JP2007268715A - Printing method, forming method of electrode pattern and forming method of thin film transistor - Google Patents
Printing method, forming method of electrode pattern and forming method of thin film transistor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007268715A JP2007268715A JP2006093475A JP2006093475A JP2007268715A JP 2007268715 A JP2007268715 A JP 2007268715A JP 2006093475 A JP2006093475 A JP 2006093475A JP 2006093475 A JP2006093475 A JP 2006093475A JP 2007268715 A JP2007268715 A JP 2007268715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ink
- pattern
- forming
- substrate
- blanket
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
本発明は、微細なパターンを精度よく基材上に形成する印刷方法、電極の形成方法および薄膜トランジスタの形成方法に関する。 The present invention relates to a printing method, an electrode forming method, and a thin film transistor forming method for forming a fine pattern on a substrate with high accuracy.
印刷は、紙に文字や画像を書く出版の分野から、配線や抵抗体などを形成するエレクトロニクス分野へと応用が広がり、微細化、高品質化が求められている。微細なパターニングを実現する方法として、反転印刷法が開発されている（特許文献１）。 Printing has expanded from the field of publishing writing characters and images on paper to the field of electronics that forms wiring and resistors, and miniaturization and high quality are required. A reverse printing method has been developed as a method for realizing fine patterning (Patent Document 1).
反転印刷法は、シリンダーに固定されたブランケットを用い、ブランケット上にインキを設ける工程と、凸部パターンを有する凸版をブランケットに接触させることにより、該ブランケット上のインキのうち凸部パターンと接触した部分のインキを除去し、該ブランケット上にインキパターンを形成する工程と、ブランケット上のインキパターンを基材の所定の箇所に接触させ転写し、基材上にインキパターンを形成する工程からなるものである。 In the reversal printing method, a blanket fixed to a cylinder was used, ink was placed on the blanket, and a relief plate having a convex pattern was brought into contact with the blanket, thereby contacting the convex pattern of the ink on the blanket. It consists of a step of removing ink from a portion and forming an ink pattern on the blanket, and a step of bringing the ink pattern on the blanket into contact with a predetermined portion of the substrate and transferring it to form an ink pattern on the substrate. It is.
また、近年、フレキシブルディスプレイの実現への期待が高まっている。フレキシブルディスプレイは、曲げられる、割れにくい、軽い、薄いといった特徴があり、具体的には電子ペーパー、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ等が挙げられる。 In recent years, expectations for realizing a flexible display are increasing. The flexible display is characterized by being bent, hard to break, light, and thin, and specifically includes electronic paper, an organic EL display, a liquid crystal display, and the like.
フレキシブルディスプレイを作製するには、薄膜トランジスタをプラスチック基板上に形成する必要がある。そのためには、低温プロセスで形成できる必要があり、有機半導体がその候補になっている。 In order to manufacture a flexible display, it is necessary to form a thin film transistor on a plastic substrate. For that purpose, it must be formed by a low-temperature process, and an organic semiconductor is a candidate for this.
有機半導体を用いた薄膜トランジスタは、液体塗布即ち印刷法に適している。しかし、薄膜トランジスタの特性を上げるには、パターンを小さくすることと、精密に位置合わせすることが重要である。パターンの細かさ、特にチャネル長と呼ばれる電極間隔が、ｏｎ電流や応答速度を上げるために重要であり、精密な位置あわせ、特に、電極同士の重なりを小さくすることが、フィードスルーと呼ばれる電圧変化の低減や応答速度の向上に重要である。 A thin film transistor using an organic semiconductor is suitable for a liquid application, that is, a printing method. However, in order to improve the characteristics of the thin film transistor, it is important to make the pattern small and precisely align it. The fineness of the pattern, especially the electrode spacing, called the channel length, is important for increasing the on-current and response speed. Precise alignment, especially reducing the overlap between the electrodes, is a voltage change called feedthrough. It is important to reduce the response and improve the response speed.
反転印刷は、高解像度のパターンを形成できる印刷方法であるが、他の印刷方法と同様に、基材との精密な位置合わせが難しいという欠点を有していた。これは、基材やシリンダーの物理的な移動を伴うことが原因であり、基材上の特定の位置に所望のインキからなる画像パターンを形成することは困難であった。 Reverse printing is a printing method that can form a high-resolution pattern, but has the disadvantage that precise alignment with a substrate is difficult, as with other printing methods. This is due to the physical movement of the substrate and cylinder, and it has been difficult to form an image pattern made of desired ink at a specific position on the substrate.
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、解像度の高い反転印刷法用いて基材上へインキからなる画像パターンを形成するにあたり、基材の特定の箇所へ精度良くインキパターンを形成することを目的とする。 The present invention has been made to solve such problems, and in forming an image pattern composed of ink on a base material using a high-resolution reversal printing method, it can be accurately applied to a specific portion of the base material. The object is to form an ink pattern.
上記課題を解決するために請求項１に係る発明は、基材上にインキパターンを形成する印刷方法であって、ブランケット上にインキ層を設ける工程と、凸部パターンを有する凸版をブランケットに接触させることにより、該ブランケット上のインキ層のうち凸部パターンと接触した部分のインキを除去し、該ブランケット上にインキパターンを形成する工程と、ブランケット上のインキパターンを、非インキパターン部に撥インキパターンを備えた基材と接触させ転写し、基材上に前記インキパターンから前記撥インキパターンを差し引いたパターンを形成する工程を備えることを特徴とする印刷方法とした。 In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 is a printing method for forming an ink pattern on a base material, the step of providing an ink layer on a blanket, and a relief plate having a convex pattern contacting the blanket Removing the ink in the portion of the ink layer on the blanket that is in contact with the convex pattern and forming the ink pattern on the blanket, and repelling the ink pattern on the blanket to the non-ink pattern portion. The printing method is characterized by comprising a step of contacting and transferring to a substrate provided with an ink pattern to form a pattern obtained by subtracting the ink repellent pattern from the ink pattern on the substrate.
また、請求項２に係る発明は、前記撥インキパターン形成材料が、シランカップリング剤であることを特徴とする請求項１記載の印刷方法とした。 The invention according to claim 2 is the printing method according to claim 1, wherein the ink-repellent pattern forming material is a silane coupling agent.
また、請求項３に係る発明は、前記撥インキパターン形成材料を溶媒に溶解または分散させたインキを用いて、マイクロコンタクトプリント法により、前記基板上に撥インキパターンを形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の印刷方法とした。 The invention according to claim 3 is characterized in that an ink repellent pattern is formed on the substrate by a microcontact printing method using an ink in which the ink repellent pattern forming material is dissolved or dispersed in a solvent. The printing method according to claim 1 or claim 2 is provided.
また、請求項４に係る発明は、基板上に電極パターンを形成する方法であって、金属ナノ粒子を溶媒に分散させたインキを用いて請求項１乃至３に記載の印刷方法により、基板上に該インキからなる電極パターンを形成することを特徴とする電極パターン形成方法とした。 The invention according to claim 4 is a method for forming an electrode pattern on a substrate, wherein the printing method according to any one of claims 1 to 3 is used to form an electrode pattern on the substrate by using ink in which metal nanoparticles are dispersed in a solvent. And forming an electrode pattern made of the ink.
また、請求項５に係る発明は、基板上に、金属ナノ粒子を分散させたインキを用いて請求項１乃至３のいずれかに記載の印刷方法によりソース電極、ドレイン電極を形成し、且つ、有機半導体層を設ける工程と、該ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層が設けられた基板上にゲート絶縁層を形成する工程と、該ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁層が設けられた基板上にゲート電極を設ける工程を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法とした。 The invention according to claim 5 forms a source electrode and a drain electrode by the printing method according to any one of claims 1 to 3 using an ink in which metal nanoparticles are dispersed on a substrate, and A step of providing an organic semiconductor layer; a step of forming a gate insulating layer on a substrate provided with the source electrode, the drain electrode, and the organic semiconductor layer; and a step of providing the source electrode, the drain electrode, the organic semiconductor layer, and the gate insulating layer. A method for forming a thin film transistor is provided, which includes a step of providing a gate electrode on the obtained substrate.
また、請求項６に係る発明は、基板上にゲート電極を設ける工程と、該ゲート電極が形成された基板上にゲート絶縁層を形成する工程と、該ゲート電極、ゲート絶縁層が形成された基板上に、金属ナノ粒子を分散させたインキを用いて請求項１乃至３のいずれかに記載の印刷方法によりソース電極、ドレイン電極を形成し、且つ、有機半導体層を形成する工程を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法とした。 According to a sixth aspect of the present invention, a step of providing a gate electrode on the substrate, a step of forming a gate insulating layer on the substrate on which the gate electrode is formed, and the gate electrode and the gate insulating layer are formed. A process of forming a source electrode and a drain electrode and forming an organic semiconductor layer on a substrate by using a printing method according to any one of claims 1 to 3 using an ink in which metal nanoparticles are dispersed. A thin film transistor forming method characterized by the above.
本発明の印刷方法を用いれば、あらかじめ基材に精密に位置合わせした撥インク性パターンにインクが載らないことになり、反転印刷を用いながらその位置精度を向上させることができる。また、この方法によりソース電極、ドレイン電極を形成した薄膜トランジスタは、電極同士の重なりが精度良く形成されているため、トランジスタ特性が良好なものとなる。 If the printing method of the present invention is used, the ink will not be placed on the ink-repellent pattern that has been precisely aligned with the substrate in advance, and the positional accuracy can be improved while using reverse printing. In addition, a thin film transistor in which a source electrode and a drain electrode are formed by this method has good transistor characteristics because the electrodes are accurately overlapped.
本発明においては、非インキパターン部に撥インキパターンを備えた基材を用いて、反転印刷法により基材上にインキパターンを形成することを特徴とする。本発明に用いられるインキとしては公知のものを使用することができ、金属材料、有機材料を溶媒に溶解または分散させたインキを用いることができる。 In the present invention, an ink pattern is formed on a substrate by a reverse printing method using a substrate having an ink repellent pattern in a non-ink pattern portion. As the ink used in the present invention, a known ink can be used, and an ink in which a metal material or an organic material is dissolved or dispersed in a solvent can be used.
まず、基材上への撥インキパターンの形成方法について述べる。本発明に用いられる基材としては、ガラス、金属、プラスチック等の公知の材料を用いることができる。特に、プラスチック材料を好適に用いることができ、プラスチック材料としてはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド、ナイロン、アラミド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニル、トリアセチルセルロース等のフィルムやシートを用いることができる。中でも、耐熱性のポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、シクロオレフィンポリマー、ポリイミドなどが好適に使用することができる。また、無機フィラーを上記樹脂に添加して耐熱性を向上させたものも好適に使用することができる。 First, a method for forming an ink repellent pattern on a substrate will be described. As the base material used in the present invention, known materials such as glass, metal, and plastic can be used. In particular, a plastic material can be suitably used. Examples of the plastic material include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, cycloolefin polymer, polyimide, nylon, aramid, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, and triacetyl. A film or sheet of cellulose or the like can be used. Of these, heat-resistant polyethylene naphthalate, polyethersulfone, cycloolefin polymer, polyimide and the like can be preferably used. Moreover, what improved the heat resistance by adding an inorganic filler to the said resin can also be used conveniently.
本発明に用いられる撥インキパターン形成材料としては、シランカップリング剤を用いることができる。シランカップリング剤としては、トリメトキシシラン類、トリエトキシシラン類等を用いることができる。また、シランカップリング剤の一部位としては、ビニル基、エポキシ基、アミノ基、メタクリル基、メルカプト基などの有機化合物との反応性基を用いることがができる。また、アルキル基や、その一部にフッ素原子が置換された基や、シロキサンが結合して、表面エネルギーの小さな表面を形成できる置換基を用いることができる。反応性基を有するシランカップリング剤としては、ビニルメトキシシラン、ビニルエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどを用いることができ、モノマーとしては、スチレン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチルプロパントリグリシジルエーテル、ラウリルアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを用いることができる。また、反応性基を有さないシランカップリング剤としてはメチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシランなどを用いることができる。但し、アルキル基に限定されるものではない。 As the ink repellent pattern forming material used in the present invention, a silane coupling agent can be used. As the silane coupling agent, trimethoxysilanes, triethoxysilanes, and the like can be used. Moreover, as one site | part of a silane coupling agent, the reactive group with organic compounds, such as a vinyl group, an epoxy group, an amino group, a methacryl group, a mercapto group, can be used. In addition, an alkyl group, a group in which a fluorine atom is substituted on a part thereof, or a substituent capable of forming a surface with low surface energy by bonding with siloxane can be used. Examples of the silane coupling agent having a reactive group include vinyl methoxy silane, vinyl ethoxy silane, p-styryl trimethoxy silane, 3-glycidoxy propyl trimethoxy silane, 2- (3,4 epoxy cyclohexyl) ethyl trimethoxy silane. , 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, etc., and monomers include styrene, ethylene glycol diglycidyl ether, trimethylpropane triglycidyl ether, lauryl acrylate, dipentaerythritol Hexaacrylate or the like can be used. As the silane coupling agent having no reactive group, methyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane and the like can be used. However, it is not limited to an alkyl group.
本発明に用いられる基材上への撥インキパターンの形成方法としては、マイクロコンタクトプリント法を好適に用いることができる。マイクロコンタクトプリント法は、実際に顕微鏡等で位置合わせをしながら、精密に凸状版を基板に接触させてインクパターン形成するものであり、通常の印刷法ほどのスループットはないが、フォトリソよりは簡単なプロセスで精密な位置合わせが可能であり、高い位置精度で基材の所望の位置に撥インキパターンを形成することができる。本発明において、基材上の非インキパターン部に形成される撥インキパターンは、基材状のインキパターンが形成される部分の周辺部に設けられる。このとき、撥インキパターンはインキパターン形成部分を取り囲むように形成しても良いし、インキパターン形成部分の周辺部において、他のインキ形成部分と近接している部分についてのみ形成しても良い。 As a method for forming an ink repellent pattern on a substrate used in the present invention, a microcontact printing method can be suitably used. The micro-contact printing method is to form an ink pattern by bringing the convex plate into contact with the substrate precisely while actually aligning with a microscope or the like. Precise alignment is possible with a simple process, and an ink repellent pattern can be formed at a desired position on the substrate with high positional accuracy. In the present invention, the ink repellent pattern formed on the non-ink pattern portion on the substrate is provided in the peripheral portion of the portion where the substrate-like ink pattern is formed. At this time, the ink repellent pattern may be formed so as to surround the ink pattern forming portion, or may be formed only in a portion adjacent to the other ink forming portion in the peripheral portion of the ink pattern forming portion.
図１に本発明のマイクロコンタクトプリント法の概略図を示した。凸状版２は凸部３を有しており、凸部３を撥インキパターン形成材料を溶媒に溶解または分散させたインキに浸すことにより、凸状版２の凸部３には撥インキパターン形成材料からなるインキが塗布されている。そして、凸状版２を基材１と密着させることにより、凸状版２の凸部上にある撥インキパターン形成材料からなるインキが基材１上に転写され、基材１上に撥インキパターンを形成することができる。マイクロコンタクトプリンティング法を用いることにより、安定した単分子膜を形成することが可能となる。凸状版は、例えば、マスター版から型取りすることにより得ることができ、形成材料としてはシリコーンゴム、ポリアミド等を好適に用いることができる。 FIG. 1 shows a schematic view of the microcontact printing method of the present invention. The convex plate 2 has a convex portion 3, and the convex portion 3 of the convex plate 2 is immersed in an ink in which an ink repellent pattern forming material is dissolved or dispersed in a solvent. Ink made of a forming material is applied. Then, by bringing the convex plate 2 into close contact with the base material 1, the ink made of the ink repellent pattern forming material on the convex portion of the convex plate 2 is transferred onto the base material 1, and the ink repellent material is transferred onto the base material 1 A pattern can be formed. By using the microcontact printing method, a stable monomolecular film can be formed. The convex plate can be obtained, for example, by taking a mold from a master plate, and silicone rubber, polyamide or the like can be suitably used as a forming material.
次に、本発明の反転印刷法について示す。本発明における反転印刷装置の模式図を図２に示した。シリンダー１１表面に固定されたブランケット１０と、ブランケット１０上にインキを供給するインキ塗布装置１２を有しており、ステージ１６上には凸部パターンを有する凸版１４と非インキパターン部に撥インキパターンが形成された基材１が固定されている。 Next, the reverse printing method of the present invention will be described. A schematic diagram of the reverse printing apparatus according to the present invention is shown in FIG. A blanket 10 fixed on the surface of the cylinder 11 and an ink application device 12 for supplying ink onto the blanket 10 are provided. A relief plate 14 having a convex pattern on the stage 16 and an ink repellent pattern on a non-ink pattern portion. The base material 1 on which is formed is fixed.
図２を用いて、反転印刷法による基材上へのインキパターンの形成方法について示す。まず、シリンダー１１を回転させ、インキ塗布装置１２からインキを供給することにより、シリンダー１１に固定されたブランケット１０表面にインキ１３層を形成する。次に、ブランケット１０を除去版である凸版１４の凸部パターンとを接触させ、シリンダー１１を回転させる。このときブランケット１０上にあるインキ３層のうち凸部パターンと接触したインキはブランケットから除去版４の凸部パターンに転移し、ブランケット上にはインキパターンが形成される。そして、ブランケット１０と基材５を接触させシリンダー１１を回転させることにより、ブランケット１０上にあるインキパターンを基材１に転写させ、基材１上にインキパターンが形成される。すなわち、凸版１４の凸部パターンは、基材１に形成される所望のインキパターンのネガパターンとなっている。なお、図１では、シリンダー１１を凸版１４及び基材１に接触、回転させるにあたって、シリンダー１１が移動する様子を矢印により示してある。なお、本発明の反転印刷装置にあっては、ブランケット１０を固定したシリンダー１１が固定されており回転機構のみを有し、凸版１４、基材１が固定されたステージ１６が可動式であっても構わない。 A method for forming an ink pattern on a substrate by a reverse printing method will be described with reference to FIG. First, the cylinder 11 is rotated, and ink is supplied from the ink application device 12 to form an ink 13 layer on the surface of the blanket 10 fixed to the cylinder 11. Next, the blanket 10 is brought into contact with the convex pattern of the relief plate 14 which is a removal plate, and the cylinder 11 is rotated. At this time, of the three ink layers on the blanket 10, the ink that has come into contact with the convex pattern is transferred from the blanket to the convex pattern of the removal plate 4, and an ink pattern is formed on the blanket. Then, by bringing the blanket 10 and the base material 5 into contact with each other and rotating the cylinder 11, the ink pattern on the blanket 10 is transferred to the base material 1, and the ink pattern is formed on the base material 1. That is, the convex pattern of the relief plate 14 is a negative pattern of a desired ink pattern formed on the substrate 1. In FIG. 1, when the cylinder 11 is brought into contact with the relief plate 14 and the substrate 1 and rotated, the state of the cylinder 11 moving is indicated by an arrow. In the reversal printing apparatus of the present invention, the cylinder 11 to which the blanket 10 is fixed is fixed, has only a rotating mechanism, and the relief plate 14 and the stage 16 to which the substrate 1 is fixed are movable. It doesn't matter.
本発明における基材上にインキパターンを形成する際の模式図を図３に示した。図３（ａ）において、基材１は凸状版２の凸部３と接触させることにより、表面に撥インキパターン１９が形成される。次に、図３（ｂ）、（ｃ）においてシリンダー１１に形成されたブランケット１０上に形成されたインキパターンを基材上に転写、印刷する。このとき、ブランケット１０上にあるインキパターンは、凸版１４によって予めパターニングされている。そして、基材上の撥インキパターン１９部分にあってはインキは転移されず、インキパターン１３は形成されないこととなる。そして、図３（ｄ）において、基材１上にインキパターン１３が形成される。なお、基材上にインキパターンが形成された後は、必要に応じて乾燥工程が設けられる。 A schematic diagram of forming an ink pattern on the substrate in the present invention is shown in FIG. In FIG. 3A, the base material 1 is brought into contact with the convex portions 3 of the convex plate 2, whereby an ink repellent pattern 19 is formed on the surface. Next, the ink pattern formed on the blanket 10 formed on the cylinder 11 in FIGS. 3B and 3C is transferred and printed on the substrate. At this time, the ink pattern on the blanket 10 is previously patterned by the relief plate 14. And in the ink repellent pattern 19 part on a base material, ink is not transferred, but the ink pattern 13 is not formed. Then, an ink pattern 13 is formed on the substrate 1 in FIG. In addition, after an ink pattern is formed on a base material, a drying process is provided as needed.
本発明においてインキのパターニングは、ブランケット１０上のインキに対し凸部パターンを有する凸版１４を接触させることによりおこなわれ、また、基材１上に撥インキパターン１９を形成し基材上の撥インキパターン形成部分においてブランケット１０上のインキがはじかれることによりおこなわれる。 In the present invention, ink patterning is performed by bringing a relief plate 14 having a convex pattern into contact with the ink on the blanket 10, and an ink repellent pattern 19 is formed on the substrate 1 to form an ink repellent pattern on the substrate. This is done by repelling the ink on the blanket 10 at the pattern forming portion.
本発明においては、形成されるインキパターンが高い位置精度が要求される部分において、基材１上に撥インキパターン１９を形成することが好ましい。そして、高い位置精度が要求されない部分においては、除去版である凸版１４によりブランケット１０上でインキパターンを形成することが好ましい。すなわち、本発明では、大まかなインキのパターニングをブランケット１０上のインキに対して除去版である凸版１４を押し当てることでおこない、位置精度が要求される部分のインキのパターニングを基材１上に撥インキパターン１９を形成しブランケット１０から基材１へインキを転写、印刷することでおこなうことにより、基板上に高い位置精度でインキパターンを形成することが可能となる。 In the present invention, it is preferable that the ink repellent pattern 19 is formed on the substrate 1 in a portion where the ink pattern to be formed requires high positional accuracy. In a portion where high positional accuracy is not required, it is preferable to form an ink pattern on the blanket 10 with the relief plate 14 as a removal plate. That is, in the present invention, rough ink patterning is performed by pressing the relief plate 14 as a removal plate against the ink on the blanket 10, and ink patterning of a portion requiring positional accuracy is performed on the substrate 1. By forming the ink repellent pattern 19 and transferring and printing ink from the blanket 10 to the base material 1, it is possible to form an ink pattern on the substrate with high positional accuracy.
本発明の反転印刷装置においてはシリンダー上に固定されるブランケットとしては弾性ブランケットと、剛性ブランケットのいずれかを用いることができる。ブランケットという言葉は本来、毛布もしくは毛布のようにくるむものを意味しており、シリンダー上に形成されたゴム状の部分を意味する。しかし本発明では、反転印刷法において、インキ層を形成し、凸版で不要部を除去し、できたパターンを基材に転写するための、一時的な保持体をブランケットと呼ぶ。 In the reverse printing apparatus of the present invention, either an elastic blanket or a rigid blanket can be used as the blanket fixed on the cylinder. The word blanket originally means a blanket or something wrapped like a blanket and means a rubbery part formed on a cylinder. However, in the present invention, in the reversal printing method, a temporary holder for forming an ink layer, removing unnecessary portions with a relief printing plate, and transferring the resulting pattern to a substrate is called a blanket.
弾性ブランケット形成材料としてはシリコーンゴムを好適に用いることができる。本発明では弾性ブランケットとシリンダーの間に、弾性ブランケットより柔かいクッション層を有しても良い。弾性ブランケットのシリンダーへの固定化の方法としては、金属製のシリンダーに対しシリコーンゴムを塗布し、硬化させる方法や、シリコーンゴムシートをシリンダー上に貼り付ける方法を用いることができる。 Silicone rubber can be suitably used as the elastic blanket forming material. In the present invention, a cushion layer softer than the elastic blanket may be provided between the elastic blanket and the cylinder. As a method for fixing the elastic blanket to the cylinder, a method of applying a silicone rubber to a metal cylinder and curing it, or a method of attaching a silicone rubber sheet on the cylinder can be used.
一方、剛性ブランケット形成材料として金属やガラスを使用することができる。このとき、シリンダーをブランケットとしても構わない。また、シランカップリング剤を用いて、金属やガラス表面を表面処理したものを用いることもできる。シランカップリング剤の例としては、トリメトキシシラン類、トリエトキシシラン類などが挙げられる。シランカップリング剤の一部位としては、ビニル基、エポキシ基、アミノ基、メタクリル基、メルカプト基などの有機化合物との反応性基を選ぶことができる。また、アルキル基や、その一部にフッ素原子が置換された基や、シロキサンが結合して、表面エネルギーの小さな表面を形成できる置換基を選ぶことができる。反応性基を有するシランカップリング剤を用いる場合には、シランカップリング剤でガラス基板の表面を処理した後、所定の表面自由エネルギーになるように他のモノマー成分を塗工し結合させても良い。反応性基を有するシランカップリング剤としては、ビニルメトキシシラン、ビニルエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどを用いることができ、モノマーとしては、スチレン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチルプロパントリグリシジルエーテル、ラウリルアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを用いることができる。また、反応性基を有さないシランカップリング剤としてはメチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシランなどを用いることができる。但し、アルキル基に限定されるものではない。 On the other hand, metal or glass can be used as the rigid blanket forming material. At this time, the cylinder may be used as a blanket. Moreover, what surface-treated the metal and the glass surface using the silane coupling agent can also be used. Examples of the silane coupling agent include trimethoxysilanes and triethoxysilanes. As one site of the silane coupling agent, a reactive group with an organic compound such as a vinyl group, an epoxy group, an amino group, a methacryl group, or a mercapto group can be selected. In addition, an alkyl group, a group in which a fluorine atom is partially substituted, or a substituent capable of forming a surface with a small surface energy by bonding with siloxane can be selected. When a silane coupling agent having a reactive group is used, after the surface of the glass substrate is treated with the silane coupling agent, other monomer components may be applied and bonded so as to have a predetermined surface free energy. good. Examples of the silane coupling agent having a reactive group include vinyl methoxy silane, vinyl ethoxy silane, p-styryl trimethoxy silane, 3-glycidoxy propyl trimethoxy silane, 2- (3,4 epoxy cyclohexyl) ethyl trimethoxy silane. , 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, and the like. As monomers, styrene, ethylene glycol diglycidyl ether, trimethylpropane triglycidyl ether, lauryl acrylate, dipentaerythritol Hexaacrylate or the like can be used. As the silane coupling agent having no reactive group, methyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane and the like can be used. However, it is not limited to an alkyl group.
シランカップリング剤は、金属製のシリンダー上に塗布する方法や、金属性のシリンダーの表面にガラス膜を形成し、さらにシランカップリング剤を塗布する方法により、シリンダー表面に固定化することができる。具体的には、シランカップリング剤を水、酢酸水、水−アルコール混合液、或いは、アルコール溶液に希釈させた溶液を、アプリケータ法などを用いて表面に塗工し乾燥する方法を用いることができる。 The silane coupling agent can be immobilized on the cylinder surface by a method of applying on a metal cylinder or a method of forming a glass film on the surface of a metallic cylinder and further applying a silane coupling agent. . Specifically, a method of applying a silane coupling agent to water, acetic acid water, a water-alcohol mixed solution, or a solution diluted with an alcohol solution on the surface using an applicator method or the like and drying the solution is used. Can do.
また、ブランケット１０上へインキ１３を塗布するインキ塗布装置１２としては、公知のものが使用できるが、具体的には、ダイコート方式、キャップコート方式、ロールコート方式、アプリケータ方式、スプレーコート方式などを用いることができる。 In addition, as the ink application device 12 for applying the ink 13 onto the blanket 10, a known device can be used. Specifically, a die coating method, a cap coating method, a roll coating method, an applicator method, a spray coating method, etc. Can be used.
また、ブランケット１０上のインキ１３が凸版１４と接触する前に乾燥工程が入ることが望ましい。乾燥工程の目的はインキ１３の粘度、チキソトロピー性、脆性をコントロールすることである。乾燥工程としては、自然乾燥法、冷風乾燥法・温風乾燥法、マイクロ波乾燥法、減圧乾燥法、および、紫外線や電子線などの放射線乾燥法などの公知の方法を用いることができる。 Further, it is desirable that a drying process is performed before the ink 13 on the blanket 10 comes into contact with the relief plate 14. The purpose of the drying process is to control the viscosity, thixotropy and brittleness of the ink 13. As the drying step, known methods such as a natural drying method, a cold air drying method / a warm air drying method, a microwave drying method, a reduced pressure drying method, and a radiation drying method such as an ultraviolet ray or an electron beam can be used.
除去版である凸版１４にあっては、剛性凸版、弾性凸版のいずれかを用いることができる。また、図２において凸版１４は板状であるが、凸版はロール状のものであっても構わない。凸版は円筒状の版胴に装着することにより、円筒状の凸版として使用されるが、凸版と円筒状の版胴の間に凸版より柔かいクッション層を有しても良い。剛性凸版としては金属板や金属ロールの表面を加工したものや、金属表面にガラス膜を形成し、該ガラス膜を加工して凸部パターンを形成したものを用いることができる。また、弾性凸版としては、樹脂凸版を用いることができ、ナイロン、アクリル、シリコーン樹脂、スチレン−ジエン共重合体といった樹脂材料、および、エチレンプロピレン系、ブチル系、ウレタン系のゴム等のゴム材料から成る凸版印刷やフレキソ印刷用の樹脂製の凸版を用いることができる。 In the relief plate 14 that is a removal plate, either a rigid relief plate or an elastic relief plate can be used. In FIG. 2, the relief plate 14 has a plate shape, but the relief plate may have a roll shape. The relief printing plate is used as a cylindrical relief printing plate by being mounted on the cylindrical printing cylinder, but a cushion layer softer than the relief printing plate may be provided between the relief printing plate and the cylindrical printing drum. As the rigid relief plate, one obtained by processing the surface of a metal plate or metal roll, or one obtained by forming a glass film on the metal surface and processing the glass film to form a convex pattern can be used. Moreover, as an elastic letterpress, a resin letterpress can be used, from resin materials such as nylon, acrylic, silicone resin, styrene-diene copolymer, and rubber materials such as ethylene-propylene-based, butyl-based, and urethane-based rubber. Resin letterpress for flexographic printing and flexographic printing can be used.
樹脂凸版の製造方法としては、型に樹脂を流し込む方法、彫刻する方法等を用いることができる。また感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィー法により凸部を形成することにより高精度のものが作製できる。 As a method for producing the resin relief plate, a method of pouring resin into a mold, a method of engraving, and the like can be used. Moreover, a highly accurate thing can be produced by forming a convex part by the photolithographic method using photosensitive resin.
本発明においては、ブランケットとして剛性ブランケット、弾性ブランケットのいずれかを用いることができ、凸版として剛性凸版、弾性凸版のいずれかを用いることができる。弾性ブランケットを用いた場合には、凸版としては剛性凸版を用いることが好ましく、一方、剛性ブランケットを用いた場合には、弾性凸版を用いることが好ましい。 In the present invention, either a rigid blanket or an elastic blanket can be used as the blanket, and either a rigid relief plate or an elastic relief plate can be used as the relief plate. When an elastic blanket is used, it is preferable to use a rigid relief plate as the relief plate. On the other hand, when a rigid blanket is used, it is preferred to use an elastic relief plate.
次に、本発明における薄膜トランジスタの形成方法について示す。図４に本発明のトップゲート型の薄膜トランジスタの説明断面図を示した。 Next, a method for forming a thin film transistor in the present invention will be described. FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view of the top gate type thin film transistor of the present invention.
図４のトップゲート型の薄膜トランジスタにおいては、基板２１上に無機絶縁層２２が形成され、さらに、無機絶縁層２２上にソース電極２３、ドレイン電極２４が形成され、さらに、有機半導体層２５が形成され、有機半導体層２５上にゲート絶縁層２６が形成され、ゲート絶縁層２６上にゲート電極２７が形成されている。 In the top-gate thin film transistor of FIG. 4, an inorganic insulating layer 22 is formed on a substrate 21, a source electrode 23 and a drain electrode 24 are formed on the inorganic insulating layer 22, and an organic semiconductor layer 25 is formed. A gate insulating layer 26 is formed on the organic semiconductor layer 25, and a gate electrode 27 is formed on the gate insulating layer 26.
トップゲート型の薄膜トランジスタおいて、基板２１はガラス、金属、プラスチック等の公知の材料を用いることができる。特に、プラスチック材料を好適に用いることができ、プラスチック材料としてはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド、ナイロン、アラミド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニル、トリアセチルセルロース等のフィルムやシートを用いることができる。中でも、耐熱性のポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、シクロオレフィンポリマー、ポリイミドなどが好適に使用することができる。また、無機フィラーを上記樹脂に添加して耐熱性を向上させたものも好適に使用することができる。 In the top gate type thin film transistor, the substrate 21 can be made of a known material such as glass, metal, or plastic. In particular, a plastic material can be suitably used. Examples of the plastic material include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, cycloolefin polymer, polyimide, nylon, aramid, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, and triacetyl. A film or sheet of cellulose or the like can be used. Of these, heat-resistant polyethylene naphthalate, polyethersulfone, cycloolefin polymer, polyimide and the like can be preferably used. Moreover, what improved the heat resistance by adding an inorganic filler to the said resin can also be used conveniently.
基板２１上には必要に応じて無機絶縁層２２が形成される。無機絶縁層２２としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯＮ、Ｔａ２Ｏ５など、各種の酸化物、酸窒化物などを用いることができる。形成方法としては、真空蒸着層、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いることができる。 An inorganic insulating layer 22 is formed on the substrate 21 as necessary. As the inorganic insulating layer 22, various oxides such as SiO 2 , Al 2 O 3 , SiON, Ta 2 O 5 , oxynitrides, and the like can be used. As a formation method, a vacuum deposition layer, a sputtering method, a CVD method, or the like can be used.
次に、無機絶縁層２２上にソース電極２３、ドレイン電極２４が本発明の印刷方法により形成される。このとき撥インキパターン３０は、基材上のソース電極２３、ドレイン電極２４が形成される箇所の周辺部に設けられ、少なくともソース電極、ドレイン電極間に設けられる。本発明にあっては、ソース電極、ドレイン電極形成材料をインキ化する必要があるが、金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウム、ロジウム等の金属ナノ粒子を溶媒として水またはアルコールに溶解したインキを好適に用いることができる。ここで、金属ナノ粒子としては平均粒径が１μｍ未満の金属粒子を意味する。 Next, the source electrode 23 and the drain electrode 24 are formed on the inorganic insulating layer 22 by the printing method of the present invention. At this time, the ink repellent pattern 30 is provided in the peripheral portion of the portion where the source electrode 23 and the drain electrode 24 are formed on the substrate, and is provided at least between the source electrode and the drain electrode. In the present invention, it is necessary to make the source electrode and drain electrode forming material into ink, but gold, silver, copper, nickel, platinum, palladium, rhodium or other metal nanoparticles were dissolved in water or alcohol as a solvent. Ink can be preferably used. Here, the metal nanoparticles mean metal particles having an average particle size of less than 1 μm.
次に、無機絶縁層２２、ソース電極２３、ドレイン電極２４上に有機半導体層２５が設けられる。有機半導体層形成材料としては、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリアリルアミン誘導体、ポリアセチレン誘導体、アセン誘導体、オリゴチオフェン誘導体等を用いることができ、これらを溶媒に溶解または分散させたインキを用い、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法等により形成される。なお、図４においては、有機半導体層２５を全面に形成しているが、ソース電極２３、ドレイン電極２４間のチャネル部のみに形成してもよい。 Next, the organic semiconductor layer 25 is provided on the inorganic insulating layer 22, the source electrode 23, and the drain electrode 24. As the organic semiconductor layer forming material, polythiophene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyallylamine derivatives, polyacetylene derivatives, acene derivatives, oligothiophene derivatives, etc. can be used, which are dissolved or dispersed in a solvent. The ink is used and formed by a spin coat method, a cast method, an ink jet method or the like. In FIG. 4, the organic semiconductor layer 25 is formed on the entire surface, but may be formed only on the channel portion between the source electrode 23 and the drain electrode 24.
次に、有機半導体層２５上にゲート絶縁層２６が設けられる。ゲート絶縁層２６としては、成膜が容易な有機絶縁膜を好適に用いることができ、例えば、ポリビニルフェノールを使用することができる。ポリビニルフェノールにあっては、例えば、イソプロピルアルコールに溶解させスピンコート法により有機半導体層上に形成される。 Next, the gate insulating layer 26 is provided on the organic semiconductor layer 25. As the gate insulating layer 26, an organic insulating film that can be easily formed can be suitably used. For example, polyvinylphenol can be used. In the case of polyvinyl phenol, for example, it is dissolved in isopropyl alcohol and formed on the organic semiconductor layer by spin coating.
次に、ゲート絶縁層２６上にゲート電極２７が設けられる。ゲート電極２７としては、マイクロコンタクトプリンタ、スクリーン印刷、反転印刷等の印刷法を用いる他、マスク蒸着を用いてもよい。印刷法でゲート電極を形成するのであれば金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウム、ロジウムなどを含むインクを使用することができる。また、真空蒸着法によりゲート電極２７を形成するのであれば、Ａｌ、金、白金、パラジウム、ロジウムなどを使用することができる。 Next, a gate electrode 27 is provided on the gate insulating layer 26. As the gate electrode 27, a mask vapor deposition may be used in addition to a printing method such as a micro contact printer, screen printing, and reverse printing. If the gate electrode is formed by a printing method, an ink containing gold, silver, copper, nickel, platinum, palladium, rhodium, or the like can be used. Further, if the gate electrode 27 is formed by a vacuum deposition method, Al, gold, platinum, palladium, rhodium, or the like can be used.
また、図５に、本発明のボトムゲート型の薄膜トランジスタの説明断面図を示した。図５のボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいては、基板２１上に必要に応じて無機絶縁層２２が形成され、ゲート電極２７が形成され、ゲート絶縁層２６が形成され、ソース電極２３、ドレイン電極２４が形成され、有機半導体層２５が形成される。 FIG. 5 is an explanatory cross-sectional view of the bottom-gate thin film transistor of the present invention. In the bottom-gate thin film transistor of FIG. 5, an inorganic insulating layer 22 is formed on a substrate 21 as necessary, a gate electrode 27 is formed, a gate insulating layer 26 is formed, and a source electrode 23 and a drain electrode 24 are formed. As a result, the organic semiconductor layer 25 is formed.
ボトムゲート型の薄膜トランジスタにあっても、本発明の印刷方法を用いて、ソース電極２３、ドレイン電極２４を好適に形成することができる。このとき撥インキパターン３０は、基材上のソース電極２３、ドレイン電極２４が形成される箇所の周辺部に設けられ、少なくともソース電極、ドレイン電極間に設けられる。また、無機絶縁層２２、ゲート電極２７、ゲート絶縁層２６、有機半導体層２５についても、トップゲート型の薄膜トランジスタと同様の形成材料、形成方法を用いることができる。なお、ゲート絶縁層としては、有機絶縁膜の他にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯＮ、Ｔａ２Ｏ５など、各種の酸化物、酸窒化物を用いることもできる。 Even in a bottom-gate thin film transistor, the source electrode 23 and the drain electrode 24 can be preferably formed by using the printing method of the present invention. At this time, the ink repellent pattern 30 is provided in the peripheral portion of the portion where the source electrode 23 and the drain electrode 24 are formed on the substrate, and is provided at least between the source electrode and the drain electrode. For the inorganic insulating layer 22, the gate electrode 27, the gate insulating layer 26, and the organic semiconductor layer 25, the same forming material and forming method as those for the top-gate thin film transistor can be used. As the gate insulating layer, various oxides and oxynitrides such as SiO 2 , Al 2 O 3 , SiON, and Ta 2 O 5 can be used in addition to the organic insulating film.
実施例１について示す。基板としてポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムを用い、無機絶縁層としてＳｉＯ２を３０ｎｍ成膜した。次に、マイクロコンタクトプリント法により撥インキパターンとしてドデシルトリメトキシシランのパターンを形成した。このとき、凸状版としてはシリコーンゴム製のものを用い、ドデシルトリメトキシシランはイソプロピルアルコールに溶解して、凸状版の凸部に塗布した。得られた基板上の撥インキパターンの線幅は１０μｍである。そして、反転印刷によってＡｇナノインクのインキを基材に接触させ、撥インキパターン以外の部分にインキを転写してソース電極、ドレイン電極を形成し、形成後、１８０℃１分の乾燥を行った。さらに有機半導体層としてポリチオフェンのトルエン溶液をスピンコートし、１００℃３０分の乾燥をおこなった。さらにゲート絶縁層としてポリビニルフェノールのイソプロピルアルコール溶液をスピンコートし、１００℃３０分の乾燥をおこなった。最後に、マスク蒸着によってＡｌを３０ｎｍ蒸着し、トップゲート型の薄膜トランジスタとした。 Example 1 will be described. A polyethylene naphthalate (PEN) film was used as a substrate, and a SiO 2 film having a thickness of 30 nm was formed as an inorganic insulating layer. Next, a pattern of dodecyltrimethoxysilane was formed as an ink repellent pattern by microcontact printing. At this time, a silicone rubber was used as the convex plate, and dodecyltrimethoxysilane was dissolved in isopropyl alcohol and applied to the convex portion of the convex plate. The line width of the ink repellent pattern on the obtained substrate is 10 μm. And the ink of Ag nano ink was made to contact a base material by reverse printing, ink was transcribe | transferred to parts other than an ink repellent pattern, the source electrode and the drain electrode were formed, and it dried at 180 degreeC after formation. Furthermore, a toluene solution of polythiophene was spin-coated as an organic semiconductor layer and dried at 100 ° C. for 30 minutes. Furthermore, a isopropyl alcohol solution of polyvinylphenol was spin-coated as a gate insulating layer and dried at 100 ° C. for 30 minutes. Finally, 30 nm of Al was deposited by mask deposition to obtain a top gate type thin film transistor.
こうして作製した薄膜トランジスタは、良好なＶｄ−Ｉｄ特性やＶｇ−Ｉｄ特性を示した。移動度は５×１０−４ｃｍ２／Ｖｓ程度であった。 The thin film transistor manufactured in this manner exhibited good Vd-Id characteristics and Vg-Id characteristics. The mobility was about 5 × 10 −4 cm 2 / Vs.
実施例２について示す。基板としてポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムを用い、ゲート電極としてＡｌを３０ｎｍ蒸着、フォトリソ・エッチングによって幅１５μｍのパターンとした。さらに、無機のゲート絶縁層としてＳｉＯＮを５００ｎｍ成膜した。次に、マイクロコンタクトプリント法により撥インキパターンとしてドデシルトリメトキシシランのパターンを形成した。このとき、凸状版としてはシリコーンゴム製のものを用い、ドデシルトリメトキシシランはイソプロピルアルコールに溶解して、凸状版の凸部に塗布した。得られた基板上の撥インキパターンの線幅は１０μｍである。そして、反転印刷によってＡｇナノインクを基材に接触させ、撥インク性パターン以外の部分に転写、印刷してソース電極、ドレイン電極を形成し、形成後、１８０℃１分の乾燥を行った。さらに有機半導体層としてポリチオフェンのトルエン溶液をスピンコートし、１００℃３０分の乾燥を行って、薄膜トランジスタとした。 Example 2 will be described. A polyethylene naphthalate (PEN) film was used as the substrate, Al was deposited as a gate electrode with a thickness of 30 nm, and a pattern with a width of 15 μm was formed by photolithography and etching. Further, a SiON film having a thickness of 500 nm was formed as an inorganic gate insulating layer. Next, a pattern of dodecyltrimethoxysilane was formed as an ink repellent pattern by microcontact printing. At this time, the convex plate made of silicone rubber was used, and dodecyltrimethoxysilane was dissolved in isopropyl alcohol and applied to the convex portion of the convex plate. The line width of the ink repellent pattern on the obtained substrate is 10 μm. Then, the Ag nano ink was brought into contact with the base material by reverse printing, and transferred and printed on a portion other than the ink repellent pattern to form a source electrode and a drain electrode. After formation, drying was performed at 180 ° C. for 1 minute. Further, a toluene solution of polythiophene was spin-coated as an organic semiconductor layer and dried at 100 ° C. for 30 minutes to obtain a thin film transistor.
こうして作製した薄膜トランジスタは、良好なＶｄ−Ｉｄ特性やＶｇ−Ｉｄ特性を示した。移動度は５×１０−４ｃｍ２／Ｖｓ程度であった。 The thin film transistor manufactured in this manner exhibited good Vd-Id characteristics and Vg-Id characteristics. The mobility was about 5 × 10 −4 cm 2 / Vs.
（比較例）
比較例について示す。基板としてポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムを用い、ゲート電極としてＡｌを３０ｎｍ蒸着、フォトリソ・エッチングによって幅１５μｍのパターンとした。さらに、無機のゲート絶縁層としてＳｉＯＮを５００ｎｍ成膜した。次に、撥インキパターンを基板上に形成せずに、反転印刷のみによってＡｇナノインクを基材に接触、転写してソース電極、ドレイン電極を形成し、１８０℃１分の乾燥を行った。このとき、ゲート電極とソース電極、ドレイン電極の間隙を合わせるのは困難であった。さらに有機半導体層としてポリチオフェンのトルエン溶液をスピンコートし、１００℃３０分の乾燥をおこない、薄膜トランジスタとした。位置ずれのために、ゲート電圧Ｖｇによる変調は確認できなかった。
(Comparative example)
A comparative example will be described. A polyethylene naphthalate (PEN) film was used as the substrate, Al was deposited as a gate electrode with a thickness of 30 nm, and a pattern with a width of 15 μm was formed by photolithography and etching. Further, a SiON film having a thickness of 500 nm was formed as an inorganic gate insulating layer. Next, without forming the ink repellent pattern on the substrate, the Ag nano ink was contacted and transferred to the base material only by reversal printing to form a source electrode and a drain electrode, and dried at 180 ° C. for 1 minute. At this time, it was difficult to adjust the gap between the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode. Further, a toluene solution of polythiophene was spin-coated as an organic semiconductor layer and dried at 100 ° C. for 30 minutes to obtain a thin film transistor. Due to the position shift, the modulation by the gate voltage Vg could not be confirmed.
１…基材
２…凸状版
３…凸部
１０…ブランケット
１１…シリンダー
１２…インキ塗布装置
１３…インキ（インキパターン）
１４…凸版
１６…ステージ
１９…撥インキパターン
２１…基板
２２…無機絶縁層
２３…ソース電極
２４…ドレイン電極
２５…有機半導体層
２６…ゲート絶縁層
２７…ゲート電極
３０…撥インキパターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material 2 ... Convex-shaped plate 3 ... Convex part 10 ... Blanket 11 ... Cylinder 12 ... Ink applicator 13 ... Ink (ink pattern)
14 ... letterpress 16 ... stage 19 ... ink repellent pattern 21 ... substrate 22 ... inorganic insulating layer 23 ... source electrode 24 ... drain electrode 25 ... organic semiconductor layer 26 ... gate insulating layer 27 ... gate electrode 30 ... ink repellent pattern
Claims (6)
ブランケット上にインキ層を設ける工程と、
凸部パターンを有する凸版をブランケットに接触させることにより、該ブランケット上のインキ層のうち凸部パターンと接触した部分のインキを除去し、該ブランケット上にインキパターンを形成する工程と、
ブランケット上のインキパターンを、非インキパターン部に撥インキパターンを備えた基材と接触させ転写し、基材上に前記インキパターンから前記撥インキパターンを差し引いたパターンを形成する工程を備えることを特徴とする印刷方法。 A printing method for forming an ink pattern on a substrate,
Providing an ink layer on the blanket;
Removing a portion of the ink layer on the blanket that is in contact with the convex pattern by contacting the relief plate having the convex pattern with the blanket, and forming an ink pattern on the blanket; and
A step of contacting and transferring the ink pattern on the blanket with a substrate having an ink repellent pattern in a non-ink pattern portion, and forming a pattern obtained by subtracting the ink repellent pattern from the ink pattern on the substrate. Characteristic printing method.
金属ナノ粒子を溶媒に分散させたインキを用いて請求項１乃至３に記載の印刷方法により、基板上に該インキからなる電極パターンを形成することを特徴とする電極パターン形成方法。 A method of forming an electrode pattern on a substrate,
An electrode pattern forming method comprising: forming an electrode pattern made of the ink on a substrate by using the printing method according to claim 1 using an ink in which metal nanoparticles are dispersed in a solvent.
該ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層が設けられた基板上にゲート絶縁層を形成する工程と、
該ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁層が設けられた基板上にゲート電極を設ける工程を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。 Forming a source electrode and a drain electrode by a printing method according to any one of claims 1 to 3 using an ink in which metal nanoparticles are dispersed on a substrate, and providing an organic semiconductor layer;
Forming a gate insulating layer on the substrate provided with the source electrode, the drain electrode, and the organic semiconductor layer;
A method for forming a thin film transistor, comprising: a step of providing a gate electrode over a substrate provided with the source electrode, the drain electrode, the organic semiconductor layer, and the gate insulating layer.
該ゲート電極が形成された基板上にゲート絶縁層を形成する工程と、
該ゲート電極、ゲート絶縁層が形成された基板上に、金属ナノ粒子を分散させたインキを用いて請求項１乃至３のいずれかに記載の印刷方法によりソース電極、ドレイン電極を形成し、且つ、有機半導体層を形成する工程を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。 Providing a gate electrode on the substrate;
Forming a gate insulating layer on the substrate on which the gate electrode is formed;
A source electrode and a drain electrode are formed on the substrate on which the gate electrode and the gate insulating layer are formed by using the printing method according to any one of claims 1 to 3, using an ink in which metal nanoparticles are dispersed, and A method for forming a thin film transistor, comprising the step of forming an organic semiconductor layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006093475A JP4853078B2 (en) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | Printing method, electrode pattern forming method, and thin film transistor forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006093475A JP4853078B2 (en) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | Printing method, electrode pattern forming method, and thin film transistor forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007268715A true JP2007268715A (en) | 2007-10-18 |
| JP4853078B2 JP4853078B2 (en) | 2012-01-11 |
Family
ID=38672033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006093475A Expired - Fee Related JP4853078B2 (en) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | Printing method, electrode pattern forming method, and thin film transistor forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4853078B2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010072154A (en) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Ricoh Co Ltd | Image display |
| JP2010082946A (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sharp Corp | Image forming method and image pattern |
| KR101146485B1 (en) * | 2008-01-15 | 2012-05-21 | 주식회사 엘지화학 | Elastic stamp |
| WO2013084676A1 (en) * | 2011-12-08 | 2013-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Organic transistor and method for manufacturing same |
| JP2015507558A (en) * | 2012-07-10 | 2015-03-12 | エルジー・ケム・リミテッド | Printed material fixing device, printing apparatus, and printing method {APPARATUSFORFIXINGPRINTDMATTTER, PRINTINGDEVICEANDPRINTINGMETHOD} |
| EP2907660A1 (en) | 2014-02-12 | 2015-08-19 | Komori Corporation | Flexible-electronic-device manufacturing apparatus |
| CN112378973A (en) * | 2020-10-21 | 2021-02-19 | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 | Production method of electronic component, preparation method of sensor and application of sensor |
| WO2022050353A1 (en) * | 2020-09-07 | 2022-03-10 | 株式会社ダイセル | Mounted structure, led display, and mounting method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1158921A (en) * | 1997-08-12 | 1999-03-02 | Mitsumura Insatsu Kk | Image forming method |
| JP2002040230A (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Color filter and method for manufacturing the same |
| JP2006066294A (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Hitachi Displays Ltd | Method of manufacturing electronic device, and ink composition for amorphous thin film formation used for this manufacture |
-
2006
- 2006-03-30 JP JP2006093475A patent/JP4853078B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1158921A (en) * | 1997-08-12 | 1999-03-02 | Mitsumura Insatsu Kk | Image forming method |
| JP2002040230A (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Color filter and method for manufacturing the same |
| JP2006066294A (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Hitachi Displays Ltd | Method of manufacturing electronic device, and ink composition for amorphous thin film formation used for this manufacture |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101146485B1 (en) * | 2008-01-15 | 2012-05-21 | 주식회사 엘지화학 | Elastic stamp |
| JP2010072154A (en) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Ricoh Co Ltd | Image display |
| JP2010082946A (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sharp Corp | Image forming method and image pattern |
| WO2013084676A1 (en) * | 2011-12-08 | 2013-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Organic transistor and method for manufacturing same |
| JP2015507558A (en) * | 2012-07-10 | 2015-03-12 | エルジー・ケム・リミテッド | Printed material fixing device, printing apparatus, and printing method {APPARATUSFORFIXINGPRINTDMATTTER, PRINTINGDEVICEANDPRINTINGMETHOD} |
| US9315015B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-04-19 | Lg Chem, Ltd. | Printed material fixing piece, printing device, and printing method |
| EP2907660A1 (en) | 2014-02-12 | 2015-08-19 | Komori Corporation | Flexible-electronic-device manufacturing apparatus |
| KR20150095199A (en) | 2014-02-12 | 2015-08-20 | 코모리 가부시키가이샤 | Apparatus for manufacturing a flexible electronic device |
| US10071392B2 (en) | 2014-02-12 | 2018-09-11 | Komori Corporation | Flexible-electronic-device manufacturing apparatus |
| WO2022050353A1 (en) * | 2020-09-07 | 2022-03-10 | 株式会社ダイセル | Mounted structure, led display, and mounting method |
| CN112378973A (en) * | 2020-10-21 | 2021-02-19 | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 | Production method of electronic component, preparation method of sensor and application of sensor |
| CN112378973B (en) * | 2020-10-21 | 2023-12-22 | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 | Production method of electronic component, preparation method of sensor and application |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4853078B2 (en) | 2012-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4853078B2 (en) | Printing method, electrode pattern forming method, and thin film transistor forming method | |
| US7913382B2 (en) | Patterned printing plates and processes for printing electrical elements | |
| US8127674B2 (en) | Stamp and fabricating method thereof, thin film transistor using the stamp, and liquid crystal display device having the thin film transistor | |
| US20100127271A1 (en) | Electronic circuit structure and method for forming same | |
| WO2002073712A1 (en) | Pattering method | |
| JP2009272523A (en) | Thin-film transistor, and method of manufacturing the same | |
| US7985694B2 (en) | Method for forming pattern, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device | |
| WO2013074617A1 (en) | Process for imprint patterning materials in thin-film devices | |
| JP4984416B2 (en) | Thin film transistor manufacturing method | |
| JP2007103947A (en) | Method for manufacturing thin film transistor and electron device | |
| JP2008207526A (en) | Printing method and printing apparatus | |
| JP2007268714A (en) | Method and equipment for printing | |
| JP2008073911A (en) | Screen printing method, screen printing machine and manufacturing method of organic thin-film transistor | |
| JP6411254B2 (en) | Pattern film forming method and apparatus using flat printing plate | |
| JP4857859B2 (en) | Printing method and thin film transistor manufacturing method | |
| WO2005098927A1 (en) | Tft sheet and method for manufacturing same | |
| JP5332145B2 (en) | Multilayer structure, electronic device, electronic device array, and display device | |
| JP5109446B2 (en) | Pattern forming method and electronic device manufacturing method | |
| JP2008053582A (en) | Method of manufacturing electronic device | |
| JP4843978B2 (en) | Method for forming thin film transistor | |
| US20100320463A1 (en) | Method of Fabricating a Semiconductor Device | |
| JP2010283240A (en) | Method of patterning thin film, device, and method of manufacturing the same | |
| JP4665545B2 (en) | Thin film transistor manufacturing method | |
| JP5458469B2 (en) | Letterpress for letterpress reversal offset printing, method for producing the same, and method for producing printed matter | |
| JP2005064409A (en) | Organic transistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110805 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110927 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111010 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141104 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4853078 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |