JP2007242387A - Light emitting device, its manufacturing method, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device having high visibility since crosstalk is not generated even if a material having low resistance is used in a light emitting part. <P>SOLUTION: This light emitting device has a luminescent layer 140B between a negative electrode 154 and a positive electrode 141, the negative electrode 154 has a first negative electrode layer 154A and a second negative electrode layer 154B each having different electron injection barriers against the luminescent layer 140B, and the first negative electrode layer 154A having the relatively smaller electron injection barrier against the luminescent layer 140B is patterned. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。   The present invention relates to a light emitting device, a method for manufacturing the light emitting device, and an electronic apparatus.

ＥＬ装置に代表される自己発光型の発光装置は、視認性が高く、また完全固体のため耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、また薄膜の面発光素子からなるため、薄軽量の発光装置として開発が進められている。ＥＬ装置は、無機や有機化合物を発光層として用いているが、特に有機化合物を２つの電極に挟んでなる有機ＥＬ装置は、有機化合物の種類が豊富で様々な色の光を高効率、高輝度で発光するので、次世代の発光装置としての期待は大きい。   A self-luminous light-emitting device typified by an EL device is characterized by high visibility and excellent impact resistance because it is completely solid, and it is thin and lightweight because it is made of a thin-film surface light-emitting element. Development as a light emitting device is underway. EL devices use inorganic or organic compounds as the light-emitting layer, but organic EL devices that have an organic compound sandwiched between two electrodes have a wide variety of organic compounds and provide high-efficiency and high-quality light. Since it emits light with brightness, there is great expectation as a next-generation light-emitting device.

有機ＥＬ装置の作製方法は、蒸着法やスピンコート法、インクジェット法等の薄膜作成法を採用することができるが、これらは直接的なパターニングの可否で大別できる。特にパターニングできない方法の代表例としてスピンコート法が挙げられるが、この場合、基板全面に薄膜を成膜することとなるため、抵抗の低い材料を用いると画素間でクロストークを生じてしまい、発光のにじみが発生して、コントラストの良い表示が得られず、視認性が低下する。そこで、クロストーク低減を目的とした研究がこれまでにも行われている（例えば特許文献１参照）。
特表２００３−５３６２２７号公報 As a method for manufacturing the organic EL device, a thin film forming method such as a vapor deposition method, a spin coating method, or an ink jet method can be adopted. These methods can be roughly classified according to whether direct patterning is possible. A typical example of a method that cannot be patterned is a spin coating method. In this case, since a thin film is formed on the entire surface of the substrate, if a material having low resistance is used, crosstalk occurs between pixels, and light emission occurs. As a result, blurring occurs, a display with good contrast cannot be obtained, and visibility decreases. Therefore, research aimed at reducing crosstalk has been conducted so far (see, for example, Patent Document 1).
Special table 2003-536227 gazette

上記特許文献１では、クロストークを低減するため抵抗の高い材料を使用して効率と寿命の向上を図っている。しかしながら、抵抗の高い材料を用いると、その分だけ発光効率が低減する問題がある。本発明は、発光部に抵抗の低い材料を用いてもクロストークが生じず、視認性の高い発光装置を提供することを目的としている。また、そのような発光装置の製造方法についても提供することを目的としており、さらに同発光装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。   In Patent Document 1, efficiency and life are improved by using a material having high resistance in order to reduce crosstalk. However, when a material having high resistance is used, there is a problem that the light emission efficiency is reduced accordingly. An object of the present invention is to provide a light-emitting device with high visibility that does not cause crosstalk even when a low-resistance material is used for a light-emitting portion. Moreover, it aims at providing the manufacturing method of such a light-emitting device, and also aims at providing the electronic device provided with the light-emitting device.

上記課題を解決するために、本発明の発光装置は、陰極と陽極との間に発光層を有する発光装置であって、前記陰極は、前記発光層との電子の注入障壁が異なる複数の陰極層を有し、相対的に前記発光層との電子の注入障壁が小さい陰極層がパターニングされてなることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a light emitting device of the present invention is a light emitting device having a light emitting layer between a cathode and an anode, wherein the cathode has a plurality of cathodes having different electron injection barriers from the light emitting layer. A cathode layer having a layer and having a relatively small electron injection barrier with the light emitting layer is patterned.

このような発光装置によると、前記発光層との電子の注入障壁の小さい陰極層（以下、第１陰極層とも言う）が発光層への選択的な電子注入を担うため、当該第１陰極層が形成された領域において選択的に電子が発光層に注入されることとなる。したがって、第１陰極層が形成されていない領域では、発光層（発光層がパターニングされているか否かは問わない）側に電子が注入されないため発光が生じず、その結果、当該パターンに応じた選択発光がなされることとなり、ひいてはクロストークの発生を防止し、高コントラストの表示を提供することが可能となる。   According to such a light emitting device, the cathode layer having a small electron injection barrier with the light emitting layer (hereinafter also referred to as the first cathode layer) bears selective electron injection into the light emitting layer. Electrons are selectively injected into the light emitting layer in the region where is formed. Accordingly, in the region where the first cathode layer is not formed, no light is emitted because electrons are not injected into the light emitting layer (regardless of whether or not the light emitting layer is patterned), and as a result, according to the pattern. As a result, selective light emission is performed, and as a result, the occurrence of crosstalk can be prevented and a high-contrast display can be provided.

前記パターニングされた陰極層は、前記発光層との電子の注入障壁が１ｅＶ以下の導電材料からなるものとすることができる。
このように発光層との電子の注入障壁が１ｅＶ以下の導電材料からなる陰極層を第１陰極層としてパターニングすれば、選択的な電子注入が一層効果的に行われることとなり、クロストークの発生を一層防止し、高コントラストの表示を提供することが可能となる。 The patterned cathode layer may be made of a conductive material having an electron injection barrier with the light emitting layer of 1 eV or less.
If the cathode layer made of a conductive material having an electron injection barrier of 1 eV or less with the light emitting layer is patterned as the first cathode layer in this way, selective electron injection is performed more effectively, and crosstalk occurs. Can be further prevented, and a high-contrast display can be provided.

前記陰極において、相対的に電子の注入障壁の大きい陰極層（以下、第２陰極層とも言う）が、前記パターニングされた陰極層（第１陰極層）を覆って形成されてなるものとすることができる。
電子の注入障壁の小さい第１陰極層は相対的に酸化され易いため、相対的に安定な第２陰極層により当該第１陰極層を覆うものとすれば、第１陰極層が酸化から保護されるため、電子注入特性が低下し難く、その結果、信頼性の高い発光装置を提供することが可能となる。 In the cathode, a cathode layer having a relatively large electron injection barrier (hereinafter also referred to as a second cathode layer) is formed so as to cover the patterned cathode layer (first cathode layer). Can do.
Since the first cathode layer having a small electron injection barrier is relatively easily oxidized, if the first cathode layer is covered with a relatively stable second cathode layer, the first cathode layer is protected from oxidation. Therefore, the electron injection characteristics are hardly deteriorated, and as a result, a highly reliable light-emitting device can be provided.

前記発光層が前記陰極層の形成領域の全面にベタ状に形成されてなるものとすることができる。このように発光層が全面ベタ状に配設される場合であっても、パターニングされた第１陰極層により、当該パターンに対応して電子を選択的に注入することが可能となり、その結果、クロストークの発生を一層防止し、高コントラストの表示を提供することが可能となる。   The light emitting layer may be formed in a solid shape on the entire surface of the cathode layer forming region. Thus, even when the light emitting layer is disposed in a solid form on the entire surface, the patterned first cathode layer can selectively inject electrons corresponding to the pattern, and as a result, It is possible to further prevent the occurrence of crosstalk and provide a high contrast display.

次に、上記課題を解決するために、本発明の発光装置の製造方法は、陰極と陽極との間に発光層を有した発光装置の製造方法であって、基板上に所定パターンの陽極を形成する工程と、前記陽極上に発光層を形成する工程と、前記発光層上に、相対的に電子の注入障壁が小さい導電材料を、前記陽極のパターンに倣ったパターンで成膜して、第１陰極層を形成する工程と、前記第１陰極層上に、相対的に電子の注入障壁が大きい導電材料を、前記パターン形成された第１陰極層全体を覆う形で成膜して、第２陰極層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
このような製造方法により上述した本発明に係る発光装置を好適に製造することが可能となる。 Next, in order to solve the above-described problem, a method for manufacturing a light emitting device according to the present invention is a method for manufacturing a light emitting device having a light emitting layer between a cathode and an anode, and an anode having a predetermined pattern is formed on a substrate. Forming a light emitting layer on the anode; forming a conductive material having a relatively small electron injection barrier on the light emitting layer in a pattern following the pattern of the anode; Forming a first cathode layer, and depositing a conductive material having a relatively large electron injection barrier on the first cathode layer so as to cover the entire patterned first cathode layer; Forming a second cathode layer.
With such a manufacturing method, the above-described light emitting device according to the present invention can be preferably manufactured.

特に、前記第１陰極層の形成工程は、真空下において、マスクを介した蒸着により前記注入障壁が小さい導電材料をパターン成膜する工程を含み、前記第２陰極層の形成工程は、前記第１陰極層の形成工程での真空を保ったまま、前記マスクを介した蒸着により、前記第１陰極層上に前記注入障壁が大きい導電材料を成膜する工程と、前記真空を開放した後、前記第１陰極層の形成領域の全面に前記注入障壁が大きい導電材料を成膜する工程とを含むものとすることができる。このような方法によると、電子の注入障壁が小さい導電材料が製造工程中で酸化して、第１陰極層の電子注入機能が低下する等の不具合発生を防止することが可能となる。   In particular, the step of forming the first cathode layer includes a step of pattern-forming a conductive material having a small injection barrier by vacuum deposition through a mask, and the step of forming the second cathode layer includes the step of forming the second cathode layer. The step of forming a conductive material having a large injection barrier on the first cathode layer by vapor deposition through the mask while maintaining the vacuum in the formation step of one cathode layer, and after releasing the vacuum, Forming a conductive material having a large injection barrier over the entire surface of the first cathode layer formation region. According to such a method, it is possible to prevent the occurrence of problems such as the conductive material having a small electron injection barrier being oxidized during the manufacturing process and the electron injection function of the first cathode layer being lowered.

次に、上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上記本発明に係る発光装置を含むことを特徴とする。
このような電子機器によれば、発光装置を例えば表示部として用いることにより高コントラストの表示が可能となる。 Next, in order to solve the above-described problem, an electronic apparatus according to the present invention includes the light-emitting device according to the present invention.
According to such an electronic device, high-contrast display is possible by using the light emitting device as a display unit, for example.

（発光装置）
以下、本発明に係る発光装置の一実施形態である有機ＥＬ装置について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成図、図２は、図１の有機ＥＬ装置の画素の平面構造を示す図であって陰極や有機ＥＬ層を取り除いた状態の拡大平面図、図３は、複数の画素を含む断面構造を示す図である。 (Light emitting device)
Hereinafter, an organic EL device which is an embodiment of a light emitting device according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit configuration diagram of the organic EL device of the present embodiment, and FIG. 2 is a diagram illustrating a planar structure of a pixel of the organic EL device of FIG. 1, and an enlarged plan view in a state where a cathode and an organic EL layer are removed. FIG. 3 is a diagram showing a cross-sectional structure including a plurality of pixels.

図１に示すように、有機ＥＬ装置７０は、透明の基板上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素７１が設けられて構成されたものである。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 70 includes a plurality of scanning lines 131, a plurality of signal lines 132 extending in a direction intersecting the scanning lines 131, and the signal lines 132 on a transparent substrate. A plurality of common power supply lines 133 extending in parallel are respectively wired, and each of the intersections of the scanning lines 131 and the signal lines 132 is provided with a pixel 71.

信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。
一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ１４２と、このスイッチング薄膜トランジスタ１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ１４３と、このカレント薄膜トランジスタ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１４１と、この画素電極１４１と陰極１５４との間に挟み込まれる発光部（有機ＥＬ層）１４０と、が設けられている。なお、画素電極１４１と陰極１５４にはそれぞれ素子制御部（図示略）が接続され、両電極に任意の電圧を印加可能になっている。 For the signal line 132, a data side driving circuit 72 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is provided.
On the other hand, for the scanning line 131, a scanning side driving circuit 73 including a shift register and a level shifter is provided. Each of the pixels 71 includes a switching thin film transistor 142 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 131 and a storage capacitor for holding an image signal supplied from the signal line 132 via the switching thin film transistor 142. cap, a current thin film transistor 143 to which the image signal held by the storage capacitor cap is supplied to the gate electrode, and a drive current from the common power supply line 133 when electrically connected to the common power supply line 133 via the current thin film transistor 143 A pixel electrode (anode) 141 into which light flows, and a light emitting portion (organic EL layer) 140 sandwiched between the pixel electrode 141 and the cathode 154 are provided. Note that an element control unit (not shown) is connected to each of the pixel electrode 141 and the cathode 154, and an arbitrary voltage can be applied to both electrodes.

ここで、図２に示すように、各画素７１の平面構造は、平面形状が長方形の画素電極１４１の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。
一方、図３に示すように、画素電極１４１は、概ね絶縁部１５０に囲まれた領域内に設けられており、この画素電極１４１上に、正孔注入／輸送層１４０Ａと発光層１４０Ｂとの積層膜からなる発光部１４０が設けられ、当該発光部１４０を覆って陰極１５４が設けられている。なお、絶縁部１５０は、画素電極１４１の外縁をその４辺に沿って覆うように配設されている。 Here, as shown in FIG. 2, the planar structure of each pixel 71 is such that the four sides of the pixel electrode 141 whose rectangular shape is rectangular are the signal line 132, the common power supply line 133, the scanning line 131, and other pixel electrodes not shown. The arrangement is surrounded by the scanning lines.
On the other hand, as shown in FIG. 3, the pixel electrode 141 is generally provided in a region surrounded by the insulating portion 150, and the hole injection / transport layer 140 </ b> A and the light emitting layer 140 </ b> B are formed on the pixel electrode 141. A light emitting unit 140 made of a laminated film is provided, and a cathode 154 is provided to cover the light emitting unit 140. The insulating unit 150 is disposed so as to cover the outer edge of the pixel electrode 141 along its four sides.

有機ＥＬ装置７０は、発光層１４０Ｂからの出力光を、画素電極１４１が形成された基板Ｐ側から装置外部に取り出す形態であり、基板Ｐは、光を透過可能な透明あるいは半透明材料に少なくとも光を透過可能な透明あるいは半透明な画素電極１４１を形成したものである。光を透過可能な透明あるいは半透明材料としては、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板Ｐの形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用いられる。   The organic EL device 70 is configured to extract output light from the light emitting layer 140B from the substrate P side on which the pixel electrode 141 is formed to the outside of the device, and the substrate P is made of at least a transparent or translucent material that can transmit light. A transparent or translucent pixel electrode 141 capable of transmitting light is formed. Examples of the transparent or translucent material that can transmit light include transparent glass, quartz, sapphire, and transparent synthetic resins such as polyester, polyacrylate, polycarbonate, and polyetherketone. In particular, as a material for forming the substrate P, inexpensive soda glass is preferably used.

陽極としての画素電極１４１は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等からなる透明電極であって光を透過可能なものである。なお、基板Ｐと反対側から発光光を取り出す形態の場合には、基板Ｐを構成する材料は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができ、さらにこの場合、画素電極１４１は遮光性や光反射性の材料で形成することができる。   The pixel electrode 141 as an anode is a transparent electrode made of indium tin oxide (ITO) or the like, and can transmit light. In the case where emitted light is extracted from the side opposite to the substrate P, the material constituting the substrate P may be opaque. In this case, surface oxidation or the like is applied to a ceramic sheet such as alumina or a metal sheet such as stainless steel. An insulating material, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be used. In this case, the pixel electrode 141 can be formed of a light-shielding or light-reflective material.

正孔注入／輸送層１４０Ａは、発光層１４０Ｂの発光効率、寿命などの素子特性を向上させる機能を有する。つまり、正孔注入／輸送層１４０Ａを設けることで、発光層１４０Ｂ内を移動する電子が効率よくブロッキングされ、発光層１４０Ｂ内での正孔と電子との再結合確率を高める効果を得られる。正孔注入／輸送層１４０Ａを形成するための材料（形成材料）としては、例えばチオフェン系化合物（ポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等）、ピロール系化合物（ポリピロール等）、アニリン系化合物（ポリアニリン等）、アセチレン系化合物（ポリアセチレン等）や、それらの誘導体などを用いることができる。   The hole injection / transport layer 140A has a function of improving device characteristics such as light emission efficiency and lifetime of the light emitting layer 140B. That is, by providing the hole injecting / transporting layer 140A, electrons moving in the light emitting layer 140B are efficiently blocked, and the effect of increasing the recombination probability of holes and electrons in the light emitting layer 140B can be obtained. As a material (formation material) for forming the hole injection / transport layer 140A, for example, a thiophene compound (polythiophene (PEDOT) or the like), a pyrrole compound (polypyrrole or the like), an aniline compound (polyaniline or the like), or an acetylene type is used. A compound (such as polyacetylene) or a derivative thereof can be used.

発光層１４０Ｂは本実施形態では基板Ｐの全面にベタ状に形成されており、つまり画素７１毎にパターニングされておらず、各画素７１に跨って形成されている。発光層１４０Ｂの形成材料としては、低分子の有機発光色素や高分子発光体、即ち、各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ３（アルミキレート錯体）などの有機エレクトロルミネッセンス材料が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、又は特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。   In the present embodiment, the light emitting layer 140B is formed in a solid shape on the entire surface of the substrate P. That is, the light emitting layer 140B is not patterned for each pixel 71 but is formed across each pixel 71. As a material for forming the light emitting layer 140B, low molecular organic light emitting dyes and polymer light emitting materials, that is, light emitting materials such as various fluorescent materials and phosphorescent materials, and organic electroluminescent materials such as Alq3 (aluminum chelate complex) can be used. It is. Among the conjugated polymers that serve as the light-emitting substance, those containing an arylene vinylene or polyfluorene structure are particularly preferable. Examples of the low-molecular light emitters include naphthalene derivatives, anthracene derivatives, perylene derivatives, polymethine-based, xanthene-based, coumarin-based, cyanine-based pigments, 8-hydroquinoline and its metal complexes, aromatic amines, tetraphenylcyclo Pentadiene derivatives and the like, or known ones described in JP-A-57-51781 and 59-194393 can be used.

陰極１５４は、材料の異なる２以上の積層構造を有して構成されている。ここでは、それぞれ発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が異なる第１陰極層１５４Ａと第２陰極層１５４Ｂとの積層体からなり、第１陰極層１５４Ａが、第２陰極層１５４Ｂに比して発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が小さいものとされている。   The cathode 154 is configured to have a laminated structure of two or more different materials. Here, each of the first cathode layer 154A and the second cathode layer 154B has a different electron injection barrier with respect to the light emitting layer 140B, and the first cathode layer 154A emits light as compared with the second cathode layer 154B. The electron injection barrier with the layer 140B is small.

陰極１５４において、相対的に上記注入障壁の小さい第１陰極層１５４Ａが発光層１４０Ｂ側に配設され、第２陰極層１５４Ｂが発光層１４０Ｂとは反対側に配設されている。また、第１陰極層１５４Ａは画素７１に選択配置されるようにパターニングされており、当該パターニングされた第１陰極層１５４Ａを覆うように、第２陰極層１５４Ｂが基板Ｐの全面にベタ状に配設されている。   In the cathode 154, the first cathode layer 154A having a relatively small injection barrier is disposed on the light emitting layer 140B side, and the second cathode layer 154B is disposed on the side opposite to the light emitting layer 140B. The first cathode layer 154A is patterned so as to be selectively disposed on the pixel 71, and the second cathode layer 154B is formed in a solid shape on the entire surface of the substrate P so as to cover the patterned first cathode layer 154A. It is arranged.

本実施形態では、第１陰極層１５４Ａは、発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が１ｅＶ以下の導電材料からなり、例えばLiやMgを採用しており、Li金属は仕事関数2.9eVを有しており、発光層との注入障壁は、0.2eVである。またMg金属は仕事関数3.66eVを有しており、発光層との注入障壁は、0.96eVである。その他Cs(仕事関数は2.14eV、その注入障壁-0.56eV)などのアルカリ金属、Ca(仕事関数は2.87eV、その注入障壁0.17eV)、Sr(仕事関数は2.59eV、その注入障壁-0.11eV)、Ba(仕事関数は2.7eV、その注入障壁0eV)などのアルカリ土類金属、LiFなどの化合物も適用できる。一方、第２陰極層１５４Ｂは、発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が１ｅＶ以上の導電材料からなり、例えばAgやAlを採用しており、Ag金属は仕事関数4.26eVを有しており、発光層との注入障壁は、1.56eVである。またAl金属は仕事関数4.28eVを有しており、発光層との注入障壁は、1.58eVである。特に、本実施例のMgとAgは、共蒸着を使用している。この場合注入性の良い金属と注入性の悪い金属との混合層となるため、注入性の良い金属に合わせてパターングが必要となる。   In the present embodiment, the first cathode layer 154A is made of a conductive material whose electron injection barrier with the light emitting layer 140B is 1 eV or less, for example, Li or Mg is used, and Li metal has a work function of 2.9 eV. The injection barrier with the light emitting layer is 0.2 eV. Mg metal has a work function of 3.66 eV, and its injection barrier with the light emitting layer is 0.96 eV. Other alkali metals such as Cs (work function 2.14 eV, its injection barrier -0.56 eV), Ca (work function 2.87 eV, its injection barrier 0.17 eV), Sr (work function 2.59 eV, its injection barrier -0.11 eV) ), Ba (work function is 2.7 eV, its injection barrier is 0 eV), and other alkaline earth metals, and compounds such as LiF are also applicable. On the other hand, the second cathode layer 154B is made of a conductive material having an electron injection barrier with the light emitting layer 140B of 1 eV or more, for example, Ag or Al, and Ag metal has a work function of 4.26 eV. The injection barrier with the light emitting layer is 1.56 eV. Further, Al metal has a work function of 4.28 eV, and the injection barrier with the light emitting layer is 1.58 eV. In particular, Mg and Ag in this example use co-evaporation. In this case, since it is a mixed layer of a metal having good injectability and a metal having poor injectability, patterning is required according to the metal having good injectability.

また、有機ＥＬ装置７０では、陰極１５４を覆う封止部材を設けることが好ましく、さらには、陽極１４１と基板Ｐとの間に、基板Ｐ側から陽極１４１、陰極１５４、発光部１４０に対して大気が侵入するのを遮断するための封止層を設けることもできる。光取り出し側に設ける封止層は、例えばセラミックや窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素などの透明な材料により形成し、この中でも酸化窒化珪素が透明性、ガスバリア性の観点から好ましい。   Further, in the organic EL device 70, it is preferable to provide a sealing member that covers the cathode 154, and further, between the anode 141 and the substrate P, with respect to the anode 141, the cathode 154, and the light emitting unit 140 from the substrate P side. A sealing layer for blocking intrusion of air can also be provided. The sealing layer provided on the light extraction side is formed of a transparent material such as ceramic, silicon nitride, silicon oxynitride, or silicon oxide. Among these, silicon oxynitride is preferable from the viewpoints of transparency and gas barrier properties.

このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光部１４０を通じて陰極１５４に電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。   Under such a configuration, when the scanning line 131 is driven and the switching thin film transistor 142 is turned on, the potential of the signal line 132 at that time is held in the holding capacitor cap, and according to the state of the holding capacitor cap, The on / off state of the current thin film transistor 143 is determined. Then, a current flows from the common power supply line 133 to the pixel electrode 141 through the channel of the current thin film transistor 143, and further, a current flows to the cathode 154 through the light emitting unit 140, so that the light emitting unit 140 responds to the amount of current flowing therethrough. Lights up.

特に、本実施形態では、陰極１５４を２層構造とし、発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が相対的に小さい第１陰極層１５４Ａを画素７１に対応したパターンとしたため、発光層１４０Ｂに対する電子の注入が当該画素領域のみで行われるものとなる。その結果、画素７１における選択発光が確実になされることとなり、ひいてはクロストークの発生を防止し、高コントラストの表示を提供することが可能となる。   In particular, in the present embodiment, the cathode 154 has a two-layer structure, and the first cathode layer 154A having a relatively small electron injection barrier with the light emitting layer 140B has a pattern corresponding to the pixel 71. Implantation is performed only in the pixel region. As a result, the selective light emission in the pixel 71 is ensured, and as a result, the occurrence of crosstalk can be prevented and a high-contrast display can be provided.

さらに、陰極１５４において、相対的に発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁の大きい第２陰極層１５４Ｂが、パターニングされた第１陰極層１５４Ａを覆う形で形成されている。発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁の小さい第１陰極層１５４Ａは相対的に酸化され易いため、相対的に安定な第２陰極層１５４Ｂにより当該第１陰極層１５４Ａを覆うものとすれば、第１陰極層１５４Ａが酸化から保護されるため、電子注入特性が低下し難く、その結果、当該有機ＥＬ装置７０の信頼性を高めることが可能となる。   Further, in the cathode 154, a second cathode layer 154B having a relatively large electron injection barrier with the light emitting layer 140B is formed so as to cover the patterned first cathode layer 154A. The first cathode layer 154A having a small electron injection barrier with the light emitting layer 140B is relatively easily oxidized. Therefore, if the first cathode layer 154A is covered with the relatively stable second cathode layer 154B, Since one cathode layer 154A is protected from oxidation, the electron injection characteristics are unlikely to deteriorate, and as a result, the reliability of the organic EL device 70 can be improved.

なお、本実施形態では、図３に示すように画素７１間（非画素）には絶縁層１５０が形成されている。この絶縁層１５０は発光領域を区画するもので、当該絶縁層１５０により囲まれた領域が発光領域（画素表示領域）となるが、例えば図４に示すように、当該絶縁層１５０を省略することも可能である。つまり、第１陰極層１５４Ａがパターニングされているため、当該第１陰極層１５４Ａの形成領域で選択発光が可能とされており、隣接する画素電極１４１を区画する絶縁層を設けなくても、高コントラストの表示が可能となっている。   In this embodiment, as shown in FIG. 3, an insulating layer 150 is formed between the pixels 71 (non-pixels). The insulating layer 150 defines a light emitting region, and a region surrounded by the insulating layer 150 is a light emitting region (pixel display region). For example, as shown in FIG. 4, the insulating layer 150 is omitted. Is also possible. That is, since the first cathode layer 154A is patterned, selective light emission is possible in the formation region of the first cathode layer 154A, and even if an insulating layer for partitioning the adjacent pixel electrode 141 is not provided, the first cathode layer 154A is high. Display of contrast is possible.

また、本実施形態では、上述の通り、第１陰極層１５４Ａがパターニングされているため、当該第１陰極層１５４Ａの形成領域で選択発光が可能とされている。したがって、例えば図５に示すように、絶縁層１５０を基板Ｐ上から正孔注入／輸送層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂにまで至るバンク（隔壁部）とし、画素７１毎に異なる色（例えば赤、緑、青色）の発光が可能なように、発光層１４０Ｂの構成材料を画素７１毎に異ならせることで、フルカラーの表示を一層高コントラストで行うことができる。   In the present embodiment, as described above, since the first cathode layer 154A is patterned, selective light emission is possible in the formation region of the first cathode layer 154A. Therefore, as shown in FIG. 5, for example, the insulating layer 150 is a bank (partition wall) extending from the substrate P to the hole injecting / transporting layer 140A and the light emitting layer 140B, and a different color (for example, red, green) , Blue) light can be emitted, the full-color display can be performed with higher contrast by making the constituent material of the light emitting layer 140B different for each pixel 71.

（発光装置の製造方法）
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置７０の製造方法について図６を参照しながら説明する。
まず、図６（ａ）に示すように、基板Ｐを用意する。ここで、本発明に係る有機ＥＬ装置では発光層による発光光を基板Ｐ側から取り出すことも可能であり、また基板Ｐと反対側から取り出す構成とすることも可能である。発光光を基板Ｐ側から取り出す構成とする場合、基板構成材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明なものを用いる。なお、基板Ｐと反対側から発光光を取り出す構成の場合、基板Ｐは不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。 (Method for manufacturing light emitting device)
Next, a method for manufacturing the organic EL device 70 according to the present invention will be described with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 6A, a substrate P is prepared. Here, in the organic EL device according to the present invention, light emitted by the light emitting layer can be extracted from the substrate P side, and can be configured to be extracted from the side opposite to the substrate P. When the emitted light is taken out from the substrate P side, a transparent or translucent material such as glass, quartz, or resin is used as the substrate constituent material. In the case where the emitted light is extracted from the side opposite to the substrate P, the substrate P may be opaque. In this case, a ceramic sheet such as alumina or a metal sheet such as stainless steel is subjected to an insulation treatment such as surface oxidation. A thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be used.

本実施形態では、基板Ｐとしてガラス等からなる透明基板が用いられる。そして、これに対し、図１及び図２に示したような各種配線１３１〜１３３や薄膜トランジスタ１４２，１４３等を公知の方法により形成する。   In the present embodiment, a transparent substrate made of glass or the like is used as the substrate P. In response to this, various wirings 131 to 133 as shown in FIGS. 1 and 2, thin film transistors 142 and 143, and the like are formed by a known method.

次に、図６（ａ）に示すように、画素電極１４１を画素パターンに対応させて形成する。ここでは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いたマスクエッチングにより所望パターンの画素電極１４１を得るものとしている。   Next, as shown in FIG. 6A, the pixel electrode 141 is formed corresponding to the pixel pattern. Here, indium tin oxide (ITO) is formed by a sputtering method, and then a pixel electrode 141 having a desired pattern is obtained by mask etching using a photolithography method.

続いて、隣接する画素電極１４１の隙間部分（つまり非画素部）に対して、絶縁層１５０を形成する。この絶縁層１５０は仕切部材として機能するものであり、例えばポリイミド等の絶縁性有機材料で形成するのが好ましい。なお、絶縁層１５０は、矩形状の画素電極１４１の外縁を覆うように、当該画素電極１４１の４辺に沿って形成するものとしており、この場合のパターニングもマスクエッチングにより行うことができる。   Subsequently, an insulating layer 150 is formed in a gap portion (that is, a non-pixel portion) between adjacent pixel electrodes 141. The insulating layer 150 functions as a partition member, and is preferably formed of an insulating organic material such as polyimide. Note that the insulating layer 150 is formed along the four sides of the pixel electrode 141 so as to cover the outer edge of the rectangular pixel electrode 141, and patterning in this case can also be performed by mask etching.

次に、図６（ｂ）に示すように、発光部１４０を形成する。ここでは、正孔注入／輸送層形成用材料を含む液状体をスピンコート法により、基板Ｐの全面に正孔注入／輸送層１４０Ａを形成した後、同じく発光層形成用材料を含む液状体をスピンコート法により、基板Ｐの全面に発光層１４０Ｂをそれぞれベタ状に成膜するものとしている。   Next, as shown in FIG. 6B, the light emitting section 140 is formed. Here, after a hole injection / transport layer 140A is formed on the entire surface of the substrate P by spin coating with a liquid containing a hole injection / transport layer forming material, a liquid containing the light emitting layer forming material is also formed. Each of the light emitting layers 140B is formed in a solid form on the entire surface of the substrate P by spin coating.

このような塗布法により発光部１４０を形成した後、図６（ｃ）に示すように第１陰極層１５４Ａを形成する。ここでは、所定の開口パターンを有したマスクを用い、該マスクを介したマグネシウムの真空蒸着により、当該マスクの開口部に対応したパターンの第１陰極層１５４Ａを形成するものとしている。   After the light emitting portion 140 is formed by such a coating method, the first cathode layer 154A is formed as shown in FIG. Here, a mask having a predetermined opening pattern is used, and the first cathode layer 154A having a pattern corresponding to the opening of the mask is formed by vacuum deposition of magnesium through the mask.

続いて、上記マグネシウムの真空蒸着で用いたチャンバー内で、当該真空を維持したまま上記マスクを介したアルミニウムの真空蒸着により、図６（ｄ）に示すように第２陰極層１５４Ｂの一部を形成する。ここでは、マスクを用いているため、第１陰極層１５４Ａ上のみに第２陰極層１５４Ｂが形成されることとなる。   Subsequently, in the chamber used for the magnesium vacuum deposition, a part of the second cathode layer 154B is formed by vacuum deposition of aluminum through the mask while maintaining the vacuum, as shown in FIG. Form. Here, since the mask is used, the second cathode layer 154B is formed only on the first cathode layer 154A.

上記第２陰極層１５４Ｂの一部を形成した後、大気開放してマスクを取り外し、図６（ｅ）に示すように基板Ｐの全面に対して第２陰極層１５４Ｂを形成して、第１陰極層１５４Ａ及び第２陰極層１５４Ｂの積層構造からなる陰極１５４を得る。以上の工程により、有機ＥＬ装置７０が製造される。   After forming a part of the second cathode layer 154B, the atmosphere is released to remove the mask, and the second cathode layer 154B is formed on the entire surface of the substrate P as shown in FIG. A cathode 154 having a laminated structure of the cathode layer 154A and the second cathode layer 154B is obtained. The organic EL device 70 is manufactured through the above steps.

上記有機ＥＬ装置の製造方法において、第１陰極層１５４Ａは発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が相対的に低いマグネシウムからなるものであるため、酸化反応が生じ易い。そこで、当該第１陰極層１５４Ａを成膜した後、大気に開放することなく、同一チャンバー内で第２陰極層１５４Ｂを第１陰極層１５４Ａ上に形成して保護膜として機能させている。これにより、第１陰極層１５４Ａが酸化して電子注入機能が低下する等の不具合発生を防止ないし抑止している。   In the manufacturing method of the organic EL device, the first cathode layer 154A is made of magnesium having a relatively low electron injection barrier with the light emitting layer 140B, and therefore, an oxidation reaction is likely to occur. Therefore, after forming the first cathode layer 154A, the second cathode layer 154B is formed on the first cathode layer 154A in the same chamber without opening to the atmosphere, and functions as a protective film. This prevents or suppresses the occurrence of problems such as the first cathode layer 154A being oxidized and the electron injection function being lowered.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
まず、図３に示すような構成を具備した有機ＥＬ装置を上述した本実施形態の方法により製造し、実施例１とした。具体的には、ガラス基板Ｐ上にＩＴＯからなる画素電極１４１を画素毎にパターン形成し、正孔注入／輸送層１４０Ａとしてポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、発光層１４０Ｂとしてポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）を用いて発光部１４０を形成した。なお、正孔注入／輸送層１４０Ａは７５ｎｍの乾燥膜厚で２Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する。また、陰極１５４として、第１陰極層１５４Ａをマグネシウム（膜厚５ｎｍ）と銀（膜厚３００ｎｍ）により画素電極１４１と同一パターンで形成するとともに、第２陰極層１５４Ｂをアルミニウムにより全面ベタ状に形成し、封止を行って実施例１の有機ＥＬ装置を得た。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
First, an organic EL device having the configuration shown in FIG. 3 was manufactured by the method of this embodiment described above, and Example 1 was obtained. Specifically, a pixel electrode 141 made of ITO is patterned on a glass substrate P for each pixel, and polythiophene (PEDOT) is used as the hole injection / transport layer 140A, and polyfluorene benzothiadiazole (PFBT) is used as the light emitting layer 140B. Thus, the light emitting part 140 was formed. The hole injection / transport layer 140A has a dry film thickness of 75 nm and a conductivity of 2 S / cm or more. In addition, as the cathode 154, the first cathode layer 154A is formed of magnesium (film thickness 5 nm) and silver (film thickness 300 nm) in the same pattern as the pixel electrode 141, and the second cathode layer 154B is formed of aluminum on the entire surface. The organic EL device of Example 1 was obtained by sealing.

また、同じく図３に示すような構成を具備した有機ＥＬ装置を上述した本実施形態の方法により製造し、実施例２とした。具体的には、ガラス基板Ｐ上にＩＴＯからなる画素電極１４１を画素毎にパターン形成し、正孔注入／輸送層１４０Ａとしてポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、発光層１４０Ｂとしてポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）を用いて発光部１４０を形成した。なお、正孔注入／輸送層１４０Ａは７５ｎｍの乾燥膜厚で２Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する。また、陰極１５４として、第１陰極層１５４Ａをリチウム（膜厚５ｎｍ）とマグネシウム（膜厚５ｎｍ）と銀（膜厚３００ｎｍ）により画素電極１４１と同一パターンで形成するとともに、第２陰極層１５４Ｂをアルミニウムにより全面ベタ状に形成し、封止を行って実施例２の有機ＥＬ装置を得た。   Similarly, an organic EL device having a configuration as shown in FIG. 3 was manufactured by the method of this embodiment described above, and Example 2 was obtained. Specifically, a pixel electrode 141 made of ITO is patterned on a glass substrate P for each pixel, and polythiophene (PEDOT) is used as the hole injection / transport layer 140A, and polyfluorene benzothiadiazole (PFBT) is used as the light emitting layer 140B. Thus, the light emitting part 140 was formed. The hole injection / transport layer 140A has a dry film thickness of 75 nm and a conductivity of 2 S / cm or more. Further, as the cathode 154, the first cathode layer 154A is formed of lithium (film thickness 5 nm), magnesium (film thickness 5 nm), and silver (film thickness 300 nm) in the same pattern as the pixel electrode 141, and the second cathode layer 154B is formed. An organic EL device of Example 2 was obtained by forming a solid surface with aluminum and performing sealing.

一方、図３に示したようなパターニングした第１陰極層１５４Ａを具備しない有機ＥＬ装置を製造し、比較例とした。具体的には、ガラス基板Ｐ上にＩＴＯからなる画素電極１４１を画素毎にパターン形成し、正孔注入／輸送層１４０Ａとしてポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、発光層１４０Ｂとしてポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）を用いて発光部１４０を形成した。なお、正孔注入／輸送層１４０Ａは７５ｎｍの乾燥膜厚で２Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する。また、陰極としては、実施例１及び実施例２とは異なり、マグネシウム（膜厚５ｎｍ）と銀（膜厚３００ｎｍ）を全面ベタ状に形成するとともに、アルミニウムも全面ベタ状に形成し、封止を行って比較例１の有機ＥＬ装置を得た。   On the other hand, an organic EL device without the patterned first cathode layer 154A as shown in FIG. 3 was manufactured and used as a comparative example. Specifically, a pixel electrode 141 made of ITO is patterned on a glass substrate P for each pixel, and polythiophene (PEDOT) is used as the hole injection / transport layer 140A, and polyfluorene benzothiadiazole (PFBT) is used as the light emitting layer 140B. Thus, the light emitting part 140 was formed. The hole injection / transport layer 140A has a dry film thickness of 75 nm and a conductivity of 2 S / cm or more. Further, unlike Example 1 and Example 2, as the cathode, magnesium (film thickness: 5 nm) and silver (film thickness: 300 nm) are formed in a solid shape on the entire surface, and aluminum is also formed in a solid shape on the entire surface. The organic EL device of Comparative Example 1 was obtained.

以上の実施例１、実施例２、及び比較例の陰極構造、発光エリアのサイズについて表１に示す。また、図７は、実施例１、実施例２、及び比較例の有機ＥＬ装置について、発光エリア（ｘ軸）に対する輝度（ｙ軸）の変化を示したグラフである。   Table 1 shows the cathode structures and the light emitting area sizes of Examples 1 and 2 and Comparative Example. FIG. 7 is a graph showing changes in luminance (y-axis) with respect to the light-emitting area (x-axis) for the organic EL devices of Example 1, Example 2, and Comparative Example.

Figure 2007242387
Figure 2007242387

表１及び図７に示したように、比較例の有機ＥＬ装置の発光エリアは２７５ｎｍであるのに対し、実施例１及び実施例２の有機ＥＬ装置の発光エリアは２２０ｎｍであった。つまり、比較例の有機ＥＬ装置に比べて、実施例１及び実施例２の有機ＥＬ装置は、画素電極１４１と同一パターンの第１陰極層１５４Ａを有するため、発光エリアの広がりがなく、高コントラストの表示が実現された。   As shown in Table 1 and FIG. 7, the light emitting area of the organic EL device of the comparative example was 275 nm, whereas the light emitting area of the organic EL device of Example 1 and Example 2 was 220 nm. That is, compared with the organic EL device of the comparative example, the organic EL devices of Example 1 and Example 2 have the first cathode layer 154A having the same pattern as the pixel electrode 141. The display of was realized.

（電子機器）
本発明の発光装置（有機ＥＬ装置）は、表示部を備えた様々な電子機器に適用される。以下、本発明の発光装置を備えた電子機器の適用例について説明する。 (Electronics)
The light emitting device (organic EL device) of the present invention is applied to various electronic devices including a display unit. Hereinafter, application examples of an electronic device including the light emitting device of the present invention will be described.

図８は、上記実施形態の有機ＥＬ装置を携帯電話に適用した例を示す斜視図であり、携帯電話１３００は、上記実施形態の有機ＥＬ装置を小サイズの表示部１３０１として備える。携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
なお、このような携帯電話の例に加えて、他の例として、腕時計、モバイル型コンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の発光装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。 FIG. 8 is a perspective view showing an example in which the organic EL device of the above embodiment is applied to a mobile phone. The mobile phone 1300 includes the organic EL device of the above embodiment as a small-sized display unit 1301. A cellular phone 1300 includes a plurality of operation buttons 1302, an earpiece 1303, and a mouthpiece 1304.
In addition to examples of such mobile phones, other examples include wristwatches, mobile computers, LCD TVs, viewfinder type and monitor direct view type video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, Examples include a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a device equipped with a touch panel. The light emitting device of the present invention can also be applied as a display portion of such an electronic device.

本実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成図。The circuit block diagram of the organic electroluminescent apparatus of this embodiment. 本実施形態の有機ＥＬ装置の画素構成を示す平面図。The top view which shows the pixel structure of the organic electroluminescent apparatus of this embodiment. 本実施形態の有機ＥＬ装置の断面構成図。The cross-sectional block diagram of the organic electroluminescent apparatus of this embodiment. 有機ＥＬ装置の一変形例を示す断面構成図。The cross-sectional block diagram which shows one modification of an organic electroluminescent apparatus. 有機ＥＬ装置の一変形例を示す断面構成図。The cross-sectional block diagram which shows one modification of an organic electroluminescent apparatus. 本実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus of this embodiment. 実施例及び比較例の有機ＥＬ装置について発光エリアの輝度を示すグラフ。The graph which shows the brightness | luminance of a light emission area about the organic EL apparatus of an Example and a comparative example. 電子機器の一例を示す斜視構成図。The perspective block diagram which shows an example of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

７０…有機ＥＬ装置（発光装置）、１４０Ｂ…発光層、１４１…画素電極（陽極）、１５４…陰極、１５４Ａ…第１陰極層、１５４Ｂ…第２陰極層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 70 ... Organic EL device (light emitting device), 140B ... Light emitting layer, 141 ... Pixel electrode (anode), 154 ... Cathode, 154A ... First cathode layer, 154B ... Second cathode layer

Claims (7)

陰極と陽極との間に発光層を有する発光装置であって、
前記陰極は、前記発光層との電子の注入障壁が異なる複数の陰極層を有し、前記発光層との電子の注入障壁が相対的に小さい陰極層がパターニングされてなることを特徴とする発光装置。 A light emitting device having a light emitting layer between a cathode and an anode,
The cathode has a plurality of cathode layers having different electron injection barriers from the light emitting layer, and is patterned by a cathode layer having a relatively small electron injection barrier from the light emitting layer. apparatus. 前記パターニングされた陰極層は、前記発光層との電子の注入障壁が１ｅＶ以下の導電材料からなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   2. The light emitting device according to claim 1, wherein the patterned cathode layer is made of a conductive material having an electron injection barrier with the light emitting layer of 1 eV or less. 前記陰極において、相対的に前記発光層との電子の注入障壁が大きい陰極層が、前記パターニングされた陰極層を覆って形成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。   3. The light emitting device according to claim 1, wherein a cathode layer having a relatively large electron injection barrier with the light emitting layer is formed so as to cover the patterned cathode layer. . 前記発光層が前記陰極の形成領域の全面にベタ状に形成されてなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the light emitting layer is formed in a solid shape on the entire surface of the cathode forming region. 陰極と陽極との間に発光層を有した発光装置の製造方法であって、
基板上に所定パターンの陽極を形成する工程と、
前記陽極上に発光層を形成する工程と、
前記発光層上に、相対的に前記発光層との電子の注入障壁が小さい導電材料を、前記陽極のパターンに倣ったパターンで成膜して、第１陰極層を形成する工程と、
前記第１陰極層上に、相対的に前記発光層との電子の注入障壁が大きい導電材料を、前記パターン形成された第１陰極層全体を覆う形で成膜して、第２陰極層を形成する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 A method of manufacturing a light emitting device having a light emitting layer between a cathode and an anode,
Forming a predetermined pattern of anode on a substrate;
Forming a light emitting layer on the anode;
Forming a first cathode layer on the light emitting layer by depositing a conductive material having a relatively small electron injection barrier with the light emitting layer in a pattern following the pattern of the anode;
A conductive material having a relatively large electron injection barrier with the light emitting layer is formed on the first cathode layer so as to cover the entire patterned first cathode layer, and a second cathode layer is formed. And a step of forming the light emitting device. 前記第１陰極層の形成工程は、真空下において、マスクを介した蒸着により前記注入障壁が小さい導電材料をパターン成膜する工程を含み、
前記第２陰極層の形成工程は、前記第１陰極層の形成工程での真空を保ったまま、前記マスクを介した蒸着により、前記第１陰極層上に前記注入障壁が大きい導電材料を成膜する工程と、前記真空を開放した後、前記第１陰極層の形成領域の全面に前記注入障壁が大きい導電材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。 The step of forming the first cathode layer includes a step of pattern-forming a conductive material having a small injection barrier by vacuum evaporation through a mask,
In the step of forming the second cathode layer, a conductive material having a large injection barrier is formed on the first cathode layer by vapor deposition through the mask while maintaining the vacuum in the step of forming the first cathode layer. The light emitting method according to claim 5, further comprising: forming a film; and forming a conductive material having a large injection barrier over the entire surface of the formation region of the first cathode layer after releasing the vacuum. Device manufacturing method. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the light emitting device according to claim 1.
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