JP2007253373A - 液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ノズルパターンを高精度に測定することができる、シリコン単結晶基板を用いた高密度の液滴吐出ヘッド用のノズル基板を備えた液滴吐出ヘッドなどを提供する。
【解決手段】液滴を吐出するノズル孔11と、ノズル孔11と連通する吐出室21と、吐出室21に液を供給する液体供給部24と、吐出室21の壁面1aの一部に形成された振動板22と、振動板22と対向配置された個別電極31とを備え、複数の基板1,2,3を積層してなる液滴吐出ヘッド10であって、一の基板1に、ノズル孔11と共にノズル孔11の孔径または孔長を測定するためのダミーパターンA,Bが設けられた。このダミーパターンA,Bは一の基板1の内壁1a側に設ける。ダミーパターンA,Bをノズル孔11の形状と同形状に形成することができる。また、ダミーパターンA,Bの孔径をノズル孔の孔径よりも大きく形成することができる。
【選択図】図2
【解決手段】液滴を吐出するノズル孔11と、ノズル孔11と連通する吐出室21と、吐出室21に液を供給する液体供給部24と、吐出室21の壁面1aの一部に形成された振動板22と、振動板22と対向配置された個別電極31とを備え、複数の基板1,2,3を積層してなる液滴吐出ヘッド10であって、一の基板1に、ノズル孔11と共にノズル孔11の孔径または孔長を測定するためのダミーパターンA,Bが設けられた。このダミーパターンA,Bは一の基板1の内壁1a側に設ける。ダミーパターンA,Bをノズル孔11の形状と同形状に形成することができる。また、ダミーパターンA,Bの孔径をノズル孔の孔径よりも大きく形成することができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法に関する。
液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドとしては、例えばインクジェット記録装置に搭載されるインクジェットヘッドが知られている。インクジェットヘッドは、記録時の騒音が極めて小さいこと、高速印字が可能であること、インクの自由度が高く安価な普通紙を使用できることなど、多くの利点を有する。この中でも記録が必要なときにのみインク液滴を吐出する、いわゆるインク・オン・デマンド方式が、記録に不要なインク液滴の回収を必要としないため、現在主流となってきている。このインク・オン・デマンド方式のインクジェットヘッドには、インクを吐出させる方法として、駆動手段に静電気力を利用したものや、圧電振動子や発熱素子等を用いたものがある。
インクジェットヘッドは、一般に、インク滴を吐出させるための複数のノズル孔が形成されたノズル基板と、このノズル基板に接合されノズル基板との間で上記ノズル孔に連通する吐出室、リザーバ等のインク流路が形成されたキャビティ基板とを備え、駆動部によって吐出室に圧力を加えることにより、選択されたノズル孔よりインク滴を吐出するようになっている。
近年、インクジェットヘッドに対して、印字、画質等の高品位化の要求が強まり、高密度化並びに吐出性能の向上が要求されている。このため、インクジェットヘッドのノズル部に関して、様々な工夫、提案がなされている。
このようなインクジェットヘッドにおいて、インク吐出特性を改善するためには、ノズル部の流路抵抗を調整し、最適なノズル長さになるように、基板の厚さを調整することが望ましい。
このようなインクジェットヘッドにおいて、インク吐出特性を改善するためには、ノズル部の流路抵抗を調整し、最適なノズル長さになるように、基板の厚さを調整することが望ましい。
このようなノズル基板を作製する場合、シリコン基材の一方の面からICP(Inductively Coupled Plasma)放電を用いた異方性ドライエッチングを施し、内径の異なる第1の凹部(噴射口部分となる小径凹部)と第2の凹部(導入口部分となる大径凹部)を2段に形成した後、反対の面から一部分を異方性ウェットエッチングにより掘下げ、ノズル孔の長さを調整する方法が採られている(例えば、特許文献1参照)。
一方、あらかじめシリコン基材を所望の厚みに研磨した後、シリコン基材の両面にそれぞれドライエッチング加工を施して、ノズル孔の噴射口部分と導入口部分を形成する方法がある(例えば、特許文献2参照)。
上記のようにして形成されたノズル基板のノズル孔の精度は、インク吐出特性を左右する重要なパラメータである。流路抵抗に対してノズル孔の半径は4乗の逆数で作用し、ノズル孔の長さに比例するため、ノズル孔径やノズル長さの高精度化が重要であり、そのためには、ノズル孔径やノズル長さを高精度で測定することが重要である。
しかしながら、ノズル基板のノズル孔径が微細になるに伴い、ノズル孔径やノズル長さがうまく測定できない場合があり、歩留りを落す場合があった。また、測長SEMなどの電子顕微鏡でノズル孔径を測定した際に、シリコン酸化膜がチャージアップして像がぼやけるため、ノズル孔径やノズル長さが精度よく測定できない場合があった。
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、ノズルパターンを高精度に測定することができる、シリコン単結晶基板を用いた高密度の液滴吐出ヘッド用のノズル基板を備えた液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る液滴吐出ヘッドは、液滴を吐出するノズル孔と、該ノズル孔と連通する吐出室と、該吐出室に液を供給する液体供給部と、前記吐出室の壁面の一部に形成された振動板と、該振動板と対向配置された個別電極とを備え、複数の基板を積層してなる液滴吐出ヘッドであって、一の基板に、前記ノズル孔と共に該ノズル孔の孔径または孔長を測定するためのダミーパターンが設けられたものである。
ノズル基板にノズル孔測定専用のダミーパターンを設け、これにより実パターンであるノズル孔のノズル孔径及びノズル孔長を高精度に測定することが可能なため、安定した特性を持つ液滴吐出ヘッドを歩留まりよく得ることができる。
ノズル基板にノズル孔測定専用のダミーパターンを設け、これにより実パターンであるノズル孔のノズル孔径及びノズル孔長を高精度に測定することが可能なため、安定した特性を持つ液滴吐出ヘッドを歩留まりよく得ることができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、前記ダミーパターンが前記一の基板の内壁側に設けられたものである。
ノズル基板の内壁側にダミーパターンを設け、これによりノズル孔径及びノズル孔長を高精度に測定することが可能なため、安定した特性を持つ液滴吐出ヘッドを歩留まりよく得ることができる。
ノズル基板の内壁側にダミーパターンを設け、これによりノズル孔径及びノズル孔長を高精度に測定することが可能なため、安定した特性を持つ液滴吐出ヘッドを歩留まりよく得ることができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、前記ダミーパターンが前記ノズル孔の形状と同形状に形成されたものである。
ダミーパターンをノズル孔の形状と同形状にしたので、ダミーパターンの形状を測定することでノズル孔径及びノズル孔長を精度よく測定することができる。
ダミーパターンをノズル孔の形状と同形状にしたので、ダミーパターンの形状を測定することでノズル孔径及びノズル孔長を精度よく測定することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、前記ダミーパターンの孔径が前記ノズル孔の孔径よりも大きく形成されたものである。
ノズル孔径が小さくノズル孔径を測定することが困難なノズル基板を作成したとしても、径の大きいダミーパターンを用いて精度よくノズル孔長を測定することができる。
ノズル孔径が小さくノズル孔径を測定することが困難なノズル基板を作成したとしても、径の大きいダミーパターンを用いて精度よくノズル孔長を測定することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、前記ダミーパターンの表面に高反射率材が設けられたものである。
高反射率材によってダミーパターンの輪郭が強調される。また、電子顕微鏡でノズル孔を測定するときに発生するチャージアップを防ぐことが可能なため、精度よくノズル孔を測定することができる。
高反射率材によってダミーパターンの輪郭が強調される。また、電子顕微鏡でノズル孔を測定するときに発生するチャージアップを防ぐことが可能なため、精度よくノズル孔を測定することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、前記高反射率材が金属であることが望ましい。
高反射率材である金属によってダミーパターンの輪郭が強調される。
高反射率材である金属によってダミーパターンの輪郭が強調される。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、前記高反射率材が、白金、アルミニウム、ニッケル、クロム、金、銅、チタンのいずれかであることが望ましい。
高反射率材である白金などの金属によってダミーパターンの輪郭が強調される。
高反射率材である白金などの金属によってダミーパターンの輪郭が強調される。
本発明にかかる液滴吐出装置は、上記いずれかに記載の液滴吐出ヘッドを備えたものである。
安定した特性を持つ液滴吐出装置を歩留まりよく作成することが可能となる。
安定した特性を持つ液滴吐出装置を歩留まりよく作成することが可能となる。
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、液滴を吐出するノズル孔と、該ノズル孔と連通する吐出室と、該吐出室に液を供給する液体供給部と、前記吐出室の壁面の一部に形成された振動板と、該振動板と対向配置された個別電極とを備え、複数の基板を積層してなる液滴吐出ヘッドの製造方法であって、一の基材をエッチングし、前記ノズル孔と共に該ノズル孔の孔径または孔長を測定するためのダミーパターンを同時に形成して一の基板を形成する工程を含むものである。
ダミーパターンはノズル孔と同時に形成されているため、形成されたダミーパターンによって、ノズル孔径またはノズル孔長を精度よく測定することが可能となる。また、仮にダミーパターンのサイズを変更したとしても、高い相関を保ったまま形成することができる。そのため、ノズル孔長を測定することが困難なノズル孔径が小さいノズル基板を作成したとしても、径の大きいダミーパターンを作成することにより精度良くノズル孔長を測定することが可能となる。
ダミーパターンはノズル孔と同時に形成されているため、形成されたダミーパターンによって、ノズル孔径またはノズル孔長を精度よく測定することが可能となる。また、仮にダミーパターンのサイズを変更したとしても、高い相関を保ったまま形成することができる。そのため、ノズル孔長を測定することが困難なノズル孔径が小さいノズル基板を作成したとしても、径の大きいダミーパターンを作成することにより精度良くノズル孔長を測定することが可能となる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、前記一の基板に形成した前記ダミーパターンを用いて前記ノズル孔の孔径または孔長を測定する工程を含むものである。
ダミーパターンによってノズル孔の孔径または孔長を精度よく測定することができるので、安定した特性を有するノズル基板を備えた液滴吐出ヘッドを歩留まりよく得ることができる。
ダミーパターンによってノズル孔の孔径または孔長を精度よく測定することができるので、安定した特性を有するノズル基板を備えた液滴吐出ヘッドを歩留まりよく得ることができる。
本発明に係る液滴吐出装置の製造方法は、上記の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用して液滴吐出装置を製造するものである。
安定した特性を持つ液滴吐出ヘッドを歩留まりよく作成することができる。
安定した特性を持つ液滴吐出ヘッドを歩留まりよく作成することができる。
実施の形態1.
図1は本発明の実施の形態1に係るインクジェットヘッドの分解斜視図、図2は図1を組立てたインクジェットヘッドの要部の縦断面図である。図において、インクジェットヘッド(液滴吐出ヘッド)10は、複数のノズル孔11が所定の間隔で設けられた一枚のノズル基板1(以下、一のノズル基板ということがある)と、各ノズル孔11に対して独立にインク供給路が設けられたキャビティ基板2と、キャビティ基板2の振動板22に対峙して個別電極31が設けられた電極基板3とを貼り合わせて構成したものである。
図1は本発明の実施の形態1に係るインクジェットヘッドの分解斜視図、図2は図1を組立てたインクジェットヘッドの要部の縦断面図である。図において、インクジェットヘッド(液滴吐出ヘッド)10は、複数のノズル孔11が所定の間隔で設けられた一枚のノズル基板1(以下、一のノズル基板ということがある)と、各ノズル孔11に対して独立にインク供給路が設けられたキャビティ基板2と、キャビティ基板2の振動板22に対峙して個別電極31が設けられた電極基板3とを貼り合わせて構成したものである。
ノズル基板1はシリコン基材から作製されている。インク滴を吐出するためのノズル孔11は、径の異なる2段の円筒状に形成されたノズル孔、すなわちインク吐出面1b側に位置して先端がインク吐出凹部1cの吐出凹面1eに開口する径の小さい第1のノズル孔(噴射口部分の小径孔)11aと、キャビティ基板2と接合する接合面1a側に位置して導入口部分が接合面1aに開口する径の大きい第2のノズル孔(導入口部分の大径孔)11bとから構成され、インク吐出凹部1cの吐出凹面1e上にあって、基板面に対して垂直にかつ同軸上に設けられている。こうして、インク滴の吐出方向をノズル孔11の中心軸方向に揃え、安定したインク吐出特性を発揮させることによって、インク滴の飛翔方向のばらつきをなくし、インク滴の飛び散りをなくしてインク滴の吐出量のばらつきを抑制することができる。
また、ノズル基板1の接合面1a側(内壁側)には、ノズル測定専用のダミーパターンA、ダミーパターンBが接合面1aに開口した状態で設けられている。これらのダミーパターンA,Bは、図3に示すように、実パターンであるノズル孔11と同一直線上(図3のイ−イ線上)に配置され、ダミーパターンBはインク吐出凹部1cの縁部1dよりも外側(縁部1dよりも図の右側)に設けられ、ダミーパターンAはインク吐出凹部1c内であってノズル孔11とダミーパターンBの間に設けられている。ダミーパターンAはノズル孔11の第2のノズル孔11b(大径孔)と同径(ノズル孔長を測定することが困難なノズル孔径が小さいノズル基板11を作成したときは、径の大きいダミーパターンを作成することもできる)で、第2のダミー孔(大径孔)50bのみによって構成されている。ダミーパターンBはノズル孔11と同形で、第1のダミー孔(小径孔)60aと第2のダミー孔(大径孔)60bとによって構成されている。
キャビティ基板2はシリコン基材から作製されており、キャビティ基板2には吐出凹部210、オリフィス凹部230およびリザーバ凹部(液体供給凹部)240が形成されている。そして、オリフィス凹部230(オリフィス23)を介して、吐出凹部210(吐出室21)とリザーバ凹部240(リザーバ24あるいは液体供給部)とが連通している。リザーバ24は各吐出室21に共通の共通インク室を構成し、それぞれオリフィス23を介してそれぞれの吐出室21に連通している。リザーバ24の底部には後述する電極基板3を貫通するインク供給孔25が形成され、このインク供給孔25を通じて、図示しないインクカートリッジからインクが供給される。また、吐出室21の底壁は振動板22となっている。なお、キャビティ基板2の全面もしくは少なくとも電極基板3との対向面には、熱酸化やプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)によりなる絶縁性のSiO2 膜26が施されている。この絶縁膜26は、インクジェットヘッド10を駆動させたときに、絶縁破壊やショートを防止する。
電極基板3はガラス基材から作製されている。電極基板3には、キャビティ基板2の各振動板22に対向する位置にそれぞれ凹部310が設けられている。そして、各凹部310内には、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)からなる個別電極31がスパッタにより形成されている。
個別電極31は、リード部31aと、フレキシブル配線基板(図示せず)に接続される端子部31bとを備えている。端子部31bは、配線のためにキャビティ基板2の末端部が開口された電極取り出し部41内に露出している。そして、ICドライバ等の駆動制御回路40を介して、各個別電極31の端子部31bとキャビティ基板2上の共通電極27とが接続されている。
個別電極31は、リード部31aと、フレキシブル配線基板(図示せず)に接続される端子部31bとを備えている。端子部31bは、配線のためにキャビティ基板2の末端部が開口された電極取り出し部41内に露出している。そして、ICドライバ等の駆動制御回路40を介して、各個別電極31の端子部31bとキャビティ基板2上の共通電極27とが接続されている。
次に、上記のように構成したインクジェットヘッド10の動作を説明する。駆動制御回路40が駆動され、個別電極31に電荷を供給してこれを正に帯電させると、振動板22は負に帯電し、個別電極31と振動板22の間に静電気力が発生する。この静電気力によって、振動板22は個別電極31に引き寄せられて撓む。これによって、吐出室21の容積が増大する。個別電極31への電荷の供給を止めると、振動板22はその弾性力により元に戻り、その際、吐出室21の容積が急激に減少して、そのときの圧力により吐出室21内のインクの一部がインク滴としてノズル孔11より吐出する。振動板22が次に同様に変位すると、インクがリザーバ24からオリフィス23を通って吐出室21内に補給される。
上記のように構成されたインクジェットヘッド10の製造方法について、図3〜図9を用いて説明する。図3は本発明の実施の形態1に係るノズル基板1を示す上面図、図4〜図5はノズル基板1の製造工程を示す断面図(図3をイ−イ線で切断した断面図)、図6〜図7はキャビティ基板2と電極基板3との接合工程を示す断面図、図8はキャビティ基板2と電極基板3との接合基板にノズル基板1を接合してインクジェットヘッド10を製造する製造工程を示す断面図である。
まず、ノズル基板1の製造工程を、図4〜図5を用いて説明する。なお、図4、図5では、ノズル孔形成部及びダミーパターン形成部近傍を模式的に示している。
(a) まず、基板厚み180μmのシリコン基材100を用意し、熱酸化装置にセットし、酸化温度1075℃、酸化時間4時間、酸素と水蒸気の混合雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、図4(a)に示すように、シリコン基材100表面に膜厚1μmのSiO2 膜101を均一に成膜する。
(a) まず、基板厚み180μmのシリコン基材100を用意し、熱酸化装置にセットし、酸化温度1075℃、酸化時間4時間、酸素と水蒸気の混合雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、図4(a)に示すように、シリコン基材100表面に膜厚1μmのSiO2 膜101を均一に成膜する。
(b) シリコン基材100の両面にレジスト(図示せず)をコーティングし、接合面1aにノズル孔11となる部分110(第2のノズル孔11bとなる部分110b)およびダミーパターンA,Bとなる部分(ダミーパターンAの第2のダミー孔50bとなる部分500b、及びダミーパターンBの第2のダミー孔60bとなる部分600b)をパターニングし、緩衝フッ酸水溶液(フッ酸水溶液:フッ化アンモニウム水溶液=1:6)でハーフエッチングし、SiO2 膜2を薄くする。レジストを剥離後、再度、シリコン基材100の両面にレジスト(図示せず)をコーティングし、接合面1aにノズル孔11となる部分110(第1のノズル孔11aとなる部分110a)およびダミーパターンBとなる部分(ダミーパターンBの第1のダミー孔60aとなる部分600b)をパターニングし、緩衝フッ酸水溶液(フッ酸水溶液:フッ化アンモニウム水溶液=1:6)でエッチングし、SiO2 膜101を開口する。SiO2 膜101の開口が終わったら、両面のレジストを剥離する。こうして、図4(b)に示すように、SiO2 膜101のハーフエッチング及び開口が行われる。
(c) ICPドライエッチング装置により、SiO2 膜101の開口部を、深さ25μmで垂直に異方性ドライエッチングし、ノズル孔11の第1のノズル孔11aおよびダミーパターンBの第1のダミー孔60aを形成する。この場合のエッチングガスとしては、例えば、C4 F8 、SF6 を使用し、これらのエッチングガスを交互に使用すればよい。ここで、C4 F8 は形成される溝の側面にエッチングが進行しないように溝側面を保護するために使用し、SF6 はシリコン基材100の垂直方向のエッチングを促進させるために使用する。
次に、第2のノズル孔11bとなる部分110b、ダミーパターンAの第2のダミー孔50bとなる部分500b、ダミーパターンBの第2のダミー孔60bとなる部分600bのSiO2 膜101のみがなくなるように、緩衝フッ酸水溶液でハーフエッチングし、再度ICPドライエッチング装置によりSiO2 膜101の開口部を、深さ40μmで垂直に異方性ドライエッチングする。こうして、図4(c)に示すように、ノズル孔11、及びダミーパタンA,Bを形成する。
次に、第2のノズル孔11bとなる部分110b、ダミーパターンAの第2のダミー孔50bとなる部分500b、ダミーパターンBの第2のダミー孔60bとなる部分600bのSiO2 膜101のみがなくなるように、緩衝フッ酸水溶液でハーフエッチングし、再度ICPドライエッチング装置によりSiO2 膜101の開口部を、深さ40μmで垂直に異方性ドライエッチングする。こうして、図4(c)に示すように、ノズル孔11、及びダミーパタンA,Bを形成する。
(d) シリコン基材100の表面に残るSiO2 膜101をフッ酸水溶液で除去する。その後、シリコン基材100を熱酸化装置にセットし、酸化温度1075℃、酸化時間4時間、水蒸気と酸素の混合雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、図4(d)に示すように、インク吐出面1b、シリコン基材100の接合面1a、ICPドライエッチング装置で加工したノズル孔11(第1のノズル孔11a及び第2のノズル孔11b)、ダミーパターンA(第2のダミー孔50b)及びダミーパターンB(第1のダミー孔60a及び第2のダミー孔60b)の側面、底面に、膜厚1μmのSiO2 膜102を均一に成膜する。
(e) シリコン基材100の両面1a,1bにレジスト(図示せず)をコーティングし、インク吐出凹部1cとなる部分100cをパターニングし、緩衝フッ酸水溶液(フッ酸水溶液:フッ化アンモニウム水溶液=1:6)でエッチングし、図5(e)に示すように、SiO2 膜102を開口し、レジストを剥離する。
(e) シリコン基材100の両面1a,1bにレジスト(図示せず)をコーティングし、インク吐出凹部1cとなる部分100cをパターニングし、緩衝フッ酸水溶液(フッ酸水溶液:フッ化アンモニウム水溶液=1:6)でエッチングし、図5(e)に示すように、SiO2 膜102を開口し、レジストを剥離する。
(f) シリコン基材100を濃度25wt%の水酸化カリウム水溶液に浸漬し、インク吐出凹部1cとなる部分100cをエッチングして、図5(f)に示すように、インク吐出凹部1cを形成する。このとき、エッチング部のシリコン基材100の厚みが60μmとなるようにする。
(g) シリコン基材100の表面のSiO2 膜102をフッ酸水溶液等で除去し、図5(g)に示すようなノズル基板1が完成する。
こうすることで、ノズル孔11(第1のノズル孔11a)と同時に形成したダミーパターンB(第1のダミー孔60a)、およびノズル孔11(第2のノズル孔11b)と同時に形成したダミーパターンA(第2のダミー孔50b)、ダミーパターンB(第2のダミー孔60b)を含むノズル基板1が作成される。
(g) シリコン基材100の表面のSiO2 膜102をフッ酸水溶液等で除去し、図5(g)に示すようなノズル基板1が完成する。
こうすることで、ノズル孔11(第1のノズル孔11a)と同時に形成したダミーパターンB(第1のダミー孔60a)、およびノズル孔11(第2のノズル孔11b)と同時に形成したダミーパターンA(第2のダミー孔50b)、ダミーパターンB(第2のダミー孔60b)を含むノズル基板1が作成される。
(h) ノズル孔11、ダミーパターンA,Bが形成されて、ノズル基板1が完成したあと、ダミーパターンA,Bを用いて、ノズル基板1に形成されたノズル孔11のノズルパターンの精度を電子顕微鏡などによって測定する(図示せず)。
測定に際して、ノズル孔11(第1のノズル孔11a、第2のノズル孔11b)の深さ及び孔径は、これと同じ形状に形成したダミーパターンB(第1のダミー孔60a、第2のダミー孔60b)、ダミーパターンA(第2のダミー孔50b)を用いて測定することができる。
測定に際して、ノズル孔11(第1のノズル孔11a、第2のノズル孔11b)の深さ及び孔径は、これと同じ形状に形成したダミーパターンB(第1のダミー孔60a、第2のダミー孔60b)、ダミーパターンA(第2のダミー孔50b)を用いて測定することができる。
これらのダミーパターンA,Bはノズル孔11と同時に形成しているため、仮にサイズを変更したとしても、高い相関を保ったままパターンを形成することができる。そのため、ノズル孔長を測定することが困難なノズル孔径が小さいノズル基板1を作成したとしても、径の大きいダミーパターンを作成することにより精度良くノズル孔長を測定することが可能となる。
このように、ダミーパターンA,Bを用いてノズル孔11を測定することで、非破壊で精度良く微小なノズル孔11の深さ及び孔径を測定することが可能となる。
以上の工程を経ることにより、シリコン基材100から高精度のノズル孔11を備えたノズル基板1を得ることができる。
このように、ダミーパターンA,Bを用いてノズル孔11を測定することで、非破壊で精度良く微小なノズル孔11の深さ及び孔径を測定することが可能となる。
以上の工程を経ることにより、シリコン基材100から高精度のノズル孔11を備えたノズル基板1を得ることができる。
次に、キャビティ基板2及び電極基板3の接合工程を、図6、図7を用いて説明する。なお、キャビティ基板2及び電極基板3の接合工程は、図6、図7に示されるものに限定されるものではない。
(a) まず、図6(a)に示すように、ホウ珪酸ガラス等からなるガラス基材300を、例えば金・クロムのエッチングマスクを使用して、フッ酸によってエッチングすることにより、凹部310を形成する。なお、この凹部310は電極31の形状より少し大きい溝状のものであって、複数形成する。
そして、凹部310の内部に、スパッタによってITO(Indium Tin Oxide)からなる電極31を形成する。その後、ドリル等によってインク供給孔25となる孔部25aを形成する。
(a) まず、図6(a)に示すように、ホウ珪酸ガラス等からなるガラス基材300を、例えば金・クロムのエッチングマスクを使用して、フッ酸によってエッチングすることにより、凹部310を形成する。なお、この凹部310は電極31の形状より少し大きい溝状のものであって、複数形成する。
そして、凹部310の内部に、スパッタによってITO(Indium Tin Oxide)からなる電極31を形成する。その後、ドリル等によってインク供給孔25となる孔部25aを形成する。
(b) 次に、シリコン基材200の両面を鏡面研磨した後に、図6(b)に示すように、シリコン基材200の片面にプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition )によってTEOS(TetraEthylOrthosilicate )からなるシリコン酸化膜201を形成する。なお、シリコン酸化膜201を形成する前に、エッチングストップのためのボロンドープ層を形成するようにしてもよい。振動板22をボロンドープ層から形成することにより、厚み精度の高い振動板22を形成することができる。
(c) それから、図6(c)に示すように、図6(b)に示すシリコン基材200と、図6(a)に示すガラス基材300を例えば360℃に加熱し、シリコン基材200に陽極、ガラス基材300に陰極を接続して、800V程度の電圧を印加して陽極接合を行う。
(d) シリコン基材200とガラス基材300を陽極接合した後に、水酸化カリウム水溶液等で図6(c)の工程で得られた接合基板をエッチングすることにより、図6(d)に示すように、シリコン基材200の全体を薄板化する。
(c) それから、図6(c)に示すように、図6(b)に示すシリコン基材200と、図6(a)に示すガラス基材300を例えば360℃に加熱し、シリコン基材200に陽極、ガラス基材300に陰極を接続して、800V程度の電圧を印加して陽極接合を行う。
(d) シリコン基材200とガラス基材300を陽極接合した後に、水酸化カリウム水溶液等で図6(c)の工程で得られた接合基板をエッチングすることにより、図6(d)に示すように、シリコン基材200の全体を薄板化する。
(e) それから、シリコン基材200の上面(ガラス基材300が接合されている面の反対面)の全面に、プラズマCVDによってTEOS膜を形成する。
そしてこのTEOS膜に、吐出室21となる凹部210、リザーバ24となる凹部240及びオリフィス23となる凹部230となる部分を形成するためのレジストをパターニングし、この部分のTEOS膜をエッチング除去する。
その後、図7(e)に示すように、シリコン基材200を水酸化カリウム水溶液等でエッチングすることにより、吐出室21となる凹部210、リザーバ24となる凹部240及びオリフィス23となる凹部230を形成する。このとき、電極取出し部41となる部分41aもエッチングして薄板化しておく。なお、図7(e)のウェットエッチング工程では、例えば初めに35重量%の水酸化カリウム水溶液を使用し、その後3重量%の水酸化カリウム水溶液を使用することができる。これにより、振動板22の面荒れを抑制することができる。
そしてこのTEOS膜に、吐出室21となる凹部210、リザーバ24となる凹部240及びオリフィス23となる凹部230となる部分を形成するためのレジストをパターニングし、この部分のTEOS膜をエッチング除去する。
その後、図7(e)に示すように、シリコン基材200を水酸化カリウム水溶液等でエッチングすることにより、吐出室21となる凹部210、リザーバ24となる凹部240及びオリフィス23となる凹部230を形成する。このとき、電極取出し部41となる部分41aもエッチングして薄板化しておく。なお、図7(e)のウェットエッチング工程では、例えば初めに35重量%の水酸化カリウム水溶液を使用し、その後3重量%の水酸化カリウム水溶液を使用することができる。これにより、振動板22の面荒れを抑制することができる。
(f) シリコン基材200のエッチングが終了した後に、接合基板をフッ酸水溶液でエッチングしてシリコン基材200に形成されたTEOS膜を除去する。そして、図7(f)に示すように、ガラス基材300のインク供給孔25となる孔部25aにレーザー加工を施し、インク供給孔25がガラス基材300を貫通するようにする。こうして、電極基板3が製造される。
(g) 次に、シリコン基材200の吐出室21となる凹部21a等の形成された面に、図7(g)に示すように、例えばCVDによってTEOS等からなる液滴保護膜202を形成する。
(h) それから、図7(h)に示すように、RIE(Reactive Ion Etching)等によって電極取出し部41を開放する。また、シリコン基材200に機械加工又はレーザー加工を行って、インク供給孔25をリザーバ24となる凹部240まで貫通させる。これにより、キャビティ基板2と電極基板3が接合された接合基板が完成する。
なお、電極取出し部41に、振動板22と電極31の間の空間を封止するための封止剤(図示せず)を塗布するようにしてもよい。
(g) 次に、シリコン基材200の吐出室21となる凹部21a等の形成された面に、図7(g)に示すように、例えばCVDによってTEOS等からなる液滴保護膜202を形成する。
(h) それから、図7(h)に示すように、RIE(Reactive Ion Etching)等によって電極取出し部41を開放する。また、シリコン基材200に機械加工又はレーザー加工を行って、インク供給孔25をリザーバ24となる凹部240まで貫通させる。これにより、キャビティ基板2と電極基板3が接合された接合基板が完成する。
なお、電極取出し部41に、振動板22と電極31の間の空間を封止するための封止剤(図示せず)を塗布するようにしてもよい。
次に、ノズル基板1、キャビティ基板2及び電極基板3の接合工程を、図8を用いて以下に説明する。
図8に示すように、ノズル基板1の接合面1aに接着剤層を形成し、電極基板3が接合されたキャビティ基板2と、ノズル基板1とを接合する。
以上の製造工程を経ることにより、ノズル基板1、キャビティ基板2及び電極基板3の接合体が完成される。
最後に、ノズル基板1、キャビティ基板2、電極基板3が接合された接合基板をダイシング(切断)により分離して、インクジェットヘッド10が完成する。
図8に示すように、ノズル基板1の接合面1aに接着剤層を形成し、電極基板3が接合されたキャビティ基板2と、ノズル基板1とを接合する。
以上の製造工程を経ることにより、ノズル基板1、キャビティ基板2及び電極基板3の接合体が完成される。
最後に、ノズル基板1、キャビティ基板2、電極基板3が接合された接合基板をダイシング(切断)により分離して、インクジェットヘッド10が完成する。
本発明は、実施の形態1に示すように、1枚のノズル基板1にノズル測定専用のダミーパターンA,Bを実パターンであるノズル孔11と同時に形成したので、ノズルパターンを高精度で測定することができる。こうして、ノズル孔11のノズル孔径やノズル孔長を高精度に測定することが可能なため、安定した特性を持つインクジェットヘッド10を歩留まり良く製造することが可能となる。
実施の形態2.
図9は、本発明の実施の形態2に係るインクジェットヘッド10のノズル基板1を示す断面図である。実施の形態1ではノズル基板1にノズル測定専用のダミーパターンA,Bを形成したが、本実施の形態2では、ダミーパターンA,Bの表面に高反射率材を設けたものである。
すなわち、実施の形態1では、ノズル基板1の接合面1a側にダミーパターンA,Bが設けられているが(図2、図5(g))、本実施の形態2では、図9に示すように、ダミーパターンA,Bの表面に高反射率材70を形成して輪郭を強調したもので、ダミーパターンA,Bを用いてノズル孔11のパターンを測定する際に、ノズル孔11のパターンをより高精度に測定できるようにしたものである。
この場合、ダミーパターンA,Bの輪郭を強調するために、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、金(Au)などの金属の高反射率材70を、ダミーパターンA,Bの部分のみに選択スパッタするようにしたものである。
図9は、本発明の実施の形態2に係るインクジェットヘッド10のノズル基板1を示す断面図である。実施の形態1ではノズル基板1にノズル測定専用のダミーパターンA,Bを形成したが、本実施の形態2では、ダミーパターンA,Bの表面に高反射率材を設けたものである。
すなわち、実施の形態1では、ノズル基板1の接合面1a側にダミーパターンA,Bが設けられているが(図2、図5(g))、本実施の形態2では、図9に示すように、ダミーパターンA,Bの表面に高反射率材70を形成して輪郭を強調したもので、ダミーパターンA,Bを用いてノズル孔11のパターンを測定する際に、ノズル孔11のパターンをより高精度に測定できるようにしたものである。
この場合、ダミーパターンA,Bの輪郭を強調するために、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、金(Au)などの金属の高反射率材70を、ダミーパターンA,Bの部分のみに選択スパッタするようにしたものである。
本実施の形態2に係るノズル基板1の製造工程は、実施の形態1に示したノズル基板1の製造工程(a)〜(g)の(g)工程の後に、さらに図9に示す製造工程を加えたもので、ダミーパターンA,Bの部分のみに金属膜を選択的にスパッタリングで成膜し、高反射率材70を形成する。
こうすることにより、電子顕微鏡でノズル孔径を測定するときに発生するチャージアップを防ぐことができるため、精度良くノズル孔径を測定することが可能である。
実施の形態2によれば、高精度でノズル孔径およびノズル孔長を測定することが可能なため、安定した特性を持つノズル基板1を備えたインクジェットヘッド10を歩留まり良く作成することが可能となる。
こうすることにより、電子顕微鏡でノズル孔径を測定するときに発生するチャージアップを防ぐことができるため、精度良くノズル孔径を測定することが可能である。
実施の形態2によれば、高精度でノズル孔径およびノズル孔長を測定することが可能なため、安定した特性を持つノズル基板1を備えたインクジェットヘッド10を歩留まり良く作成することが可能となる。
実施形態3.
図10は、本発明の実施の形態3に係るインクジェットプリンタの斜視図である。本発明によれば、安定した特性を持つインクジェットヘッド10を歩留まり良く作成することが可能となり、かかるインクジェットヘッド10を用いて、図10に示すような高度なノズル孔径精度を要求されるインクジェットプリンタ500を得ることができる。
なお、実施形態1、2の製造方法で得られたインクジェットヘッド10は液滴吐出ヘッドの一例であって、液滴を種々変更することによって、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機EL表示装置の発光部分の形成、生体液体の吐出等の微小液滴吐出装置にも適用することができる。
図10は、本発明の実施の形態3に係るインクジェットプリンタの斜視図である。本発明によれば、安定した特性を持つインクジェットヘッド10を歩留まり良く作成することが可能となり、かかるインクジェットヘッド10を用いて、図10に示すような高度なノズル孔径精度を要求されるインクジェットプリンタ500を得ることができる。
なお、実施形態1、2の製造方法で得られたインクジェットヘッド10は液滴吐出ヘッドの一例であって、液滴を種々変更することによって、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機EL表示装置の発光部分の形成、生体液体の吐出等の微小液滴吐出装置にも適用することができる。
1、 孔径を大きくして形成したダミーパターンAを画像測定機を用いて深さ測定して、真値と比較した結果は以下の通りであった。
第2のノズル孔11bの深さは、直接測定できない第1のノズル孔11aのノズル長さを算出するために重要な計測値であるが、第2のノズル孔11bが小さくなるとその底面にピントを合わせて測定することが非常に困難になる。そこで、ダミーパターンAの深さをミツトヨ製三次元画像測定機QVT404−PROを用いて測定した。また、第2のノズル孔11bの深さは、割った断面を日立製作所製電子顕微鏡S−4700を用いてその真値を測定した。なお、本実施例1では、ダミーパターンAの直径は29.56μm、第2のノズル孔11bの直径は20.8μmとした。
それぞれの深さ測定の結果を、表1に示す(単位はμm)。
第2のノズル孔11bの深さは、直接測定できない第1のノズル孔11aのノズル長さを算出するために重要な計測値であるが、第2のノズル孔11bが小さくなるとその底面にピントを合わせて測定することが非常に困難になる。そこで、ダミーパターンAの深さをミツトヨ製三次元画像測定機QVT404−PROを用いて測定した。また、第2のノズル孔11bの深さは、割った断面を日立製作所製電子顕微鏡S−4700を用いてその真値を測定した。なお、本実施例1では、ダミーパターンAの直径は29.56μm、第2のノズル孔11bの直径は20.8μmとした。
それぞれの深さ測定の結果を、表1に示す(単位はμm)。
このようにダミーパターンAを用いて測定することで、非破壊で精度良く微小なノズル孔11の深さを測定することが可能となる。
2、 測長SEMでダミーパターンBの孔径を測定して、真値と比較した結果は以下の通りであった。
第1のノズル孔11aの孔径およびダミーパターンBの第1のダミー孔60aの孔径を、日立製作所製測長電子顕微鏡S−6100を用いて測定した。また、真値を測定するために、第1のノズル孔11aにもAuを20nmスパッタリングで成膜して測定した。
それぞれの深さ測定の結果を、表2に示す(単位はμm)。
第1のノズル孔11aの孔径およびダミーパターンBの第1のダミー孔60aの孔径を、日立製作所製測長電子顕微鏡S−6100を用いて測定した。また、真値を測定するために、第1のノズル孔11aにもAuを20nmスパッタリングで成膜して測定した。
それぞれの深さ測定の結果を、表2に示す(単位はμm)。
このようにダミーパターンBを用いて測定することで、非破壊で精度良く微小なノズル孔11の孔径を測定することが可能となる。
1 ノズル基板(一の基板)、1a ノズル基板の接合面(内壁)、1c インク吐出凹部、1e 吐出凹面、2 キャビティ基板、3 電極基板、10 インクジェットヘッド(液滴吐出ヘッド)、11 ノズル孔、11a 第1のノズル孔(小径孔)、11b 第2のノズル孔(大径孔)、21 吐出室、22 振動板、24 リザーバ(液体供給部)、31 個別電極、50b 第2のダミー孔(大径孔)、60a 第1のダミー孔(小径孔)、60b 第2のダミー孔(大径孔)、70 高反射率材、100 シリコン基材、500 インクジェットプリンタ(液滴吐出装置)、A,B ダミーパターン。
Claims (11)
- 液滴を吐出するノズル孔と、該ノズル孔と連通する吐出室と、該吐出室に液を供給する液体供給部と、前記吐出室の壁面の一部に形成された振動板と、該振動板と対向配置された個別電極とを備え、複数の基板を積層してなる液滴吐出ヘッドであって、
一の基板に、前記ノズル孔と共に該ノズル孔の孔径または孔長を測定するためのダミーパターンが設けられたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。 - 前記ダミーパターンが前記一の基板の内壁側に設けられたことを特徴とする請求項1記載の液滴吐出ヘッド。
- 前記ダミーパターンが前記ノズル孔の形状と同形状に形成されたことを特徴とする請求項1または2記載の液滴吐出ヘッド。
- 前記ダミーパターンの孔径が前記ノズル孔の孔径よりも大きく形成されたことを特徴とする請求項1または2記載の液滴吐出ヘッド。
- 前記ダミーパターンの表面に高反射率材が設けられたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の液滴吐出ヘッド。
- 前記高反射率材は金属であることを特徴とする請求項5記載の液滴吐出ヘッド。
- 前記高反射率材は、白金、アルミニウム、ニッケル、クロム、金、銅、チタンのいずれかであることを特徴とする請求項6記載の液滴吐出ヘッド。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
- 液滴を吐出するノズル孔と、該ノズル孔と連通する吐出室と、該吐出室に液を供給する液体供給部と、前記吐出室の壁面の一部に形成された振動板と、該振動板と対向配置された個別電極とを備え、複数の基板を積層してなる液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
一の基材をエッチングし、前記ノズル孔と共に該ノズル孔の孔径または孔長を測定するためのダミーパターンを同時に形成して一の基板を形成する工程を含むことを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。 - 前記一の基板に形成した前記ダミーパターンを用いて前記ノズル孔の孔径または孔長を測定する工程を含むことを特徴とする請求項9記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 請求項9または10に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用して液滴吐出装置を製造することを特徴とする液滴吐出装置の製造方法。
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JP2006078185A JP2007253373A (ja) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | 液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009137157A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド及びその製造寸法管理方法 |
JP2010208122A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Seiko Epson Corp | ノズル基板の製造方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法 |
WO2022270086A1 (ja) * | 2021-06-21 | 2022-12-29 | 株式会社Sijテクノロジ | ノズルヘッド、ノズルヘッドの製造方法および液滴吐出装置 |
-
2006
- 2006-03-22 JP JP2006078185A patent/JP2007253373A/ja not_active Withdrawn
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