JP2007234968A - Light emitting device and manufacturing method of same - Google Patents

Light emitting device and manufacturing method of same Download PDF

Info

Publication number
JP2007234968A
JP2007234968A JP2006056548A JP2006056548A JP2007234968A JP 2007234968 A JP2007234968 A JP 2007234968A JP 2006056548 A JP2006056548 A JP 2006056548A JP 2006056548 A JP2006056548 A JP 2006056548A JP 2007234968 A JP2007234968 A JP 2007234968A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
sheet
light
light emitting
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006056548A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Naito
隆宏 内藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2006056548A priority Critical patent/JP2007234968A/en
Publication of JP2007234968A publication Critical patent/JP2007234968A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve emitted-light guiding-out efficiency of an LED chip, to secure stability of a resin sealing shape, and to improve mass-productivity of an LED product while suppressing an increase in manufacturing cost of an LED by using a windowed sheet of extremely simple constitution and translucent resin with relatively low viscosity. <P>SOLUTION: After a plurality of LED chips 2 are mounted on a wiring board 1, a first sheet having predetermined opening window parts 4a as a mold for resin charging is mounted on the wiring board so that the LED chips are exposed in the opening window parts. The translucent resin 3 with relatively low viscosity whose filler addition rate is 0 to 50 wt.% is supplied into the opening windows of the first sheet, which is removed after the resin is cured. Then, the wiring board is divided into light emitting devices each with built-in LED chips of a desired number. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置の製造方法および発光装置に係り、特に基板上に発光素子として発光ダイオード（ＬＥＤ）のベアチップが実装されて透光性樹脂により封止された構造を有する発光装置の樹脂封止方法および発光装置のパッケージング構造に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting device and a light emitting device, and more particularly, to a resin seal of a light emitting device having a structure in which a bare chip of a light emitting diode (LED) is mounted on a substrate as a light emitting element and sealed with a translucent resin. The present invention relates to a stopping method and a packaging structure of a light emitting device.

ＬＥＤを用いた発光装置は小型で消費電力も少なく耐用年数も長いので、液晶のバックライトや車載用など幅広い分野で使用されている。ＬＥＤから放出される光は、赤色、緑色、青色などのように限られた単色光であり、それを異なる波長に変換するための蛍光物質を発光素子と組み合わせて使用する場合がある。この場合、ＬＥＤから直接外部に放出される光と、ＬＥＤから放出される光と蛍光物質から放出される波長変換された光とを加色混合して白色を発光する発光装置が知られている。   Since light emitting devices using LEDs are small, consume less power and have a long service life, they are used in a wide range of fields such as liquid crystal backlights and in-vehicle use. The light emitted from the LED is limited monochromatic light such as red, green, and blue, and a fluorescent material for converting it to a different wavelength may be used in combination with the light emitting element. In this case, a light-emitting device that emits white light by adding and mixing light emitted directly from the LED, light emitted from the LED, and wavelength-converted light emitted from the fluorescent material is known. .

ＬＥＤチップを配線基板上に実装（ＣＯＢ；Chip on Board）し、回路基板上のベアチップの実装部を外力、大気中の水分や埃などから保護するために樹脂により封止する方法が行われている。この封止方法として樹脂のポッティングを行う際、硬化前の樹脂がベアチップの実装領域から他の領域へと広がるように流れ出してしまうことを防止するために、ベアチップの実装領域を他の領域と仕切る枠材を同軸状に配置した後、ディスペンサを用いて樹脂を滴下してベアチップを樹脂で覆った状態にする方法がある。   An LED chip is mounted on a wiring board (COB; Chip on Board), and the mounting part of the bare chip on the circuit board is sealed with resin in order to protect it from external force, moisture and dust in the atmosphere. Yes. As a sealing method, when performing resin potting, the bare chip mounting area is partitioned from other areas in order to prevent the uncured resin from flowing out from the bare chip mounting area to spread to other areas. There is a method in which after placing the frame material coaxially, a resin is dropped using a dispenser so that the bare chip is covered with the resin.

一方、特許文献１には、印刷による樹脂封止方法を試みた点が開示されている。この樹脂封止方法は、回路基板上のベアチップの実装領域を他の領域と仕切るメタルマスクを同軸状に配置した後、メタルマスク内スペースに滴下した透光性樹脂を、スキージを用いて水平方向へ引き延ばしてメタルマスク内スペースに所定量の透光性樹脂が塗布された状態にする。しかし、この場合は高粘度樹脂を用いる必要があるので、ベアチップを例えばフェイスアップ状態で実装してボンディングワイヤで接続した部分においてワイヤに対する負荷が過大になり、ワイヤの変形や断線を生じるおそれがある。また、高粘度樹脂を用いると、樹脂の厚さ制御が困難であり、樹脂内部から外部へ気泡が抜け難く、樹脂表面部に気泡が残存し易く、ベアチップの発光を効率よく樹脂外部へ取り出すことができない。   On the other hand, Patent Document 1 discloses a point of trying a resin sealing method by printing. This resin sealing method uses a squeegee to place a translucent resin dropped in a space in the metal mask in a horizontal direction after coaxially arranging a metal mask that partitions the mounting area of the bare chip on the circuit board from other areas. And a predetermined amount of translucent resin is applied to the space in the metal mask. However, in this case, since it is necessary to use a high-viscosity resin, the load on the wire becomes excessive in a portion where the bare chip is mounted in a face-up state and connected with a bonding wire, for example, and there is a possibility that the wire is deformed or disconnected. . Also, if a high-viscosity resin is used, it is difficult to control the thickness of the resin, it is difficult for air bubbles to escape from the inside of the resin to the outside, air bubbles are likely to remain on the resin surface, and the emitted light from the bare chip can be efficiently taken out of the resin. I can't.

さらに、特許文献１には、封止対象部位を光硬化樹脂で樹脂封止する際、光硬化樹脂を硬化させる光波長の光が透過する薄板材を基材にして、前記封止対象部位に対応する開口部を形成し、かつ、前記光波長の光を反射させるための反射膜を少なくとも薄板材上面に形成してなる透明マスクを用いて、前記封止対象部位が前記開口部により露出されるようにマスキングする工程と、前記開口部により露出された封止対象部位へと光硬化樹脂を充填する工程と、前記透明マスクに伝搬させた前記光波長の光にて、前記封止対象部位に充填された光硬化樹脂を硬化させる工程とを具備するものである。   Further, in Patent Document 1, when a sealing target part is resin-sealed with a photo-curing resin, a thin plate material that transmits light of a light wavelength that cures the photo-curing resin is used as a base material, Using the transparent mask in which the corresponding opening is formed and the reflection film for reflecting the light having the light wavelength is formed on at least the upper surface of the thin plate material, the sealing target portion is exposed by the opening. The step of masking, the step of filling the portion to be sealed exposed by the opening with a photo-curing resin, and the portion to be sealed with light of the light wavelength propagated to the transparent mask And a step of curing the photo-curing resin filled in the container.

この樹脂封止方法によれば、各種製品に光デバイスをコンパクトに実装する際に要求される樹脂封止形状の形状安定性の確保や樹脂封止製品の量産性の向上を図るのに好適である。しかし、光硬化樹脂で樹脂封止するために、特定の光波長に対する反射膜を少なくとも薄板材上面に形成してなる特殊な構造の透明マスクを用い、特定の光波長を有する樹脂硬化用の光を透明マスクにより伝搬させるので、製造コストの増加をまねく。
特開平１１−２３３５３７号公報 According to this resin sealing method, it is suitable for ensuring the shape stability of the resin-sealed shape required for compact mounting of optical devices on various products and improving the mass productivity of resin-sealed products. is there. However, in order to encapsulate the resin with a photo-curing resin, a resin-curing light having a specific light wavelength using a transparent mask having a special structure in which a reflection film for a specific light wavelength is formed on at least the upper surface of the thin plate material. Is propagated by the transparent mask, which increases the manufacturing cost.
JP-A-11-233537

前述した従来の樹脂封止方法は、ＬＥＤチップの発光の取り出し効率の向上、樹脂封止形状の形状安定性の確保、樹脂封止製品の量産性の向上、製造コストの低減を同時に満足させることを課題とするものではない。しかも、発光ダイオードチップの発光色を波長変換するために樹脂に蛍光物質を混合する場合の樹脂材質、樹脂材質に応じたマスク材質などの最適化の手法について言及されていない。   The above-mentioned conventional resin sealing method satisfies simultaneously the improvement of the light emission extraction efficiency of the LED chip, the securing of the shape stability of the resin sealing shape, the improvement of the mass productivity of the resin sealing product, and the reduction of the manufacturing cost. Is not an issue. In addition, there is no mention of optimization methods such as a resin material and a mask material corresponding to the resin material when a fluorescent material is mixed with the resin in order to convert the light emission color of the light emitting diode chip.

本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、構成が極めて簡単な窓あきシートおよび比較的低粘度の樹脂を用いることで、製造コストの増加を抑制しつつ、発光ダイオードチップの発光の取り出し効率の向上、樹脂封止形状の安定性の確保、製品の量産性の向上を図ることが可能な発光装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances. By using a window sheet with a very simple structure and a resin having a relatively low viscosity, it is possible to take out light emitted from a light emitting diode chip while suppressing an increase in manufacturing cost. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a light emitting device capable of improving efficiency, ensuring stability of a resin sealing shape, and improving mass productivity of a product.

また、本発明の他の目的は、光の取り出し効率が優れ、信頼性や歩留りが高い発光装置を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a light emitting device with excellent light extraction efficiency and high reliability and yield.

さらに、本発明の他の目的は、発光ダイオードチップの発光色と樹脂に混合された蛍光物質の発光色とが混色した光の取り出し効率が優れ、色調の安定性に優れた発光装置を提供することにある。   Furthermore, another object of the present invention is to provide a light emitting device with excellent light extraction efficiency and excellent color tone stability, in which the light emission color of the light emitting diode chip and the light emission color of the fluorescent material mixed in the resin are mixed. There is.

本発明の発光装置の製造方法は、基板上に複数個の発光ダイオードチップを実装する第１の工程と、樹脂充填用の型枠となる所定の開口窓部を有する第１のシートを、前記開口窓部内に前記発光ダイオードチップが露出するように前記基板上に載置する第２の工程と、前記第１のシートの開口窓部内に、フィラーの添加率が０〜５０重量％の透光性の樹脂を流し込む第３の工程と、前記樹脂が硬化した後に前記第１のシートを取り外す第４の工程と、前記第４の工程の後に所望数の発光ダイオードチップを内蔵した発光装置に分割する第５の工程とを具備する。   The method for manufacturing a light-emitting device of the present invention includes a first step of mounting a plurality of light-emitting diode chips on a substrate, and a first sheet having a predetermined opening window serving as a mold for resin filling, A second step of placing the light emitting diode chip on the substrate so that the light emitting diode chip is exposed in the opening window, and a light transmission rate of 0 to 50% by weight of filler in the opening window of the first sheet Divided into a third step of pouring a conductive resin, a fourth step of removing the first sheet after the resin is cured, and a light emitting device incorporating a desired number of light emitting diode chips after the fourth step And a fifth step.

また、本発明の発光装置は、基板上に発光ダイオードチップが実装されて透光性の樹脂により封止された構造を有する発光装置において、前記樹脂はフィラーの添加率が０〜５０重量％の樹脂が硬化されたものであり、前記樹脂の厚さは１ｍｍ以下である。   The light-emitting device of the present invention is a light-emitting device having a structure in which a light-emitting diode chip is mounted on a substrate and sealed with a light-transmitting resin. The resin has a filler addition rate of 0 to 50% by weight. The resin is cured, and the thickness of the resin is 1 mm or less.

本発明の発光装置の製造方法によれば、構成が極めて簡単な窓あきシートおよび比較的低粘度の樹脂を用いることで、製造コストの増加を抑制しつつ、ＬＥＤチップの発光の取り出し効率の向上、樹脂封止形状の形状安定性の確保、発光装置の量産性の向上を図ることが可能になる。   According to the method for manufacturing a light emitting device of the present invention, the use of a window sheet having a very simple structure and a resin having a relatively low viscosity improves the extraction efficiency of light emitted from the LED chip while suppressing an increase in manufacturing cost. In addition, it is possible to ensure the shape stability of the resin-encapsulated shape and improve the mass productivity of the light emitting device.

請求項２の発光装置の製造方法によれば、使用するシートの開口窓部の広さを規定することにより、樹脂の形状の安定性を確保することが可能になる。   According to the method for manufacturing the light emitting device of the second aspect, it is possible to ensure the stability of the shape of the resin by defining the width of the opening window portion of the sheet to be used.

請求項３の発光装置の製造方法によれば、使用するシートの厚さを規定したものであり、樹脂の厚さを薄くし、光の取り出し効率を高めることが可能になる。   According to the method for manufacturing a light emitting device of the third aspect, the thickness of the sheet to be used is defined, and the thickness of the resin can be reduced to increase the light extraction efficiency.

請求項４の発光装置の製造方法によれば、樹脂の材質がエポキシ樹脂である場合に使用するシートの材質をシリコーンゴムまたはフッ素ゴムとすることにより、シートを取り外す際の離型性を高めることができる。   According to the method for manufacturing a light emitting device according to claim 4, when the material of the resin is an epoxy resin, the sheet material used is silicone rubber or fluororubber, thereby improving the releasability when removing the sheet. Can do.

請求項５の発光装置の製造方法によれば、樹脂の材質がシリコーン樹脂である場合に使用するシートの材質をフッ素ゴムとすることにより、シートを取り外す際の離型性を高めることができる。   According to the method for manufacturing a light emitting device of claim 5, when the material of the resin is a silicone resin, the sheet material used is fluororubber, so that the releasability when removing the sheet can be improved.

請求項６の発光装置の製造方法によれば、第１のシートの開口窓部内の樹脂がシート上に流れ出ないように、かつ、第１のシートが位置ずれを生じないように、重しとの間に第２のシートを作用させることが可能になる。   According to the method for manufacturing the light emitting device of claim 6, the weight in the first sheet is prevented so that the resin in the opening window of the first sheet does not flow onto the sheet, and the first sheet is not displaced. It becomes possible to make the second sheet act during this period.

本発明の発光装置によれば、配線基板上に実装されたＬＥＤチップを封止する透光性の樹脂は比較的低粘度の樹脂が硬化されたものであり、実装部に対する樹脂の悪影響が少なく、信頼性や歩留りが高くなる。しかも、樹脂の厚さを薄く形成することができるので、光の取り出し効率が優れている。また、樹脂内部のボイド数が少ないので、光の取り出し効率が優れている。また、樹脂の厚さを一定に形成することができるので、特にＬＥＤチップの発光色を波長変換するために樹脂に蛍光物質を混合する場合には、色調の安定性に優れた発光装置を実現することができる。   According to the light emitting device of the present invention, the translucent resin that seals the LED chip mounted on the wiring board is obtained by curing a resin having a relatively low viscosity, and the adverse effect of the resin on the mounting portion is small. , Increase reliability and yield. In addition, since the thickness of the resin can be reduced, the light extraction efficiency is excellent. Further, since the number of voids inside the resin is small, the light extraction efficiency is excellent. In addition, since the thickness of the resin can be made constant, a light-emitting device with excellent color tone stability is realized, especially when a fluorescent material is mixed with the resin to convert the emission color of the LED chip. can do.

請求項８の発光装置は、基板の表面粗さを規定することにより、製造段階の樹脂封止工程において基板と基板上に載置されるシートとの密着性が向上する。   In the light emitting device according to the eighth aspect, by regulating the surface roughness of the substrate, the adhesion between the substrate and the sheet placed on the substrate is improved in the resin sealing process in the manufacturing stage.

請求項９の発光装置によれば、透光性樹脂に蛍光物質が混合されているので、ＬＥＤチップの発光色と蛍光物質の発光色との組み合わせに応じて所望の混色発光を得ることが可能になる。蛍光物質の含有量または種類を変えることにより、実現可能な色調範囲を拡げることが可能になる。透光性樹脂の膜厚を調節することにより、色調を容易に調節することが可能になる。また、樹脂内の底面部のＬＥＤチップ近傍部に蛍光物質が偏在しているので、混色発光の光源を点光源とし、光の取り出し効率を高めることが可能になる。   According to the light emitting device of claim 9, since the fluorescent material is mixed with the translucent resin, it is possible to obtain a desired mixed color light emission according to the combination of the light emission color of the LED chip and the light emission color of the fluorescent material. become. By changing the content or type of the fluorescent substance, it is possible to expand the realizable color tone range. By adjusting the film thickness of the translucent resin, the color tone can be easily adjusted. In addition, since the fluorescent material is unevenly distributed in the vicinity of the LED chip on the bottom surface in the resin, it is possible to increase the light extraction efficiency by using a light source of mixed color light emission as a point light source.

以下、本発明に係る発光装置の実施形態および実施例を説明するが、本発明は、これらの実施形態および実施例に限定されるものではない。また、説明に際して、全図にわたり共通する部分には共通する参照符号を付す。   Hereinafter, embodiments and examples of the light emitting device according to the present invention will be described, but the present invention is not limited to these embodiments and examples. Further, in the description, common reference numerals are given to common portions throughout the drawings.

前記第１のシートの開口窓は、内側面が垂直状に形成することもできる。これにより、樹脂封止の一定の厚さに形成し、色の明るさのむらを抑制することが可能になる。   The opening window of the first sheet may be formed so that the inner surface is vertical. As a result, it is possible to reduce the unevenness of the color brightness by forming the resin sealing to a certain thickness.

前記第１のシートの開口窓の内側面をテーパ形状にし、内側面の上方ほど開口広さが狭くなるように形成することもできる。これにより、シートを上方へ上昇させて取り外す際、硬化した樹脂の側面が摺動し易くなり、シート離脱操作を容易に行うことができる。また、樹脂の厚さを部分的に変化させるように成形できるので、樹脂に蛍光物質を混合した場合に外部に取り出される光の色調を樹脂厚に応じて部分的に変化させることができる。   The inner side surface of the opening window of the first sheet may be formed in a tapered shape so that the opening area becomes narrower toward the upper side of the inner side surface. Accordingly, when the sheet is lifted upward and removed, the side surface of the cured resin is easily slid, and the sheet detachment operation can be easily performed. Moreover, since it can shape | mold so that the thickness of resin may change partially, when the fluorescent substance is mixed with resin, the color tone of the light taken out outside can be changed partially according to resin thickness.

前記第１のシートの開口窓の内側面をテーパ形状にし、内側面の上方ほど開口広さが広くなるように形成することもできる。これにより、樹脂の厚さを部分的に変化させるように成形できるので、樹脂に蛍光物質を混合した場合に外部に取り出される光の色調を樹脂の厚さに応じて部分的に変化させることができる。   The inner side surface of the opening window of the first sheet may be tapered, and the opening area may be wider toward the upper side of the inner side surface. As a result, the resin can be molded so that the thickness of the resin is partially changed, so that when the fluorescent material is mixed with the resin, the color tone of the light extracted to the outside can be partially changed according to the thickness of the resin. it can.

前記樹脂は、内部のボイド数が１個／ｍｍ3 以下であることが好ましい。透光性樹脂の特性を規定することにより、樹脂内部のボイド数を少なくすることが可能になる。 The resin preferably has an internal void number of 1 / mm 3 or less. By defining the characteristics of the translucent resin, the number of voids inside the resin can be reduced.

前記樹脂の形状は側端面が上面に対してほぼ直角であり、前記発光ダイオードチップの上面側の透光性樹脂の厚さは一定であることが好ましい。透光性樹脂の側端面の形状を規定することにより、発光装置の小型化が可能になり、発光装置を使用する機器の小型化が可能になる。   The resin preferably has a side end surface substantially perpendicular to the upper surface, and the thickness of the translucent resin on the upper surface side of the light emitting diode chip is preferably constant. By defining the shape of the side end face of the translucent resin, the light emitting device can be downsized, and the equipment using the light emitting device can be downsized.

前記発光ダイオードチップとして青色発光素子が使用され、前記蛍光物質としてＹＡＧ蛍光体を使用することもできる。これにより白色系に発光する発光装置を簡易に実現することができる。   A blue light emitting element may be used as the light emitting diode chip, and a YAG phosphor may be used as the fluorescent material. Thereby, a light emitting device that emits white light can be easily realized.

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＬＥＤデバイスの製造方法において、回路基板上に実装されたＬＥＤチップを透光性の樹脂により封止する樹脂封止工程の一例を概略的に示す斜視図である。図２乃至図４は、図１に示した製造方法の各工程における断面構造の一例を概略的に示している。図５は、図２乃至図４に示した工程を経て樹脂封止後の分割により得られたＬＥＤデバイスの一例を概略的に示す断面図である。 <First Embodiment>
FIG. 1 schematically illustrates an example of a resin sealing process for sealing an LED chip mounted on a circuit board with a light-transmitting resin in the LED device manufacturing method according to the first embodiment of the present invention. It is a perspective view shown. 2 to 4 schematically show an example of a cross-sectional structure in each step of the manufacturing method shown in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of an LED device obtained by the division after resin sealing through the steps shown in FIGS.

図１乃至図５において、１は基板、２はＬＥＤチップ、３は光硬化性、熱硬化性などを有する透光性の樹脂であり、３ａは硬化前の樹脂、３ｂは硬化後の樹脂、４は第１のシート、４ａは第１のシートの開口窓部、５は第２のシートである。   1 to 5, 1 is a substrate, 2 is an LED chip, 3 is a translucent resin having photocurability, thermosetting, etc., 3a is a resin before curing, 3b is a resin after curing, Reference numeral 4 denotes a first sheet, 4a denotes an opening window portion of the first sheet, and 5 denotes a second sheet.

次に、図１乃至図６を参照しながらＬＥＤデバイスの製造工程を説明する。まず、図１に示すように、配線基板１上に複数個のＬＥＤチップ２を例えば行列状の配置で実装する。ここで、ＬＥＤチップ２をフェイスダウン状態で実装する場合には、例えば図２に示すように、配線基板１上の配線パターン部とＬＥＤチップ２の電極部とを金属バンプ２ａを介してフリップチップ接続する。あるいは、ＬＥＤチップ２をフェイスアップ状態で実装する場合には、ＬＥＤチップの電極部と配線基板１上の配線パターン部とを導電性ボンディングワイヤ（図示せず）を介して接続する。   Next, an LED device manufacturing process will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 1, a plurality of LED chips 2 are mounted on a wiring board 1 in, for example, a matrix arrangement. Here, when mounting the LED chip 2 in a face-down state, for example, as shown in FIG. 2, the wiring pattern part on the wiring board 1 and the electrode part of the LED chip 2 are flip-chipd via the metal bumps 2a. Connecting. Alternatively, when the LED chip 2 is mounted face-up, the electrode part of the LED chip and the wiring pattern part on the wiring board 1 are connected via a conductive bonding wire (not shown).

次に、第１のシート４の開口窓部４ａ内にＬＥＤチップ２が露出するように配線基板上に載置する。ここで、第１のシート４は、図１に示したように所定の形状を有する開口窓部４ａを有する。次に、第１のシート４の開口窓部４ａ内に、フィラーの添加率が０〜５０重量％の比較的低粘度の樹脂３ａを所定量流し込む。このような比較的低粘度の樹脂３ａを供給すると、図３に示すように、樹脂３ａは開口窓部４ａ内に素早く均等に広がり、表面が平坦になる。次に、望ましくは、図３に示すように、樹脂３ａ上、望ましくは第１のシート４上の全面を覆うように第２のシート５を載置する。この第２のシート５は、第１のシート４の開口窓部４ａ内の樹脂３が第１のシート４上に流れ出ないように、かつ、第１のシート４が位置ずれを生じないように作用する。この際、第２のシート５に荷重をかけるために重し（図示せず）を乗せることにより、第２のシート５の作用を確実なものとすることが望ましい。   Next, the LED chip 2 is placed on the wiring board so that the LED chip 2 is exposed in the opening window 4 a of the first sheet 4. Here, the 1st sheet | seat 4 has the opening window part 4a which has a predetermined shape, as shown in FIG. Next, a predetermined amount of a relatively low viscosity resin 3a having a filler addition rate of 0 to 50% by weight is poured into the opening window 4a of the first sheet 4. When such a relatively low-viscosity resin 3a is supplied, as shown in FIG. 3, the resin 3a spreads quickly and evenly in the opening window 4a, and the surface becomes flat. Next, as shown in FIG. 3, the second sheet 5 is preferably placed so as to cover the entire surface of the resin 3 a, preferably the first sheet 4. The second sheet 5 prevents the resin 3 in the opening window 4a of the first sheet 4 from flowing out onto the first sheet 4 and prevents the first sheet 4 from being displaced. Works. At this time, it is desirable to ensure the action of the second sheet 5 by placing a weight (not shown) on the second sheet 5 in order to apply a load.

そして、樹脂３ａが硬化（仮硬化、半硬化、本硬化のいずれでもよい）した後、第２のシート５および第１のシート４を図中上方へ上昇させて取り外す。この際、樹脂３ｂは、硬化状態であるので、広がったり流れたりしない。   Then, after the resin 3a is cured (any of temporary curing, semi-curing, and main curing), the second sheet 5 and the first sheet 4 are raised upward in the figure and removed. At this time, since the resin 3b is in a cured state, it does not spread or flow.

さらに、樹脂３ｂが硬化した後、配線基板１を任意数（１個あるいは複数個）のＬＥＤチップ２の配置領域を単位として分割することにより、所定の形状を有する樹脂３ｂにより封止されたパッケージング構造を有する発光装置が得られる。この際、例えば図５（ａ）に示すようにＬＥＤチップを１個内蔵したデバイス、または、図５（ｂ）あるいは図５（ｃ）に示すようにＬＥＤチップを複数個内蔵したＬＥＤモジュールあるいはＬＥＤアレイ型のデバイスに分割する。   Further, after the resin 3b is cured, the package is sealed with the resin 3b having a predetermined shape by dividing the wiring substrate 1 with an arrangement region of an arbitrary number (one or a plurality) of LED chips 2 as a unit. A light emitting device having a ring structure is obtained. At this time, for example, a device incorporating one LED chip as shown in FIG. 5 (a), or an LED module or LED incorporating a plurality of LED chips as shown in FIG. 5 (b) or FIG. 5 (c). Divide into array devices.

次に、前記した樹脂封止工程における各構成要素について詳述する。   Next, each component in the above-described resin sealing step will be described in detail.

（基板１） 基板は、絶縁基板（ＡｌＮ基板、アルミナセラミックス基板、ガラスエポキシ基板、Ｓｉ基板など）上に金属箔による配線パターン（図示せず）、さらに必要に応じて所望の回路（図示せず）が形成された配線基板が用いられる。   (Substrate 1) The substrate is an insulating substrate (AlN substrate, alumina ceramic substrate, glass epoxy substrate, Si substrate, etc.) on a metal foil wiring pattern (not shown) and, if necessary, a desired circuit (not shown). ) Is used.

（ＬＥＤチップ２） ＬＥＤチップは、４６０ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つ青色発光の発光素子、４１０ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つ青紫色発光の発光素子、３６５ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つ紫外線発光の発光素子などを使用することができる。また、緑色発光の発光素子、青緑色発光の発光素子、橙色発光の発光素子、赤色発光の発光素子、赤外線発光の発光素子などを使用することもできる。   (LED chip 2) The LED chip is a blue light emitting element having an emission peak wavelength in the vicinity of 460 nm, a blue-violet light emitting element having an emission peak wavelength in the vicinity of 410 nm, and an ultraviolet light emitting element having an emission peak wavelength in the vicinity of 365 nm. An element etc. can be used. Alternatively, a green light-emitting element, a blue-green light-emitting element, an orange light-emitting element, a red light-emitting element, an infrared light-emitting element, or the like can be used.

ＬＥＤチップの種類は特に制限されるものではないが、例えば、ＭＯＣＶＤ法等によって基板上にＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物半導体を発光層として形成させたもの、一例として、サファイア基板上にｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とが順次に積層された構造のものを使用する。また、半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。半導体の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択できる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることができる。また、活性層には、Ｓｉ、Ｇｅ等のドナー不純物および／またはＺｎ、Ｍｇ等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。ＬＥＤチップの発光波長は、その活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量を変えるか、または活性層にドープする不純物の種類を変えることにより、紫外領域から赤色まで変化させることができる。   The type of the LED chip is not particularly limited. For example, a nitride semiconductor such as InN, AlN, GaN, InGaN, AlGaN, or InGaAlN formed on the substrate by MOCVD or the like as an example, as an example The n-type contact layer made of n-type GaN, the n-type cladding layer made of n-type AlGaN, and the p-type contact layer made of p-type GaN are sequentially stacked on the sapphire substrate. The semiconductor structure includes a homostructure having a MIS junction, a PIN junction, a PN junction, etc., a hetero bond, or a double hetero bond. Various emission wavelengths can be selected depending on the semiconductor material and the mixed crystal ratio. Moreover, it can be set as the single quantum well structure or the multiple quantum well structure which formed the semiconductor active layer in the thin film which produces a quantum effect. The active layer may be doped with donor impurities such as Si and Ge and / or acceptor impurities such as Zn and Mg. The emission wavelength of the LED chip can be changed from the ultraviolet region to red by changing the In content of InGaN in the active layer or by changing the type of impurities doped in the active layer.

そして、ＬＥＤチップは、アノード（ｐ電極）・カソード（ｎ電極）に対応する一対の電極（パッド端子、パッド電極）を有し、配線基板１上に所望の状態で実装される。フェイスダウン実装の場合には、例えばＬＥＤチップの電極と配線基板上の配線パターン部（あるいは導電パターン、リード電極）とが金属バンプ（例えば金バンプ）により接合されてフリップチップ接続されている。あるいは、ＬＥＤチップのパッド電極と配線基板上の配線パターン部との間が半田により接合（超音波接合）された構造とか、金、銀、パラジウム、ロジウム等の導電性ペースト、異方性導電ペースト等により接合された構造など、種々の形態を採用できる。   The LED chip has a pair of electrodes (pad terminal, pad electrode) corresponding to an anode (p electrode) and a cathode (n electrode), and is mounted on the wiring substrate 1 in a desired state. In the case of face-down mounting, for example, the electrode of the LED chip and the wiring pattern portion (or conductive pattern, lead electrode) on the wiring board are joined by metal bumps (for example, gold bumps) and are flip-chip connected. Alternatively, the structure in which the pad electrode of the LED chip and the wiring pattern portion on the wiring board are joined by solder (ultrasonic bonding), conductive paste such as gold, silver, palladium, rhodium, or anisotropic conductive paste Various forms such as a structure joined by, for example, can be adopted.

一方、フェイスアップ実装の場合には、配線基板上にＬＥＤチップが載置されてダイボンディングにより固着され、ＬＥＤチップの一対の電極と配線基板上の配線とが導電性ワイヤー（図示せず）によりボンディング接続されている。なお、フェイスアップ実装における配線基板とＬＥＤチップとの接続は上記例に限らず樹脂接合、金属接合など種々の形態を採用できる。   On the other hand, in the case of face-up mounting, an LED chip is mounted on a wiring board and fixed by die bonding, and a pair of electrodes of the LED chip and wiring on the wiring board are connected by a conductive wire (not shown). Bonded connection. The connection between the wiring board and the LED chip in face-up mounting is not limited to the above example, and various forms such as resin bonding and metal bonding can be adopted.

（樹脂） 樹脂は、ＬＥＤチップ２からの光を効率よく外部に発するために、高い光の透過性が要求される。樹脂３の材料は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂であって、例えば、石英フィラーの添加率が０〜５０重量％の低粘度のエポキシ樹脂を用いる。ＬＥＤチップ２の電極と配線パターンとを導電性ワイヤで接続する構造では、樹脂３は導電性ワイヤを保護する機能も有する。また、樹脂に拡散剤を含有させることによって、ＬＥＤチップからの指向性を緩和させ、視野角を増やすこともできる。また、樹脂を一定の膜厚に形成することにより、色の明るさのむらを抑制することが可能になる。   (Resin) The resin is required to have high light transmittance in order to efficiently emit light from the LED chip 2 to the outside. The material of the resin 3 is a transparent resin having excellent weather resistance, such as an epoxy resin and a silicone resin, and for example, a low-viscosity epoxy resin having an addition rate of quartz filler of 0 to 50% by weight is used. In the structure in which the electrode of the LED chip 2 and the wiring pattern are connected by a conductive wire, the resin 3 also has a function of protecting the conductive wire. Moreover, by including a diffusing agent in the resin, the directivity from the LED chip can be relaxed and the viewing angle can be increased. Further, by forming the resin with a constant film thickness, it is possible to suppress unevenness in color brightness.

（シート） 第１のシート４は、樹脂封止すべきＬＥＤチップ２の実装高さより厚い平板状であり、かつ、配線基板１上の封止対象部位に合わせて樹脂充填用の型枠（ダム）となる矩形や丸形等の適宜選定した開口形状を有する複数の開口窓部４ａが設けられている。この開口窓部４ａは、任意数のＬＥＤチップ２の配置領域毎（例えば行列状に配置されたＬＥＤチップアレイの各列）に対応して設けられており、ＬＥＤチップ２の側面部にも樹脂を充填可能なように、対応する配置領域より広く設けられている。第２のシート５は、平板状であり、その大きさは例えば第１のシート４と同程度である。   (Sheet) The first sheet 4 has a flat plate shape that is thicker than the mounting height of the LED chip 2 to be resin-sealed, and a mold (dam) for resin filling in accordance with the portion to be sealed on the wiring board 1. A plurality of aperture windows 4a having an appropriately selected aperture shape such as a rectangle or a round shape. The opening window portion 4a is provided corresponding to each arrangement region of an arbitrary number of LED chips 2 (for example, each column of the LED chip array arranged in a matrix), and the side surface portion of the LED chip 2 is also made of resin. Is provided wider than the corresponding arrangement region. The 2nd sheet | seat 5 is flat form, The magnitude | size is the same grade as the 1st sheet | seat 4, for example.

上記した第１の実施形態の製造工程における樹脂封止工程によれば、比較的低粘度の樹脂を用いているので、ＬＥＤチップの実装部に対する樹脂の悪影響が少なく、信頼性や歩留りを向上させることができる。しかも、第１のシートの厚さを１ｍｍ以下で一定のものとすると、ＬＥＤチップの上面側の樹脂の厚さを１ｍｍ以下となるように薄く形成することができるので、光の取り出し効率が向上する。また、低粘度の樹脂を用いているので、硬化前および硬化後に樹脂の表面が平坦になり、乱反射や光学的な歪みなどの光学的特性に問題が生じることはない。また、硬化前および硬化後に、ＬＥＤチップの上面側の樹脂の厚さが一定になるので、明るさが一様になり、色の明るさのむらが生じない。   According to the resin sealing process in the manufacturing process of the first embodiment described above, since a resin having a relatively low viscosity is used, there is little adverse effect of the resin on the mounting portion of the LED chip, and reliability and yield are improved. be able to. Moreover, if the thickness of the first sheet is constant at 1 mm or less, the thickness of the resin on the upper surface side of the LED chip can be reduced to 1 mm or less, so that the light extraction efficiency is improved. To do. In addition, since a low-viscosity resin is used, the surface of the resin becomes flat before and after curing, and there is no problem in optical characteristics such as irregular reflection and optical distortion. In addition, since the thickness of the resin on the upper surface side of the LED chip is constant before and after curing, the brightness is uniform, and unevenness in color brightness does not occur.

また、樹脂を硬化させた後にシートを取り外すので、予め第１のシートの開口窓部の側端面を垂直状態に形成しておくことにより、硬化した樹脂の側端面が上面に対してほぼ直角になるように形成することが容易である。したがって、後の工程で樹脂周辺の配線パターンにボンディングワイヤを接続する際、樹脂側端面に近接してワイヤを配置することができ、発光装置の小型化が可能になる。   Since the sheet is removed after the resin is cured, the side end surface of the opening window portion of the first sheet is formed in a vertical state in advance so that the side end surface of the cured resin is substantially perpendicular to the upper surface. It is easy to form as follows. Therefore, when connecting the bonding wire to the wiring pattern around the resin in a later step, the wire can be disposed close to the end surface on the resin side, and the light emitting device can be downsized.

さらに、上記樹脂封止工程において、シートを取り外す際に樹脂に対する離型性が良くなるように、樹脂の材質に応じてシートの材質の最適化を図ることが望ましい。例えばエポキシ樹脂を用いる場合には、シリコーンゴムまたはフッ素ゴムからなるシートを使用する。また、シリコーン樹脂を用いる場合には、フッ素ゴムからなるシートを使用する。フッ素ゴムからなるシートは、テフロン（登録商標）からなるシートを使用する場合に比べて基板との密着性が良く、シート・基板の接触面に樹脂が侵入するおそれは少ない。なお、第２のシート５は、テフロンを用いてもよい。   Furthermore, in the resin sealing step, it is desirable to optimize the material of the sheet according to the material of the resin so that the release property for the resin is improved when the sheet is removed. For example, when an epoxy resin is used, a sheet made of silicone rubber or fluorine rubber is used. Further, when a silicone resin is used, a sheet made of fluororubber is used. The sheet made of fluororubber has better adhesion to the substrate than the case where a sheet made of Teflon (registered trademark) is used, and there is little possibility that the resin enters the contact surface of the sheet / substrate. The second sheet 5 may use Teflon.

上記したような工程を経て得られたＬＥＤデバイスは、樹脂の材質はエポキシ樹脂あるいはシリコーン樹脂であり、ＬＥＤチップの上面側の樹脂の厚さは、樹脂封止工程で使用した第１のシートの厚さ以下である。また、樹脂のフィラーの添加率は０〜５０重量％、樹脂内部のボイド数は１個／ｍｍ3 以下、の少なくともいずれか１つの特徴を備えている。また、樹脂の側端面は上面に対してほぼ直角であり、ＬＥＤチップの上面側の樹脂の厚さは一定である。この場合、基板の表面粗さをＲａ≦１μｍと規定することにより、製造段階の樹脂封止工程において基板と基板上に載置されるシートとの密着性が向上する。 In the LED device obtained through the above-described steps, the resin material is an epoxy resin or a silicone resin, and the thickness of the resin on the upper surface side of the LED chip is the same as that of the first sheet used in the resin sealing step. Below the thickness. Moreover, the addition rate of the resin filler is 0 to 50% by weight, and the number of voids inside the resin is 1 / mm 3 or less. Further, the side end surface of the resin is substantially perpendicular to the upper surface, and the thickness of the resin on the upper surface side of the LED chip is constant. In this case, by defining the surface roughness of the substrate as Ra ≦ 1 μm, the adhesion between the substrate and the sheet placed on the substrate is improved in the resin sealing process at the manufacturing stage.

したがって、第１の実施形態のＬＥＤデバイスによれば、配線基板上に実装されたＬＥＤチップを封止する透光性樹脂は比較的低粘度の樹脂が硬化されたものであるので、ＬＥＤチップの実装部に対する樹脂の悪影響が少なく、信頼性や歩留りが高いだけでなく、樹脂の厚さを薄く形成することができるので、光の取り出し効率が優れている。また、樹脂内部のボイド数が少ないので、光の取り出し効率が優れている。また、ＬＥＤチップの上面側の樹脂の厚さを一定に形成することができるので、色の明るさのむらが少なく、特にＬＥＤチップの発光色を波長変換するために樹脂に蛍光物質を混合する場合には、色調の安定性に優れた発光装置を実現することができる。   Therefore, according to the LED device of the first embodiment, since the translucent resin that seals the LED chip mounted on the wiring board is a resin having a relatively low viscosity, There are few adverse effects of the resin on the mounting portion, and not only the reliability and yield are high, but also the resin can be formed thin, so that the light extraction efficiency is excellent. Further, since the number of voids inside the resin is small, the light extraction efficiency is excellent. In addition, since the thickness of the resin on the upper surface side of the LED chip can be formed constant, there is little unevenness in color brightness, especially when a fluorescent material is mixed with the resin to convert the wavelength of the emitted color of the LED chip. Therefore, it is possible to realize a light emitting device with excellent color tone stability.

また、樹脂の側端面が上面に垂直状態になるように形状を規定することにより、樹脂の小型化が可能になるので、バックライト光源等に使用する際にバックライト装置の厚さを発光装置の高さと同等にすることができ、バックライト装置のより薄型化を図ることができる。   In addition, by defining the shape so that the side end surface of the resin is perpendicular to the upper surface, the resin can be miniaturized. The backlight device can be made thinner.

以上述べたように第１の実施形態によれば、構成が極めて簡単な窓あきシートおよび比較的低粘度の樹脂を用いることで、製造コストの増加を著しく抑制しつつ、ＬＥＤチップの発光の取り出し効率の向上、樹脂封止形状の安定性の確保、ＬＥＤ製品の量産性の向上を図ることが可能な発光装置の樹脂封止方法を実現することができる。そして、この樹脂封止方法を用いることによって、光の取り出し効率が優れ、信頼性や歩留りが高く、色の明るさのむらが生じない発光装置を実現することができる。   As described above, according to the first embodiment, the use of a window sheet with a very simple structure and a resin having a relatively low viscosity makes it possible to take out light emitted from the LED chip while significantly suppressing an increase in manufacturing cost. It is possible to realize a resin sealing method for a light emitting device capable of improving efficiency, ensuring the stability of the resin sealing shape, and improving the mass productivity of LED products. By using this resin sealing method, a light-emitting device with excellent light extraction efficiency, high reliability and yield, and no unevenness in color brightness can be realized.

なお、図６（ａ）に示すように、図１中の第１のシート４の開口窓部４ａの内側面をテーパ形状にし、内側面の開口面の広さが上方ほど狭くなるように形成しておくと、第１のシート４を上方へ上昇させて取り外す際、硬化した樹脂の側面が摺動し易くなり、シート離脱操作を容易に行うことができる。   As shown in FIG. 6 (a), the inner surface of the opening window 4a of the first sheet 4 in FIG. 1 is tapered so that the width of the opening surface of the inner surface becomes narrower upward. In this case, when the first sheet 4 is lifted upward and removed, the side surface of the cured resin is easily slid, and the sheet detachment operation can be easily performed.

＜第２の実施形態＞
第２の実施形態は、前述した第１の実施形態と比べて、透光性樹脂３に波長変換用の蛍光物質（図示せず）を混合している点が異なる。この蛍光物質は、ＬＥＤチップから放出される光を吸収して励起され、ＬＥＤチップの発光色とは異なる色（例えば補色関係を有する）の発光を行う。これにより、ＬＥＤチップの発光色と蛍光物質の発光色との組み合わせに応じて所望の混色発光を得ることが可能になる。さらに、蛍光物質の含有量または種類を代えることにより、実現可能な色調範囲を拡げることが可能になる。さらに、透光性樹脂の膜厚を調節することにより、色調を容易に調節することが可能になる。しかも、比較的低粘度の透光性樹脂の硬化前に蛍光物質を混合しているので、硬化後には樹脂内の底面部のＬＥＤチップ近傍部に蛍光物質が偏在した状態になり、点光源から混色発光を得ることが可能になる。 <Second Embodiment>
The second embodiment is different from the first embodiment described above in that a translucent resin 3 is mixed with a wavelength-converting fluorescent material (not shown). This fluorescent material is excited by absorbing light emitted from the LED chip, and emits light of a color (for example, having a complementary color relationship) different from the emission color of the LED chip. Thereby, it becomes possible to obtain desired mixed color light emission according to the combination of the emission color of the LED chip and the emission color of the fluorescent material. Further, by changing the content or type of the fluorescent substance, it is possible to expand the realizable color tone range. Furthermore, it is possible to easily adjust the color tone by adjusting the film thickness of the translucent resin. In addition, since the fluorescent material is mixed before curing of the relatively low-viscosity translucent resin, after curing, the fluorescent material is unevenly distributed in the vicinity of the LED chip on the bottom surface within the resin, and from the point light source It is possible to obtain mixed color emission.

（蛍光物質） 蛍光物質は、ＬＥＤチップからの光を吸収し、異なる波長の光に波長変換するものであり、ＹＡＧ蛍光体（Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体）、窒化物蛍光体、その他の蛍光体を使用可能である。例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、または、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩またはＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機および有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか１つ以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。   (Fluorescent substance) A fluorescent substance absorbs light from an LED chip and converts it into light of a different wavelength, and is a YAG phosphor (rare earth aluminate fluorescence mainly activated by a lanthanoid element such as Ce). Body), nitride phosphors, and other phosphors can be used. For example, nitride phosphors / oxynitride phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce, lanthanoid phosphors such as Eu, and alkalis mainly activated by transition metal elements such as Mn Earth halogen apatite phosphor, alkaline earth metal borate halogen phosphor, alkaline earth metal aluminate phosphor, alkaline earth silicate, alkaline earth sulfide, alkaline earth thiogallate, alkaline earth silicon nitride At least selected from organic and organic complexes mainly activated by lanthanoid elements such as germanate or lanthanoid elements such as Ce, rare earth aluminate, rare earth silicate or Eu Any one or more are preferable. As specific examples, the following phosphors can be used, but are not limited thereto.

（１）Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、Ｍ2 Ｓｉ5 Ｎ8 ：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。）などがある。また、Ｍ2 Ｓｉ5 Ｎ8 ：ＥｕのほかＭＳｉ7 Ｎ10：Ｅｕ、Ｍ1.8 Ｓｉ5 Ｏ0.2 Ｎ8 ：Ｅｕ、Ｍ0.9 Ｓｉ7 Ｏ0.1 Ｎ10：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。）などもある。 (1) A nitride phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Eu or Ce is M 2 Si 5 N 8 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, and Zn). More than seeds). In addition to M 2 Si 5 N 8 : Eu, MSi 7 N 10 : Eu, M 1.8 Si 5 O 0.2 N 8 : Eu, M 0.9 Si 7 O 0.1 N 10 : Eu (M is Sr, Ca, Ba, And at least one selected from Mg and Zn).

（２）Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、ＭＳｉ2 Ｏ2 Ｎ2 ：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。）などがある。 (2) An oxynitride phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Eu or Ce is MSi 2 O 2 N 2 : Eu (M is at least selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn) 1 type or more).

（３）Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体は、Ｍ5 （ＰＯ4 ）3 Ｘ：Ｒ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎのいずれか１以上である。）などがある。 (3) An alkaline earth halogen apatite phosphor mainly activated by a lanthanoid-based element such as Eu or a transition metal-based element such as Mn is M 5 (PO 4 ) 3 X: R (M is Sr, Ca, At least one selected from Ba, Mg and Zn, X is at least one selected from F, Cl, Br and I. R is Eu, Mn, any one of Eu and Mn Etc.).

（４）アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体は、Ｍ2 Ｂ5 Ｏ9 Ｘ：Ｒ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎのいずれか１以上である。）などがある。 (4) Alkaline earth metal borate halogen phosphor is M 2 B 5 O 9 X: R (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X is F , Cl, Br, or I. R is Eu, Mn, or any one of Eu and Mn).

（５）アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体は、ＳｒＡｌ2 Ｏ4 ：Ｒ、Ｓｒ4 Ａｌ14Ｏ25：Ｒ、ＣａＡｌ2 Ｏ4 ：Ｒ、ＢａＭｇ2 Ａｌ16Ｏ27：Ｒ、ＢａＭｇ2 Ａｌ16Ｏ12：Ｒ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｒ（Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎのいずれか１以上である。）などがある。 (5) Alkaline earth metal aluminate phosphors are SrAl 2 O 4 : R, Sr 4 Al 14 O 25 : R, CaAl 2 O 4 : R, BaMg 2 Al 16 O 27 : R, BaMg 2 Al 16 O 12 : R, BaMgAl 10 O 17 : R (R is Eu, Mn, or any one of Eu and Mn).

（６）アルカリ土類硫化物蛍光体は、Ｌａ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ、Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕなどがある。 (6) Alkaline earth sulfide phosphors include La 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 2 S: Eu, and Gd 2 O 2 S: Eu.

（７）Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体は、Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ0.8 Ｇｄ0.2 ）3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ、Ｙ3 （Ａｌ0.8 Ｇａ0.2 ）5 Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12の組成式で表されるＹＡＧ系蛍光体などがある。また、Ｙの一部もしくは全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換したＴｂ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ、Ｌｕ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅなどもある。 (7) Rare earth aluminate phosphors mainly activated by lanthanoid elements such as Ce are Y 3 Al 5 O 12 : Ce, (Y 0.8 Gd 0.2 ) 3 Al 5 O 12 : Ce, Y 3 (Al 0.8 Ga 0.2) 5 O 12: Ce, and the like (Y, Gd) 3 (Al , Ga) YAG -based phosphor represented by the composition formula of 5 O 12. Further, there are Tb 3 Al 5 O 12 : Ce, Lu 3 Al 5 O 12 : Ce, etc. in which a part or all of Y is substituted with Tb, Lu, or the like.

（８）その他の蛍光体は、ＺｎＳ：Ｅｕ、Ｚｎ2 ＧｅＯ4 ：Ｍｎ、ＭＧａ2 Ｓ4 ：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種以上である。）などがある。 (8) Other phosphors are ZnS: Eu, Zn 2 GeO 4 : Mn, MGa 2 S 4 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X Is at least one selected from F, Cl, Br, and I.).

上述した蛍光体は、必要に応じて、Ｅｕに代えてまたはＥｕに加えて、Ｔｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉから選択される１種以上を含有させることもできる。また、上記した蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。   The phosphor described above contains one or more selected from Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti instead of Eu or in addition to Eu, as necessary. You can also. Further, phosphors other than the above-described phosphors and having the same performance and effect can be used.

これらの蛍光体は、ＬＥＤチップからの励起光により、黄色、赤色、緑色、青色に発光スペクトルを有するものを使用することができるほか、これらの中間色である黄色、青緑色、橙色などに発光スペクトルを有するものも使用することができる。これらの蛍光体を様々と組み合わせて使用することにより、様々の発光色を有する発光装置を製造することができる。   These phosphors can be used with those having emission spectra in yellow, red, green, and blue by the excitation light from the LED chip, as well as emission spectra in yellow, blue-green, orange, etc., which are intermediate colors between them. Those having can also be used. By using these phosphors in various combinations, light emitting devices having various emission colors can be manufactured.

この際、ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体であって、５４０ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つもの）を利用すると、その含有量によって、青色発光素子からの光を一部吸収して補色となる黄色系の発光が可能となる。したがって、青色発光のＬＥＤチップと、透光性樹脂に含まれる蛍光物質としてＹＡＧ蛍光体との組み合わせを使用することによって、発光素子による発光とＹＡＧ蛍光体による発光との混色によって白色発光の発光装置を比較的簡単に信頼性良く形成できる。 At this time, a YAG: Ce phosphor (a rare earth aluminate phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Y 3 Al 5 O 12 : Ce, having an emission peak wavelength in the vicinity of 540 nm) is used. Then, depending on the content thereof, yellow light emission that partially absorbs light from the blue light-emitting element and becomes a complementary color becomes possible. Accordingly, by using a combination of a blue light emitting LED chip and a YAG phosphor as a fluorescent material contained in the translucent resin, a light emitting device that emits white light by mixing colors of light emitted from the light emitting element and light emitted from the YAG phosphor. Can be formed relatively easily and with high reliability.

同様に、Ｅｕおよび／またはＣｒで賦活された窒素含有ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 蛍光体を利用した場合は、その含有量によって、青色発光素子からの光を一部吸収して補色となる赤色系の発光が可能となり、青色発光素子との組み合わせにより白色系の発光装置を比較的簡単に信頼性良く形成できる。 Similarly, when a nitrogen-containing CaO—Al 2 O 3 —SiO 2 phosphor activated with Eu and / or Cr is used, depending on its content, a part of the light from the blue light-emitting element is absorbed to obtain a complementary color. Red light emission becomes possible, and a white light-emitting device can be formed relatively easily and reliably by combination with a blue light-emitting element.

上記した第２の実施形態によれば、特にＬＥＤチップの発光色を波長変換するために、透光性樹脂に蛍光物質を混合しており、色調の安定性に優れた発光装置を実現することができる。   According to the second embodiment described above, in particular, in order to convert the emission color of the LED chip, a fluorescent material is mixed in the translucent resin, and a light emitting device having excellent color tone stability is realized. Can do.

なお、図６（ａ）あるいは（ｂ）に示すように、第１のシートの開口窓部の内側面をテーパ形状にし、内側面の上方と下方で開口面の広さが異なるように形成すると、樹脂の厚さを部分的に変化させることができるので、樹脂の厚さに応じて色調を部分的に変化させることができる。   As shown in FIG. 6 (a) or (b), when the inner surface of the opening window portion of the first sheet is formed in a tapered shape so that the width of the opening surface is different above and below the inner surface. Since the thickness of the resin can be partially changed, the color tone can be partially changed according to the thickness of the resin.

以下、本発明の発光装置について複数の実施例を説明する。   Hereinafter, a plurality of examples of the light emitting device of the present invention will be described.

（実施例１） 実施例１の樹脂封止工程においては、まず、図１に示すように、配線基板１上に複数個のＬＥＤチップ２を行列状に配置してフェイスアップ状態で実装する。この場合、ＬＥＤチップの電極部と配線基板１上の配線パターン部とを導電性ボンディングワイヤ（図示せず）を介して接続する。   (Example 1) In the resin sealing step of Example 1, first, as shown in FIG. 1, a plurality of LED chips 2 are arranged in a matrix on a wiring board 1 and mounted in a face-up state. In this case, the electrode part of the LED chip and the wiring pattern part on the wiring board 1 are connected via a conductive bonding wire (not shown).

次に、図２に示すように、第１のシート４をその開口窓部内にＬＥＤチップが露出するように配線基板１上に載置する。本例では、第１のシート４の開口窓部４ａとして、配線基板１上に行列状に配置されたＬＥＤチップアレイの各列の配置領域に対応してそれより広い短冊形の開口形状を有するように、各列毎に予め設けておく。次に、第１のシート４の開口窓部４ａ内に、フィラーの添加率が０〜５０重量％の比較的低粘度の透光性樹脂であるエポキシ樹脂３ａを流し込む。この際、樹脂３ａは開口窓部内に素早く均等に広がり、表面が平坦になる。   Next, as shown in FIG. 2, the 1st sheet | seat 4 is mounted on the wiring board 1 so that a LED chip may be exposed in the opening window part. In this example, the opening window 4a of the first sheet 4 has a strip-like opening shape wider than that corresponding to the arrangement region of each column of the LED chip array arranged in a matrix on the wiring board 1. Thus, it is provided in advance for each column. Next, an epoxy resin 3a, which is a light-transmitting resin having a relatively low viscosity with a filler addition rate of 0 to 50% by weight, is poured into the opening window 4a of the first sheet 4. At this time, the resin 3a spreads quickly and evenly in the opening window, and the surface becomes flat.

次に、図３に示すように、樹脂３ａ上および第１のシート４上を全面的に覆うように第２のシート５を載置する。さらに、第２のシート５に荷重をかけるために重し（図示せず）を乗せる。   Next, as shown in FIG. 3, the second sheet 5 is placed so as to cover the entire surface of the resin 3 a and the first sheet 4. Further, a weight (not shown) is put on the second sheet 5 to apply a load.

そして、樹脂３ａが硬化（仮硬化、半硬化、本硬化のいずれでもよい）した後、図４に示すように、第２のシート５および第１のシート４を図中上方へ上昇させて取り外す。その後（樹脂３ａが本硬化した後）、例えば図５（ａ）に示すように、配線基板１を１個のＬＥＤチップ２の配置領域に応じて分割する。この分割は、スクライビングやブレード・ソーイングの手法を用いるものであり、通常は、基板の切削に伴って発生する摩擦熱の除去、潤滑性の付与、切削屑の除去等を目的として、切削部の近傍に開口されたノズルから切削部の表面に純水を流しながら行うことによって切削屑を流去する。 Then, after the resin 3a is cured (any of temporary curing, semi-curing, and main curing), as shown in FIG. 4, the second sheet 5 and the first sheet 4 are lifted upward in the figure and removed. . Thereafter (after the resin 3a is fully cured), for example, as shown in FIG. 5A, the wiring board 1 is divided according to the arrangement region of one LED chip 2. This division uses a scribing or blade sawing method. Normally, the cutting part is removed for the purpose of removing frictional heat generated by cutting the substrate, imparting lubricity, removing cutting debris, etc. Cutting waste is washed away by flowing pure water from the nozzle opened in the vicinity to the surface of the cutting part.

以上の工程により、配線基板１上に任意数のＬＥＤチップ２が所定の形状を有する樹脂３ｂにより封止されたパッケージング構造を有する発光装置が得られる。   Through the above steps, a light emitting device having a packaging structure in which an arbitrary number of LED chips 2 are sealed on the wiring substrate 1 with a resin 3b having a predetermined shape is obtained.

実施例１によれば、図１乃至図６を参照して前述した第１の実施形態と同様に、構成が極めて簡単な窓あきシートおよび比較的低粘度の樹脂を用いることで、製造コストの増加を著しく抑制しつつ、ＬＥＤチップの発光の取り出し効率の向上、樹脂封止形状の形状安定性の確保、樹脂封止製品の量産性の向上を図ることが可能なＬＥＤを製造することができる。このような実施例１の工程を経て得られたＬＥＤは、光の取り出し効率が優れ、信頼性や歩留りが高く、色の明るさのむらが生じない発光装置を実現することができる。   According to Example 1, as in the first embodiment described above with reference to FIGS. 1 to 6, the use of a window sheet with a very simple configuration and a resin having a relatively low viscosity reduces the manufacturing cost. It is possible to manufacture an LED capable of improving the light emission extraction efficiency of the LED chip, ensuring the shape stability of the resin-encapsulated shape, and improving the mass productivity of the resin-encapsulated product while suppressing the increase significantly. . The LED obtained through the process of Example 1 can realize a light-emitting device that has excellent light extraction efficiency, high reliability and yield, and does not cause unevenness in color brightness.

（実施例２） 実施例２の樹脂封止工程においては、前述した実施例１の樹脂封止工程と比べて、樹脂３ａとしてシリコーン樹脂を用い、シート４，５としてフッ素ゴムからなるシートを使用する点が異なり、その他は同一である。このような実施例２の工程を経て得られたＬＥＤは、実施例１の工程を経て得られたＬＥＤと比べて、樹脂３ａとしてシリコーン樹脂が用いられている点が異なり、その他は同一である。実施例２によれば、前述した実施例１と同様の効果が得られる。   (Example 2) In the resin sealing process of Example 2, compared with the resin sealing process of Example 1 described above, a silicone resin is used as the resin 3a, and sheets made of fluororubber are used as the sheets 4 and 5. The other points are the same. The LED obtained through the process of Example 2 is different from the LED obtained through the process of Example 1 in that a silicone resin is used as the resin 3a, and the others are the same. . According to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be obtained.

（実施例３） 実施例３の樹脂封止工程においては、前述した実施例１，２の樹脂封止工程と比べて、ＬＥＤチップ２として青色発光の発光素子を使用し、樹脂３ａに蛍光物質としてＹＡＧ蛍光体を含ませている点が異なり、その他は同一である。このような実施例３の工程を経て得られたＬＥＤは、ＬＥＤチップ２の発光とＹＡＧ蛍光体の発光との混色によって白色発光を高輝度および高出力で得ることができる。   (Example 3) In the resin sealing process of Example 3, as compared with the resin sealing process of Examples 1 and 2 described above, a blue light emitting element is used as the LED chip 2, and a fluorescent material is used as the resin 3a. Except that a YAG phosphor is included, and the others are the same. The LED obtained through the process of Example 3 can obtain white light emission with high luminance and high output by mixing the light emission of the LED chip 2 and the light emission of the YAG phosphor.

本発明発光装置の製造方法および発光装置は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源などに使用されるＬＥＤ、ＬＥＤモジュール、ＬＥＤアレイなどのデバイスに適用可能である。   The light emitting device manufacturing method and the light emitting device according to the present invention include a light source for illumination, various indicator light sources, an in-vehicle light source, a display light source, a liquid crystal backlight light source, and other devices such as LEDs, LED modules, and LED arrays. It is applicable to.

本発明の第１の実施形態に係るＬＥＤデバイスの製造方法における樹脂封止工程の一例を概略的に示す斜視図。The perspective view which shows roughly an example of the resin sealing process in the manufacturing method of the LED device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図１に示した製造方法の工程の一部を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows a part of process of the manufacturing method shown in FIG. 1 schematically. 図２に続く工程を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 2 roughly. 図３に続く工程を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows the process following FIG. 3 roughly. 図１乃至図４に示した工程を経て得られたＬＥＤデバイスの数例を概略的に示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing several examples of LED devices obtained through the steps shown in FIGS. 1 to 4. 図１中の第１のシートの開口窓部の内側面の変形例を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically the modification of the inner surface of the opening window part of the 1st sheet | seat in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１…基板、２…ＬＥＤチップ、３…透光性の樹脂（シリコーン樹脂、エポキシ樹脂）、３ａ…硬化前の樹脂、３ｂ…硬化後の樹脂、４…第１のシート（フッ素ゴムあるいはシリコーンゴム）、４ａ…第１のシートの開口窓部、５…第２のシート（フッ素ゴムあるいはシリコーンゴムあるいはテフロン）。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate, 2 ... LED chip, 3 ... Translucent resin (silicone resin, epoxy resin), 3a ... Resin before hardening, 3b ... Resin after hardening, 4 ... 1st sheet | seat (fluorine rubber or silicone rubber) 4a... Open window portion of the first sheet, 5... 2nd sheet (fluorine rubber, silicone rubber or Teflon).

Claims (9)

配線基板上に複数個の発光ダイオードチップを実装する第１の工程と、
樹脂充填用の型枠となる所定の開口窓部を有する第１のシートを、前記開口窓部内に前記発光ダイオードチップが露出するように前記配線基板上に載置する第２の工程と、
前記第１のシートの開口窓部内に、フィラーの添加率が０〜５０重量％の透光性の樹脂を流し込む第３の工程と、
前記樹脂が硬化した後に前記第１のシートを取り外す第４の工程と、
前記第４の工程の後、所望数の発光ダイオードチップを内蔵した発光装置に分割する第５の工程と、
を具備することを特徴とする発光装置の製造方法。 A first step of mounting a plurality of light emitting diode chips on a wiring board;
A second step of placing a first sheet having a predetermined opening window serving as a mold for resin filling on the wiring substrate such that the light emitting diode chip is exposed in the opening window;
A third step of pouring a translucent resin having an addition rate of 0 to 50% by weight into the opening window of the first sheet;
A fourth step of removing the first sheet after the resin is cured;
After the fourth step, a fifth step of dividing the light-emitting device incorporating a desired number of light-emitting diode chips;
A method of manufacturing a light emitting device, comprising: 前記第１のシートの開口窓部は、前記配線基板上の任意数の発光ダイオードチップの配置領域毎に対応して複数設けられており、対応する配置領域より広いことを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。   2. The plurality of opening window portions of the first sheet are provided corresponding to the arrangement regions of an arbitrary number of light emitting diode chips on the wiring board, and are wider than the corresponding arrangement regions. The manufacturing method of the light-emitting device of description. 前記第１のシートの厚さは、１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。   The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the thickness of the first sheet is 1 mm or less. 前記樹脂の材質は、エポキシ樹脂であり、前記第１のシートの材質は、シリコーンゴムまたはフッ素ゴムであることを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。   2. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the material of the resin is an epoxy resin, and the material of the first sheet is silicone rubber or fluorine rubber. 前記樹脂の材質は、シリコーン樹脂であり、前記第１のシートの材質は、フッ素ゴムであることを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。   The method of manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein a material of the resin is a silicone resin, and a material of the first sheet is fluororubber. 前記第３の工程と第４の工程との間で前記樹脂上を全面的に覆うように第２のシートを載置する工程をさらに具備し、前記第１のシートを取り外す際に前記第２のシートも取り外すことを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。   The method further includes a step of placing a second sheet so as to cover the entire surface of the resin between the third step and the fourth step, and the second sheet is removed when the first sheet is removed. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the sheet is also removed. 配線基板上に発光ダイオードチップが実装されて透光性の樹脂により封止された構造を有する発光装置において、前記樹脂はフィラーの添加率が０〜５０重量％の樹脂が硬化されたものであり、樹脂の厚さは１ｍｍ以下であることを特徴とする発光装置。   In a light-emitting device having a structure in which a light-emitting diode chip is mounted on a wiring board and sealed with a light-transmitting resin, the resin is obtained by curing a resin with a filler addition rate of 0 to 50% by weight. The light emitting device is characterized in that the resin has a thickness of 1 mm or less. 前記基板は、表面粗さＲａ＝１μｍ以下であることを特徴とする請求項７記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 7, wherein the substrate has a surface roughness Ra = 1 μm or less. 前記樹脂に蛍光物質が混合されており、前記蛍光物質は、前記樹脂内の発光ダイオードチップ近傍部に偏在していることを特徴とする請求項７記載の発光装置。   8. The light emitting device according to claim 7, wherein a fluorescent material is mixed in the resin, and the fluorescent material is unevenly distributed in the vicinity of the light emitting diode chip in the resin.
JP2006056548A 2006-03-02 2006-03-02 Light emitting device and manufacturing method of same Pending JP2007234968A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006056548A JP2007234968A (en) 2006-03-02 2006-03-02 Light emitting device and manufacturing method of same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006056548A JP2007234968A (en) 2006-03-02 2006-03-02 Light emitting device and manufacturing method of same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007234968A true JP2007234968A (en) 2007-09-13

Family

ID=38555228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006056548A Pending JP2007234968A (en) 2006-03-02 2006-03-02 Light emitting device and manufacturing method of same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007234968A (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012503332A (en) * 2008-09-16 2012-02-02 オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド Lighting module
JP2012069977A (en) * 2011-11-08 2012-04-05 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting device and method for manufacturing the same
KR101191869B1 (en) * 2011-06-08 2012-10-16 주식회사 프로텍 Method of manufacturing led device
JP2013504880A (en) * 2009-09-16 2013-02-07 エレクトロニック リサーチ プティ リミテッド LED display device
JP2013045824A (en) * 2011-08-23 2013-03-04 Citizen Holdings Co Ltd Semiconductor light-emitting device, and led lamp using the same
JP2013120898A (en) * 2011-12-08 2013-06-17 Citizen Holdings Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method of the same
US20140063830A1 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 Hyundai Motor Company Lighting apparatus for vehicle and manufacturing method for the same
KR101431588B1 (en) 2013-04-09 2014-08-29 주식회사 굿엘이디 Chip on board Light-Emitting Diode package of high efficiency
WO2014199851A1 (en) * 2013-06-10 2014-12-18 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Semiconductor light-emitting device
KR20150050589A (en) * 2012-09-28 2015-05-08 샤프 가부시키가이샤 Production method for sealing material containing fluorescent body, sealing material containing fluorescent body, production method for light-emitting device, and dispenser
CN111863785A (en) * 2019-04-26 2020-10-30 夏普株式会社 LED light source substrate and lighting device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233537A (en) * 1998-02-10 1999-08-27 Omron Corp Resin sealing method
JP2000077440A (en) * 1998-08-31 2000-03-14 Mitsubishi Electric Corp Resin sealing method of resin-sealed hybrid integrated circuit
JP2001015534A (en) * 1999-06-29 2001-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing apparatus for semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2001077432A (en) * 1999-09-08 2001-03-23 Matsushita Electronics Industry Corp Surface-mounted light-emitting element and manufacture thereof
JP2002057372A (en) * 2000-08-10 2002-02-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacturing method of optical semiconductor device
JP2003179269A (en) * 2001-01-24 2003-06-27 Nichia Chem Ind Ltd Optical semiconductor element
JP2004172586A (en) * 2002-11-07 2004-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led illumination light source
WO2005031882A1 (en) * 2003-09-30 2005-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
JP2005123588A (en) * 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light emitting diode luminous source and its manufacturing method

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233537A (en) * 1998-02-10 1999-08-27 Omron Corp Resin sealing method
JP2000077440A (en) * 1998-08-31 2000-03-14 Mitsubishi Electric Corp Resin sealing method of resin-sealed hybrid integrated circuit
JP2001015534A (en) * 1999-06-29 2001-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing apparatus for semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2001077432A (en) * 1999-09-08 2001-03-23 Matsushita Electronics Industry Corp Surface-mounted light-emitting element and manufacture thereof
JP2002057372A (en) * 2000-08-10 2002-02-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacturing method of optical semiconductor device
JP2003179269A (en) * 2001-01-24 2003-06-27 Nichia Chem Ind Ltd Optical semiconductor element
JP2004172586A (en) * 2002-11-07 2004-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led illumination light source
JP2005123588A (en) * 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light emitting diode luminous source and its manufacturing method
WO2005031882A1 (en) * 2003-09-30 2005-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012503332A (en) * 2008-09-16 2012-02-02 オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド Lighting module
JP2013504880A (en) * 2009-09-16 2013-02-07 エレクトロニック リサーチ プティ リミテッド LED display device
KR101191869B1 (en) * 2011-06-08 2012-10-16 주식회사 프로텍 Method of manufacturing led device
JP2013045824A (en) * 2011-08-23 2013-03-04 Citizen Holdings Co Ltd Semiconductor light-emitting device, and led lamp using the same
JP2012069977A (en) * 2011-11-08 2012-04-05 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2013120898A (en) * 2011-12-08 2013-06-17 Citizen Holdings Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method of the same
US20140063830A1 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 Hyundai Motor Company Lighting apparatus for vehicle and manufacturing method for the same
US9992877B2 (en) 2012-08-30 2018-06-05 Hyundai Motor Company Manufacturing method for a lighting apparatus for a vehicle
KR101629622B1 (en) 2012-09-28 2016-06-21 샤프 가부시키가이샤 Production method for sealing material containing fluorescent body, production method for light-emitting device, and dispenser
KR20150050589A (en) * 2012-09-28 2015-05-08 샤프 가부시키가이샤 Production method for sealing material containing fluorescent body, sealing material containing fluorescent body, production method for light-emitting device, and dispenser
KR101431588B1 (en) 2013-04-09 2014-08-29 주식회사 굿엘이디 Chip on board Light-Emitting Diode package of high efficiency
CN105340088A (en) * 2013-06-10 2016-02-17 旭化成电子材料株式会社 Semiconductor light-emitting device
JP5935031B2 (en) * 2013-06-10 2016-06-15 旭化成株式会社 Semiconductor light emitting device
WO2014199851A1 (en) * 2013-06-10 2014-12-18 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Semiconductor light-emitting device
US9653657B2 (en) 2013-06-10 2017-05-16 Asahi Kasei E-Materials Corporation Semiconductor light emitting apparatus
CN111863785A (en) * 2019-04-26 2020-10-30 夏普株式会社 LED light source substrate and lighting device
JP2020184557A (en) * 2019-04-26 2020-11-12 シャープ株式会社 Led light source substrate and lighting device
JP7169247B2 (en) 2019-04-26 2022-11-10 シャープ株式会社 LED light source board and lighting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5103831B2 (en) Semiconductor manufacturing method
JP2007234968A (en) Light emitting device and manufacturing method of same
JP6519311B2 (en) Light emitting device
JP6149487B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD AND LIGHT EMITTING DEVICE
JP6079209B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US8597963B2 (en) Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
JP4953578B2 (en) Light emitting device
JP4269709B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US7842526B2 (en) Light emitting device and method of producing same
JP4855869B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP4650378B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP6769248B2 (en) Light emitting device
US20090039762A1 (en) White led device comprising dual-mold and manufacturing method for the same
JP4543712B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP2009272628A (en) Method of manufacturing led semiconductor device, led semiconductor device, and system including led semiconductor device
JP2016072515A (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP2006269778A (en) Optical device
KR20100058779A (en) Light emitting diode package and manufacturing method thereof
WO2007135707A1 (en) Resin molded body and surface-mounted light emitting device, and manufacturing method thereof
JP2007227791A (en) Luminescent device manufacturing method and light emitting device manufactured thereby
CN108231974A (en) The manufacturing method of light-emitting device
JP2012114286A (en) Led package
JP2008147270A (en) Light-emitting device and its manufacturing method
JP4617761B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP4815843B2 (en) Light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110531

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111206

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120201

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120529

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120731