JP2007273884A - 半導体装置、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 - Google Patents
半導体装置、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007273884A JP2007273884A JP2006100371A JP2006100371A JP2007273884A JP 2007273884 A JP2007273884 A JP 2007273884A JP 2006100371 A JP2006100371 A JP 2006100371A JP 2006100371 A JP2006100371 A JP 2006100371A JP 2007273884 A JP2007273884 A JP 2007273884A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor module
- terminal
- semiconductor
- circuit
- circuit pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 402
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 84
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 53
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 17
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
半導体装置の小型化を行う。また、小型化の際に生じる信頼性への影響を最小限にする。
【解決手段】
表面10aと裏面10bとに回路パターンを有するラミネートバスバー10と、表面10aで回路パターン11aに接続される第一の半導体モジュール1aと、裏面10bで回路パターン11bに接続される第二の半導体モジュール1bと、第一の半導体モジュール1aに取付けられる第一の冷却プレート20aと、第二の半導体モジュールに取付けられる第二の冷却プレート20aとを有する。第一の半導体モジュール1aと第二の半導体モジュール1bとがラミネートバスバー10を介して略対向した位置にある。
【選択図】図1
Description
表面と裏面に回路パターンを有する基板と、
前記表面上で前記回路パターンに接続される第一の半導体モジュールと、
前記裏面上で前記回路パターンに接続される第二の半導体モジュールと、
前記第一の半導体モジュールに取付けられ該第一の半導体モジュールを冷却する第一の冷却部材と、
前記第二の半導体モジュールに取付けられ該第二の半導体モジュールを冷却する第二の冷却部材とを有し、
前記第一の半導体モジュールと前記第二の半導体モジュールとが前記基板を介して略対向した位置にあることを特徴とする。
半導体素子と該半導体素子に接続される端子とを有する半導体モジュールであって、
前記端子は、一方の面から該一方の面に対向する他方の面までの距離がL1である部分とL2である部分(但し、L1<L2)とを有し、該距離がL1である部分が導電性部材を介して前記半導体素子に接続しており、
前記距離がL2である部分の前記他方の面が前記半導体モジュールから露出していることを特徴とする。
半導体素子と、一方の面から該一方の面に対向する他方の面までの距離がL1である部分とL2である部分(但し、L1<L2)とを有し、該距離がL1である部分が導電性部材を介して前記半導体素子に接続する端子とを準備する工程と、
上金型と下金型とが組み合わされてなり、前記下金型に前記上金型の方向に突出した突出部を有する金型を準備する工程と、
前記下金型の内部であって、前記距離がL2である部分の前記一方の面が前記突出部に接し、且つ、前記上金型を前記下金型に勘合したときに、前記距離がL2である部分の前記他方の面が前記上金型に接する位置に、前記端子および前記半導体素子を配置する工程と、
前記下金型と前記上金型を勘合する工程と、
前記距離がL2である部分の前記他方の面と前記上金型とが密着した状態で、前記金型の中空部に樹脂を注入する工程とを有する。
半導体素子と該半導体素子に接続する複数の端子とを有する半導体モジュールであって、
それぞれの前記端子は前記半導体モジュールの一方の面から露出し、
前記一方の面において一つの前記端子と他の前記端子との間に溝が設けられることを特徴とする。
以下、第一の実施の形態に係る半導体装置Aについて、図面を用いて詳細に説明する。半導体装置Aは、一例として、三相直流交流インバータ回路を有する半導体装置とする。
以下、第二の実施の形態である半導体装置Bについて、図面を用いて詳細に説明する。
以下、第三の実施の形態に係る半導体装置Cについて、図面を用いて詳細に説明する。
第一のパワー半導体モジュール 1a
第二のパワー半導体モジュール 1b
電極露出面 9a、109a、209a コレクタ端子 2、202
エミッタ端子 3、203 信号端子 4、104、204
ラミネートバスバー 10 表面 10a 裏面 10b
回路パターン 11 正極電力回路パターン 11a
負極電力回路パターン 11b 出力回路パターン 12
第一出力回路パターン 12a 第二出力回路パターン 12b
第三出力回路パターン 12c 信号入力回路パターン 13
モジュール設置領域 14 コレクタ端子設置領域 14a
エミッタ端子設置領域 14b 信号端子設置領域 14c
スルーホール 16 貫通孔 17
第一の冷却プレート20a 第二の冷却プレート20b
入水口 21a、21b 出水口 22a、22b
水路 23a ねじ 30 ワイヤハーネス 31
ねじ 32 ナット 35 内部回路 50
正極電力回路 50a 負極電力回路 50b
出力回路 50c モジュール内部回路 51a、51b
IGBT素子回路 52 フリーホイールダイオード回路 53
パワー半導体モジュール 100、200
断面領域 101 エミッタ端子 102 コレクタ端子 103
露出面 102a、104a
第一の部分 102c、104c 第二の部分 102b、104b
接続部 102d 露出面 104a
フレーム 105 放熱面 109b
開口 110 開口 111
樹脂 120 IGBT素子 121
フリーホイールダイオード 122 ヒートスプレッダ 123
絶縁シート 124 ワイヤ 125
コレクタ端子 130 電極 131 絶縁ブロック 132
信号端子 140 電極 141 絶縁ブロック 142
金型 150 中空部 150a
上方内周面 150b 下方内周面 150c
上金型 151 下金型 152 突出部 153a、153b
締め付け力 170 挟持力 172
溝 210 導電性グリース 220
Claims (17)
- 表面と裏面に回路パターンを有する基板と、
前記表面上で前記回路パターンに接続される第一の半導体モジュールと、
前記裏面上で前記回路パターンに接続される第二の半導体モジュールと、
前記第一の半導体モジュールに取付けられ該第一の半導体モジュールを冷却する第一の冷却部材と、
前記第二の半導体モジュールに取付けられ該第二の半導体モジュールを冷却する第二の冷却部材とを有し、
前記第一の半導体モジュールと前記第二の半導体モジュールとが前記基板を介して略対向した位置にあることを特徴とする半導体装置。 - 前記第一の半導体モジュールと前記第二の半導体モジュールとが前記基板を介して対称に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第一の冷却部材と前記第二の冷却部材とが、前記第一の半導体モジュールと前記基板と前記第二の半導体モジュールとを挟持するように固定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第一の半導体モジュールおよび前記第二の半導体モジュールがパワー半導体モジュールであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第一の半導体モジュールおよび前記第二の半導体モジュールはそれぞれ第一端子と第二端子とを有し、
前記基板の回路パターンは、前記基板の表面と裏面に備えられる第一回路部と、前記基板の表面に備えられる第二回路部と、前記基板の裏面に備えられる第三回路部を有し、前記第一回路部は前記基板の表面と裏面とを電気的に接続しており、
前記第一の半導体モジュールは、前記第一端子が前記第一回路部に、前記第二端子が前記第二回路部にそれぞれ接続され、
前記第二の半導体モジュールは、前記第二端子が前記第一回路部に、前記第一端子が前記第三回路部にそれぞれ接続されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第一の半導体モジュールおよび前記第二の半導体モジュールは信号源に接続される信号端子を更に有するスイッチング素子であり、前記第一回路部は交流電力出力端子であり、前記第二回路部と前記第三回路部は互いに異なる極性を有する直流電力の入力回路であり、前記第一の半導体モジュール、前記第二の半導体モジュールおよび前記基板の回路パターンがインバータ回路を形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記回路パターンの少なくとも一部が前記基板を介して前記表面と前記裏面に対称に形成され、前記回路パターンの対称に形成された部分を流れる電流が前記表面と前記裏面とで逆方向であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 半導体素子と該半導体素子に接続される端子とを有する半導体モジュールであって、
前記端子は、一方の面から該一方の面に対向する他方の面までの距離がL1である部分とL2である部分(但し、L1<L2)とを有し、該距離がL1である部分が導電性部材を介して前記半導体素子に接続しており、
前記距離がL2である部分の前記他方の面が前記半導体モジュールから露出していることを特徴とする半導体モジュール。 - 前記導電性部材は金属線であることを特徴とする請求項8に記載の半導体モジュール。
- 前記導電性部材は、前記端子の一部であって、前記距離がL1である部分から延設された部分であることを特徴とする請求項8に記載の半導体モジュール。
- 前記距離がL2の部分は電極部と絶縁部とからなり、前記一方の面には絶縁部が、前記他方の面には電極部が備えられ、前記電極部が前記半導体モジュールから露出することを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 請求項8〜11のいずれか一項に記載の半導体モジュールと、
前記半導体モジュールが接続される回路パターンを有する基板と、
前記半導体モジュールを冷却する冷却部材と、
前記基板に前記冷却部材を固定するための固定部材とを有し、
前記半導体モジュールを挟持するように前記基板と前記冷却部材とが固定されていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体素子と、一方の面から該一方の面に対向する他方の面までの距離がL1である部分とL2である部分(但し、L1<L2)とを有し、該距離がL1である部分が導電性部材を介して前記半導体素子に接続する端子とを準備する工程と、
上金型と下金型とが組み合わされてなり、前記下金型に前記上金型の方向に突出した突出部を有する金型を準備する工程と、
前記下金型の内部であって、前記距離がL2である部分の前記一方の面が前記突出部に接し、且つ、前記上金型を前記下金型に勘合したときに、前記距離がL2である部分の前記他方の面が前記上金型に接する位置に、前記端子および前記半導体素子を配置する工程と、
前記下金型と前記上金型を勘合する工程と、
前記距離がL2である部分の前記他方の面と前記上金型とが密着した状態で、前記金型の中空部に樹脂を注入する工程とを有する半導体モジュールの製造方法。 - 前記導電性部材は金属線であることを特徴とする請求項13に記載の半導体モジュールの製造方法。
- 前記導電性部材は、前記端子の一部であって、前記距離がL1である部分から延設された部分であることを特徴とする請求項13に記載の半導体モジュールの製造方法。
- 半導体素子と該半導体素子に接続する複数の端子とを有する半導体モジュールであって、
それぞれの前記端子は前記半導体モジュールの一方の面から露出し、
前記一方の面において一つの前記端子と他の前記端子との間に溝が設けられることを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項16に記載の半導体モジュールと、
前記半導体モジュールが接続される回路パターンを有する基板と、
前記半導体モジュールを冷却する冷却部材と、
前記基板に前記冷却部材を固定するための固定部材とを有し、
前記半導体モジュールの前記端子が導電性グリースを介して前記回路パターンに接触し、前記半導体モジュールを挟持するように前記基板と前記冷却部材とが固定されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006100371A JP4680816B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006100371A JP4680816B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007273884A true JP2007273884A (ja) | 2007-10-18 |
JP4680816B2 JP4680816B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=38676339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006100371A Active JP4680816B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4680816B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010035369A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Honda Motor Co Ltd | 電力変換装置の導体配置構造及び電力変換ユニット |
EP2169718A1 (en) * | 2007-06-15 | 2010-03-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Power module |
WO2011016360A1 (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-10 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
JP2012033872A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Denso Corp | 半導体装置 |
CN102460694A (zh) * | 2009-06-19 | 2012-05-16 | 株式会社安川电机 | 电力变换装置 |
WO2012073570A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
US8537550B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-09-17 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Wiring board and power conversion device |
DE102011076235B4 (de) * | 2010-06-01 | 2014-07-10 | Mitsubishi Electric Corp. | Leistungshalbleitervorrichtung |
JP2016105523A (ja) * | 2016-03-10 | 2016-06-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN108352382A (zh) * | 2015-11-27 | 2018-07-31 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于电动机的功率模块 |
US10128166B2 (en) | 2014-08-28 | 2018-11-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor module |
JP2020071335A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | キヤノン株式会社 | レンズ装置およびそれを用いたカメラシステム |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63266898A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | プリント板の冷却構造 |
JPH06196600A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-07-15 | Hewlett Packard Co <Hp> | マルチ・チップ・モジュール |
JPH07106477A (ja) * | 1993-07-06 | 1995-04-21 | Hewlett Packard Co <Hp> | 熱伝導板付きヒートシンクアセンブリ |
JPH0969535A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Sharp Corp | 樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用いた製造方法 |
WO1998010508A1 (fr) * | 1996-09-06 | 1998-03-12 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur |
JP3060218U (ja) * | 1998-09-25 | 1999-08-17 | 愛美達股▲ふん▼有限公司 | チップモジュールの放熱装置 |
JPH11251504A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Nec Kansai Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
JP2001313362A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置 |
JP2003007966A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
JP2004228461A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2005051130A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Nec Electronics Corp | リードレスパッケージ型半導体装置とその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07114359B2 (ja) * | 1989-07-28 | 1995-12-06 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
-
2006
- 2006-03-31 JP JP2006100371A patent/JP4680816B2/ja active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63266898A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | プリント板の冷却構造 |
JPH06196600A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-07-15 | Hewlett Packard Co <Hp> | マルチ・チップ・モジュール |
JPH07106477A (ja) * | 1993-07-06 | 1995-04-21 | Hewlett Packard Co <Hp> | 熱伝導板付きヒートシンクアセンブリ |
JPH0969535A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Sharp Corp | 樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用いた製造方法 |
WO1998010508A1 (fr) * | 1996-09-06 | 1998-03-12 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur |
JPH11251504A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Nec Kansai Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
JP3060218U (ja) * | 1998-09-25 | 1999-08-17 | 愛美達股▲ふん▼有限公司 | チップモジュールの放熱装置 |
JP2001313362A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置 |
JP2003007966A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
JP2004228461A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2005051130A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Nec Electronics Corp | リードレスパッケージ型半導体装置とその製造方法 |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2169718A1 (en) * | 2007-06-15 | 2010-03-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Power module |
EP2169718A4 (en) * | 2007-06-15 | 2011-01-05 | Toyota Motor Co Ltd | POWER MODULE |
US8254133B2 (en) | 2007-06-15 | 2012-08-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Power module |
JP2010035369A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Honda Motor Co Ltd | 電力変換装置の導体配置構造及び電力変換ユニット |
US8537550B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-09-17 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Wiring board and power conversion device |
CN102460694A (zh) * | 2009-06-19 | 2012-05-16 | 株式会社安川电机 | 电力变换装置 |
CN102484109A (zh) * | 2009-08-03 | 2012-05-30 | 株式会社安川电机 | 电力变换装置 |
JP5678884B2 (ja) * | 2009-08-03 | 2015-03-04 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
JPWO2011016360A1 (ja) * | 2009-08-03 | 2013-01-10 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
WO2011016360A1 (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-10 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
US8546926B2 (en) | 2009-08-03 | 2013-10-01 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Power converter |
DE102011076235B4 (de) * | 2010-06-01 | 2014-07-10 | Mitsubishi Electric Corp. | Leistungshalbleitervorrichtung |
US8829534B2 (en) | 2010-06-01 | 2014-09-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
JP2012033872A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Denso Corp | 半導体装置 |
US8558375B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-10-15 | Denso Corporation | Semiconductor package cooled by grounded cooler |
US9070666B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-06-30 | Denso Corporation | Semiconductor device including cooler |
US8884426B2 (en) | 2010-06-30 | 2014-11-11 | Denso Corporation | Semiconductor device including cooler |
US8957517B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device including cooler |
WO2012073570A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
US9025341B2 (en) | 2010-12-01 | 2015-05-05 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Power converter |
JP5601376B2 (ja) * | 2010-12-01 | 2014-10-08 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
US10128166B2 (en) | 2014-08-28 | 2018-11-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor module |
CN108352382A (zh) * | 2015-11-27 | 2018-07-31 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于电动机的功率模块 |
JP2019504476A (ja) * | 2015-11-27 | 2019-02-14 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | 電動機のための電力モジュール |
CN108352382B (zh) * | 2015-11-27 | 2022-04-29 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于电动机的功率模块 |
JP2016105523A (ja) * | 2016-03-10 | 2016-06-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2020071335A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | キヤノン株式会社 | レンズ装置およびそれを用いたカメラシステム |
JP7305331B2 (ja) | 2018-10-31 | 2023-07-10 | キヤノン株式会社 | レンズ装置およびそれを用いたカメラシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4680816B2 (ja) | 2011-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4680816B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN111373524B (zh) | 功率半导体装置及其制造方法 | |
US9351423B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device connection structure | |
KR101451533B1 (ko) | 반도체 모듈 | |
JP5527330B2 (ja) | 半導体装置用ユニットおよび半導体装置 | |
EP2816598B1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
US6307272B1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
EP2674973B1 (en) | Power semiconductor module | |
EP2690658B1 (en) | Power semiconductor module and power unit device | |
US8610263B2 (en) | Semiconductor device module | |
JP6319137B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4138612B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
CN109995246B (zh) | 开关电源装置 | |
JP2005340639A (ja) | 半導体装置及び三相インバータ装置 | |
JP2012182250A (ja) | 半導体装置 | |
JP6010942B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007234694A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の外部接続端子と外部電極との接合方法 | |
JP4715283B2 (ja) | 電力変換装置及びその製造方法 | |
WO2019003718A1 (ja) | パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP7151638B2 (ja) | パワーモジュールの製造方法 | |
CN116724392B (zh) | 功率模块 | |
US20240040689A1 (en) | Semiconductor module and method for fabricating a semiconductor module | |
WO2019021507A1 (ja) | 半導体装置及び半導体モジュール | |
KR20140135443A (ko) | 반도체 모듈의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 모듈 | |
JP2002076259A (ja) | パワーモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080604 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4680816 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |