JP2007250755A5 - - Google Patents
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- 保護コーティングを施した内筒型のインナ部品を内壁に配置した反応室と、
該反応室内に配置され、その試料載置面に絶縁被膜により絶縁された静電吸着用電極を
備えた試料台と、
前記反応室に処理ガスを分散して導入するガス放出板を備えたガス導入手段と、
前記反応室内に導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラ
ズマ生成用高周波電源と、
前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源と、
前記静電吸着用の直流電圧を前記静電吸着用電極に印加する静電吸着用電源とを備え、
前記生成したプラズマにより試料載置台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズ
マ処理装置において、
前記静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ、
プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生
成側インピーダンスモニタ、
バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側
インピーダンスモニタ、および
前記モニタで計測したモニタ値に基づいて、前記インナ部品における異常放電、静電吸
着用電極を絶縁する試料台の絶縁劣化、前記ガス放出板における異常放電の有無の何れか
を判定する制御装置を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、吸着電流モニタのモニタ値がパルス状に急増し、プラズマ生成側イン
ピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がないと
き、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴とす
るプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、
前記制御装置は、プラズマ電位モニタのモニタ値がパルス状に急減し、プラズマ生成側
インピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がな
いとき、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、バイアス印加側インピーダンスモニタ、および吸着電流モニタのモニ
タ値が矩形波状に変化し、プラズマ生成側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がない
とき、試料台の異常放電ありを判定することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
バイアス用高周波電源のピークツーピーク電圧モニタするピークツーピーク電圧モニタ
を備え、前記制御装置は、バイアス印加側インピーダンスモニタ、吸着電流モニタ、およ
びピークツーピーク電圧モニタのモニタ値が矩形波状に変化し、プラズマ生成側インピー
ダンスモニタのモニタ値に変化がないとき、試料台の異常放電ありを判定することを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
バイアス用高周波電源のピークツーピーク電圧モニタするピークツーピーク電圧モニタ
を備え、前記制御装置は、前記プラズマ生成側インピーダンスモニタ、バイアス印加側イ
ンピーダンスモニタ、ピークツーピーク電圧モニタ、および吸着電流モニタのモニタ値が
矩形波状に変化したとき、前記ガス放出板の異常放電ありを判定することを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記インナ部品の交換後毎における吸着電流モニタのモニタ値の履歴
をもとに吸着用電極を絶縁する絶縁被膜の絶縁劣化を判定することを特徴とするプラズマ
処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ電位
のモニタ値が所定値を超えたとき、前記静電吸着用電源の出力電圧を低減して前記インナ
部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、吸着電流モニタがパルス状の電流を検出したとき静電吸着用電源の出力電圧を低減してプラズマ電位を低下させ前記インナ部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 保護コーティングを施した内筒型のインナ部品を内壁に配置した反応室と、
該反応室内に配置され、その試料載置面に絶縁被膜により絶縁された静電吸着用電極を
備えた試料台と、
前記反応室に処理ガスを分散して導入するガス放出板を備えたガス導入手段と、
前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源と、
前記試料台に高周波電圧を印加して前記反応室内に導入した処理ガスに高周波エネルギ
を供給してプラズマを生成するプラズマ生成用高周波電源と、
前記静電吸着用の直流電圧を前記静電吸着用電極に印加する静電吸着用電源とを備え、
前記生成したプラズマにより試料載置台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズ
マ処理装置において、
前記静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ、
プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生
成側インピーダンスモニタ、
バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側
インピーダンスモニタ、および
前記モニタで計測したモニタ値に基づいて、前記インナ部品における異常放電、静電吸
着用電極を絶縁する試料台の絶縁劣化の有無の何れかを判定する制御装置を備えたことを
特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項10記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、吸着電流モニタのモニタ値がパルス状に急増し、プラズマ生成側イン
ピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がないと
き、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴とす
るプラズマ処理装置。 - 請求項10記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ生成
側インピーダンスモニタ、バイアス印加側インピーダンスモニタ、吸着電流モニタ、およ
びプラズマ電位モニタのモニタ値がパルス状に変化したとき、試料台の異常放電ありを判
定することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項10記載のプラズマ処理装置において、
バイアス用高周波電源のピークツーピーク電圧モニタするピークツーピーク電圧モニタ
を備え、前記制御装置は、プラズマ生成側インピーダンスモニタ、バイアス印加側インピ
ーダンスモニタ、吸着電流モニタ、およびピークツーピーク電圧モニタのモニタ値が矩形
波状に変化したとき、試料台の異常放電ありを判定することを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 請求項10記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記インナ部品の交換後毎における吸着電流モニタのモニタ値の履歴
をもとに吸着用電極を絶縁する絶縁被膜の絶縁劣化を判定することを特徴とするプラズマ
処理装置。 - 請求項10記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ電位
のモニタ値が所定値を超えたとき、前記静電吸着用電源の出力電圧を低減して前記インナ
部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 保護コーティングを施した内筒型のインナ部品を内壁に配置した反応室と、
該反応室内に配置され、その試料載置面に絶縁被膜により絶縁された静電吸着用電極を
備えた試料台と、
前記反応室の中央部に処理ガスを導入するためのガス放出口を形成した誘電体真空窓を
備えたガス導入手段と、
前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源と、
前記反応室上部の前記誘電体真空窓上にループ状のアンテナを備え、該アンテナを介し
て処理室内に高周波電磁界を印加して前記反応室内に導入した処理ガスに高周波エネルギ
を供給してプラズマを生成するプラズマ生成用高周波電源と、
前記静電吸着用の直流電圧を前記静電吸着用電極に印加する静電吸着用電源とを備え、
前記生成したプラズマにより試料載置台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズ
マ処理装置において、
前記静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ、
プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生
成側インピーダンスモニタ、
バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側
インピーダンスモニタ、および
前記モニタで計測したモニタ値に基づいて、前記インナ部品における異常放電、静電吸
着用電極を絶縁する試料台の絶縁劣化、前記誘電体真空窓の摩耗の有無の何れかを判定す
る制御装置を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項16記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記吸着電流モニタのモニタ値がパルス状に急増し、プラズマ生成側
インピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がな
いとき、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 請求項16記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記インナ部品の交換後毎における吸着電流モニタのモニタ値の履歴
をもとに吸着用電極を絶縁する絶縁被膜の絶縁劣化を判定することを特徴とするプラズマ
処理装置。 - 請求項16記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ電位
のモニタ値が所定値を超えたとき、前記静電吸着用電源の出力電圧を低減して前記インナ
部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項16記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、プラズマ生成側インピーダンスモニタのモニタ値の変化に基づいて前
記誘電体真空窓の厚みの減少を判定することを特徴とするプラズマ処理装置。
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KR20100043143A (ko) * | 2007-08-21 | 2010-04-28 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 방전 상태 감시 장치 |
JP5026916B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2012-09-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US7910853B2 (en) * | 2008-02-28 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc | Direct real-time monitoring and feedback control of RF plasma output for wafer processing |
JP5397215B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-01-22 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム |
JP2012175001A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 制御装置、プラズマ処理装置、及び制御方法 |
KR101206744B1 (ko) | 2011-02-28 | 2012-11-30 | 성균관대학교산학협력단 | 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치, 박막 두께 측정 방법 및 그 기록 매체 |
DE102012205616B4 (de) * | 2012-04-04 | 2016-07-14 | Siltronic Ag | Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung |
JP6072462B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2017-02-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびマイクロ波出力装置 |
CN104733364B (zh) * | 2013-12-23 | 2017-11-03 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种静电夹盘 |
KR102021961B1 (ko) | 2014-01-13 | 2019-11-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 관리방법 |
US9412606B2 (en) * | 2014-02-14 | 2016-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Target dimension uniformity for semiconductor wafers |
JP6226777B2 (ja) * | 2014-03-06 | 2017-11-08 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置の異常放電予知方法及び装置、並びに異常放電予知機能付きプラズマ処理装置 |
JP6321579B2 (ja) * | 2015-06-01 | 2018-05-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理システム、基板処理装置及びプログラム |
US11417501B2 (en) * | 2015-09-29 | 2022-08-16 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
GB201615114D0 (en) * | 2016-09-06 | 2016-10-19 | Spts Technologies Ltd | A Method and system of monitoring and controlling deformation of a wafer substrate |
WO2019156911A1 (en) * | 2018-02-07 | 2019-08-15 | The Government Of The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Non-invasive method for probing plasma impedance |
CN111771269A (zh) * | 2018-02-23 | 2020-10-13 | 朗姆研究公司 | 不断开高功率电路的电容测量 |
KR102552386B1 (ko) | 2018-02-23 | 2023-07-05 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 프로세싱 툴에서 rf 전류 측정 |
US11437262B2 (en) * | 2018-12-12 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc | Wafer de-chucking detection and arcing prevention |
US20200266037A1 (en) | 2019-02-14 | 2020-08-20 | Advanced Energy Industries, Inc. | Maintenance for remote plasma sources |
JP7374023B2 (ja) * | 2020-03-09 | 2023-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及びプラズマ処理装置 |
CN111413545B (zh) * | 2020-04-20 | 2023-01-31 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 车载充电机的绝缘阻抗检测电路和绝缘阻抗检测方法 |
JP7249315B2 (ja) * | 2020-06-26 | 2023-03-30 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
JP2022088076A (ja) * | 2020-12-02 | 2022-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 配線異常の検知方法及びプラズマ処理装置 |
CN114695044A (zh) * | 2020-12-29 | 2022-07-01 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种基座组件以及等离子体处理设备 |
US11669079B2 (en) * | 2021-07-12 | 2023-06-06 | Tokyo Electron Limited | Tool health monitoring and classifications with virtual metrology and incoming wafer monitoring enhancements |
CN113991629B (zh) * | 2021-11-05 | 2022-07-12 | 汇网电气有限公司 | 一种消除小间隙放电的方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3167820B2 (ja) * | 1993-01-29 | 2001-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 異常放電検出方法 |
KR100290748B1 (ko) * | 1993-01-29 | 2001-06-01 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
JPH08330095A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP3458548B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2003-10-20 | 日新電機株式会社 | ワーク電位の測定方法 |
US5810963A (en) * | 1995-09-28 | 1998-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and method |
JPH09106899A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Anelva Corp | プラズマcvd装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法 |
US5737177A (en) * | 1996-10-17 | 1998-04-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for actively controlling the DC potential of a cathode pedestal |
US6184687B1 (en) * | 1997-10-20 | 2001-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma process end point determination method and apparatus, and plasma evaluation method and apparatus |
JP3812232B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2006-08-23 | 日新電機株式会社 | 多結晶シリコン薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
US6230651B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
TW483037B (en) * | 2000-03-24 | 2002-04-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor manufacturing apparatus and method of processing semiconductor wafer using plasma, and wafer voltage probe |
JP4590031B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2010-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置機構 |
JP3689732B2 (ja) * | 2001-12-05 | 2005-08-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の監視装置 |
JP3977114B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | プラズマ処理装置 |
JP2003282545A (ja) | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置 |
US7557591B2 (en) * | 2002-03-28 | 2009-07-07 | Tokyo Electron Limited | System and method for determining the state of a film in a plasma reactor using an electrical property |
JP5404984B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 |
JP2004355330A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Fujitsu Ltd | 診断装置及び診断方法 |
JP4695362B2 (ja) * | 2004-08-16 | 2011-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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