JP2007287660A - 有機発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも基材を有する基板と、前記基板上に配置されている少なくとも1つの有機発光素子と、前記有機発光素子上および前記基板表面に成膜されている無機封止層と、を有し、前記有機発光素子は、前記基板上に形成されている一対の電極と、前記一対の電極間に配置されている有機化合物層と、を有する有機発光装置において、封止層9を絶縁層3あるいは平坦化層4と密着させる密着層10が面内の発光領域の周囲の領域Aにのみ配置されている。
【選択図】図1
Description
前記基板表面と前記無機封止層とを密着させる密着層が、前記基板と前記無機封止層との間で前記発光領域の周囲にのみ形成されていることを特徴とする有機発光装置を提供する。
本発明の密着層10は、封止層9をガラス基板1上の絶縁層3あるいは平坦化層4への密着性を向上させるために設けられた中間層であり、有機発光装置の端部において、水分やガス成分の侵入を防止する効果が得られる。本発明の密着層10を形成しない構成においては、封止層9と絶縁層3あるいは封止層9と平坦化層4との密着性が十分得られず、封止層9とそれに接する層との界面から水分等が浸入してしまう。また、有機発光装置の発光領域の周囲における切断位置において、封止層9のクラックや剥離の発生が避けられない。有機発光装置の切断部における封止層9のやクラックや剥離は、水分やガス成分の伝播経路となり、有機化合物層の発光劣化を引き起こす原因となる。封止層9のクラックや剥離が発生する領域を見込んで、切断位置をより広く取ることも可能であるが、その場合には発光領域の周囲の面積が大きくなり、有機発光装置の狭額縁化とは相反する。
ガラス基板1上にTFT2を形成し、その上に絶縁層3、平坦化層4を順に成膜する。そして、TFT2の電極との電気的接続を図るために、絶縁層3、平坦化層4にエッチングによってコンタクトホールを設け、コンタクトホール上に成膜されるようにAgをスパッタリングによって成膜する。その後、各有機発光部に対応するようにエッチングする。
第1電極が形成された基材上にホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を真空蒸着によって成膜する。また、RGB3色の画素を有する装置の場合には必要に応じてシャドウマスクを用いて所望の画素にのみ成膜することによって発光色毎に塗り分ける。
有機化合物層6の上に、ITOからなる第2電極7をスパッタにより膜厚60nmで成膜した後、第2電極7と同様の材料であるITOからなる密着層10をスパッタにより膜厚100nm成膜する。
更に、平坦化層4、有機化合物層6、第2電極7、素子分離膜8を覆うように、VHFプラズマCVDで窒化シリコン膜を5μm成膜し、封止層9を成膜する。
次に、封止層9を含むその上部を、画素部が凹構造となっており、吸湿膜13が形成されたエッチングガラス11で覆い、エッチングガラスの周囲を接着剤12で封止する。続いて、円偏光板14をエッチングガラス11に貼り合わせる。エッチングガラス端から0.3mmの位置でガラス基板1を含む積層体を切断し、図1の有機発光装置を作成する。
本実施例について、図10を用いて説明する。
本実施例では、図10の評価サンプルを作成し、切断面からの水分の浸入の有無について、Ca腐食による透過率の変化で評価した。Ca層は水および酸素と反応することにより、Ca膜の透過率が変化する。
次に、Caの成膜端から0.3mmの位置でガラス基板を作成し、図10の評価サンプルを作成した。
本比較例について、図11を用いて説明する。
本比較例では、図11の評価サンプルを作成し、切断面からの水分の浸入の有無について、Ca腐食による透過率の変化で評価した。
本比較例の評価サンプルは実施例1と同様の工程にて作成されるが、密着層10となるITOについては、形成しなかった。
実施例1のサンプルの切断面についてSEMを用いて観察すると、封止層9の剥離、クラックはほとんど見られず、切断による封止層9の損傷は、切断位置から0.05mm以内であった。また、実施例1の評価サンプルを温度60℃、相対湿度90%RHの恒温恒湿槽内に放置し、1000hr経過後に測定してもCaの透過率は変化しなかった。
本実施例について、図1および図7を用いて説明する。
本実施例では、図7に示すように、有機表示装置の表示領域18の周囲において、周辺回路19が形成されている辺にのみ密着層10を形成して、素子の発光特性評価を行った。
本実施例について、図12を用いて説明する。
本実施例では、実施例2と同じ領域に密着層10を形成して、素子の発光特性評価を行った。
本実施例について、図8および図13を用いて説明する。
本実施例では、図8に示すように、有機表示装置の表示領域18の全周囲において密着層10を形成して、素子の発光特性評価を行った。電源および信号配線と密着層10は絶縁されている。
比較例について、図14を用いて説明する。
実施例2と同様にして図14の構成の有機表示装置を作製した。但し、有機表示装置の表示領域18の周囲に密着層10を設けていない。
実施例2および3および4の有機ELパネルを温度60℃、相対湿度90%RHの恒温恒湿槽内に放置し、1000hr経過後に評価しても、VI特性及び輝度の劣化は確認されない。また、有機EL表示装置の外周領域からの輝度変化及びΦ1μm以上のダークスポットも、画素周辺からの輝度劣化及びΦ1μm以上のダークスポットも発生しない。
2 TFT(スイッチング素子)
3 絶縁層
4 有機平坦化層
5 第1電極
6 有機化合物層
7 第2電極
8 素子分離膜
9 封止層
10 密着層
11 エッチングガラス
12 接着剤
13 吸湿膜
14 円偏光板
15 カバーガラス
16 充填材
17 粘着材
18 表示領域
19 周辺回路
20 引き出し線
21 Ca
Claims (9)
- 少なくとも基材を有する基板と、前記基板上に配置されている少なくとも1つの有機発光素子と、前記有機発光素子上および前記基板表面に成膜されている無機封止層と、を有し、前記有機発光素子は、前記基板上に形成されている一対の電極と、前記一対の電極間に配置されている有機化合物層と、を有する有機発光装置において、
前記基板表面と前記無機封止層とを密着させる密着層が、前記基板と前記無機封止層との間で前記発光領域の周囲にのみ形成されていることを特徴とする有機発光装置。 - 前記封止層は光を透過する部材であり、前記有機化合物層で発光する光は前記無機封止層を介して外部に取り出されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光装置。
- 前記密着層は、前記無機封止層に覆われていることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記密着層の材料は、少なくともIn、Sn、Zn、Siの1種を含有する無機材料もしくはダイヤモンドライクカーボンのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記密着層の材料は、ITOであることを特徴とする請求項4に記載の有機発光装置。
- 前記密着層の材料が、前記一対の電極のうち少なくともいずれか一方の電極の材料と同じであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記無機封止層上に別の封止層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記基板は、前記基板の分割によって形成される辺を有しており、
前記無機封止層は、前記有機発光素子上から前記辺に延在している。請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の有機発光装置。 - 前記有機発光装置はアクティブマトリクス型発光装置であり、前記基板は前記基材上に複数のスイッチング素子を有していることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の有機発光装置。
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