JP2007243744A - 固体撮像素子及びこれを用いた電子カメラ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の固体撮像素子は、少なくとも一部の画素が、複数の光電変換部と、光電変換部のそれぞれに対応して配置され電荷を対応する光電変換部から受け取る複数の電荷格納部と、複数の電荷格納部から電荷を受け取るフローティング拡散領域と、光電変換部から対応するそれぞれの電荷格納部に電荷を転送する第1の転送部と、複数の電荷格納部からフローティング拡散領域に電荷を転送する第2の転送部と、光電変換部に入射光を導くマイクロレンズとを有する。
【選択図】図3
Description
増幅型の固体撮像素子は、画素の光電変換部にて生成・蓄積された信号電荷を画素に設けられた画素アンプ部に導き、信号電荷に対応した電気信号を画素から出力する。そして、増幅型の固体撮像素子には、画素アンプ部に接合型電界効果トランジスタを用いた固体撮像素子(特許文献1)や、画素アンプ部にMOSトランジスタを用いたCMOS型固体撮像素子などが提案されている。
そして、瞳分割位相差方式を固体撮像素子に適用した提案がなされている。例えば特許文献3には、画像信号を生成する画素と、焦点検出用の信号を生成する画素を有する固体撮像素子が提案されている。焦点検出用画素は、二つの光電変換部を有している。また、焦点検出用画素は、隣接配置されないように設けられている。そして、焦点検出用信号を得る際には、二つの光電変換部のうちの一方の光電変換部の信号を当該画素の出力部から、他方の光電変換部の信号を隣接する画像信号用画素の出力部から同時に読み出す。このことにより、特許文献3に記載の固体撮像素子は、焦点検出用画素の2つの光電変換部における露光時間とタイミングを同一にすることが可能となっている。
本発明の第6の態様による固体撮像素子は、前記第1から第4のいずれかの態様において、前記少なくとも一部の画素は、前記光電変換部が3個配置されることを特徴とする。
[第1の実施形態]
(電子カメラの構成)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る電子カメラ1を示すブロック図である。電子カメラ1には、撮影レンズ2が装着される。この撮影レンズ2は、レンズ制御部2aによって焦点や絞りが駆動される。この撮影レンズ2の像空間には、固体撮像素子3の撮像面が配置される。
固体撮像素子3は、撮像制御部4の指令によって駆動され、信号を出力する。固体撮像素子3から出力される信号は、画像用の信号、焦点検出用の信号のいずれかである。いずれにおいても信号は、信号処理部5、及びA/D変換部6を介して処理された後、メモリ7に一旦蓄積される。メモリ7は、バス8に接続される。バス8には、レンズ制御部2a、撮像制御部4、マイクロプロセッサ9、焦点演算部10、記録部11、画像圧縮部12及び画像処理部13なども接続される。上記マイクロプロセッサ9には、レリーズ釦などの操作部9aが接続される。また、上記の記録部11には記録媒体11aが着脱自在に装着される。
ここでは、後述するようにすべての有効画素は、焦点検出用の信号を生成する。また、すべての有効画素は、焦点検出用の信号とは異なるタイミングで画像用の信号を生成する。しかし、これに限らず、焦点検出用の信号を生成する画素は、固体撮像素子3に配置される画素のうち、少なくとも一部であれば良い。この場合において、その他の画素は、画像用の信号を出力する。
ところで、後述するように、本実施形態の固体撮像素子3は、焦点検出信号を出力する画素に二つの光電変換部を有している。そして、この二つの光電変換部上には共通する一つのマイクロレンズが配置されている。この二つの光電変換部から出力される焦点検出信号が一対(一組)となり、デフォーカス量は、この一組の焦点検出信号によって以下のように算出される。
図2は、本実施形態に係る固体撮像素子3の概略構成を示す回路図である。固体撮像素子3は、マトリクス状に配置された複数の画素20と、画素20から信号を出力するための周辺回路とを有している。図において、画素数は、横に4行縦に4行の16個の画素を示している。しかし、これに限られるものではない。なお、破線部の符号20が画素の概略部を示すが、その具体的な回路構成や構造は、後述する。
本実施形態において各画素20は、ダミーやオプチカルブラックなど画像のための光電変換を行わない画素を除き(即ち、所謂有効画素領域において)、同一の回路構成、平面構造の画素が配置されている。そして、これらの画素20は、周辺回路の駆動信号に従って画像用の信号、及び、焦点検出用の信号のいずれかを出力する。又、すべての画素20は、同時に光電変換部がリセットされて露光の時間とタイミングを同一にすることが可能となっている。
垂直走査回路21及び水平走査回路22は、電子カメラ1の撮像制御部4からの指令に基づいて駆動信号を出力する。各画素20は、垂直走査回路21から出力される駆動信号を所定の駆動信号線23から受け取って駆動され、画像用又は焦点検出用信号を垂直信号線25に出力する。垂直走査回路21から出力される駆動信号は複数あり、それに伴い駆動配線23も複数ある。これらについては後述する。
画素から出力された信号は、相関二重サンプリング回路27にて所定のノイズ除去が施される。そして、水平走査回路22の駆動信号により水平信号線28及び出力アンプ29を介して外部に信号が出力される。
図3は、本実施形態に係る固体撮像素子3の画素回路図である。画素20は、入射光に応じた電荷を生成し蓄積する光電変換部としての2つの埋め込みフォトダイオード51、52と、各埋め込みフォトダイオード51、52から転送される電荷をそれぞれ独立に蓄積する二つの電荷格納部61、62と、各埋め込みフォトダイオード51、52からそれぞれに対応する電荷格納部61、62に電荷を転送する第1転送部63、64と、電荷格納部61、62から転送される電荷を個別に、又は、同時に蓄積するフローティング拡散領域(FD)67と、各電荷格納部61、62からFD67に電荷を個別に、又は、同時に転送する第2転送部65、66と、FD67の電荷量に応じた信号を出力する画素アンプ部としての増幅トランジスタ48と、FD67の電荷を排出する第1のリセット部としてのFDリセット部49と、増幅トランジスタ48の信号を画素から出力する選択スイッチ50と、埋め込みフォトダイオード51、52で生成された電荷であって不要電荷を埋め込みフォトダイオード51、52から排出する第2のリセット部としてのPDリセット部68を有している。
また、それぞれの埋め込みフォトダイオード51、52に対応して電荷格納部61、62が配置される。電荷格納部61、62は、対応する埋め込みフォトダイオード51、52から電荷が転送されて電荷を一時的に蓄積する。これにより、相関二重サンプリングの処理を行いつつ、全画素の露光時間とそのタイミングを同一にすることが可能となる。
第1転送部63、64は、後述するとおりMOSトランジスタのゲート部として構成されている。画素内の二つの第1転送部は、そのゲート電極が共通に接続されており、垂直走査回路21から駆動配線23を介して駆動信号φTGAが供給される。2個の第1転送部63、64は、この駆動信号φTGAに従って所定のタイミングで同時にオンとされ、2個の埋め込みフォトダイオード51、52から電荷を同時に各々の電荷格納部61、62に転送する。ただし、同時にオンとされるなら、各々のゲート電極は、個別に駆動信号φTGAを供給されても構わない。
なお、本実施形態において、有効画素はすべて同一の構造の画素とし、これらの画素は、焦点検出用の信号と画像用の信号を異なるタイミングで出力することが可能である。しかし、これに限らず、固体撮像素子3は、所定部に焦点検出エリアが設けられ、このエリアに図2の回路を有する画素が配置されて焦点検出用の信号を生成し、その他のエリアに光電変換部を一つ有する画素が配置されて画像用の信号を生成するよう構成されても構わない。
また、図3において、埋め込みフォトダイオード51、52の一方の端子、電荷格納部61、62の一方の端子、及び、FD67の一方の端子は、接地としている。しかし、これに限らず所定の電圧が印加される(実際には、これらの電位は、以下に示す図5、図6から理解されるとおりP型ウエル32の電位となる)。
この構成により、ゲート電極35にローの電圧を印加すると、P型ウエル32の電位にピンニングされて電荷格納部61、62の表面の界面準位がホールで満たされる。暗電流の大きさは、界面準位の電子占有確率に大きく影響される。したがって、電荷格納部61、62の暗電流は、ゲート電極35に上記のような電圧を印加して界面準位をホールで満たすことにより、大幅に低減することが可能となる。また、N型拡散層75、76は、ゲート電極35によって遮光されるので、不要な光によるノイズが低減される。しかし、これに限らず、ゲート電極35を埋め込みフォトダイオード51、52とN型拡散層75、76の間にのみ配置させても良い。
不要電荷は、FD67に転送してFDリセット部49によって排出されても良い。このようにするなら、PDリセット部68は、配置されなくても良い。或いは、少なくとも一部(例えば焦点検出用画素)に配置されてもよい。
(駆動手順)
図7は、本実施形態に係る固体撮像素子から信号を読み出す動作を説明するタイミングチャートであり、(a)は画像用信号を読み出す駆動信号、(b)は焦点検出用信号を読み出す駆動信号を示す。
最初に、図7(a)を参照して画像用信号が読み出される動作を説明する。なお、T1の期間は、全有効画素が同時に駆動される期間である。即ち、T1の期間の駆動パルスは、全行において同一の駆動信号が垂直走査回路21から出力される。また、T2は、第1行目が読み出される期間、T3は、第2行目が読み出される期間であり、選択された行のみ、本図の駆動信号が出力される。
まず、T11の期間において、φPDRはハイにされPDリセット部68がオン状態とされる。この動作により、すべての有効画素の埋め込みフォトダイオード51、52に蓄積されている不要な電荷が電源VDDに排出される。即ち、埋め込みフォトダイオード51、52はリセットされる。そして、全有効画素の埋め込みフォトダイオード51、52は、T11の終了時から露光を同時に開始する。
CDS回路27は、この期間に送られた信号と先ほど保存したダークレベルに対応する信号との差を第1行目の画素の画素信号として出力する。そして、これらの第1行目の画素の画素信号は、水平走査回路22の駆動信号によって水平信号線28、出力アンプ29を介して外部に出力される。外部に出力された信号は、信号処理部5(図1参照)などを介してメモリ7に送られ、一旦蓄積される。
次に図7(b)を参照して焦点検出用の信号を読み出す動作を説明する。なお、T1の期間は、全有効画素を同時に駆動する期間である。即ち、T1の期間の駆動パルスは、全行において同一の駆動信号が垂直走査回路21から出力される。また、T2は、第1行目が読み出される期間、T3は、第2行目が読み出される期間であり、選択された行のみ、本図の駆動信号が出力される。
まず、T21の期間において、φPDRはハイにされPDリセット部68がオン状態とされる。この動作により、すべての有効画素の埋め込みフォトダイオード51、52に蓄積されている不要な電荷が電源VDDに排出される。即ち、埋め込みフォトダイオード51、52は、リセットされる。そして、全有効画素の埋め込みフォトダイオード51、52は、同時に露光を開始する。
CDS回路27は、この期間に送られた信号と先ほど保存したダークレベルに対応する信号との差を第1行目の画素における一方の瞳分割焦点検出信号として出力する。そして、これらの第1行目の画素における一方の瞳分割焦点検出信号は、水平走査回路22の駆動信号によって水平信号線28、出力アンプ29を介して外部に出力される。出力された信号は、信号処理部5(図1参照)などを介してメモリ7に送られ、一旦蓄積される。
CDS回路27は、この期間に送られた信号と先ほど保存したダークレベルに対応する信号との差を第1行目の画素における他方の瞳分割焦点検出信号として出力する。そして、これらの第1行目の画素における他方の瞳分割焦点検出信号は、水平走査回路22の駆動信号によって水平信号線28、出力アンプ29を介して外部に出力される。外部に出力された信号は、信号処理部5(図1参照)などを介してメモリ7に送られ、一旦蓄積される。
図8は、本発明における第1の実施形態の変形例に係る固体撮像素子の画素断面図であり、図5に対応する。本変形例が第1の実施形態と異なる点は、第1の実施形態では第1転送部63、64のゲート電極35が電荷格納部61、62のN型拡散層75、76を覆うように配置されているのに対し、本変形例では第1転送部63、64のゲート電極101は、埋め込みフォトダイオード51、52と電荷格納部61、62のN型拡散層75、76の間にのみ配置され、電荷格納部61、62のN型拡散層75、76を覆っていない点にある。
そして、電荷格納部61、62のN型拡散層75、76の上面には、シリコン酸化膜33を介してMOSキャパシタ用の電極102が配置されている(理解を容易にするため、図8は、図5と寸法の比率を一部変更している)。N型拡散層75の上面に配置される電極102と、N型拡散層76の上面に配置される電極102は、一体的に形成され、電気的に接続されている。
埋め込みフォトダイオード51、52及び電荷格納部61、62のN型拡散層が転送電極101、102の下に入り込む構造は、完全転送するのに好ましい。したがって、残像が生じにくくなると言う効果がある。
以下、電極の下にN型拡散層が入り込む構造が容易に形成される点について、より詳細に説明する。
周知のシリコンプロセスに従い、N型のシリコン基板31上に、P型ウエル32、LOCOSによる厚いシリコン酸化膜34(分離領域)、第1層のポリシリコンによる各ゲート電極72、101、103が形成される。第1層のポリシリコンによるゲート電極72、101、103は、熱酸化により表面にシリコン酸化膜が形成されている。
したがって、斜め方向からのイオン注入を一回行えば、それぞれのゲート電極72、101、103の下にイオンが入り、拡散領域が形成される。上記方向が異なるなら、ゲート電極下の拡散領域は、それぞれのゲート電極に対して斜め方向からのイオン注入を行なって形成される。したがって、本工程において、斜め方向からのイオン注入が複数回行われる。
次いで、電荷格納部61、62のN型拡散層75、76の形成される領域が開口するようにレジスト110をパターニングしてリンイオンを注入し、電荷格納部61、62のN型拡散層75、76が形成される。この工程では、イオンは、通常通りの方向111から注入される。この工程により、荷格納部61、62のN型拡散層75、76は、電荷格納部として好適な濃度、深さに設定されることが可能となる。この状態を示したのが図9(b)である。
同様に、埋め込みフォトダイオード51、52の電荷蓄積部55、フローティング拡散領域67のN型拡散層36、PDリセット部68のN型拡散層71を順次同様にレジストをパターニングしてリンイオンを注入し、これらを順次形成する。
これにより、埋め込みフォトダイオード51、52の電荷蓄積層55、フローティング拡散領域67のN型拡散層36、PDリセット部68のN型拡散層71は、それぞれ好適な濃度、深さに設定されることが可能となる。
なお、PDリセット部68は、埋め込みフォトダイオード51、52の電荷蓄積層55を一定電位にリセットするために配置される。このため、N型拡散層71は、ゲート電極72の下に入り込むような構造を必要としない。したがって、斜め方向からイオンを注入する工程では、N型拡散層104は、形成されなくても構わない。
図10は、第1の実施形態の別の変形例に係る固体撮像素子の画素平面図である。なお、図10は簡略のため、第1転送部63、64のゲート電極35における電荷格納部81、82上に配置される部分が省略されている。そして、各々のゲート電極35は、内部配線83で接続されているように描かれている。
その他の点については、第1の実施形態と同様であるので説明は省略する。
(画素構成)
図11は、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像素子の画素回路図である。また、図12は、第2の実施形態に係る固体撮像素子の画素平面図である。図12において、第1転送部87、88、89のゲート電極35における電荷格納部上に配置される部分は省略され、各々のゲート電極35は内部配線83で接続されているように描かれている。なお、図2に対応する固体撮像素子の全体構成は、第1の実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
画素90は、入射光に応じた電荷を生成し蓄積する光電変換部としての3つの埋め込みフォトダイオード91、92、93を有している。そして、各埋め込みフォトダイオード91、92、93に対応して電荷をそれぞれ独立に蓄積する3つの電荷格納部94、95、96が配置される。
各埋め込みフォトダイオード91、92、93と電荷格納部94、95、96との間には、第1転送部87、88、89が配置される。各埋め込みフォトダイオード91、92、93で生成し蓄積される電荷は、第1転送部87、88、89がオン状態とされることにより、それぞれに対応する電荷格納部94、95、96に転送される。
また、画素90にはフローティング拡散領域(FD)67が配置され、電荷格納部94、95、96から転送される電荷を個別に、又は、同時に蓄積する。各電荷格納部94、95、96とFD67との間には、第2転送部97、98、99が配置される。3つの第2転送部97、98、99のゲート電極は、それぞれ電気的に分離されており、それぞれ個別の駆動信号φTGB、φTGC、φTGDが垂直走査回路21から供給される。このため、各々の第2転送部97、98、99は、それぞれの駆動信号φTGB、φTGC、φTGDにしたがって個別に駆動される。
また、両端の埋め込みフォトダイオード91、93は、中心線XX’に対して線対称の位置に配置される。このため、マイクロレンズ57から導かれる入射光は、瞳分割されて各埋め込みフォトダイオード91、93に入射される。よって、これら二つの埋め込みフォトダイオード91、93から出力される信号を用いれば、焦点を検出することが可能となる。
本実施形態に係る固体撮像素子は、上記のように信号の読み出し駆動方式が多々ある。ここでは、場合分けして駆動方法を説明する。
先ず、中央の埋め込みフォトダイオード92から画像信号を読み出す駆動手順を説明する。タイミングチャートは、φTGB及びφTGDを除き図7(a)と同一となる。なお、φTGB及びφTGDは、常にローにされる。或いは、ブルーミングを防止するため、φTGB及びφTGDは、T13の期間のみハイとされても良い。
次に、両端の埋め込みフォトダイオード91、93から焦点検出信号を読み出す駆動手順を説明する。タイミングチャートは、φTGC及びφTGDを除き図7(b)と同一となる。そして、φTGDは本図のφTGCに置き換えたものと同一となり、φTGCは常にローにされる。或いは、ブルーミングを防止するため、φTGCはT13の期間のみハイとされても良い。
さらに、画像信号と焦点検出信号を同じタイミングで同時露光して読み出す駆動手順を説明する。図13は、この読み出し動作を説明するタイミングチャートである。なお、T1の期間は、全有効画素を同時に駆動する期間である。即ち、T1の期間の駆動パルスは、全行において同一の駆動信号が垂直走査回路21から出力される。また、T2は、第1行目が読み出される期間、T3は、第2行目が読み出される期間であり、選択された行のみ、本図の駆動信号が出力される。
CDS回路27は、この期間に出力された信号と先ほど保存したダークレベルに対応する信号との差を第1行目の画素における一方の瞳分割焦点検出信号として出力する。そして、これらの第1行目の画素における一方の瞳分割焦点検出信号は、水平走査回路22の駆動信号によって水平信号線28、出力アンプ29を介して外部に出力される。出力された信号は、信号処理部5(図1参照)などを介してメモリ7に送られ、一旦蓄積される。
CDS回路27は、この期間に出力された信号と先ほど保存したダークレベルに対応する信号との差を第1行目の画素における画像信号として出力する。そして、これらの第1行目の画素における画像信号は、水平走査回路22の駆動信号によって水平信号線28、出力アンプ29を介して外部に出力される。外部に出力された信号は、信号処理部5などを介してメモリ7に送られ、一旦蓄積される。
CDS回路27は、この期間に出力された信号と先ほど保存したダークレベルに対応する信号との差を第1行目の画素における他方の瞳分割焦点検出信号として出力する。そして、これらの第1行目の画素における他方の瞳分割焦点検出信号は、水平走査回路22の駆動信号によって水平信号線28、出力アンプ29を介して外部に出力される。外部に出力された信号は、信号処理部5などを介してメモリ7に送られ、一旦蓄積される。同様に、T3の期間において第2行目の読み出しを行う。駆動信号は、T2と同様である。
すべての行から画像信号が出力された後、画像処理部13は、メモリ7から信号を受け取って1フレームの画像を生成する。また、焦点演算部10は、メモリ7から信号を受け取って、周知の瞳分割位相差による焦点位置を算出し、その焦点検出情報をマイクロプロセッサ9に伝達する。
マイクロプロセッサ9は、その情報に基づきレンズ制御部2aにレンズを移動させるための情報を伝達する。或いは、マイクロプロセッサ9は、合焦していると判断したなら、画像処理部13にて生成されている画像情報を圧縮、記録等の処理を行う伝達を画像処理部13、画像圧縮部12、記録部11に伝達する。
図14は、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像素子の2画素分の平面図である。第1の実施形態に係る固体撮像素子と異なる点は、増幅トランジスタ48、FDリセット部49、及び、選択スイッチ50が2画素に1つ配置されている点にある。このようにすれば、2個の画素にて増幅トランジスタ48、FDリセット部49、及び、選択スイッチ50を共有することが可能となり、微細化すること、又は、開口率を向上させることが可能となる。
なお、ここでは、増幅トランジスタ48、FDリセット部49、及び、選択スイッチ50が2画素に1つ配置されている。しかし、これに限らず、増幅トランジスタ48、FDリセット部49、及び、選択スイッチ50は、複数の画素に1つ配置されてもよい。
3 固体撮像素子
20 画素
23,24 駆動配線
25 垂直信号線
28 水平信号線
31 N型シリコン基板
32 P型ウエル
36、41、42、43、44、71、86、104、105、106、107 N型拡散層
40、83、74 内部配線
48 増幅トランジスタ
49 FDリセット部
50 選択スイッチ
51、52 埋め込みフォトダイオード
55 電荷蓄積層
56 空乏化防止層
57 マイクロレンズ
61、62、81、82、94、95、96 電荷格納部
63、64、87、88、89 第1転送部
65、66、97、98、99 第2転送部
67 フローティング拡散領域
68 PDリセット部
102 MOSキャパシタ用電極
110 レジスト
Claims (10)
- 二次元状に配置された複数の画素と、前記画素を駆動し画素から信号を外部に出力するための周辺回路とを有し、少なくとも一部の前記画素は、
入射光に応じた電荷を生成し蓄積する複数の光電変換部と、
前記光電変換部のそれぞれに対応して配置され、前記電荷を対応する前記光電変換部から受け取って蓄積する複数の電荷格納部と、
前記複数の電荷格納部から前記電荷を受け取って蓄積するフローティング拡散領域と、
前記複数の光電変換部から対応するそれぞれの前記電荷格納部に前記電荷を転送する第1の転送部と、
前記複数の電荷格納部から前記フローティング拡散領域に前記電荷を転送する第2の転送部と、
前記複数の光電変換部に前記入射光を導くマイクロレンズと、を有することを特徴とする固体撮像素子。 - 前記少なくとも一部の画素は、さらに、
前記フローティング拡散領域に蓄積された前記電荷の量に対応する信号を出力する画素アンプ部と、
前記フローティング拡散領域に蓄積された電荷をリセットする第1のリセット部と、
信号を読み出す画素を選択し、前記選択された画素の前記画素アンプ部から信号を出力する選択スイッチと、を有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記画素アンプ部、前記第1のリセット部、及び、前記選択スイッチは、複数の画素に対して一つ配置されることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。
- 同一の画素に配置される前記第1の転送部は、前記周辺回路によって同時に駆動され、
同一の画素に配置される前記第2の転送部は、前記周辺回路によって個別に駆動されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 前記少なくとも一部の画素は、前記光電変換部が2個配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記少なくとも一部の画素は、前記光電変換部が3個配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記少なくとも一部の画素は、二次元状に配置され焦点検出信号を出力し、且つ、前記焦点検出信号とは異なるタイミングで画像信号を出力することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記少なくとも一部の画素は、前記光電変換部に蓄積された電荷をリセットする第2のリセット部を有することを特徴とする請求項1乃至請求項7に記載の固体撮像素子。
- 前記電荷格納部は、前記光電変換部と前記フローティング拡散領域の間に配置され、
前記第1の転送部は、前記光電変換部と前記電荷格納部の間に配置されるゲート電極を有し、
前記第2の転送部は、前記電荷格納部と前記フローティング拡散領域の間に配置されるゲート電極を有し、
前記光電変換部と前記電荷格納部が配置される方向と、前記電荷格納部と前記フローティング拡散領域が配置される方向は、同一方向であることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子から焦点検出信号を取得し、前記焦点検出信号から抽出される瞳分割像のパターンズレを検出して、焦点検出を行う焦点演算部と、
前記固体撮像素子から画像信号を読み出す撮像制御部と、を有することを特徴とする電子カメラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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