JP2007281053A - Thin plate housing container - Google Patents

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Yukihiro Hyobu
行遠 兵部
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin plate housing container capable of taking in and out an ultra-thin wafer without causing damage thereof, and carrying and processing it. <P>SOLUTION: The thin plate housing container capable of vacuum-sucking and fixing the ultra-thin wafer 37 is used. A vacuum sucker of the housing container has a wafer sucking surface for placing the wafer, a plurality of sucking holes opened on the sucking surface and used for vacuum-sucking the wafer, a decompression chamber to which the sucking holes are connected, a sucking port to be connected to an external vacuum line, and an air inlet hole for connecting the decompression chamber to the sucking port. Supporting partitions are provided in the decompression chamber, and support the sucking plate. The sucking plate has a structure capable of being separated from the housing container. The container has a double layer structure in which the sucking surface is made of an elastic material, and the other surface is made of a polymer material having a predetermined strength. In the housing container, the wafer sucking surface is preferably formed into a concave shape for its peripheral edge. Since the wafer is vacuum-sucked and fixed, transfer and process of the thin-plate housing container can be automated. The housing container can be repetitively used, and buren on the environment is small. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、半導体用ウエハを搭載する薄板収納容器に関する。特に極薄化したウエハを安全に確実に搭載する薄板収納容器に関する。   The present invention relates to a thin plate container for mounting a semiconductor wafer. In particular, the present invention relates to a thin plate container for safely and securely mounting an extremely thinned wafer.

半導体用ウエハの一方の面(以下、表面)に、トランジスタ、不純物拡散層および導電体層等の素子を形成した後で、ウエハの裏面を研削しウエハ厚みを所望の厚みに加工することが一般に行われている。この加工の後で、所望の形状(大きさ)にダイシングされ、半導体チップ加工される。このチップが半導体パッケージや、回路基板等に搭載される。この半導体パッケージや回路基板等に、極めて薄いものが要求されてきていて、その場合には最終のウエハ厚みを極薄化する必要がある。半導体素子形成時における初期のウエハの厚みは、300〜1000μmであるが、最終のウエハ厚み(チップ厚み)は10〜200μmになる場合もある。このような薄いウエハになると、何ら支持のない単独のウエハでは、ウエハの表面と裏面の応力差により激しく湾曲したり(いわゆる、反りが大きくなり)、またウエハの強度が小さくなり、ウエハに傷や欠陥を誘発する可能性が高くなる。あるいは、最終のウエハ厚みが上記ほど薄くない場合であっても(たとえば、ウエハ厚み200〜400μm)、ウエハが大口径化した場合(たとえば、200mm以上)にも、ウエハが激しく湾曲したり、ウエハに傷や欠陥を誘発する可能性が高くなる。この結果、ウエハが極薄化した後は、ウエハの搬送やプロセスが非常に困難である。   Generally, after forming elements such as a transistor, an impurity diffusion layer, and a conductor layer on one surface (hereinafter referred to as a front surface) of a semiconductor wafer, the back surface of the wafer is ground and the wafer thickness is processed to a desired thickness. Has been done. After this processing, dicing into a desired shape (size) and semiconductor chip processing are performed. This chip is mounted on a semiconductor package, a circuit board, or the like. There has been a demand for extremely thin semiconductor packages and circuit boards. In that case, it is necessary to make the final wafer thickness extremely thin. The initial wafer thickness when forming the semiconductor element is 300 to 1000 μm, but the final wafer thickness (chip thickness) may be 10 to 200 μm. When such a thin wafer is used, a single wafer without any support may be severely curved (so-called warpage increases) due to the difference in stress between the front and back surfaces of the wafer, and the strength of the wafer decreases, causing damage to the wafer. And is more likely to induce defects. Alternatively, even when the final wafer thickness is not as thin as described above (for example, a wafer thickness of 200 to 400 μm), even when the diameter of the wafer is increased (for example, 200 mm or more), There is a high possibility of inducing scratches and defects. As a result, after the wafer has become extremely thin, it is very difficult to carry or process the wafer.

上記の問題に対して、平板上より極薄ウエハの直径より僅かに大きい直径の半円弧状ガイドを起立させた収納棚の複数を、支柱を介して等間隔で上下に平行に並べた多段式収納カセットが提案されている(たとえば、特開2004-273867)。また、互いに嵌合して積層可能な収納容器の間に極薄ウエハをスペーサーシートで挟持して収納するものも提案されている(たとえば、特開2005-191419)。さらには、ウエハ裏面研削工程で用いたウエハ表面保護フィルムを付着させた状態で、ウエハ裏面研削工程の後に、ウエハ裏面にダイシングテープを貼合し、その後で前記ウエハ表面保護フィルムを剥離し、ダイシングすることが提案されている(たとえば、特開2002-246345号公報、特開2004-186296号公報)。   To solve the above problem, a multi-stage system in which a plurality of storage shelves each having a semicircular arc guide having a diameter slightly larger than the diameter of a very thin wafer on a flat plate are arranged in parallel vertically at equal intervals via a column. A storage cassette has been proposed (for example, JP 2004-273867 A). In addition, an apparatus has been proposed in which an ultra-thin wafer is sandwiched and stored between storage containers that can be fitted and stacked together (for example, JP-A-2005-191419). Furthermore, with the wafer surface protection film used in the wafer back surface grinding process adhered, after the wafer back surface grinding process, a dicing tape is bonded to the wafer back surface, and then the wafer surface protection film is peeled off and dicing is performed. It has been proposed (for example, JP 2002-246345 A, JP 2004-186296 A).

また、ウエハ裏面研削後のウエハは、たとえウエハ表面保護フィルムやダイシングテープが付着しウエハを支持していても、そのままでは平坦な状態を維持できないため、工程間搬送や工程内搬送を自動で行うことができず、大半はマニュアルで行っている。たとえば、ウエハ切断前後の外観検査も一枚一枚手動で搬送している。   In addition, even if a wafer surface protective film or a dicing tape is attached to the wafer after grinding the wafer back surface, the wafer cannot be kept flat even if it is supported, so inter-process transfer and in-process transfer are performed automatically. I can't, and most are done manually. For example, visual inspection before and after wafer cutting is also manually carried one by one.

特開2004-273867JP2004-273867 特開2005-191419JP2005-191419 特開2002-246345号公報JP 2002-246345 JP 特開2004-186296号公報JP 2004-186296 A

しかしながら、提案された収納カセットにおいては、開閉機構が大掛かりになる上に、常にウエハを平坦な状態で取り扱うことが困難である。この結果、容器の高価格化を招くと同時に、ウエハの変形によるマイクロクラックの発生や作業性の困難さなどが原因となるウエハの損傷が発生するという課題を有している。また、スペーサーシートを有する容器においては、消耗品であるスペーサーが必要となるために、ランニングコストが高くなり、地球に優しい構造となっていない。さらに、搬送時にウエハが動きやすい構造になっているために、搬送時にウエハを損傷し易いという問題もある。ウエハ裏面研削後にウエハ厚みが極薄になった場合、または/及びウエハが大口径の場合には、ウエハ裏面研削後にウエハ表面保護フィルムを剥離すると、ウエハが反ったり、破損しやすくなるという問題がある。   However, in the proposed storage cassette, the opening / closing mechanism becomes large and it is difficult to always handle the wafer in a flat state. As a result, the price of the container is increased, and at the same time, there is a problem that the wafer is damaged due to generation of microcracks due to deformation of the wafer, difficulty in workability, and the like. In addition, since the container having the spacer sheet requires a spacer which is a consumable item, the running cost is high and the structure is not friendly to the earth. Further, since the wafer is easily moved during the transfer, there is a problem that the wafer is easily damaged during the transfer. When the wafer thickness becomes extremely thin after grinding the wafer back surface, and / or when the wafer has a large diameter, if the wafer surface protective film is peeled after grinding the wafer back surface, the wafer is likely to be warped or damaged. is there.

また、ウエハ裏面研削後にウエハ厚みが極薄になった場合、または/及びウエハが大口径の場合には、たとえウエハ表面保護フィルムが付着していても、ダイシングテープが付着していても、ウエハはフレキシビリティ(柔軟性)があり、ウエハ単独で平坦な状態を維持することは困難である。このため、ウエハ裏面研削後の工程を自動で搬送または処理することができず、人手が介在したり、ウエハに損傷を与える危険性が高いという問題がある。このため極めて高価なプロセスとなっている。   In addition, when the wafer thickness becomes extremely thin after grinding the wafer back surface, and / or when the wafer has a large diameter, even if the wafer surface protective film is adhered or the dicing tape is adhered, Has flexibility, and it is difficult to maintain a flat state by itself. For this reason, there is a problem that the process after grinding of the wafer back surface cannot be automatically conveyed or processed, and there is a high risk of manual intervention or damage to the wafer. This makes it an extremely expensive process.

さらに、良品判定の電気特性検査は、ウエハの裏面研削前に行うため、ウエハ裏面研削後に変動した電気特性の変化を検出することができなかったり、不良化したチップを良品として製品に搭載してしまうという問題がある。これを防止する一つの方法として、ウエハ裏面研削前の検査では、ある程度厳しい検査をして、ウエハ裏面研削後に変動した電気特性の変化に対応しているが、歩留まりを落とす原因となり、コストアップの要因となっている。ウエハ裏面研削後に破壊したり、損傷を受けたウエハは、電気特性検査を全くする必要がないにも関わらず、ウエハ裏面検査前に電気特性検査をしなければならず、高価な半導体検査装置(テスター)を使うため、
これもコストアップの要因となっている。
Furthermore, since the electrical property inspection for non-defective product determination is performed before the backside grinding of the wafer, changes in electrical properties that have changed after the backside grinding of the wafer cannot be detected, or defective chips are mounted on the product as good products. There is a problem of end. As one method to prevent this, in the inspection before grinding the backside of the wafer, a strict inspection is performed to cope with the change in the electrical characteristics that fluctuated after the backside grinding of the wafer. It is a factor. A wafer that has been broken or damaged after grinding of the wafer back surface must be subjected to an electrical property inspection before the wafer back surface inspection, although it is not necessary to conduct an electrical property inspection at all. Tester),
This also increases the cost.

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、微小な外力によって破損しやすい極薄ウエハを破損せずに出し入れすると同時に、搬送・処理することが可能な薄板収納(保持)容器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems. An object of the present invention is to provide a thin plate storage (holding) container capable of transferring and processing an ultrathin wafer that is easily damaged by a minute external force without being damaged.

ウエハを真空吸着し固定できる薄板収納容器を用いる。薄板収納容器は真空吸着部を有していて、ウエハ裏面を真空吸着できるようになっている。真空吸着部は、ウエハを載置する吸着面、ウエハを真空吸着する吸着孔、真空を保持する減圧室、外部の真空引き装置に接続する吸引口、および吸引口と減圧室を結ぶ吸気孔を含む。吸引口には、外部と真空吸着部との接続を開閉する切替弁や逆止弁がついている。減圧室には支持隔壁が配置され、多数の部分室に分離されている。支持隔壁には連通孔があいている。薄板収納容器は、減圧室より上の部分(吸着板という)が、減圧室、吸気孔および吸引口を含む下の部分(薄板収納容器基板という)と分離できる。また、好適な薄板収納容器の構造は、薄板収納容器のウエハ載置部が周縁部に対して凹状になっている。さらには、吸着板の構造は、ウエハ吸着面側が弾性高分子材料であり、他方が一定の強度を有する高分子材料である、二層構造となっている。   A thin plate container that can hold and fix a wafer by vacuum suction is used. The thin plate container has a vacuum suction portion so that the back surface of the wafer can be vacuum suctioned. The vacuum suction unit has a suction surface for placing a wafer, a suction hole for vacuum-sucking the wafer, a decompression chamber for holding a vacuum, a suction port connected to an external vacuuming device, and an suction hole connecting the suction port and the decompression chamber. Including. The suction port is provided with a switching valve and a check valve for opening and closing the connection between the outside and the vacuum suction unit. A support partition is disposed in the decompression chamber and is separated into a number of partial chambers. The support partition has a communication hole. In the thin plate container, a portion above the decompression chamber (referred to as an adsorption plate) can be separated from a lower portion (referred to as a thin plate storage container substrate) including the decompression chamber, the suction hole and the suction port. In a preferred structure of the thin plate container, the wafer mounting portion of the thin plate container is concave with respect to the peripheral portion. Furthermore, the structure of the suction plate has a two-layer structure in which the wafer suction surface side is an elastic polymer material and the other is a polymer material having a certain strength.

薄板収納容器の吸引口が外部の真空引き装置に接続し、ウエハが薄板収納容器に載置されると、真空引き装置によって吸引口および吸気孔を通して、減圧室の空気が吸引され、さらに吸着口を通してウエハが吸着面に吸着される。ウエハが確実に吸着され、薄板収納容器に固定された後に、切替弁等が閉じられ、薄板収納容器の真空吸着部が真空に保持される。また、切替弁等が閉じられた後には、薄板収納容器は外部の真空引き装置と切り離される。ウエハは大気圧と真空吸着部との圧力差によって、薄板収納容器に固定され平坦状に保持されているので、薄板収納容器の搬送やプロセスなどにおいても、ウエハは薄板収納容器から動くことはない。また、ウエハを薄板収納容器に吸着した後は、ウエハが平坦な状態を維持できる。従って、ウエハが極薄になった後でも、搬送を自動化できる。   When the suction port of the thin plate storage container is connected to an external vacuuming device and the wafer is placed on the thin plate storage container, the air in the decompression chamber is sucked through the suction port and the suction hole by the vacuuming device, and the suction port The wafer is attracted to the attracting surface through. After the wafer is securely sucked and fixed to the thin plate container, the switching valve and the like are closed, and the vacuum suction part of the thin plate container is held in vacuum. In addition, after the switching valve or the like is closed, the thin plate container is separated from the external vacuuming device. Since the wafer is fixed to the thin plate container and held flat by the pressure difference between the atmospheric pressure and the vacuum suction part, the wafer does not move from the thin plate container even during the transport or process of the thin plate container. . Moreover, after adsorbing the wafer to the thin plate container, the wafer can be kept flat. Therefore, even after the wafer becomes extremely thin, the transfer can be automated.

吸着板は薄板収納容器基板から分離できるため、吸着板が磨耗したりして使用困難になった場合には簡単に交換できる。減圧室には支持隔壁が設置されているので、吸着板を下から支持しているため、吸着板の変形が殆ど発生しない。従って、吸着板を薄くすることができる。繰り返しの真空引きにも変形が少ないためウエハの吸着が確実に行われるため、ウエハ吸着用の薄板収納容器としての信頼性も高い。減圧室は、支持隔壁により多数の部分室に分離されているが、連通孔があいているために、すべての部分室が真空に引かれる。部分室には吸着孔があいていて、その上に載置されるウエハを真空吸着する。多数の部分室が均等な面積になるように設計されているので、ウエハの吸着がウエハ内全面に渡り均等に行われる。指示隔壁がない場合には、減圧室の中でも最も先に真空引きされる吸引開口付近のウエハ吸着が急速に行われ、そこから遠い場所は真空引きが遅かったため、ウエハにかかる負担が大きくウエハ損傷の原因になっていたが、支持隔壁を設けることにより、ウエハの吸着がウエハ内全面に渡り均等に行われ、ウエハ損傷がかなり少なくなる。吸着板は取り外し可能であるから、薄板収納容器の内部まで洗浄できるようになった。加えて、支持隔壁も取り外し可能にすることにより、減圧室や吸気孔までも洗浄可能となった。この結果、汚染やパーティクル対策が充分行われ、薄板収納容器の寿命を飛躍的に長くすることができる。   Since the suction plate can be separated from the thin plate container substrate, it can be easily replaced when the suction plate becomes worn or difficult to use. Since the support partition is installed in the decompression chamber, the suction plate is supported from below, so that the suction plate hardly deforms. Therefore, the suction plate can be made thin. Since there is little deformation even during repeated evacuation, the wafer is surely sucked, so the reliability as a thin plate container for wafer suction is high. The decompression chamber is separated into a number of partial chambers by the supporting partition walls, but all the partial chambers are evacuated because of the communication holes. The partial chamber has a suction hole, and a wafer placed thereon is vacuum-sucked. Since a large number of partial chambers are designed to have an equal area, the wafer is sucked evenly over the entire surface of the wafer. When there is no indicator partition, wafer suction near the suction opening, which is evacuated first in the decompression chamber, was performed rapidly, and evacuation was slow at locations far from it, resulting in a large burden on the wafer and damage to the wafer. However, by providing the support partition, the wafer is attracted uniformly over the entire surface of the wafer, and the wafer damage is considerably reduced. Since the adsorption plate can be removed, the inside of the thin plate container can be cleaned. In addition, by making the support partition detachable, the decompression chamber and the intake hole can be cleaned. As a result, contamination and particle countermeasures are sufficiently performed, and the life of the thin plate container can be greatly increased.

また、薄板収納容器のウエハ載置部が周縁部に対して凹状になった薄板収納容器は、ウエハを吸着し搭載しても、何ら冶工具を使わずにそのまま薄板収納容器を積層できるという利点がある。また、ウエハを載置する時にウエハの端部が傾斜面にかかってもウエハが滑り載置部(ウエハ吸着面)に載置することができる。特にこの部分に潤滑性高分子材料を用いた場合には、この効果が顕著である。潤滑性高分子材料として、PBT(ポリブチレンテレフタレート)、PBN(ポリブチレンナフタレート)。PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PFA(パーフルオロアルコキシアルカン)等が挙げられる。尚、潤滑性材料と潤滑性高分子以外の材料とを一緒に用いた場合にも上記の効果がある。   In addition, the thin plate storage container in which the wafer mounting portion of the thin plate storage container is concave with respect to the peripheral portion can be laminated as it is without using any tool even if the wafer is sucked and mounted. There is. Further, when the wafer is placed, the wafer can be placed on the sliding placement portion (wafer suction surface) even if the end portion of the wafer is on the inclined surface. This effect is particularly remarkable when a lubricating polymer material is used in this portion. PBT (polybutylene terephthalate) and PBN (polybutylene naphthalate) as the lubricating polymer material. PTFE (polytetrafluoroethylene), PFA (perfluoroalkoxyalkane) and the like can be mentioned. Note that the above-described effect is also obtained when a lubricating material and a material other than the lubricating polymer are used together.

吸着板を二層構造としたり、吸着板に弾性高分子材料からなる支持ネットを付着することにより、ウエハを載置したり真空吸着する時の衝撃が緩和され、ウエハの破損や損傷が殆ど起こらなくなる。減圧室に支持隔壁を設置しているので、弾性高分子材料を用いても吸着板を厚くしたりする必要もない。   By making the adsorption plate into a two-layer structure or attaching a support net made of an elastic polymer material to the adsorption plate, the impact when placing or vacuuming the wafer is alleviated, causing almost no damage or damage to the wafer. Disappear. Since the support partition is provided in the decompression chamber, it is not necessary to increase the thickness of the adsorption plate even if an elastic polymer material is used.

以上のような効果があるので、本発明の薄板収納容器を用いることにより、たとえ、ウエハが極薄(たとえば、ウエハ厚み10〜200μm)であっても、または大口径(ウエハ厚みが200〜400μmで、ウエハ直径が200mm以上)であっても、ウエハが破損したりすることはない。   Because of the effects as described above, even if the wafer is extremely thin (for example, a wafer thickness of 10 to 200 μm) or a large diameter (wafer thickness of 200 to 400 μm) by using the thin plate container of the present invention. Even if the wafer diameter is 200 mm or more), the wafer is not damaged.

以上から、本発明の薄板収納容器を用いることにより、歩留まりの高いプロセスを構築できる。   From the above, it is possible to construct a process with a high yield by using the thin plate container of the present invention.

以上の他にも、本発明は以下のような効果もある。   In addition to the above, the present invention has the following effects.

ウエハを吸着した薄板収納容器が工程中で滞留しても、工程間で清浄かつ安全にストックできるために、加工効率を向上させることができ、工程設計が容易になる。すなわち、ウエハの表面が他のものに接触しないように、ウエハ(収納容器)ケースに収納あるいは、ウエハが重ならないような収納容器を用いることにより、収納容器の上積み保管も可能となる。このことにより、工程間にウエハ(収納容器)やウエハ(収納容器)ケースをストックできるため、装置効率や処理効率を高めることができ、フレキシブル(柔軟)に工程設計が可能となる。   Even if the thin plate container that adsorbs the wafer stays in the process, it can be stocked cleanly and safely between processes, so that the processing efficiency can be improved and the process design becomes easy. In other words, the storage container can be stored on top of each other by using a storage container that is stored in a wafer (storage container) case or does not overlap the wafer so that the surface of the wafer does not come into contact with other objects. As a result, since wafers (storage containers) and wafer (storage containers) cases can be stocked between processes, apparatus efficiency and processing efficiency can be increased, and process design can be made flexibly.

薄板収納容器等に、バーコードや、RFタグ(Radio Frequency Tag)のような無線タグなどの情報表示手段を取り付けることが容易となり、ウエハの枚葉管理ができ、的確かつ正確な処理をウエハに施すことができる。また、ウエハのトレーサビリティを向上させることが可能となる。   Information display means such as barcodes and radio tags such as RF tags (Radio Frequency Tags) can be easily attached to thin plate containers, etc., wafer wafer management is possible, and accurate and accurate processing is performed on wafers. Can be applied. In addition, the traceability of the wafer can be improved.

また、繰り返しになるが、工程間および工程内搬送や処理が自動化できるため、ウエハ(収納容器)検査や処理において、ウエハを破損することなく安全に行うことができ、加工歩留まりを向上させることができる。   In addition, although it can be repeated, since transfer and processing between processes can be automated, wafer (storage container) inspection and processing can be performed safely without damaging the wafer, and the processing yield can be improved. it can.

薄板収納容器は洗浄することで繰り返し使用することが可能であり、消耗品を極力少なくし、環境にやさしく、安価な製造が可能となるという利点もある。   The thin plate container can be used repeatedly by washing, and there is an advantage that consumables are reduced as much as possible, environmentally friendly and inexpensive manufacturing is possible.

本発明において、ウエハとは主には半導体ウエハを指す。たとえば、半導体ウエハの材料は、シリコン(Si)やゲルマニウム(Ge)などの単元素半導体材料や、シリコンゲルマニム(SiGe)や砒化ガリウム(GaAs)やインジウムリン(InP)等の化合物半導体材料や、GaAlAs等の3元系以上の半導体材料である。しかし、これらにかかわらず、絶縁物の上に半導体デバイスを形成したものも含まれる。たとえば、ガラスや石英やプラスチックなどの上に薄膜デバイスを作成したもの、ガラスや石英やプラスチックなどの上に半導体材料を貼りあわせたものである。あるいは、金属の上に絶縁物・半導体材料を貼りあわせたものも含まれる。さらには、プラスチック等の高分子材料も含まれる。   In the present invention, a wafer mainly refers to a semiconductor wafer. For example, semiconductor wafer materials include single element semiconductor materials such as silicon (Si) and germanium (Ge), compound semiconductor materials such as silicon germanium (SiGe), gallium arsenide (GaAs), and indium phosphide (InP), It is a ternary or higher semiconductor material such as GaAlAs. However, regardless of these, a semiconductor device formed on an insulator is also included. For example, a thin film device is formed on glass, quartz, plastic, or the like, and a semiconductor material is bonded on glass, quartz, plastic, or the like. Or the thing which bonded the insulator and the semiconductor material on the metal is also contained. Furthermore, polymer materials such as plastics are also included.

半導体プロセスにおいて、ウエハの表面にトランジスタ等の能動素子、抵抗・コンデンサ・インダクタンス等の受動素子や配線・絶縁層等を形成し、半導体デバイスが作製される。本発明に適用される半導体デバイスとして、メモリ、CPU、システムIC、アナログIC、デジタルICなどがあるが、広義には単体の能動素子や受動素子も含まれる。すなわち、能動素子や受動素子を少なくとも1個以上含むものを表す。一般に半導体ウエハ上には、これらの半導体デバイスが多数形成され、個片(いわゆる、チップ)に切断された後に、用途に応じて種々の製品に搭載される。たとえば、半導体パッケージの場合には、リードフレームに搭載される。また回路基板に搭載され、携帯電話やICカードやPCなど種々の機器に用いられる場合もある。さらに、液晶や有機EL(エレクトロルミネッセンス)等の表示素子も含まれる。   In a semiconductor process, an active element such as a transistor, a passive element such as a resistor / capacitor / inductance, a wiring / insulating layer, or the like is formed on the surface of a wafer to manufacture a semiconductor device. The semiconductor device applied to the present invention includes a memory, a CPU, a system IC, an analog IC, a digital IC, and the like, but includes a single active element and passive element in a broad sense. That is, it represents one including at least one active element or passive element. In general, a large number of these semiconductor devices are formed on a semiconductor wafer, and after being cut into individual pieces (so-called chips), they are mounted on various products depending on applications. For example, in the case of a semiconductor package, it is mounted on a lead frame. It may also be mounted on a circuit board and used in various devices such as mobile phones, IC cards, and PCs. Furthermore, display elements such as liquid crystal and organic EL (electroluminescence) are also included.

近年の最終製品は超小型化を要求されるものが多く、その傾向は今後も益々進化していくと予想できる。従って、それらの最終製品に搭載されるチップは非常に薄い厚みのものであることを要求される。チップの厚みを薄くするには、その前段階であるウエハを薄くする必要がある。ウエハを薄くするには、ウエハ上にデバイスが形成された後に、ウエハ裏面加工研削を行う。   In recent years, many final products are required to be miniaturized, and the trend can be expected to continue to evolve. Therefore, chips mounted on these final products are required to have a very thin thickness. In order to reduce the thickness of the chip, it is necessary to reduce the thickness of the wafer, which is the previous stage. In order to thin the wafer, after the device is formed on the wafer, the wafer back surface processing grinding is performed.

本発明は、通常の厚みのウエハ(薄板)にも適用できることは当然であるが、特に、ウエハ裏面研削等により、薄くなったウエハを搭載できる薄板収納容器に関する。本発明で記載する「薄板収納容器」とは、「ウエハ(薄板)を支持または保持可能で、ウエハ(薄板)を搭載した状態でウエハ(薄板)を搬送しプロセスを行うこと(いわゆる、ウエハ(薄板)を処理すること)ができるもの」である。従って、このようなものとして考えるならば、「ウエハ(薄板)支持トレイ」、「ウエハ(薄板)保持トレイ」、「ウエハ(薄板)支持容器」、あるいは「ウエハ(薄板)キャリヤ」と呼んでも良い。   The present invention is naturally applicable to a wafer having a normal thickness (thin plate), but particularly relates to a thin plate container that can mount a wafer thinned by wafer back surface grinding or the like. The “thin plate container” described in the present invention means “to support or hold a wafer (thin plate) and to carry the process by carrying the wafer (thin plate) in a state where the wafer (thin plate) is mounted (so-called wafer ( It is possible to process a thin plate). Therefore, if considered as such, it may be called “wafer (thin plate) support tray”, “wafer (thin plate) holding tray”, “wafer (thin plate) support container”, or “wafer (thin plate) carrier”. .

裏面研削工程とは所望の厚みのウエハにするために、半導体デバイスが形成されているウエハ表面と反対側のウエハ裏面を研削し、ウエハを薄くする工程である。この工程では、ウエハ表面に形成されている半導体デバイスを保護するために、ウエハ表面に保護フィルムを貼合する。この保護フィルムとして、たとえばリンテック製E-seriesや三井化学製イクロステープがある。保護フィルムを貼合したウエハを裏面研削装置(いわゆる、バックグラインド装置)に配置し、砥粒を含んだ水を加えながら砥石でウエハ裏面を研削する。所望のウエハ厚みを得た時点で裏面研削を終了する。裏面研削は、一般に粗研削と仕上げ研削とからなる。粗研削は、粗い砥粒を用いて早くウエハ裏面を削る方法である。従って、ウエハ裏面には粗い研磨後に大きな歪や応力が残る。仕上げ研削は粗研削の後で行い、より細かい砥粒を用いて、前記の歪や応力を緩和する。しかし、歪や応力は完全には除去できないので、裏面加工歪除去を行う場合もある。   The back grinding process is a process for grinding the wafer back surface opposite to the wafer surface on which the semiconductor device is formed to make the wafer thinner, thereby thinning the wafer. In this step, in order to protect the semiconductor device formed on the wafer surface, a protective film is bonded to the wafer surface. As this protective film, for example, there are Lintec E-series and Mitsui Chemicals' cross tape. The wafer bonded with the protective film is placed in a back grinding device (so-called back grinding device), and the back surface of the wafer is ground with a grindstone while adding water containing abrasive grains. When the desired wafer thickness is obtained, the back surface grinding is finished. Back surface grinding generally consists of rough grinding and finish grinding. Rough grinding is a method of quickly cutting the back surface of a wafer using coarse abrasive grains. Therefore, large distortion and stress remain on the back surface of the wafer after rough polishing. The finish grinding is performed after the rough grinding, and the strain and stress are alleviated by using finer abrasive grains. However, since the strain and stress cannot be completely removed, the back surface processing strain may be removed.

ウエハ裏面研削を行った後や裏面加工歪除去を行った後に、本発明である薄板収納容器を使用できる。すなわち、ウエハ表面保護フィルムを付着したままの状態で、本発明の薄板収納容器に載置する。薄板収納容器には真空吸着部があり、ウエハはその真空吸着部に載り、真空で吸着される。ウエハ裏面が真空吸着面となる。薄板収納容器に載置するまではウエハにはウエハ表面保護フィルムで支持されているが、ウエハ表面保護フィルムは柔らかいので、ウエハが極薄の場合(たとえば、10〜200μmの厚みのウエハ)、または/及びウエハが大口径化の場合(たとえば、ウエハ厚みが200〜400μmで、ウエハ直径が200mm以上)には、ウエハ表面保護フィルムを付着したままのウエハでは、柔軟な状態となっていて平坦な状態を保つことはできない。従って、薄板収納容器にウエハを載せるまでは、自動搬送が困難であり、マニュアル搬送が望ましい。もちろん、手動搬送と同程度の配慮のされた自動搬送なら自動でも良い。薄板収納容器に載置した後は、薄板収納容器に吸着されているので、ウエハが反ることはなく、平坦な状態を維持できる。   The thin plate container of the present invention can be used after performing wafer back grinding or after removing back surface processing distortion. That is, the wafer surface protective film is placed on the thin plate container of the present invention with the wafer surface protective film attached. The thin plate container has a vacuum suction portion, and the wafer is placed on the vacuum suction portion and sucked by vacuum. The back surface of the wafer becomes a vacuum suction surface. The wafer is supported by a wafer surface protective film until it is placed in the thin plate container, but the wafer surface protective film is soft, so that the wafer is extremely thin (for example, a wafer having a thickness of 10 to 200 μm), or If the wafer has a large diameter (for example, the wafer thickness is 200 to 400 μm and the wafer diameter is 200 mm or more), the wafer with the wafer surface protective film attached is in a flexible state and flat. I can't keep it. Therefore, automatic conveyance is difficult until a wafer is placed on the thin plate container, and manual conveyance is desirable. Needless to say, automatic transfer may be automatic as long as automatic transfer is considered to the same extent as manual transfer. After being placed on the thin plate container, it is adsorbed by the thin plate container, so that the wafer does not warp and can be kept flat.

本発明の薄板収納容器の第1の実施形態を図1に示す。図1(a)は、第1の実施形態の薄板収納容器1にウエハ17を搭載した状態を示す。薄板収納容器1の上側面および下側面は平面状である。すなわち、薄板収納容器1は平板状である。   A first embodiment of the thin plate container of the present invention is shown in FIG. FIG. 1A shows a state in which a wafer 17 is mounted on the thin plate container 1 of the first embodiment. The upper side surface and the lower side surface of the thin plate container 1 are flat. That is, the thin plate container 1 has a flat plate shape.

薄板収納容器1は、減圧室2、吸着孔3、吸着面4、吸気孔5及び吸引口6を含んでいる。減圧室2、吸着孔3、吸着面4、吸気孔5及び吸引口6を薄板収納容器1の真空吸着部と考えることができる。この実施形態においては、減圧室2の下側に吸気孔5との接続口である吸引開口10があり、吸気孔5は薄板収納容器下側部分7の下方に伸び、中途で曲がり、薄板収納容器横側部分8で薄板収納容器の外部へ出ていて、吸気孔5は吸引口6で終端になっている。減圧室2は吸着面4の裏面である上側部分9と吸着収納容器の下方に位置する下側部分7とで主に囲まれて構成されてなる収納容器内部に配置している。薄板収納容器下側部分7とは、減圧室2を含む薄板収納容器の下側部分を指す。また、薄板収納容器横側部分8とは、上側部分9と下側部分7とで主に構成される減圧室2の内、減圧室の側面を構成して減圧室2を完全ならしめる部分を指す。薄板収納容器上側部分9とは、吸着面4の裏面であって減圧室2の一部を構成する部分を指す。   The thin plate container 1 includes a decompression chamber 2, an adsorption hole 3, an adsorption surface 4, an intake hole 5, and a suction port 6. The decompression chamber 2, the suction hole 3, the suction surface 4, the suction hole 5 and the suction port 6 can be considered as a vacuum suction part of the thin plate container 1. In this embodiment, there is a suction opening 10 which is a connection port with the intake hole 5 below the decompression chamber 2, and the intake hole 5 extends below the lower portion 7 of the thin plate container and bends in the middle to store the thin plate. The container lateral portion 8 is exposed to the outside of the thin plate container, and the intake hole 5 is terminated at the suction port 6. The decompression chamber 2 is disposed inside a storage container that is mainly surrounded by an upper portion 9 that is the back surface of the suction surface 4 and a lower portion 7 that is positioned below the suction storage container. The thin plate container lower portion 7 refers to the lower portion of the thin plate container including the decompression chamber 2. Further, the thin plate container side portion 8 is a portion of the decompression chamber 2 mainly composed of the upper portion 9 and the lower portion 7 that constitutes the side surface of the decompression chamber 2 so that the decompression chamber 2 is completely made. Point to. The thin plate container upper portion 9 refers to a portion that is the back surface of the suction surface 4 and constitutes a part of the decompression chamber 2.

本発明の第1の実施形態では、図1(b)に示すように、薄板収納容器1を薄板収納容器下側部分7と薄板収納容器上側部分9に分離できるようになっている。すなわち、薄板収納容器下側部分7は、減圧室2、吸気孔5、吸引開口10および吸引口6を含む平板状の部分である。これを本発明においては、薄板収納容器基板と呼ぶ。薄板収納容器上側部分9は、吸気孔3および吸着面4を含む平板状の部分である。これを本発明においては、吸着板と呼ぶ。第1の実施形態においては、吸着板は減圧室2の天井部分を構成し、薄板収納容器基板は残りの部分を構成する。本発明においては、薄板収納容器下側部分と薄板収納容器基板とは同じものを意味し、薄板収納容器上側部分と吸着板とは同じものを意味するので、同じ番号で示すことにする。   In the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1 (b), the thin plate container 1 can be separated into a thin plate container lower portion 7 and a thin plate container upper portion 9. That is, the lower portion 7 of the thin plate container is a flat portion including the decompression chamber 2, the suction hole 5, the suction opening 10, and the suction port 6. In the present invention, this is called a thin plate container substrate. The thin plate container upper portion 9 is a flat plate portion including the intake holes 3 and the suction surface 4. In the present invention, this is called an adsorption plate. In the first embodiment, the suction plate constitutes the ceiling portion of the decompression chamber 2, and the thin plate container substrate constitutes the remaining portion. In the present invention, the lower part of the thin plate container and the thin plate container case mean the same thing, and the upper part of the thin plate container and the suction plate mean the same thing, so they are denoted by the same numbers.

薄板収納容器基板7の減圧室は、図1(b)に示すように、支持隔壁11で仕切られている。支持隔壁の目的は、吸着板を支持する(下から支える)ことである。本発明に用いる薄板収納容器の吸着板は、高分子材料をベースとした薄い板状のものである。従って、中空の減圧室の上を覆う吸着板は自重で変形する可能性がある。特に大口径ウエハを載置する薄板収納容器では、その変形が顕著になる。さらに、ウエハを吸着する時に、減圧室を真空にひいた時に、吸着板が重力で押しつぶされ、大きな変形をする可能性もある。そうなれば、ウエハを吸着するという本来の目的を達成できない。これを防止するために、吸着板にある程度の強度を持たせることが考えられるが、吸着板が厚くなり、薄板収納容器全体が大型化する。この結果、取り扱いや自動プロセスに用いることが困難になる。その上、材料費がかかり、プロセスコストも増大する。また、仮に強度の大きい吸着板を作製できたとしても、繰り返しの真空引きにより磨耗したり変形したりして長期間の使用は困難である。そこで、本発明においては、減圧室に支持隔壁を設けることにより、より薄い軽量の吸着板を使用できるようにした。減圧室2は支持隔壁11によって、完全に分離されているわけではなく、支持隔壁11には、部分的に溝または孔があり(連通孔12)、支持隔壁で仕切られた部分同士は、この連通孔12によりつながっている。   The decompression chamber of the thin plate container substrate 7 is partitioned by a support partition 11 as shown in FIG. The purpose of the support partition is to support (support from below) the suction plate. The adsorption plate of the thin plate container used in the present invention is a thin plate shape based on a polymer material. Therefore, the suction plate that covers the hollow decompression chamber may be deformed by its own weight. In particular, the deformation becomes remarkable in a thin plate container in which a large-diameter wafer is placed. Further, when the wafer is sucked, when the vacuum chamber is evacuated, the suction plate is crushed by gravity and may be greatly deformed. If so, the original purpose of sucking the wafer cannot be achieved. In order to prevent this, it is conceivable that the suction plate has a certain degree of strength. However, the suction plate becomes thick, and the entire thin plate container is enlarged. As a result, it becomes difficult to use for handling and automatic processes. In addition, material costs and process costs increase. Even if a suction plate with high strength can be produced, it is difficult to use for a long time because it is worn or deformed by repeated evacuation. Therefore, in the present invention, a thinner and lighter suction plate can be used by providing a support partition in the decompression chamber. The decompression chamber 2 is not completely separated by the support partition 11, and the support partition 11 has a groove or a hole (communication hole 12), and the parts partitioned by the support partition are It is connected by the communication hole 12.

図1(c)は、薄板収納容器基板7を上側から見た平面図である。この実施形態においては、支持隔壁11が同心円状に配列している。また、同心円状の部分も細かく分離している。支持隔壁11には、連通孔12が存在していて、分離した部分室はつながっている。すべての部分室が連通孔等を通じてつながっていて、すべての部分室を真空引きできることが望ましい。この連通孔の目的は、減圧室の中を真空にするためである。また、真空になった後で、空気などを導入して、真空を破る時にも使われる。連通孔12は、余り小さいと減圧室全体を真空にしたり、真空を破ったりするのに時間がかかるし、余り大きいと支持隔壁11の強度が小さくなるので、適度な大きさにする必要がある。連通孔12は、支持隔壁11に空けられた孔や溝のほかに、減圧室2と支持隔壁11との間、または吸着板9と支持隔壁11との間に部分的な空間を設けても良い。ただしこれも、真空引き時間等や支持隔壁の強度等が問題にならない程度に設計する必要がある。また、各部分の連通孔の数も真空引き時間等や支持隔壁の強度等を考慮して設計する必要がある。支持隔壁11は、吸着板が部分的または局部的に変形しないように、均等に配列することが望ましい。支持隔壁の数を増やしていけば、吸着板の変形に対しては望ましいが、真空引き時間が長くなったり、作製が困難となるため、最適化が望ましい。また、支持隔壁の幅も大きくしすぎると、吸着板の吸着孔を塞ぎウエハを部分的に吸着できない場合も出てくる。支持隔壁の幅も小さくしすぎると支持隔壁の強度が不十分となり、吸着板の変形が起こりやすくなる。従って、支持隔壁の最適化も重要である。第1の実施形態に用いた同心円状の支持隔壁11は、より均等に吸着板9を支えることができるものである。しかし、同心円状に限られず、網目状の支持隔壁でも良い。   FIG.1 (c) is the top view which looked at the thin plate container container 7 from the upper side. In this embodiment, the support partition walls 11 are arranged concentrically. The concentric portions are also finely separated. The support partition 11 has a communication hole 12, and the separated partial chambers are connected. It is desirable that all the partial chambers are connected through a communication hole or the like so that all the partial chambers can be evacuated. The purpose of this communication hole is to create a vacuum in the decompression chamber. It is also used to break the vacuum by introducing air after the vacuum has been reached. If the communication hole 12 is too small, it takes time to evacuate the entire decompression chamber or break the vacuum. If the communication hole 12 is too large, the strength of the support partition wall 11 is reduced. . The communication hole 12 may be provided with a partial space between the decompression chamber 2 and the support partition 11 or between the suction plate 9 and the support partition 11 in addition to the holes and grooves formed in the support partition 11. good. However, this also needs to be designed to such an extent that the evacuation time or the strength of the supporting partition wall does not become a problem. In addition, the number of communication holes in each part must be designed in consideration of the vacuuming time and the like, the strength of the supporting partition walls, and the like. It is desirable that the support partition walls 11 be evenly arranged so that the suction plate is not partially or locally deformed. Increasing the number of supporting partition walls is desirable for the deformation of the suction plate, but optimization is desirable because the evacuation time becomes long and the production becomes difficult. Further, if the width of the support partition is too large, the suction holes of the suction plate may be blocked and the wafer cannot be partially sucked. If the width of the support partition is too small, the strength of the support partition becomes insufficient and the suction plate is likely to be deformed. Therefore, optimization of the support partition is also important. The concentric support partition 11 used in the first embodiment can support the suction plate 9 more evenly. However, it is not limited to a concentric shape, and a mesh-like support partition may be used.

支持隔壁は、薄板収納容器基板7に固定している必要はなく、取り外しができるものでも良い。また、支持隔壁は吸着板の減圧室2側に形成されていても良い。吸着板9を取り外した時に、一緒に取り外して洗浄などもできる。薄板収納容器は真空吸着を繰り返しているので、パーティクル等の汚染物質を減圧室に蓄積する可能性もあるが、支持隔壁を取り外しできれば洗浄も容易である。但し、減圧室に適合するように作製する必要がある。そうでなければ、吸着板9を充分に支持できなくなる。   The supporting partition wall need not be fixed to the thin plate container substrate 7 and may be removable. Moreover, the support partition may be formed on the decompression chamber 2 side of the suction plate. When the suction plate 9 is removed, it can be removed together and cleaned. Since the thin plate container repeats vacuum suction, there is a possibility that contaminants such as particles accumulate in the decompression chamber, but cleaning is easy if the support partition can be removed. However, it is necessary to make it suitable for the decompression chamber. Otherwise, the suction plate 9 cannot be sufficiently supported.

また、できるだけ均等に吸着板9の吸着孔が存在することが望ましい。支持隔壁で仕切られた各部分には、少なくとも一つ以上の吸着孔を配置することが望ましい。それにより、ウエハの吸着が充分にかつ均等になるようにすることが可能となる。支持隔壁がない場合には、吸着板の各吸着孔のウエハを吸引する力を均等にすることが困難であるが、支持隔壁を設けて部分室に分けることにより、ウエハの真空引きを均等に行うことができる。   Further, it is desirable that the suction holes of the suction plate 9 exist as evenly as possible. It is desirable to arrange at least one adsorption hole in each portion partitioned by the support partition. Thereby, it is possible to sufficiently and evenly attract the wafer. When there is no support partition, it is difficult to equalize the force for sucking the wafer in each suction hole of the suction plate, but by providing the support partition and dividing it into partial chambers, the wafer can be evacuated evenly. It can be carried out.

支持隔壁は、吸着板を支えているので一定程度の強度が必要である。そのような材料として、たとえば、熱可塑性エラストマーやフッ素樹脂等の弾性高分子材料が挙げられる。   Since the supporting partition supports the suction plate, a certain degree of strength is required. Examples of such a material include elastic polymer materials such as thermoplastic elastomers and fluororesins.

熱可塑性エラストマーとして、PEE(ポリエステルエラストマー)、PBTE(ポリブチレンテレフタレートエラストマー),PBNE(ポリブチレンナフタレート)、PPE(ポリフェニレンエーテル)、PUE(ポリウレタンエラストマー)等がある。フッ素樹脂として、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)やPFA(パーフルオロアルコキシアルカン)が挙げられる。また、PP(ポリプロピレン)も用いることができる。また、PC(ポリカーボネート),PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、PBT(ポリブチレンテレフタレート)、PBN(ポリブチレンナフタレート)、PP(ポリプロピレン),PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PFA(パーフルオロアルコキシアルカン)等の高分子材料も使用できる。尚、上記の高分子材料は単独でも良いし、複数を含む材料でも良い。   Examples of the thermoplastic elastomer include PEE (polyester elastomer), PBTE (polybutylene terephthalate elastomer), PBNE (polybutylene naphthalate), PPE (polyphenylene ether), and PUE (polyurethane elastomer). Examples of the fluororesin include PTFE (polytetrafluoroethylene) and PFA (perfluoroalkoxyalkane). PP (polypropylene) can also be used. PC (polycarbonate), PEEK (polyetheretherketone), PBT (polybutylene terephthalate), PBN (polybutylene naphthalate), PP (polypropylene), PTFE (polytetrafluoroethylene), PFA (perfluoroalkoxyalkane) Polymer materials such as can also be used. The polymer material may be a single material or a material including a plurality.

図1に示すように、薄板収納容器基板7にはシール材18が減圧室周囲を取り巻いている。シール材18は、薄板収納容器基板7のシール材保持溝(図に示されていない)に入っている。吸着板9が薄板収納容器基板7と結合した時に、シール材18は吸着板9のシール材受け溝14に入る。このシール部(シール材18、シール材受け溝14およびシール保持溝を含む)の役割は、減圧室の真空度を保持することである。薄板収納容器には、薄板収納容器基板7と吸着板9とを結合する結合部がついている。第1の実施形態においては、薄板収納容器基板7側にフック15が、吸着板9にはフック受け溝16がついている。図1(c)および図1(d)に示すように、フック15とフック受け溝16の位置は、対応している。これらの結合部を設けることにより、薄板収納容器基板7と吸着板9を確実に結合できる。   As shown in FIG. 1, a sealing material 18 surrounds the periphery of the decompression chamber on the thin plate container substrate 7. The sealing material 18 is in a sealing material holding groove (not shown) of the thin plate container substrate 7. When the suction plate 9 is combined with the thin plate container substrate 7, the sealing material 18 enters the sealing material receiving groove 14 of the suction plate 9. The role of the seal portion (including the seal material 18, the seal material receiving groove 14 and the seal holding groove) is to maintain the degree of vacuum in the decompression chamber. The thin plate container is provided with a coupling portion for coupling the thin plate container substrate 7 and the suction plate 9. In the first embodiment, a hook 15 is provided on the thin plate container substrate 7 side, and a hook receiving groove 16 is provided on the suction plate 9. As shown in FIG. 1C and FIG. 1D, the positions of the hook 15 and the hook receiving groove 16 correspond to each other. By providing these coupling portions, the thin plate container substrate 7 and the suction plate 9 can be reliably coupled.

ウエハの吸着方法について、図1(a)に基づいて説明する。吸引口6は真空引き装置に接続されている(図には示されていない)。ウエハ17が薄板収納容器1の吸着面4に載置される。裏面研削後に厚みが極薄化したウエハは一般には反っているので、ウエハ17が真空に引かれる前には、平坦な面である薄板収納容器1の吸着面4とウエハ17との間には隙間があいている。真空引き装置によって真空引きされると、吸引口6において真空引き装置に接続した吸気孔5を通って、吸引開口10で吸気孔5と連結した減圧室2が真空引きされる。減圧室は、支持隔壁11によって多数の部分室に分けられているが、連通孔12を通じて各部分室が真空に引かれていく。さらに、減圧室2と吸着面4とを連結した吸着孔3を通ってウエハ17が真空に引かれ、隙間がなくなってウエハ17が薄板収納容器1の吸着面4にしっかりと吸着される。薄板収納容器1の吸着面4において、吸着孔3はウエハが載置および吸着される場所以外の場所には存在しないように配置されている。また、吸着孔3は図1(e)に示すように、ウエハの載置および吸着される場所に多数存在している。吸着孔の大きさと数は、ウエハが吸着され固定されるために充分な程度に設計される。好ましくは、吸着孔3の大きさは、直径が0.5mm以上である。0.5mm未満の大きさの吸着孔では、吸着孔の数にもよるが、真空引きに時間がかかるととともに、十分にウエハ11が吸着されない場合がある。また、0.5mm未満の大きさの吸着孔では、異物で塞がる場合もある。吸着孔の大きさの最大値は、ウエハサイズ、ウエハの厚み、ウエハの反り量あるいはウエハ吸着面の粗さによって変化する。しかし、一般にウエハ厚みが極薄の場合には、50mmを越える大きさの吸着孔3では真空引きのスピードが速すぎて、ウエハが破損する可能性もある。また、ウエハ側の吸着面の微小な凹凸により真空がリークしやすくなる場合もある。吸着孔3の大きさは、そろっている必要はない。たとえば、中心の吸着孔3のサイズを大きくし、周辺側に向かう吸着孔3のサイズを徐々に小さくすると、ウエハの吸着が好ましい場合がある。一般にウエハの中心付近は反り量が大きく、周辺は反り量が小さい場合が多いからである。ウエハ17上に形成される個々のチップの下にのみ吸着孔3を配置し、ウエハ17上のスクライブラインにあたる位置には吸着孔を配置しないことが効果的な場合もある。たとえば、スクライブライン上をダイシングした後にも、個々のチップを確実に吸着する場合である。このような場合には、薄板収納容器をチップの大きさや配置によって変更することが必要となる。薄板収納容器には、容易に情報表示手段を取り付けることができるので、薄板収納容器をウエハ毎に変更することは、工程管理上も特に問題なく可能である。また、図1に示されるように、吸気孔5の1部および吸引口6は薄板収納容器の外側に出ている。   A wafer adsorption method will be described with reference to FIG. The suction port 6 is connected to a vacuuming device (not shown in the figure). The wafer 17 is placed on the suction surface 4 of the thin plate container 1. Since the wafer whose thickness is extremely thin after the back grinding is generally warped, before the wafer 17 is evacuated, there is a gap between the suction surface 4 of the thin plate container 1 and the wafer 17 which is a flat surface. There is a gap. When vacuuming is performed by the vacuuming device, the decompression chamber 2 connected to the suction hole 5 is vacuumed through the suction opening 10 through the suction hole 5 connected to the vacuuming device at the suction port 6. The decompression chamber is divided into a number of partial chambers by the support partition 11, but each partial chamber is evacuated through the communication hole 12. Further, the wafer 17 is evacuated through the suction hole 3 connecting the decompression chamber 2 and the suction surface 4, the gap is eliminated, and the wafer 17 is firmly sucked to the suction surface 4 of the thin plate container 1. In the suction surface 4 of the thin plate container 1, the suction holes 3 are arranged so as not to exist in places other than the place where the wafer is placed and sucked. Further, as shown in FIG. 1 (e), a large number of suction holes 3 exist in places where the wafer is placed and sucked. The size and number of the suction holes are designed to be sufficient for the wafer to be sucked and fixed. Preferably, the suction hole 3 has a diameter of 0.5 mm or more. In the case of suction holes having a size of less than 0.5 mm, depending on the number of suction holes, it takes time for evacuation and the wafer 11 may not be sufficiently sucked. In addition, the suction hole having a size of less than 0.5 mm may be blocked by foreign matter. The maximum value of the size of the suction hole varies depending on the wafer size, wafer thickness, wafer warpage, or wafer suction surface roughness. However, in general, when the wafer thickness is very thin, the suction hole 3 having a size of more than 50 mm is too fast to be evacuated, and the wafer may be damaged. In addition, there is a case where the vacuum is likely to leak due to minute unevenness of the suction surface on the wafer side. The sizes of the suction holes 3 do not have to be uniform. For example, when the size of the suction hole 3 at the center is increased and the size of the suction hole 3 toward the peripheral side is gradually reduced, wafer suction may be preferable. This is because generally the amount of warpage is large near the center of the wafer and the amount of warpage is small near the periphery. In some cases, it is effective to arrange the suction holes 3 only under the individual chips formed on the wafer 17 and not to place the suction holes at positions corresponding to the scribe lines on the wafer 17. For example, it is a case where individual chips are reliably adsorbed even after dicing on the scribe line. In such a case, it is necessary to change the thin plate container depending on the size and arrangement of the chips. Since the information display means can be easily attached to the thin plate container, it is possible to change the thin plate container for each wafer without any problem in process management. Further, as shown in FIG. 1, a part of the intake hole 5 and the suction port 6 are outside the thin plate container.

吸気孔5または吸引口6には切替弁あるいは逆止弁が付いていて(図示されていない)、薄板収納容器1の真空吸着部が真空になりウエハを完全に吸着した後で、それらの弁を閉じると真空が保持されるようになっている。従って、真空が保持された後には、真空引き装置を薄板収納容器の吸引口6から取り外しても、ウエハ17は薄板収納容器1に確実に吸着されていて、その後に薄板収納容器1を使用して搬送やプロセスを行っても、ウエハ17は、薄板収納容器1から離脱したり、薄板収納容器1の吸着面4上で動くことはない。尚、切替弁や逆止弁の他にも、真空を保持できるような方法であれば、本発明の薄板収納容器に適用できる。たとえば、吸引口6に蓋をする方法や吸引口6に栓をする方法が挙げられる。切替弁等の開閉や、蓋や栓をすることは、自動化も可能である。   The suction hole 5 or the suction port 6 is provided with a switching valve or a check valve (not shown), and after the vacuum suction part of the thin plate container 1 is evacuated and completely sucks the wafer, these valves are provided. When the is closed, the vacuum is maintained. Therefore, after the vacuum is maintained, even if the vacuuming device is removed from the suction port 6 of the thin plate container, the wafer 17 is securely adsorbed to the thin plate container 1 and thereafter the thin plate container 1 is used. The wafer 17 does not leave the thin plate container 1 or move on the suction surface 4 of the thin plate container 1 even if it is transported or processed. In addition to the switching valve and the check valve, any method that can maintain a vacuum can be applied to the thin plate container of the present invention. For example, a method of covering the suction port 6 and a method of plugging the suction port 6 can be mentioned. It is possible to automate opening and closing of the switching valve and the like, and closing the lid and plug.

図2は、第1の実施形態における薄板収納容器2つを、その裏面同士を結合させたものである。結合の方法として、第1の実施形態における薄板収納容器の裏面にフック部等の結合手段を付ける方法や、単純に両者をクランプする方法もある。あるいは、製造時に一体ものとして作ることもできる。ウエハ30は、吸着面24Aおよび24Bに真空吸着されて固定されているので、一方の面が下向きや横向きになってもウエハ30が薄板収納容器から離れたり、動いたりすることはない。第1の実施形態の薄板収納容器はこのような使用も可能なので、薄板収納容器の小型化や薄板収納容器ケース(容器)の小型化ができ、搬送装置の小型化やプロセス装置の小型化も容易に可能となる。   FIG. 2 shows the two thin plate containers of the first embodiment combined with their back surfaces. As a method of coupling, there are a method of attaching a coupling means such as a hook portion to the back surface of the thin plate container in the first embodiment, and a method of simply clamping both. Alternatively, it can be made as an integral part at the time of manufacture. Since the wafer 30 is vacuum-sucked and fixed to the suction surfaces 24A and 24B, the wafer 30 does not move away from the thin plate container or move even if one surface is directed downward or sideways. Since the thin plate storage container of the first embodiment can be used in this way, the thin plate storage container and the thin plate storage container case (container) can be downsized, the transport device and the process device can be downsized. Easy to do.

図3は、本発明の第2の実施形態を示す図である。   FIG. 3 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

図3(a)は横方向断面図、図3(b)は平面図である。図1に示す場合と異なるのは、ウエハを載置する場所(ウエハ載置部またはウエハ吸着面34)が周辺に比較し凹状になっていることである。尚、ウエハ吸着面34はもちろん平坦な形状である。ウエハの載置部34には、図3(b)に示すように、吸着孔33が多数存在し、ウエハ37を確実に吸着できるようになっている。図3(b)の吸着孔は小さな円形で示しているが、他の形状、たとえば四角形や楕円形や三角形やそれらに類似した形状でも良い。あるいは、それらの組合わせでも良い。あるいは、ウエハ37を吸着できるその他の形状でも良い。ウエハ37を平坦状に維持でき、かつ確実に固定できる程度に吸着孔の数と形状と大きさを選択することができる。尚、吸着孔33はウエハ搭載位置の範囲内にあることが必要であることは、図1に示す薄板収納容器と同様である。   FIG. 3A is a transverse sectional view, and FIG. 3B is a plan view. The difference from the case shown in FIG. 1 is that the place (wafer placing part or wafer attracting surface 34) where the wafer is placed is concave compared to the periphery. Of course, the wafer suction surface 34 has a flat shape. As shown in FIG. 3B, the wafer mounting portion 34 has a large number of suction holes 33 so that the wafer 37 can be reliably sucked. Although the adsorption holes in FIG. 3B are shown as small circles, other shapes such as a quadrangle, an ellipse, a triangle, and similar shapes may be used. Alternatively, a combination thereof may be used. Alternatively, other shapes that can attract the wafer 37 may be used. The number, shape, and size of the suction holes can be selected to such an extent that the wafer 37 can be maintained flat and can be securely fixed. The suction hole 33 needs to be within the range of the wafer mounting position, similar to the thin plate container shown in FIG.

図3に示す薄板収納容器31の周辺部から載置部(吸着面)34への傾斜は、図3の傾斜面38で示されるように、テーパー状になっている。ウエハ37が薄板収納容器31の載置部34に置かれる時に、多少位置ずれしてウエハの端が傾斜面38にかかっても、ウエハ37は傾斜面38から滑って載置部34に載置される。すなわち、図1の場合の薄板収納容器に比較し、ウエハ37の載置場所が安定化するという利点がある。また、ウエハの破損を防止するという利点もある。薄板収納容器31の周縁部39はある程度平坦となっている。周縁部39の高さが、ウエハを載置部34に吸着した場合のウエハ37の表面(最上面)の高さよりも高くしておくことにより、薄板収納容器31を重ねて積層しても、ウエハ37への接触がないという利点もある。周縁平坦部39の面積は、積み重ねても安定する程度の面積を確保する必要がある。従って、この場合は、特別のウエハ(薄板収納容器)ケースを使う必要がない。   The inclination from the peripheral portion of the thin plate container 31 shown in FIG. 3 to the placement portion (suction surface) 34 is tapered as shown by the inclined surface 38 in FIG. When the wafer 37 is placed on the mounting portion 34 of the thin plate container 31, even if the wafer 37 is slightly displaced and the end of the wafer hits the inclined surface 38, the wafer 37 slides from the inclined surface 38 and is mounted on the mounting portion 34. Is done. That is, as compared with the thin plate container in the case of FIG. 1, there is an advantage that the place where the wafer 37 is placed is stabilized. There is also an advantage of preventing the wafer from being damaged. The peripheral edge 39 of the thin plate container 31 is flat to some extent. Even if the thin plate containers 31 are stacked and laminated, the peripheral edge 39 is made higher than the height of the surface (uppermost surface) of the wafer 37 when the wafer is attracted to the mounting portion 34. There is also an advantage that there is no contact with the wafer 37. The area of the peripheral flat portion 39 needs to secure an area that is stable even when stacked. Therefore, in this case, it is not necessary to use a special wafer (thin plate container) case.

しかし、薄板収納容器を結合したければ、周縁部39に図1と同様なフック部などの結合手段を取り付ければ良い。薄板収納容器の結合により、一括で薄板収納容器を移動したり、プロセスができるという利点がある。また、周縁部39にシール部も取り付ければ、薄板収納容器に囲まれた領域である薄板収納容器の凹状部にあるウエハは、外部環境から隔離されるので、外部環境からの汚染やクリーン度の異常などの影響を受けないという利点もある。   However, if the thin plate container is to be coupled, a coupling means such as a hook portion similar to that shown in FIG. By combining the thin plate storage containers, there is an advantage that the thin plate storage containers can be moved and processed in a lump. Further, if a seal portion is also attached to the peripheral portion 39, the wafer in the concave portion of the thin plate container, which is an area surrounded by the thin plate container, is isolated from the external environment. There is also an advantage that it is not affected by abnormalities.

図3に示す薄板収納容器31の吸気孔35および吸引口36のタイプは、図1に示した薄板収納容器1の吸気孔5および吸引口6のタイプと少し異なっている。
図1に示す薄板収納容器1の吸気孔5は、薄板収納容器下側部分7の下方に伸びていたが、図3に示す薄板収納容器31においては、吸気孔35は減圧室32の横側部分40に伸び、そのまま外部に出ている。このような構造になっている場合には、薄板収納容器の下部分を薄くできるため、薄板収納容器31を薄くすることが可能となる。薄板収納容器ケースに薄板収納容器31を収納する場合には、薄板収納容器ケースも小さくすることができる。
The type of the suction hole 35 and the suction port 36 of the thin plate container 31 shown in FIG. 3 is slightly different from the type of the suction hole 5 and the suction port 6 of the thin plate container 1 shown in FIG.
The suction hole 5 of the thin plate container 1 shown in FIG. 1 extends below the lower portion 7 of the thin plate container. However, in the thin plate container 31 shown in FIG. It extends to the part 40 and goes out as it is. In the case of such a structure, since the lower part of the thin plate container can be made thin, the thin plate container 31 can be made thin. When the thin plate container 31 is stored in the thin plate container case, the thin plate container case can also be made small.

尚、薄板収納容器31のような薄板収納容器を積み重ねができるような薄板収納容器の場合には、薄板収納容器31の裏にもウエハを吸着し載置可能である。この表裏一体の収納容器においては、下向きになるウエハも存在するが、薄板収納容器の吸着面にウエハが確実に吸着されているので、ウエハが落下することはない。   Note that in the case of a thin plate storage container in which thin plate storage containers such as the thin plate storage container 31 can be stacked, a wafer can be adsorbed and placed on the back of the thin plate storage container 31. In the front and back integrated storage containers, there are wafers facing downward, but since the wafers are securely attracted to the suction surface of the thin plate storage container, the wafers do not fall.

さらに、傾斜面が垂直に近い段差を有するものでも良い。ウエハの位置ずれに対しては余裕度が小さいが、精度良くウエハを載置部(吸着部)に載置できれば特に問題が発生することもない。本発明の載置部が凹状になった薄板収納容器は、さらに本発明の支持隔壁101および連通孔102を減圧室32の内部に持つ。その働きは、第1の実施形態と同様である。なお、図3においては薄板収納容器31の裏面形状は平坦になっているが、薄板収納容器31の表面形状と裏面形状とを略相似にすることによって、2枚の薄板収納容器を互いに積層するときに、収納する薄板を上下からしっかりと押えて固定することができる。このようにして薄板を固定した後は、薄板を吸着するための真空引きは解除することができる。また、このとき、薄板収納容器31の裏面にも、吸着面34の形状に対応した領域に上記の弾性材料を配しておくのが好ましい。   Further, the inclined surface may have a step close to vertical. Although there is little margin for the positional deviation of the wafer, there is no particular problem if the wafer can be placed on the placement portion (suction portion) with high accuracy. The thin plate container in which the mounting portion of the present invention has a concave shape further includes the support partition wall 101 and the communication hole 102 of the present invention inside the decompression chamber 32. Its function is the same as in the first embodiment. In addition, in FIG. 3, although the back surface shape of the thin plate container 31 is flat, two thin plate containers are laminated | stacked on each other by making the surface shape and back surface shape of the thin plate container 31 substantially similar. Sometimes, the thin plate to be stored can be firmly pressed from above and below. After fixing the thin plate in this way, the vacuuming for adsorbing the thin plate can be released. At this time, it is preferable that the elastic material is disposed on the back surface of the thin plate container 31 in a region corresponding to the shape of the suction surface 34.

本発明の載置部が凹状になった薄板収納容器は、上記にて説明したように大きなメリットを有するが、本発明の一つである吸着板はさらにその効果を増大できる。第1の実施形態において説明したように、吸着板は減圧室32の天井部分を構成し、薄板収納容器基板は残りの部分を構成する。また、吸着板の天井部分は、支持隔壁と共に減圧室32を分割して(連通孔等を通して)連通した複数の部分室を形成する。減圧室32と天井部分を分離する方法について、幾つかの実施形態について、以下に説明する。尚、下記に示した以外にも、吸着板の底面を球面状にする場合、底面を凹凸状に分離する場合など多くの形態もある。あるいは、減圧室32の中途で分離する方法、減圧室32を吸着板側に含める方法などもあり、どれも実用的である。また、上記は第1の実施形態にも適用できる。   The thin plate container in which the mounting portion of the present invention is concave has a great merit as described above, but the suction plate which is one of the present invention can further increase the effect. As described in the first embodiment, the suction plate constitutes the ceiling portion of the decompression chamber 32, and the thin plate container container constitutes the remaining portion. Moreover, the ceiling portion of the suction plate forms a plurality of partial chambers that are divided into communication with the support partition walls (through communication holes or the like). Several embodiments of the method for separating the decompression chamber 32 and the ceiling portion will be described below. In addition to the following, there are many other forms such as making the bottom surface of the suction plate spherical or separating the bottom surface into an uneven shape. Alternatively, there are a method of separating in the middle of the decompression chamber 32, a method of including the decompression chamber 32 on the suction plate side, and the like, which are practical. The above can also be applied to the first embodiment.

図4に基づいて、本発明の第3の実施形態を説明する。   A third embodiment of the present invention will be described based on FIG.

図4に示す吸着板49は、図3に示す第2の実施形態における減圧室の天井から上側部分を平面状に切ったものである。減圧室42は、支持隔壁111で仕切られていて、支持隔壁111で分離された部分(部分室)は支持隔壁111にあけられた連通孔112でつながっている。減圧室42の周囲をシール材118が囲んでいる。これに対応して、シール受け溝113が吸着板49側に取り付いている。吸着板49と薄板収納容器基板47との結合機構の結合部として、フック115が薄板収納容器基板47側に、フック受け溝116が吸着板49側についている。(尚、これらは、逆側に取り付いていても、第1の実施形態と同様に目的を達成できることは自明である。)第3の実施形態の吸着板は、薄板収納容器基板47に合わせて押すだけで簡単に結合できる。それぞれの働きは、第1の実施形態および第2の実施形態で説明したものと同様である。   The suction plate 49 shown in FIG. 4 is obtained by cutting the upper portion from the ceiling of the decompression chamber in the second embodiment shown in FIG. The decompression chamber 42 is partitioned by the support partition 111, and a portion (partial chamber) separated by the support partition 111 is connected by a communication hole 112 formed in the support partition 111. A sealing material 118 surrounds the decompression chamber 42. Correspondingly, a seal receiving groove 113 is attached to the suction plate 49 side. As a coupling portion of the coupling mechanism between the suction plate 49 and the thin plate container container 47, the hook 115 is on the thin plate container substrate 47 side, and the hook receiving groove 116 is on the suction plate 49 side. (In addition, even if these are attached on the opposite side, it is obvious that the object can be achieved similarly to the first embodiment.) The suction plate of the third embodiment is adapted to the thin plate container container 47. Simply push to join. Each function is the same as that described in the first embodiment and the second embodiment.

図5に基づいて、本発明の第4の実施形態を説明する。   Based on FIG. 5, a fourth embodiment of the present invention will be described.

図5に示す吸着板59は、横方向断面図が傾斜面部に適合した逆台形形状のものである。減圧室52の上側部分がそのまま吸着板59となっている。吸着板59の傾斜面58Aおよび薄板収納容器基板57の傾斜面58Bに結合部(フック125、フック受け溝126)やシール部(シール材128、シール受け溝124)が付いている。吸着板59を薄板収納容器基板57の凹部へ押し込むことにより、吸着板59と薄板収納容器基板57とを結合することができる。第4の実施形態の吸着板は、薄板収納容器基板57の傾斜面58に合わせて押すだけで簡単にセットできる。それぞれの働きは、第1の実施形態および第2の実施形態で説明したものと同様である。   The suction plate 59 shown in FIG. 5 has a reverse trapezoidal shape in which the cross-sectional view in the lateral direction is adapted to the inclined surface portion. The upper portion of the decompression chamber 52 is the suction plate 59 as it is. The inclined surface 58A of the suction plate 59 and the inclined surface 58B of the thin plate storage container substrate 57 are provided with a coupling portion (hook 125, hook receiving groove 126) and a sealing portion (sealing material 128, seal receiving groove 124). By pushing the suction plate 59 into the concave portion of the thin plate container substrate 57, the suction plate 59 and the thin plate container substrate 57 can be coupled. The suction plate of the fourth embodiment can be easily set by simply pressing it according to the inclined surface 58 of the thin plate container substrate 57. Each function is the same as that described in the first embodiment and the second embodiment.

図6に基づいて、本発明の第5の実施形態を説明する。   The fifth embodiment of the present invention will be described based on FIG.

図6も図5と同じく、吸着板69は横方向断面図が傾斜面部に適合した逆台形形状のものである。しかし、第5の実施形態の吸着板69は、凹状部の平坦部に結合部(フック135、フック受け溝136)やシール部(シール材138、シール保持溝、シール受け溝134)が付いている。減圧室62は、凹状部全体より小さくなっていて、吸着板69は、凹状部の平坦部で支えられる。従って、第5の実施形態の吸着板69は、薄板収納容器基板67の凹状部に載せて押すだけで簡単にセットできる。それぞれの働きは、第1の実施形態および第2の実施形態で説明したものと同様である。   As in FIG. 5, the suction plate 69 has an inverted trapezoidal shape whose lateral cross-sectional view is adapted to the inclined surface portion. However, the suction plate 69 of the fifth embodiment is provided with a coupling part (hook 135, hook receiving groove 136) and a sealing part (sealing material 138, seal holding groove, seal receiving groove 134) on the flat part of the concave part. Yes. The decompression chamber 62 is smaller than the entire concave portion, and the suction plate 69 is supported by the flat portion of the concave portion. Therefore, the suction plate 69 of the fifth embodiment can be easily set simply by placing it on the concave portion of the thin plate container substrate 67 and pushing it. Each function is the same as that described in the first embodiment and the second embodiment.

図7は、吸着板の構造に関する本発明の第6の実施形態を示す図である。吸着板は、ウエハを載置する場所であり、またウエハを真空吸着する場所であるから、一定程度の強度が必要で、また繰り返し使用できるような耐久性も必要である。一方、ウエハは、シリコンやガラス等のもろい材料で作られているので、吸着板はウエハを損傷させない柔軟性も要求される。このような相反するような要求に対して本発明の第6の実施形態が有用である。   FIG. 7 is a view showing a sixth embodiment of the present invention relating to the structure of the suction plate. The suction plate is a place where the wafer is placed and a place where the wafer is vacuum-sucked. Therefore, the suction plate needs to have a certain level of strength and durability so that it can be used repeatedly. On the other hand, since the wafer is made of a fragile material such as silicon or glass, the suction plate is required to be flexible so as not to damage the wafer. The sixth embodiment of the present invention is useful for such conflicting requirements.

本発明の第6の実施形態における吸着板71は、吸着基板72と吸着シート75との2層の構造になっている。ウエハに直接接触する吸着面74の側に吸着シート75がある。吸着シート75は、主に弾性材料からなり、ウエハが載置してもウエハに衝撃を与えないレベルの弾性を有する。このような材料としては、弾性高分子材料があり、弾性高分子材料として、熱可塑性エラストマーや発泡高分子やフッ素樹脂がある。熱可塑性エラストマーとして、PEE(ポリエステルエラストマー)、PBTE(ポリブチレンテレフタレートエラストマー),PBNE(ポリブチレンナフタレート)、PPE(ポリフェニレンエーテル)、PUE等がある。発泡高分子として、発泡PET(ポリエチレンテレフタレート)、発泡PE(ポリエチレン)発泡PU(ポリウレタン)や発泡PS(ポリスチレン)等が挙げられる。フッ素樹脂として、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)やPFA(パーフルオロアルコキシアルカン)が挙げられる。また、PP(ポリプロピレン)も用いることができる。さらに、ウエハを滑らせて最適位置にウエハを載置するために、PBT(ポリブチレンテレフタレート)やPBN(ポリブチレンナフタレート)等の潤滑性高分子も使用できる。吸着基板72は、繰り返しの真空引き等に対して耐久性と強度を有する材料である。この吸着基板に用いられる材料として、PC(ポリカーボネート),PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、PBT(ポリブチレンテレフタレート)、PBN(ポリブチレンナフタレート)、PP(ポリプロピレン),PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PFA(パーフルオロアルコキシアルカン)等の高分子材料が挙げられる。尚、上記の材料単独でも良いし、複数を含む材料でも良い。   The suction plate 71 in the sixth embodiment of the present invention has a two-layer structure of a suction substrate 72 and a suction sheet 75. There is a suction sheet 75 on the side of the suction surface 74 that directly contacts the wafer. The suction sheet 75 is mainly made of an elastic material and has a level of elasticity that does not impact the wafer even when the wafer is placed thereon. Examples of such a material include an elastic polymer material, and examples of the elastic polymer material include a thermoplastic elastomer, a foamed polymer, and a fluororesin. Examples of the thermoplastic elastomer include PEE (polyester elastomer), PBTE (polybutylene terephthalate elastomer), PBNE (polybutylene naphthalate), PPE (polyphenylene ether), and PUE. Examples of the foamed polymer include foamed PET (polyethylene terephthalate), foamed PE (polyethylene), foamed PU (polyurethane), and foamed PS (polystyrene). Examples of the fluororesin include PTFE (polytetrafluoroethylene) and PFA (perfluoroalkoxyalkane). PP (polypropylene) can also be used. Furthermore, a lubricious polymer such as PBT (polybutylene terephthalate) or PBN (polybutylene naphthalate) can also be used to slide the wafer and place the wafer in the optimum position. The adsorption substrate 72 is a material having durability and strength against repeated evacuation or the like. As materials used for this adsorption substrate, PC (polycarbonate), PEEK (polyetheretherketone), PBT (polybutylene terephthalate), PBN (polybutylene naphthalate), PP (polypropylene), PTFE (polytetrafluoroethylene), Examples thereof include polymer materials such as PFA (perfluoroalkoxyalkane). In addition, said material may be individual and the material containing multiple may be sufficient.

吸着板には、吸着孔があいているので、その作製方法としては、吸着シートと吸着基板を貼りあわせたものを型抜きする方法や二色成形法で形成する方法がある。また、最初から吸着孔をあけたものを貼り合せる方法などもある。吸着シートと吸着基板との貼り合せる方法には、融着法や溶接法を用いたりする方法や、特殊な接着剤を用いる接着法などがある。以上のように、吸着板の構造を2層構造にすることにより、第6の実施形態における吸着板は、所定の強度を有しながら、ウエハに対して損傷も与えない特性を有する。   Since the suction plate is provided with suction holes, methods for producing the suction plate include a method of punching out a laminate of the suction sheet and the suction substrate and a method of forming by a two-color molding method. There is also a method of pasting the ones with the suction holes from the beginning. As a method of bonding the suction sheet and the suction substrate, there are a method using a fusion method or a welding method, a bonding method using a special adhesive, and the like. As described above, by adopting a two-layer structure for the suction plate, the suction plate in the sixth embodiment has a predetermined strength and does not damage the wafer.

尚、ウエハを損傷しないように充分注意をしてプロセスを行う場合には、吸着シートを付けないで1層の吸着板で充分である場合もある。1層の吸着板の時には、上述の高分子材料を含む材料で構成すれば良い。たとえば、PC(ポリカーボネート),PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、PBT(ポリブチレンテレフタレート)、PBN(ポリブチレンナフタレート)、PP(ポリプロピレン),PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PFA(パーフルオロアルコキシアルカン)等の高分子材料である。また、吸着板の厚みや構造を最適化することにより、弾性高分子材料も使用できる。弾性高分子材料として、熱可塑性エラストマーや発泡高分子やフッ素樹脂がある。熱可塑性エラストマーとして、PEE(ポリエステルエラストマー)、PBTE(ポリブチレンテレフタレートエラストマー),PBNE(ポリブチレンナフタレートエラストマー)、PPE(ポリプロピレンエラストマ−)、PUE(ポリウレタンエラストマー)等がある。発泡高分子として、発泡PET(ポリエチレンテレフタレート)、発泡PE(ポリエチレン)発泡PU(ポリウレタン)や発泡PS(ポリスチレン)等が挙げられる。フッ素樹脂として、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)やPFA(パーフルオロアルコキシアルカン)が挙げられる。また、PP(ポリプロピレン)も用いることができる。尚、上記の材料単独でも良いし、複数を含む材料でも良い。   If the process is performed with care so as not to damage the wafer, a single-layer suction plate may be sufficient without attaching a suction sheet. What is necessary is just to comprise with the material containing the above-mentioned polymeric material at the time of the 1 layer adsorption | suction board. For example, PC (polycarbonate), PEEK (polyetheretherketone), PBT (polybutylene terephthalate), PBN (polybutylene naphthalate), PP (polypropylene), PTFE (polytetrafluoroethylene), PFA (perfluoroalkoxyalkane) And other polymer materials. Also, an elastic polymer material can be used by optimizing the thickness and structure of the adsorption plate. Elastic polymer materials include thermoplastic elastomers, foamed polymers, and fluororesins. Examples of the thermoplastic elastomer include PEE (polyester elastomer), PBTE (polybutylene terephthalate elastomer), PBNE (polybutylene naphthalate elastomer), PPE (polypropylene elastomer), and PUE (polyurethane elastomer). Examples of the foamed polymer include foamed PET (polyethylene terephthalate), foamed PE (polyethylene), foamed PU (polyurethane), and foamed PS (polystyrene). Examples of the fluororesin include PTFE (polytetrafluoroethylene) and PFA (perfluoroalkoxyalkane). PP (polypropylene) can also be used. In addition, said material may be individual and the material containing multiple may be sufficient.

図8は、吸着板の構造に関する本発明の第6の実施形態を示す図である。吸着板81に支持ネット82を付着させた構造である。図8(a)は、横方向断面図、図8(b)は、平面図である。支持ネット82は、網目状構造またはすのこ状構造または碁盤の目状構造等になっている。支持ネット82で仕切られた領域でウエハが載置される領域には、吸着板81に設けられた吸着孔83が存在し、吸着孔83を通して、ウエハが真空に引かれウエハは支持ネット82上に吸着される。支持ネット82の網目状等の構造は、余り大きいと、ウエハの周辺を吸着できないとか、網目状等の空間でウエハの載置していない周辺の領域が存在して、吸着孔が外気とつながって、真空吸着が充分行われないという問題が発生するので、適度に小さな網目状等構造にする必要がある。   FIG. 8 is a view showing a sixth embodiment of the present invention relating to the structure of the suction plate. In this structure, a support net 82 is attached to the suction plate 81. FIG. 8A is a transverse sectional view, and FIG. 8B is a plan view. The support net 82 has a net-like structure, a saw-like structure, a grid-like structure, or the like. A suction hole 83 provided in the suction plate 81 is present in a region where the wafer is placed in a region partitioned by the support net 82, and the wafer is pulled through the suction hole 83 so that the wafer is placed on the support net 82. To be adsorbed. If the structure of the support net 82, such as the mesh, is too large, the periphery of the wafer cannot be adsorbed, or there is a peripheral area where the wafer is not placed in the mesh, etc., and the adsorption hole is connected to the outside air. As a result, there is a problem that the vacuum suction is not sufficiently performed.

この支持ネットの目的も第5の実施形態と同じで、ウエハに衝撃を与えずにウエハを吸着板に吸着させることである。従って、支持ネットの材料も弾性材料が望ましい。しかも繰り返し使用もできるものが望ましい。たとえば、PEE、PBTE、PBNE、PPEまたはPUE等の熱可塑性エラストマー、或いは、発泡PET、発泡PE、発泡PUまたは発泡PS等の発泡高分子、或いは、PTFEやPFA等のフッ素樹脂、或いはPPなどである。これらの高分子材料は、柔軟性があり、また耐久性も有している。尚、上記の材料単独でも良いし、複数を含む材料でも良い。   The purpose of this support net is the same as that of the fifth embodiment, and is to suck the wafer onto the suction plate without giving an impact to the wafer. Therefore, the material of the support net is preferably an elastic material. Moreover, those that can be used repeatedly are desirable. For example, a thermoplastic elastomer such as PEE, PBTE, PBNE, PPE or PUE, a foamed polymer such as foamed PET, foamed PE, foamed PU or foamed PS, a fluororesin such as PTFE or PFA, or PP is there. These polymer materials are flexible and durable. In addition, said material may be individual and the material containing multiple may be sufficient.

図9に本発明の実施例を示す。この薄板収納容器91は吸着面94を有する吸着板99が取り外しできるようになっている。吸着面94上に多数の吸着孔93が存在する。減圧室92には支持隔壁103が同心円状の網目構造に配置している。外部の真空装置と吸着口96を接続して、吸気孔95および減圧室92とつながった吸引開口97から減圧室92が真空引きされる。支持隔壁103には連通孔100があいていて、支持隔壁103で仕切られた部分室は真空が引かれるようになっている。吸着板99は、支持隔壁103に支えられているので、一定程度の強度があれば、真空引きによって変形することはない。   FIG. 9 shows an embodiment of the present invention. The thin plate container 91 is configured such that a suction plate 99 having a suction surface 94 can be removed. A large number of suction holes 93 exist on the suction surface 94. In the decompression chamber 92, a support partition 103 is arranged in a concentric mesh structure. The vacuum chamber 92 is evacuated from the suction opening 97 connected to the external vacuum device and the suction port 96 and connected to the suction hole 95 and the vacuum chamber 92. The support partition 103 has a communication hole 100 so that a partial chamber partitioned by the support partition 103 is evacuated. Since the suction plate 99 is supported by the support partition wall 103, if it has a certain level of strength, it will not be deformed by evacuation.

この吸着孔93はウエハ上の個々のチップに対応するように配置することもできるので、ダイシング工程でウエハがチップ毎に完全に切断されてもチップが個々に吸着面に吸着される。吸着板99は、薄板収納容器91にシール部98で連結されるようになっている。デバイスが変わり、ウエハ内のチップ位置が異なる場合は、そのチップ位置に合わせた吸着板に変更することができる。吸着板が薄板収納容器基板104と連結すると、支持隔壁103に支持されるようになっている。吸着板99や薄板収納容器91に情報表示手段を取り付ければデバイスや吸着板や薄板収納容器の管理も容易になる。このような薄板収納容器91を使用することにより、種々のデバイスについて、ウエハ切断後に電気特性検査や外観検査などを行うことも可能となる。   Since the suction holes 93 can be arranged so as to correspond to individual chips on the wafer, even if the wafer is completely cut for each chip in the dicing process, the chips are individually attracted to the suction surface. The suction plate 99 is connected to the thin plate container 91 by a seal portion 98. If the device changes and the chip position in the wafer is different, the suction plate can be changed to match the chip position. When the suction plate is connected to the thin plate container substrate 104, it is supported by the support partition 103. If information display means is attached to the suction plate 99 or the thin plate container 91, management of the device, the suction plate or the thin plate container can be facilitated. By using such a thin plate container 91, it is also possible to perform an electrical property inspection, an appearance inspection, and the like after cutting the wafer for various devices.

ウエハ裏面研削を行い、極薄化したウエハについては、ウエハ表面保護用フィルムをウエハに付着した状態で薄板収納容器に載置した方が、ウエハの反りの影響が少ないこととウエハの破損を少なくできることから、望ましい場合が多い。   For wafers that have been thinned by grinding the backside of the wafer, placing the wafer surface protection film on the thin plate storage container with the wafer attached to the wafer reduces the influence of wafer warpage and reduces wafer damage. This is often desirable because it can be done.

本発明の薄板収納容器をウエハ切断工程に用いる方法について説明する。   A method for using the thin plate container of the present invention in the wafer cutting process will be described.

ウエハ切断方法として、ダイシングブレードを用いたダイシング装置(いわゆる、ダイサー)を用いる方法がある。これは、薄板収納容器上に載置されたウエハを所望の大きさにダイシングブレードで切断する方法である。一般にウエハ上にパターン形成されたスクライブラインに沿って切断する。ウエハの厚みや、ウエハの材質、ウエハ上に形成された薄膜等に応じてダイシングの条件を変化させてウエハ切断(ダイシング)を行う。また、ダイシングをするウエハの量によって、フルカット、セミフルカット及びハーフカット等の方法がある。しかし、主には、フルカット法にてダイシングを行う。   As a wafer cutting method, there is a method using a dicing apparatus (so-called dicer) using a dicing blade. This is a method of cutting a wafer placed on a thin plate container into a desired size with a dicing blade. Generally, cutting is performed along a scribe line patterned on the wafer. Wafer cutting (dicing) is performed by changing dicing conditions according to the thickness of the wafer, the material of the wafer, the thin film formed on the wafer, and the like. Further, there are methods such as full cut, semi-full cut and half cut depending on the amount of wafer to be diced. However, dicing is mainly performed by the full cut method.

フルカットとは、ウエハを完全に切断する方法である。従って、切込みが薄板収納容器側に入る。また、セミフルカットとはウエハ厚み量程度を切断する方法であり、ウエハはほぼ完全に切断されるが、できるだけ切込みを薄板収納容器側に入れないようにする方法である。フルカットでは、薄板収納容器側にダイシングの切込みが入り、傷がつくので、薄板収納容器を繰り返し使うことが困難である場合が多い。薄板収納容器も比較的高価であるため、ダイシング時に薄板収納容器に傷が入らないようにし、薄板収納容器を繰り返し使用することが望ましい。   Full cut is a method of completely cutting a wafer. Accordingly, the cut enters the thin plate container side. The semi-full cut is a method of cutting about the thickness of the wafer. The wafer is cut almost completely, but the cut is made as little as possible on the thin plate container side. In the full cut, dicing cuts are made on the thin plate container and scratches are made, so that it is often difficult to use the thin plate container repeatedly. Since the thin plate container is also relatively expensive, it is desirable to prevent the thin plate container from being damaged during dicing and to repeatedly use the thin plate container.

フルカットを用いて完全にウエハを切断しながら、薄板収納容器に損傷を与えない方法として、ダイシングテープを用いる方法がある。これは、薄板収納容器吸着前に、ウエハ表面保護フィルムが付着したウエハの裏面にダイシングテープを付着させ、その後で薄板収納容器に載置し吸着する方法である。ウエハ表面保護フィルムは薄板収納容器に吸着した後で剥離する。あるいは、ダイシングテープを付着させた後に、薄板収納容器吸着工程に入る前に、ウエハ表面保護フィルムを剥離しても良い。ウエハ表面保護フィルムを剥離した場合でも、薄板収納容器やダイシングテープがウエハを支持しているので、たとえウエハが極薄でも、または/及びウエハが大口径であっても、ウエハが反ることはなくウエハを平坦な状態でプロセスできる。フルカットの場合、切断部はウエハを完全に分離し、しかもダイシングテープにも切込みが入る。しかし、薄板収納容器には切込みは入らず、薄板収納容器は損傷しないので、薄板収納容器を繰返し使用できる。   There is a method using a dicing tape as a method of not damaging the thin plate container while completely cutting the wafer using the full cut. This is a method in which a dicing tape is attached to the back surface of the wafer to which the wafer surface protective film is attached before the thin plate container is sucked, and then placed on the thin plate container and sucked. The wafer surface protective film is peeled off after adsorbing to the thin plate container. Alternatively, the wafer surface protective film may be peeled off after the dicing tape is attached and before entering the thin plate container adsorption process. Even when the wafer surface protective film is peeled off, the thin plate container or dicing tape supports the wafer, so even if the wafer is extremely thin or / and the wafer has a large diameter, the wafer will not warp. The wafer can be processed in a flat state. In the case of a full cut, the cutting part completely separates the wafer, and the dicing tape is also cut. However, the thin plate storage container is not cut and the thin plate storage container is not damaged, so that the thin plate storage container can be used repeatedly.

本発明の薄板収納容器はウエハ切断工程後にチップ移載工程にも適用可能である。すなわち、薄板収納容器に吸着されたウエハを所望のサイズのチップに切断した後で、チップをピックアップして所定の場所に移載することができる。所定の場所とは、チップのその後の使用方法によって異なる。たとえば、ICパッケージの場合には、リードフレームやCOB基板上に搭載する。チップトレイに移載する場合もある。回路基板上に移載する場合もある。   The thin plate container of the present invention can also be applied to a chip transfer process after a wafer cutting process. That is, after the wafer adsorbed in the thin plate container is cut into chips of a desired size, the chips can be picked up and transferred to a predetermined location. The predetermined location differs depending on the subsequent usage of the chip. For example, in the case of an IC package, it is mounted on a lead frame or a COB substrate. Sometimes transferred to the chip tray. In some cases, it may be transferred onto a circuit board.

チップのピックアップはたとえばコレットをチップにあて真空吸引して行う。チップをピックアップする前に、薄板収納容器側の真空を破るか、真空度を少し弱めるかすることが好ましい場合がある。一般には、ピックアップ時にウエハ表面から真空吸着するが、このピックアップ側の真空度が、薄板収納容器の真空度より強ければ、チップはピックアップできる。しかし、ピックアップ側の真空度が強すぎると、ピックアップ後に、チップに大気圧と真空度との圧力差による力がチップに加わるので、チップにダメッジが入る場合もある。そのような恐れのある場合(チップ厚みが薄い場合や、チップサイズが大きい場合など)には、チップをピックアップする前に、真空を破るか、真空度を少し弱めるかすることが好ましい。   The chip is picked up by, for example, applying a collet to the chip and vacuuming the chip. Before picking up the chip, it may be preferable to break the vacuum on the side of the thin plate container or slightly reduce the degree of vacuum. Generally, vacuum pick-up is performed from the wafer surface at the time of picking up. If the degree of vacuum on the pick-up side is stronger than the degree of vacuum of the thin plate container, the chip can be picked up. However, if the degree of vacuum on the pickup side is too strong, a force due to the pressure difference between the atmospheric pressure and the degree of vacuum is applied to the chip after the pickup, so that a chip may be damaged. In such a case (when the chip thickness is thin or the chip size is large, etc.), it is preferable to break the vacuum or slightly reduce the vacuum before picking up the chip.

また、チップの下に吸着孔がある場合などには、チップをピックアップ後などに、切替弁や逆止弁を用いて減圧室92の真空を保持している場合は、真空が破れる可能性があるので、ピックアップ時に薄板収納容器の真空部分を真空に引く必要がある場合もある。このように薄板収納容器の真空部分を真空に引くことにより、一部のチップをピックアップ後もチップは薄板収納容器側に引かれるので、真空が破れたりすることによるチップの位置ずれ等の問題も発生しない。また、ピックアップ装置側や移載側等に位置ずれ補正が装備されている場合には、真空が破れることによる問題の発生は少ない。   In addition, when there is an adsorption hole under the chip, etc., if the vacuum of the decompression chamber 92 is maintained using a switching valve or a check valve after picking up the chip, the vacuum may be broken. In some cases, the vacuum portion of the thin plate container needs to be evacuated when picking up. In this way, by pulling the vacuum part of the thin plate container into a vacuum, the chip is pulled to the thin plate container even after picking up some chips, so there is also a problem such as chip misalignment due to breaking of the vacuum. Does not occur. Further, when the position correction is provided on the pickup device side, the transfer side, etc., the occurrence of problems due to the vacuum breaking is small.

前述のダイシングテープを用いてウエハを吸着する場合も、たとえフルカット法を用いても、ダイシングテープは深さ方向には完全に切断されていないので、チップのピックアップによる薄板収納容器の真空が破れるという問題は発生しない。   Even when the wafer is adsorbed using the above-mentioned dicing tape, even if the full-cut method is used, the dicing tape is not completely cut in the depth direction, so the vacuum of the thin plate container by chip pickup is broken. The problem does not occur.

以上説明したように、チップ移載においても本発明の薄板収納容器を用いているので、チップ移載工程の自動化もできるし、ウエハ切断工程の自動化およびウエハ切断からチップ移載工程との工程間の連結も自動(たとえば、自動移送)化が可能となる。   As described above, since the thin plate container of the present invention is also used for chip transfer, the chip transfer process can be automated, and the wafer cutting process can be automated and between the wafer cutting and the chip transfer process. This connection can be automated (for example, automatic transfer).

ダイシングテープとチップの密着性を減少させるために、チップを移載する前に、UV照射を行うこともできる。UV照射はダイシングテープの糊残り対策として有効である。本発明の薄板収納容器を用いて、UV照射も可能であるから、UV照射工程の自動化はもちろん、その前後工程との工程間の連結も自動(たとえば、自動移送)化が可能である。   In order to reduce the adhesion between the dicing tape and the chip, UV irradiation can be performed before the chip is transferred. UV irradiation is effective as a measure against adhesive residue on dicing tape. Since UV irradiation is possible using the thin plate container of the present invention, not only the UV irradiation process can be automated, but also the connection between the preceding and subsequent processes can be automated (for example, automatic transfer).

ウエハ表面に形成されたデバイスの最終電気特性検査は、ウエハ切断前に行うことが望ましい。さらに望ましくは、ウエハ切断後、チップ移載前に行うことがさらに望ましい。何故ならウエハの電気特性は前の工程の影響を受けるからである。しかし、ウエハ裏面研削後において、ウエハが200μm以下の厚みになった場合、またはウエハ厚みが200〜400μmでもウエハ径が200mm以上(たとえば、200〜1000mm)と大口径になった場合には、ウエハの反りが大きくなったり、強度不足によるウエハ損傷の恐れがあるために、従来は、ウエハ裏面研削後はウエハの電気特性検査を行うことが困難であった。しかし、本発明の薄板収納容器を用いることにより、ウエハ切断前に電気特性検査を行うことが可能となる。すなわち、薄板収納容器にウエハを吸着した状態で、電気特性検査を行うことができる。しかも自動化にも対応できる。たとえば、薄板収納容器を薄板収納容器ケースに複数枚セットしておけば、あるいは、積み重ねの可能な薄板収納容器を使えば、複数枚の薄板収納容器を重ねてテスターにセットしておけば、やはり電気特性検査装置(テスターなど)で自動的に処理可能である。   The final electrical property inspection of the device formed on the wafer surface is preferably performed before the wafer is cut. More preferably, it is more desirable to carry out after wafer cutting and before chip transfer. This is because the electrical characteristics of the wafer are affected by the previous process. However, if the wafer has a thickness of 200 μm or less after grinding of the wafer back surface, or if the wafer diameter becomes 200 mm or more (for example, 200 to 1000 mm) even when the wafer thickness is 200 to 400 μm, the wafer has a large diameter. Conventionally, it has been difficult to inspect the electrical characteristics of the wafer after grinding the back surface of the wafer, because the warpage of the wafer may increase or the wafer may be damaged due to insufficient strength. However, by using the thin plate container of the present invention, it is possible to perform an electrical property inspection before wafer cutting. That is, the electrical characteristic inspection can be performed in a state where the wafer is adsorbed to the thin plate container. It can also handle automation. For example, if a plurality of thin plate storage containers are set in a thin plate storage container case, or if a stackable thin plate storage container is used, if a plurality of thin plate storage containers are stacked and set in a tester, It can be automatically processed by an electrical property inspection device (such as a tester).

さらに、本発明の薄板収納容器を用いれば、ウエハ切断後にも電気特性検査を行うことができる。すなわち、ウエハ切断後にもチップとして薄板収納容器に吸着させることも可能であるから、電気特性検査が可能となる。たとえば、ウエハのチップ配列に合わせて、吸着孔を配置しておけばよい。ウエハのチップ配列に合わせた薄板収納容器をデバイス毎に用意しておけば良い。あるいはウエハのチップ配列に合わせた吸着板を用意して、デバイス毎に吸着板を変更するということもできる。このことにより、ウエハが切断場所(いわゆる、スクライブライン)に沿って完全に切断されたとしても、チップはチップ毎に配列した吸着孔によって吸着されているので、切断後もチップ位置が変化することはない。また、ダイシングテープに付着したウエハを薄板収納容器に吸着させ、かつダイシングテープの内部で切込み部を留めておけば、ウエハを切断してもダイシングテープは薄板収納容器に吸着されており、薄板収納容器の真空は破られないから切断後のチップは固定されていて、チップの電気特性検査を行うことが可能となる。また、ハーフカット方式を用いれば、ウエハ切断後も薄板収納容器の真空は破られないので、ウエハ(チップ)の電気特性検査を行うことが可能となる。尚、ダイシングテープがあった場合でも、ハーフカット方式の場合でも、ウエハのチップ配列に合わせた吸着孔があれば、ウエハ切断後にもチップの位置ずれが少ない場合もあり、安全性が高いということが言える。   Furthermore, if the thin plate container of the present invention is used, the electrical property inspection can be performed even after the wafer is cut. In other words, even after the wafer is cut, it can be adsorbed as a chip to the thin plate container, so that an electrical property inspection can be performed. For example, the suction holes may be arranged according to the chip arrangement of the wafer. A thin plate container suitable for the chip arrangement of the wafer may be prepared for each device. Alternatively, it is possible to prepare a suction plate according to the chip arrangement of the wafer and change the suction plate for each device. As a result, even if the wafer is completely cut along the cutting place (so-called scribe line), the chip position is changed even after cutting because the chip is sucked by the suction holes arranged for each chip. There is no. Also, if the wafer adhering to the dicing tape is adsorbed to the thin plate container and the notch is held inside the dicing tape, the dicing tape is adsorbed to the thin plate container even if the wafer is cut. Since the vacuum of the container is not broken, the chip after cutting is fixed, and it is possible to inspect the electrical characteristics of the chip. If the half-cut method is used, the vacuum of the thin plate container is not broken even after the wafer is cut, so that it is possible to inspect the electrical characteristics of the wafer (chip). Even if there is a dicing tape or half-cut method, if there is a suction hole that matches the chip arrangement of the wafer, the position of the chip may be small even after wafer cutting, which means that safety is high. I can say.

薄板収納容器には、バーコードやRFタグのような無線タグなどの情報表示手段を取り付けることができる。たとえば、薄板収納容器の側面や底面などに取り付けることができる。また、図3で示すような周辺部が高くなっている収納容器では、周辺部のウエハが載置されない平坦な場所にも取り付けることができるし、テーパー部にも取り付けることが可能である。さらに、図1に示すような上面が平坦な収納容器でも、ウエハの周辺または、ウエハのファセットの外側部分などウエハが載置されない場所にも取り付けることができる。最近の情報表示手段は非常に小さくなっているので、少しのスペースがあれば取付けが可能である。これらの表示手段を取り付けることにより、種々のプロセス情報を書き込んだり、読み込んだりできる。その情報に従って、プロセスの条件を変更することも可能となる。収納容器毎に情報表示手段を取り付けることができるので、ウエハの枚葉管理もできる。従って、種々のデバイスを混在して流動が可能となる。たとえば、本発明の薄板収納容器を用いると、ダイシング工程においても、ウエハ1枚ごとに、ダイシングの条件を変更可能である。また、電気特性検査においても、1枚ごとに異なったデバイスの検査が可能となる。さらに、1枚のウエハ内のチップ毎に検査条件の変更も可能である。加工処理能力の異なる場合などによりウエハが工程間で滞留しても、1枚ごとに誤りなく情報を把握できる。また、情報を保管することも容易となるので、薄板収納容器を使用してプロセスを行ったウエハについては、トレーサビリティも高くなり、信頼性の高い製品を作製できる。   An information display means such as a wireless tag such as a barcode or an RF tag can be attached to the thin plate container. For example, it can be attached to the side surface or bottom surface of the thin plate container. In addition, in the storage container having a high peripheral portion as shown in FIG. 3, it can be attached to a flat place where the peripheral wafer is not placed, or can be attached to a tapered portion. Further, even a storage container having a flat upper surface as shown in FIG. 1 can be attached to the periphery of the wafer or a place where the wafer is not placed, such as an outer portion of the wafer facet. Since the recent information display means is very small, it can be installed if there is a little space. By attaching these display means, various process information can be written and read. It is also possible to change the process conditions according to the information. Since an information display means can be attached to each storage container, wafer single wafer management is also possible. Therefore, it is possible to flow by mixing various devices. For example, when the thin plate container of the present invention is used, dicing conditions can be changed for each wafer in the dicing process. Also in the electrical property inspection, it is possible to inspect different devices for each sheet. Further, the inspection conditions can be changed for each chip in one wafer. Even if a wafer stays between processes due to different processing capabilities, information can be grasped without error for each sheet. In addition, since information can be easily stored, a wafer that has been processed using a thin plate container has high traceability, and a highly reliable product can be manufactured.

また、本発明の薄板収納容器は収納容器ケースに収納もできるし、クリーンボックスなどにも保管できる。また、積み重ねが可能な薄板収納容器の場合には、単純積み重ねも可能なので、スペースを最小化もできる。従って、工程内および工程間に清浄かつ安全に、または/及び大量にストックでき、工程設計が容易になる。   The thin plate storage container of the present invention can be stored in a storage container case, or stored in a clean box or the like. In addition, in the case of thin plate containers that can be stacked, simple stacking is also possible, so that the space can be minimized. Therefore, it can be stocked cleanly and safely within the process and between processes, and / or in large quantities, and process design is facilitated.

さらに、極薄ウエハまたは/及び大口径ウエハでは工程間搬送時に破損しやすいという問題を防止するために、ウエハを積層する時に各ウエハの間に消耗品である層間紙を挿入していたが、本発明の薄板収納容器を使用する場合は、このような層間紙は不要となり、これもコストダウンにつながるという利点もある。   Furthermore, in order to prevent the problem that the ultra-thin wafer and / or the large-diameter wafer are easily damaged during the transfer between processes, an interlayer paper which is a consumable is inserted between the wafers when the wafers are stacked. When the thin plate container of the present invention is used, such an interlayer paper becomes unnecessary, which also has an advantage of reducing the cost.

これまでも説明したように、薄板収納容器にウエハを吸着後は、薄板収納容器の自動搬送が可能となるので、薄板収納容器吸着工程に続けて、ウエハ切断工程に、さらにチップ移載工程へと工程間搬送が自動で可能となる。従って、これらの一貫ラインを構築できる。さらに、これらの工程の間にウエハ電気特性検査工程やウエハ外観検査工程が入っても、同様に一貫した自動化ラインを構築でき、非常にコストの安い製造ラインを作ることが可能となる。また、薄板収納容器に情報表示手段を容易に付置できるので、ウエハの枚葉管理ができ自由度の高い製造ラインを作ることが可能となる。   As described above, after the wafer is sucked into the thin plate container, the thin plate container can be automatically transferred. Therefore, following the thin plate container sucking step, the wafer cutting step and further the chip transfer step. And inter-process transfer is possible automatically. Therefore, these consistent lines can be constructed. Furthermore, even if a wafer electrical property inspection step and a wafer appearance inspection step are included between these steps, a consistent automated line can be constructed in the same manner, and a production line with a very low cost can be made. In addition, since the information display means can be easily attached to the thin plate container, the wafers can be managed and a production line with a high degree of freedom can be made.

本発明は、半導体プロセスにおけるウエハ裏面研削工程以降ウエハのプロセスや搬送工程において、利用することができる。特に、極薄ウエハや極薄チップや大口径ウエハを用いる半導体産業において、利用することができる。   The present invention can be used in a wafer process and a transfer process after a wafer back grinding process in a semiconductor process. In particular, it can be used in the semiconductor industry using ultra-thin wafers, ultra-thin chips, and large-diameter wafers.

図1(a)は、本発明の薄板収納容器に係る第1の実施形態を示す図である。Fig.1 (a) is a figure which shows 1st Embodiment which concerns on the thin plate container of this invention. 図1(b)は、本発明の薄板収納容器に係る第1の実施形態を示す図である。FIG.1 (b) is a figure which shows 1st Embodiment which concerns on the thin plate container of this invention. 図1(c)は、本発明の薄板収納容器に係る第1の実施形態を示す図である。FIG.1 (c) is a figure which shows 1st Embodiment which concerns on the thin plate container of this invention. 図1(d)は、本発明の薄板収納容器に係る第1の実施形態を示す図である。FIG.1 (d) is a figure which shows 1st Embodiment which concerns on the thin plate container of this invention. 図1(e)は、本発明の薄板収納容器に係る第1の実施形態を示す図である。FIG.1 (e) is a figure which shows 1st Embodiment which concerns on the thin plate container of this invention. 図2は、本発明の薄板収納容器に係る第1の実施形態の応用を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an application of the first embodiment according to the thin plate container of the present invention. 図3(a)は、本発明の薄板収納容器に係る第2の実施形態を示す図である。Fig.3 (a) is a figure which shows 2nd Embodiment which concerns on the thin plate container of this invention. 図3(b)は、本発明の薄板収納容器に係る第2の実施形態を示す図である。FIG.3 (b) is a figure which shows 2nd Embodiment which concerns on the thin plate container of this invention. 図4は、本発明の薄板収納容器に係る第3の実施形態を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a third embodiment according to the thin plate container of the present invention. 図5は、本発明の薄板収納容器に係る第4の実施形態を示す図である。FIG. 5 is a view showing a fourth embodiment according to the thin plate container of the present invention. 図6は、本発明の薄板収納容器に係る第5の実施形態を示す図である。FIG. 6 is a view showing a fifth embodiment according to the thin plate container of the present invention. 図7(a)は、本発明の薄板収納容器に係る第6の実施形態を示す図である。FIG. 7A is a diagram showing a sixth embodiment according to the thin plate container of the present invention. 図7(b)は、本発明の薄板収納容器に係る第6の実施形態を示す図である。FIG. 7B is a view showing a sixth embodiment according to the thin plate container of the present invention. 図8(a)は、本発明の薄板収納容器に係る第7の実施形態を示す図である。FIG. 8A is a view showing a seventh embodiment according to the thin plate container of the present invention. 図8(b)は、本発明の薄板収納容器に係る第7の実施形態を示す図である。FIG. 8B is a diagram showing a seventh embodiment according to the thin plate container of the present invention. 図9は、本発明の薄板収納容器に係る実施例を示す図である。FIG. 9 is a view showing an embodiment according to the thin plate container of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・薄板収納容器、2・・・減圧室、3・・・吸着孔、4・・・吸着面、
5・・・吸気孔、6・・吸引口、7・・薄板収納容器下側部分(薄板収納容器基板)、
8・・薄板収納容器横側部分、9・・薄板収納容器上側部分(吸着板)、
10・・吸引開口、11・・支持隔壁、12・・連通孔、14・・・シール材受け溝、
15・・・フック、16・・・フック受け溝、17・・・ウエハ、18・・・シール材、
24A・・・吸着面、24B・・・吸着面、27A・・・薄板収納容器基板、
27B・・薄板収納容器基板、29A・・吸着板、29B・・・吸着板、30・・・ウエハ
31・・・薄板収納容器、32・・・減圧室、33・・・吸着孔、34・・・吸着面、
35・・吸気孔、36・・吸引口、37・・ウエハ、38・・傾斜面、39・・周縁部、
40・・・(薄板収納容器)横側部分、42・・・減圧室、43・・・吸着孔、
44・・・吸着面、45・・・吸気孔、46・・・吸引口、47・・・薄板収納容器基板、
49・・吸着板、52・・・減圧室、53・・・吸着孔、54・・・吸着面、
55・・・吸気孔、56・・・吸引口、57・・・薄板収納容器基板、
58A・・・傾斜面、58B・・・傾斜面、59・・・吸着板、67・・薄板収納容器基板、
69・・・吸着板、71・・・吸着板、72・・・吸着基板、73・・・吸着孔、
74・・・吸着面、75・・・吸着シート、81・・吸着板、82・・支持ネット、
83・・吸着孔、91・・・薄板収納容器、92・・・減圧室、93・・・吸着孔、
94・・・吸着面、95・・・吸気孔、96・・・吸引口、97・・・吸引開口、
98・・・シール材、99・・・吸着板、100・・・連通孔(溝)、
101・・・支持隔壁、102・・・連通孔、103・・・支持隔壁、
104・・・薄板収納容器基板、111・・・支持隔壁、112・・連通孔、
113・・・シール受け溝、115・・・116・・・フック受け溝、
118・・・シール材、121・・・支持隔壁、122・・・連通孔、
124・・・シール受け溝、125・・・フック、126・・・フック受け溝、
128・・・シール材、134・・・シール受け溝、135・・・フック、
136・・・フック受け溝、138・・・シール材、
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Thin plate container, 2 ... Decompression chamber, 3 ... Adsorption hole, 4 ... Adsorption surface,
5 .. intake hole, 6 .. suction port, 7 .. lower part of thin plate container (thin plate container substrate),
8 .. Thin plate storage container side part, 9 .. Thin plate storage container upper part (adsorption plate),
10 .... Suction opening, 11 .... Supporting partition wall, 12 .... Communication hole, 14 ... Seal material receiving groove,
15 ... hook, 16 ... hook receiving groove, 17 ... wafer, 18 ... sealing material,
24A ... adsorption surface, 24B ... adsorption surface, 27A ... thin plate container substrate,
27B ... Thin plate storage container substrate, 29A ... Adsorption plate, 29B ... Adsorption plate, 30 ... Wafer 31 ... Thin plate storage container, 32 ... Decompression chamber, 33 ... Adsorption hole, 34 ... ..Suction surface,
35 ..Intake hole, 36 ..Suction port, 37 ..Wafer, 38 ..Inclined surface, 39.
40 ... (thin plate container) side portion, 42 ... decompression chamber, 43 ... suction hole,
44 ... suction surface, 45 ... suction hole, 46 ... suction port, 47 ... thin plate container substrate,
49..Adsorption plate, 52 ... Decompression chamber, 53 ... Adsorption hole, 54 ... Adsorption surface,
55... Intake hole, 56... Suction port, 57.
58A ... inclined surface, 58B ... inclined surface, 59 ... suction plate, 67 ... thin plate container substrate,
69 ... Suction plate, 71 ... Suction plate, 72 ... Suction substrate, 73 ... Suction hole,
74 ... Suction surface, 75 ... Suction sheet, 81 ... Suction plate, 82 ... Support net,
83 .. Adsorption hole, 91 ... Thin plate container, 92 ... Decompression chamber, 93 ... Adsorption hole,
94 ... Suction surface, 95 ... Suction hole, 96 ... Suction port, 97 ... Suction opening,
98 ... Sealing material, 99 ... Adsorption plate, 100 ... Communication hole (groove),
101: Supporting partition, 102: Communication hole, 103: Supporting partition,
104 ... Thin plate container substrate, 111 ... Support partition, 112 ... Communication hole,
113 ... seal receiving groove, 115 ... 116 ... hook receiving groove,
118 ... Sealing material, 121 ... Supporting partition wall, 122 ... Communication hole,
124: seal receiving groove, 125 ... hook, 126 ... hook receiving groove,
128 ... Sealing material, 134 ... Seal receiving groove, 135 ... Hook,
136: hook receiving groove, 138: sealing material,

Claims (28)

ウエハを真空吸着する真空吸着部を有する薄板収納容器であって、真空吸着部は、ウエハを載置するウエハ吸着面、吸着面上に開口したウエハを真空吸着する複数の吸着孔、複数の吸着孔が接続する減圧室、外部真空ラインと接続する吸引口、および減圧室と吸引口とを接続する吸気孔を有し、前記減圧室には支持隔壁が設けられていて、当該減圧室を複数の部分室に分離し、前記ウエハ吸着面を支えていることを特徴とする薄板収納容器。   A thin plate storage container having a vacuum suction unit for vacuum-sucking a wafer, wherein the vacuum suction unit includes a wafer suction surface on which a wafer is placed, a plurality of suction holes for vacuum-sucking a wafer opened on the suction surface, and a plurality of suctions A decompression chamber to which the hole is connected, a suction port to be connected to the external vacuum line, and an intake hole to connect the decompression chamber and the suction port. A thin plate container which is separated into the partial chambers and supports the wafer suction surface. ウエハを真空吸着する真空吸着部を有する薄板収納容器であって、真空吸着部は、ウエハを載置するウエハ吸着面、吸着面上に開口したウエハを真空吸着する複数の吸着孔、複数の吸着孔が接続する減圧室、外部真空ラインと接続する吸引口、および減圧室と吸引口とを接続する吸気孔を有していて、前記薄板収納容器は、前記減圧室の天井部分から二つの部分に分離可能であり、分離可能な一方の部分は、前記ウエハ吸着面および吸着孔を含む吸着板であり、分離可能な他方の部分は、前記減圧室、吸気孔および吸引口を含む薄板収納容器基板であることを特徴とする薄板収納容器。   A thin plate storage container having a vacuum suction unit for vacuum-sucking a wafer, wherein the vacuum suction unit includes a wafer suction surface on which a wafer is placed, a plurality of suction holes for vacuum-sucking a wafer opened on the suction surface, and a plurality of suctions A decompression chamber to which the hole is connected, a suction port to be connected to the external vacuum line, and an intake hole to connect the decompression chamber and the suction port, and the thin plate container is separated into two parts from the ceiling part of the decompression chamber One part that can be separated is a suction plate including the wafer suction surface and suction holes, and the other part that can be separated is a thin plate container that includes the decompression chamber, suction holes, and suction ports. A thin plate container which is a substrate. 請求項1および2とからなることを特徴とする薄板収納容器。   A thin plate container comprising the first and second embodiments. 上記薄板収納容器は平板形状であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかの項記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to any one of claims 1 to 3, wherein the thin plate container has a flat plate shape. 上記ウエハ吸着面が、上記薄板収納容器の周縁部に対して凹状に形成されていて、前記ウエハ吸着面と前記周縁部との間にある側段部が外側に開いた傾斜面であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかの項記載の薄板収納容器。   The wafer suction surface is formed in a concave shape with respect to the peripheral portion of the thin plate container, and the side step portion between the wafer suction surface and the peripheral portion is an inclined surface opened outward. The thin plate container according to any one of claims 1 to 3, wherein the thin plate container is characterized. 上記減圧室の天井部分を含む上記吸着板の底面が平面形状であることを特徴とする、請求項5記載の薄板収納容器。   6. The thin plate container according to claim 5, wherein the bottom surface of the suction plate including the ceiling portion of the decompression chamber has a planar shape. 横断面形状が逆台形形状を有している吸着板であることを特徴とする、請求項5記載の薄板収納容器。   6. The thin plate container according to claim 5, wherein the suction plate has a reverse trapezoidal cross-sectional shape. 上記薄板収納容器基板に接して上記減圧室を構成する上記吸着板の外周面に、上記減圧室を気密にシールするシール構造を有しているか、あるいは上記吸着板を上記薄板収納容器に固定するための留め構造を有しているか、あるいはそれらの双方を有していることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかの項記載の薄板収納容器。 It has a sealing structure that hermetically seals the decompression chamber on the outer peripheral surface of the suction plate that constitutes the decompression chamber in contact with the thin plate storage container substrate, or the suction plate is fixed to the thin plate storage container. The thin plate storage container according to any one of claims 1 to 7, wherein the thin plate storage container has a fastening structure for the use or both of them. ウエハを上記薄板収納容器に吸着した状態において、ウエハの最上面が当該薄板収納容器の周縁平坦部より低いことを特徴とする、請求項5〜8のいずれかの項記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to any one of claims 5 to 8, wherein the uppermost surface of the wafer is lower than a peripheral flat portion of the thin plate container when the wafer is adsorbed to the thin plate container. 上記吸着板は、少なくとも弾性高分子材料からなることを特徴とする、請求項1〜9のいずれかの項記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to claim 1, wherein the adsorption plate is made of at least an elastic polymer material. 上記弾性高分子は、熱可塑性エラストマーまたは発泡高分子材料またはフッ素樹脂または潤滑性分子材料の少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項10のいずれかの項記載の薄板収納容器。   11. The thin plate container according to claim 10, wherein the elastic polymer is at least one of a thermoplastic elastomer, a foamed polymer material, a fluororesin, or a lubricating molecular material. 上記支持隔壁には、当該支持隔壁で仕切られた各部分室を真空引きすることが可能な孔または溝があいていることを特徴とする、請求項1または請求項3〜11のいずれかの項記載の薄板収納容器。   12. The support partition according to claim 1, wherein a hole or a groove capable of evacuating each partial chamber partitioned by the support partition is formed in the support partition. The thin plate container according to the item. 上記支持隔壁は上記減圧室から分離して繰り返し使用できることを特徴とする、請求項1または請求項3〜12のいずれかの項記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to any one of claims 1 and 3 to 12, wherein the supporting partition wall can be repeatedly used after being separated from the decompression chamber. 上記部分室はほぼ等しい容積を有していることを特徴とする、請求項1または請求項3〜13のいずれかの項記載の薄板収納容器。   14. A thin plate container according to claim 1, wherein the partial chambers have substantially the same volume. 上記各部分室には、少なくとも一つ以上の吸着孔が存在することを特徴とする、請求項1または請求項3〜14のいずれかの項記載の薄板収納容器。   15. The thin plate container according to claim 1, wherein at least one suction hole is present in each of the partial chambers. 分離した上記吸着板、上記支持隔壁あるいは上記ウエハ支持基板の少なくとも一つを洗浄することにより繰り返し使用することを特徴とする、請求項1〜15のいずれかの項記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to any one of claims 1 to 15, wherein the thin plate container is used repeatedly by washing at least one of the adsorbing plate, the supporting partition and the wafer supporting substrate. 上記吸着板は、少なくとも二層構造を有していることを特徴とする、請求項1〜16のいずれかの項記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to any one of claims 1 to 16, wherein the adsorption plate has at least a two-layer structure. 上記吸着面を構成する材料は、少なくとも弾性高分子材料からなることを特徴とする、請求項17記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to claim 17, wherein the material constituting the adsorption surface is made of at least an elastic polymer material. 上記弾性高分子材料は、熱可塑性エラストマーまたは発泡高分子材料またはフッ素樹脂または潤滑性高分子材料の少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項18記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to claim 18, wherein the elastic polymer material is at least one of a thermoplastic elastomer, a foamed polymer material, a fluororesin, or a lubricating polymer material. 上記吸着板と密着した網目構造を有する支持ネットを介してウエハを吸着することを特徴とする、請求項1〜19のいずれかの項記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to any one of claims 1 to 19, wherein the wafer is sucked through a support net having a mesh structure in close contact with the suction plate. 上記支持ネットを構成する網目の各形成領域に、少なくとも一つ以上の吸着孔が存在することを特徴とする、請求項20記載の薄板収納容器。   21. The thin plate container according to claim 20, wherein at least one suction hole is present in each formation region of the mesh constituting the support net. 上記支持ネットは、少なくとも弾性高分子材料から構成されていることを特徴とする、請求項20または21記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to claim 20 or 21, wherein the support net is made of at least an elastic polymer material. 上記弾性高分子材料は、熱可塑性エラストマーまたはフッ素樹脂または発泡高分子またはポリプロピレンの少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項22記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to claim 22, wherein the elastic polymer material is at least one of a thermoplastic elastomer, a fluororesin, a foamed polymer, or polypropylene. 上記薄板収納容器における吸着面の吸着孔はウエハのチップ位置ごとに存在していて、ウエハのスクライブライン上には存在していないことを特徴とする、請求項1〜23のいずれかの項記載の半導体チップの形成方法。   24. The suction hole of the suction surface in the thin plate container is present for each chip position of the wafer and does not exist on the scribe line of the wafer. Semiconductor chip forming method. 上記薄板収納容器をウエハ電気特性検査またはウエハダイシング工程にて用いることを特徴とする、請求項1〜24のいずれかの項記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to any one of claims 1 to 24, wherein the thin plate container is used in a wafer electrical property inspection or a wafer dicing process. 上記薄板収納容器をウエハ裏面加工歪除去工程に用いることを特徴とする、請求項1〜25のいずれかの項記載の薄板収納容器。   The thin plate container according to any one of claims 1 to 25, wherein the thin plate container is used in a wafer back surface processing strain removing step. 上記薄板収納容器に情報表示手段を付置していることを特徴とする、請求項1〜26のいずれかの項記載の薄板収納容器。   27. The thin plate container according to claim 1, wherein an information display means is attached to the thin plate container. 上記情報表示手段は、上記薄板収納容器における側面部、底面部または上面部の少なくともいずれかの部分に付置していることを特徴とする、請求項27記載の薄板収納容器。
28. The thin plate container according to claim 27, wherein the information display means is attached to at least one of a side surface portion, a bottom surface portion, and an upper surface portion of the thin plate container.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009239194A (en) * 2008-03-28 2009-10-15 Sanyo Electric Co Ltd Method of processing semiconductor wafer
JP2010016125A (en) * 2008-07-02 2010-01-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Peeling device and peeling method
KR100976458B1 (en) 2008-04-21 2010-08-17 삼성모바일디스플레이주식회사 Chuck for laser induced thermal imaging and laser induced thermal imaging apparatus having the same
JP2011148143A (en) * 2010-01-20 2011-08-04 Dainippon Printing Co Ltd Sheet chuck and microcontact printing method using the same
JP2012507138A (en) * 2008-10-23 2012-03-22 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Imprint lithography apparatus and method
JP2012242725A (en) * 2011-05-23 2012-12-10 Konica Minolta Advanced Layers Inc Method for manufacturing lens unit
JP2013219193A (en) * 2012-04-09 2013-10-24 Oji Holdings Corp Substrate fixing tool
JP2015216364A (en) * 2014-04-23 2015-12-03 株式会社アルバック Retention device, vacuum processing apparatus
JP2017027974A (en) * 2015-07-16 2017-02-02 三菱電機株式会社 Suction plate, device for testing semiconductor device, and method for testing semiconductor device
TWI584396B (en) * 2014-05-21 2017-05-21 細美事有限公司 Pallet table for supporting semiconductor packages
JP2019062129A (en) * 2017-09-27 2019-04-18 日本特殊陶業株式会社 Substrate holding member

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6333907U (en) * 1986-08-20 1988-03-04
JPS63102848A (en) * 1986-10-17 1988-05-07 Mitsubishi Electric Corp Vacuum suction base
JPH0292930U (en) * 1989-01-09 1990-07-24
JPH04167541A (en) * 1990-10-31 1992-06-15 Fujitsu Ltd Positioning method for substrate and device thereof
JPH07153823A (en) * 1993-06-24 1995-06-16 Texas Instr Inc <Ti> Wafer-equalization processing after saw-cutting of dmds (digital method micromirror element)
JPH09251948A (en) * 1996-03-18 1997-09-22 Fujitsu Ltd Apparatus and method for flatness correction
JP2001326270A (en) * 2000-03-10 2001-11-22 Canon Inc Substrate holder, semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2002103264A (en) * 2000-10-02 2002-04-09 Fuji Filter Kogyo Kk Suction chuck plate
JP2004095831A (en) * 2002-08-30 2004-03-25 Mitsubishi Materials Corp Suction pad, suction holder and manufacturing method of suction pad
JP2004265962A (en) * 2003-02-28 2004-09-24 Hirata Corp Substrate turn device
JP2005064139A (en) * 2003-08-08 2005-03-10 Canon Inc Substrate holding device and exposure device
JP2005123283A (en) * 2003-10-15 2005-05-12 Shinko Electric Ind Co Ltd Fragment machining device for work
JP2005126815A (en) * 2003-09-30 2005-05-19 Seiko Epson Corp Fixture for surface treatment

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6333907U (en) * 1986-08-20 1988-03-04
JPS63102848A (en) * 1986-10-17 1988-05-07 Mitsubishi Electric Corp Vacuum suction base
JPH0292930U (en) * 1989-01-09 1990-07-24
JPH04167541A (en) * 1990-10-31 1992-06-15 Fujitsu Ltd Positioning method for substrate and device thereof
JPH07153823A (en) * 1993-06-24 1995-06-16 Texas Instr Inc <Ti> Wafer-equalization processing after saw-cutting of dmds (digital method micromirror element)
JPH09251948A (en) * 1996-03-18 1997-09-22 Fujitsu Ltd Apparatus and method for flatness correction
JP2001326270A (en) * 2000-03-10 2001-11-22 Canon Inc Substrate holder, semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2002103264A (en) * 2000-10-02 2002-04-09 Fuji Filter Kogyo Kk Suction chuck plate
JP2004095831A (en) * 2002-08-30 2004-03-25 Mitsubishi Materials Corp Suction pad, suction holder and manufacturing method of suction pad
JP2004265962A (en) * 2003-02-28 2004-09-24 Hirata Corp Substrate turn device
JP2005064139A (en) * 2003-08-08 2005-03-10 Canon Inc Substrate holding device and exposure device
JP2005126815A (en) * 2003-09-30 2005-05-19 Seiko Epson Corp Fixture for surface treatment
JP2005123283A (en) * 2003-10-15 2005-05-12 Shinko Electric Ind Co Ltd Fragment machining device for work

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009239194A (en) * 2008-03-28 2009-10-15 Sanyo Electric Co Ltd Method of processing semiconductor wafer
KR100976458B1 (en) 2008-04-21 2010-08-17 삼성모바일디스플레이주식회사 Chuck for laser induced thermal imaging and laser induced thermal imaging apparatus having the same
JP2010016125A (en) * 2008-07-02 2010-01-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Peeling device and peeling method
JP2012507138A (en) * 2008-10-23 2012-03-22 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Imprint lithography apparatus and method
JP2011148143A (en) * 2010-01-20 2011-08-04 Dainippon Printing Co Ltd Sheet chuck and microcontact printing method using the same
JP2012242725A (en) * 2011-05-23 2012-12-10 Konica Minolta Advanced Layers Inc Method for manufacturing lens unit
JP2013219193A (en) * 2012-04-09 2013-10-24 Oji Holdings Corp Substrate fixing tool
JP2015216364A (en) * 2014-04-23 2015-12-03 株式会社アルバック Retention device, vacuum processing apparatus
TWI584396B (en) * 2014-05-21 2017-05-21 細美事有限公司 Pallet table for supporting semiconductor packages
JP2017027974A (en) * 2015-07-16 2017-02-02 三菱電機株式会社 Suction plate, device for testing semiconductor device, and method for testing semiconductor device
JP2019062129A (en) * 2017-09-27 2019-04-18 日本特殊陶業株式会社 Substrate holding member

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