JP2007250620A

JP2007250620A - 基板の割断方法、および電気光学装置の製造方法

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Publication number: JP2007250620A
Application number: JP2006068832A
Authority: JP
Inventors: Masami Chabata; 昌美茶畑
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-03-14
Filing date: 2006-03-14
Publication date: 2007-09-27

Abstract

【課題】割断切断線上に導電パターンが形成されている場合でも基板を好適に割断することのできる基板の割断方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０の割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿ってレーザビームＬＢを照射した後、レーザビームＬＢの照射領域を冷却剤ＬＣで冷却して基板１０を割断するにあたって、基板１０の表面１０ａ側に保護フィルム５を貼った後、裏面１０ｂ側を上向きにして基板１０をステージ４上に載置し、この状態で、レーザビームＬＢを上方から基板１０の裏面１０ｂに向けて照射する。このため、基板１０の表面１０ａにおいて、割断予定線Ｌ１、Ｌ２上に導電パター１１、１２が形成されている場合でも、レーザビームＬＢで基板１０を確実に加熱でき、好適に割断できる。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板に対して局部的なレーザ照射および冷却を施して当該基板を割断する基板の割断方法、およびこの方法を用いた電気光学装置の製造方法に関するものである。

ガラスなどといった脆性材料からなる基板を割断するのに適した方法として、基板の割断予定線に沿ってレーザビームを局所的に照射した後、このレーザビームの照射領域を局所的に冷却して割断予定線に沿って基板を割断する方法が提案されている。このような割断方法は、局部的なレーザ照射および冷却により、基板に亀裂を発生させるとともに、レーザ照射位置および冷却位置を移動させることにより、基板を割断する方法である（特許文献１参照）。
米国特許第５６０９２８４号明細書

しかしながら、液晶装置、エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置などの電気光学装置に用いられる基板（電気光学装置用基板）は、通常、大型基板の表面に信号線や電極を形成した後、所定サイズに割断されるため、割断切断線上には、信号線や電極などと同時形成された導電パターンが形成されていることが多い。このため、基板の表面に対して、割断予定線に沿ってレーザ照射を行った際、照射されたレーザ光の一部が導電パターンにより反射されてしまい、基板の表面に与えられた熱が基板の内部や裏面まで十分に伝わらないことがある。このような事態が発生すると、基板の表面に比べて内部および裏面での熱応力が弱くなってしまい、基板を表面から裏面まで完全に割断することができない。その結果、基板の表面のみが割断され、基板にマイクロクラックが発生するという問題点がある。このようなマイクロクラックは、それが起点となって基板が割れる原因となるため好ましくない。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、割断切断線上に導電パターンが形成されている場合でも基板を好適に割断することのできる基板の割断方法、および電気光学装置の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、基板の割断予定線に沿ってレーザビームを照射した後、当該レーザビームの照射領域を冷却して当該割断予定線に沿って前記基板を割断する方法において、前記基板の表面および裏面のうち、表面には前記割断予定線上の少なくとも一部に導電パターンが形成されており、前記基板に前記レーザビームを照射する際には、当該レーザビームを前記基板の裏面から照射することを特徴とする。

本発明では、基板の割断予定線に沿ってレーザビームを照射した後、当該レーザビームの照射領域を冷却して当該割断予定線に沿って亀裂を発生させ、基板を割断する。ここで、基板の表面には割断予定線上に導電パターンが形成されているが、レーザビームを基板の裏面から照射するため、照射されたレーザビームが基板を加熱する前に導電パターンにより反射されしまう、という事態が発生しない。従って、基板の裏面側から表面側まで均等に加熱でき、熱応力を発生させることができるので、基板を裏面から表面まで完全に割断することができる。それ故、基板にマイクロクラックが発生することを防止できるので、マイクロクラックが起点となって基板が割れる事態を回避できる。

本発明においては、前記基板に前記レーザビームを照射するにあたって、前記基板の表面側に保護フィルムを貼った後、裏面側を上向きにして前記基板をステージ上に載置した状態で、前記レーザビームを上方から前記基板の裏面に向けて照射する方法を採用することが好ましい。このように構成すると、表面側を下向きにして基板をステージ上に載置した場合でも、基板の表面には保護フィルムが貼られているので、ステージが基板の表面と接触しない。それ故、基板上に形成した信号線や電極がステージとの接触により損傷することを防止することができる。また、基板をステージに載置する構成を採用すると、基板の厚さが例えば、０．５ｍｍ程度の薄いものであっても、撓むことがないという利点がある。

本発明において、前記基板の表面のうち、前記割断予定線と重なる位置の少なくとも一部、および前記基板の周辺部の少なくとも一部に前記保護フィルムを貼る場合がある。この場合、前記保護フィルムのフィルム基材には、前記割断予定線に沿って切れ目を付した状態で前記レーザビームの照射および冷却を行うことが好ましい。このように構成すると、保護フィルムが基板を割断する際の妨げにならない。

本発明において、前記基板の表面のうち、前記割断予定線を避けた位置に前記保護フィルムを貼ることが好ましい。保護フィルムが割断予定線に重なって貼られ、かつ、保護フィルムと基板との間に気泡が存在していると、レーザビームを照射して基板を加熱した際に気泡が膨らんでしまうことがある。このような状態で、保護フィルムを剥がすと、粘着剤が基板の側に張り付いてしまい、残ってしまうなどの弊害が発生するが、割断予定線を避けた位置に保護フィルムを貼れば、このような事態の発生を回避することができる。

本発明において、前記保護フィルムをＵＶ硬化性を備えた粘着剤により前記基板に貼ることが好ましい。このように構成すると、保護フィルムを剥がす際、ＵＶ照射により粘着剤の粘着力が低下するので、粘着剤が基板に残らない。

本発明において、前記保護フィルムは透明あるいは半透明であることが好ましい。このように構成すると、基板の表面でアライメントマークが形成されている位置に保護フィルムを貼った場合に、アライメントマークが遮光性あるいは透光性のいずれの材料から構成されている場合でも、基板を裏面側からみたときにアライメントマークを視認することができる。従って、基板をステージ上に載置する際、このアライメントマークを基準に基板とステージとの位置合わせを行うことができる。

本発明においては、前記基板に前記レーザビームを照射するにあたって、前記割断予定線の下方側を開放状態とする基板支持具上に裏面側を下向きにして前記基板を支持させ、この状態で前記レーザビームを下方から前記基板の裏面に向けて照射する方法を採用してもよい。

本発明に係る基板の割断方法は、電気光学装置の製造方法に適用することができる。この場合、前記基板としての大型の電気光学装置用基板の表面側に少なくとも信号線および電極を形成した後、当該大型の電気光学装置用基板を所定サイズに割断する際に、本発明に係る基板の割断方法を行う。

図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。

［割断対象］
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の割断対象となる基板が使用される電気光学装置の説明図である。図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の割断対象となる基板の表面の構成を示す平面
図、および裏面の構成を示す底面図である。

本発明を適用した割断方法は、例えば、図１（ａ）（ｂ）に示す電気光学装置の製造方法に用いることができる。まず、図１（ａ）に示す電気光学装置１００ｐは有機エレクトロルミネセンス装置であり、この電気光学装置１００ｐに用いられる素子基板１０ｐ上には、複数の走査線１０３ｐと、走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１０６ｐと、これらのデータ線１０６ｐに並列する複数の共通給電線２３ｐと、データ線１０６ｐと走査線１０３ｐとの交点に対応する画素領域１５ｐとが構成されている。データ線１０６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０１ｐが構成され、走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査側駆動回路１０４ｐが構成されている。また、画素領域１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ３１ｐと、この第１のＴＦＴ３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量３３ｐと、この保持容量３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３２ｐと、第２のＴＦＴ３２ｐを介して共通給電線２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線２３ｐから駆動電流が流れ込むエレクトロルミネッセンス素子４０ｐとが構成されている。このように構成した電気光学装置１ｐでは、第１のＴＦＴ３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号が保持容量３３ｐに保持されるので、第１のＴＦＴ３１ｐがオフになっても、第２のＴＦＴ３２ｐのゲート電極３１ｐは画像信号に相当する電位に保持される。それ故、発光素子４０ｐには共通給電線２３ｐから駆動電流が流れ続けるので、発光素子４０ｐは発光し続け、画像を表示することができる。

図１（ｂ）に示す電気光学装置１００ｒは液晶装置であり、この電気光学装置１００ｒに用いられる素子基板１０ｒ上には、マトリクス状に形成された複数の画素１００ａの各々に、画素電極９ａ、および画素電極９ａを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号を供給するデータ線１０６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線１０６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給する。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線１０３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１０３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線１０６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、対向基板（図示せず）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０を付加することがある。

このように電気光学装置１００ｐ、１００ｒに用いられる素子基板１０ｐ、１０ｒには、多数の信号線や電極が形成されている。このような信号線や電極は、例えば、図２（ａ）、に示すように、素子基板１０ｐ、１０ｒを多数取りできる大型の基板１０の状態で、その表面１０に半導体プロセスなどを利用して形成される。また、大型の基板１０は、割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿って割断されて、素子基板１０ｐ、１０ｒに分割される。

ここで、基板１０は、ガラスなどといった脆性材料からなり、後述するように、基板１０の割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿ってレーザビームを照射した後、当該レーザビームの照射領域を冷却して割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿って亀裂を発生させることにより割断される。ここで、基板１０の表面１０ａには、上記の素子、信号線、電極などが形成されているとともに、割断予定線Ｌ１、Ｌ２に重なるように、アライメントマーク、検査用配線、テス
トパターンなどの導電パターン１１、１２がアルミニウムなどの金属膜やＩＴＯ膜などにより形成されている。これに対して、図２（ｂ）に示すように、基板１０の裏面１０ｂには、上記の素子、信号線、電極などは勿論のこと、アライメントマーク、検査用配線、テストパターンなどの導電パターンが一切形成されていない。そこで、本形態では、以下の方法で基板１０を割断する。

［実施の形態１］
図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る割断方法に用いる割断装置の要部の構成を示す説明図、および基板をステージ上に載置した状態の断面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る割断方法を行う際、基板の表面に保護フィルムを貼った状態を示す説明図である。

図３（ａ）、（ｂ）において、本形態で用いた割断装置１は、基板１０の割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿ってレーザビームＬＢを照射して基板１０を局部的に加熱するためのレーザ照射装置２と、レーザ照射装置２により基板１０上で局部的に加熱が行われた領域に向けて冷却剤ＬＣを噴射して、この領域を局部的に冷却する冷却装置３と、基板１０を吸着して保持するステージ４とを備えている。ここで、ステージ４には、レーザ照射装置２および冷却装置３に対して基板１０を矢印Ｙおよび矢印Ｚで示すように相対移動させる駆動装置（図示せず）が構成されている。冷却剤ＬＣは、液体あるいは気体のいずれでもよく、水、アルコール、冷却した窒素ガスなどが用いられる。また、冷却剤ＬＣとしてドライアイスが用いてもよい。レーザ照射装置２としてはＣＯ₂レーザなどが用いられる。

このように構成した割断装置１を用いて基板１０を割断するにあたって、本形態では、まず、図２（ａ）に示す基板１０の表面１０ａの略全体に対して、図４に右下がりの斜線領域で示すように、粘着剤を介して保護フィルム５を貼り、この状態で、裏面１０ｂを上向きにして基板１０をステージ４上に載置する。かかる保護フィルム５を貼る際、気泡が入らないようにする。割断予定線Ｌ１、Ｌ２と重なる領域に気泡が存在していると、次の工程でレーザビームＬＢを照射して基板１０を加熱した際に気泡が膨らんでしまい、保護フィルム５を剥がす際、粘着剤が基板１０の側に張り付いて残ってしまうからである。また、保護フィルム５としては、透明あるいは半透明のものを用いる。

次に、レーザビームＬＢを上方から基板１０の裏面１０ｂに向けて照射するとともに、ステージ４を移動させて、レーザ照射装置２と基板１０とを相対移動させて、レーザビームＬＢを基板１０の割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿って移動させる。その際、冷却装置３もレーザ照射装置２に追従するように基板１０に対して相対移動する。

その結果、基板１０では、割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿って亀裂が発生するので、基板１０を割断することができる。

しかる後には、保護フィルム５を剥がす。ここで、保護フィルム５として、いわゆるＵＶ硬化型フィルムと称せられるものを用いれば、ポリエステル、ポリオレフィン、塩化ビニルなどからなるフィルム基材に形成されている粘着材がＵＶ硬化性を有しているため、保護フィルム５を剥がす際、ＵＶを照射すれば粘着材の粘着力が低下するので、基板１０に粘着材が残らない。

以上説明したように、本形態の割断方法によれば、基板１０の表面１０ａには割断予定線Ｌ１、Ｌ２上に導電パターン１１、１２が形成されているが、レーザビームＬＢを基板１０の裏面１０ｂから照射するため、照射されたレーザビームＬＢが基板１０を加熱する前に導電パターン１１、１２により反射されてしまう、という事態が発生しない。従って、基板１０の裏面１０ｂ側から表面１０ａ側まで均等に加熱でき、熱応力を確実に発生さ
せることができるので、基板１０を裏面１０ｂから表面１０ａまで完全に割断することができる。それ故、基板１０にマイクロクラックが発生することを防止できるので、マイクロクラックが起点となって基板１０が割れる事態を回避できる。

また、本形態では、表面１０ａ側を下向きにして基板１０をステージ４上に載置するが、基板１０の表面には保護フィルム５が貼られているので、ステージ４が基板１０の表面１０ａと接触しない。それ故、基板１０上に形成した信号線や電極がステージ４との接触により損傷することを防止することができる。

また、本形態において、保護フィルム５が透明あるいは半透明であるため、基板１０の表面１０ａにアライメントマークが形成されている位置に保護フィルム５を貼った場合に、アライメントマークが遮光性あるいは透光性のいずれの材料から構成されている場合でも、基板１０を裏面１０ｂ側からみたときにアライメントマークを視認することができる。従って、基板１０をステージ４上に載置する際、このアライメントマークを基準に基板１０とステージ４との位置合わせを行うことができる。

さらに、本形態では、基板１０をステージ４で支持したため、基板１０の厚さが例えば、０．５ｍｍ程度の薄いものであっても、撓むことがないという利点がある。

なお、本形態では、基板１０の表面１０ａ全体に保護フィルム５を貼ったため、割断予定線Ｌ１、Ｌ２と保護フィルム５とが重なっている。このような場合、保護フィルム５のフィルム基材には割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿って切れ目を付しておくことが好ましい。このように構成すると、保護フィルム５が基板１０を割断する際の妨げにならない。

［実施の形態１の変形例］
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態１の変形例に係る割断方法で基板を割断する際に基板の表面に保護フィルムを貼った状態を示す説明図である。

図４を参照して説明した形態では、基板１０の表面１０ａ全体に保護フィルム５を貼ったが、図５（ａ）に右上がりの斜線領域で示すように、基板１０の表面１０ａのうち、割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿った領域と基板周辺部のみに保護フィルム５（ＵＶ硬化フィルム）を貼ってもよい。このように保護フィルム５を貼ることにより、少ない量の保護フィルムで基板表面を保護できるので、コストダウンを図ることができる。また、図５（ｂ）に右上がりの斜線領域で示すように、割断後の基板の四隅に保護フィルム５が位置するように保護フィルム５を貼ってもよい。このような場合も、保護フィルム５のフィルム基材には割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿って切れ目を付しておけば、保護フィルム５が基板１０を割断する際の妨げにならない。

また、図４および図５（ａ）に示す形態では、保護フィルム５を割断予定線Ｌ１、Ｌ２と重なる位置に貼ったが、図５（ｃ）に右上がりの斜線領域で示すように、基板１０の表面１０ａのうち、割断予定線Ｌ１、Ｌ２を避けた領域のみに保護フィルム５（ＵＶ硬化フィルム）を貼ってもよい。図４および図５（ａ）、（ｂ）に示すように、保護フィルム５が割断予定線Ｌ１、Ｌ２に重なって貼った場合において、保護フィルム５と基板１０との間に気泡が存在していると、レーザビームＬＢを照射して基板１０を加熱した際に気泡が膨らんでしまうことがある。このような状態で、保護フィルム５を剥がすと、粘着剤が基板１０の側に張り付いてしまい、残ってしまうなどの弊害が発生するが、図５（ｃ）に示すように、割断予定線Ｌ１、Ｌ２を避けた位置に保護フィルム５を貼れば、このような事態の発生を回避することができる。

［実施の形態２］
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る割断方法に用いる割断装置の要部の構成を示す説明図、および基板をステージ上に載置した状態の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して説明する。

図６（ａ）、（ｂ）において、本形態で用いた割断装置１は、基本的な構成は実施の形態１と同様、基板１０の割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿ってレーザビームＬＢを照射して基板１０を局部的に加熱するためのレーザ照射装置２と、レーザ照射装置２により基板１０上で局部的に加熱が行われた領域に向けて冷却剤ＬＣを噴射して、この領域を局部的に冷却する冷却装置３と、基板１０を吸着して保持するステージ４とを備えている。ここで、ステージ４には、レーザ照射装置２および冷却装置３に対して基板１０を矢印Ｙおよび矢印Ｚで示すように相対移動させる駆動装置（図示せず）が構成されている。なお、冷却剤ＬＣは、液体あるいは気体のいずれでもよく、水、アルコール、冷却した窒素ガスなどが用いられる。また、冷却剤ＬＣとしてドライアイスが用いてもよい。レーザ照射装置２としてはＣＯ₂レーザなどが用いられる。

本形態において、レーザ照射装置２および冷却装置３は、実施の形態１と違って、ステージ４の下方位置に配置されている。このため、レーザ照射装置２は上方に向けてレーザビームＬＢを出射し、冷却装置３は上方に向けて冷却剤ＬＣを噴射する。

また、本形態において、ステージ４には、その上面に基板１０を載置した状態で、割断予定線Ｌ１、Ｌ２と重なる位置には、ステージ４を上下方向に貫通する溝４０が形成されている。

このように構成した割断装置１を用いて基板１０を割断するにあたって、本形態では、ステージ４上に裏面１０ｂを下向きにして基板１０を載置する。その際、割断予定線Ｌ１、Ｌ２の下方側が開放状態となるように、割断予定線Ｌ１、Ｌ２と溝４０とが重なるように、基板１０をステージ４上の所定位置に配置する。

次に、レーザ照射装置２からレーザビームＬＢを下方から基板１０の裏面１０ｂに向けて照射するとともに、ステージ４を移動させて、レーザ照射装置２と基板１０とを相対移動させ、レーザビームＬＢを基板１０の割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿って移動させる。その際、冷却装置３もレーザ照射装置２に追従するように、基板１０に対して相対移動する。

その結果、基板１０では、割断予定線Ｌ１、Ｌ２に沿って亀裂が発生するので、基板１０を割断することができる。ここで、基板１０の表面１０ａには割断予定線Ｌ１、Ｌ２上に導電パターン１１、１２が形成されているが、レーザビームＬＢを基板１０の裏面１０ｂから照射するため、照射されたレーザビームＬＢが基板１０を加熱する前に導電パターン１１、１２により反射されてしまう、という事態が発生しない。従って、基板１０の裏面１０ｂ側から表面１０ａ側まで均等に加熱でき、熱応力を確実に発生させることができるので、基板１０を裏面１０ｂから表面１０ａまで完全に割断することができる。それ故、基板１０にマイクロクラックが発生することを防止できるので、マイクロクラックが起点となって基板１０が割れる事態を回避できる。

また、本形態では、基板１０をステージ４で支持したため、基板１０の厚さが例えば、０．５ｍｍ程度の薄いものであっても、撓むことがないという利点がある。

さらに、、表面１０ａ側を上向きにして基板１０をステージ４上に載置したため、基板１０上に形成した信号線や電極がステージ４との接触により損傷することを防止することができる。

［実施の形態２の変形例］
上記実施の形態２では、基板１０を保持するにあたって、ステージ４を用いたが、割断予定線Ｌ１、Ｌ２の下方側を開放状態とすることが可能であれば、ステージ４に限らず、ローラなどを利用した基板支持具を用いてもよい。

（ａ）、（ｂ）は、本発明の割断対象となる基板が使用される電気光学装置の説明図である。（ａ）、（ｂ）は、本発明の割断対象となる基板の表面の構成を示す平面図、および裏面の構成を示す底面図である。（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る割断方法に用いる割断装置の要部の構成を示す説明図、および基板をステージ上に載置した状態の断面図である。本発明の実施の形態１に係る割断方法を行う際、基板の表面に保護フィルムを貼った状態を示す説明図である。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る割断方法で基板を割断する際に基板の表面に別の形態で保護フィルムを貼った状態を示す説明図である。（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る割断方法に用いる割断装置の要部の構成を示す説明図、および基板をステージ上に載置した状態の断面図である。

符号の説明

１・・割断装置、２・・レーザ照射装置、３・・冷却装置、４・・ステージ、５・・保護フィルム、１０・・大型の基板、１０ａ・・基板の表面、１０ｂ・・基板の裏面、１１、１２・・導電パターン、Ｌ１、Ｌ２・・割断予定線、ＬＢ・・レーザビーム、ＬＣ・・冷却剤

Claims

基板の割断予定線に沿ってレーザビームを照射した後、当該レーザビームの照射領域を冷却して当該割断予定線に沿って前記基板を割断する方法において、
前記基板の表面および裏面のうち、表面には前記割断予定線上の少なくとも一部に導電パターンが形成されており、
前記基板に前記レーザビームを照射する際には、当該レーザビームを前記基板の裏面から照射することを特徴とする基板の割断方法。
前記基板の表面側に保護フィルムを貼った後、裏面側を上向きにして前記基板をステージ上に載置した状態で、前記レーザビームを上方から前記基板の裏面に向けて照射することを特徴とする請求項１に記載の基板の割断方法。
前記基板の表面のうち、前記割断予定線と重なる位置の少なくとも一部、および前記基板の周辺部の少なくとも一部に前記保護フィルムを貼ることを特徴とする請求項２に記載の基板の割断方法。
前記保護フィルムのフィルム基材には、前記割断予定線に沿って切れ目を付した状態で前記レーザビームの照射および冷却を行うことを特徴とする請求項３に記載の基板の割断方法。
前記基板の表面のうち、前記割断予定線を避けた位置に前記保護フィルムを貼ることを特徴とする請求項２に記載の基板の割断方法。
前記保護フィルムをＵＶ硬化性を備えた粘着剤により前記基板に貼ることを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の基板の割断方法。
前記保護フィルムは透明あるいは半透明であることを特徴とする請求項２乃至６の何れか一項に記載の基板の割断方法。
前記割断予定線の下方側を開放状態とする基板支持具上に裏面側を下向きにして前記基板を支持させ、この状態で前記レーザビームを下方から前記基板の裏面に向けて照射することを特徴とする請求項１に記載の基板の割断方法。
請求項１乃至８の何れか一項に記載の基板の割断方法を用いた電気光学装置の製造方法であって、前記基板としての大型の電気光学装置用基板の表面側に少なくとも信号線および電極を形成した後、当該大型の電気光学装置用基板を所定サイズに割断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。