、製品の完成後に改めて測定を行って回路定数を決めるという作業をなくすことができる。すなわち、ユーザにとっては一つの駆動回路を用意するだけで、どの半導体発光装置でも色度の揃った白色を得ることができる。   In the above semiconductor light-emitting device or basic semiconductor light-emitting device, it is preferable to control the value of the current flowing through the light-emitting element by resistance so that a desired white color is obtained by mixing the light of each light-emitting element. Thus, the luminous intensity (current value) of the individual light-emitting elements is adjusted by changing the resistance value of the resistor so that it becomes white using the luminous intensity to be inspected at the time of manufacture. Therefore, it is possible to eliminate the work of determining the circuit constant by performing another measurement after the product is completed. That is, for a user, white having uniform chromaticity can be obtained with only one drive circuit.

一つのパッケージにおける複数の発光素子に流れる電流を制御するために抵抗値を発光素子の光度に対応させた抵抗がパッケージに内蔵されている。これにより、色度が精度良く合わせられる。また、従来、駆動回路に使用していたような抵抗を駆動回路の一部として発光装置のパッケージに内蔵するので、駆動回路全体としては小型化が可能になる。従って、発光素子の電流を調整するために、複雑な回路や手順を用いることなく、色度の揃った白色光源を簡素な構成で容易に得ることができる。   In order to control currents flowing through a plurality of light emitting elements in one package, a resistor having a resistance value corresponding to the luminous intensity of the light emitting element is incorporated in the package. Thereby, the chromaticity is adjusted with high accuracy. In addition, since a resistor that has been conventionally used in the drive circuit is incorporated in the package of the light emitting device as a part of the drive circuit, the entire drive circuit can be reduced in size. Therefore, a white light source with uniform chromaticity can be easily obtained with a simple configuration without using a complicated circuit or procedure for adjusting the current of the light emitting element.

本発明の一実施形態について図１ないし図８に基づいて説明すると、以下の通りである。   An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8 as follows.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.

［実施の形態１］
図１は、本実施の形態に係る半導体発光装置１の構造を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。図３は、半導体発光装置１の内部構造を示す平面図である。 [Embodiment 1]
FIG. 1 is a plan view showing a structure of a semiconductor light emitting device 1 according to the present embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 3 is a plan view showing the internal structure of the semiconductor light emitting device 1.

なお、図３は、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３及びチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の配置位置が図１と異なる別の構造を示している。しかしながら、図３に示す構造は、リードフレーム３〜８上における発光ダイオードＤ１〜Ｄ３及びチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の相互の配置関係について図１に示す構造と同じである。   3 shows another structure in which the light emitting diodes D1 to D3 and the chip resistors R1 to R3 are arranged differently from FIG. However, the structure shown in FIG. 3 is the same as the structure shown in FIG. 1 with respect to the mutual arrangement relationship of the light emitting diodes D1 to D3 and the chip resistors R1 to R3 on the lead frames 3 to 8.

図１及び図２に示すように、半導体発光装置１は、パッケージ２と、リードフレーム３〜８と、ボンディングワイヤ９と、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３と、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３とを備えている。   1 and 2, the semiconductor light emitting device 1 includes a package 2, lead frames 3 to 8, bonding wires 9, light emitting diodes D1 to D3, and chip resistors R1 to R3.

リードフレーム３〜８は、それぞれの端部を外部に露出するようにパッケージ２内に装入されている。また、リードフレーム３〜５は、パッケージ２の一方の側端部に等間隔をおいて配置されている。一方、リードフレーム６〜８は、パッケージ２の他方の側端部に等間隔をおいて配置されている。   The lead frames 3 to 8 are inserted into the package 2 so that the respective end portions are exposed to the outside. Further, the lead frames 3 to 5 are arranged at equal intervals on one side end portion of the package 2. On the other hand, the lead frames 6 to 8 are arranged at equal intervals on the other side end of the package 2.

パッケージ２は、樹脂によって形成されており、上面の中央部分に円孔の壁面として形成された反射板２ａが設けられるとともに、反射板２ａの周囲に長孔２ｂ〜２ｄが設けられている。反射板２ａは、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３からの光を反射して所定方向に導くために、リードフレーム３〜８側からパッケージ２の上端面にかけて広くなるテーパー状に形成されている。これにより、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３からの光は大きく発散せず、光量が低下することはない。   The package 2 is formed of a resin, and a reflection plate 2a formed as a wall surface of a circular hole is provided at a central portion of the upper surface, and long holes 2b to 2d are provided around the reflection plate 2a. The reflecting plate 2a is formed in a tapered shape that widens from the lead frames 3 to 8 to the upper end surface of the package 2 in order to reflect and guide light from the light emitting diodes D1 to D3 in a predetermined direction. Thereby, the light from the light emitting diodes D1 to D3 does not diverge greatly, and the light quantity does not decrease.

発光素子としての発光ダイオードＤ１〜Ｄ３は、発光部を上方に向けて反射板２ａから露出するように配置されており、それぞれのカソード部でリードフレーム３，５，４の上端面に固定されている。また、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のアノード部は、それぞれリードフレーム６，８，７に金線などのボンディングワイヤ９を介して接続されている。これらの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３は、それぞれ赤色、緑色及び青色の発振波長を持つ。   The light emitting diodes D1 to D3 as the light emitting elements are arranged so that the light emitting portions are exposed upward from the reflecting plate 2a, and are fixed to the upper end surfaces of the lead frames 3, 5 and 4 at the respective cathode portions. Yes. The anode portions of the light emitting diodes D1 to D3 are connected to the lead frames 6, 8, and 7 through bonding wires 9 such as gold wires, respectively. These light emitting diodes D1 to D3 have red, green and blue oscillation wavelengths, respectively.

なお、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のアノード及びカソードは、使用する発光ダイオードによっては極性が逆となる場合があるので、そのような発光ダイオードを用いれば、上記のアノード部とカソード部とが逆になる。   Note that the anodes and cathodes of the light emitting diodes D1 to D3 may have opposite polarities depending on the light emitting diodes to be used. Therefore, when such light emitting diodes are used, the anode part and the cathode part are reversed. .

チップ抵抗Ｒ１の両端部は、リードフレーム３，６の上端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ２の両端部は、リードフレーム５，８の上端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ３の両端部は、リードフレーム４，７の上端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ長孔２ｂ〜２ｄから露出するように配置されている。このように、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３を取り囲んでいる反射板２ａの外側に配置されている。反射板２ａの内側にチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３が配置されると、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３からの一部の光が反射板２ａに達するまでに抵抗Ｒ１〜Ｒ３によって遮られることにより、反射板２ａで反射されなくなる。これに対し、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３が反射板の外側に配置されることにより、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３からの光が反射板２ａに達するまでの光路上に障害物がないので、その光は全て反射板２ａに達する。従って、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３素子の出射光を有効に利用することができる。   Both end portions of the chip resistor R 1 are fixed to the upper end surfaces of the lead frames 3 and 6. Both end portions of the chip resistor R2 are fixed to the upper end surfaces of the lead frames 5 and 8. Both ends of the chip resistor R3 are fixed to the upper end surfaces of the lead frames 4 and 7. The chip resistors R1 to R3 are arranged so as to be exposed from the long holes 2b to 2d, respectively. As described above, the chip resistors R1 to R3 are disposed outside the reflector 2a surrounding the light emitting diodes D1 to D3. When the chip resistors R1 to R3 are arranged inside the reflecting plate 2a, a part of light from the light emitting diodes D1 to D3 is blocked by the resistors R1 to R3 before reaching the reflecting plate 2a. It will not be reflected. On the other hand, since the chip resistors R1 to R3 are arranged outside the reflecting plate, there is no obstacle on the optical path until the light from the light emitting diodes D1 to D3 reaches the reflecting plate 2a. It reaches the reflecting plate 2a. Therefore, the light emitted from the light emitting diodes D1 to D3 can be used effectively.

可変抵抗としてのチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、抵抗値を固定の所定値に変更することができる抵抗であり、例えばトリマブルチップ抵抗器が用いられる。トリマブルチップ抵抗器は、特開平３−１２９５８号公報に開示されているように、集光されたレーザ光を照射することにより抵抗膜が焼き切られて、トリミングパターンを作り変えることによって抵抗値が変わる。半導体発光装置１においては、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３のそれぞれに、長孔２ｂ〜２ｄを介してトリミングのためのレーザ光を照射する。   The chip resistors R1 to R3 as variable resistors are resistors that can change the resistance value to a fixed predetermined value, and for example, a trimmable chip resistor is used. As disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-12958, the trimmable chip resistor has a resistance value obtained by changing the trimming pattern by burning the resistance film by irradiating the focused laser beam. Changes. In the semiconductor light emitting device 1, the chip resistors R1 to R3 are irradiated with laser beams for trimming through the long holes 2b to 2d.

図４は、半導体発光装置１における製造工程の一部を示している。   FIG. 4 shows a part of the manufacturing process in the semiconductor light emitting device 1.

図４に示すように、先ず、リードフレーム３〜８がパッケージ２に組み込まれた状態で、パッケージ２内に可変抵抗としてのチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３を搭載する（Ｓ１）。次いで、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３をパッケージ２内に搭載して、ボンディングワイヤ９によってワイヤボンディングを行う（Ｓ２）。更に、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３が露出する発光部としての円孔２ａを透明の封止樹脂で覆い、この封止樹脂を硬化させる（Ｓ３）
次いで、それぞれの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３に規定の電流（例えば、赤色の発光ダイオードＤ１に２２ｍＡ，緑色の発光ダイオードＤ２に３５ｍＡ，青色の発光ダイオードＤ３に１３ｍＡ）を流す（Ｓ４）。このときの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のそれぞれの光度及び同時発光時の色度を測定して、色度座標（ｘ，ｙ）を求める（Ｓ５）。ｙの値に基づいて、青色の発光ダイオードＤ３に接続されるチップ抵抗Ｒ３の抵抗値を変更する（Ｓ６）。続いて、ｘの値に基づいて、赤色の発光ダイオードＤ１に接続されるチップ抵抗Ｒ１の抵抗値を変更する（Ｓ７）。 As shown in FIG. 4, first, chip resistors R1 to R3 as variable resistors are mounted in the package 2 with the lead frames 3 to 8 incorporated in the package 2 (S1). Next, the light emitting diodes D1 to D3 are mounted in the package 2 and wire bonding is performed with the bonding wires 9 (S2). Further, the circular hole 2a as the light emitting portion from which the light emitting diodes D1 to D3 are exposed is covered with a transparent sealing resin, and the sealing resin is cured (S3).
Next, a prescribed current (for example, 22 mA for the red light emitting diode D1, 35 mA for the green light emitting diode D2, and 13 mA for the blue light emitting diode D3) is passed through each of the light emitting diodes D1 to D3 (S4). The light intensity of each of the light emitting diodes D1 to D3 and the chromaticity at the time of simultaneous light emission are measured to obtain chromaticity coordinates (x, y) (S5). Based on the value of y, the resistance value of the chip resistor R3 connected to the blue light emitting diode D3 is changed (S6). Subsequently, the resistance value of the chip resistor R1 connected to the red light emitting diode D1 is changed based on the value of x (S7).

赤色の発光ダイオードＤ１の光量を増加させればｘの値が大きくなり、青色の発光ダイオードＤ３の光量を増加させればｙの値が大きくなるという関係がある。また、ｙの値を調整するとｘの値が大きく変動する一方、ｘの値を調整してもｙの値は大きく変動しない。このため、上記のように、チップ抵抗Ｒ３の抵抗値を変更してｙの値を調整し、それに続いて、チップ抵抗Ｒ１の抵抗値を変更してｘの値を調整する。   There is a relationship that if the light amount of the red light emitting diode D1 is increased, the value of x is increased, and if the light amount of the blue light emitting diode D3 is increased, the value of y is increased. Further, when the value of y is adjusted, the value of x varies greatly. On the other hand, even if the value of x is adjusted, the value of y does not vary greatly. For this reason, as described above, the value of y is adjusted by changing the resistance value of the chip resistor R3, and subsequently, the value of x is adjusted by changing the resistance value of the chip resistor R1.

上記の抵抗値の変更においては、発光ダイオードＤ１，Ｄ３に流れる電流を規定の電流から増加させていく。これは、次の理由による。トリマブルチップ抵抗器は、抵抗値を増加させる方向にしか調整できない。このため、チップ抵抗Ｒ１，Ｒ３がそれぞれ発光ダイオードＤ１，Ｄ３と並列に電気的に接続されている状態では、発光ダイオードＤ１，Ｄ３に流れる電流を増加させる方向にしか調整できない。従って、発光ダイオードＤ１，Ｄ３に流れる規定の電流は調整完了時の電流よりも小さくする必要がある。また、一般に緑色の発光ダイオードＤ２の光度が低いので、白色としての光度は緑色の光度に依存する。そのため、緑色の発光ダイオードＤ２には一定の電流を流して、赤色の発光ダイオードＤ１又は青色の発光ダイオードＤ３の光度で色度を調整することができる。その場合には、緑色の発光ダイオードＤ２の電流を制御する抵抗器は不要になる。   In changing the resistance value, the current flowing through the light emitting diodes D1 and D3 is increased from the specified current. This is due to the following reason. Trimmable chip resistors can only be adjusted in the direction of increasing resistance. For this reason, in a state where the chip resistors R1 and R3 are electrically connected in parallel with the light emitting diodes D1 and D3, respectively, the adjustment can be made only in the direction of increasing the current flowing through the light emitting diodes D1 and D3. Therefore, the specified current flowing through the light emitting diodes D1 and D3 needs to be smaller than the current at the completion of adjustment. In general, since the light intensity of the green light emitting diode D2 is low, the light intensity as white depends on the green light intensity. Therefore, a constant current can be passed through the green light emitting diode D2, and the chromaticity can be adjusted by the light intensity of the red light emitting diode D1 or the blue light emitting diode D3. In that case, the resistor for controlling the current of the green light emitting diode D2 is not necessary.

上記のようにして、チップ抵抗Ｒ１，Ｒ３の抵抗値を変えた後に、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の同時発光時の色度を測定して、色度座標（ｘ，ｙ）を判定する（Ｓ８）。   After changing the resistance values of the chip resistors R1 and R3 as described above, the chromaticity coordinates (x, y) are determined by measuring the chromaticity at the time of simultaneous light emission of the light emitting diodes D1 to D3 (S8). .

このようにして、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３を同時発光時に白色が発光するように、チップ抵抗Ｒ１，Ｒ３の抵抗値が変更（調整）されることによって、半導体発光装置１が完成する。   In this way, the semiconductor light emitting device 1 is completed by changing (adjusting) the resistance values of the chip resistors R1 and R3 so that white light is emitted when the light emitting diodes D1 to D3 emit light simultaneously.

図５は、半導体発光装置１の使用例を示している。   FIG. 5 shows a usage example of the semiconductor light emitting device 1.

図５に示すように、発光ダイオードＤ１およびチップ抵抗Ｒ１は並列に接続され、発光ダイオードＤ２およびチップ抵抗Ｒ２は並列に接続され、発光ダイオードＤ３およびチップ抵抗Ｒ３は並列に接続されている。発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のカソードはＧＮＤに接続され、アノードはそれぞれ半導体発光装置１の外部に設けられる抵抗Ｒ４〜Ｒ６を介して電源電圧Ｖｃｃが印加される。抵抗Ｒ４〜Ｒ６は、電源電圧Ｖｃｃを発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の順方向電圧にまで降下させるために設けられている。   As shown in FIG. 5, the light emitting diode D1 and the chip resistor R1 are connected in parallel, the light emitting diode D2 and the chip resistor R2 are connected in parallel, and the light emitting diode D3 and the chip resistor R3 are connected in parallel. The cathodes of the light emitting diodes D1 to D3 are connected to the GND, and the power supply voltage Vcc is applied to the anodes via resistors R4 to R6 provided outside the semiconductor light emitting device 1, respectively. The resistors R4 to R6 are provided to drop the power supply voltage Vcc to the forward voltage of the light emitting diodes D1 to D3.

このような構成においては、電源電圧Ｖｃｃが発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の順方向電圧に比べて十分高いと、それぞれの順方向電圧にばらつきがあっても、ほぼ一定の電流をそれぞれの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の端子に流すことができる。その端子に流れ込む電流の一部が白色になるように調整されたチップ抵抗Ｒ１，Ｒ３抵抗に流れ込む。そのため、半導体発光装置１が図４に示すような回路に接続されると、半導体発光装置１に合わせて外部の抵抗Ｒ４〜Ｒ６の値を変更することなく白色が得られることになる。   In such a configuration, when the power supply voltage Vcc is sufficiently higher than the forward voltages of the light emitting diodes D1 to D3, a substantially constant current is supplied to each of the light emitting diodes D1 to D1 even if the forward voltages vary. It can flow to the terminal of D3. Part of the current flowing into the terminal flows into the chip resistors R1 and R3 adjusted so as to be white. Therefore, when the semiconductor light emitting device 1 is connected to a circuit as shown in FIG. 4, white is obtained without changing the values of the external resistors R4 to R6 in accordance with the semiconductor light emitting device 1.

また、上記の構成においては、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３がそれぞれ発光ダイオードＤ１〜Ｄ３と並列に接続されている。これにより、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のそれぞれで発生した熱が細い金線（ボンディングワイヤ９）や熱伝導の悪い樹脂（パッケージ２）だけでなく、熱伝導の良いチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３のセラミック部を伝わる。この結果、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３が搭載されているリードフレーム３，５，４と反対側のリードフレーム６，８，７にも熱が伝わりやすくなる。従って、リードフレーム３〜８からの放熱性の高いパッケージ２を得ることができる。   In the above configuration, the chip resistors R1 to R3 are connected in parallel with the light emitting diodes D1 to D3, respectively. Thereby, not only the thin gold wire (bonding wire 9) and the resin with poor heat conduction (package 2) generated by each of the light emitting diodes D1 to D3, but also the ceramic parts of the chip resistors R1 to R3 with good heat conduction are provided. It is transmitted. As a result, heat is easily transmitted to the lead frames 6, 8, and 7 on the opposite side of the lead frames 3, 5, and 4 on which the light emitting diodes D1 to D3 are mounted. Therefore, the package 2 with high heat dissipation from the lead frames 3 to 8 can be obtained.

また、半導体発光装置１において、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３が搭載されているリードフレーム３〜８の上面側に搭載されている。これにより、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３の光度測定、及びチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値の調整（前述のレーザトリミング）のための作業を半導体発光装置１の同じ側からすることができる。また、半導体発光装置１の外観検査も一方側からできるので容易になる。   Further, in the semiconductor light emitting device 1, the chip resistors R1 to R3 are mounted on the upper surface side of the lead frames 3 to 8 on which the light emitting diodes D1 to D3 are mounted. Thereby, the work for the light intensity measurement of the light emitting diodes D1 to D3 and the adjustment of the resistance values of the chip resistors R1 to R3 (the laser trimming described above) can be performed from the same side of the semiconductor light emitting device 1. Further, since the appearance inspection of the semiconductor light emitting device 1 can be performed from one side, it becomes easy.

［実施の形態２］
図６乃至図８に基づいて本発明の他の実施の形態について説明する。尚、実施の形態１の半導体発光装置１における構成要素と同等の構成要素においては、同一の符号を付記する。 [Embodiment 2]
Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected in the component equivalent to the component in the semiconductor light-emitting device 1 of Embodiment 1. FIG.

図６は、本実施の形態に係る半導体発光装置１１の構造を示す平面図である。図７は、半導体発光装置１１の断面図である。図８は、半導体発光装置１１の下面図である。   FIG. 6 is a plan view showing the structure of the semiconductor light emitting device 11 according to the present embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device 11. FIG. 8 is a bottom view of the semiconductor light emitting device 11.

なお、図８は、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３及びチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の配置位置が図１と完全には一致していない別の構造を示している。しかしながら、図８に示す構造は、リードフレーム３〜８上における発光ダイオードＤ１〜Ｄ３及びチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の相互の配置関係について図３に示す構造と同じである。   8 shows another structure in which the arrangement positions of the light emitting diodes D1 to D3 and the chip resistors R1 to R3 do not completely coincide with FIG. However, the structure shown in FIG. 8 is the same as the structure shown in FIG. 3 with respect to the mutual arrangement relationship of the light emitting diodes D1 to D3 and the chip resistors R1 to R3 on the lead frames 3 to 8.

また、図７は、図６の半導体発光装置１１のＢ−Ｂ線矢視断面図であるが、Ｂ−Ｂ線状にはチップ抵抗Ｒ２が存在しない。しかしながら、後述するように、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３がパッケージ１２の下面側に配置されていることを分かりやすくするため、図７では、便宜上チップ抵抗Ｒ２を図示している。   FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line BB of the semiconductor light emitting device 11 of FIG. 6, but the chip resistor R2 does not exist in the BB line shape. However, as will be described later, in order to facilitate understanding that the chip resistors R1 to R3 are arranged on the lower surface side of the package 12, the chip resistor R2 is illustrated for convenience in FIG.

図６乃至図７に示すように、この半導体発光装置１１において、パッケージ１２は、樹脂によって形成されており、上面の中央部分に円孔の壁面として形成された反射板１２ａが設けられるとともに、下面に長孔１２ｂ〜１２ｄが設けられている。   As shown in FIGS. 6 to 7, in this semiconductor light emitting device 11, the package 12 is formed of resin, and a reflector 12 a formed as a wall surface of a circular hole is provided at the center of the upper surface, and the lower surface. Are provided with long holes 12b to 12d.

発光素子としての発光ダイオードＤ１〜Ｄ３は、発光部を上方に向けて反射板１２ａから露出するように配置されており、それぞれのカソード部でリードフレーム３〜５の上端面に固定されている。また、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のアノード部は、それぞれリードフレーム３，５，７にボンディングワイヤ９を介して接続されている。   The light emitting diodes D1 to D3 as light emitting elements are arranged so that the light emitting portions are exposed upward from the reflecting plate 12a, and are fixed to the upper end surfaces of the lead frames 3 to 5 at the respective cathode portions. The anode portions of the light emitting diodes D1 to D3 are connected to the lead frames 3, 5 and 7 through bonding wires 9, respectively.

また、この半導体発光装置１１において、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の配置が前述の半導体発光装置１と異なっている。具体的には、チップ抵抗Ｒ１の両端部は、リードフレーム３，６の下端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ２の両端部は、リードフレーム５，８の下端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ３の両端部は、リードフレーム４，７の下端面に固定されている。チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ長孔１２ｂ〜１２ｄから露出するように配置されている。半導体発光装置１１においては、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３のそれぞれに、長孔１２ｂ〜１２ｄを介してトリミングのためのレーザ光を照射する。   Further, in the semiconductor light emitting device 11, the arrangement of the chip resistors R1 to R3 is different from that of the semiconductor light emitting device 1 described above. Specifically, both end portions of the chip resistor R 1 are fixed to the lower end surfaces of the lead frames 3 and 6. Both ends of the chip resistor R2 are fixed to the lower end surfaces of the lead frames 5 and 8. Both end portions of the chip resistor R3 are fixed to the lower end surfaces of the lead frames 4 and 7. The chip resistors R1 to R3 are arranged so as to be exposed from the long holes 12b to 12d, respectively. In the semiconductor light emitting device 11, the chip resistors R1 to R3 are irradiated with laser light for trimming through the long holes 12b to 12d.

このように、本実施形態では、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３がリードフレーム３〜８において、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３が配置される側と反対側に配置される。これにより、長孔１２ｂ〜１２ｄを反射板１２ａの配置位置に関係なく設けることができる。それゆえ、反射板１２ａの位置に関わらず、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の搭載位置を決定することができる。従って、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の配置の自由度が大きくなるため、半導体発光装置１１のより小型化が可能となる。   Thus, in this embodiment, chip resistance R1-R3 is arrange | positioned in the lead frames 3-8 on the opposite side to the side by which the light emitting diodes D1-D3 are arrange | positioned. Thereby, the long holes 12b-12d can be provided irrespective of the arrangement position of the reflecting plate 12a. Therefore, the mounting positions of the chip resistors R1 to R3 can be determined regardless of the position of the reflecting plate 12a. Accordingly, the degree of freedom of arrangement of the chip resistors R1 to R3 is increased, and the semiconductor light emitting device 11 can be further downsized.

［実施の形態３］
図９に基づいて本発明の更に他の実施の形態について説明する。尚、本実施の形態において、実施の形態１の半導体発光装置２１における構成要素と同等の構成要素については、同一の符号を付記する。 [Embodiment 3]
Still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the same components as those in the semiconductor light emitting device 21 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

図９は、本実施の形態に係る半導体発光装置２１の構成を示す回路図である。   FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of the semiconductor light emitting device 21 according to the present embodiment.

図９に示すように、半導体発光装置２１において、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３は、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３のそれぞれに直列に接続されている。
また、図５に示す前述の抵抗Ｒ４〜Ｒ６は、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３のそれぞれに並列に接続されて抵抗対を形成している。 As shown in FIG. 9, in the semiconductor light emitting device 21, the chip resistors R1 to R3 are connected in series to the light emitting diodes D1 to D3, respectively.
Further, the aforementioned resistors R4 to R6 shown in FIG. 5 are connected in parallel to the chip resistors R1 to R3 to form a resistor pair.

上記の構成では、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３は、それぞれ上記の抵抗対に直列に電気的に接続されている。これにより、各抵抗対に流れる電流がそのまま発光ダイオードＤ１〜Ｄ３に流れるため、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３と発光ダイオードＤ１〜Ｄ３とが並列接続される半導体発光装置１のように電流がそれぞれに流れることがなく、発光ダイオードＤ１〜Ｄ３に流す電流を少なくすることができる。それゆえ、装置全体としての消費電力が小さくなる。   In said structure, the light emitting diodes D1-D3 are each electrically connected in series with said resistance pair. As a result, since the current flowing through each resistor pair flows directly to the light emitting diodes D1 to D3, the current flows to each of the semiconductor light emitting devices 1 in which the chip resistors R1 to R3 and the light emitting diodes D1 to D3 are connected in parallel. The current flowing through the light emitting diodes D1 to D3 can be reduced. Therefore, the power consumption of the entire apparatus is reduced.

また、それぞれの発光ダイオードＤ１〜Ｄ３にそれぞれ抵抗を２個並列接続し、そのうちの一つを可変なチップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３としている。これにより、抵抗での消費電力が分散する。この結果、赤色の発光ダイオードＤ１及び青色の発光ダイオードＤ３のように順方向電圧が大きく異なる場合でも、抵抗Ｒ４や抵抗Ｒ６の抵抗値を適切に設定することにより、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３の変更後の抵抗値の差を小さくすることができる。従って、チップ抵抗Ｒ１〜Ｒ３として用いる可変抵抗器を可変抵抗値範囲が同一の一種類に統一することができる。   In addition, two resistors are connected in parallel to each of the light emitting diodes D1 to D3, one of which is a variable chip resistor R1 to R3. As a result, the power consumption at the resistors is dispersed. As a result, even when the forward voltages are greatly different, such as the red light-emitting diode D1 and the blue light-emitting diode D3, by appropriately setting the resistance values of the resistors R4 and R6, the chip resistors R1 to R3 are changed. The difference in resistance value can be reduced. Therefore, the variable resistors used as the chip resistors R1 to R3 can be unified into one type having the same variable resistance value range.

なお、以上のように開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments disclosed above are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明の半導体発光装置は、電流制御用の抵抗をパッケージの中に内蔵しても、色度を精度良く合わせることができるので、液晶のバックライトや証明装置として違和感のない白色光源に好適に利用できる。   Since the semiconductor light-emitting device of the present invention can adjust the chromaticity accurately even if a resistance for current control is incorporated in the package, it is suitable for a white light source that does not feel strange as a liquid crystal backlight or a proof device. Available.

本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the semiconductor light-emitting device concerning one Embodiment of this invention. 図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。It is AA arrow sectional drawing of FIG. 上記半導体発光装置におけるリードフレーム上の発光ダイオード及びチップ抵抗の配置を示す平面図である。It is a top view which shows arrangement | positioning of the light emitting diode and chip resistor on a lead frame in the said semiconductor light-emitting device. 上記半導体発光装置の製造工程の一部を示すフロー図である。It is a flowchart which shows a part of manufacturing process of the said semiconductor light-emitting device. 上記半導体発光装置と外部の抵抗との接続構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the connection structure of the said semiconductor light-emitting device and external resistance. 本発明の他の実施形態に係る半導体発光装置の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the semiconductor light-emitting device concerning other embodiment of this invention. 図６の半導体発光装置のＢ−Ｂ線矢視断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device of FIG. 図６の半導体発光装置の構造を示す下面図である。It is a bottom view which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of FIG. 本発明の更に他の実施形態に係る半導体発光装置の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the semiconductor light-emitting device which concerns on further another embodiment of this invention. 従来の半導体発光装置の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the conventional semiconductor light-emitting device. 図１０の半導体発光装置の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the semiconductor light-emitting device of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１，１１，２１ 半導体発光装置
２，１２ パッケージ
２ａ 反射板
２ｂ〜２ｄ 長孔
３〜８ リードフレーム
１２ｂ〜１２ｄ 長孔
Ｄ１〜Ｄ３ 発光ダイオード（発光素子）
Ｒ１〜Ｒ３ チップ抵抗
Ｒ４〜Ｒ６ 抵抗 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,11,21 Semiconductor light-emitting device 2,12 Package 2a Reflector 2b-2d Long hole 3-8 Lead frame 12b-12d Long hole D1-D3 Light emitting diode (light emitting element)
R1 to R3 Chip resistors R4 to R6 resistors

Claims (11)

一つのパッケージ内に複数の発光素子が配置されている半導体発光装置において、
それぞれの発光素子に流れる電流を制御するために抵抗値を発光素子の光度に対応させた抵抗がパッケージに内蔵されていることを特徴とする半導体発光装置。 In a semiconductor light emitting device in which a plurality of light emitting elements are arranged in one package,
A semiconductor light emitting device, wherein a resistance having a resistance value corresponding to the luminous intensity of the light emitting element is incorporated in the package in order to control a current flowing through each light emitting element. 請求項１記載の半導体発光装置において、抵抗は発光素子に並列に電気的に接続されていることを特徴とする半導体発光装置。   2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the resistor is electrically connected to the light emitting element in parallel. 請求項１記載の半導体発光装置において、抵抗は発光素子に直列に電気的に接続されていることを特徴とする半導体発光装置。   2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the resistor is electrically connected in series with the light emitting element. 請求項１、２又は３記載の半導体発光装置において、発光素子からの光を所定の方向に反射させるために発光素子を囲むようにして設けられる反射板を有し、抵抗が反射板の外側に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。   4. The semiconductor light emitting device according to claim 1, further comprising a reflector provided so as to surround the light emitting element in order to reflect light from the light emitting element in a predetermined direction, and the resistor is disposed outside the reflector. A semiconductor light-emitting device. 請求項１又は４の半導体発光装置において、抵抗は発光素子が搭載されているリードフレームの発光素子と同じ上面側に搭載されていることを特徴とする半導体発光装置。   5. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the resistor is mounted on the same upper surface side as the light emitting element of the lead frame on which the light emitting element is mounted. 請求項１又は４の半導体発光装置において、抵抗は発光素子が搭載されているリードフレームの発光素子とは反対の下面側に搭載されていることを特徴とする半導体発光装置。   5. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the resistor is mounted on a lower surface side opposite to the light emitting element of the lead frame on which the light emitting element is mounted. 請求項１記載の半導体発光装置において、抵抗は搭載後に抵抗値が変更可能な可変抵抗であることを特徴とする半導体発光装置。   2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the resistor is a variable resistor whose resistance value can be changed after mounting. 請求項１又は７記載の半導体発光装置において、発光素子及び抵抗を搭載後に発光素子を発光させて光度を測定することにより、抵抗の抵抗値が所定値に変更されていることを特徴とする半導体発光装置。   8. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the resistance value of the resistor is changed to a predetermined value by measuring the luminous intensity by causing the light emitting element to emit light after mounting the light emitting element and the resistor. Light emitting device. 請求項７又は８記載の半導体発光装置において、抵抗の抵抗値を外部より変更するための孔がパッケージに設けられていることを特徴とする半導体発光装置。   9. The semiconductor light emitting device according to claim 7, wherein a hole for changing the resistance value of the resistor from the outside is provided in the package. 請求項１記載の半導体発光装置において、発光素子の発振波長を赤、緑、青色を含むことを特徴とする半導体発光装置。   2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the oscillation wavelength of the light emitting element includes red, green, and blue. 請求項１又は１０記載の半導体発光装置において、それぞれの発光素子の光の混合によって所望の白色となるように発光素子に流れる電流値を抵抗によって制御することを特徴とする半導体発光装置。   11. The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein a current value flowing through the light-emitting element is controlled by resistance so that a desired white color is obtained by mixing light of the light-emitting elements.
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