JP2007273585A - Micro device module and method of manufacturing same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micro device module where a micro device having a vibrator or a movable part such as a SAW element on a function face is incorporated and is modularized, attenuation of an unnecessary wave is promoted and an electric characteristic is improved and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The micro device 20 includes a device substrate 21 having a function element where first electrodes 12 are formed at a base of a recess 11 of a package substrate 10, second electrodes 13 are formed on an outer wall and the movable part or the vibrator is formed on the function face and with bump electrodes 23 formed on a function face-side. The bump electrode is connected to the first electrode and the function face is mounted in the recess so that it is not brought into contact with the base of the recess. The recess is embedded and a resin layer 30 is formed so that the micro device except for a function element part is covered, the function element is sealed and a hollow part 31 is formed. The micro device module mounted on a mounting substrate by the second electrode is constituted. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、マイクロデバイスモジュール及びその製造方法に関し、特に、圧電基板上にくし型電極部を有するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）素子、あるいは機能面に可動部または振動子を持つＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）やＦ−ＢＡＲ（Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonators）などのマイクロデバイスを内蔵してモジュール化されたマイクロデバイスモジュール及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a micro device module and a method for manufacturing the same, and more particularly to a SAW (Surface Acoustic Wave) element having a comb-shaped electrode portion on a piezoelectric substrate, or a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) having a movable portion or a vibrator on a functional surface. ) And F-BAR (Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonators) and the like, and a micro device module that is modularized and a manufacturing method thereof.

近年、携帯電話やパーソナルコンピュータに代表されるモバイル機器においては、小型軽量化や多機能および高機能化が進んでおり、これらの機器を構成する部品や基板も同様に小型、薄型、軽量化や高密度実装化が進んでいる。また、半導体等のデバイスの実装に関しても、実装面積の小型化や伝達信号の高速化に伴い、モールドやセラミックパッケージによる実装から、いわゆるフリップチップ実装技術によりデバイスのベアチップを直接基板に実装し、封止する試みがとられている。   In recent years, mobile devices typified by mobile phones and personal computers have been reduced in size and weight, and have increased functionality and functionality, and the components and substrates that make up these devices have been similarly reduced in size, thickness, and weight. High-density mounting is progressing. As for the mounting of devices such as semiconductors, as the mounting area is reduced and the transmission signal speed is increased, the bare chip of the device is mounted directly on the substrate by the so-called flip chip mounting technology from the mounting by the mold or the ceramic package, and sealed. Attempts have been made to stop.

ところが、このフリップチップによるデバイスのダイレクト実装方法は、例えば、圧電基板の機能面上にくし型電極部を有するＳＡＷ素子、あるいは機能面に可動部または振動子を持つＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲなどのマイクロデバイスの場合、機能面を封止材等で覆うことができないため、セラミックや金属、あるいはガラスなどの基板を用いて気密封止するパッケージ構造がとられている。   However, this flip chip direct mounting method is, for example, a SAW element having a comb-shaped electrode portion on the functional surface of a piezoelectric substrate, or a micro-device such as MEMS or F-BAR having a movable portion or vibrator on the functional surface. In the case of a device, since the functional surface cannot be covered with a sealing material or the like, a package structure is adopted in which the substrate is hermetically sealed using a substrate such as ceramic, metal, or glass.

例えば、特許文献１に、圧電基板上にくし型電極部を有するＳＡＷチップを内蔵してパッケージ化した半導体装置が開示されている。
アルミナなどからなり、凹部が設けられたセラミックパッケージの凹部底部上にＳＡＷチップがフリップチップでマウントされ、セラミックリッドによりパッケージの凹部の蓋をして封止された構成となっている。 For example, Patent Document 1 discloses a semiconductor device packaged by incorporating a SAW chip having a comb-shaped electrode portion on a piezoelectric substrate.
The SAW chip is mounted on the bottom of the concave portion of the ceramic package made of alumina or the like and provided with a concave portion. The SAW chip is mounted on the bottom of the concave portion of the package with a ceramic lid and sealed.

しかしながら、特許文献１に示された半導体装置において、ＳＡＷチップはパッケージの凹部とセラミックリードで構成される中空部分において他の部材に触れないようにマウントされており、ＳＡＷチップの内部へ励起されたバルク波や不要な表面波である不要波がＳＡＷチップの外部に放散させがたい構造となっている。このように不要波がＳＡＷチップ内でなかなか減衰しにくい場合、電気的特性などの諸特性に悪影響が現れ、具体的には通過帯域における挿入損失や群遅延特性などにおいて顕著なリップルが現れるという問題がある。
特開２００３−１９８３２１号公報 However, in the semiconductor device disclosed in Patent Document 1, the SAW chip is mounted so as not to touch other members in the hollow portion constituted by the recess of the package and the ceramic lead, and is excited into the SAW chip. Bulk waves and unnecessary waves, which are unnecessary surface waves, are difficult to dissipate outside the SAW chip. In this way, when the unwanted wave is difficult to attenuate within the SAW chip, various characteristics such as electrical characteristics are adversely affected, and more specifically, a significant ripple appears in the insertion loss and group delay characteristics in the passband. There is.
JP 2003-198321 A

本発明の目的は、機能面に、ＳＡＷ素子、あるいはＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲなどの振動子または可動部などを持つマイクロデバイスが組み込まれてモジュール化され、ＳＡＷ素子などにおける不要波の減衰を促進して電気的特性を改善したマイクロデバイスモジュール及びその製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to modularize a SAW element or a micro device having a vibrator or a movable part such as MEMS or F-BAR on the functional surface, and promote attenuation of unnecessary waves in the SAW element. It is another object of the present invention to provide a micro device module with improved electrical characteristics and a method for manufacturing the same.

上記の課題を解決するため、本発明のマイクロデバイスモジュールは、凹部が形成されたパッケージ基板と、前記凹部の底面に形成された第１電極と、前記パッケージ基板の外壁に形成された第２電極と、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子を有するデバイス基板と、前記機能面側に形成された突起電極とを有し、前記突起電極が前記第１電極に接続し、かつ前記機能面が前記凹部の底面に接しないように、前記凹部内にマウントされたマイクロデバイスと、前記機能素子部分を除いて前記マイクロデバイスを被覆し、前記機能素子が封止されて中空部分が構成されるように、前記凹部を埋め込んで形成された樹脂層とを有し、前記第２電極により実装基板に実装される構成である。   In order to solve the above problems, a micro device module of the present invention includes a package substrate having a recess, a first electrode formed on the bottom surface of the recess, and a second electrode formed on the outer wall of the package substrate. A device substrate having a functional element having a movable part or a vibrator formed on a functional surface, and a protruding electrode formed on the functional surface side, the protruding electrode being connected to the first electrode, and The micro device mounted in the recess is covered so that the functional surface is not in contact with the bottom surface of the recess, and the micro device is covered except for the functional element portion. And a resin layer formed by embedding the recess, and mounted on a mounting substrate by the second electrode.

上記の本発明のマイクロデバイスモジュールは、パッケージ基板の凹部の底面に第１電極が形成され、パッケージ基板の外壁に第２電極が形成され、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子を有するデバイス基板と、機能面側に形成された突起電極とを有するマイクロデバイスが、突起電極が第１電極に接続し、かつ機能面が凹部の底面に接しないように、凹部内にマウントされている。
さらに、機能素子部分を除いてマイクロデバイスを被覆し、機能素子が封止されて中空部分が構成されるように、凹部を埋め込んで樹脂層が形成されている。
上記のようにして、第２電極により実装基板に実装される構成のマイクロデバイスモジュールが構成されている。 In the micro device module of the present invention described above, the functional element in which the first electrode is formed on the bottom surface of the recess of the package substrate, the second electrode is formed on the outer wall of the package substrate, and the movable portion or the vibrator is formed on the functional surface A microdevice having a device substrate having a protrusion and a protruding electrode formed on the functional surface side is mounted in the recess so that the protruding electrode is connected to the first electrode and the functional surface is not in contact with the bottom surface of the recess. ing.
Further, the microdevice is covered except for the functional element portion, and the resin layer is formed by embedding the recess so that the functional element is sealed to form a hollow portion.
As described above, the micro device module configured to be mounted on the mounting substrate by the second electrode is configured.

また、上記の課題を解決するため、本発明のマイクロデバイスモジュールの製造方法は、凹部が形成され、前記凹部の底面に第１電極が形成され、外壁に第２電極が形成されたパッケージ基板の前記凹部内において、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子を有するデバイス基板と、前記機能面側に形成された突起電極とを有するマイクロデバイスを、前記突起電極が前記第１電極に接続し、かつ前記機能面が前記凹部の底面に接しないように、マウントする工程と、前記機能素子部分を除いて前記マイクロデバイスを被覆し、前記機能素子を封止して中空部分を構成するように、前記凹部を埋め込んで樹脂層を形成する工程とを有し、前記第２電極により実装基板に実装されるマイクロデバイスのモジュールを製造する。   In addition, in order to solve the above-described problems, a method for manufacturing a microdevice module according to the present invention includes a package substrate in which a recess is formed, a first electrode is formed on a bottom surface of the recess, and a second electrode is formed on an outer wall. In the recess, a microdevice having a device substrate having a functional element having a movable part or a vibrator formed on a functional surface and a projecting electrode formed on the functional surface side, the projecting electrode being the first electrode And mounting so that the functional surface does not contact the bottom surface of the recess, and covering the microdevice except for the functional element portion, and sealing the functional element to form a hollow portion And forming a resin layer by embedding the recess, and manufacturing a microdevice module mounted on a mounting substrate by the second electrode.

上記の本発明のマイクロデバイスモジュールの製造方法は、凹部が形成され、前記凹部の底面に第１電極が形成され、外壁に第２電極が形成されたパッケージ基板の凹部内において、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子を有するデバイス基板と、機能面側に形成された突起電極とを有するマイクロデバイスを、突起電極が第１電極に接続し、かつ機能面が凹部の底面に接しないように、マウントする。
次に、機能素子部分を除いてマイクロデバイスを被覆し、機能素子を封止して中空部分を構成するように、凹部を埋め込んで樹脂層を形成する。
以上のようにして、第２電極により実装基板に実装されるマイクロデバイスのモジュールを製造する。 In the manufacturing method of the micro device module of the present invention described above, the concave portion is formed, the first electrode is formed on the bottom surface of the concave portion, and the functional surface is movable in the concave portion of the package substrate in which the second electrode is formed on the outer wall. A microdevice having a device substrate having a functional element on which a portion or vibrator is formed and a protruding electrode formed on the functional surface side, the protruding electrode is connected to the first electrode, and the functional surface is on the bottom surface of the recess Mount so that it does not touch.
Next, the microdevice is covered except for the functional element portion, and the concave portion is embedded to form a resin layer so that the functional element is sealed to form a hollow portion.
As described above, a microdevice module mounted on the mounting substrate by the second electrode is manufactured.

本発明のマイクロデバイスモジュールは、機能面にＳＡＷ素子あるいはＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲなどの振動子または可動部を持つマイクロデバイスがパッケージ基板の凹部に内蔵されてモジュール化されており、機能素子を除いて被覆して樹脂層が形成されており、ＳＡＷ素子などにおける不要波が樹脂層を伝達して減衰できる構造となっており、電気的特性が改善される。   The micro device module of the present invention is a module in which a micro device having a SAW element, a vibrator such as MEMS or F-BAR or a movable part is built in a recess of a package substrate on the functional surface, and excluding the functional element. A resin layer is formed so as to cover the structure, and an unnecessary wave in the SAW element or the like can be transmitted and attenuated through the resin layer, so that electrical characteristics are improved.

また、本発明のマイクロデバイスモジュールの製造方法は、機能面にＳＡＷ素子あるいはＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲなどの振動子または可動部を持つマイクロデバイスをパッケージ基板の凹部に内蔵してモジュール化する方法において、機能素子を除いて被覆して樹脂層を形成することで、ＳＡＷ素子などにおける不要波が樹脂層を伝達して減衰可能となり、電気的特性を改善できるマイクロデバイスモジュールを製造できる。   Further, the microdevice module manufacturing method of the present invention is a method of modularizing a microdevice having a SAW element, a vibrator such as MEMS or F-BAR, or a movable part in a concave portion of a package substrate on the functional surface. By forming the resin layer by covering except for the functional element, unnecessary waves in the SAW element or the like can be attenuated by transmitting through the resin layer, and a micro device module that can improve electrical characteristics can be manufactured.

以下、本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュール及びその製造方法について図面を参照して説明する。   Hereinafter, a micro device module and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第１実施形態
図１は本実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの断面図である。
本実施形態に係るマイクロデバイスモジュールは、例えば、ＳＡＷ素子、ＭＥＭＳあるいはＦ−ＢＡＲなどの可動部または振動子を持つ機能素子を備えたマイクロデバイスが組み込まれてモジュール化されたものである。 First Embodiment FIG. 1 is a sectional view of a micro device module according to this embodiment.
The micro device module according to the present embodiment is a module in which a micro device including a functional element having a movable part or a vibrator such as a SAW element, MEMS, or F-BAR is incorporated.

例えば、樹脂などの有機材料からなるパッケージ基板１０にマイクロデバイス用の凹部１１が形成されている。
パッケージ基板１０の内部には埋め込み配線が形成されており、凹部１１の底面に第１電極１２が形成され、パッケージ基板１０の外壁には第２電極１３及び第３電極１４が形成されている。凹部の内側面とパッケージ基板の側面との間の部分である基柱１０ａは、その内部を貫通して、第２電極１３に接続する貫通配線が形成された部分となっている。 For example, a recess 11 for a micro device is formed in a package substrate 10 made of an organic material such as resin.
Embedded wiring is formed inside the package substrate 10, the first electrode 12 is formed on the bottom surface of the recess 11, and the second electrode 13 and the third electrode 14 are formed on the outer wall of the package substrate 10. The base column 10a, which is a portion between the inner side surface of the recess and the side surface of the package substrate, is a portion in which a through wiring that penetrates the inside and connects to the second electrode 13 is formed.

上記の凹部１１に、マイクロデバイスとして例えばＳＡＷチップ２０がフリップチップでマウントされている。ＳＡＷチップ２０は、例えばＬｉＴａＯ３などの圧電基板２１の機能面上にくし型電極部２２が形成されてＳＡＷ素子が構成されており、ＳＡＷ素子が形成された機能面において、ＳＡＷ素子の入出力端子などである金スタッドバンプやハンダボールバンプなどのバンプ（突起電極）２３が形成された構成である。ＳＡＷチップ２０は、機能面と凹部１１の底面が対向し、上記のバンプ２３が第１電極１２に接続し、かつ機能面が凹部１１の底面に接しないようにマウントされている。 For example, a SAW chip 20 as a micro device is mounted on the recess 11 by flip chip. In the SAW chip 20, for example, a comb-shaped electrode portion 22 is formed on a functional surface of a piezoelectric substrate 21 such as LiTaO 3 to form a SAW element. In the functional surface where the SAW element is formed, input / output of the SAW element is performed. A bump (projection electrode) 23 such as a gold stud bump or a solder ball bump, which is a terminal, is formed. The SAW chip 20 is mounted such that the functional surface faces the bottom surface of the recess 11, the bump 23 is connected to the first electrode 12, and the functional surface does not contact the bottom surface of the recess 11.

さらに、ＳＡＷ素子部分を除いてＳＡＷチップ２０を被覆し、ＳＡＷ素子が封止されて中空部分３１が構成されるように、凹部を埋め込んで樹脂層３０が形成されている。樹脂層３０は、例えばエポキシ樹脂を用いることができる。   Further, the resin layer 30 is formed by filling the recess so as to cover the SAW chip 20 except for the SAW element portion and seal the SAW element to form the hollow portion 31. For example, an epoxy resin can be used for the resin layer 30.

上記の中空部分３１は、例えば、真空、減圧、還元雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気に保持されている。   The hollow portion 31 is held in, for example, a vacuum, a reduced pressure, a reducing atmosphere, or an inert gas atmosphere.

また、第３電極１４には、トランジスタなどの能動素子や、インダクタ、キャパシタ、電気抵抗素子などの受動素子などの電子部品（４０，４１，４２）がマウントされている。   The third electrode 14 is mounted with electronic components (40, 41, 42) such as active elements such as transistors and passive elements such as inductors, capacitors, and electric resistance elements.

上記の構造の本実施形態に係るマイクロデバイスモジュールは、例えば第２電極１３により実装基板に実装されて用いられる。   The micro device module according to this embodiment having the above-described structure is used by being mounted on a mounting substrate by the second electrode 13, for example.

本実施形態のマイクロデバイスモジュールにおける不要波の伝播と減衰について説明する。図１中、矢印はＳＡＷチップからの不要波の伝播を示している。
本実施形態のマイクロデバイスモジュールにおいて、ＳＡＷチップ２０の内部へ励起されたバルク波や不要な表面波である不要波は、まず樹脂層３０へ伝播され、さらに有機のパッケージ基板１０へと伝播される。
ここで、樹脂層３０とパッケージ基板１０の界面において、樹脂層３０と有機のパッケージ基板１０の音響インピーダンスが近いことから、不要波はほとんど反射しないで透過する。 The propagation and attenuation of unnecessary waves in the micro device module of this embodiment will be described. In FIG. 1, the arrows indicate the propagation of unwanted waves from the SAW chip.
In the micro device module of the present embodiment, bulk waves excited into the SAW chip 20 and unnecessary waves that are unnecessary surface waves are first propagated to the resin layer 30 and further propagated to the organic package substrate 10. .
Here, since the acoustic impedances of the resin layer 30 and the organic package substrate 10 are close to each other at the interface between the resin layer 30 and the package substrate 10, unnecessary waves are hardly reflected and transmitted.

不要波は、パッケージ基板１０の端部まで到達すると、音響インピーダンスの差が大きいパッケージ基板１０の側面と外部との界面で反射し、ＳＡＷチップ２０側へ戻ってくる。しかし、ＳＡＷチップ２０の端部からパッケージ基板１０の側面までの距離の２倍の距離を伝播するまでに、不要波はほとんど減衰しており、実際には不要波はＳＡＷチップにほとんど戻ってこない。これにより、電気的特性などの諸特性が改善され、例えば通過帯域における挿入損失や群遅延特性などにおいてリップルの出現が抑制される。   When the unnecessary wave reaches the end of the package substrate 10, it is reflected at the interface between the side surface of the package substrate 10 and the outside where the difference in acoustic impedance is large and returns to the SAW chip 20 side. However, the unnecessary wave is almost attenuated until it propagates twice the distance from the end of the SAW chip 20 to the side surface of the package substrate 10, and actually the unnecessary wave hardly returns to the SAW chip. . This improves various characteristics such as electrical characteristics, and suppresses the appearance of ripples in, for example, insertion loss and group delay characteristics in the passband.

例えば、凹部１１の内側面とパッケージ基板１０の側面との距離（図１においてＡで示された距離）が０．３ｍｍ以上であることが好ましく、例えば０．５ｍｍ程度とする。
有機のパッケージ基板１０の基柱１０ａ部分は、内部に貫通配線が形成されていることやパッケージ基板の強度を確保する必要があることから微細化が困難であるが、一方で、上記のように不要波を減衰させるための伝播距離をかせぐことが可能である。従って、図１中Ａで示される凹部の内側面とパッケージ基板の側面との距離（基柱１０ａの幅）を０．３ｍｍ以上とすることで、内部に配線を形成し、パッケージ基板の強度を確保し、かつ、不要波の減衰を促進できる。 For example, the distance between the inner side surface of the recess 11 and the side surface of the package substrate 10 (the distance indicated by A in FIG. 1) is preferably 0.3 mm or more, for example, about 0.5 mm.
The base pillar 10a portion of the organic package substrate 10 is difficult to miniaturize because a through-wiring is formed inside and the strength of the package substrate needs to be secured. It is possible to increase the propagation distance for attenuating unwanted waves. Accordingly, the distance between the inner side surface of the recess shown by A in FIG. 1 and the side surface of the package substrate (the width of the base pillar 10a) is set to 0.3 mm or more, thereby forming wiring inside and increasing the strength of the package substrate. It is possible to secure and promote attenuation of unnecessary waves.

また、例えば、マイクロデバイスの側面と凹部の内側面との距離（図１においてＢで示された距離）は、０．３ｍｍ以下であることが好ましく、例えば０．１５ｍｍ程度とする。
上記のように有機のパッケージ基板を採用することで不要波の減衰を促進できるため、マイクロデバイスの側面と凹部の内側面との間の距離を０．３ｍｍ以下にまで短くしても、不要波の減衰を十分に達成でき、このようにマイクロデバイスの側面と凹部の内側面との間の間隔を狭くすることでマイクロデバイスモジュールの小型化を実現できる。 For example, the distance between the side surface of the microdevice and the inner surface of the recess (the distance indicated by B in FIG. 1) is preferably 0.3 mm or less, for example, about 0.15 mm.
By adopting an organic package substrate as described above, attenuation of unnecessary waves can be promoted. Therefore, even if the distance between the side surface of the microdevice and the inner surface of the recess is shortened to 0.3 mm or less, the unnecessary wave is reduced. Thus, the micro device module can be reduced in size by narrowing the distance between the side surface of the micro device and the inner side surface of the recess.

例えば、凹部１１の内側面とパッケージ基板１０の側面との距離（図１においてＡで示された距離）とマイクロデバイスの側面と凹部の内側面との距離（図１においてＢで示された距離）を合わせて０．５ｍｍ以上とすると、不要波がＳＡＷチップに戻ってくるまでに伝播される距離は往復で１．０ｍｍ以上となるので不要波を大幅に減衰可能であり、さらにＡとＢを合わせて０．６ｍｍ以上とすると、往復の距離で１．２ｍｍ以上となり、不要波の十分な減衰を達成できる。   For example, the distance between the inner surface of the recess 11 and the side surface of the package substrate 10 (the distance indicated by A in FIG. 1) and the distance between the side surface of the microdevice and the inner surface of the recess (the distance indicated by B in FIG. 1). ) To 0.5 mm or more, the distance propagated until the unnecessary wave returns to the SAW chip is 1.0 mm or more in the round trip, so that the unnecessary wave can be significantly attenuated. If the total is 0.6 mm or more, the reciprocating distance is 1.2 mm or more, and sufficient attenuation of unnecessary waves can be achieved.

上記においてはマイクロデバイスとしてＳＡＷチップをモジュール化した場合について説明しているが、これに限らず、ＭＥＭＳ、Ｆ−ＢＡＲなどの可動部または振動子を持つ機能素子を備えたマイクロデバイスについても同様に適用できる。   In the above description, the case where a SAW chip is modularized as a micro device has been described. However, the present invention is not limited to this, and the same applies to a micro device including a functional element having a movable part or a vibrator such as MEMS and F-BAR. Applicable.

上記の本実施形態のマイクロデバイスモジュールは、機能面にＳＡＷ素子あるいはＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲなどの振動子または可動部を持つマイクロデバイスが有機のパッケージ基板の凹部にマウントされ、さらに凹部の内壁面とマイクロデバイスの間隙が樹脂層で埋め込まれてモジュール化されており、機能素子を除いて被覆して樹脂層が形成されており、ＳＡＷ素子などにおける不要波が樹脂層を伝達して減衰できる構造となっており、電気的特性が改善されたマイクロデバイスモジュールである。   In the micro device module of the present embodiment described above, a micro device having a SAW element, a vibrator such as MEMS or F-BAR or a movable part on the functional surface is mounted on the concave portion of the organic package substrate, and the inner wall surface of the concave portion The microdevice gap is embedded in a resin layer to form a module, and a resin layer is formed by covering except for functional elements, and a structure in which unnecessary waves in a SAW element or the like can be attenuated by transmitting the resin layer. This is a micro device module with improved electrical characteristics.

次に、本実施形態に係るマイクロデバイス内蔵基板の製造方法について説明する。
図２〜図４は本実施形態に係るマイクロデバイス内蔵基板の製造方法を説明する断面図である。 Next, a method for manufacturing a microdevice-embedded substrate according to the present embodiment will be described.
2 to 4 are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a microdevice-embedded substrate according to this embodiment.

まず、図２（ａ）に示すように、まず、例えば、樹脂などの有機材料からなり、マイクロデバイス用の凹部１１が形成されたパッケージ基板１０を形成する。
例えば、樹脂層の表面や内部に配線パターンの導電層を形成して、それらを積層させ、樹脂の一部を除去することなどにより、凹部１１が設けられたパッケージ基板とする。積層された樹脂層に形成された導電層から、第１電極１２、第２電極１３及び第３電極１４と、基柱１０ａの内部を貫通する貫通配線などの内部配線を形成する。 First, as shown in FIG. 2A, first, a package substrate 10 made of, for example, an organic material such as a resin and having a microdevice recess 11 is formed.
For example, a conductive layer of a wiring pattern is formed on the surface or inside of the resin layer, they are laminated, and a part of the resin is removed to obtain a package substrate provided with the recess 11. From the conductive layer formed on the laminated resin layer, the first electrode 12, the second electrode 13, the third electrode 14, and internal wiring such as a through wiring penetrating the inside of the base pillar 10a are formed.

次に、図２（ｂ）に示すように、パッケージ基板１０の凹部１１に、マイクロデバイスとして、例えば圧電基板２１の機能面上にくし型電極部２２が形成されてＳＡＷ素子が構成されたＳＡＷチップ２０をフリップチップでマウントする。即ち、ＳＡＷチップ２０の機能面と凹部１１の底面が対向し、ＳＡＷ素子が形成された機能面において形成されたバンプ２３が第１電極１２に接続し、かつ機能面が凹部１１の底面に接しないようにマウントする。   Next, as shown in FIG. 2B, a SAW element in which a comb-shaped electrode portion 22 is formed as a micro device in the concave portion 11 of the package substrate 10 on the functional surface of the piezoelectric substrate 21, for example, to constitute a SAW element. The chip 20 is mounted by flip chip. That is, the functional surface of the SAW chip 20 and the bottom surface of the concave portion 11 face each other, the bumps 23 formed on the functional surface on which the SAW element is formed are connected to the first electrode 12, and the functional surface is in contact with the bottom surface of the concave portion 11. Mount so as not to.

次に、図３に示すように、ＳＡＷ素子部分を除いてＳＡＷチップ２０を被覆し、ＳＡＷ素子を封止して中空部分３１を構成するように、凹部を埋め込んで樹脂層３０を形成する。   Next, as shown in FIG. 3, the SAW chip 20 is covered except for the SAW element portion, and the resin layer 30 is formed by embedding the recess so as to form the hollow portion 31 by sealing the SAW element.

例えば、上記の中空部分３１が真空、減圧、還元雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気に保持されるように、樹脂層を形成する工程を真空、減圧、還元雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気で行う。   For example, the step of forming the resin layer is performed in a vacuum, reduced pressure, reducing atmosphere, or inert gas atmosphere so that the hollow portion 31 is maintained in a vacuum, reduced pressure, reducing atmosphere, or inert gas atmosphere.

上記の樹脂層３０を形成する工程においては、例えば図４（ａ）に示すように、ディスペンサ３０ａを用いて、溶融状態の樹脂を凹部１１内に流しいれる方法や、図４（ｂ）に示すように、シート状の樹脂３０ｂを所定サイズに切断して、凹部１１に配置させ、上方から加熱加圧して、樹脂が凹部の端までいきわたるように凹部１１内に供給する方法などにより行うことができる。   In the step of forming the resin layer 30 described above, for example, as shown in FIG. 4A, a method in which a molten resin is poured into the recess 11 using a dispenser 30a, or as shown in FIG. In this way, the sheet-like resin 30b is cut into a predetermined size, placed in the recess 11, heated and pressed from above, and supplied to the recess 11 so that the resin reaches the end of the recess. it can.

次に、必要に応じて、第３電極１４に、トランジスタなどの能動素子や、インダクタ、キャパシタ、電気抵抗素子などの受動素子などの電子部品（４０，４１，４２）をマウントする。
以上で、図１に示す構成のマイクロデバイスモジュールを製造することができる。 Next, electronic parts (40, 41, 42) such as active elements such as transistors and passive elements such as inductors, capacitors, and electric resistance elements are mounted on the third electrode 14 as necessary.
Thus, the micro device module having the configuration shown in FIG. 1 can be manufactured.

本実施形態のマイクロデバイスモジュールの製造方法において、パッケージ基板として凹部の内側面とパッケージ基板の側面との距離（図１のＡで示す部分）が０．３ｍｍ以上であるパッケージ基板を用いることが好ましい。
また、マイクロデバイスの側面と凹部の内側面との距離（図１のＢで示す部分）が０．３ｍｍ以下となるように凹部とマイクロデバイスの大きさを設定することが好ましい。 In the micro device module manufacturing method of the present embodiment, it is preferable to use a package substrate in which the distance between the inner side surface of the recess and the side surface of the package substrate (the portion indicated by A in FIG. 1) is 0.3 mm or more. .
Moreover, it is preferable to set the size of the recess and the microdevice so that the distance between the side surface of the microdevice and the inner surface of the recess (the portion indicated by B in FIG. 1) is 0.3 mm or less.

本実施形態のマイクロデバイスモジュールの製造方法によれば、機能面にＳＡＷ素子が形成されたマイクロデバイスを有機のパッケージ基板の凹部に内蔵してモジュール化しており、機能素子を除いて被覆して樹脂層を形成することで、ＳＡＷ素子などにおける不要波が樹脂層と有機のパッケージ基板を伝達して減衰可能となり、電気的特性を改善できるマイクロデバイスモジュールを製造できる。   According to the manufacturing method of the micro device module of the present embodiment, the micro device having the SAW element formed on the functional surface is built in the concave portion of the organic package substrate to form a module, and the resin is coated except for the functional element. By forming the layer, unnecessary waves in the SAW element or the like can be attenuated by transmitting the resin layer and the organic package substrate, and a micro device module that can improve electrical characteristics can be manufactured.

図５は本実施形態に係るマイクロデバイスモジュールが実装基板に実装された状態を示す断面図である。
例えば、複数の絶縁層が積層された絶縁基板５０の表面には配線５１が形成されており、さらに内部に不図示の配線が形成されて、実装基板が構成されている。
マイクロデバイスモジュールは、例えば、第２電極１３により、ハンダ５２などを介して配線５１に接続され、実装基板に実装されて用いられる。 FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which the micro device module according to the present embodiment is mounted on a mounting substrate.
For example, the wiring 51 is formed on the surface of the insulating substrate 50 on which a plurality of insulating layers are stacked, and further, the wiring (not shown) is formed inside to constitute the mounting substrate.
The micro device module is used by being connected to the wiring 51 by the second electrode 13 via the solder 52 or the like and mounted on a mounting board, for example.

（実施例１）
物質の音響インピーダンスは、物質の密度ρ（ｋｇ／ｍ３）×物質中音速Ｖ（ｍ／ｓ）で表される。
例えば、ＳＡＷチップを構成する圧電基板の音響インピーダンスＺ１は、７５００×３７００＝２７７５０×１０３（ｋｇ／ｍ２ｓ）となる。
また、樹脂層を構成するエポキシ樹脂の音響インピーダンスＺ２は、１２００×１１００＝１３２０×１０３（ｋｇ／ｍ２ｓ）となる。
また、パッケージ基板を構成する有機樹脂の音響インピーダンスＺ３は、上記のエポキシ樹脂とほぼ同等の値となる。
また、空気の音響インピーダンスＺ４は、１．２×３４０＝４０８（ｋｇ／ｍ２ｓ）となる。 Example 1
The acoustic impedance of a substance is expressed by the density of the substance ρ (kg / m 3 ) × the sound velocity V (m / s) in the substance.
For example, the acoustic impedance Z1 of the piezoelectric substrate constituting the SAW chip is 7500 × 3700 = 27750 × 10 3 (kg / m 2 s).
The acoustic impedance Z2 of the epoxy resin constituting the resin layer is 1200 × 1100 = 1320 × 10 3 (kg / m 2 s).
In addition, the acoustic impedance Z3 of the organic resin constituting the package substrate is almost the same value as that of the epoxy resin.
Further, the acoustic impedance Z4 of the air is 1.2 × 340 = 408 (kg / m 2 s).

図１に示す構造のマイクロデバイスモジュールを想定する。ＳＡＷチップ端部における不要波の反射強度は、［（Ｚ１−Ｚ２）／（Ｚ１＋Ｚ２）］２×１００＝８２．７％であり、１７．３％が樹脂層へと伝播していく。樹脂層へ伝播した不要波は、樹脂層とパッケージ基板の界面ではほとんど反射しないで透過し、パッケージ基板の端部においては９９．９％反射してＳＡＷチップ側へ戻ってくるが、往復約１．０〜１．２ｍｍの距離を伝播するうちに減衰し、実質的に不要波はほとんどＳＡＷチップに戻ってこないことになる。 A micro device module having the structure shown in FIG. 1 is assumed. The reflection intensity of the unnecessary wave at the edge of the SAW chip is [(Z1−Z2) / (Z1 + Z2)] 2 × 100 = 82.7%, and 17.3% propagates to the resin layer. The unwanted wave that has propagated to the resin layer is transmitted without being reflected at the interface between the resin layer and the package substrate, and is reflected at the end of the package substrate by 99.9% and returns to the SAW chip side. It attenuates while propagating a distance of 0.0 to 1.2 mm, and substantially unnecessary waves hardly return to the SAW chip.

従来例として、パッケージ基板としてセラミックパッケージを用い、凹部を樹脂で埋め込まず、凹部をセラミックリッドで蓋をして封止した構造で、ＳＡＷチップの外部に空気が存在すると仮定すると、ＳＡＷチップ端部における不要波の反射強度は９９．９９％であり、不要波が外部へ伝播できず、ＳＡＷチップ内に残されてしまうことになる。   As a conventional example, assuming that a ceramic package is used as a package substrate, the recess is not filled with resin, and the recess is covered with a ceramic lid and sealed, and air is present outside the SAW chip, the end of the SAW chip The reflection intensity of the unwanted wave at 99.99% is 99.99%, and the unwanted wave cannot propagate to the outside and remains in the SAW chip.

（実施例２）
本実施例として、図１に示す本実施形態のマイクロデバイスモジュールを作成し、所定帯域の挿入損失（ｄＢ）を測定した。
また、図１に示す本実施形態のマイクロデバイスモジュールに対して、従来例として、パッケージ基板としてセラミックパッケージを用い、凹部を樹脂で埋め込まず、凹部をセラミックリッドで蓋をして封止した構造のマイクロデバイスモジュールを作成し、上記と同じ帯域の挿入損失（ｄＢ）を測定した。 (Example 2)
As a working example, the micro device module of the present embodiment shown in FIG. 1 was created, and the insertion loss (dB) in a predetermined band was measured.
Further, as a conventional example, the micro device module of the present embodiment shown in FIG. 1 has a structure in which a ceramic package is used as a package substrate, the recess is not filled with resin, and the recess is covered with a ceramic lid and sealed. A micro device module was prepared and the insertion loss (dB) in the same band as above was measured.

結果を図６（ａ）及び（ｂ）に示す。図６（ａ）及び（ｂ）中、縦軸は挿入損失（ｄＢ）であり、横軸は規格化された周波数を示す。また、図６（ａ）が従来例の挿入損失を、図６（ｂ）が本実施例の挿入損失を示す。
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、従来例はリップルが顕著に発生しているが、本実施例ではリップルが大幅に抑制されており、電気的特性が改善された。 The results are shown in FIGS. 6 (a) and (b). 6A and 6B, the vertical axis represents the insertion loss (dB), and the horizontal axis represents the normalized frequency. FIG. 6A shows the insertion loss of the conventional example, and FIG. 6B shows the insertion loss of this embodiment.
As shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), in the conventional example, the ripples are remarkably generated, but in this example, the ripples are greatly suppressed and the electrical characteristics are improved.

（実施例３）
実施例２において作成した本実施例と従来例のマイクロデバイスモジュールについて、所定帯域の群遅延時間（ｎｓ）を測定した。
結果を図７（ａ）及び（ｂ）に示す。図７（ａ）及び（ｂ）中、縦軸は群遅延時間（ｎｓ）であり、横軸は規格化された周波数を示す。また、図７（ａ）が従来例の群遅延特性を、図７（ｂ）が本実施例の群遅延特性を示す。
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、従来例はリップルが顕著に発生しているが、本実施例ではリップルが大幅に抑制されており、電気的特性が改善された。 (Example 3)
The group delay time (ns) of a predetermined band was measured for the microdevice module of this example and the conventional example created in Example 2.
The results are shown in FIGS. 7 (a) and (b). 7A and 7B, the vertical axis represents the group delay time (ns), and the horizontal axis represents the normalized frequency. FIG. 7A shows the group delay characteristic of the conventional example, and FIG. 7B shows the group delay characteristic of this embodiment.
As shown in FIGS. 7A and 7B, in the conventional example, ripples are remarkably generated, but in this example, the ripples are greatly suppressed, and the electrical characteristics are improved.

第２実施形態
図８は本実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの断面図である。
実質的に第１実施形態に係るマイクロデバイスモジュールと同様の構成であるが、パッケージ基板１０ｂがアルミナなどのセラミック基板であることが異なる。 Second Embodiment FIG. 8 is a sectional view of a micro device module according to this embodiment.
The configuration is substantially the same as that of the micro device module according to the first embodiment, except that the package substrate 10b is a ceramic substrate such as alumina.

本実施形態のマイクロデバイスモジュールも、第１実施形態と同様に、機能面にＳＡＷ素子あるいはＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲなどの振動子または可動部を持つマイクロデバイスが有機のパッケージ基板の凹部にマウントされ、さらに凹部の内壁面とマイクロデバイスの間隙が樹脂層で埋め込まれてモジュール化された構造となっており、機能素子を除いて被覆して樹脂層が形成されており、ＳＡＷ素子などにおける不要波が樹脂層を伝達して減衰できる構造となっており、電気的特性が改善されたマイクロデバイスモジュールである。   Similarly to the first embodiment, the micro device module of the present embodiment has a SAW element or a micro device having a vibrator such as MEMS or F-BAR or a movable part mounted on the concave portion of the organic package substrate, Furthermore, the gap between the inner wall surface of the recess and the micro device is embedded in a resin layer to form a module, and the resin layer is formed by covering except for the functional element, and unnecessary waves in the SAW element or the like are generated. The micro device module has a structure capable of transmitting and attenuating a resin layer and has improved electrical characteristics.

（実施例４）
実施例１と同様に、物質の音響インピーダンスから不要波の反射強度を算出した。
ここで、セラミック基板を構成するアルミナの音響インピーダンスは、３７００×２３００＝８５１０×１０３（ｋｇ／ｍ２ｓ）となる。 Example 4
Similar to Example 1, the reflection intensity of unnecessary waves was calculated from the acoustic impedance of the substance.
Here, the acoustic impedance of the alumina constituting the ceramic substrate is 3700 × 2300 = 8510 × 10 3 (kg / m 2 s).

図７に示す構造のマイクロデバイスモジュールを想定すると、ＳＡＷチップ端部における不要波の反射強度は、実施例１と同様に８２．７％であり、１７．３％が樹脂層へと伝播していく。樹脂層へ伝播した不要波は、樹脂層とパッケージ基板の界面でほぼ７１％が反射し、残りの２９％がセラミック基板へと透過していく。
上記のようにして、ＳＡＷチップで発生した不要波は、樹脂層を介して外部へと伝播し、ＳＡＷチップ内に残される不要波を低減して、リップル抑制などの電気的抑制の改善をはかることができる。 Assuming the micro device module having the structure shown in FIG. 7, the reflection intensity of the unnecessary wave at the end of the SAW chip is 82.7% as in the first embodiment, and 17.3% is propagated to the resin layer. Go. About 71% of unnecessary waves propagated to the resin layer are reflected at the interface between the resin layer and the package substrate, and the remaining 29% are transmitted to the ceramic substrate.
As described above, unnecessary waves generated in the SAW chip propagate to the outside through the resin layer, reduce unnecessary waves left in the SAW chip, and improve electrical suppression such as ripple suppression. be able to.

本発明は上記の実施形態に限定されない。
例えば、ＳＡＷ素子の他、ＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲなどの機能素子を有するマイクロデバイスを内蔵したモジュールとすることも可能である。
パッケージ基板の樹脂層や配線を積層させる層数は実施形態に限らず、何層であってもよい。
その他、本発明の観点を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。 The present invention is not limited to the above embodiment.
For example, in addition to the SAW element, a module incorporating a micro device having a functional element such as MEMS or F-BAR may be used.
The number of layers in which the resin layer and the wiring of the package substrate are laminated is not limited to the embodiment, and may be any number.
In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

本発明のマイクロデバイスモジュールは、ＳＡＷ素子、ＭＥＭＳあるいはＦ−ＢＡＲなどの機能面に可動部または振動子を持つマイクロデバイスをモジュール化したマイクロデバイスモジュールとして、例えば携帯電話の送受信回路などに用いられるフィルターを構成するモジュールなどに適用できる。
本発明のマイクロデバイスモジュールの製造方法は、ＳＡＷ素子、ＭＥＭＳあるいはＦ−ＢＡＲなどの機能面に可動部または振動子を持つマイクロデバイスをモジュール化したモジュールを製造する方法に適用できる。 The micro device module of the present invention is a filter used in a transmission / reception circuit of a mobile phone, for example, as a micro device module obtained by modularizing a micro device having a movable part or a vibrator on a functional surface such as a SAW element, MEMS, or F-BAR. It can be applied to modules that constitute
The manufacturing method of the micro device module of the present invention can be applied to a method of manufacturing a module obtained by modularizing a micro device having a movable part or a vibrator on a functional surface such as a SAW element, MEMS, or F-BAR.

図１は本発明の第１実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの模式断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a micro device module according to a first embodiment of the present invention. 図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造工程を示す模式断面図である。FIGS. 2A and 2B are schematic cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the micro device module according to the first embodiment of the present invention. 図３は本発明の第１実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造工程を示す模式断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing process of the micro device module according to the first embodiment of the present invention. 図４（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造工程を示す模式断面図である。FIGS. 4A and 4B are schematic cross-sectional views showing the manufacturing process of the micro device module according to the first embodiment of the present invention. 図５は本発明の第１実施形態に係るマイクロデバイスモジュールを実装基板に実装した状態を示す模式断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the micro device module according to the first embodiment of the present invention is mounted on a mounting substrate. 図６（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施例２における挿入損失の測定結果である。6 (a) and 6 (b) are measurement results of insertion loss in Example 2 of the present invention. 図７（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施例３における群遅延時間の測定結果である。7A and 7B show the measurement results of the group delay time in Example 3 of the present invention. 図８は本発明の第２実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの模式断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a micro device module according to a second embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０，１０ｂ…パッケージ基板、１０ａ…基柱、１１…凹部、１２…第１電極、１３…第２電極、１４…第３電極、２０…ＳＡＷ素子、２１…圧電基板、２２…くし型電極部、２３…突起電極、３０…樹脂層、３０ａ…ディスペンサ、３０ｂ…シート状の樹脂、３１…中空部分、４０，４１，４２…電子部品、５０…絶縁基板、５１…配線、５２…ハンダ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 10b ... Package board | substrate, 10a ... Base pillar, 11 ... Recessed part, 12 ... 1st electrode, 13 ... 2nd electrode, 14 ... 3rd electrode, 20 ... SAW element, 21 ... Piezoelectric substrate, 22 ... Comb type electrode part , 23 ... Projection electrode, 30 ... Resin layer, 30 a ... Dispenser, 30 b ... Sheet-like resin, 31 ... Hollow portion, 40, 41, 42 ... Electronic component, 50 ... Insulating substrate, 51 ... Wiring, 52 ... Solder

Claims (14)

凹部が形成されたパッケージ基板と、
前記凹部の底面に形成された第１電極と、
前記パッケージ基板の外壁に形成された第２電極と、
機能面に可動部または振動子が形成された機能素子を有するデバイス基板と、前記機能面側に形成された突起電極とを有し、前記突起電極が前記第１電極に接続し、かつ前記機能面が前記凹部の底面に接しないように、前記凹部内にマウントされたマイクロデバイスと、
前記機能素子部分を除いて前記マイクロデバイスを被覆し、前記機能素子が封止されて中空部分が構成されるように、前記凹部を埋め込んで形成された樹脂層と
を有し、前記第２電極により実装基板に実装される
マイクロデバイスモジュール。 A package substrate in which a recess is formed;
A first electrode formed on the bottom surface of the recess;
A second electrode formed on the outer wall of the package substrate;
A device substrate having a functional element having a movable portion or a vibrator formed on a functional surface; and a protruding electrode formed on the functional surface side, the protruding electrode being connected to the first electrode, and the function A microdevice mounted in the recess so that the surface does not contact the bottom surface of the recess;
A resin layer formed by embedding the concave portion so as to cover the microdevice except for the functional element portion and to seal the functional element to form a hollow portion, and the second electrode A micro device module that is mounted on a mounting board. 前記パッケージ基板が有機基板である
請求項１に記載のマイクロデバイスモジュール。 The micro device module according to claim 1, wherein the package substrate is an organic substrate. 前記パッケージ基板の外壁に形成された第３電極をさらに有し、
前記第３電極に電子部品がマウントされている
請求項１に記載のマイクロデバイスモジュール。 A third electrode formed on the outer wall of the package substrate;
The micro device module according to claim 1, wherein an electronic component is mounted on the third electrode. 前記凹部の内側面と前記パッケージ基板の側面との距離が０．３ｍｍ以上である
請求項１に記載のマイクロデバイスモジュール。 The micro device module according to claim 1, wherein a distance between an inner side surface of the recess and a side surface of the package substrate is 0.3 mm or more. 前記マイクロデバイスの側面と前記凹部の内側面との距離が０．３ｍｍ以下である
請求項１に記載のマイクロデバイスモジュール。 The micro device module according to claim 1, wherein a distance between a side surface of the micro device and an inner side surface of the recess is 0.3 mm or less. 前記パッケージ基板がセラミック基板である
請求項１に記載のマイクロデバイスモジュール。 The micro device module according to claim 1, wherein the package substrate is a ceramic substrate. 凹部が形成され、前記凹部の底面に第１電極が形成され、外壁に第２電極が形成されたパッケージ基板の前記凹部内において、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子を有するデバイス基板と、前記機能面側に形成された突起電極とを有するマイクロデバイスを、前記突起電極が前記第１電極に接続し、かつ前記機能面が前記凹部の底面に接しないように、マウントする工程と、
前記機能素子部分を除いて前記マイクロデバイスを被覆し、前記機能素子を封止して中空部分を構成するように、前記凹部を埋め込んで樹脂層を形成する工程と
を有し、前記第２電極により実装基板に実装されるマイクロデバイスのモジュールを製造する
マイクロデバイスモジュールの製造方法。 A functional element having a movable part or a vibrator formed on a functional surface is formed in the concave part of the package substrate in which a concave part is formed, a first electrode is formed on a bottom surface of the concave part, and a second electrode is formed on an outer wall. A micro device having a device substrate and a protruding electrode formed on the functional surface side is mounted so that the protruding electrode is connected to the first electrode and the functional surface is not in contact with the bottom surface of the recess. Process,
Forming the resin layer by embedding the recess so as to cover the microdevice except for the functional element portion and seal the functional element to form a hollow portion, and the second electrode A micro device module manufacturing method for manufacturing a micro device module to be mounted on a mounting board. 前記樹脂層を形成する工程において溶融状態の樹脂を前記凹部内に流しいれる
請求項７に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法。 The method for manufacturing a micro device module according to claim 7, wherein in the step of forming the resin layer, molten resin is allowed to flow into the recess. 前記樹脂層を形成する工程においてシート状の樹脂を所定サイズに切断して前記凹部に配置させ、加熱加圧して前記樹脂を前記凹部内に供給する
請求項７に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法。 The method for manufacturing a micro device module according to claim 7, wherein in the step of forming the resin layer, a sheet-like resin is cut into a predetermined size, arranged in the recess, and heated and pressurized to supply the resin into the recess. . 前記パッケージ基板として有機基板を用いる
請求項７に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法。 The method for manufacturing a micro device module according to claim 7, wherein an organic substrate is used as the package substrate. 前記パッケージ基板として外壁に形成された第３電極をさらに有するパッケージ基板を用い、
前記第３電極に電子部品をマウントする工程をさらに有する
請求項７に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法。 Using a package substrate further having a third electrode formed on the outer wall as the package substrate,
The method for manufacturing a micro device module according to claim 7, further comprising a step of mounting an electronic component on the third electrode. 前記パッケージ基板として前記凹部の内側面と前記パッケージ基板の側面との距離が０．３ｍｍ以上であるパッケージ基板を用いる
請求項７に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法。 The method for manufacturing a micro device module according to claim 7, wherein a package substrate having a distance between an inner side surface of the recess and a side surface of the package substrate of 0.3 mm or more is used as the package substrate. 前記マイクロデバイスの側面と前記凹部の内側面との距離が０．３ｍｍ以下となるように前記凹部と前記マイクロデバイスの大きさを設定する
請求項７に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法。 The manufacturing method of the micro device module according to claim 7, wherein the size of the concave portion and the micro device is set so that a distance between a side surface of the micro device and an inner side surface of the concave portion is 0.3 mm or less. 前記パッケージ基板としてセラミック基板を用いる
請求項７に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法。 The method for manufacturing a micro device module according to claim 7, wherein a ceramic substrate is used as the package substrate.
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