JP2007266372A - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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JP2007266372A
JP2007266372A JP2006090371A JP2006090371A JP2007266372A JP 2007266372 A JP2007266372 A JP 2007266372A JP 2006090371 A JP2006090371 A JP 2006090371A JP 2006090371 A JP2006090371 A JP 2006090371A JP 2007266372 A JP2007266372 A JP 2007266372A
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Japan
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substrate
nozzle
processing
disposed
liquid
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Application number
JP2006090371A
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Japanese (ja)
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Daisuke Washimi
大輔 鷲見
Hitomi Arima
ひとみ 有間
Noboru Shiida
昇 志比田
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Epson Imaging Devices Corp
Original Assignee
Epson Imaging Devices Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reducing remaining foreign matters on a substrate. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus 1 is provided with a nozzle 6 having a discharge port 6b movable between a position of supplying a processing liquid to a substrate W to be placed in a processing bath 13 and a position where the discharge port 6b escapes from the position of supplying the processing liquid. The apparatus 1 is provided with movable interrupting means 8, 14 for interrupting a spatial region where the discharge port 6b is arranged from a spatial region where the substrate W is arranged, when the nozzle 6 escapes from the position for supplying the processing liquid. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、回転する基板上に洗浄液等の処理液を供給して所定の処理を行う基板処理装
置及び基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a predetermined processing by supplying a processing liquid such as a cleaning liquid onto a rotating substrate.

従来の基板処理装置は特許文献１に開示されている。図４は、この基板処理装置の概略
構成を示す正面断面図である。基板処理装置１は筒状の上部カバー２及び下部カバー３に
より覆われる。上部カバー２の上面中央部には開口された気体導入部２ａが設けられ、送
風機等の気流発生手段（不図示）によって清浄空気が下方に向けて供給される。 A conventional substrate processing apparatus is disclosed in Patent Document 1. FIG. 4 is a front sectional view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus 1 is covered with a cylindrical upper cover 2 and a lower cover 3. An open gas introduction part 2a is provided at the center of the upper surface of the upper cover 2, and clean air is supplied downward by an air flow generating means (not shown) such as a blower.

下部カバー３内には、上端部（周縁）がステージ４の外周（外縁）と所定の間隙（隙間
）５ａが保たれた筒状の内カップ５が配される。内カップ５の内側にはスピンドル４ａで
支持されるステージ４が中央に配される。ステージ４上には複数のガイドピン４ｂが突設
され、液晶パネル等に用いられる基板Ｗが位置決めしてステージ４上に載置される。また
、上部カバー２の周面にはノズル６、７を収納する収納部２ｂ、２ｃが設けられる。ノズ
ル６、７は基板Ｗの上方に移動し、吐出口６ｂ、７ｂから洗浄液等の処理液を基板Ｗ上に
吐出する。 In the lower cover 3, a cylindrical inner cup 5 whose upper end (periphery) is maintained at a predetermined gap (gap) 5 a from the outer periphery (outer edge) of the stage 4 is disposed. Inside the inner cup 5, a stage 4 supported by a spindle 4a is arranged in the center. A plurality of guide pins 4 b are projected on the stage 4, and a substrate W used for a liquid crystal panel or the like is positioned and placed on the stage 4. Further, storage portions 2 b and 2 c for storing the nozzles 6 and 7 are provided on the peripheral surface of the upper cover 2. The nozzles 6 and 7 move above the substrate W and discharge a processing liquid such as a cleaning liquid onto the substrate W from the discharge ports 6b and 7b.

上記構成の基板処理装置１において、ステージ４上に基板Ｗが載置されると、スピンド
ル４ａによって基板Ｗとともにステージ４が回転する。基板Ｗの中央部にはノズル６から
洗浄液（フッ酸等）や現像液等の薬液から成る処理液が供給され、該処理液は基板Ｗ上を
ステージ４の径方向に拡散して飛散する。上端部（周縁）とステージ４とは所定の間隙（
隙間）５ａが保たれて接近して配置され、基板Ｗから拡散して飛散した処理液は内カップ
５と下部カバー３との間に導かれて廃棄される。これにより、基板Ｗの洗浄や現像等の基
板処理が行われる。 In the substrate processing apparatus 1 configured as described above, when the substrate W is placed on the stage 4, the stage 4 is rotated together with the substrate W by the spindle 4a. A processing liquid composed of a cleaning liquid (hydrofluoric acid or the like) or a chemical liquid such as a developer is supplied from the nozzle 6 to the central portion of the substrate W, and the processing liquid diffuses and scatters on the substrate W in the radial direction of the stage 4. The upper end (periphery) and the stage 4 have a predetermined gap (
The processing liquid that is disposed close to the gap 5a and is diffused and scattered from the substrate W is guided between the inner cup 5 and the lower cover 3 and discarded. Thereby, substrate processing such as cleaning and development of the substrate W is performed.

この時、開口された気体導入部２ａから供給される清浄空気によって矢印Ａに示すよう
に上方から基板Ｗに向かう気流が発生する。該気流は基板Ｗ及びステージ４の周部に衝突
し、矢印Ｂに示すように基板Ｗ上及びステージ４上を外側に向かって流れる。これにより
、処理液の飛散が促進される。 At this time, as indicated by an arrow A, an air flow directed from above to the substrate W is generated by the clean air supplied from the opened gas introduction part 2a. The air current collides with the substrate W and the periphery of the stage 4 and flows outward on the substrate W and the stage 4 as indicated by an arrow B. Thereby, scattering of the processing liquid is promoted.

薬液から成る処理液の処理が終了すると、純水から成る処理液がノズル７から基板Ｗ上
に供給される。この時、内カップ５がステージ４より高い位置に上昇する。そして、上記
と同様に純水が基板Ｗ上をステージ４の径方向に拡散して飛散する。また、清浄空気の気
流が上方から基板Ｗに向かって発生し、純水の拡散及び飛散を促進する。基板Ｗ中央部か
らから拡散して飛散した純水は矢印Ｃに示すように、内カップ５の内側に導かれて廃棄さ
れる。これにより、基板Ｗが純水洗浄され、薬液が除去される。 When the processing of the processing liquid consisting of the chemical liquid is completed, the processing liquid consisting of pure water is supplied onto the substrate W from the nozzle 7. At this time, the inner cup 5 rises to a position higher than the stage 4. Then, as described above, pure water diffuses and scatters on the substrate W in the radial direction of the stage 4. In addition, an air flow of clean air is generated from above toward the substrate W to promote the diffusion and scattering of pure water. The pure water diffused and scattered from the central portion of the substrate W is guided to the inside of the inner cup 5 and discarded as shown by an arrow C. Thereby, the substrate W is cleaned with pure water, and the chemical solution is removed.

純水洗浄が終了すると、上部カバー２の開口された気体導入部２ａから基板中央に向け
て例えば窒素をブローしながらスピンドル４ａが高速回転する。これにより、基板Ｗ上に
残留する純水が拡散した後、基板Ｗ外に飛散して基板Ｗの乾燥が行われる。
特開２００１−１６０５３２号公報（第３頁−第８頁、第４図） When the pure water cleaning is completed, the spindle 4a rotates at high speed while blowing, for example, nitrogen from the gas introduction part 2a opened in the upper cover 2 toward the center of the substrate. Thereby, after the pure water remaining on the substrate W is diffused, it is scattered outside the substrate W and the substrate W is dried.
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-160532 (page 3 to page 8, FIG. 4)

しかしながら、上記従来の基板処理装置１によると、上部カバー２の開口された気体導
入部２ａから供給される清浄空気の気流は基板Ｗ及びステージ４の上面に衝突し、一部の
気流が矢印Ｄ、Ｅに示すように舞い上がる。ノズル６の吐出口６ｂにはフッ酸等の薬液か
ら成る処理液が残留し、該処理液が気化すると上部カバー２内に充満する。そして、気化
した処理液がミスト状の純水に取り込まれて基板Ｗ上に付着して乾燥する。その結果、フ
ッ素系結晶物等の異物が基板Ｗ上に残留して基板処理の歩留りを低下させる問題があった
。 However, according to the conventional substrate processing apparatus 1, the clean air stream supplied from the gas introduction part 2 a opened in the upper cover 2 collides with the substrate W and the upper surface of the stage 4, and a part of the air stream is arrow D. , Soar as shown in E. A treatment liquid made of a chemical solution such as hydrofluoric acid remains in the discharge port 6b of the nozzle 6, and fills the upper cover 2 when the treatment liquid is vaporized. Then, the vaporized processing liquid is taken into the mist-like pure water, adheres onto the substrate W, and is dried. As a result, there is a problem that foreign matters such as fluorine crystals remain on the substrate W to reduce the yield of substrate processing.

本発明は、基板上の異物残留を低減できる基板処理装置及び基板処理方法を提供するこ
とを目的とする。 An object of this invention is to provide the substrate processing apparatus and substrate processing method which can reduce the foreign material residue on a board | substrate.

上記目的を達成するために本発明の基板処理装置は、処理槽内に配置された基板上に該
基板の上方から処理液を供給する位置と、該処理液を供給する位置から退避した位置と、
の間を移動可能に設けられた吐出口を有するノズルを備えた基板処理装置において、
前記ノズルが前記処理液を供給する位置から退避したときに、前記吐出口が配置される
空間領域と前記基板が配置される空間領域とを遮断する可動な遮断手段が設けられている
ことを特徴としている。 In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus of the present invention includes a position for supplying a processing liquid from above a substrate disposed in a processing tank, and a position retracted from the position for supplying the processing liquid. ,
In a substrate processing apparatus provided with a nozzle having a discharge port movably provided between,
When the nozzle is retracted from the position for supplying the processing liquid, there is provided a movable blocking means for blocking a space region where the discharge port is disposed and a space region where the substrate is disposed. It is said.

この構成によると、処理槽内に設置された基板が回転し、ノズルが基板の上方から処理
液を供給する位置に配置されてノズルの吐出口から処理液が基板上に供給さる。処理液は
基板の回転により径方向に飛散し、基板処理が行われる。基板処理が終了するとノズルが
処理液を供給する位置から退避し、吐出口が配置される空間領域と基板が配置される空間
領域との間が遮断手段により遮断される。これにより、処理槽内の基板が配置される空間
領域と吐出口が配置される空間領域とが隔離される。遮断手段はノズル全体を隔離するシ
ャッター状でもよく、吐出口を含むノズル先端を挿入する箱状でもよい。 According to this configuration, the substrate installed in the processing tank rotates, the nozzle is disposed at a position where the processing liquid is supplied from above the substrate, and the processing liquid is supplied onto the substrate from the nozzle outlet. The processing liquid is scattered in the radial direction by the rotation of the substrate, and the substrate processing is performed. When the substrate processing is completed, the nozzle is retracted from the position where the processing liquid is supplied, and the space region where the discharge port is disposed and the space region where the substrate is disposed are blocked by the blocking means. Thereby, the space area | region where the board | substrate in a processing tank is arrange | positioned, and the space area | region where a discharge outlet are arrange | positioned are isolated. The blocking means may be in the form of a shutter that isolates the entire nozzle, or in the shape of a box in which the nozzle tip including the discharge port is inserted.

また本発明は、上記構成の基板処理装置において、前記遮断手段による遮断時に前記吐
出口が配置された空間領域の排気を行う排気手段を設けたことを特徴としている。この構
成によると、ノズルが処理液を供給する位置から退避して吐出口が配置される空間領域と
基板が配置される空間領域との間を遮断手段により遮断した際に、排気手段によって吐出
口を含む空間領域から排気される。これにより、吐出口に残留して気化した処理液が排気
される。 According to the present invention, in the substrate processing apparatus having the above-described configuration, an exhaust unit that exhausts a space region in which the discharge port is disposed at the time of blocking by the blocking unit is provided. According to this structure, when the nozzle is retracted from the position where the processing liquid is supplied and the space area where the discharge port is arranged and the space area where the substrate is arranged are blocked by the blocking means, the discharge means discharges the discharge port. It exhausts from the space area | region containing. As a result, the vaporized treatment liquid remaining in the discharge port is exhausted.

また本発明は、上記構成の基板処理装置において、前記処理液を供給する位置から退避
した前記ノズルを収納する空間領域を収納部として備えており、前記遮断手段は前記ノズ
ルを収納する前記収納部と前記基板が配置される空間領域とを遮断することを特徴として
いる。この構成によると、遮断手段によって収納部に収納したノズルと基板との間がシャ
ッター等により遮断される。収納部は処理槽の内部に設けてもよい。 According to the present invention, in the substrate processing apparatus having the above-described configuration, a space region for storing the nozzle retracted from a position where the processing liquid is supplied is provided as a storage unit, and the blocking unit stores the nozzle. And a space region in which the substrate is disposed. According to this configuration, the nozzle and the substrate stored in the storage unit are blocked by the shutter or the like by the blocking unit. The storage unit may be provided inside the processing tank.

また本発明は、前記処理槽は、前記基板及び該基板の上方を取り囲む側壁を有して構成
されており、前記ノズルを収納する前記収納部は、前記処理槽の前記側壁の壁面から外側
に突出して設けられた空間領域であり、前記遮断手段による遮断によって、前記収納部は
前記処理槽内において遮蔽されていることを特徴としている。 According to the present invention, the processing tank has a side wall that surrounds the substrate and the substrate, and the storage portion that stores the nozzle is disposed outward from the wall surface of the side wall of the processing tank. It is a projecting space area, and the storage portion is shielded in the processing tank by being blocked by the blocking means.

また本発明は、処理槽内に配置された基板上に該基板の上方から吐出口を有したノズル
によって処理液を供給する基板処理方法において、前記処理液を前記基板上に供給する位
置に前記ノズルを移動させて前記基板の上方から前記処理液を滴下し、前記基板を回転さ
せて滴下された前記処理液を基板上で拡散させ、前記ノズルを前記基板の上方から移動し
て退避させた後に、前記吐出口が配置される空間領域と前記基板が配置される空間領域と
を遮断することを特徴としている。 Further, the present invention provides a substrate processing method for supplying a processing liquid onto a substrate disposed in a processing tank from above the substrate by a nozzle having a discharge port, and at the position where the processing liquid is supplied onto the substrate. The treatment liquid was dropped from above the substrate by moving a nozzle, the dropped treatment liquid was diffused on the substrate by rotating the substrate, and the nozzle was moved from above the substrate to be retracted. After that, the space area where the discharge port is arranged and the space area where the substrate is arranged are cut off.

この構成によると、処理槽内に設置された基板が回転し、ノズルの吐出口から処理液が
基板上に供給さる。処理液は基板の回転により径方向に飛散し、薬液による所望の基板処
理が行われる。 According to this configuration, the substrate installed in the processing tank rotates, and the processing liquid is supplied onto the substrate from the discharge port of the nozzle. The treatment liquid is scattered in the radial direction by the rotation of the substrate, and a desired substrate treatment with the chemical solution is performed.

また本発明は上記構成の基板処理方法において、回転する前記基板上に他のノズルによ
って純水を供給することを特徴としている。この構成によると、処理液による基板処理が
終了すると、処理液を吐出するノズルが退避し、他のノズルが基板上に配されて純水が基
板上に供給される。これにより、基板上の処理液が洗い流される。 According to the present invention, in the substrate processing method having the above-described configuration, pure water is supplied onto the rotating substrate by another nozzle. According to this configuration, when the substrate processing with the processing liquid is completed, the nozzle that discharges the processing liquid is retracted, and the other nozzles are arranged on the substrate and pure water is supplied onto the substrate. Thereby, the processing liquid on the substrate is washed away.

また本発明は上記構成の基板処理方法において、前記処理液がフッ酸から成ることを特
徴としている。 According to the present invention, in the substrate processing method configured as described above, the processing liquid is made of hydrofluoric acid.

本発明によると、ノズルが処理液を供給する位置から退避した際にノズルの吐出口が配
置される空間領域と基板が配置される空間領域とを遮断する遮断手段を設けたので、吐出
口に残留した処理液が気化して基板の配される空間内へ侵入することを防止できる。従っ
て、気化した処理液がミスト状の純水等に取り込まれて基板上に付着することによる基板
上の異物残留を低減することができる。 According to the present invention, when the nozzle is retracted from the position where the processing liquid is supplied, the blocking means for blocking the space region where the nozzle discharge port is disposed and the space region where the substrate is disposed is provided. It is possible to prevent the remaining processing liquid from evaporating and entering the space where the substrate is arranged. Accordingly, it is possible to reduce foreign matter residue on the substrate due to the vaporized processing liquid being taken into mist-like pure water or the like and adhering to the substrate.

また本発明によると、遮断手段による遮断時に吐出口が配置された空間領域の排気を行
う排気手段を設けたので、吐出口に残留して気化した処理液を排気し、基板上の異物残留
をより確実に低減することができる。 Further, according to the present invention, the exhaust means for exhausting the space region where the discharge port is arranged when shut off by the shut-off means is provided. It can reduce more reliably.

また本発明によると、処理液を供給する位置から退避したノズルを収納する空間領域を
収納部として備え、遮断手段はノズルを収納する収納部と基板が配置される空間領域とを
遮断するので、遮断手段をシャッター等により簡単に実現することができる。 Further, according to the present invention, a space region for storing the nozzle retracted from the position where the processing liquid is supplied is provided as a storage portion, and the blocking means blocks the storage portion for storing the nozzle and the space region in which the substrate is disposed. The blocking means can be easily realized by a shutter or the like.

また本発明によると、収納部は処理槽の側壁の壁面から外側に突出して設けられた空間
領域であり、遮断手段による遮断によって収納部は処理槽内において遮蔽されているので
、遮断手段により収納部を覆い、処理槽内の気流の乱れを抑制することができる。 Further, according to the present invention, the storage portion is a space region that protrudes outward from the wall surface of the side wall of the processing tank, and the storage portion is shielded in the processing tank by being blocked by the blocking means. The turbulence of the airflow in the treatment tank can be suppressed.

また本発明によると、回転する基板上に他のノズルによって純水を供給するので、気化
した処理液がミスト状の純水に取り込まれ、基板に付着して乾燥することによる基板上の
異物付着を低減することができる。 Further, according to the present invention, pure water is supplied onto the rotating substrate by another nozzle, so that the vaporized processing liquid is taken into the mist-like pure water, adheres to the substrate, and dries to adhere to the substrate. Can be reduced.

また本発明によると、処理液がフッ酸から成るのでフッ素系結晶物から成る異物の付着
を低減することができる。 Further, according to the present invention, since the treatment liquid is made of hydrofluoric acid, it is possible to reduce the adhesion of foreign substances made of fluorine-based crystals.

以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１、図２は一実施形態の基板処
理装置を示す正面断面図及び上面図である。説明の便宜上、前述の図４に示す従来例と同
様の部分は同一の符号を付している。基板処理装置１は一体的に構成された筒状の上部カ
バー２及び下部カバー３から成る処理槽１３により覆われる。従って、処理槽に配置され
る基板、及び基板の上方は、側壁を有した上部及び下部のカバーによって取り囲まれてい
る。上部カバー２の上面中央部には開口された気体導入部２ａが設けられ、送風機等の気
流発生手段（不図示）によって清浄空気が下方に向けて供給される。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 are a front sectional view and a top view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment. For convenience of explanation, the same parts as those of the conventional example shown in FIG. The substrate processing apparatus 1 is covered with a processing tank 13 including a cylindrical upper cover 2 and a lower cover 3 which are integrally formed. Accordingly, the substrate disposed in the processing tank and the upper portion of the substrate are surrounded by upper and lower covers having side walls. An open gas introduction part 2a is provided at the center of the upper surface of the upper cover 2, and clean air is supplied downward by an air flow generating means (not shown) such as a blower.

下部カバー３内には、上端部（周縁）においてステージ４の外周（外縁）と間隙（隙間
）５ａを有した筒状の内カップ５が配される。内カップ５の内側にはスピンドル４ａで支
持されるステージ４が中央に配される。ステージ４上には複数のガイドピン４ｂが突設さ
れ、液晶パネル等に用いられる基板Ｗが位置決めしてステージ４上に載置される。 In the lower cover 3, a cylindrical inner cup 5 having an outer periphery (outer edge) of the stage 4 and a gap (gap) 5a at the upper end (periphery) is disposed. Inside the inner cup 5, a stage 4 supported by a spindle 4a is arranged in the center. A plurality of guide pins 4 b are projected on the stage 4, and a substrate W used for a liquid crystal panel or the like is positioned and placed on the stage 4.

ステージ４は円板状に形成されたステンレス等から成り、略扇形の複数の開口部４ｃを
有している。ステンレスはフッ酸等の薬液による腐食を防ぐためコーティングが施され被
覆されている。開口部４ｃはステージ４の周部まで形成され、ステージ４の中央に配され
た矩形の基板Ｗの外側に露出するようになっている。つまり、基板Ｗを回転させた回転平
面（基板Ｗの対角を結んだ長さが略直径となる円）内において、基板Ｗと重ならないステ
ージ４の部分に開口部４ｃが設けられている。 The stage 4 is made of stainless steel or the like formed in a disk shape, and has a plurality of substantially fan-shaped openings 4c. Stainless steel is coated and coated to prevent corrosion caused by chemicals such as hydrofluoric acid. The opening 4 c is formed up to the periphery of the stage 4 and is exposed to the outside of the rectangular substrate W disposed in the center of the stage 4. That is, the opening 4c is provided in a portion of the stage 4 that does not overlap the substrate W in a rotation plane (a circle having a substantially diameter connecting the diagonals of the substrate W) in which the substrate W is rotated.

上部カバー２の側壁である周面（側面）には、上部カバー２内と連通して側方に突出し
て割り当てられた収納部２ｂ、２ｃが処理槽内で互いに対向して設けられる。収納部２ｂ
、２ｃの空間領域は上部カバー２の周面（側面）から外側に突出して設けられ、ノズル６
、７が収納される。ノズル６、７はアーム（図示せず）の先端に備えられるとともに、ア
ームが結合・固定された回動軸６ａ、７ａの回動によって先端に吐出口６ｂを備えたノズ
ル６、７は基板Ｗ上方に移動配置されて、先端の吐出口６ｂ、７ｂから択一的に基板Ｗの
中央部に洗浄液、現像液、純水等の処理液を吐出・滴下により供給する。本実施形態では
、ノズル６は処理液の経路が耐薬品性を有しており、フッ酸等の薬液を供給することがで
きる。また、ノズル７は純水を供給できるようになっている。 On the peripheral surface (side surface) which is a side wall of the upper cover 2, storage portions 2b and 2c which are communicated with the inside of the upper cover 2 and are assigned to protrude laterally are provided facing each other in the processing tank. Storage part 2b
The space region 2c is provided so as to protrude outward from the peripheral surface (side surface) of the upper cover 2, and the nozzle 6
, 7 are stored. The nozzles 6 and 7 are provided at the tip of an arm (not shown), and the nozzles 6 and 7 having a discharge port 6b at the tip by the rotation of the rotation shafts 6a and 7a to which the arms are coupled and fixed are provided on the substrate W. A processing solution such as a cleaning solution, a developing solution, or pure water is supplied to the central portion of the substrate W alternatively by discharging and dropping from the discharge ports 6b and 7b at the front end. In this embodiment, the nozzle 6 has chemical resistance in the treatment liquid path, and can supply chemical liquid such as hydrofluoric acid. The nozzle 7 can supply pure water.

また、薬液を供給するノズル６が納められた収納部２ｂには、上部カバー２内でステー
ジ４（基板Ｗ）上方の空間領域と収納部２ｂとを遮断するシャッター状の遮蔽板８（遮断
手段）が設けられている。遮蔽板８が可動（上昇）するとノズル６を基板Ｗ上に移動する
ことができ、遮蔽板８が下降すると処理槽内部で収納部２ｂとステージ４上方（基板Ｗ上
方）の空間領域とが隔離され、ノズル６の吐出口６ｂが処理槽内において遮蔽される。つ
まり、収納部２ｂは、基板Ｗが配置される空間領域（ステージ４、基板Ｗ上方の空間領域
）から遮断される。これにより、ノズル６を収納した際に収納部２ｂ内において吐出口６
ｂに残留して気化した薬液が上部カバー２内の基板Ｗが配されるステージ４上方の空間領
域に侵入することを防止できる。 Further, in the storage portion 2b in which the nozzle 6 for supplying the chemical solution is stored, a shutter-like shielding plate 8 (blocking means) that blocks the space area above the stage 4 (substrate W) and the storage portion 2b in the upper cover 2. ) Is provided. When the shielding plate 8 is movable (raised), the nozzle 6 can be moved onto the substrate W, and when the shielding plate 8 is lowered, the storage portion 2b is separated from the space area above the stage 4 (above the substrate W) inside the processing tank. Then, the discharge port 6b of the nozzle 6 is shielded in the processing tank. That is, the storage portion 2b is cut off from the space area where the substrate W is disposed (the space area above the stage 4 and the substrate W). Thereby, when the nozzle 6 is stored, the discharge port 6 is formed in the storage portion 2b.
It is possible to prevent the chemical solution remaining in b and vaporized from entering the space region above the stage 4 on which the substrate W in the upper cover 2 is disposed.

収納部２ｂには排気経路９が連結され、排気経路９には排気ファン（不図示）が設けら
れる。排気ファン及び排気経路９により収納部２ｂ内の排気を行う排気手段が構成される
。遮蔽板８を閉じた際に排気ファンを駆動すると、吐出口６ｂに残留して気化した収納部
２ｂ内の薬液が排気経路９を介して排気される。従って、気化した薬液が上部カバー２内
の基板Ｗが空間へ侵入することをより確実に防止できる。 An exhaust path 9 is connected to the storage portion 2b, and an exhaust fan (not shown) is provided in the exhaust path 9. The exhaust fan and the exhaust path 9 constitute exhaust means for exhausting the storage portion 2b. When the exhaust fan is driven when the shielding plate 8 is closed, the chemical solution remaining in the discharge port 6b and vaporized is exhausted through the exhaust path 9. Therefore, it is possible to more reliably prevent the vaporized chemical liquid from entering the space of the substrate W in the upper cover 2.

内カップ２の内側の下方（ステージ４の下方）には配管１０が設けられる。配管１０は
排気管１０ａ、第１廃液管１０ｂ及び第２廃液管１０ｃに分岐する。排気管１０ａは水平
に延びて形成され、気流発生手段によって基板処理装置１内に供給される気体を排気する
。第１、第２廃液管１０ｂ、１０ｃは排気管１０ａから下方に延びた配管１０が更に左右
に分岐して形成され、それぞれバルブ１１、１２が設けられる。 A pipe 10 is provided below the inner cup 2 (below the stage 4). The pipe 10 branches into an exhaust pipe 10a, a first waste liquid pipe 10b, and a second waste liquid pipe 10c. The exhaust pipe 10a is formed to extend horizontally, and exhausts the gas supplied into the substrate processing apparatus 1 by the airflow generating means. The first and second waste liquid pipes 10b and 10c are formed by further branching a pipe 10 extending downward from the exhaust pipe 10a to the left and right, and provided with valves 11 and 12, respectively.

ノズル６から基板Ｗ上に処理液が供給される場合はバルブ１１が開いてバルブ１２が閉
じられる。これにより、処理液が第１廃液管１０ｂを介して廃棄される。ノズル７から基
板Ｗ上に処理液が供給される場合はバルブ１２が開いてバルブ１１が閉じられる。これに
より、処理液が第２廃液管１０ｃを介して廃棄される。従って、バルブ１１、１２は廃液
経路を第１廃液管１０ｂと第２廃液管１０ｃとに切り替える切替手段を構成する。 When the processing liquid is supplied from the nozzle 6 onto the substrate W, the valve 11 is opened and the valve 12 is closed. Thereby, the processing liquid is discarded through the first waste liquid pipe 10b. When the processing liquid is supplied from the nozzle 7 onto the substrate W, the valve 12 is opened and the valve 11 is closed. Thereby, the processing liquid is discarded through the second waste liquid pipe 10c. Therefore, the valves 11 and 12 constitute switching means for switching the waste liquid path between the first waste liquid pipe 10b and the second waste liquid pipe 10c.

上記構成の基板処理装置１において、ステージ４上に基板Ｗが載置されると、スピンド
ル４ａにより基板Ｗとともにステージ４が回転する。また、バルブ１１が開かれてバルブ
１２が閉じられる。遮蔽板８を開いてノズル６が収納部２ｂ内から基板Ｗ上に回動し、基
板Ｗの中央部に洗浄液（フッ酸等）や現像液等の薬液から成る処理液が吐出滴下されて供
給される。該処理液は基板Ｗの回転に伴い基板Ｗ上をステージ４の径方向に拡散されてス
テージ４の外方に向けて飛散する。 In the substrate processing apparatus 1 configured as described above, when the substrate W is placed on the stage 4, the stage 4 is rotated together with the substrate W by the spindle 4a. Further, the valve 11 is opened and the valve 12 is closed. The shielding plate 8 is opened and the nozzle 6 is rotated on the substrate W from the inside of the storage portion 2b, and a processing liquid composed of a chemical liquid such as a cleaning liquid (hydrofluoric acid) or a developer is discharged and supplied to the center of the substrate W. Is done. As the substrate W rotates, the processing liquid is diffused on the substrate W in the radial direction of the stage 4 and scattered toward the outside of the stage 4.

この時、開口された気体導入部２ａから供給される清浄空気によって矢印Ａに示すよう
に上方から基板Ｗに向かう気流が発生する。該気流は基板Ｗに衝突し、矢印Ｂに示すよう
に基板Ｗ上を外側に向かって流れる。これにより、処理液の飛散が促進される。また、上
方から基板Ｗの外側に到達した清浄空気はステージ４の開口部４ｃを介して矢印Ｆに示す
ように下方に流通する。この気流により、矢印Ｂに示すように基板Ｗ上を外側に向かって
流れる気流も基板Ｗの外側から下方に導かれる。 At this time, as indicated by an arrow A, an air flow directed from above to the substrate W is generated by the clean air supplied from the opened gas introduction part 2a. The air current collides with the substrate W and flows outward on the substrate W as indicated by an arrow B. Thereby, scattering of the processing liquid is promoted. Further, the clean air that has reached the outside of the substrate W from above flows downward as indicated by an arrow F through the opening 4 c of the stage 4. Due to this air flow, an air flow that flows outward on the substrate W as shown by an arrow B is also guided downward from the outside of the substrate W.

このため、前述の図４に示すような気流の舞い上がりが防止される。内カップ５内の下
部に到達した気流及び処理液は配管１０から流出する。そして、排気管１０ｃを介して清
浄空気が排気され、第１廃液管１０ｂを介して処理液が廃棄される。これにより、基板Ｗ
の洗浄や現像等の基板処理が行われる。 For this reason, the rising of the air current as shown in FIG. 4 is prevented. The airflow and processing liquid that has reached the lower part of the inner cup 5 flows out of the pipe 10. Then, the clean air is exhausted through the exhaust pipe 10c, and the processing liquid is discarded through the first waste liquid pipe 10b. Thereby, the substrate W
Substrate processing such as cleaning and development is performed.

薬液から成る処理液による基板処理が終了すると、ノズル６は回動して収納部２ｂ内に
収納され、遮蔽板８を閉じて収納部２ｂの排気が行われる。また、バルブ１１が閉じられ
てバルブ１２が開かれる。ノズル７は収納部２ｃ内から基板Ｗ上に回動し、基板Ｗの中央
部に純水から成る処理液が供給される。 When the substrate processing with the processing liquid composed of the chemical solution is completed, the nozzle 6 is rotated and stored in the storage portion 2b, the shielding plate 8 is closed, and the storage portion 2b is exhausted. Further, the valve 11 is closed and the valve 12 is opened. The nozzle 7 is rotated on the substrate W from the storage portion 2c, and a processing liquid made of pure water is supplied to the central portion of the substrate W.

そして、上記と同様に純水が基板Ｗ上をステージ４の径方向に飛散する。この時、開口
された気体導入部２ａから供給される清浄空気によって矢印Ａに示すように上方から基板
Ｗに向かう気流が発生する。該気流は基板Ｗに衝突し、矢印Ｂに示すように基板Ｗ上を外
側に向かって流れる。これにより、処理液の飛散が促進される。 Then, as described above, pure water scatters on the substrate W in the radial direction of the stage 4. At this time, as indicated by an arrow A, an air flow directed from above to the substrate W is generated by the clean air supplied from the opened gas introduction part 2a. The air current collides with the substrate W and flows outward on the substrate W as indicated by an arrow B. Thereby, scattering of the processing liquid is promoted.

また、上方から基板Ｗの外側に到達した清浄空気はステージ４の開口部４ｃを介して矢
印Ｆに示すように下方に流通する。この気流により、矢印Ｂに示すように基板Ｗ上を外側
に向かって流れる気流も基板Ｗの外側から下方に導かれる。 Further, the clean air that has reached the outside of the substrate W from above flows downward as indicated by an arrow F through the opening 4 c of the stage 4. Due to this air flow, an air flow that flows outward on the substrate W as shown by an arrow B is also guided downward from the outside of the substrate W.

内カップ５内の下部に到達した気流及び処理液は配管１０から流出する。そして、排気
管１０ｃを介して清浄空気が排気され、第２廃液管１０ｃを介して純水が廃棄される。こ
れにより、基板Ｗの純水洗浄が行われる。 The airflow and processing liquid that has reached the lower part of the inner cup 5 flows out of the pipe 10. Then, clean air is exhausted through the exhaust pipe 10c, and pure water is discarded through the second waste liquid pipe 10c. Thereby, the pure water cleaning of the substrate W is performed.

純水洗浄が終了すると、上部カバー２の開口された気体導入部２ａから清浄空気を供給
しながらスピンドル４ａが高速回転する。これにより、基板Ｗ上に残留する純水が飛散し
て基板Ｗの乾燥が行われる。飛散した純水は第２廃液管１０ｃを介して廃棄される。 When the pure water cleaning is completed, the spindle 4a rotates at a high speed while supplying clean air from the gas introduction part 2a opened in the upper cover 2. Thereby, the pure water remaining on the substrate W is scattered and the substrate W is dried. The scattered pure water is discarded through the second waste liquid pipe 10c.

本実施形態によると、ノズル６が基板Ｗ上から退避した際にノズル６の吐出口６ｂが配
置される空間領域と基板Ｗが配置される空間領域との間を遮断する遮蔽板８（遮断手段）
を設けたので、吐出口６ｂに残留した薬液が気化して基板Ｗの配される空間内へ侵入する
ことを防止できる。従って、気化した薬液がミスト状の純水に取り込まれて基板Ｗ上に付
着して乾燥することによる基板Ｗ上のフッ素系結晶等の異物残留を低減することができる
。 According to the present embodiment, when the nozzle 6 is retracted from the substrate W, the shielding plate 8 (blocking means) that blocks between the space region where the discharge port 6b of the nozzle 6 is disposed and the space region where the substrate W is disposed. )
Therefore, it is possible to prevent the chemical liquid remaining in the discharge port 6b from being vaporized and entering the space where the substrate W is disposed. Accordingly, foreign substances such as fluorine crystals on the substrate W due to the vaporized chemical liquid being taken into the mist-like pure water, adhered onto the substrate W and dried can be reduced.

本実施形態において、収納部２ｂ、２ｃを上部カバー２の側壁である周面（側面）から
外方に突出させずに内部に設けてもよく、その場合は、上部カバー２の側壁である周面（
側面）側に配置された状態のノズル６を開閉可能な遮蔽板８（遮断手段）で遮蔽すること
で、上部カバー２内でステージ４（基板Ｗ）上方の空間領域と、周面（側面）のノズル６
が配置された空間領域とが遮断される。 In the present embodiment, the storage portions 2b and 2c may be provided inside without protruding outward from the peripheral surface (side surface) which is the side wall of the upper cover 2, and in this case, the peripheral portion which is the side wall of the upper cover 2 is provided. surface(
The nozzle 6 in a state of being placed on the side surface side is shielded by a shielding plate 8 (blocking means) that can be opened and closed, so that the space area above the stage 4 (substrate W) in the upper cover 2 and the peripheral surface (side surface) Nozzle 6
Is isolated from the space area in which is placed.

しかし、収納部２ｂを上カバー２の周面から外側に突設して設けることで、上部カバー
２内でステージ４（基板Ｗ）上方の空間領域と重なることなく分離してノズル６を格納す
る空間領域の収納部が確保されるので、収納部２ｂを上カバー２の周面から外側に突設す
ることがより望ましい。即ち、処理槽１３内の突出部分が減少するとともに、遮蔽板８に
より収納部２ｂを覆って収納部２ｂへの気流の侵入を低減できる。これにより、処理槽１
３内の気流の乱れを抑制することができる。このため、純水供給用のノズル７を収納する
収納部２ｃにも同様の遮蔽板８を設けるとより望ましい。 However, by providing the storage portion 2b so as to protrude outward from the peripheral surface of the upper cover 2, the nozzle 6 is stored separately in the upper cover 2 without overlapping the space region above the stage 4 (substrate W). Since the storage portion in the space area is secured, it is more desirable to project the storage portion 2b outward from the peripheral surface of the upper cover 2. That is, the protruding portion in the processing tank 13 is reduced, and the intrusion of airflow into the storage portion 2b can be reduced by covering the storage portion 2b with the shielding plate 8. Thereby, processing tank 1
The turbulence of the airflow in 3 can be suppressed. For this reason, it is more desirable to provide the same shielding plate 8 also in the storage part 2c that stores the nozzle 7 for supplying pure water.

次に、第２実施形態について説明する。本実施形態は前述の図１、図２に示す第１実施
形態と同様に構成され、遮蔽板８に替えて図３に示す収納容器１４が設けられる。その他
の部分は第１実施形態と同様である。 Next, a second embodiment will be described. This embodiment is configured similarly to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 described above, and a storage container 14 shown in FIG. 3 is provided in place of the shielding plate 8. Other parts are the same as those in the first embodiment.

収納容器１４は吐出口６ｂを含むノズル６の先端部が挿入可能な孔部１４ａを有した箱
状に形成され、収納部２ｂ内に設けられる。収納部２ｂを設けずに上部カバー２内に収納
容器１４を設置してもよい。つまり、ノズル６の吐出口６ｂの部分がその他の上部カバー
２内の空間領域と隔離されるものであればよい。 The storage container 14 is formed in a box shape having a hole portion 14a into which the tip of the nozzle 6 including the discharge port 6b can be inserted, and is provided in the storage portion 2b. The storage container 14 may be installed in the upper cover 2 without providing the storage portion 2b. That is, it is only necessary that the discharge port 6 b of the nozzle 6 is isolated from the other space areas in the upper cover 2.

収納容器１４に先端部が挿入されたノズル６は収納容器１４から上方に移動して基板Ｗ
上まで回動する。そして、ノズル６の吐出口６ｂから基板Ｗ上に薬液を吐出して基板処理
が行われる。薬液による基板処理が終了すると、ノズル６が基板Ｗ上から退避してノズル
６の先端部が収納容器１４の孔部１４ａに挿入される。これにより、ノズル６の吐出口６
ｂが配される空間と基板Ｗが配される空間との間が遮断され、吐出口６ｂに残留して気化
した薬液が上部カバー２内の基板Ｗが配される空間に侵入することを防止できる。 The nozzle 6 having the tip inserted into the storage container 14 moves upward from the storage container 14 and moves to the substrate W.
Rotate up. And a chemical | medical solution is discharged on the board | substrate W from the discharge outlet 6b of the nozzle 6, and a board | substrate process is performed. When the substrate processing with the chemical solution is completed, the nozzle 6 is retracted from the substrate W, and the tip of the nozzle 6 is inserted into the hole 14 a of the storage container 14. Accordingly, the discharge port 6 of the nozzle 6
The space in which b is disposed and the space in which the substrate W is disposed are blocked, and the chemical solution remaining in the discharge port 6b and vaporized is prevented from entering the space in which the substrate W in the upper cover 2 is disposed. it can.

収納容器１４には第１実施形態と同様の排気ファン及び排気経路９から成る排気手段が
設けられ、収納容器１４にノズル６の先端部を挿入した際に排気ファンを駆動すると、吐
出口６ｂに残留して気化した薬液が排気経路９を介して排気される。従って、気化した薬
液が上部カバー２内の基板Ｗが空間への侵入することをより確実に防止できる。 The storage container 14 is provided with the same exhaust fan and exhaust means 9 as in the first embodiment. When the exhaust fan is driven when the tip of the nozzle 6 is inserted into the storage container 14, the discharge port 6b is opened. The remaining vaporized chemical solution is exhausted through the exhaust path 9. Therefore, the vaporized chemical liquid can more reliably prevent the substrate W in the upper cover 2 from entering the space.

本実施形態によると、ノズル６が基板Ｗ上から退避した際に吐出口６ｂが配置された空
間領域と基板Ｗが配置された空間領域との間を遮断する収納容器１４（遮断手段）を設け
たので、吐出口６ｂに残留した薬液が気化して基板Ｗの配される空間内へ侵入することを
防止できる。従って、気化した薬液がミスト状の純水に取り込まれて基板Ｗ上に付着する
ことによる基板Ｗ上の異物残留を低減することができる。 According to this embodiment, when the nozzle 6 is retracted from the substrate W, the storage container 14 (blocking means) that blocks between the space region where the discharge port 6b is disposed and the space region where the substrate W is disposed is provided. Therefore, it is possible to prevent the chemical solution remaining in the discharge port 6b from being vaporized and entering the space where the substrate W is disposed. Accordingly, it is possible to reduce foreign matter remaining on the substrate W due to the vaporized chemical liquid being taken into the mist-like pure water and adhering to the substrate W.

第１、第２実施形態において、フッ酸等の薬液から成る処理液と純水から成る処理液と
を用いているが、ノズル７の処理液の経路が耐薬品性を備えてノズル６、７の両方から薬
液を吐出してもよい。この時、ノズル７の退避時に吐出口７ｂが配置された空間領域と基
板Ｗが配置された空間領域との間を遮断する上記と同様の遮断手段を設けることにより、
吐出口７ｂに残留した薬液が気化して基板Ｗの配される空間内への侵入を防止することが
できる。 In the first and second embodiments, a treatment liquid made of a chemical solution such as hydrofluoric acid and a treatment liquid made of pure water are used. The treatment liquid path of the nozzle 7 has chemical resistance and the nozzles 6 and 7. You may discharge a chemical | medical solution from both. At this time, by providing a blocking means similar to the above for blocking the space area where the discharge port 7b is disposed and the space area where the substrate W is disposed when the nozzle 7 is retracted,
It is possible to prevent the chemical liquid remaining in the discharge port 7b from vaporizing and entering the space where the substrate W is disposed.

本発明によると、基板に対して洗浄、レジスト等の塗布、レジストの現像、エッチング
等の薬液を用いた基板処理を行う基板処理装置に利用することができる。 The present invention can be used in a substrate processing apparatus that performs substrate processing using a chemical solution such as cleaning, application of a resist, development of a resist, etching, and the like.

本発明の第１実施形態の基板処理装置を示す正面断面図Front sectional view showing a substrate processing apparatus of a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態の基板処理装置を示す上面図The top view which shows the substrate processing apparatus of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態の基板処理装置の要部を示す正面断面図Front sectional drawing which shows the principal part of the substrate processing apparatus of 2nd Embodiment of this invention. 従来の基板処理装置を示す正面断面図Front sectional view showing a conventional substrate processing apparatus

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板処理装置
２ 上部カバー
２ａ 開口された気体導入部
３ 下部カバー
４ ステージ
４ａ スピンドル
４ｂ ガイドピン
４ｃ 開口部
５ 内カップ
６、７ ノズル
８ 遮蔽板（遮断手段）
１０ 廃液管
１１、１２ バルブ
１３ 処理槽
１４ 収納容器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Upper cover 2a Opened gas introduction part 3 Lower cover 4 Stage 4a Spindle 4b Guide pin 4c Opening part 5 Inner cup 6, 7 Nozzle 8 Shielding plate (blocking means)
10 Waste pipe 11, 12 Valve 13 Treatment tank 14 Storage container

Claims (7)

処理槽内に配置された基板上に該基板の上方から処理液を供給する位置と、該処理液を
供給する位置から退避した位置と、の間を移動可能に設けられた吐出口を有するノズルを
備えた基板処理装置において、
前記ノズルが前記処理液を供給する位置から退避したときに、前記吐出口が配置される
空間領域と前記基板が配置される空間領域とを遮断する可動な遮断手段が設けられている
ことを特徴とする基板処理装置。 A nozzle having a discharge port movably provided between a position where a processing liquid is supplied from above the substrate disposed in the processing tank and a position where the processing liquid is retracted from the position where the processing liquid is supplied In a substrate processing apparatus comprising:
When the nozzle is retracted from the position for supplying the processing liquid, there is provided a movable blocking means for blocking a space region where the discharge port is disposed and a space region where the substrate is disposed. A substrate processing apparatus. 前記遮断手段による遮断時に前記吐出口が配置された空間領域の排気を行う排気手段を
設けたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an exhaust unit that exhausts a space area in which the discharge port is disposed when the shut-off unit is shut off. 前記処理液を供給する位置から退避した前記ノズルを収納する空間領域を収納部として
備えており、前記遮断手段は前記ノズルを収納する前記収納部と前記基板が配置される空
間領域とを遮断することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。 A space region for storing the nozzle retracted from a position where the processing liquid is supplied is provided as a storage portion, and the blocking means blocks the storage region for storing the nozzle from the space region in which the substrate is disposed. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus. 前記処理槽は、前記基板及び該基板の上方を取り囲む側壁を有して構成されており、前
記ノズルを収納する前記収納部は、前記処理槽の前記側壁の壁面から外側に突出して設け
られた空間領域であり、前記遮断手段による遮断によって、前記収納部は前記処理槽内に
おいて遮蔽されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。 The processing tank has a side wall that surrounds the substrate and the substrate, and the storage portion that stores the nozzle is provided to protrude outward from the wall surface of the side wall of the processing tank. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the substrate processing apparatus is a space region, and the storage portion is shielded in the processing tank by being blocked by the blocking means. 処理槽内に配置された基板上に該基板の上方から吐出口を有したノズルによって処理液
を供給する基板処理方法において、前記処理液を前記基板上に供給する位置に前記ノズル
を移動させて前記基板の上方から前記処理液を滴下し、前記基板を回転させて滴下された
前記処理液を基板上で拡散させ、前記ノズルを前記基板の上方から移動して退避させた後
に、前記吐出口が配置される空間領域と前記基板が配置される空間領域とを遮断すること
を特徴とする基板処理方法。 In a substrate processing method in which a processing liquid is supplied onto a substrate disposed in a processing tank by a nozzle having a discharge port from above the substrate, the nozzle is moved to a position where the processing liquid is supplied onto the substrate. The treatment liquid is dropped from above the substrate, the substrate is rotated to diffuse the dropped treatment liquid on the substrate, and the nozzle is moved from above the substrate to be retracted, and then the discharge port A substrate processing method characterized in that a space region in which the substrate is disposed and a space region in which the substrate is disposed are blocked. 回転する前記基板上に他のノズルによって純水を供給することを特徴とする請求項５に
記載の基板処理方法。 6. The substrate processing method according to claim 5, wherein pure water is supplied onto the rotating substrate by another nozzle. 前記処理液がフッ酸から成ることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の基板処
理方法。 The substrate processing method according to claim 5, wherein the processing liquid is made of hydrofluoric acid.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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