JP2007248703A - Method for manufacturing electro-optical device, method for manufacturing substrate for the electro-optical device, substrate for the electro-optical device manufactured by the manufacturing method, the electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Method for manufacturing electro-optical device, method for manufacturing substrate for the electro-optical device, substrate for the electro-optical device manufactured by the manufacturing method, the electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an electro-optical device, which can achieve miniaturization and light weight of the electro-optical device, according to the forming position of a sealing material and can improve the quality and productivity of the electro-optical device. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the electro-optical device is provided with a step S2 for forming a recessed part on the one-end surface of a counter substrate by using laser light; a step S3 for opening a liquid crystal injection port for injecting liquid crystl into a display region on the one-end surface side, on which the recessed part is formed and forming a sealing material; a step S5 for sticking a TFT substrate and the counter substrate to each other; a step S6 for injecting liquid crystal from the liquid crystal injection port into the display area, by dropping liquid crystal onto the TFT substrate exposed by the recessed part; and a step S7 for forming the sealing material on the injection port, after injecting the liquid crystal, inserting at least a part of the sealing material into the liquid crystal injection port by the recessed part and inserting the sealing material from one-end surface of the counter substrate into the sealing material side to seal the liquid crystal injection port with the sealing material. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、対向配置された素子基板と対向基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法により製造された電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device in which an electro-optical material is interposed in at least a display region between the element substrate and the counter substrate that are disposed to face each other, a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device, and a substrate for an electro-optical device. The present invention relates to a substrate for an electro-optical device, an electro-optical device, and an electronic apparatus manufactured by the manufacturing method.

周知のように、電気光学装置、例えば液晶装置は、ガラス基板、石英基板、シリコン基板等からなる２枚の基板間に液晶が挟持されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に挟持した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。   As is well known, an electro-optical device, for example, a liquid crystal device is configured by sandwiching liquid crystal between two substrates made of a glass substrate, a quartz substrate, a silicon substrate, and the like. Switching elements such as film transistors (hereinafter referred to as TFTs) and pixel electrodes are arranged in a matrix, the counter electrode is arranged on the other substrate, and the optical characteristics of the liquid crystal layer sandwiched between the two substrates according to the image signal This makes it possible to display images.

また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。   In addition, the TFT substrate on which the TFT is disposed and the counter substrate disposed to face the TFT substrate are manufactured separately. The TFT substrate and the counter substrate are configured, for example, by laminating a semiconductor thin film, an insulating thin film, or a conductive thin film having a predetermined pattern on a quartz substrate. Each layer is formed by repeating a film forming process and a photolithography process for various films.

このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μ以内）に貼り合わされる。このパネル組立工程の一例を説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造された、大板の基板に複数構成されたＴＦＴ基板と複数のチップ状の対向基板との各液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための、例えばポリイミドから構成された配向膜が形成される。その後、焼成が行われ、さらに、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理が配向膜に施される。   The TFT substrate and the counter substrate thus formed are bonded with high accuracy (for example, within an alignment error of 1 μ) in the panel assembly process. An example of this panel assembling process will be described. First, the surfaces of the TFT substrates formed in a large substrate and the liquid crystal layers of the plurality of chip-like counter substrates, which are manufactured in the manufacturing process of each substrate, are in contact with each liquid crystal layer. On the top, an alignment film made of, for example, polyimide is formed to align liquid crystal molecules along the substrate surface. Thereafter, baking is performed, and a rubbing treatment for determining the alignment of liquid crystal molecules when no voltage is applied is applied to the alignment film.

次いで、例えば液晶封入方式により、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、大板の基板に複数構成されたＴＦＴ基板と複数のチップ状の対向基板との一方の基板上の各シール材形成領域に、接着剤となるシール材が、一部に注入口となる切り欠きを有するよう略周状にそれぞれ形成され、このシール材が用いられて大板の基板に複数構成されたＴＦＴ基板に対し、複数のチップ状の対向基板がそれぞれ貼り合わされる。   Next, when liquid crystal is interposed between the TFT substrate and the counter substrate, for example, by a liquid crystal sealing method, one substrate of a plurality of TFT substrates and a plurality of chip-shaped counter substrates on a large substrate In each of the sealing material forming regions above, a sealing material as an adhesive is formed in a substantially circumferential shape so as to have a notch serving as an injection port in part, and a plurality of the sealing materials are used on a large board. A plurality of chip-like counter substrates are bonded to the configured TFT substrate.

次いでアライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、真空下において各ＴＦＴ基板のシール材の注入口の近傍に、規定量の液晶がそれぞれ滴下され、その後、大気解放されることにより、注入口を介して液晶がＴＦＴ基板と対向基板との間にそれぞれ注入され、注入口が、形成後、熱等により硬化された封止材によりそれぞれ封止される。   Next, after alignment is performed and each is cured by pressure bonding, a prescribed amount of liquid crystal is dropped in the vicinity of the inlet of the sealing material of each TFT substrate under vacuum, and then released to the atmosphere, thereby opening the inlet. The liquid crystal is injected between the TFT substrate and the counter substrate, and the injection port is sealed with a sealing material cured by heat or the like after formation.

最後に、大板の基板から、対向基板が貼着されたＴＦＴ基板が、該ＴＦＴ基板毎に沿って分断線に沿って分断されることにより、複数の液晶装置が製造される。   Finally, a plurality of liquid crystal devices are manufactured by dividing the TFT substrate, to which the counter substrate is attached, from the large substrate along the dividing line along each TFT substrate.

このような製造方法を用いて液晶装置を製造する手法を周知であり、例えば特許文献１に開示されている。
特開２００２−４０４４２号公報 A technique for manufacturing a liquid crystal device using such a manufacturing method is well known, and is disclosed in, for example, Patent Document 1.
JP 2002-40442 A

ところで、シール材は、液晶装置の表示領域を大きく確保するため、通常、対向基板の外周縁の近傍に、上述したように注入口を有して略周状に形成されている。また、ＴＦＴ基板が対向基板よりも大きいことにより形成される、ＴＦＴ基板の端面と対向基板の端面との間におけるＴＦＴ基板上の領域(以下、接続領域と称す)には、液晶装置と外部機器とを接続するための、フラットフレキシブル基板（以下、ＦＰＣと称す）が接続される外部接続端子が設けられている。   By the way, in order to ensure a large display area of the liquid crystal device, the sealing material is generally formed in a substantially circumferential shape having an injection port as described above in the vicinity of the outer peripheral edge of the counter substrate. A region on the TFT substrate between the end surface of the TFT substrate and the end surface of the counter substrate (hereinafter referred to as a connection region) formed by the TFT substrate being larger than the counter substrate includes a liquid crystal device and an external device. Are connected to a flat flexible substrate (hereinafter referred to as FPC).

ここで、上述した特許文献１に示した手法により、封止材によりシール材の注入口を封止する場合、シール材の注入口は、上述したように、対向基板の外周縁、即ち端面の近傍に形成されているため、注入口を確実に封止する規定量の封止材を形成すると、封止材は、対向基板の端面からＴＦＴ基板上の接続領域にはみ出してしまう。   Here, when the sealing material injection port is sealed with the sealing material by the method shown in Patent Document 1 described above, the sealing material injection port is, as described above, the outer peripheral edge of the counter substrate, that is, the end surface. Since the sealant is formed in the vicinity, when a prescribed amount of sealant that reliably seals the injection port is formed, the sealant protrudes from the end face of the counter substrate to the connection region on the TFT substrate.

よって、ＴＦＴ基板上の接続領域は、外部接続端子を設ける領域を確保するため、封止材のはみ出しを考慮して、大きく形成する必要があることから、大板に構成するＴＦＴ基板の個数が制限されてしまう他、ＴＦＴ基板が大型化するとともに重量増となり、その結果、液晶装置が大型化し、重量増となってしまうといった問題がある。   Therefore, since the connection region on the TFT substrate needs to be formed large in consideration of the protrusion of the sealing material in order to secure a region for providing the external connection terminal, the number of TFT substrates configured in a large plate is small. In addition to being restricted, there is a problem that the TFT substrate becomes large and increases in weight, and as a result, the liquid crystal device becomes large and increases in weight.

また、上述した特許文献１では、液晶を、ＴＦＴ基板と対向基板との間に注入する際、液晶を真空下において、ＴＦＴ基板上の接続領域の注入口の近傍に滴下すると示したが、滴下後、液晶注入段階において、ＴＦＴ基板上の注入口の近傍の接続領域が液晶により汚れてしまうため、液晶装置の品質が劣化してしまうといった問題もある。尚、この問題は、液晶封入後、ＴＦＴ基板上の接続領域を洗浄処理すれば解決できるが、洗浄処理を従来の工程に加えて行うと、液晶装置の生産性が低下してしまうといった問題がある。   Further, in Patent Document 1 described above, when the liquid crystal is injected between the TFT substrate and the counter substrate, the liquid crystal is dropped in the vicinity of the inlet of the connection region on the TFT substrate under vacuum. Later, in the liquid crystal injection stage, the connection region in the vicinity of the injection port on the TFT substrate is contaminated by the liquid crystal, which causes a problem that the quality of the liquid crystal device is deteriorated. This problem can be solved by cleaning the connection region on the TFT substrate after the liquid crystal is sealed. However, if the cleaning process is performed in addition to the conventional process, the productivity of the liquid crystal device is lowered. is there.

本発明の目的は上記問題点に着目してなされたものであり、封止材の形成位置により、電気光学装置の小型化、軽量化を実現できるとともに、電気光学装置の品質、生産性を、向上させることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法により製造された電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器を提供するにある。   The object of the present invention has been made by paying attention to the above-mentioned problems, and according to the formation position of the sealing material, the electro-optical device can be reduced in size and weight, and the quality and productivity of the electro-optical device can be improved. To provide an electro-optical device manufacturing method, an electro-optical device substrate manufacturing method, an electro-optical device substrate manufacturing method, an electro-optical device substrate, an electro-optical device, and an electronic apparatus manufactured by the electro-optical device substrate manufacturing method. .

上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置の製造方法において、前記対向基板の一端面に、凹部を、レーザ光を用いて形成する凹部形成工程と、前記素子基板と前記対向基板との一方の前記表示領域と前記対向基板の外周端部との間の領域に、前記表示領域を平面的に囲むとともに前記凹部が形成された前記一端面側に注入口を開口してシール材を形成するシール材形成工程と、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせる貼合工程と、前記凹部により露呈された前記素子基板上に前記電気光学物質を滴下し、前記注入口から、前記表示領域に前記電気光学物質を注入する注入工程と、前記電気光学物質を注入後、前記注入口に封止材を形成し、該封止材の少なくとも一部を前記凹部により、前記注入口に入り込ませるとともに前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませて、前記注入口を前記封止材により封止する封止工程と、を具備することを特徴とする。   In order to achieve the above object, an electro-optical device manufacturing method according to the present invention includes an element substrate and a counter substrate opposed to the element substrate, and at least a display area between the element substrate and the counter substrate. In the method of manufacturing an electro-optical device in which an electro-optical material is interposed, a recess forming step of forming a recess on one end surface of the counter substrate using a laser beam, and one of the element substrate and the counter substrate A seal that surrounds the display area in a plane between the display area and the outer peripheral edge of the counter substrate, and forms a sealing material by opening an injection port on the one end face side where the recess is formed. A material forming step, a bonding step of bonding the element substrate and the counter substrate, and dropping the electro-optic material onto the element substrate exposed by the recess, and from the injection port to the display region Electric An injection step of injecting an optical material; and after injecting the electro-optical material, a sealing material is formed at the injection port, and at least a part of the sealing material is caused to enter the injection port by the concave portion, and A sealing step of entering the sealing material side from the one end face of the substrate and sealing the injection port with the sealing material.

本発明によれば、シール材の注入口に封止材の少なくとも一部を入り込ませるとともに、封止材の少なくとも一部を対向基板の一端面からシール材側に入り込ませて、注入口を封止材により封止する凹部を、対向基板に形成することにより、封止材を、対向基板の一端面から素子基板上の接続領域にはみ出すことなく形成することができる。このため、素子基板の接続領域を従来よりも小さくすることができる。このことにより、素子基板の小型化を実現することができることから、大板に構成する素子基板の数を従来よりも増やすことができ、コストダウンを実現することができる。よって、電気光学装置自体も、従来よりも小型化、軽量化を実現することができる。さらに、凹部により露呈された素子基板上に液晶を滴下することにより、液晶の滴下位置を規定し易く、また、凹部により露呈された素子基板上は、対向基板の一端面よりもシール材側の領域であることから、液晶滴下後、液晶が飛散し難いため、素子基板上の接続領域を液晶の滴下により汚すことないことから、電気光学装置の品質を向上させることができる。また、注入後の洗浄工程が不要となるため、電気光学装置の生産性を向上させることができるといった効果を有する。   According to the present invention, at least a part of the sealing material enters the inlet of the sealing material, and at least a part of the sealing material enters the sealing material side from one end surface of the counter substrate to seal the inlet. By forming the concave portion to be sealed with the stopping material in the counter substrate, the sealing material can be formed without protruding from one end surface of the counter substrate to the connection region on the element substrate. For this reason, the connection area | region of an element substrate can be made smaller than before. As a result, it is possible to reduce the size of the element substrate. Therefore, it is possible to increase the number of element substrates configured on a large plate as compared to the conventional case, thereby realizing cost reduction. Therefore, the electro-optical device itself can also be reduced in size and weight as compared with the related art. Furthermore, by dropping the liquid crystal on the element substrate exposed by the recess, it is easy to define the dropping position of the liquid crystal, and the element substrate exposed by the recess is closer to the sealing material side than one end surface of the counter substrate. Since it is an area | region, since a liquid crystal is difficult to disperse | distribute after a liquid crystal dropping, the connection area | region on an element substrate is not soiled by the dripping of a liquid crystal, Therefore The quality of an electro-optical apparatus can be improved. Further, since the cleaning process after the injection is not required, the productivity of the electro-optical device can be improved.

また、前記凹部形成工程は、前記対向基板が構成された大板の基板から前記対向基板を分断する際に行うことを特徴とする。   The recess forming step is performed when the counter substrate is divided from a large substrate on which the counter substrate is formed.

本発明によれば、大板の基板から複数の対向基板を分断する際に、複数の対向基板毎に、凹部を形成することにより、封止材を、各対向基板の端面から各素子基板上の接続領域にはみ出すことなく形成することができる。このため、各素子基板の端面と各対向基板の一端面との間隔、即ち各素子基板上の接続領域を従来よりも小さくすることができる。このことにより、各素子基板の小型化を実現することができることから、大板に構成する素子基板の数を従来よりも増やすことができ、コストダウンを実現することができる。よって、電気光学装置自体も、従来よりも小型化、軽量化を実現することができる。さらに、各凹部により露呈された各素子基板上に液晶を滴下することにより、液晶の滴下位置を規定し易く、また、各凹部により露呈された各素子基板上は、対向基板の端面よりもシール材側の領域であることから、液晶滴下後、液晶が飛散し難いため、各素子基板上の接続領域を液晶の滴下により汚すことないことから、各電気光学装置の品質を向上させることができる。また、注入後の洗浄工程が不要となるため、各電気光学装置の生産性を向上させることができるといった効果を有する。   According to the present invention, when a plurality of counter substrates are divided from a large substrate, a sealing material is formed on each element substrate from the end surface of each counter substrate by forming a recess for each of the plurality of counter substrates. It can be formed without protruding into the connection region. For this reason, the space | interval of the end surface of each element substrate and the one end surface of each counter substrate, ie, the connection area | region on each element substrate, can be made smaller than before. As a result, each element substrate can be reduced in size, so that the number of element substrates formed on a large plate can be increased as compared with the prior art, and the cost can be reduced. Therefore, the electro-optical device itself can also be reduced in size and weight as compared with the related art. Furthermore, by dropping liquid crystal on each element substrate exposed by each recess, it is easy to define the dropping position of the liquid crystal, and each element substrate exposed by each recess is sealed more than the end face of the counter substrate. Since it is an area on the material side, it is difficult for the liquid crystal to scatter after the liquid crystal is dropped, so that the connection area on each element substrate is not soiled by dropping the liquid crystal, so that the quality of each electro-optical device can be improved. . In addition, since the cleaning process after the injection is not necessary, the productivity of each electro-optical device can be improved.

さらに、前記凹部形成工程は、前記対向基板の内部の設定深さにおいて集光点を合わせて前記レーザ光を照射し、前記設定深さに多光子吸収による改質領域を、前記凹部の形成予定線に沿って形成することを特徴とする。   Further, the recess forming step irradiates the laser beam with a condensing point at a set depth inside the counter substrate, and forms a modified region by multiphoton absorption at the set depth. It is characterized by forming along a line.

本発明によれば、ダイシングやスクライブでは加工の難しい凹部を、レーザ光を用いて容易かつ所望の形状に形成することができるといった効果を有する。   According to the present invention, there is an effect that a concave portion that is difficult to process by dicing or scribing can be easily formed into a desired shape using a laser beam.

また、前記凹部形成工程は、前記貼合工程後、前記凹部が前記シール材に対し、平面的にオーバラップする前記対向基板の位置に、前記凹部を形成することを特徴とする。   Moreover, the said recessed part formation process forms the said recessed part in the position of the said opposing board | substrate with which the said recessed part planarly overlaps with the said sealing material after the said bonding process.

本発明によれば、封止材により、確実にシール材の注入口を封止することができるといった効果を有する。   According to the present invention, the sealing material has an effect that the inlet of the sealing material can be reliably sealed.

さらに、前記凹部形成工程は、前記貼合工程後、前記凹部が前記注入口に対し、平面的に臨む前記対向基板の位置に前記凹部を形成することを特徴とする。   Furthermore, the said recessed part formation process forms the said recessed part in the position of the said opposing substrate which the said recessed part faces planarly with respect to the said injection hole after the said bonding process.

本発明によれば、対向基板にシール材の位置を気にすることなく、凹部を形成することができるといった効果を有する。   According to the present invention, there is an effect that a concave portion can be formed without worrying about the position of the sealing material on the counter substrate.

また、前記凹部は、複数の稜部を有しており、前記凹部形成工程は、前記凹部の前記稜部の少なくとも一部を、曲面形状に形成することを特徴とする。   Moreover, the said recessed part has a some ridge part, and the said recessed part formation process forms at least one part of the said ridge part of the said recessed part in a curved-surface shape, It is characterized by the above-mentioned.

本発明によれば、凹部形成後、凹部の稜部の欠けを防止することができるといった効果を有する。   According to the present invention, it is possible to prevent the ridges of the recesses from being chipped after the formation of the recesses.

さらに、前記凹部形成工程は、前記対向基板の前記一端面と対向する他端面に、前記凹部と平面的に同じ大きさを有する凸部を形成することを特徴とする。   Furthermore, the concave portion forming step is characterized in that a convex portion having the same size as the concave portion is formed on the other end surface facing the one end surface of the counter substrate.

本発明によれば、複数の対向基板が構成された大板から複数の対向基板を効率良く分断することができるとともに、複数の対向基板に、凹部を効率よく形成することができるといった効果を有する。   Advantageous Effects of Invention According to the present invention, it is possible to efficiently divide a plurality of counter substrates from a large plate on which a plurality of counter substrates are configured, and it is possible to efficiently form recesses in the plurality of counter substrates. .

本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが、注入口が開口されたシール材を介して対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に、前記注入口を介して電気光学物質が介在され、前記注入口が封止材で封止された電気光学装置における前記対向基板を構成する電気光学装置用基板の製造方法であって、前記対向基板の一端面に、前記表示領域に前記電気光学物質を注入後、前記注入口に前記封止材の少なくとも一部を入り込ませるとともに前記封止材の一部を前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませて前記注入口を封止する凹部を、レーザ光を用いて形成する凹部形成工程を具備することを特徴とする。   In the method for manufacturing a substrate for an electro-optical device according to the present invention, an element substrate and a counter substrate facing the element substrate are disposed to face each other via a sealing material having an injection port opened, and the element substrate and the counter substrate Of the electro-optical device substrate constituting the counter substrate in the electro-optical device in which an electro-optical material is interposed through the injection port at least in a display region between the injection port and the injection port is sealed with a sealing material In the manufacturing method, after the electro-optical material is injected into the display region on one end surface of the counter substrate, at least a part of the sealing material is inserted into the injection port, and a part of the sealing material is A recess forming step of forming a recess that enters the sealing material side from the one end face of the counter substrate and seals the injection port is formed using a laser beam.

本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法により製造された電気光学装置用基板は、請求項８に記載の電気光学装置用基板の製造方法により製造される。   The electro-optical device substrate manufactured by the electro-optical device substrate manufacturing method according to the present invention is manufactured by the electro-optical device substrate manufacturing method according to claim 8.

本発明に係る電気光学装置は、素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置において、前記素子基板と前記対向基板との間であって、前記表示領域と前記対向基板の外周端部との間の領域に、前記表示領域を平面的に囲んで形成されたシール材と、前記シール材に開口されて形成された、前記表示領域に前記電気光学物質を注入する注入口と、前記表示領域に前記電気光学物質を注入後、前記注入口を封止する封止材と、を具備し、前記対向基板の前記注入口側に位置する一端面に、前記封止材の少なくとも一部を、前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませるとともに、前記注入口に前記封止材の少なくとも一部を入り込ませる凹部が形成されていることを特徴とする。   The electro-optical device according to the present invention is an electro-optical device in which an element substrate and a counter substrate facing the element substrate are arranged to face each other, and an electro-optical material is interposed in at least a display region between the element substrate and the counter substrate. In the apparatus, a sealing material formed between the element substrate and the counter substrate and between the display region and an outer peripheral end of the counter substrate so as to surround the display region in a plane. An inlet for injecting the electro-optical material into the display region, formed by opening the seal material, and a sealing material for sealing the injection port after injecting the electro-optical material into the display region; And at least one part of the sealing material enters the sealing material side from the one end surface of the counter substrate to one end surface located on the injection port side of the counter substrate, and the injection port Less of the sealing material Characterized in that it also has a recess to penetrate the part being formed.

本発明によれば、シール材の注入口に封止材の少なくとも一部を入り込ませるとともに、封止材の少なくとも一部を対向基板の一端面からシール材側に入り込ませて、注入口を封止材により封止する凹部が対向基板に形成されていることにより、封止材が、対向基板の一端面から素子基板上の接続領域にはみ出すことを防いで形成されているため、素子基板の端面と対向基板の端面との間隔、即ち素子基板上の接続領域を従来よりも小さくすることができる。このことにより、素子基板の小型化を実現することができることから、大板に構成する素子基板の数を従来よりも増やすことができ、コストダウンを実現することができる。よって、電気光学装置自体も、従来よりも小型化、軽量化を実現することができる。さらに、凹部により露呈された素子基板上に液晶を滴下することにより、液晶の滴下位置を規定し易く、また、凹部により露呈された素子基板上は、対向基板の一端面よりもシール材側の領域であり、滴下後、液晶が飛散し難いため、素子基板上の接続領域を液晶の滴下により汚すことないことから、電気光学装置の品質を向上させることができる。また、注入後の洗浄工程が不要となるため、電気光学装置の生産性を向上させることができるといった効果を有する。   According to the present invention, at least a part of the sealing material enters the inlet of the sealing material, and at least a part of the sealing material enters the sealing material side from one end surface of the counter substrate to seal the inlet. Since the concave portion to be sealed with the stopper is formed in the counter substrate, the sealant is formed to prevent the end surface of the counter substrate from protruding from the one end surface of the counter substrate. The distance between the end face and the end face of the counter substrate, that is, the connection region on the element substrate can be made smaller than in the conventional case. As a result, it is possible to reduce the size of the element substrate. Therefore, it is possible to increase the number of element substrates configured on a large plate as compared to the conventional case, thereby realizing cost reduction. Therefore, the electro-optical device itself can also be reduced in size and weight as compared with the related art. Furthermore, by dropping the liquid crystal on the element substrate exposed by the recess, it is easy to define the dropping position of the liquid crystal, and the element substrate exposed by the recess is closer to the sealing material side than one end surface of the counter substrate. Since the liquid crystal is not easily scattered after dropping, the connection region on the element substrate is not soiled by dropping the liquid crystal, and the quality of the electro-optical device can be improved. Further, since the cleaning process after the injection is not required, the productivity of the electro-optical device can be improved.

また、前記凹部は、前記シール材に対し、平面的にオーバラップして形成されていることを特徴とする。   Further, the concave portion is formed to overlap the sealing material in a planar manner.

本発明によれば、封止材により、確実にシール材の注入口が封止されるといった効果を有する。   According to the present invention, the sealing material has an effect that the inlet of the sealing material is reliably sealed.

さらに、前記凹部は、前記注入口に対し平面的に臨んで形成されていることを特徴とする。   Further, the concave portion is formed to face the injection port in a plane.

本発明によれば、対向基板にシール材の位置を気にすることなく、凹部が形成されるといった効果を有する。   According to the present invention, there is an effect that the concave portion is formed without worrying about the position of the sealing material on the counter substrate.

また、前記凹部は、複数の稜部を有しており、前記凹部の前記稜部の少なくとも一部は、曲面形状に形成されていることを特徴とする。   Moreover, the said recessed part has a some ridge part, At least one part of the said ridge part of the said recessed part is formed in the curved surface shape, It is characterized by the above-mentioned.

本発明によれば、凹部形成後、凹部の稜部の欠けが防止されるといった効果を有する。   According to the present invention, there is an effect that, after forming the concave portion, chipping of the ridge portion of the concave portion is prevented.

さらに、前記対向基板の前記一端面と対向する他端面に、前記凹部と平面的に同じ大きさを有する凸部が形成されていることを特徴とする。   Furthermore, a convex portion having the same size as that of the concave portion is formed on the other end surface of the counter substrate facing the one end surface.

本発明によれば、複数の対向基板に、凹部が効率よく形成された対向基板を提供することができるといった効果を有する。   According to the present invention, it is possible to provide a counter substrate in which concave portions are efficiently formed in a plurality of counter substrates.

本発明に係る電子機器は、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする。   An electronic apparatus according to an aspect of the invention uses the electro-optical device according to any one of claims 10 to 14.

本発明によれば、従来よりも小型化、軽量化を実現するともに、品質及び生産性が向上された電気光学装置により構成された電子機器を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an electronic apparatus that is configured by an electro-optical device that is smaller and lighter than conventional ones and that has improved quality and productivity.

以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, the electro-optical device will be described by taking a liquid crystal device as an example. In addition, of the pair of substrates that are arranged to face each other in the liquid crystal device, one substrate is an element substrate (hereinafter referred to as a TFT substrate), and the other substrate is a counter substrate that faces the TFT substrate. explain.

先ず、本実施の形態の製造方法によって製造される液晶装置の全体の構成について説明する。図１は、本実施の形態によって製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図、図３は、図１の液晶注入口近傍を拡大して示す部分拡大図である。   First, the overall configuration of the liquid crystal device manufactured by the manufacturing method of the present embodiment will be described. 1 is a plan view of the liquid crystal device manufactured according to the present embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 1, and FIG. 3 is a view of the vicinity of the liquid crystal injection port of FIG. It is the elements on larger scale which expand and show.

図１、図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英やガラス、シリコン等を用いた、ＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えば石英やガラス、シリコン等を用いた対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal device 100 includes, for example, a TFT substrate 10 using, for example, quartz, glass, silicon, and the like, and, for example, quartz, glass, silicon, or the like disposed opposite to the TFT substrate 10. A liquid crystal 50, which is an electro-optical material, is interposed in an internal space between the counter substrate 20 used. The TFT substrate 10 and the counter substrate 20 that are arranged to face each other are bonded together by a sealing material 52.

ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する表面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。   A display region 10 h of the TFT substrate 10 that constitutes the display region 40 of the liquid crystal device 100 is formed on the surface side of the TFT substrate 10 in contact with the liquid crystal 50. In the display area 10h, pixel electrodes (ITO) 9a that constitute pixels and apply a driving voltage to the liquid crystal 50 together with a counter electrode 21 described later are arranged in a matrix.

また、対向基板２０の液晶５０と接する側の表面上の全面に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。   In addition, a counter electrode (ITO) 21 that applies a driving voltage to the liquid crystal 50 together with the pixel electrode 9 a is provided on the entire surface of the counter substrate 20 on the side in contact with the liquid crystal 50. A display area 20 h of the counter substrate 20 constituting the display area 40 of the liquid crystal device 100 is formed on the side in contact with the liquid crystal 50 at a position facing the display area 10 h.

ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。   An alignment film 16 that has been subjected to a rubbing process is provided on the pixel electrode 9 a of the TFT substrate 10, and the rubbing process is also performed on the counter electrode 21 formed over the entire surface of the counter substrate 20. An alignment film 26 is provided. Each alignment film 16, 26 is made of a transparent organic film such as a polyimide film, for example.

また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の図示しない走査線と複数本の図示しないデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが接続されている。   Further, in the display area 10h of the TFT substrate 10, a plurality of scanning lines (not shown) and a plurality of data lines (not shown) are wired so as to cross each other, and a pixel electrode is formed in an area partitioned by the scanning lines and the data lines. 9a are arranged in a matrix. A thin film transistor (TFT) 30 is provided corresponding to each intersection of the scanning line and the data line, and a pixel electrode 9 a is connected to each TFT 30.

ＴＦＴ３０は走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。   The TFT 30 is turned on by the ON signal of the scanning line, whereby the image signal supplied to the data line is supplied to the pixel electrode 9a. A voltage between the pixel electrode 9 a and the counter electrode 21 provided on the counter substrate 20 is applied to the liquid crystal 50.

対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。   The counter substrate 20 is provided with a light shielding film 53 as a frame for defining the display area 40 by defining and defining the outer periphery of the display area 10 h of the TFT substrate 10 and the display area 20 h of the counter substrate 20 in the pixel area. Yes.

液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、該シール材５２の１辺の一部、具体的には、図１に示すように、後述する凹部１２０が形成された対向基板２０の一端面２０ｉ側において開口するよう形成されている。   When the liquid crystal 50 is injected into the space between the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 by a known liquid crystal injection method, the sealing material 52 is a part of one side of the sealing material 52, specifically, FIG. As shown in FIG. 1, it is formed so as to open on the one end face 20i side of the counter substrate 20 in which a later-described recess 120 is formed.

尚、シール材５２は、図１に示すように、表示領域４０と対向基板２０の外周端部との間の領域２９に、表示領域４０を平面的に囲むように形成されている。   As shown in FIG. 1, the sealing material 52 is formed in a region 29 between the display region 40 and the outer peripheral end of the counter substrate 20 so as to surround the display region 40 in a plane.

また、シール材５２に形成された開口は、該開口から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間の少なくとも表示領域４０に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。尚、液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。   Further, the opening formed in the sealing material 52 constitutes a liquid crystal injection port 108 for injecting the liquid crystal 50 into at least the display region 40 between the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 bonded from the opening. . The liquid crystal injection port 108 is sealed with a sealing material 109 after the liquid crystal is injected.

ここで、図１、図３に示すように、シール材５２の液晶注入口１０８に対し、平面的にオーバラップする対向基板２０の一端面２０ｉの位置に、複数の稜部１２０ｒを有する平面的な形状が凹状の凹部１２０が、一端面２０ｉを対向基板２０の高さ方向（以下Ｚ軸方向と称す）に貫通するよう形成されている。尚、凹部１２０の詳しい形成方法は後述する。   Here, as shown in FIGS. 1 and 3, a planar surface having a plurality of ridges 120 r at the position of one end surface 20 i of the counter substrate 20 that planarly overlaps the liquid crystal injection port 108 of the sealing material 52. A concave portion 120 having a concave shape is formed so as to penetrate the one end face 20i in the height direction of the counter substrate 20 (hereinafter referred to as the Z-axis direction). A detailed method for forming the recess 120 will be described later.

凹部１２０は、図３に示すように、液晶注入口１０８を封止材１０９により封止する際、封止材１０９を形成後、液晶注入口１０８に、封止材１０９の少なくとも一部を入り込ませるとともに、封止材１０９の少なくとも一部を、対向基板２０の一端面２０ｉからシール材５２側に入り込ませるものである。   As shown in FIG. 3, when the liquid crystal injection port 108 is sealed with the sealing material 109, the recess 120 enters at least a part of the sealing material 109 into the liquid crystal injection port 108 after the sealing material 109 is formed. At the same time, at least a part of the sealing material 109 enters the sealing material 52 side from the one end face 20 i of the counter substrate 20.

図１に戻って、シール材５２の外側の領域となる後述する接続領域８０に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一端面１０ｉを構成する一辺に沿って設けられている。   Returning to FIG. 1, the driver drives the data line by supplying an image signal to a data line (not shown) of the TFT substrate 10 at a predetermined timing in a connection area 80 to be described later, which is an area outside the sealing material 52. An external connection terminal 102 for connection to the data line driving circuit 101 and an external circuit is provided along one side constituting one end face 10 i of the TFT substrate 10.

この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線及びゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。   By supplying scanning signals to the scanning lines and gate electrodes of the TFT substrate 10 along two sides adjacent to the one side at a predetermined timing, scanning line driving circuits 103 and 104 that are drivers for driving the gate electrodes are provided. Is provided. The scanning line driving circuits 103 and 104 are formed on the TFT substrate 10 at a position facing the light shielding film 53 inside the sealing material 52.

また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。   Further, on the TFT substrate 10, wiring 105 connecting the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuits 103 and 104, the external connection terminal 102, and the vertical conduction terminal 107 is provided to face the three sides of the light shielding film 53. ing.

上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。   The vertical conduction terminals 107 are formed on the four TFT substrates 10 at the corners of the sealing material 52. Between the TFT substrate 10 and the counter substrate 20, a vertical conductive material 106 having a lower end in contact with the vertical conductive terminal 107 and an upper end in contact with the counter electrode 21 is provided. And the counter substrate 20 are electrically connected.

次に、このように構成された液晶装置１００の製造方法を、上述した図１〜図３、後述する図４〜図１０を用いて説明する。   Next, a manufacturing method of the liquid crystal device 100 configured as described above will be described with reference to FIGS. 1 to 3 described above and FIGS. 4 to 10 described later.

尚、以下、液晶装置１００の製造方法は、各種薄膜が形成されたＴＦＴ基板１０と各種薄膜が形成された対向基板２０とをシール材５２を介して貼り合わせた後、液晶装置１００の少なくとも表示領域４０に液晶５０を注入し、シール材５２の液晶注入口１０８を封止材１０９で封止する工程について説明する。   In the following description, the method for manufacturing the liquid crystal device 100 includes at least the display of the liquid crystal device 100 after bonding the TFT substrate 10 on which various thin films are formed and the counter substrate 20 on which various thin films are formed through a sealing material 52. A process of injecting the liquid crystal 50 into the region 40 and sealing the liquid crystal injection port 108 of the sealing material 52 with the sealing material 109 will be described.

図４は、対向基板に凹部を形成する際に用いるレーザ加工装置の構成の一例を概略的に示すブロック図、図５は、本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図６は、対向基板にレーザ光を照射して対向基板の凹部の形成予定線に改質領域を形成する状態を示す拡大斜視図である。   FIG. 4 is a block diagram schematically showing an example of the configuration of a laser processing apparatus used when forming a recess in the counter substrate, FIG. 5 is a flowchart showing a method for manufacturing a liquid crystal device according to the present embodiment, and FIG. FIG. 5 is an enlarged perspective view showing a state in which a modified region is formed on a formation line of a concave portion of the counter substrate by irradiating the counter substrate with laser light.

また、図７は、図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う部分断面図、図８は、対向基板の凹部の形成予定線に形成する改質領域のＺ軸方向の形状の変形例を示す部分断面図、図９は、マザー基板に複数構成された各ＴＦＴ基板に、シール材を介してそれぞれ対向基板が貼着されている状態を示す斜視図、図１０は、図１のＴＦＴ基板上の接続領域の大きさを、従来の大きさとともに示す液晶装置の概略正面図である。   7 is a partial cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG. 6, and FIG. 8 is a portion showing a modification of the shape in the Z-axis direction of the modified region formed on the formation line of the concave portion of the counter substrate. FIG. 9 is a perspective view showing a state in which a counter substrate is attached to each TFT substrate constituted by a plurality of mother substrates via a sealing material, and FIG. 10 is a diagram on the TFT substrate of FIG. It is a schematic front view of the liquid crystal device which shows the magnitude | size of a connection area | region with the conventional magnitude | size.

先ず、図４を用いてレーザ加工装置の構成の一例について概略的に説明する。図４に示すように、レーザ加工装置６０は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源６１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節する制御をレーザ光源６１に行うレーザ光源制御部６２と、レーザ光源６１から出射されたレーザ光Ｌを集光レンズ７４に向けて反射するダイクロイックミラ７５と、ダイクロイックミラ７５で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光レンズ７４とを具備している。   First, an example of the configuration of the laser processing apparatus will be schematically described with reference to FIG. As shown in FIG. 4, the laser processing apparatus 60 includes a laser light source 61 that generates laser light L, a laser light source controller 62 that controls the laser light source 61 to adjust the output and pulse width of the laser light L, and the like. A dichroic mirror 75 that reflects the laser light L emitted from the laser light source 61 toward the condensing lens 74 and a condensing lens 74 that condenses the laser light L reflected by the dichroic mirror 75 are provided.

また、レーザ加工装置６０は、集光レンズ７４で集光されたレーザ光Ｌが照射される、例えば対向基板２０が載置される載置台７０と、載置台７０をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ７１と、載置台７０をＸ軸方向に平面的に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ７２と、載置台７０をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ７３と、これら３つのステージ７１〜７３の移動を制御するステージ制御部６４とを具備している。尚、以下、載置台７０には、対向基板２０が載置されるとして説明する。   In addition, the laser processing device 60 is irradiated with the laser light L condensed by the condenser lens 74, for example, to place the mounting table 70 on which the counter substrate 20 is mounted and the mounting table 70 in the X-axis direction. X-axis stage 71, a Y-axis stage 72 for moving the mounting table 70 in the Y-axis direction, which is orthogonal to the X-axis direction, and a Z-axis direction orthogonal to the X-axis and Y-axis directions. And a stage control unit 64 for controlling the movement of these three stages 71 to 73. In the following description, it is assumed that the counter substrate 20 is mounted on the mounting table 70.

対向基板２０の内部における、集光レンズ７４によるレーザ光Ｌの集光点ＰのＸ軸方向の移動は、Ｘ軸ステージ７１により、対向基板２０を、Ｘ軸方向に移動させることにより行う。   The movement of the condensing point P of the laser light L by the condensing lens 74 in the X axis direction inside the counter substrate 20 is performed by moving the counter substrate 20 in the X axis direction by the X axis stage 71.

また、対向基板２０の内部における、集光レンズ７４によるレーザ光Ｌの集光点ＰのＹ軸方向の移動は、Ｙ軸ステージ７２により、対向基板２０を、Ｙ軸方向に移動させることにより行う。   Further, the movement of the condensing point P of the laser light L by the condensing lens 74 in the Y axis direction inside the counter substrate 20 is performed by moving the counter substrate 20 in the Y axis direction by the Y axis stage 72. .

よって、Ｘ軸ステージ７１及びＹ軸ステージ７２を移動させることにより、図６に示すように、対向基板２０の内部に、凹部１２０の形成予定線１２１に沿って、後述する改質領域９０（図７参照）を形成することができる。   Therefore, by moving the X-axis stage 71 and the Y-axis stage 72, as shown in FIG. 6, a modified region 90 (described later) is formed in the counter substrate 20 along the planned formation line 121 of the recess 120. 7).

さらに、対向基板２０の内部における、集光レンズ７４によるレーザ光Ｌの集光点ＰのＺ軸方向の移動は、Ｚ軸方向は対向基板２０に入射するレーザ光Ｌの焦点深度の方向となることから、Ｚ軸ステージ７３をＺ軸方向に移動させて行う。このことにより、対向基板２０の内部の凹部１２０の形成予定線１２１に沿った所望の設定深さに、レーザ光Ｌの集光点Ｐを合せることができる。   Further, in the movement of the condensing point P of the laser light L by the condensing lens 74 in the Z-axis direction inside the counter substrate 20, the Z-axis direction is the direction of the focal depth of the laser light L incident on the counter substrate 20. Therefore, the Z-axis stage 73 is moved in the Z-axis direction. Thereby, the condensing point P of the laser beam L can be adjusted to a desired set depth along the planned formation line 121 of the concave portion 120 inside the counter substrate 20.

レーザ光源６１は、対向基板２０が吸収する波長のレーザ光を照射する装置、例えば、対向基板２０が石英から構成されている場合は、８００ｎｍのフェムト秒レーザを照射するものである。   The laser light source 61 irradiates a laser beam having a wavelength that is absorbed by the counter substrate 20, for example, when the counter substrate 20 is made of quartz, irradiates an 800 nm femtosecond laser.

また、レーザ光源６１は、レーザ光Ｌの照射により、対向基板２０の設定深さの集光点Ｐに、図７に示すように、多光子吸収による、例えば円柱状の空洞である改質領域９０を形成するものである。尚、レーザ光Ｌとしては、フェムト秒レーザに限らず、対向基板２０の内部に多光子吸収を起こさせることができるレーザ光であれば、どのようなレーザ光であっても構わない。   Further, the laser light source 61 is irradiated with the laser light L, and the modified region which is, for example, a cylindrical cavity by multiphoton absorption at the condensing point P at the set depth of the counter substrate 20 as shown in FIG. 90 is formed. The laser beam L is not limited to a femtosecond laser, and any laser beam may be used as long as it can cause multiphoton absorption inside the counter substrate 20.

レーザ加工装置６０はさらに、載置台７０に載置された対向基板２０を可視光線Ｒにより照明するために可視光線を発生する観察用光源６３と、ダイクロイックミラ７５及び集光レンズ７４と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ７６とを具備している。   The laser processing apparatus 60 further includes an observation light source 63 that generates visible light to illuminate the counter substrate 20 mounted on the mounting table 70 with visible light R, and the same optical axis as the dichroic mirror 75 and the condenser lens 74. And a visible light beam splitter 76 disposed above.

ビームスプリッタ７６と集光レンズ７４との間にダイクロイックミラ７５が配置されている。ビームスプリッタ７６は、可視光線Ｒの約半分を集光レンズ７４に向けて反射し残りの半分を透過する機能を有している。   A dichroic mirror 75 is disposed between the beam splitter 76 and the condenser lens 74. The beam splitter 76 has a function of reflecting approximately half of the visible light R toward the condenser lens 74 and transmitting the remaining half.

観察用光源６３から出射された可視光線Ｒは、ビームスプリッタ７６で約半分が反射され、この反射された可視光線Ｒがダイクロイックミラ７５及び集光レンズ７４を透過し、対向基板２０の凹部１２０の形成予定線１２１を含む表面を照明する。   About half of the visible light R emitted from the observation light source 63 is reflected by the beam splitter 76, and the reflected visible light R is transmitted through the dichroic mirror 75 and the condenser lens 74, and reaches the concave portion 120 of the counter substrate 20. The surface including the formation line 121 is illuminated.

レーザ加工装置６０はさらに、ビームスプリッタ７６、ダイクロイックミラ７５及び集光レンズ７４と同じ光軸上に配置された撮像素子６６及び結像レンズ６８を具備している。   The laser processing device 60 further includes an imaging element 66 and an imaging lens 68 arranged on the same optical axis as the beam splitter 76, the dichroic mirror 75, and the condenser lens 74.

撮像素子６６は、例えばＣＣＤカメラから構成されている。凹部１２０の形成予定線１２１を含む表面を照明した可視光線Ｒの反射光は、集光レンズ７４、ダイクロイックミラ７５、ビームスプリッタ７６を透過し、結像レンズ６８に結像されて撮像素子６６で撮像される。その後、撮像された像は撮像データとなる。   The image sensor 66 is composed of, for example, a CCD camera. The reflected light of the visible light R that illuminates the surface including the formation line 121 of the concave portion 120 passes through the condenser lens 74, the dichroic mirror 75, and the beam splitter 76, and is imaged on the imaging lens 68 and is imaged by the imaging device 66. Imaged. Thereafter, the captured image becomes imaging data.

レーザ加工装置６０はさらに、撮像素子６６から出力された撮像データが入力される撮像データ処理部６５と、レーザ加工装置６０全体を制御する全体制御部６７と、モニタ６９とを具備している。   The laser processing apparatus 60 further includes an imaging data processing unit 65 to which imaging data output from the imaging element 66 is input, an overall control unit 67 that controls the entire laser processing apparatus 60, and a monitor 69.

撮像データ処理部６５は、撮像データを基にして観察用光源６３で発生した可視光の焦点を対向基板２０の表面上に合わせるための焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部６４がＺ軸ステージ７３を移動制御することにより、可視光の焦点が対向基板２０の表面に合うようになる。よって、撮像データ処理部６５はオートフォーカスユニットとして機能する。   The imaging data processing unit 65 calculates focus data for focusing the visible light generated by the observation light source 63 on the surface of the counter substrate 20 based on the imaging data. The stage control unit 64 controls the movement of the Z-axis stage 73 based on the focus data, so that the visible light is focused on the surface of the counter substrate 20. Therefore, the imaging data processing unit 65 functions as an autofocus unit.

また、撮像データ処理部６５は、撮像データを基にして対向基板２０の表面の拡大画像等の画像データを演算する。この画像データは全体制御部６７に送られ、全体制御部で各種処理がなされ、モニタ６９に送られる。これにより、モニタ６９に拡大画像等が表示される。   Further, the imaging data processing unit 65 calculates image data such as an enlarged image of the surface of the counter substrate 20 based on the imaging data. This image data is sent to the overall control unit 67, where various processes are performed by the overall control unit, and sent to the monitor 69. As a result, an enlarged image or the like is displayed on the monitor 69.

全体制御部６７は、ステージ制御部６４からデータ、及び撮像データ処理部６５から画像データ等が入力された後、これらのデータを基にしてレーザ光源制御部６２、観察用光源６３及びステージ制御部６４を制御することにより、レーザ加工装置６０全体を制御する。   After the data from the stage control unit 64 and the image data from the imaging data processing unit 65 are input to the overall control unit 67, the laser light source control unit 62, the observation light source 63, and the stage control unit are based on these data. By controlling 64, the entire laser processing apparatus 60 is controlled.

尚、上述したレーザ加工装置６０の構成は一例であり、上述した構成に限定されないことは勿論である。具体的には、対向基板２０の内部にレーザ光Ｌを照射する際、上述した構成では、載置台７０をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に移動させると示したが、これに限らず、レーザ光源６１を、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に移動させる構成等であっても構わない。   In addition, the structure of the laser processing apparatus 60 mentioned above is an example, and of course is not limited to the structure mentioned above. Specifically, when irradiating the laser beam L inside the counter substrate 20, the above-described configuration has shown that the mounting table 70 is moved in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction. Instead, the laser light source 61 may be configured to move in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction.

次に、このように構成されたレーザ加工装置６０を用いて、図６に示すように、電気光学装置用基板である対向基板２０に凹部１２０を形成する方法とともに、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の少なくとも表示領域４０に液晶を封止する方法について説明する。   Next, using the laser processing apparatus 60 configured as described above, as shown in FIG. 6, the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 are formed together with the method of forming the recess 120 in the counter substrate 20 that is the substrate for the electro-optical device. A method for sealing the liquid crystal in at least the display area 40 between the two will be described.

図５に示すように、先ずステップＳ１において、所定の大きさに分断されたチップ状の複数の対向基板２０を用意するとともに、図４に示すように、対向基板２０を、レーザ加工装置６０の載置台７０に載置する。   As shown in FIG. 5, first, in step S <b> 1, a plurality of chip-like counter substrates 20 divided into a predetermined size are prepared, and the counter substrate 20 is attached to the laser processing apparatus 60 as shown in FIG. 4. It is mounted on the mounting table 70.

尚、複数の対向基板２０は、スクライブまたはダイシング、もしくは上述したレーザ加工装置６０によるレーザ光Ｌの照射によりチップ状に分断されたものであるが、その分断に関する詳しい説明は省略する。   The plurality of counter substrates 20 are divided into chips by scribing or dicing, or irradiation of the laser beam L by the laser processing apparatus 60 described above, but a detailed description of the division is omitted.

次いで、ステップＳ２において、対向基板２０の一端面２０ｉに、レーザ加工装置６０からのレーザ光Ｌの照射により凹部１２０を形成する凹部形成工程を、１つずつ、複数の対向基板２０に対して行う。   Next, in step S <b> 2, a concave portion forming step for forming the concave portion 120 by irradiating the laser beam L from the laser processing apparatus 60 on the one end surface 20 i of the counter substrate 20 is performed on the plurality of counter substrates 20 one by one. .

具体的には、先ず、ステージ制御部６４の移動制御により、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２を移動させて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが、対向基板２０の凹部１２０の形成予定線１２１上に位置するよう対向基板２０を移動させる。   Specifically, first, the X-axis stage 71 and the Y-axis stage 72 are moved by the movement control of the stage control unit 64, so that the condensing point P of the laser light L is a formation planned line of the recess 120 of the counter substrate 20. The counter substrate 20 is moved so as to be positioned on 121.

その後、ステージ制御部６４の移動制御により、Ｚ軸ステージ７３を移動させて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが、対向基板２０の内部の設定深さ、例えば対向基板２０の裏面２０ｒとなる深さに位置するよう、対向基板２０をＺ軸方向に移動させる。   Thereafter, the Z-axis stage 73 is moved by the movement control of the stage control unit 64, and the condensing point P of the laser light L becomes a set depth inside the counter substrate 20, for example, the depth at which the back surface 20r of the counter substrate 20 is formed. The counter substrate 20 is moved in the Z-axis direction so as to be positioned at this position.

その後、対向基板２０の裏面２０ｒとなる深さにおいて、ステージ制御部６４の移動制御により、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２を移動させて、対向基板２０の凹部１２０の形成予定線１２１に沿ってレーザ光Ｌを全てトレースし終えるまで照射する。このことにより、対向基板２０の裏面２０ｒとなる深さにおいて、平面的な幅が、０．５ミクロン程度の多光子吸収による改質領域９０を、凹部１２０の形成予定線１２１に沿って形成する。   Thereafter, the X-axis stage 71 and the Y-axis stage 72 are moved by the movement control of the stage control unit 64 at a depth that becomes the back surface 20r of the counter substrate 20, and along the planned formation line 121 of the recess 120 of the counter substrate 20. Then, the laser beam L is irradiated until all the tracing is completed. As a result, a modified region 90 by multiphoton absorption having a planar width of about 0.5 microns is formed along the planned formation line 121 of the recess 120 at a depth that becomes the back surface 20r of the counter substrate 20. .

その後、ステージ制御部６４の移動制御により、Ｚ軸ステージ７３を移動させて、レーザ光Ｌの集光点Ｐを対向基板２０の表面２０ｆ側にＺ軸方向に移動させ、その後、Ｘ軸ステージ７１、Ｙ軸ステージ７２を移動させて、同様に形成予定線１２１に沿ったレーザ光Ｌの照射を行う。尚、該形成予定線１２１に沿ったレーザ光Ｌの照射は、対向基板２０の表面２０ｆまで行う。   Thereafter, the Z-axis stage 73 is moved by the movement control of the stage control unit 64, and the condensing point P of the laser light L is moved in the Z-axis direction toward the surface 20 f side of the counter substrate 20, and then the X-axis stage 71. Then, the Y-axis stage 72 is moved to irradiate the laser beam L along the planned formation line 121 in the same manner. The irradiation with the laser beam L along the planned formation line 121 is performed up to the surface 20 f of the counter substrate 20.

その結果、図７に示すように、複数の対向基板２０にはそれぞれ、対向基板２０をＺ軸方向に貫通する改質領域９０が形成され、このことにより、複数の対向基板２０の一端面２０ｉに、それぞれ凹部１２０が形成される。   As a result, as shown in FIG. 7, each of the plurality of counter substrates 20 is formed with a modified region 90 penetrating the counter substrate 20 in the Z-axis direction, whereby one end face 20i of the plurality of counter substrates 20 is formed. In addition, each of the recesses 120 is formed.

尚、凹部１２０の形成に、レーザ加工装置６０によるレーザ光Ｌの照射を用いたのは、従来より用いているダイシングやスクライブ等では平面的に、直線状にしか加工することはできないが、レーザ光Ｌの照射を用いると、直線は勿論の事、直線以外の様々な形状、例えば曲線形状に加工することができるためである。即ち、ダイシングやスクライブでは加工の難しい凹部１２０を、レーザ光を用いて容易かつ所望の形状に形成することができるためである。   Note that the laser beam L irradiation by the laser processing device 60 is used to form the recess 120, although the conventional dicing, scribe, or the like can be processed only in a straight line in a plane. This is because when the irradiation with the light L is used, various shapes other than a straight line, for example, a curved shape can be processed as well as a straight line. That is, the recess 120 that is difficult to process by dicing or scribing can be easily formed into a desired shape using a laser beam.

また、各対向基板２０の内部に形成する改質領域９０は、対向基板２０をＺ軸方向に貫通して形成する必要は必ずしもなく、図８に示すように、対向基板２０の内部において、表面２０ｆと裏面２０ｒの近傍に、薄肉部１６１を残して形成してもよい。この場合、薄肉部１６１が、例えば作業者により分断されることにより、各対向基板２０の一端面２０ｉに凹部１２０が形成される。   Further, the modified region 90 formed in each counter substrate 20 is not necessarily formed so as to penetrate the counter substrate 20 in the Z-axis direction. As shown in FIG. The thin portion 161 may be left in the vicinity of 20f and the back surface 20r. In this case, the thin portion 161 is divided by, for example, an operator, so that the concave portion 120 is formed on the one end face 20 i of each counter substrate 20.

さらに、凹部１２０は、上述したように、対向基板２０を、シール材５２を介してＴＦＴ基板１０に貼り合わせた際、シール材５２の液晶注入口１０８に対し、平面的にオーバラップする対向基板２０の一端面２０ｉの位置に形成される。尚、凹部１２０を、シール材５２の液晶注入口１０８に対し、平面的にオーバラップする位置に形成したのは、封止材１０９により、確実に液晶注入口１０８を封止するためである。   Further, as described above, the recess 120 is a counter substrate that overlaps the liquid crystal injection port 108 of the sealing material 52 in a plan view when the counter substrate 20 is bonded to the TFT substrate 10 via the sealing material 52. 20 is formed at the position of one end face 20i. The reason why the recess 120 is formed at a position that overlaps the liquid crystal injection port 108 of the sealing material 52 in a plane is that the liquid crystal injection port 108 is reliably sealed by the sealing material 109.

その後、各対向基板２０の表面２０ｆに、対向電極２１、配向膜２６等の各種薄膜を形成した後、図５に戻って、ステップＳ３において、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との一方、例えば対向基板２０の表面２０ｆに、シール材５２を形成するシール材形成工程を行う。   Then, after forming various thin films such as the counter electrode 21 and the alignment film 26 on the surface 20f of each counter substrate 20, returning to FIG. 5, in step S3, one of the TFT substrate 10 and the counter substrate 20, for example, counter A sealing material forming step for forming the sealing material 52 on the surface 20f of the substrate 20 is performed.

具体的には、対向基板２０がシール材５２を介してＴＦＴ基板１０に貼り合わされた際、表示領域４０と対向基板２０の外周端部との間に位置する領域２９に、表示領域４０を平面的に囲むとともに、液晶注入口１０８が、凹部１２０が形成された一端面２０ｉ側に開口されるようシール材５２を形成する。   Specifically, when the counter substrate 20 is bonded to the TFT substrate 10 via the sealing material 52, the display region 40 is planarized in the region 29 located between the display region 40 and the outer peripheral edge of the counter substrate 20. In addition, the sealing material 52 is formed so that the liquid crystal injection port 108 is opened to the one end face 20 i side where the recess 120 is formed.

その後、ステップＳ４において、画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、配向膜１６等の各種薄膜を形成した、対向基板２０よりも大きなＴＦＴ基板１０が複数構成された大板の基板１１０を用意する。   Thereafter, in step S4, a large substrate 110 is prepared, on which various thin films such as the pixel electrode 9a, the TFT 30, and the alignment film 16 are formed and a plurality of TFT substrates 10 larger than the counter substrate 20 are configured.

続くステップＳ５において、図９に示すように、大板の基板１１０に構成された複数のＴＦＴ基板１０に対し各対向基板２０を、シール材５２を介して、図１、図２に示すように各表示領域１０ｈ、２０ｈが一致するようそれぞれ貼り合わせる貼合工程を行う。   In the subsequent step S5, as shown in FIG. 9, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, each counter substrate 20 is passed through the sealing material 52 with respect to the plurality of TFT substrates 10 formed on the large substrate 110. A bonding process is performed in which the display areas 10h and 20h are bonded to each other.

貼り合わせ後、各対向基板２０が、各ＴＦＴ基板１０よりも小さいことにより、各ＴＦＴ基板１０上であって、対向基板２０の一端面２０ｉと、ＴＦＴ基板１０の対向基板２０の一端面２０ｉ側の該一端面２０ｉと平行な端面１０ｉとの間に、接続領域８０が形成される。   After bonding, each counter substrate 20 is smaller than each TFT substrate 10, so that the one end surface 20 i of the counter substrate 20 and the one end surface 20 i side of the counter substrate 20 of the TFT substrate 10 are on the TFT substrate 10. A connection region 80 is formed between the one end face 20i and the end face 10i parallel to the one end face 20i.

尚、接続領域８０は、上述したように、データ線駆動回路１０１、外部接続端子１０２、配線１０５等が設けられる領域となっている。   As described above, the connection region 80 is a region where the data line driving circuit 101, the external connection terminal 102, the wiring 105, and the like are provided.

次いで、ステップＳ６において、真空下において、液晶５０を、対向基板２０の凹部１２０により露呈されたＴＦＴ基板１０上の領域８８（図１０参照）に滴下し、その後、大気開放することにより、領域８８に滴下した液晶５０を、液晶注入口１０８から、表示領域４０に注入する注入工程を行う。   Next, in step S6, under vacuum, the liquid crystal 50 is dropped onto the region 88 (see FIG. 10) on the TFT substrate 10 exposed by the concave portion 120 of the counter substrate 20, and then the region 88 is opened to the atmosphere. An injection process is performed for injecting the liquid crystal 50 dropped onto the display region 40 from the liquid crystal injection port 108.

その後、ステップＳ７において、領域８８に封止材１０９を形成することにより、液晶注入口１０８を、封止材１０９により封止する。具体的には、封止材１０９は、対向基板２０に形成された凹部１２０により、図３に示すように、液晶注入口１０８に少なくとも一部が入り込むとともに、少なくとも一部が対向基板２０の一端面２０ｉからシール材５２側に入り込んで、液晶注入口１０８を封止する。   Thereafter, in step S <b> 7, the liquid crystal injection port 108 is sealed with the sealing material 109 by forming the sealing material 109 in the region 88. Specifically, as shown in FIG. 3, at least a part of the sealing material 109 enters the liquid crystal inlet 108 and at least a part of the counter substrate 20 is formed by the recess 120 formed in the counter substrate 20. The liquid crystal injection port 108 is sealed by entering the sealing material 52 side from the end face 20i.

尚、本実施の形態においては、対向基板２０に形成された凹部１２０により、上述したように、封止材１０９の少なくとも一部が、対向基板２０の一端面２０ｉからシール材５２側に入り込んで位置する。   In the present embodiment, as described above, at least a part of the sealing material 109 enters the sealing material 52 side from the one end face 20 i of the counter substrate 20 by the recess 120 formed in the counter substrate 20. To position.

このことにより、図１０に示すように、封止材１０９の一部が、対向基板２０の一端面２０ｉからＴＦＴ基板１０の端面１０ｉ側にはみ出して位置する従来よりも、端面１０ｉと一端面２０ｉとの間の接続領域８０を、小さくすることができる（Ｌ１＜Ｌ２）とともに、外部接続端子１０２に接続されるＦＰＣ５５が、従来よりも、一端面２０ｉ側に接続することができる（Ｌ３＜Ｌ４）。   As a result, as shown in FIG. 10, the end surface 10 i and the one end surface 20 i are more than the conventional one in which a part of the sealing material 109 protrudes from the one end surface 20 i of the counter substrate 20 to the end surface 10 i side of the TFT substrate 10. Can be reduced (L1 <L2), and the FPC 55 connected to the external connection terminal 102 can be connected to the one end face 20i side (L3 <L4). ).

その後、複数の対向基板２０が貼り合わされた、大板の基板１１０に構成された複数のＴＦＴ基板１０を、図９に示すように、大板の基板１１０から分断予定線１６０に沿って、上述したようなレーザ光Ｌの照射により、またはスクライブもしくはダイシング等により分断する工程を行う。尚、この分断工程は既知であるともに、この後の工程も既知であるため、その説明は省略する。   Thereafter, the plurality of TFT substrates 10 formed on the large substrate 110 to which the plurality of counter substrates 20 are bonded are described above along the planned dividing line 160 from the large substrate 110 as shown in FIG. A process of dividing by the irradiation of the laser beam L as described above or by scribing or dicing is performed. In addition, since this division | segmentation process is known and the process after this is also known, the description is abbreviate | omitted.

このように、本実施の形態においては、対向基板２０を、シール材５２を介してＴＦＴ基板１０に貼り合わせた際、シール材５２の液晶注入口１０８に対し平面的にオーバラップする対向基板２０の一端面２０ｉの位置に、凹部１２０をＺ軸方向に貫通するよう形成すると示した。   As described above, in the present embodiment, when the counter substrate 20 is bonded to the TFT substrate 10 via the sealing material 52, the counter substrate 20 overlaps the liquid crystal injection port 108 of the sealing material 52 in a plane. It is shown that the recess 120 is formed so as to penetrate in the Z-axis direction at the position of the one end face 20i.

このことによれば、凹部１２０により、封止材１０９を、対向基板２０の端面２０ｉからＴＦＴ基板１０上の接続領域８０にはみ出すことなく形成することができる。   According to this, the sealing material 109 can be formed by the recess 120 without protruding from the end surface 20 i of the counter substrate 20 into the connection region 80 on the TFT substrate 10.

このため、対向基板２０の平面的な形状が四角形の従来よりも、ＴＦＴ基板１０の端面１０ｉと対向基板２０の一端面２０ｉとの間の接続領域８０を、小さくすることができる（Ｌ１＜Ｌ２）とともに、外部接続端子１０２に接続されるＦＰＣ５５を、従来よりも、一端面２０ｉ側に接続することができる（Ｌ３＜Ｌ４）。   For this reason, the connection region 80 between the end surface 10i of the TFT substrate 10 and the one end surface 20i of the counter substrate 20 can be made smaller than in the conventional case where the planar shape of the counter substrate 20 is square (L1 <L2). In addition, the FPC 55 connected to the external connection terminal 102 can be connected to the one end face 20i side (L3 <L4).

このことにより、従来よりもＴＦＴ基板１０の小型化を実現することができることから、大板の基板１１０に構成するＴＦＴ基板１０の数を従来よりも増やすことができ、コストダウンを実現することができる。よって、液晶装置１００自体も、従来よりも小型化、軽量化を実現することができる。   As a result, the TFT substrate 10 can be made smaller than before, so that the number of TFT substrates 10 included in the large substrate 110 can be increased as compared with the conventional case, and the cost can be reduced. it can. Therefore, the liquid crystal device 100 itself can also be made smaller and lighter than before.

さらに、凹部１２０により露呈されたＴＦＴ基板１０上の領域８８に液晶５０を滴下した後、液晶注入口１０８から表示領域４０に液晶５０を注入することにより、液晶５０の滴下位置を規定し易く、また、凹部１２０により露呈されたＴＦＴ基板１０上の領域８８は、対向基板２０の一端面２０ｉよりもシール材５２側の領域であることより、滴下後、飛散し難いため、接続領域８０を液晶５０の滴下により汚すことないことから、液晶装置１００の品質を向上させることができる。また、液晶注入後の洗浄工程が不要となるため、液晶装置１００の生産性を向上させることができる。   Furthermore, after dropping the liquid crystal 50 into the region 88 on the TFT substrate 10 exposed by the recess 120, the liquid crystal 50 is injected into the display region 40 from the liquid crystal injection port 108, thereby easily defining the dropping position of the liquid crystal 50. In addition, since the region 88 on the TFT substrate 10 exposed by the recess 120 is a region closer to the sealing material 52 than the one end surface 20i of the counter substrate 20, it is difficult to scatter after dropping, so the connection region 80 is liquid crystal. The quality of the liquid crystal device 100 can be improved because it is not soiled by the dropping of 50. In addition, since the cleaning process after the liquid crystal injection is unnecessary, the productivity of the liquid crystal device 100 can be improved.

尚、以下変形例を、図１１、図１２に示す。図１１は、対向基板を大板の基板に構成した状態を示す部分正面図、図１２は、図１１の大板の基板から対向基板を分断した状態を示す正面図である。   In the following, modifications are shown in FIGS. 11 is a partial front view showing a state in which the counter substrate is configured as a large substrate, and FIG. 12 is a front view showing a state in which the counter substrate is divided from the large substrate in FIG.

本実施の形態においては、凹部１２０が形成される対向基板２０は、ＴＦＴ基板１０よりも小さい所定の大きさに分断されたチップ状を有していると示した。これに限らず、対向基板２０も、ＴＦＴ基板１０同様、図１１に示すように、大板の基板２１０に構成されていてもよく、凹部１２０は、大板の基板２１０から対向基板２０を分断すると同時に形成しても構わない。   In the present embodiment, the counter substrate 20 in which the concave portion 120 is formed is shown to have a chip shape divided into a predetermined size smaller than the TFT substrate 10. The counter substrate 20 is not limited to this, and the counter substrate 20 may be configured in a large substrate 210 as shown in FIG. 11, as in the TFT substrate 10, and the recess 120 divides the counter substrate 20 from the large substrate 210. You may form at the same time.

詳しくは、図１１に示すように、大板の基板２１０から、該大板の基板２１０に複数構成された対向基板２０をそれぞれ分断する際、レーザ加工装置６０を用いて、大板の基板２１０の内部に、上述した手法と同様に、分断予定線２６０に沿って改質領域９０を形成するとともに、上述した対向基板２０の位置に、凹部１２０を形成する。   Specifically, as shown in FIG. 11, when the plurality of opposing substrates 20 formed on the large substrate 210 are separated from the large substrate 210, the large substrate 210 is used by using a laser processing apparatus 60. In the same manner as described above, the modified region 90 is formed along the planned dividing line 260 and the recess 120 is formed at the position of the counter substrate 20 described above.

その後、大板の基板２１０から複数の対向基板２０を分断すると、図１２に示すように、対向基板２０には、上述した位置に凹部１２０が形成されるとともに、図中Ｙ軸方向に隣り合う対向基板２０に凹部１２０が形成されることに伴い、対向基板２０の一端面２０ｉにＹ軸方向に対向する他端面２０ｔには、凹部１２０と平面的に同じ大きさを有する凸部１２３が形成される。このようにして、大板の基板２１０から複数の対向基板２０を分断すると同時に、凹部１２０を形成する。   Thereafter, when the plurality of counter substrates 20 are divided from the large substrate 210, as shown in FIG. 12, the counter substrate 20 is formed with the recesses 120 at the above-described positions and adjacent to the Y-axis direction in the figure. Along with the formation of the concave portion 120 in the counter substrate 20, a convex portion 123 having the same size as the concave portion 120 is formed on the other end surface 20t facing the one end surface 20i of the counter substrate 20 in the Y-axis direction. Is done. In this manner, the plurality of counter substrates 20 are divided from the large substrate 210, and at the same time, the recesses 120 are formed.

このことによれば、複数の対向基板２０が構成された大板の基板２１０から複数の対向基板２０を効率良く分断することができ、複数の対向基板２０に、凹部１２０を効率よく形成することができる。   According to this, the plurality of counter substrates 20 can be efficiently divided from the large substrate 210 on which the plurality of counter substrates 20 are configured, and the recesses 120 are efficiently formed in the plurality of counter substrates 20. Can do.

尚、この場合、対向基板２０に形成されてしまう凸部１２３は、本来、対向基板２０においては不要なものであり除去する必要があるが、凸部１２３のＹ軸方向への平面的な突出量が大きくなければ、対向基板２０をＴＦＴ基板１０に貼り合わせた際、凸部１２３は、ＴＦＴ基板１０上に位置されるため、上述した突出量は無視できる。よって、大板の基板２１０から対向基板２０を分断後、凸部１２３を除去する必要はない。   In this case, the protrusion 123 formed on the counter substrate 20 is originally unnecessary on the counter substrate 20 and needs to be removed, but the protrusion 123 is planarly projected in the Y-axis direction. If the amount is not large, the protrusion 123 is positioned on the TFT substrate 10 when the counter substrate 20 is bonded to the TFT substrate 10, and thus the above-described protrusion amount can be ignored. Therefore, it is not necessary to remove the convex portion 123 after dividing the counter substrate 20 from the large substrate 210.

また、以下、別の変形例を、図１３を用いて示す。図１３は、対向基板に形成する凹部の形成位置の変形例を図１の液晶注入口近傍を拡大して示す部分拡大図である。   Hereinafter, another modification will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a partially enlarged view showing, in an enlarged manner, the vicinity of the liquid crystal injection port in FIG. 1 as a modification of the formation position of the recess formed in the counter substrate.

本実施の形態においては、凹部１２０は、図３に示すように、シール材５２の液晶注入口１０８に対し、平面的にオーバラップする対向基板２０の一端面２０ｉの位置に形成すると示した。   In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the recess 120 is formed at the position of the one end face 20 i of the counter substrate 20 that overlaps the liquid crystal injection port 108 of the sealing material 52 in a planar manner.

これに限らず、凹部１２０は、シール材５２に平面的にオーバラップせずに、図１３に示すように、シール材５２の液晶注入口１０８に対し、平面的に臨む対向基板２０の一端面２０ｉの位置に形成しても構わない。このことによれば、対向基板２０の一端面２０ｉにシール材５２の位置を気にすることなく、凹部１２０を形成することができる。   Not limited to this, the recess 120 does not overlap the sealing material 52 in a plan view, and as shown in FIG. 13, one end surface of the counter substrate 20 that faces the liquid crystal injection port 108 of the sealing material 52 in a plan view. You may form in the position of 20i. According to this, the recess 120 can be formed on the one end face 20 i of the counter substrate 20 without worrying about the position of the sealing material 52.

さらに、また、以下別の変形例を図１４〜図１７を用いて示す。図１４は、凹部の凹面が、面取り部を有するよう対向基板に凹部を形成した状態を示す正面図、図１５は、凹部の複数の稜部が曲面形状となるよう対向基板に凹部を形成した状態を示す正面図、図１６は、対向基板に凹部をＺ軸方向に対して斜め下方に形成した状態を示す正面図、図１７は、図１６中のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。   Furthermore, another modification will be described below with reference to FIGS. FIG. 14 is a front view showing a state in which the concave portion of the concave portion has a chamfered portion and the concave portion is formed on the counter substrate, and FIG. FIG. 16 is a front view showing a state in which the concave portion is formed obliquely downward with respect to the Z-axis direction in the counter substrate, and FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII in FIG. .

本実施の形態においては、凹部１２０は、レーザ加工装置６０からのレーザ光Ｌの照射により形成されると示した。   In the present embodiment, it has been shown that the recess 120 is formed by irradiation with the laser light L from the laser processing apparatus 60.

このことを用いれば、凹部１２０は、様々な形状に形成することができる。具体的には、図１４に示すように凹部１２０の凹面１２０ｍが、対向基板２０の一端面２０ｉに対して傾斜するよう対向基板２０に凹部１２０を形成してもよい。即ち、凹部１２０が凹面１２０ｍに面取り部を有していてもよい。   If this is used, the recessed part 120 can be formed in various shapes. Specifically, as shown in FIG. 14, the concave portion 120 may be formed in the counter substrate 20 such that the concave surface 120 m of the concave portion 120 is inclined with respect to the one end surface 20 i of the counter substrate 20. That is, the concave portion 120 may have a chamfered portion on the concave surface 120m.

また、図１５に示すように、凹部１２０の複数の稜部１２０ｒの少なくとも一部を、曲面形状に形成しても構わない。このことによれば、凹部１２０形成後、凹部１２０の稜部１２０ｒの欠けを防止することができる。   As shown in FIG. 15, at least a part of the plurality of ridges 120r of the recess 120 may be formed in a curved shape. According to this, after formation of the recess 120, it is possible to prevent the ridge 120r of the recess 120 from being chipped.

さらには、図１６、図１７に示すように、対向基板２０の一端面２０ｉに対し、レーザ光Ｌを斜め上方から照射することにより、対向基板２０に凹部１２０をＺ軸方向に対して斜め下方に形成しても構わない。即ち、凹部１２０は、対向基板２０において、必ずしもＺ軸方向に貫通して形成する必要はない。   Further, as shown in FIGS. 16 and 17, the laser beam L is irradiated obliquely from above to the one end surface 20 i of the counter substrate 20, so that the concave portion 120 is inclined downward with respect to the Z-axis direction on the counter substrate 20. You may form in. That is, the recess 120 does not necessarily have to be formed through the counter substrate 20 in the Z-axis direction.

尚、凹部１２０の形状は、これらに限定されず、上述したように、封止材１０９の少なくとも一部を、対向基板２０の一端面２０ｉよりもシール材５２側に入り込ませるともに、封止材１０９の少なくとも一部を、シール材５２の液晶注入口１０８に入り込ませることができる形状であれば、レーザ加工装置６０により、どのような形状に形成しても構わないことは勿論である。   The shape of the recess 120 is not limited thereto, and as described above, at least a part of the sealing material 109 is allowed to enter the sealing material 52 side of the one end face 20i of the counter substrate 20, and the sealing material. Of course, any shape can be formed by the laser processing apparatus 60 as long as at least a part of 109 can enter the liquid crystal injection port 108 of the sealing material 52.

また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。   Further, the liquid crystal device is not limited to the above-described illustrated examples, and it is needless to say that various changes can be made without departing from the gist of the present invention. For example, the above-described liquid crystal device has been described by taking an active matrix type liquid crystal display module using an active element (active element) such as a TFT (thin film transistor) as an example. An active matrix type liquid crystal display module using active elements (active elements) may be used.

さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。   Further, in the present embodiment, the electro-optical device has been described by taking a liquid crystal device as an example, but the present invention is not limited to this, and an electroluminescence device, in particular, an organic electroluminescence device, an inorganic electroluminescence device, or the like. Small size using plasma display device, FED (Field Emission Display) device, SED (Surface-Condition Electron-Emitter Display) device, LED (light emitting diode) display device, electrophoretic display device, thin cathode ray tube or liquid crystal shutter The present invention can be applied to various electro-optical devices such as a device using a television.

また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。   The electro-optical device may be a display device that forms elements on a semiconductor substrate, for example, LCOS (Liquid Crystal On Silicon). In LCOS, a single crystal silicon substrate is used as an element substrate, and a transistor is formed on a single crystal silicon substrate as a switching element used for a pixel or a peripheral circuit. In addition, a reflective pixel electrode is used for the pixel, and each element of the pixel is formed below the pixel electrode.

また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。   In addition, the electro-optical device has a display device in which a pair of electrodes are formed on the same layer of a substrate on one side, for example, IPS (In-Plane Switching), or a pair of electrodes on one substrate via an insulating film. It may be a display device FFS (Fringe Field Switching) formed.

さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図１８は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。   Furthermore, examples of the electronic apparatus in which the liquid crystal device of the present invention is used include a projection display device, specifically, a projector. FIG. 18 is a diagram showing a configuration of a projector in which three liquid crystal devices of FIG. 1 are arranged.

同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１００は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）配設されている。   As shown in the figure, in the projector 1100, for example, three (100R, 100G, 100B) liquid crystal devices 100 are disposed as light valves for RGB.

プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラ１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに各々導かれる。   In the projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, light components R (red) corresponding to the three primary colors of RGB are obtained by three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108. , G (green), and B (blue), and led to the light valves 100R, 100G, and 100B corresponding to the respective colors.

この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。   At this time, in particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an incident lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path.

そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。   The light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are synthesized again by the dichroic prism 1112, and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.

本実施の形態によって製造される液晶装置の平面図。The top view of the liquid crystal device manufactured by this Embodiment. 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。Sectional drawing cut | disconnected along the II-II line | wire in FIG. 図１の液晶注入口近傍を拡大して示す部分拡大図。FIG. 2 is a partially enlarged view showing the vicinity of a liquid crystal injection port in FIG. 1 in an enlarged manner. 対向基板に凹部を形成する際に用いるレーザ加工装置の構成の一例を概略的に示すブロック図。The block diagram which shows roughly an example of a structure of the laser processing apparatus used when forming a recessed part in a counter substrate. 本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャート。6 is a flowchart showing a method for manufacturing a liquid crystal device according to the present embodiment. 対向基板にレーザ光を照射して対向基板の凹部の形成予定線に改質領域を形成する状態を示す拡大斜視図。The enlarged perspective view which shows the state which irradiates a laser beam to a counter substrate, and forms a modification area | region in the formation line of the recessed part of a counter substrate. 図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う部分断面図。The fragmentary sectional view which follows the VII-VII line in FIG. 対向基板の凹部の形成予定線に形成する改質領域のＺ軸方向の形状の変形例を示す部分断面図。The fragmentary sectional view which shows the modification of the shape of the Z-axis direction of the modification | reformation area | region formed in the formation line of the recessed part of a counter substrate. マザー基板に複数構成された各ＴＦＴ基板に、シール材を介してそれぞれ対向基板が貼着されている状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state by which the opposing board | substrate is each affixed on each TFT board | substrate comprised by the mother board | substrate through the sealing material. 図１のＴＦＴ基板上の接続領域の大きさを、従来の大きさとともに示す液晶装置の概略正面図。The schematic front view of the liquid crystal device which shows the magnitude | size of the connection area | region on the TFT substrate of FIG. 1 with the conventional magnitude | size. 対向基板を大板の基板に構成した状態を示す部分正面図。The partial front view which shows the state which comprised the opposing board | substrate to the board | substrate of a large board. 図１１の大板の基板から対向基板を分断した状態を示す正面図。The front view which shows the state which divided | segmented the opposing board | substrate from the board | substrate of the large board of FIG. 対向基板に形成する凹部の形成位置の変形例を図１の液晶注入口近傍を拡大して示す部分拡大図。FIG. 9 is a partial enlarged view showing, in an enlarged manner, the vicinity of the liquid crystal injection port of FIG. 凹部の凹面が、面取り部を有するよう対向基板に凹部を形成した状態を示す正面図。The front view which shows the state which formed the recessed part in the opposing board | substrate so that the concave surface of a recessed part may have a chamfering part. 凹部の複数の稜部が曲面形状となるよう対向基板に凹部を形成した状態を示す正面図。The front view which shows the state which formed the recessed part in the opposing board | substrate so that the some ridge part of a recessed part might become a curved surface shape. 対向基板に凹部をＺ軸方向に対して斜め下方に形成した状態を示す正面図。The front view which shows the state which formed the recessed part in the opposing board | substrate diagonally downward with respect to the Z-axis direction. 図１６中のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図。Sectional drawing which follows the XVII-XVII line | wire in FIG. 図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a projector in which three liquid crystal devices of FIG. 1 are arranged.

符号の説明Explanation of symbols

１０…ＴＦＴ基板、１０ｈ…表示領域、２０…対向基板、２０ｈ…表示領域、２０ｉ…一端面、２０ｔ…他端面、２９…表示領域と対向基板の外周端部との間の領域、４０…表示領域、５０…液晶、５２…シール材、８８…凹部により露呈されたＴＦＴ基板上の領域、９０…改質領域、１００…液晶装置、１０８…液晶注入口、１２０…凹部、１２０ｒ…稜部、１２１…凹部の形成予定線、１２３…凸部、２１０…大板の基板、Ｌ…レーザ光、Ｐ…集光点。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... TFT substrate, 10h ... Display area, 20 ... Counter substrate, 20h ... Display area, 20i ... One end surface, 20t ... Other end surface, 29 ... Area between display area and outer peripheral edge of counter substrate, 40 ... Display 50, liquid crystal, 52 ... sealing material, 88 ... area on the TFT substrate exposed by the recess, 90 ... modified area, 100 ... liquid crystal device, 108 ... liquid crystal inlet, 120 ... recess, 120r ... ridge, 121 ... Scheduled formation line of a recess, 123 ... Projection, 210 ... Large substrate, L ... Laser beam, P ... Condensing point.

Claims (15)

素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置の製造方法において、
前記対向基板の一端面に、凹部を、レーザ光を用いて形成する凹部形成工程と、
前記素子基板と前記対向基板との一方の前記表示領域と前記対向基板の外周端部との間の領域に、前記表示領域を平面的に囲むとともに前記凹部が形成された前記一端面側に注入口を開口してシール材を形成するシール材形成工程と、
前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせる貼合工程と、
前記凹部により露呈された前記素子基板上に前記電気光学物質を滴下し、前記注入口から、前記表示領域に前記電気光学物質を注入する注入工程と、
前記電気光学物質を注入後、前記注入口に封止材を形成し、該封止材の少なくとも一部を前記凹部により、前記注入口に入り込ませるとともに前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませて、前記注入口を前記封止材により封止する封止工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 In an electro-optical device manufacturing method, wherein an element substrate and a counter substrate facing the element substrate are arranged to face each other, and an electro-optical material is interposed in at least a display region between the element substrate and the counter substrate.
A recess forming step of forming a recess on one end face of the counter substrate using a laser beam;
In the region between the display region of one of the element substrate and the counter substrate and the outer peripheral edge of the counter substrate, the display region is planarly surrounded and the end surface side where the recess is formed is poured. A sealing material forming step of opening the inlet to form a sealing material;
A bonding step of bonding the element substrate and the counter substrate;
An injection step of dropping the electro-optical material onto the element substrate exposed by the recess and injecting the electro-optical material into the display region from the injection port;
After injecting the electro-optical material, a sealing material is formed at the injection port, and at least a part of the sealing material is caused to enter the injection port by the concave portion and from the one end surface of the counter substrate. A sealing step of entering the side and sealing the inlet with the sealing material;
An electro-optical device manufacturing method comprising: 前記凹部形成工程は、前記対向基板が構成された大板の基板から前記対向基板を分断する際に行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。   2. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the recess forming step is performed when the counter substrate is divided from a large substrate on which the counter substrate is configured. 前記凹部形成工程は、前記対向基板の内部の設定深さにおいて集光点を合わせて前記レーザ光を照射し、前記設定深さに多光子吸収による改質領域を、前記凹部の形成予定線に沿って形成することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。   In the recess forming step, the laser beam is irradiated with a condensing point at a set depth inside the counter substrate, and a modified region by multiphoton absorption is set to the set depth of the set recess. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device is formed along the line. 前記凹部形成工程は、前記貼合工程後、前記凹部が前記シール材に対し、平面的にオーバラップする前記対向基板の位置に、前記凹部を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。   The said recessed part formation process forms the said recessed part in the position of the said opposing board | substrate which the said recessed part overlaps planarly with respect to the said sealing material after the said bonding process. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 1. 前記凹部形成工程は、前記貼合工程後、前記凹部が前記注入口に対し、平面的に臨む前記対向基板の位置に前記凹部を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。   The said recessed part formation process forms the said recessed part in the position of the said opposing board | substrate which the said recessed part faces planarly with respect to the said injection hole after the said bonding process. A method for manufacturing the electro-optical device according to the item. 前記凹部は、複数の稜部を有しており、
前記凹部形成工程は、前記凹部の前記稜部の少なくとも一部を、曲面形状に形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。 The recess has a plurality of ridges,
6. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein in the recess forming step, at least a part of the ridge portion of the recess is formed in a curved surface shape. 前記凹部形成工程は、前記対向基板の前記一端面と対向する他端面に、前記凹部と平面的に同じ大きさを有する凸部を形成することを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。   The said recessed part formation process forms the convex part which has the same magnitude | size planarly with the said recessed part in the other end surface facing the said one end surface of the said opposing board | substrate, The any one of Claims 2-6 characterized by the above-mentioned. A method for manufacturing the electro-optical device according to the item. 素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが、注入口が開口されたシール材を介して対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に、前記注入口を介して電気光学物質が介在され、前記注入口が封止材で封止された電気光学装置における前記対向基板を構成する電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記対向基板の一端面に、前記表示領域に前記電気光学物質を注入後、前記注入口に前記封止材の少なくとも一部を入り込ませるとともに前記封止材の一部を前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませて前記注入口を封止する凹部を、レーザ光を用いて形成する凹部形成工程を具備することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。 An element substrate and a counter substrate facing the element substrate are disposed to face each other through a sealing material having an injection port opened, and at least in a display region between the element substrate and the counter substrate via the injection port. An electro-optic device substrate comprising the counter substrate in an electro-optic device in which an electro-optic material is interposed and the injection port is sealed with a sealing material,
After injecting the electro-optical material into the display region on one end surface of the counter substrate, at least a part of the sealing material is inserted into the injection port and a part of the sealing material is placed on the one side of the counter substrate. A method of manufacturing a substrate for an electro-optical device, comprising: a recess forming step of forming a recess that enters the sealing material side from an end surface and seals the injection port by using laser light. 請求項８に記載の電気光学装置用基板の製造方法により製造された電気光学装置用基板。   An electro-optical device substrate manufactured by the method for manufacturing an electro-optical device substrate according to claim 8. 素子基板と該素子基板に対向する対向基板とが対向配置され、前記素子基板と前記対向基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置において、
前記素子基板と前記対向基板との間であって、前記表示領域と前記対向基板の外周端部との間の領域に、前記表示領域を平面的に囲んで形成されたシール材と、
前記シール材に開口されて形成された、前記表示領域に前記電気光学物質を注入する注入口と、
前記表示領域に前記電気光学物質を注入後、前記注入口を封止する封止材と、
を具備し、
前記対向基板の前記注入口側に位置する一端面に、前記封止材の少なくとも一部を、前記対向基板の前記一端面から前記シール材側に入り込ませるとともに、前記注入口に前記封止材の少なくとも一部を入り込ませる凹部が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 In an electro-optical device in which an element substrate and a counter substrate facing the element substrate are arranged to face each other, and an electro-optical material is interposed in at least a display region between the element substrate and the counter substrate.
A sealing material formed between the element substrate and the counter substrate and between the display region and the outer peripheral edge of the counter substrate so as to surround the display region in a plane;
An injection port for injecting the electro-optic material into the display region, formed by being opened in the sealing material;
A sealing material for sealing the injection port after injecting the electro-optical material into the display region;
Comprising
At least one part of the sealing material is allowed to enter the sealing material side from the one end surface of the counter substrate on one end surface located on the injection port side of the counter substrate, and the sealing material is inserted into the injection port. An electro-optical device characterized in that a recess is formed to allow at least a portion thereof to enter. 前記凹部は、前記シール材に対し、平面的にオーバラップして形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 10, wherein the concave portion is formed to overlap the sealing material in a planar manner. 前記凹部は、前記注入口に対し平面的に臨んで形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 10, wherein the concave portion is formed to face the injection port in a plan view. 前記凹部は、複数の稜部を有しており、
前記凹部の前記稜部の少なくとも一部は、曲面形状に形成されていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の電気光学装置。 The recess has a plurality of ridges,
The electro-optical device according to claim 10, wherein at least a part of the ridge portion of the concave portion is formed in a curved surface shape. 前記対向基板の前記一端面と対向する他端面に、前記凹部と平面的に同じ大きさを有する凸部が形成されていることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の電気光学装置。   The convex part which has the same magnitude | size planarly as the said recessed part is formed in the other end surface facing the said one end surface of the said opposing board | substrate, The any one of Claims 10-13 characterized by the above-mentioned. Electro-optic device. 請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus using the electro-optical device according to claim 10.
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JP2010204405A (en) * 2009-03-04 2010-09-16 Epson Imaging Devices Corp Method for manufacturing in plane switching liquid crystal display panel
JP2012093468A (en) * 2010-10-26 2012-05-17 Mitsubishi Electric Corp Display device, liquid crystal display device, and touch panel device

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