JP2007273947A - 基板処理システム、基板表面処理装置、基板表面検査装置、基板表面検査方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理システム10は、ウエハWを搬送するローダーモジュール13と、表面処理装置17と、表面検査装置18とを備え、表面処理装置17及び表面検査装置18はそれぞれローダーモジュール13に接続され、表面処理装置17は、ウエハWを収容する収容室34と、該収容室34内にフッ素を含むガスを供給する流体供給部36とを有し、表面検査装置18は、フッ素を含むガスが表面に供給されたウエハWを収容する収容室42と、ウエハWの表面をレーザ光44で照射するレーザ光照射部45と、ウエハWの表面からの散乱光46の一部を受光する受光部47と、受光した散乱光を電気信号に変換する光電変換部48とを有する。
【選択図】図1
Description
(1)ウエハ50がローダーモジュール内を搬送される際、又は大気開放されたロード・ロックモジュール内に搬入される際、ウエハ50の表面にパーティクル51が付着する。また、パーティクル51の表面には大気中の水分が付着するが、このとき、パーティクル51及びウエハ50の表面の間には大気中の水分52が捕捉される(図4(A))。
(2)ウエハ50がロード・ロックモジュールに搬入され、大気ゲートバルブが閉鎖され、ロード・ロックモジュール内が真空引きされると、ロード・ロックモジュール内は急激な圧力低下によって断熱膨張状態になり、パーティクル51及びウエハ50の表面の間に捕捉された水分が凝固する。このとき、凝固した水分52は雪の結晶状に成長する(図4(B))。ここで、「雪の結晶状」とは水分子同士が水素結合することに起因する6回対称性を有する樹枝状の特徴を備える形状(六華状)をいう。
(3)その後、真空ゲートバルブが開くとプロセスモジュールの処理室容器内から他のウエハのRIE処理に使用された処理ガスの残留ガス53、例えば、フッ素等のハロゲンを含むガスがロード・ロックモジュール内へ流入する。残留ガス53のフッ素は凝固した水分52に付着する。
(4)次いで、ロード・ロックモジュール内に窒素ガス等が導入されて大気開放が行われると、凝固した水分52が融解する。このとき、水分52に付着したフッ素は水と化合して弗化水素となる。弗化水素はウエハの表面の露出した物質、例えば、シリコンを腐食し、ウエハの表面には腐食の痕跡が形成される。また、融解によって水分52はウエハの表面上において広がるので、弗化水素による腐食の痕跡である腐食部54も拡大する。すなわち、腐食部54はパーティクル51より大きくなる。これにより、パーティクル51の存在が腐食部54によって強調される。
S 処理空間
W,50 ウエハ
10 基板処理システム
11 プロセスシップ
13 ローダーモジュール
17,75 表面処理装置
18,58,65 表面検査装置
19 搬送アーム機構
25 プロセスモジュール
26 搬送アーム
27 ロード・ロックモジュール
29 真空ゲートバルブ
30 大気ゲートバルブ
35,43,60,67 ウエハステージ
36,78 流体供給部
44 レーザ光
45 レーザ光照射部
46 散乱光
47 受光部
48 光電変換部
52,56,81 水分
53 残留ガス
54,57 腐食部
55,82 ガス
61,69 EB照射部
62 電流計測部
64,68 EB
70 電荷計測部
72 突起
73 突出部
77 急冷ステージ
80 過冷却水
83 固形物
Claims (28)
- 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムであって、
前記基板の表面に向けて、該基板の表面に露出した物質を変質させる変質物質を含む流体を供給する流体供給部を有する基板表面処理装置と、
前記流体が供給された前記基板の表面を検査する基板表面検査装置とを備えることを特徴とする基板処理システム。 - 前記基板表面処理装置は前記基板を収容する収容室と、該収容室内を減圧する減圧部とを有することを特徴とする請求項1記載の基板処理システム。
- 前記変質物質は前記露出した物質を腐食することを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理システム。
- 前記変質物質は酸、アルカリ、他の物質と化合して酸になる物質又は他の物質と化合してアルカリになる物質であることを特徴とする請求項3記載の基板処理システム。
- 前記基板表面検査装置は、前記基板を載置し且つ該載置された基板を回転させる載置台と、前記基板の表面にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、前記表面からの散乱光の少なくとも一部を受光する受光部と、該受光部が受光した散乱光を電気信号に変換する光電変換部とを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- 前記基板表面検査装置は、前記基板を載置し且つ該載置された基板を回転させる載置台と、前記基板の表面にEBを照射するEB照射部と、前記載置台に接続され且つ前記基板の表面に照射されたEBに起因して生じる電流を計測する電流計測部とを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- 前記基板表面検査装置は、前記基板の表面における所定の領域にEBを照射するEB照射部と、前記所定の領域の電荷分布を計測する電荷計測部とを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- 表面が検査される基板の前記表面に向けて、該基板の表面に露出した物質を変質させる変質物質を含む流体を供給する流体供給部を備えることを特徴とする基板表面処理装置。
- 基板の表面を検査する基板表面検査装置であって、
基板の表面に向けて、該基板の表面に露出した物質を変質させる変質物質を含む流体を供給する流体供給部を備えることを特徴とする基板表面検査装置。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムであって、
前記基板の表面を蝕刻する蝕刻部を有する基板表面処理装置と、
前記表面が蝕刻された基板の表面を検査する基板表面検査装置とを備えることを特徴とする基板処理システム。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムであって、
基板の表面に塗布されたポジ型の感光性物質を露光する露光部及び該露光された感光性物質を現像する現像部を有する基板表面処理装置と、
前記感光性物質が現像された基板の表面を検査する基板表面検査装置とを備えることを特徴とする基板処理システム。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムにおける基板表面検査方法であって、
前記基板の表面に向けて、該基板の表面に露出した物質を変質させる変質物質を含む流体を供給する流体供給ステップと、
前記流体が供給された前記基板の表面を検査する基板表面検査ステップとを有することを特徴とする基板表面検査方法。 - 前記基板の表面に向けて前記流体を供給した後、該基板を所定の時間だけ放置する基板放置ステップをさらに有することを特徴とする請求項12記載の基板表面検査方法。
- 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムにおける基板表面検査方法であって、
前記基板の表面を蝕刻する表面蝕刻ステップと、
前記表面が蝕刻された基板の表面を検査する基板表面検査ステップとを有することを特徴とする基板表面検査方法。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムにおける基板表面検査方法であって、
前記基板の表面に塗布された感光性物質を露光する露光ステップと、
該露光された感光性物質を現像する現像ステップと、
前記感光性物質が現像された基板の表面を検査する基板表面検査ステップとを有することを特徴とする基板表面検査方法。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムにおける基板表面検査方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記基板の表面に向けて、該基板の表面に露出した物質を変質させる変質物質を含む流体を供給する流体供給モジュールと、
前記流体が供給された前記基板の表面を検査する基板表面検査モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムにおける基板表面検査方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記基板の表面を蝕刻する表面蝕刻モジュールと、
前記表面が蝕刻された基板の表面を検査する基板表面検査モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムにおける基板表面検査方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記基板の表面に塗布された感光性物質を露光する露光モジュールと、
該露光された感光性物質を現像する現像モジュールと、
前記感光性物質が現像された基板の表面を検査する基板表面検査モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムであって、
前記基板を収容する収容室と、該収容室内を減圧する減圧部と、前記基板の表面に向けて、水分と反応することにより固形物となる反応物質を含む流体を供給する流体供給部とを有する基板表面処理装置と、
前記流体が供給された前記基板の表面を検査する基板表面検査装置とを備えることを特徴とする基板処理システム。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムであって、
前記基板を載置し且つ該載置された基板を急冷する載置台と、前記基板の表面に向けて、水分と反応することにより固形物となる反応物質を含む流体を供給する流体供給部とを有する基板表面処理装置と、
前記流体が供給された前記基板の表面を検査する基板表面検査装置とを備えることを特徴とする基板処理システム。 - 前記反応物質はシアノアクリレート(シアノアクリル酸エステル)であることを特徴とする請求項19又は20記載の基板処理システム。
- 前記載置台は前記基板の温度が0℃以下になるように該基板の急冷を行うことを特徴とする請求項20記載の基板処理システム。
- 表面が検査される基板を収容する収容室と、該収容室内を減圧する減圧部と、前記基板の表面に向けて、水分と反応することにより固形物となる反応物質を含む流体を供給する流体供給部とを備えることを特徴とする基板表面処理装置。
- 表面が検査される基板を載置し且つ該載置された基板を急冷する載置台と、前記基板の表面に向けて、水分と反応することにより固形物となる反応物質を含む流体を供給する流体供給部とを備えることを特徴とする基板表面処理装置。
- 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムにおける基板表面検査方法であって、
前記基板を収容する収容室内を減圧する減圧ステップと、
前記基板の表面に向けて、水分と反応することにより固形物となる反応物質を含む流体を供給する流体供給ステップと、
前記流体が供給された前記基板の表面を検査する基板表面検査ステップとを有することを特徴とする基板表面検査方法。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムにおける基板表面検査方法であって、
前記基板を急冷する急冷ステップと、
前記基板の表面に向けて、水分と反応することにより固形物となる反応物質を含む流体を供給する流体供給ステップと、
前記流体が供給された前記基板の表面を検査する基板表面検査ステップとを有することを特徴とする基板表面検査方法。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムにおける基板表面検査方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記基板を収容する収容室内を減圧する減圧モジュールと、
前記基板の表面に向けて、水分と反応することにより固形物となる反応物質を含む流体を供給する流体供給モジュールと、
前記流体が供給された前記基板の表面を検査する基板表面検査モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置を備える基板処理システムにおける基板表面検査方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記基板を急冷する急冷モジュールと、
前記基板の表面に向けて、水分と反応することにより固形物となる反応物質を含む流体を供給する流体供給モジュールと、
前記流体が供給された前記基板の表面を検査する基板表面検査モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008205224A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 表面検査方法及び表面検査装置 |
JP2009198432A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 粒子検出補助方法、粒子検出方法、粒子検出補助装置及び粒子検出システム |
JP2010019782A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Tokyo Electron Ltd | 異物検出方法、異物検出装置、異物検出システム及び記憶媒体 |
JP2010027931A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板の周辺端部に付着した異物検出方法、装置及び記憶媒体 |
US20100118302A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for detecting foreign materials and storage medium |
JP2010135419A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Philtech Inc | 基板、基板保持装置、解析装置、プログラム、検出システム、半導体デバイス、表示装置、および半導体製造装置 |
JP2011228478A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Sumco Corp | ウェーハ評価方法 |
KR20210043181A (ko) * | 2019-10-11 | 2021-04-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR20210149391A (ko) * | 2020-06-02 | 2021-12-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05340885A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パーティクル検査方法 |
JPH06102190A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Sony Corp | 微細粒子検出方法及び微細粒子除去方法 |
JPH06341961A (ja) * | 1993-04-29 | 1994-12-13 | Fujitsu Ltd | 膜の細孔の検出及び解析方法 |
JPH08111444A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Kawasaki Steel Corp | 半導体基板用シリコンウェハの原子空孔分布評価法 |
JPH095250A (ja) * | 1994-04-07 | 1997-01-10 | Matsushita Electron Corp | 基板表面の異物検査方法及び検査装置 |
JPH10189675A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | パ−ティクル検出用ダミーウエハ |
JP2006303134A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの評価方法 |
-
2007
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05340885A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パーティクル検査方法 |
JPH06102190A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Sony Corp | 微細粒子検出方法及び微細粒子除去方法 |
JPH06341961A (ja) * | 1993-04-29 | 1994-12-13 | Fujitsu Ltd | 膜の細孔の検出及び解析方法 |
JPH095250A (ja) * | 1994-04-07 | 1997-01-10 | Matsushita Electron Corp | 基板表面の異物検査方法及び検査装置 |
JPH08111444A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Kawasaki Steel Corp | 半導体基板用シリコンウェハの原子空孔分布評価法 |
JPH10189675A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | パ−ティクル検出用ダミーウエハ |
JP2006303134A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの評価方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008205224A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 表面検査方法及び表面検査装置 |
JP2009198432A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 粒子検出補助方法、粒子検出方法、粒子検出補助装置及び粒子検出システム |
WO2009107423A1 (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 粒子検出補助方法、粒子検出方法、粒子検出補助装置及び粒子検出システム |
KR101213817B1 (ko) | 2008-02-25 | 2012-12-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 입자 검출 보조 방법, 입자 검출 방법, 입자 검출 보조 장치 및 입자 검출 시스템 |
JP2010019782A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Tokyo Electron Ltd | 異物検出方法、異物検出装置、異物検出システム及び記憶媒体 |
TWI465712B (zh) * | 2008-07-14 | 2014-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Foreign body detection method, foreign body detection device, foreign body detection system and memory media |
KR101057866B1 (ko) | 2008-07-14 | 2011-08-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 이물질 검출 방법, 이물질 검출 장치, 이물질 검출 시스템 및 기억 매체 |
US8210742B2 (en) | 2008-07-22 | 2012-07-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for detecting foreign matter attached to peripheral edge of substrate, and storage medium |
JP2010027931A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板の周辺端部に付着した異物検出方法、装置及び記憶媒体 |
US20100118302A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for detecting foreign materials and storage medium |
KR101122978B1 (ko) | 2008-11-13 | 2012-03-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 이물 검출 방법, 장치 및 기억 매체 |
US8243265B2 (en) | 2008-11-13 | 2012-08-14 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for detecting foreign materials and storage medium |
JP2010118550A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | 異物検出方法、装置及び記憶媒体 |
JP2010135419A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Philtech Inc | 基板、基板保持装置、解析装置、プログラム、検出システム、半導体デバイス、表示装置、および半導体製造装置 |
US8686743B2 (en) | 2008-12-02 | 2014-04-01 | Philtech Inc. | Substrate, substrate holding apparatus, analysis apparatus, program, detection system, semiconductor device, display apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
JP2011228478A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Sumco Corp | ウェーハ評価方法 |
KR20210043181A (ko) * | 2019-10-11 | 2021-04-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102378330B1 (ko) * | 2019-10-11 | 2022-03-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR20210149391A (ko) * | 2020-06-02 | 2021-12-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102568084B1 (ko) * | 2020-06-02 | 2023-08-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4878291B2 (ja) | 2012-02-15 |
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