JP2007287976A - 半導体基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本実施形態の半導体基板21によれば、改質領域形成工程を行う前に、レーザ光Lに対して不透明な保護層61が、領域1の表面に形成されているため、改質領域形成工程において、領域1の表面にレーザ光Lを照射した場合においても、レーザ光Lが弱められる、または、遮断されるので、アブレーションによるパーティクルの発生を防止できる。したがって、アブレーションによるパーティクルの発生を防止できる半導体基板21を実現することができる。つまり、半導体チップにパーティクルが付着することがないため、パーティクルの発生による製品の歩留まり低下や品質低下を防止できる。
【選択図】 図1
Description
図3(A)に示すように、レーザ光Lを照射するレーザヘッドHは、レーザ光Lを集光する集光レンズCVを備えており、レーザ光Lを所定の焦点距離で集光させる。改質領域形成工程では、レーザ光Lの集光点PがウェハWの表面から深さdの箇所に形成されるように設定したレーザ光照射条件で、ウェハWを分断する分断予定ラインDL上に沿って(図中手前方向)レーザヘッドHを移動させ、レーザ光LをウェハWの表面から照射する。これにより、レーザ光Lの集光点Pが走査された深さdの経路には、多光子吸収による改質領域Kが形成される。
ここで、多光子吸収とは、物質が複数個の同種もしくは異種の光子を吸収することをいう。その多光子吸収により、半導体基板Wの集光点Pおよびその近傍では、光学的損傷という現象が発生し、これにより熱ひずみが誘起され、その部分にクラックが発生し、そのクラックが集合した層、つまり改質領域Kが形成される。
レーザ光Lがパルス波の場合、レーザ光Lの強度は、集光点Pのピークパワー密度(W/cm2)で決まり、例えばピークパワー密度が1×108(W/cm2)以上でパルス幅が1μs以下の条件で多光子吸収が発生する。レーザ光Lとしては、例えば、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザによるレーザ光を用いる。そのレーザ光Lの波長は、例えば1064nmの赤外光領域の波長である。
続いて、図3(B)に示すように、半導体基板Wの面内方向(図中矢印F2、F3で示す方向)に応力を負荷することにより、改質領域Kを起点にして、基板厚さ方向にクラックCを進展させて、半導体基板Wを分断予定ラインDLに沿って分断する。
また、改質領域形成工程において、レーザ光Lの集光点Pの深さdを調整することにより、半導体基板21の厚さの範囲内で任意の深さに任意の層数の改質領域Kを形成することができる。例えば、厚さが比較的厚い場合は、その厚さ方向へ集光点Pを移動させて改質領域Kを厚さ方向に連続状、または複数箇所に形成することにより、半導体基板21の分断を容易にすることができる。
しかし、この場合には、新たな改質領域Kを形成する度に、レーザ光Lが面取り加工が施されている部分を走査するため、アブレーションによるパーティクル発生の影響が大きくなる。
なお、上記集光点とは、レーザ光が集光した箇所のことである。
したがって、アブレーションによるパーティクルの発生を防止できる半導体基板を実現することができる。つまり、半導体チップにパーティクルが付着することがないため、パーティクルの発生による製品の歩留まり低下や品質低下を防止できる。
更に、領域1においてレーザ光の照射を停止する必要がないため、一旦、レーザ光を停止した後に、再度レーザ光を照射するためのタイムラグもない。
分断予定ラインDLには、外周端部21cから径方向に所定の距離(例えば、1mm程度)の範囲であって、面取り部21bを含む領域1と、領域1の内側で平坦な表面21aのみから構成される領域2とが設定されており、外周端部21cから領域1と領域2の境界まで、面取り部21bを覆ってレーザ光に対して不透明な保護層61が形成されている。保護層61は、アルミニウム、チタンなどの金属膜のスパッタや粘土、レジストやポリイミドなどの樹脂塗料の塗布などにより形成することができる。樹脂塗料としては、染料を含有している塗料を用いることもできる。ここで、保護層61は、レーザ光を十分に減衰させる、または、遮断するために、1μm以上の厚さに形成することが好ましい。
次に、分断予定ラインDLに沿って、半導体基板21の外周端部21cよりも外側から内側に向かって(図中矢印F4方向)レーザヘッド31を走査する。このとき、領域1では、面取り部21bを覆って形成されている保護層61により、レーザ光Lを弱める、あるいは、遮断することができる。
これにより、領域1では面取り部21bでレーザ光Lの集光点P2が合うことがないため、面取り部21bの表面におけるアブレーションを防ぐことができる。
また、保護層61は半導体基板21に直接形成されるため、レーザを遮蔽する部材を使用した場合のように、半導体基板21とレーザ光Lを遮蔽する部材との位置関係を正確に決める必要がない。更に、領域1においてレーザ光Lの照射を停止する必要がないため、一旦、レーザ光Lを停止した後に、再度レーザ光Lを照射するためのタイムラグもない。
領域2では、レーザ光Lの集光点Pが走査された深さdの経路に、改質領域Kが適正に形成される。
本実施形態の半導体基板21によれば、改質領域形成工程を行う前に、レーザ光Lに対して不透明な保護層61が、領域1の表面に形成されているため、改質領域形成工程において、領域1の表面にレーザ光Lを照射した場合においても、レーザ光Lが弱められる、または、遮断されるので、アブレーションによるパーティクルの発生を防止できる。
したがって、アブレーションによるパーティクルの発生を防止できる半導体基板21を実現することができる。つまり、半導体チップにパーティクルが付着することがないため、パーティクルの発生による製品の歩留まり低下や品質低下を防止できる。
半導体基板21には、シリコンのみで構成された半導体基板を用いたが、本発明の適用はこれに限られることはなく、例えば、酸化シリコンからなる酸化膜を半導体基板21の表面21aに形成したものやSOI(Silicon On Insulator)のウェハについて適用することも可能である。
改質領域Kが請求項1に記載の改質領域に、チップDevが半導体チップに、領域1が第1の領域にそれぞれ対応する。
2 領域
20a ウェハ
21 半導体基板
21a 表面
21b 面取り部
21c 外周端部
31 レーザヘッド
61 保護層
CV 集光レンズ
Dev チップ(半導体チップ)
DL 分断予定ライン
K 改質領域
L レーザ光
M 外周縁部
P、P2 集光点
W ウェハ
Claims (2)
- 半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って、レーザ光を照射するレーザヘッドを前記半導体基板に対して相対移動させながら、前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、
この改質領域形成工程を経た前記半導体基板を、前記改質領域を起点にして、前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得る分断工程と、を備えた半導体基板の分断方法に用いる半導体基板において、
前記改質領域形成工程を行う前に、前記レーザ光に対して不透明な保護層が、前記分断予定ラインであって、前記半導体基板の外周端部から所定の第1の領域の表面に形成されていることを特徴とする半導体基板。 - 前記第1の領域は、前記半導体基板の外周端部に面取り加工が施された面取り部であることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板。
Priority Applications (1)
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JP2006114429A JP2007287976A (ja) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | 半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006114429A JP2007287976A (ja) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | 半導体基板 |
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2006
- 2006-04-18 JP JP2006114429A patent/JP2007287976A/ja active Pending
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