JP2007288156A - アモルファス酸化物膜をゲート絶縁層に用いた電界効果型トランジスタ - Google Patents
アモルファス酸化物膜をゲート絶縁層に用いた電界効果型トランジスタ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板10上に、チャネル層11と、ソース電極13と、ドレイン電極14と、ゲート絶縁層12と、ゲート電極15とが形成され、チャネル層がアモルファス酸化物からなり、ゲート絶縁層が、Yを含有するアモルファス酸化物からなる。Yを含有するアモルファス酸化物としては例えば、結晶化する条件で形成するとペロフスカイト構造となる組成を有する、Yと、MnまたはTiとを含む酸化物を用いることができる。
【選択図】図1
Description
K.Nomura et. al, Nature 432, 488 (2004)
本実施形態のYを含有するアモルファス酸化物からなるゲート絶縁層12の構成成分はY−Mn−OやY−Ti−Oなどがあげられる。これらは、低温成膜するとアモルファスであるが、結晶化することによりペロフスカイト構造になる。
本実施形態のアモルファス酸化物からなるチャネル層11の構成成分はInとGaとZnのうち少なくともいずれか1つを含有する酸化物である。
ソース電極13、ドレイン電極14、ゲート電極15の材料は、Au、Pt、Al、Niなどの金属膜やIn−Sn−O(一般的にITOと呼ばれる)やRuO2などの酸化物を用いることができる。
基板10としては、ガラス基板、プラスチック基板、プラスチックフィルムなどを用いることができる。
上述のチャネル層、ゲート絶縁層は可視光に対して透明であるので、上述の電極及び基板の材料として透明な材料を用いれば、透明な電界効果型トランジスタとすることができる。
さらに、上述の2例においては、表示素子に接続されるTFTをひとつだけ図示したが、本実施形態は必ずしも本構成に限定されるものではない。例えば、図中に示したTFTがさらに本実施形態による別のTFTに接続されていてもよく、図中のTFTはそれらTFTによる回路の最終段であればよい。
11 チャネル層
12 ゲート絶縁層
13 ソース電極
14 ドレイン電極
15 ゲート電極
Claims (9)
- 基板上に、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とが形成され、
前記チャネル層がアモルファス酸化物からなり、
前記ゲート絶縁層が、Yを含有するアモルファス酸化物からなることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 前記Yを含有するアモルファス酸化物は、結晶化する条件で形成するとペロフスカイト構造となる組成を有する、Yと、MnまたはTiとを含む酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記チャネル層が、InとGaとZnとのうち少なくともいずれか1つを含有するアモルファス酸化物からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記基板、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ゲート電極が透明な材料からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記基板が可撓性を有するプラスチックフィルムであり、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ゲート電極が透明な材料からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタ。
- 表示素子の電極に、請求項1から5のいずれか1項に記載の電界効果型トランジスタの前記ソース又はドレイン電極が接続されている表示装置。
- 前記表示素子がエレクトロルミネッセンス素子である、請求項6に記載の表示装置。
- 前記表示素子が液晶セルである、請求項6に記載の表示装置。
- 基板上に前記表示素子及び前記電界効果型トランジスタが二次元状に複数配されている請求項6から8のいずれか1項に記載の表示装置。
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