JP2007259690A - パワーモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】既に製品化されているインバータ回路とそのインバータ回路用のゲート駆動回路を備えたパワー基板をそのまま並列接続して電流容量を増やせるようにする。
【解決手段】複数相のインバータ回路とそのゲート駆動回路を備えた複数のパワー基板2と、制御基板3とを備えたパワーモジュールにおいて、制御基板2と複数のパワー基板2とを接続するインターフェース基板1を備え、インターフェース基板1が、PWM制御信号を各パワー基板に分配する信号分岐部と、前記パワー基板内の各相出力を合成する出力合成部とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】複数相のインバータ回路とそのゲート駆動回路を備えた複数のパワー基板2と、制御基板3とを備えたパワーモジュールにおいて、制御基板2と複数のパワー基板2とを接続するインターフェース基板1を備え、インターフェース基板1が、PWM制御信号を各パワー基板に分配する信号分岐部と、前記パワー基板内の各相出力を合成する出力合成部とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、電動機などを駆動するパワーモジュールに関し、特にパワー部の電流容量を向上させるパワーモジュールに関する。
インバータやサーボアンプにおいて、電流容量をアップするためにパワー半導体素子を並列に接続する方法が採用されている。
その第1従来例として、複数の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(以下、IGBTと呼ぶ)を内蔵した半導体パッケージを並列接続するもので、第1パッケージのコレクタ端子と第2パッケージのコレクタ端子を近接して共通な導体に接続させ、第1パッケージのエミッタ端子と第2パッケージのエミッタ端子を別の導体に接続させ、それぞれ外部接続端子に接続するというものがある。これにより各IGBTの総合インダクタンスが均等になるようにしている。(例えば、特許文献1参照)。
また、第2従来例として、直列二辺を構成する二組の並列に接続されたスイッチング素子群をスイッチング素子群のコレクタを相対させて配置し、出力回路を形成する導体板を各スイッチング素子の並列方向に対して垂直に伸ばして取り付けることにより、簡単な構成部品で素子から出力端子までの各通電ルートの条件を均一に揃え、スイッチング素子に流れる電流が均等化になるようにしているものもある(例えば、特許文献2参照)。
特開2000−350475号公報(第10頁、図1)
特開平11−275867号公報(第4頁、図1)
第1従来例は、複数のIGBTを共通の導体に接続して配線距離を短縮し、配線導体のインダクタンスを均等化するものであった。
また、第2従来例は、配置の工夫により通電ルートの条件を均一化し、電流のアンバランスを軽減するものであった。何れもパワー半導体素子単体を並列接続するものであり、パワー半導体素子で構成されたインバータ回路とそのゲート駆動回路を備えたパワー基板を並列に使用する構成のものはなかった。したがってインバータやサーボアンプの電流容量をアップさせるときは、パワー半導体素子を並列接続数を増やさなければならず、そのための設計をして作る必要があり、容易に電流容量をアップさせることができなかった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、既に製品化されているインバータ回路とそのインバータ回路用のゲート駆動回路を備えたパワー基板をそのまま並列接続して電流容量を増やせるようにすることを目的とする。
上記問題を解決するため、本発明は次のように構成したものである。
第1の発明は、複数のインバータ回路とゲート駆動回路を備えた複数のパワー基板と、前記パワー基板を制御する制御基板とを備えたパワーモジュールにおいて、前記制御基板と前記複数のパワー基板とを接続するインターフェース基板を備え、前記インターフェース基板が、前記制御基板の各相のPWM制御信号を各パワー基板に分配する信号分配回路と、前記パワー基板の複数の出力を短絡する出力短絡回路とを備え、各相のPWM信号を複数のパワー基板に供給し、各パワー基板内の各相に同一動作をさせ、その各相出力を短絡することで、全体として3相の出力を得ることを特徴としている。
第2の発明は、前記インターフェース基板が、さらに加算器を備え、前記加算器が前記パワー基板からの2つの電流信号を加算して前記制御基板にフィードバックすることを特徴としている。
第3の発明は、前記複数のパワー基板が、さらに温度検出部を備え、前記温度検出部が前記CPUにフィードバックした温度信号を比較し最も高い温度信号を使って温度制限により保護することを特徴としている。
第4の発明は、前記複数のパワー基板の前記温度検出部が前記CPUにフィードバックした温度信号使って、PWM信号を補正して前記パワー基板の温度をバランスさせるように制御することを特徴としている。
第5の発明は、前記パワー基板は2つ又は3つの前記インバータ回路を備えており、前記パワー基板は前記インバータ基板の数の整数倍の枚数が使われていることを特徴としている。
第6の発明は、ゲート駆動回路が複数のインバータ回路にゲート信号を出力して電力を出力するパワー基板と、当該パワー基板にPWM制御信号を出力して前記パワー基板の出力を制御する制御基板と、を備えたパワーモジュールにおいて、前記制御基板の1つの相のPWM制御信号が1つの前記パワー基板の複数のインバータ回路のPWM制御信号として使われるよう接続回路が形成されているインターフェース基板を前記制御基板と前記パワー基板の間に設けたことを特徴としている。
第7の発明は、前記パワー基板は3つのインバータ回路を備えていることを特徴としている。
第8の発明は、前記パワー基板は3個であることを特徴としている。
第9の発明は、前記インターフェース基板は前記パワー基板の2つの電流信号を加算して前記制御基板に出力することを特徴としている。
第10の発明は、前記制御基板は前記インターフェース基板から前記電流信号を入力すると、外部から入力する指令信号に応じて前記パワー基板の出力電流を制御することを特徴としている。
第11の発明は、前記パワー基板は温度検出部を備えており、当該パワー基板内の温度を検出して温度信号を出力することを特徴としている。
第12の発明は、前記インターフェース基板が前記温度信号を入力して前記制御基板に出力すると、前記制御基板は前記温度信号が所定の範囲に維持されるようPWM制御信号を制御して出力することを特徴としている。
第13の発明は、前記インターフェース基板が前記温度信号を入力して前記制御基板に出力すると、前記制御基板は前記温度信号が所定の範囲を超えていればそれまで出力していたPWM制御信号を出力しないことを特徴としている。
第1の発明によると、複数のパワー基板で各相を分担して並列動作させることで、パワー基板1枚と比較して出力電流容量が3倍に向上できる。
また、第2の発明によると、各パワー基板で検出した各相の電流を加算してフィードバックさせることができるので、複数のパワー基板を使用した場合でも電流制御が実現できる。
また、第3の発明によると複数のパワー基板を複数のサーミスタで温度を検出して温度保護ができるため、最も熱的に弱いパフー基板を保護できパワーモジュールの信頼性が向上できる。
また、第4の発明によると複数のパワー基板に備えた温度検出部で検出し、CPUにフィードバックした温度信号使ってPWM信号を補正するため、パワー基板の温度のばらつきをなくすことができる。
また、第5の発明によると、パワー基板は2つ又は3つのインバータ回路を備え、パワー基板はインバータ回路の数の整数倍の枚数が使われているので、単相または3相のパワー基板を使って安価にしてパワーアップすることができる。
また、第6の発明によると、制御基板の1つの相のPWM制御信号で1つのパワー基板の複数のインバータ回路を同時に動作させるので、パワー基板1枚だけを用いる場合と比較して出力電流容量が複数倍に向上できる。
また、第7の発明によると、パワー基板が3つのインバータ回路を備えているので出力電流容量が3倍に向上 できる。
また、第8の発明によると、パワー基板が3個であるので、3相のモータを駆動することができる。
また、第9の発明によると、インターフェース基板がパワー基板の2つの電流信号を加算して制御基板に出力するので、小型の検出器で検出することができ電流検出部を小型化することができる。
また、第10の発明によると、制御基板がインターフェース基板から電流信号を入力し、外部から入力する指令信号に応じてパワー基板の出力電流を制御するので、負荷に所望の電流を与えることができて多様な制御をすることができる。
また、第11の発明によると、パワー基板が温度検出部を備えているので、パワー基板の温度を知ることができる。
また、第12の発明によると、温度信号が所定の範囲に維持されるよう制御されるので、パワーモジュールの信頼性を向上することができる。
また、第13の発明によると、温度信号が所定の範囲を超えていればPWM制御信号が出力されなくなるので、温度が異常に上昇した時にパワー基板を保護することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
図1は、本発明の第1実施例を示すパワーモジュールの構成図である。図において、1はインターフェース基板、2a、2b、2cはパワー基板、3は制御基板であり、制御基板3と3枚のパワー基板2a、2b、2cとがインターフェース基板1を介して接続されている。そして制御基板3はCPU31と電流制御部32、PWM生成部33、端子34から構成されている。
図2はパワー基板2a、2b、2cの内部回路を示しており、パワー半導体素子21a〜21fとゲート駆動回路22、電流検出部23、電源端子24、25、出力端子26、制御入出力端子27から構成されていることを示している。パワー半導体素子21a〜21fがハーフブリッジ式の3つのインバータ回路を構成しており、各インバータ回路は正負の電源間に直列に接続された2つのパワー半導体素子21aと21b、21cと21d、21eと21fで構成されている。3つのPWM信号は制御入出力端子27を経由してゲート駆動回路22に入力されている。この3つのPWM信号によりゲート駆動回路22が6つのゲート駆動信号を生成し、パワー半導体素子21a〜21fに入力される。そして3つのハーフブリッジの出力は出力端子26の3つの端子に接続されている。3つのハーフブリッジの出力と出力端子26間の2つの経路には2つの電流検出部23が設けられており、この2つの電流検出部23の出力が制御入出力端子27の2つの端子に接続されている。
図3は、図1のインターフェース基板の内部回路を示す図であり、制御入出力端子11、電源端子12、13、出力端子14、電源供給端子15a〜15c、16a〜16c、制御入出力端子17a〜17c、結合端子18a〜18c、加算器19a〜19cから構成されていることを示している。正の電源を入力する電源端子12は正の電源を出力する電源供給端子15a、15b、15cに接続されており、負の電源を入力する電源端子13は負の電源を出力する電源供給端子16a、16b、16cに接続されている。3つのPWM信号(U)(V)(W)を入力する制御入出力端子11の3つの端子は、それぞれ制御入出力端子17a、17b、17cの3つの短絡されたPWM信号の端子に接続されている。それぞれ短絡された3つの端子を持つ結合端子18a、18b、18cは出力端子14の対応する端子(U)(V)(W)に接続されている。電流検出信号を入力する制御入出力端子17a、17b、17cのそれぞれ2つの端子はそれぞれ加算器19a、19b、19cの2つの入力に接続されており、加算器19a、19b、19cによって2つの電流信号が加算されている。加算器19a、19b、19cの出力はそれぞれ制御入出力端子11の電流信号(U)(V)(W)の端子に接続されている。
次に図1を用いて3種類の基板の接続関係について説明する。
PWM生成部33の信号を出力する制御基板3の端子34の3つの端子は、PWM信号を入力するインターフェース基板1の制御入出力端子11の3つの端子に接続されており、電流信号を出力するインターフェース基板1の制御入出力端子11の3つの端子は電流制御部32に接続された制御基板3の端子34の3つの端子に接続されている。
正負の電源を出力するインターフェース基板1の3組の電源供給端子15aと16a、15bと16b、15cと16cはそれぞれパワー基板2a、2b、2cの正負の電源端子24aと25a、24bと25b、24cと25cに接続されている。PWM信号を出力する制御入出力端子17a、17b、17cのそれぞれ3つの端子は、パワー基板2a、2b、2cの制御入出力端子27a、27b、27cのそれぞれ3つの端子に接続されており、電流信号を入力する制御入出力端子17a、17b、17cのそれぞれ2つの端子は、電流信号を出力するパワー基板2a、2b、2cの制御入出力端子27a、27b、27cのそれぞれ2つの端子に接続されている。パワー基板2a、2b、2cの出力端子26a、26b、26cのそれぞれ3つの端子は、インターフェース基板1の結合端子18a、18b、18cのそれぞれ3つの端子に接続されている。
次に図1、図2、図3を用いてパワーモジュールの動作について説明する。
制御基板3が上位装置から指令信号を受けると、その指令信号はCPU31に入力されて所定の処理をする。その処理結果をPWM生成部33が受けると、3相のPWM制御信号を生成して端子34より出力する。インターフェース基板1がその3相のPWM制御信号を制御入出力端子11から入力すると、U相のPWM制御信号が制御入出力端子17aからパワー基板2aに出力され、V相のPWM制御信号が制御入出力端子17bからパワー基板2bに出力され、W相のPWM制御信号が制御入出力端子17cからパワー基板2cに出力され、パワー基板2a、2b、2cはそれぞれ制御入出力端子27a、27b、27cの3つの端子から3つの同一信号を入力する。
制御基板3が上位装置から指令信号を受けると、その指令信号はCPU31に入力されて所定の処理をする。その処理結果をPWM生成部33が受けると、3相のPWM制御信号を生成して端子34より出力する。インターフェース基板1がその3相のPWM制御信号を制御入出力端子11から入力すると、U相のPWM制御信号が制御入出力端子17aからパワー基板2aに出力され、V相のPWM制御信号が制御入出力端子17bからパワー基板2bに出力され、W相のPWM制御信号が制御入出力端子17cからパワー基板2cに出力され、パワー基板2a、2b、2cはそれぞれ制御入出力端子27a、27b、27cの3つの端子から3つの同一信号を入力する。
このときのパワー基板2a、2b、2cの半導体素子21a〜21fの動作を示すタイムチャートは図4のようになっている。各ハーフブリッジの上側パワー半導体素子21a〜21cは同じスイッチング動作をしており、下側パワー半導体素子21d〜21fはその逆の動作をしている。このため、パワー基板2a〜2cの何れも、それぞれの3つのハーフブリッジが同じタイムチャートとなる。
パワー基板2a〜2cの3つの出力が出力端子26a、26b、26cから出力されると、インターフェース基板がそれぞれ結合端子18a、18b、18cの3つの端子から入力してインターフェース基板1内で短絡され、それぞれ出力端子14の1つの端子から3相の出力(U)(V)(W)が出力される。そして、出力端子14に接続された図示しないモータ等を駆動する。パワー基板2a、2b、2cの制御入出力端子27a、27b、27cから出力される2つの電流信号は、それぞれインターフェース基板の制御入出力端子17a、17b、17cの2つの端子から入力されて加算器19a〜19cで加算され、その電流信号(U)(V)(W)が制御入出力端子11のそれぞれ1つの端子から出力され制御基板3に供給される。
なおインターフェース基板1の電源端子12、13には外部電源が接続されており、この電源端子12、13から供給された電源がインターフェース基板1の内部で分岐され、電源供給端子15a〜15c、16a〜16cからパワー基板2a、2b、2cの電源端子24a〜24c、25a〜25cに供給される。
以上述べたように、インターフェース基板1を用いることにより、3相のPWM制御信号を3つのパワー基板2a、2b、2cに分配してそれぞれ1相分を分担させ、3つのパワー基板2a、2b、2cのそれぞれ3つの出力をインターフェース基板で短絡してそれぞれ1相分とし、パワー基板3枚で3相分の出力を得ることができるようになっている。パワー基板2a、2b、2cはそれぞれ3つの出力で1相分を分担するので、パワー基板1枚と比較して3倍の出力電流を流すことができるようになっている。
また、パワー基板2a、2b、2cで検出されたそれぞれ2つの電流信号はインターフェース基板1の加算器19a、19b、19cで加算されてそれぞれ1つの電流信号にして制御基板3にフィードバックされるので、パワー基板2a、2b、2cのそれぞれが電流制御を行うことができる。
次に本発明の第2実施例について、図5のパワーモジュールの構成図を用いて説明する。
図において、1Bはインターフェース基板、2Ba、2Bb、2Bcはパワー基板、3Bは制御基板であり、制御基板3Bと3枚のパワー基板2Ba、2Bb、2Bcとがインターフェース基板1Bを介して接続されている。そして制御基板3BはCPU31Bと電流制御部32、PWM生成部33、端子34Bから構成されている。
図6はパワー基板2Ba、2Bb、2Bcの内部回路を示しており、温度センサ28と入出力端子27の他は図2と同じであり、これらの説明を省略する。温度センサ28はパワー基板の温度を検知することができ、温度センサ28が出力する温度信号が制御入出力端子27の1つの端子に接続されている。
図7は図5のインターフェース基板1Bの内部回路を示す図であり、図3と異なるのは、温度信号を出力する制御入出力端子11Bの3つの端子がそれぞれ温度信号を入力する制御入出力端子17Ba、17Bb、17Bcの1つの端子に接続されている点である。その他は図5と同じ回路になっている。
次に図5を用いて3種類の基板の接続関係について説明する。パワー基板2Ba、2Bb、2Bcの温度が検出されて温度信号が出力される制御入出力端子27Ba、27Bb、27Bcのそれぞれ1つの端子は、それぞれインターフェース基板1Bの制御入出力端子17Ba、17Bb、17Bcの1つの端子に接続されている。3つの温度信号を出力するインターフェース基板1の制御入出力端子11Bの3つの端子は、制御基板3Bの端子34Bの3つの端子に接続されている。そのほかの端子は図1と同じように接続されている。
次に図5、図6、図7を用いてパワーモジュールの動作について説明する。
制御基板3Bが上位装置から指令信号を受けると、その指令信号はCPU31Bに入力されて所定の処理をする。その処理結果をPWM生成部33が受けると、3相のPWM制御信号を生成して端子34Bより出力する。インターフェース基板1Bがその3相のPWM制御信号を制御入出力端子11Bから入力すると、U相のPWM制御信号が制御入出力端子17Baからパワー基板2Baに出力され、V相のPWM制御信号が制御入出力端子17Bbからパワー基板2Bbに出力され、W相のPWM制御信号が制御入出力端子17Bcからパワー基板2Bcに出力され、パワー基板2Ba、2Bb、2Bcはそれぞれ制御入出力端子27Ba、27Bb、27Bcの3つの端子から3つの同一信号を入力する。
このときのパワー基板2Ba、2Bb、2Bcの半導体素子21a〜21fの出力の平均電圧とパワー基板2B内の温度は図8のタイムチャートのようになっている。図に示されているように、パワー基板2Ba、2Bb、2Bcの温度信号ta〜tcは時間の経過と共に信号にばらつきが生じている。これは使用している電子部品や放熱器および設置位置のズレやバラツキなどに起因するもので、制御できないため必ず生じるものである。この温度信号のばらつきが温度センサの検出誤差を超えて大きくなると、パワー基板に与えるPWM制御信号の電圧指令を低減するように補正するようになっている。また、各パワー基板の温度信号の平均値が上昇して一つでも温度信号が温度制限レベルを超えると、PWM制御信号を全相すべて停止するようになっている。
このように、複数のパワー基板2Ba、2Bb、2Bcにそれぞれ温度センサ28を搭載して、温度を検出して温度保護ができるため、最も熱に弱いパワー基板を保護することができ、パワーモジュールの信頼性を向上することができる。また、検出された複数のパワー基板の温度信号を用いてCPU31BがPWM信号を補正しているため、パワー基板の温度のばらつきをなくすことができる。
以上、実施例1と実施例2では、パワー基板が3つのインバータ回路を備えており、パワー基板が3枚の場合について説明したが、パワー基板が備えるインバータ回路の数は3つに限らず2つ以上に適用でき、パワー基板の枚数も3枚に限らず2枚以上に適用できる。特に、3相のACサーボと2相のDCサーボが広く使われているので、2つのインバータ回路を備えたパワー基板を2の整数倍の枚数使ってパワーモジュールを構成するか、或いは、3つのインバータ回路を備えたパワー基板を3の整数倍の枚数使ってパワーモジュールを構成すれば、安価にしてパワーアップをすることが容易なものとなる。例えば、2つのインバータ回路を備えたパワー基板が4枚使われる場合は、制御基板の出力端子のPWM信号を出力する端子と電流信号を入力する端子がそれぞれ4つとなるので、インターフェース基板の制御入出力端子のPWM信号を入力する端子と電流信号を出力する端子がそれぞれ4つとなり、これらに直接あるいは4つの加算器を介してそれぞれ4つの電源供給端子と制御入出力端子および結合端子に接続されるよう回路が形成される。そしてパワー基板が4枚とも同じようにインターフェース基板に接続される。実施例2の場合は温度信号がパワー基板から制御基板に受け渡されるが、他の信号と同じようにパワー基板の枚数に応じて回路を形成すればよい。
複数のハーフブリッジ回路を持つ既存のパワー基板を複数台用いることにより、各パワー基板の複数のハーフブリッジ回路を同じ相の主回路として用いて複数台のパワー基板を各相に割り当てて電流容量を向上させているので、インバータやサーボアンプのほかに、一般の電源装置にも広く適用することができる。
1、1B インターフェース基板
11、11B、17a、17b、17c、27、27a、27b、27c 制御入出力端子
17Ba、17Bb,17Bc、27B、27Ba、27Bb、27Bc 制御入出力端子
12、13、24、24a、24b、24c、25、25a、25b、25c 電源端子
14、26、26a、26b、26c 出力端子
15a、15b、15c、16a、16b、16c 電源供給端子
18a、18b、18c 結合端子
19a、19b、19c 加算器
2、2a、2b、2c、2B、2Ba、2Bb、2Bc パワー基板
21a、21b、21c、21d、21e、21f パワー半導体素子
22 ゲート駆動回路 23 電流検出部 28 温度センサ
3、3B 制御基板 31、31B CPU 32 電流制御部
33 PWM生成部 34、34B 端子
11、11B、17a、17b、17c、27、27a、27b、27c 制御入出力端子
17Ba、17Bb,17Bc、27B、27Ba、27Bb、27Bc 制御入出力端子
12、13、24、24a、24b、24c、25、25a、25b、25c 電源端子
14、26、26a、26b、26c 出力端子
15a、15b、15c、16a、16b、16c 電源供給端子
18a、18b、18c 結合端子
19a、19b、19c 加算器
2、2a、2b、2c、2B、2Ba、2Bb、2Bc パワー基板
21a、21b、21c、21d、21e、21f パワー半導体素子
22 ゲート駆動回路 23 電流検出部 28 温度センサ
3、3B 制御基板 31、31B CPU 32 電流制御部
33 PWM生成部 34、34B 端子
Claims (13)
- 複数のインバータ回路とゲート駆動回路を備えた複数のパワー基板と、前記パワー基板を制御する制御基板とを備えたパワーモジュールにおいて、
前記制御基板と前記複数のパワー基板とを接続するインターフェース基板を備え、
前記インターフェース基板が、前記制御基板の各相のPWM制御信号を各パワー基板に分配する信号分配回路と、前記パワー基板の複数の出力を短絡する出力短絡回路とを備え、
各相のPWM信号を複数のパワー基板に供給し、各パワー基板内の各相に同一動作をさせ、その各相出力を短絡することで、全体として3相の出力を得ることを特徴とするパワーモジュール。 - 前記インターフェース基板が、さらに加算器を備え、前記加算器が前記パワー基板からの2つの電流信号を加算して前記制御基板にフィードバックすることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール。
- 前記複数のパワー基板が、さらに温度検出部を備え、前記温度検出部が前記制御基板にフィードバックした温度信号を比較し最も高い温度信号を使って温度制限により保護することを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール。
- 前記複数のパワー基板の前記温度検出部が前記制御基板にフィードバックした温度信号使って、PWM信号を補正して前記パワー基板の温度をバランスさせるように制御することを特徴とする請求項3記載のパワーモジュール。
- 前記パワー基板は2つ又は3つの前記インバータ回路を備えており、前記パワー基板は前記インバータ基板の数の整数倍の枚数が使われていることを特徴とする請求項いに記載のパワーモジュール。
- ゲート駆動回路が複数のインバータ回路にゲート信号を出力して電力を出力するパワー基板と、当該パワー基板にPWM制御信号を出力して前記パワー基板の出力を制御する制御基板と、を備えたパワーモジュールにおいて、
前記制御基板の1つの相のPWM制御信号が1つの前記パワー基板の複数のインバータ回路のPWM制御信号として使われるよう接続回路が形成されているインターフェース基板を前記制御基板と前記パワー基板の間に設けたことを特徴とするパワーモジュール。 - 前記パワー基板は2つ又は3つのインバータ回路を備えていることを特徴とする請求項6に記載のパワーモジュール。
- 前記パワー基板は前記インバータ回路の数の整数倍の枚数が使われていることを特徴とする請求項6に記載のパワーモジュール。
- 前記インターフェース基板は前記パワー基板の2つの電流信号を加算して前記制御基板に出力することを特徴とする請求項6に記載のパワーモジュール。
- 前記制御基板は前記インターフェース基板から前記電流信号を入力すると、外部から入力する指令信号に応じて前記パワー基板の出力電流を制御することを特徴とする請求項9に記載のパワーモジュール。
- 前記パワー基板は温度検出部を備えており、当該パワー基板内の温度を検出して温度信号を前記インターフェース基板に出力することを特徴とする請求項10に記載のパワーモジュール。
- 前記インターフェース基板が前記温度信号を入力して前記制御基板に出力すると、前記制御基板は前記温度信号が所定の範囲に維持されるようPWM制御信号を制御して出力することを特徴とする請求項11に記載のパワーモジュール。
- 前記インターフェース基板が前記温度信号を入力して前記制御基板に出力すると、前記制御基板は前記温度信号が所定の範囲を超えていればそれまで出力していたPWM制御信号の出力を停止することを特徴とする請求項11に記載のパワーモジュール。
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