JP2007234391A - Electroluminescence display device and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an EL display device capable of suppressing degradation of contrast in use in a bright place. <P>SOLUTION: This electroluminescence display device is provided with: luminescent elements 114 each comprising a pixel electrode 200 made of a transparent conductive material, a negative electrode 316 made of a transparent conductive material, and a functional layer 314 including at least an electroluminescence layer sandwiched between the pixel electrode 200 and the negative electrode 316; a light absorbing insulation film 309 formed in a lower layer of the pixel electrode 200 for absorbing at least light in a visible range; TFTs for controlling light emission quantities of the individual luminescent elements 114; and a filter 328 having at least absorbency in a wavelength range corresponding to excitation light of a fluorescent or phosphorescent substance used for the luminescent elements 114. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、アクティブマトリクス型のエレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器に関するものである。   The present invention relates to an active matrix electroluminescence display device and an electronic apparatus.

アクティブマトリクス型のエレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」と称する。）表示装置は各画素毎に、画素電極と、少なくともＥＬ層を含む機能層と、陰極と、からなる発光素子と、上記発光素子を制御する薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する。）と、を有している。ＥＬ表示装置は電流駆動のため、アクティブマトリクス型の場合１画素当たりスイッチング用ＴＦＴと駆動電流供給用ＴＦＴとを含む２個以上のＴＦＴが必要になる。そこでＴＦＴ形成領域の確保と開効率の向上（ＥＬ層形成領域の拡大）を両立させるべく、ＴＦＴの上面にもＥＬ層を形成できるトップエミッション型が考案されている。   An active matrix electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) display device includes, for each pixel, a light emitting element including a pixel electrode, a functional layer including at least an EL layer, and a cathode, and the light emitting element. And a thin film transistor to be controlled (hereinafter referred to as “TFT”). Since the EL display device is driven by current, in the case of an active matrix type, two or more TFTs including a switching TFT and a driving current supply TFT are required per pixel. Therefore, a top emission type capable of forming an EL layer on the upper surface of the TFT has been devised in order to achieve both securing of the TFT formation region and improvement in open efficiency (expansion of the EL layer formation region).

しかし、ＴＦＴの活性層に通常用いられるシリコンは光感応性があるため、ＥＬ層で生じた光が当該活性層に入射すると光リーク電流が発生し、ＥＬ層が発光してコントラストの低下を引き起こしかねない。そこで、特許文献１に記載されるようにＥＬ層とＴＦＴ形成領域との間に金属材料から成る反射板を設け、ＴＦＴへの光の入射を抑制することによりコントラストの向上を図る構造が提案されている。   However, since silicon normally used for the active layer of TFT is light sensitive, when light generated in the EL layer enters the active layer, a light leakage current is generated, causing the EL layer to emit light and causing a decrease in contrast. It might be. Therefore, as described in Patent Document 1, a structure has been proposed in which a reflection plate made of a metal material is provided between the EL layer and the TFT formation region and the contrast is improved by suppressing the incidence of light on the TFT. ing.

特開２００５‐２８５３９５号公報JP 2005-285395 A

しかし、上記構造のＥＬ表示装置は、上記反射板で基板の全てを覆っている訳ではないので、直上のＥＬ層からの光は遮れるものの、日光等の外部から照射される光（以下「外光」と称する。）の、装置内部への入射は完全には遮れない。そして一度入射した外光は、反射板の裏面を含む装置内部の構成要素間で乱反射して迷光となり、一部がＴＦＴまで達するため、コントラストの低下を完全には抑制できないという課題があった。   However, since the EL display device having the above structure does not cover the entire substrate with the reflection plate, light from the EL layer directly above is blocked, but light irradiated from the outside such as sunlight (hereinafter referred to as “ Incident light into the device is not completely blocked. The incident external light is irregularly reflected between the components inside the apparatus including the back surface of the reflecting plate and becomes stray light, and part of the light reaches the TFT.

上記課題を解決するために、本発明のＥＬ表示装置は、透明導電材料よりなる画素電極と、光透過性陰極と、上記画素電極と上記陰極との間に狭持されるＥＬ層を少なくとも含む機能層と、からなる発光素子と、上記画素電極の光取出し方向と逆側に形成される、少なくとも可視範囲の波長の光を吸収する材料からなる光吸収絶縁膜と、上記画素電極と電気的に接続し、個々の発光素子の発光量を制御する薄膜トランジスタと、上記ＥＬ層の励起光に対応する波長範囲に少なくとも吸収を持つフィルタと、を具備することを特徴とする。   In order to solve the above problems, an EL display device of the present invention includes at least a pixel electrode made of a transparent conductive material, a light-transmitting cathode, and an EL layer sandwiched between the pixel electrode and the cathode. A light-emitting element comprising a functional layer, a light-absorbing insulating film made of a material that absorbs light of at least a wavelength in the visible range, formed on the opposite side of the light extraction direction of the pixel electrode, and the pixel electrode And a filter having at least absorption in a wavelength range corresponding to the excitation light of the EL layer.

上記フィルタにより外光によるＥＬ層の発光を抑制できる。そして、発光素子を形成する陽極および陰極が透明で反射機能を有さず、また、ＥＬ層から装置内部に向けて出射する光を反射板ではなく上述する光吸収機能を有する絶縁膜により遮光するので、装置内部における光の乱反射による迷光の発生と、当該迷光がＴＦＴに到達することによるリーク電流の発生を抑制できる。その結果、コントラストの優れたＥＬ表示装置を得ることができる。   The filter can suppress light emission of the EL layer due to external light. The anode and cathode forming the light-emitting element are transparent and have no reflection function, and light emitted from the EL layer toward the inside of the device is shielded by the insulating film having the above-described light absorption function instead of the reflection plate. Therefore, generation of stray light due to diffused reflection of light inside the device and generation of leakage current due to the stray light reaching the TFT can be suppressed. As a result, an EL display device with excellent contrast can be obtained.

好ましくは、上記フィルタは、上記発光素子上に形成される、赤色光、緑色光、青色光のうちのいずれかの一色の光を透過させるカラーフィルタと、上記カラーフィルタの周囲を遮光するブラックマトリクスと、からなる。   Preferably, the filter includes a color filter that is formed on the light emitting element and transmits light of any one color of red light, green light, and blue light, and a black matrix that shields the periphery of the color filter. And consist of

表示面側から装置内部に入射する外光の量や波長範囲を最小限にできるため、迷光の発生をより一層抑制でき、より一層コントラストの優れたＥＬ表示装置を得ることができる。
また、好ましくは、上記光吸収絶縁膜の上層に、少なくとも可視範囲の波長の光を吸収する材料からなる光吸収隔壁を具備する。 Since the amount and wavelength range of external light incident on the inside of the device from the display surface side can be minimized, generation of stray light can be further suppressed, and an EL display device with further excellent contrast can be obtained.
Preferably, a light-absorbing partition made of a material that absorbs at least light having a wavelength in the visible range is provided above the light-absorbing insulating film.

ＴＦＴの上層に、より厚い光吸収材料層を形成できるため、より一層外光の入射を抑制でき、より一層コントラストの優れたＥＬ表示装置を得ることができる。   Since a thicker light-absorbing material layer can be formed on the upper layer of the TFT, the incidence of external light can be further suppressed, and an EL display device with further excellent contrast can be obtained.

また、好ましくは、上記フィルタは、上記陰極上に、封止膜のみを介して形成されている。   Preferably, the filter is formed on the cathode only through a sealing film.

発光素子等を形成する基板上にフィルタを形成するため、発光素子等を形成する基板とは別の基板にフィルタを形成し、上記発光素子と上記フィルタとの位置合せを行いつつ双方の基板を接着する方式に比べ、工程を簡略化できる。その結果、製造コストを削減でき、また良品率の向上も図れる。   In order to form a filter on a substrate on which a light emitting element or the like is formed, a filter is formed on a substrate different from the substrate on which the light emitting element or the like is formed, and both the substrates are mounted while aligning the light emitting element and the filter. The process can be simplified compared to the method of bonding. As a result, the manufacturing cost can be reduced and the yield rate can be improved.

また、好ましくは、上記封止膜はシリコン窒化膜である。   Preferably, the sealing film is a silicon nitride film.

シリコン窒化膜は薄い膜厚で水分などの浸入に対する封止性を確保できるので、上記カラーフィルタの周囲に存在する透光性を有する領域を低減できる。その結果、接着層を介してフィルタを形成する構成に比べて装置内に入射する外光をより一層抑制でき、より一層コントラストの優れたＥＬ表示装置を得ることができる。   Since the silicon nitride film has a thin film thickness and can secure a sealing property against intrusion of moisture or the like, a light-transmitting region around the color filter can be reduced. As a result, it is possible to further suppress external light incident on the device as compared with a configuration in which a filter is formed through an adhesive layer, and an EL display device with further excellent contrast can be obtained.

また、好ましくは、上記光吸収絶縁膜と上記画素電極の間に、屈折率が、上記光吸収絶縁膜の屈折率よりは大きく、上記画素電極の屈折率よりは小さい値である材料からなる薄膜を具備する。   Preferably, a thin film made of a material having a refractive index larger than the refractive index of the light absorbing insulating film and smaller than the refractive index of the pixel electrode between the light absorbing insulating film and the pixel electrode. It comprises.

各々の薄膜間の屈折率の差を小さくできるので界面反射を低減できる。したがって、装置内に入射した光の乱反射に起因する迷光の発生をより一層抑制でき、より一層コントラストが向上したＥＬ表示装置を得ることができる。   Since the difference in refractive index between the thin films can be reduced, interface reflection can be reduced. Therefore, it is possible to further suppress the generation of stray light due to irregular reflection of light incident on the device, and to obtain an EL display device with further improved contrast.

また、好ましくは、上記光吸収絶縁膜の光学濃度は０．５から３．０の範囲内である。   Preferably, the optical density of the light absorption insulating film is in the range of 0.5 to 3.0.

かかる範囲内の光学濃度の光吸収絶縁膜であれば、絶縁性と遮光性を両立できるため、信頼性を維持しつつコントラストを向上させることができる。   A light-absorbing insulating film having an optical density within such a range can achieve both insulating properties and light shielding properties, so that contrast can be improved while maintaining reliability.

また、上記課題を解決するために、本発明にかかる電子機器は上述したＥＬ表示装置を備えている。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described EL display device.

かかる構成により、明所での使用時におけるコントラストが向上した電子機器を得ることができる。   With this configuration, an electronic device with improved contrast when used in a bright place can be obtained.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。本発明の実施形態は断面に特徴がある。一方、平面図は従来のＥＬ表示装置と略同一であり、回路構成も同一である。そこで、まず図１および図２を用いて、後述する従来例および各実施形態において共通するアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置の構成について説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Embodiments of the present invention are characterized in cross section. On the other hand, the plan view is substantially the same as a conventional EL display device, and the circuit configuration is also the same. Therefore, first, the configuration of an active matrix EL display device common to a later-described conventional example and each embodiment will be described with reference to FIGS.

図１は、アクティブマトリクス型のＥＬ表示装置の全体構成を示す回路構成図である。画像表示領域１０には、複数の走査線１０２と、走査線１０２と直交する複数の信号線１０４と、信号線１０４と平行に延びる複数の電源供給線１０６が形成され、走査線１０２と信号線１０４との各々の交点近傍には、画素領域１００が形成されている。   FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing the overall configuration of an active matrix EL display device. In the image display area 10, a plurality of scanning lines 102, a plurality of signal lines 104 orthogonal to the scanning lines 102, and a plurality of power supply lines 106 extending in parallel with the signal lines 104 are formed. A pixel region 100 is formed in the vicinity of each intersection with 104.

さらに、各々の画素領域１００には、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画素信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から駆動電流が流れ込む発光素子１１４が形成されている。後述するように、発光素子１１４は画素電極である陽極と、画像表示領域１０の全範囲にわたって共通電位となる陰極とでＥＬ層を含む機能層を狭持しており、上記駆動電流は陽極に供給される。   Further, in each pixel region 100, a switching TFT 108 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode through the scanning line 102, and a storage capacitor for holding a pixel signal supplied from the signal line 104 through the switching TFT 108. 110, a driving TFT 112 to which a pixel signal held by the holding capacitor 110 is supplied to the gate electrode, and a light emitting element 114 into which a driving current flows from the power supply line 106 via the driving TFT 112 are formed. As will be described later, the light-emitting element 114 has a functional layer including an EL layer sandwiched between an anode that is a pixel electrode and a cathode that has a common potential over the entire range of the image display region 10. Supplied.

画像表示領域１０の周辺には、走査線駆動回路１２０、及びデータ線駆動回路１３０が形成されている。走査線１０２には、走査線駆動回路１２０から、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて走査信号が順次供給される。そして、信号線１０４にはデータ線駆動回路１３０から画像信号が供給され、電源供給線１０６には図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。なお、走査線駆動回路１２０の動作とデータ線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。   Around the image display area 10, a scanning line driving circuit 120 and a data line driving circuit 130 are formed. Scanning signals are sequentially supplied from the scanning line driving circuit 120 to the scanning lines 102 in accordance with various signals supplied from an external circuit (not shown). An image signal is supplied to the signal line 104 from the data line driving circuit 130, and a pixel driving current is supplied to the power supply line 106 from an external circuit (not shown). Note that the operation of the scanning line driving circuit 120 and the operation of the data line driving circuit 130 are synchronized with each other by a synchronization signal supplied from an external circuit via the synchronization signal line 140.

走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から陽極に駆動電流が流れ、さらに機能層を介して陰極に駆動電流が流れる。その結果、機能層は駆動電流の大きさに応じて発光する。   When the scanning line 102 is driven and the switching TFT 108 is turned on, the potential of the signal line 104 at that time is held in the holding capacitor 110, and the level of the driving TFT 112 is determined according to the state of the holding capacitor 110. Then, a driving current flows from the power supply line 106 to the anode via the driving TFT 112, and further a driving current flows to the cathode via the functional layer. As a result, the functional layer emits light according to the magnitude of the drive current.

次に、図２を用いて、画素領域１００の構成について説明する。図２は、画素領域１００を構成する各要素を示す平面構成図である。   Next, the configuration of the pixel region 100 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plan configuration diagram showing each element constituting the pixel region 100.

スイッチング用ＴＦＴ１０８は、走査線１０２から突き出した第１のゲート電極２０２と、方形にパターニングされた第１の半導体層２２１と、からなる。第１の半導体層２２１は、第１のチャネル領域２０４と、その両側の第１のソース領域２０６および第１のドレイン領域２０８と、からなる。そして第１のチャネル領域２０４は、ゲート絶縁膜３０２（図３〜５参照）を挟んで、第１のゲート電極２０２と対向している。   The switching TFT 108 includes a first gate electrode 202 protruding from the scanning line 102 and a first semiconductor layer 221 patterned in a square shape. The first semiconductor layer 221 includes a first channel region 204 and a first source region 206 and a first drain region 208 on both sides thereof. The first channel region 204 is opposed to the first gate electrode 202 with the gate insulating film 302 (see FIGS. 3 to 5) interposed therebetween.

駆動用ＴＦＴ１１２は、容量電極から突き出した第２のゲート電極２１２と、方形にパターニングされた第２の半導体層２２２と、からなる。第２の半導体層２２２は、第２のチャネル領域２１４と、その両側の第２のソース領域２１６および第２のドレイン領域２１８と、からなる。そして第２のチャネル領域２１４は、ゲート絶縁膜３０２（図３〜５参照）を挟んで、第２のゲート電極２１２と対向している。なお、第２のゲート電極２１２および走査線１０２は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｕ（銅）、のうちの少なくとも１つを含む金属材料で形成されている。   The driving TFT 112 includes a second gate electrode 212 protruding from the capacitor electrode, and a second semiconductor layer 222 patterned into a square shape. The second semiconductor layer 222 includes a second channel region 214 and second source regions 216 and second drain regions 218 on both sides thereof. The second channel region 214 is opposed to the second gate electrode 212 with the gate insulating film 302 (see FIGS. 3 to 5) interposed therebetween. Note that the second gate electrode 212 and the scanning line 102 are at least one of Al (aluminum), W (tungsten), Ta (tantalum), Mo (molybdenum), Ti (titanium), and Cu (copper). It is formed with the metal material containing.

スイッチング用ＴＦＴ１０８の、第１のドレイン領域２０８は第１のコンタクトホール２１を介して信号線１０４と導通し、第１のソース領域２０６は第２のコンタクトホール２２を介してソース電極２３２と導通している。そして、ソース電極２３２は、第３のコンタクトホール２３を介して第２のゲート電極２１２と導通するとともに、第４のコンタクトホール２４を介して保持容量１１０の上部電極２３６（図３〜５参照）と導通している。なお、上部電極２３６は、走査線１０２と同一の層に同一の材料を用いて形成されている。   In the switching TFT 108, the first drain region 208 is electrically connected to the signal line 104 via the first contact hole 21, and the first source region 206 is electrically connected to the source electrode 232 via the second contact hole 22. ing. The source electrode 232 is electrically connected to the second gate electrode 212 through the third contact hole 23, and the upper electrode 236 of the storage capacitor 110 through the fourth contact hole 24 (see FIGS. 3 to 5). And continuity. Note that the upper electrode 236 is formed using the same material in the same layer as the scanning line 102.

保持容量１１０の下部電極２３８（図３〜５参照）は、第１の半導体層２２１と同一の層に例えば同一の材料を用いて形成され、第５のコンタクトホール２５を介して電源供給線１０６と導通している。   The lower electrode 238 (see FIGS. 3 to 5) of the storage capacitor 110 is formed using the same material, for example, in the same layer as the first semiconductor layer 221, and the power supply line 106 through the fifth contact hole 25. And continuity.

第２のソース領域２１６は第６のコンタクトホール２６を介して電源供給線１０６の突出部分と導通している。第２のドレイン領域２１８は第７のコンタクトホール２７を介してドレイン電極２３４と導通し、ドレイン電極２３４と画素電極２００は第８のコンタクトホール２８を介して導通している。   The second source region 216 is electrically connected to the protruding portion of the power supply line 106 through the sixth contact hole 26. The second drain region 218 is electrically connected to the drain electrode 234 through the seventh contact hole 27, and the drain electrode 234 and the pixel electrode 200 are electrically connected through the eighth contact hole 28.

なお、本実施形態のＥＬ表示装置は機能層で生じた光を基板の上面から取り出すトップエミッション型である。したがって画素電極２００は、図示するようにＴＦＴ上に形成できるのみならず、たとえば保持容量１１０上にも形成できる。また、画素領域１００上の全面に陰極と機能層が形成されているが、図２においては図示を省略している。以下、従来のＥＬ表示装置、及び本発明の実施形態について、図２に示すＡＡ´線における断面図を用いて述べる。   Note that the EL display device of this embodiment is a top emission type in which light generated in the functional layer is extracted from the upper surface of the substrate. Therefore, the pixel electrode 200 can be formed not only on the TFT as shown, but also on the storage capacitor 110, for example. Further, a cathode and a functional layer are formed on the entire surface of the pixel region 100, but the illustration is omitted in FIG. Hereinafter, a conventional EL display device and an embodiment of the present invention will be described with reference to a cross-sectional view taken along line AA ′ shown in FIG.

まず図３に従来のＥＬ表示装置の、上記図２のＡＡ´線における断面構成を示す。   First, FIG. 3 shows a cross-sectional configuration of the conventional EL display device taken along line AA ′ of FIG.

スイッチング用ＴＦＴ１０８、保持容量１１０、および駆動用ＴＦＴ１１２は、半導体層とゲート絶縁膜３０２と、走査線１０２と同じ層である（同時に形成される）ＡＬ配線層と、で形成されている。そして上記各素子上には第１の層間絶縁膜３０４が形成されている。第１のコンタクトホール２１〜第７のコンタクトホール２７は、第１の層間絶縁膜３０４の一部を選択的に除去して形成され、第１の層間絶縁膜３０４を狭持する各構成要素間の導通を図っている。   The switching TFT 108, the storage capacitor 110, and the driving TFT 112 are formed of a semiconductor layer, a gate insulating film 302, and an AL wiring layer that is the same layer as the scanning line 102 (formed simultaneously). A first interlayer insulating film 304 is formed on each element. The first contact hole 21 to the seventh contact hole 27 are formed by selectively removing a part of the first interlayer insulating film 304, and between the constituent elements sandwiching the first interlayer insulating film 304. The continuity is aimed at.

信号線１０４等の上層には無機絶縁膜３０６、及び第２の層間絶縁膜３０８が重ねて形成され、ドレイン電極２３４上には第８のコンタクトホール２８が、無機絶縁膜３０６、及び第２の層間絶縁膜３０８の一部を選択的に除去して形成されている。そして、第２の層間絶縁膜３０８の下層にスイッチング用ＴＦＴ１０８、及び駆動用ＴＦＴ１１２を有する領域上には反射板３１０が形成され、その上層には画素領域１００の全域にエッチング保護膜３１２が形成されている。   An inorganic insulating film 306 and a second interlayer insulating film 308 are formed over the signal line 104 and the like, and an eighth contact hole 28 is formed over the drain electrode 234, the inorganic insulating film 306, and the second insulating film 308. The interlayer insulating film 308 is formed by selectively removing a part. A reflective plate 310 is formed on a region having the switching TFT 108 and the driving TFT 112 below the second interlayer insulating film 308, and an etching protective film 312 is formed on the entire upper layer of the pixel region 100. ing.

反射板３１０の第１の機能はＴＦＴを遮光することである。上述したようにＴＦＴの半導体層に光が入射すると光リーク電流の発生によりコントラストが低下するので、ＥＬ層で生じた光がＴＦＴに入射するのを防いでいる。そのため、反射板３１０は遮光性を有するＡｌ等の金属で形成され、少なくともスイッチング用ＴＦＴ１０８、及び駆動用ＴＦＴ１１２の上層を覆うようにパターニングされている。   The first function of the reflector 310 is to shield the TFT. As described above, when light is incident on the semiconductor layer of the TFT, the contrast is lowered due to the generation of light leakage current, so that the light generated in the EL layer is prevented from entering the TFT. Therefore, the reflection plate 310 is formed of a metal such as Al having light shielding properties, and is patterned so as to cover at least the upper layer of the switching TFT 108 and the driving TFT 112.

そして、エッチング保護膜３１２はたとえばシリコン窒化膜等からなり、画素電極２００のパターニング時に反射板３１０を保護すべく、表示領域１０の全面に形成されている。後述するようにカラー表示の場合、画素電極２００の膜厚を各画素毎に異なる値にすることがある。そして、画素電極２００のパターニングに用いる酸性のエッチング液は、金属層にダメージを与える。そこで、パターニングされた反射板３１０の上層を、耐酸性のあるシリコン窒化膜等で被っている。なお、エッチング保護膜３１２の形成材料であるシリコン窒化膜は導電性がない。したがって、基板３０全面上に画素電極層を形成する前に、第８のコンタクトホール２８の底面領域からはエッチング保護膜３１２を除去している。   The etching protection film 312 is made of, for example, a silicon nitride film or the like, and is formed on the entire surface of the display region 10 in order to protect the reflection plate 310 when the pixel electrode 200 is patterned. As described later, in the case of color display, the film thickness of the pixel electrode 200 may be set to a different value for each pixel. The acidic etching solution used for patterning the pixel electrode 200 damages the metal layer. Therefore, the upper layer of the patterned reflector 310 is covered with an acid-resistant silicon nitride film or the like. Note that the silicon nitride film which is a material for forming the etching protection film 312 is not conductive. Therefore, the etching protective film 312 is removed from the bottom surface region of the eighth contact hole 28 before the pixel electrode layer is formed on the entire surface of the substrate 30.

画素電極２００上には機能層３１４、陰極３１６、および封止膜３１８がそれぞれ画素領域１００上の全面に形成され、発光素子１１４を構成している。機能層は３１４は、ＥＬ層の他に例えば正孔注入／輸送層や電子注入／輸送層を含んでいる。陰極３１６は、ＭｇＡｇ、Ｂａ等の仕事関数の小さな金属または合金の薄膜からなり、膜厚を略１０ｎｍと薄くすることで導電性を維持しつつ、５０％の透光性を有している。好ましくは、透光性を有するＩＴＯ薄膜を積層して、透光性を維持しつつ導電性を高めても良い。機能層３１４の下層の、画素電極２００が存在していない領域には隔壁３２２が形成され、各々の画素領域１００を区画している。   A functional layer 314, a cathode 316, and a sealing film 318 are formed on the entire surface of the pixel region 100 on the pixel electrode 200, thereby constituting the light emitting element 114. The functional layer 314 includes, for example, a hole injection / transport layer and an electron injection / transport layer in addition to the EL layer. The cathode 316 is made of a thin film of a metal or alloy having a small work function such as MgAg or Ba, and has a light transmittance of 50% while maintaining conductivity by reducing the film thickness to about 10 nm. Preferably, a light-transmitting ITO thin film may be stacked to increase the conductivity while maintaining the light-transmitting property. A partition 322 is formed in a region below the functional layer 314 where the pixel electrode 200 is not present, thereby partitioning each pixel region 100.

従来のＥＬ表示装置の場合は、マイクロキャビティ構造を採用して、画像表示領域１０全域で共通の白色光を発生する機能層を用いつつ、赤、緑、青の３原色を発生させている。マイクロキャビティ（微小光共振器）構造とは、光の干渉を利用して白色光に含まれる全波長のうちの特定の波長の強度を高め、有色光にする構造である。画素電極２００が、例えばＩＴＯ（インジウム・すず酸化物）等の透光性材料で形成され、画素電極２００の下層全域に反射板３１０が形成されていれば、機能層で発生した光のうち基板３０の方向に出射した光は全て反射板３１０で反射され上方（基板３０と反対の方向）に向かうため、干渉効果が起こる。そして各々の画素電極ごとに、上記ＩＴＯの膜厚を変化させることにより光路長を変化させ、対応する色に相当する波長の光の強度を強めて有色光とし、赤、緑、青の３原色を発生させることができる。   In the case of a conventional EL display device, a microcavity structure is employed to generate three primary colors of red, green, and blue while using a functional layer that generates common white light throughout the image display region 10. The microcavity (micro-optical resonator) structure is a structure that uses a light interference to increase the intensity of a specific wavelength among all wavelengths included in white light to make colored light. If the pixel electrode 200 is formed of a light-transmitting material such as ITO (indium tin oxide) and the reflector 310 is formed in the entire lower layer of the pixel electrode 200, the substrate out of the light generated in the functional layer Since all the light emitted in the direction 30 is reflected by the reflector 310 and travels upward (in the direction opposite to the substrate 30), an interference effect occurs. Then, for each pixel electrode, the optical path length is changed by changing the film thickness of the ITO, and the intensity of light of the wavelength corresponding to the corresponding color is increased to give colored light, and the three primary colors of red, green and blue Can be generated.

しかし、上記構造のＥＬ表示装置は、昼間の屋外等の明所での使用時に、コントラストが低下しがちである。その理由は、反射板３１０により迷光が発生しＴＦＴに入射するからである。図示するように迷光３３３は表示領域１０のうち反射板３１０が存在しない領域から装置内部に入り込み、反射板３１０の裏面、および走査線１０２や各素子を構成するＡｌ配線の間で乱反射する。そして、乱反射を繰り返すうちにＴＦＴにも入射し、光リーク電流が発生することで、発光素子に電流が流れて意図しない発光が生じコントラストが低下する。   However, the EL display device having the above structure tends to have a low contrast when used in a bright place such as outdoors in the daytime. The reason is that stray light is generated by the reflector 310 and enters the TFT. As shown in the drawing, the stray light 333 enters the apparatus from the display area 10 where the reflector 310 is not present, and is irregularly reflected between the back surface of the reflector 310 and the scanning lines 102 and Al wirings constituting each element. Then, the light is incident on the TFT while the irregular reflection is repeated, and a light leakage current is generated. As a result, a current flows through the light emitting element and unintentional light emission occurs, resulting in a decrease in contrast.

また、マイクロキャビティ構造は光路長の僅かな変化により強調される波長も変化するため、各構成要素、特に画素電極２００の膜厚の精度を高いレベルに保つ必要があり、コストアップの要因となる。そこで、これらの問題点を解消させるべく、以下の各実施形態に記載する構成のＥＬ表示装置を提供する。   In addition, since the wavelength emphasized by a slight change in the optical path length also changes in the microcavity structure, it is necessary to maintain the film thickness accuracy of each component, particularly the pixel electrode 200, at a high level, which increases the cost. . In order to solve these problems, an EL display device having a configuration described in the following embodiments is provided.

（第１の実施形態）
図４は、第１の実施形態にかかるＥＬ表示装置の断面構成図である。従来のＥＬ表示装置と異なり、第２の層間絶縁膜３０８に、黒色の顔料を混入して絶縁性を維持しつつ少なくとも可視範囲の波長の光を吸収する光吸収機能を付与した絶縁膜３０９（以下、「光吸収絶縁膜」と称する。）を用いている。そして封止透明基板３２６の、基板３０と対向する側の面には、機能層３１４に含まれるＥＬ層を励起させ得る波長範囲に少なくとも吸収機能を持つカラーフィルタ３２８を配置している。 (First embodiment)
FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram of the EL display device according to the first embodiment. Unlike the conventional EL display device, the second interlayer insulating film 308 is mixed with a black pigment to maintain an insulating property, and has an insulating film 309 that has a light absorption function of absorbing light having a wavelength in the visible range at least ( Hereinafter, it is referred to as “light absorption insulating film”). A color filter 328 having at least an absorption function in a wavelength range in which the EL layer included in the functional layer 314 can be excited is disposed on the surface of the sealing transparent substrate 326 facing the substrate 30.

カラーフィルタ３２８は、上述の吸収機能の他、赤、緑、青の３原色の内のいずれかの光を透過して白色光を有色光にする機能を持つ。その結果、上述したマイクロキャビティ構造を採用せずに、３原色の表示を可能にしている。そして、カラーフィルタ３２８の周囲には、ＥＬ層を励起させ得る波長範囲の外光を少なくとも吸収可能な黒色の遮光層（以下、「ブラックマトリクス」と称する。）３３０が配置されている。   In addition to the absorption function described above, the color filter 328 has a function of transmitting one of the three primary colors of red, green, and blue to convert white light into colored light. As a result, three primary colors can be displayed without using the above-described microcavity structure. Around the color filter 328, a black light-shielding layer (hereinafter referred to as “black matrix”) 330 that can absorb at least external light in a wavelength range that can excite the EL layer is disposed.

つまり、表示領域１０は、ＥＬ層を励起させ得る光を吸収可能なフィルタで全面的に覆われている。一方で、従来のＥＬ表示装置と異なり、反射板３１０は配置されていない。したがって、発光素子１１４で生じた発光のうち基板３０の方へ出射した光は反射されず、従来のＥＬ表示装置における第２の層間絶縁膜３０８に入射する。しかし上述したように、第２の層間絶縁膜３０８は光吸収機能が付与されて光吸収絶縁膜３０９となっているので、上記入射光はＴＦＴ等の素子にまでは殆んど達しない。   That is, the display area 10 is entirely covered with a filter capable of absorbing light that can excite the EL layer. On the other hand, unlike the conventional EL display device, the reflector 310 is not disposed. Therefore, light emitted from the light emitting element 114 and emitted toward the substrate 30 is not reflected and is incident on the second interlayer insulating film 308 in the conventional EL display device. However, as described above, since the second interlayer insulating film 308 is provided with a light absorbing function and becomes the light absorbing insulating film 309, the incident light hardly reaches the elements such as TFTs.

また、画素電極２００の形成材料であるＩＴＯ膜は、反射板３１０よりも反射率が小さく、基板３０上の各素子を連結する配線の層と画素電極２００との間は光吸収絶縁膜３０９で充填されているので、ＥＬ表示装置内に入り込んだ光が乱反射を繰りかえして迷光３３３となる現象を抑制できる。   The ITO film, which is a material for forming the pixel electrode 200, has a lower reflectance than the reflector 310, and a light absorption insulating film 309 is provided between the wiring layer connecting the elements on the substrate 30 and the pixel electrode 200. Since it is filled, the phenomenon that the light entering the EL display device repeats irregular reflection and becomes stray light 333 can be suppressed.

上述の構成により本実施形態のＥＬ表示装置は以下の効果を有する。   With the above-described configuration, the EL display device of this embodiment has the following effects.

まず、外光による発光素子１１４の励起を抑制できることである。カラーフィルタ３２８は白色光を有色光にするだけでなく、発光素子１１４を励起し得る波長の光を吸収している。その結果、黒表示時のフォトルミネッセンス現象が抑制され、明所で使用する際のコントラストが向上する。   First, excitation of the light emitting element 114 by external light can be suppressed. The color filter 328 not only turns white light into colored light but also absorbs light having a wavelength that can excite the light emitting element 114. As a result, the photoluminescence phenomenon during black display is suppressed, and the contrast when used in a bright place is improved.

また、外光が反射板３１０で反射されて表示方向に出射することが抑制されるため、明所で使用する際のコントラストが向上する。   In addition, since external light is suppressed from being reflected by the reflecting plate 310 and emitted in the display direction, the contrast when used in a bright place is improved.

また、スイッチング用ＴＦＴ１０８や駆動用ＴＦＴ１１２の周囲が光吸収絶縁膜３０９で充填されているため、カラーフィルタ３２８で吸収しきれずに装置内に入射した光が、直接、あるいは乱反射を繰り返して迷光３３３となって、上記のＴＦＴに入射することが抑制されるため、光リーク電流の発生を抑制され、明所で使用する際のコントラストが向上する。   In addition, since the periphery of the switching TFT 108 and the driving TFT 112 is filled with the light absorption insulating film 309, the light that has not been absorbed by the color filter 328 and has entered the device directly or repeatedly undergoes irregular reflection and the stray light 333. Thus, since the incidence on the TFT is suppressed, the generation of light leakage current is suppressed, and the contrast when used in a bright place is improved.

また、反射板３１０を形成しないことにより、必然的にエッチング保護膜３１２も省略できるため、生産コストを削減できる。さらに、マイクロキャビティ構造を採用しないことにより、画素電極２００の膜厚を全画素で共通にできるため、薄膜形成工程およびパターニング工程は各１回で済む。そして、膜厚精度の管理レベルを下げることもできるので、生産コストや良品率を大幅に向上できる。   Further, since the reflective plate 310 is not formed, the etching protective film 312 can be omitted inevitably, so that the production cost can be reduced. Furthermore, since the film thickness of the pixel electrode 200 can be made common to all the pixels by not adopting the microcavity structure, the thin film forming step and the patterning step are only required once. And since the management level of film thickness accuracy can be lowered, the production cost and the yield rate can be greatly improved.

さらに、反射板３１０を除いたことにより、反射板３１０を一方の反射面とする光の多重反射現象が回避され、視野角が向上する。   Further, by removing the reflecting plate 310, the multiple reflection phenomenon of light having the reflecting plate 310 as one reflecting surface is avoided, and the viewing angle is improved.

なお、光吸収絶縁膜３０９は、ＴＦＴ等の素子やＡｌ等の金属配線に隣接するため、１．０×１０の１２乗Ωｃｍ程の高い絶縁性が必要である。一方でアクリル等の樹脂に顔料を混入する場合、顔料の濃度が高くなるほど絶縁性は低下するため、遮光性と絶縁性の兼ね合いが重要となる。そこで本実施形態では、ＯＤ値（光学濃度）を０．５から３．０の範囲内に収めると、遮光性と絶縁性を両立させることができる。透過型の液晶表示装置のブラックマトリクスに用いられる樹脂には、３．０を超えるＯＤ値を持つものを用いるが、本実施形態の光吸収絶縁膜３０９は、外光を直接遮るのではなく、反射光を低減することが主目的なため、上記のＯＤ値でも充分に目的を達成できる。ＯＤ値を小さく設定すると、光吸収絶縁膜を感光性の樹脂膜で形成する場合、フォトリソグラフィー法でパターニングする際に露光量を低減でき、生産コストも削減できるという効果も生じる。基板３０はガラス基板を用いるのが一般的であるが、本実施形態はトップエミッション型であるため透光性は必要とせず、遮光性材質の基板を用いることも可能である。   Since the light absorption insulating film 309 is adjacent to an element such as a TFT or a metal wiring such as Al, it needs to have a high insulation property of about 1.0 × 10 12 Ωcm. On the other hand, when a pigment is mixed into a resin such as acrylic, the insulating property decreases as the pigment concentration increases, and thus the balance between the light shielding property and the insulating property is important. Therefore, in this embodiment, when the OD value (optical density) falls within the range of 0.5 to 3.0, both light shielding properties and insulating properties can be achieved. As the resin used for the black matrix of the transmissive liquid crystal display device, a resin having an OD value exceeding 3.0 is used, but the light absorption insulating film 309 of this embodiment does not directly block external light, Since the main purpose is to reduce the reflected light, the object can be sufficiently achieved even with the above OD value. When the OD value is set to a small value, when the light-absorbing insulating film is formed of a photosensitive resin film, the exposure amount can be reduced when patterning is performed by a photolithography method, and the production cost can be reduced. Generally, a glass substrate is used as the substrate 30, but since this embodiment is a top emission type, it does not require translucency, and a substrate made of a light shielding material can also be used.

（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態にかかるＥＬ表示装置の断面構成図である。第１の実施形態と異なる点は、まず第１に、従来のＥＬ表示装置における隔壁３２２を、黒色の顔料を混入して光吸収機能を付与した絶縁物で形成して、光吸収隔壁３２３としていることである。そして第２に、カラーフィルタ３２８、およびのブラックマトリクス３３０を封止膜３１８上に形成していることである。従って製造工程も第１の実施形態とは異なり、基板３０上にカラーフィルタ３２８およびのブラックマトリクス３３０を形成した後、接着層３２４を介して封止透明基板３２６を貼り合せている。 (Second Embodiment)
FIG. 5 is a cross-sectional configuration diagram of an EL display device according to the second embodiment of the present invention. First, the first embodiment differs from the first embodiment in that a partition 322 in a conventional EL display device is formed of an insulator provided with a light absorption function by mixing a black pigment, thereby forming a light absorption partition 323. It is that you are. Secondly, the color filter 328 and the black matrix 330 are formed on the sealing film 318. Accordingly, the manufacturing process is different from that of the first embodiment, and after forming the color filter 328 and the black matrix 330 on the substrate 30, the sealing transparent substrate 326 is bonded through the adhesive layer 324.

隔壁にも光吸収性を付与したことにより、装置内に入射した外光は光吸収絶縁膜３０９に達するまでにも吸収されるので、ＴＦＴに達する光をより一層抑制できる。また、機能層３１４を励起し得る波長の光を吸収する機能を果たすカラーフィルタ３２８およびブラックマトリクス３３０が、接着層３２４を介さずに封止膜３１８のみを介して発光素子１１４上に形成されているため、装置内に入射する外光の量をより一層抑制できる。したがって、明所での使用時におけるコントラストをより一層向上できる。   Since light absorption is also imparted to the partition wall, external light that has entered the device is absorbed even before reaching the light-absorbing insulating film 309, so that light reaching the TFT can be further suppressed. In addition, a color filter 328 and a black matrix 330 that function to absorb light having a wavelength that can excite the functional layer 314 are formed over the light-emitting element 114 only through the sealing film 318 and not through the adhesive layer 324. Therefore, the amount of external light incident on the device can be further suppressed. Therefore, the contrast at the time of use in a bright place can be further improved.

また、機能層３１４を励起し得る波長の光を吸収する機能を果たすカラーフィルタ３２８およびブラックマトリクス３３０が、接着層３２４を介さずに封止膜３１８のみを介して発光素子１１４上に形成されているため、隣接の画素の発光からも遮光されている。このためフォトルミネッセンス現象がより抑制され暗所でのコントラストもさらに向上できる。   In addition, a color filter 328 and a black matrix 330 that function to absorb light having a wavelength that can excite the functional layer 314 are formed over the light-emitting element 114 only through the sealing film 318 and not through the adhesive layer 324. Therefore, it is also shielded from light emission from adjacent pixels. For this reason, the photoluminescence phenomenon is further suppressed, and the contrast in a dark place can be further improved.

また、カラーフィルタ３２８等が形成されている基板３０に、封止透明基板３２６を貼り合せるため、カラーフィルタ３２８と発光素子１１４の位置合せ精度の管理レベルを下げられる。したがって、生産コストや良品率をより一層向上できる。   Further, since the sealing transparent substrate 326 is bonded to the substrate 30 on which the color filter 328 and the like are formed, the management level of the alignment accuracy between the color filter 328 and the light emitting element 114 can be lowered. Therefore, the production cost and the yield rate can be further improved.

（電子機器）
次に、上述の第１〜第２の実施形態にかかるＥＬ表示装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図６は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、パーソナルコンピュータ６００は、キーボード６０２を備えた本体部６０４と、第１〜２の実施形態にかかるＥＬ表示装置を用いて構成された表示ユニット６０６と、を備える。その結果、明所での使用時におけるコントラストが向上している。 (Electronics)
Next, an example in which the EL display device according to the first to second embodiments described above is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of this personal computer. In the figure, a personal computer 600 includes a main body 604 provided with a keyboard 602 and a display unit 606 configured using the EL display device according to the first and second embodiments. As a result, the contrast when used in a bright place is improved.

（変形例１）
第１、および第２の実施形態では、画素電極２００を光吸収絶縁膜３０９上に直接形成していたが、界面反射による迷光３３３の発生をより一層抑制するために、アクリル等の樹脂とＩＴＯの中間的な屈折率を持つＳｉＮ（窒化シリコン膜）、ＳｉＯＮ（酸化窒化シリコン膜）、あるいはポリスチレン樹脂等の材料からなる薄膜を介在させることが好ましい。光吸収絶縁膜３０９に、ポリスチレン樹脂あるいはポリカーボネート樹脂等を分散・混合しても同様の効果が得られる。
（変形例２）
第２の実施形態では隔壁に光吸収性を付与するとともにカラーフィルタ３２８の形成位置を変更したが、カラーフィルタ３２８の形成位置の変更のみ、又は、隔壁に光吸収性を付与することのみを、第１の実施形態との差異としても良い。どちらの形態も、第１の実施形態に比べ、明所での使用時のコントラストの向上等の効果がより多く得られる。 (Modification 1)
In the first and second embodiments, the pixel electrode 200 is formed directly on the light absorption insulating film 309. In order to further suppress the generation of stray light 333 due to interface reflection, a resin such as acrylic and ITO It is preferable to interpose a thin film made of a material such as SiN (silicon nitride film), SiON (silicon oxynitride film), or polystyrene resin having an intermediate refractive index. The same effect can be obtained by dispersing and mixing polystyrene resin or polycarbonate resin in the light absorption insulating film 309.
(Modification 2)
In the second embodiment, the light absorption is imparted to the partition and the formation position of the color filter 328 is changed, but only the change of the formation position of the color filter 328 or the light absorption is imparted to the partition, It may be a difference from the first embodiment. In both forms, more effects such as improvement in contrast when used in a bright place can be obtained than in the first embodiment.

アクティブマトリクス型のＥＬ表示装置の全体構成を示す回路構成図。1 is a circuit configuration diagram illustrating an overall configuration of an active matrix EL display device. 画素を構成する各要素を示す平面構成図。The plane block diagram which shows each element which comprises a pixel. 従来のＥＬ表示装置の、図２のＡＡ´線における断面構成図。The cross-sectional block diagram in the AA 'line of FIG. 2 of the conventional EL display apparatus. 第１の実施形態にかかるＥＬ表示装置の断面構成図。1 is a cross-sectional configuration diagram of an EL display device according to a first embodiment. 第２の実施形態にかかるＥＬ表示装置の断面構成図。FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram of an EL display device according to a second embodiment. 電子機器の一例を示す斜視構成図。FIG. 11 is a perspective configuration diagram illustrating an example of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

１０…画像表示領域、２１…第１のコンタクトホール、２２…第２のコンタクトホール、２３…第３のコンタクトホール、２４…第４のコンタクトホール、２５…第５のコンタクトホール、２６…第６のコンタクトホール、２７…第７のコンタクトホール、２８…第８のコンタクトホール、３０…基板、１００…画素領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…電源供給線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１１４…発光素子、１２０…走査線駆動回路、１３０…データ線駆動回路、１４０…同期信号線、２００…画素電極、２０２…第１のゲート電極、２０４…第１のチャネル領域、２０６…第１のソース領域、２０８…第１のドレイン領域、２１２…第２のゲート電極、２１４…第２のチャネル領域、２１６…第２のソース領域、２１８…第２のドレイン領域、２２１…第１の半導体層、２２２…第２の半導体層、２３２…ソース電極、２３４…ドレイン電極、２３６…上部電極、２３８…下部電極、３０２…ゲート絶縁膜、３０４…第１の層間絶縁膜、３０６…無機絶縁膜、３０８…第２の層間絶縁膜、３０９…光吸収絶縁膜、３１０…反射板、３１２…エッチング保護膜、３１４…機能層、３１６…陰極、３１８…封止膜、３２２…隔壁、３２３…光吸収隔壁、３２４…接着層、３２６…封止透明基板、３２８…カラーフィルタ、３３０…ブラックマトリクス、３３３…迷光、６００…パーソナルコンピュータ、６０２…キーボード、６０４…本体部、６０６…表示ユニット。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Image display area, 21 ... 1st contact hole, 22 ... 2nd contact hole, 23 ... 3rd contact hole, 24 ... 4th contact hole, 25 ... 5th contact hole, 26 ... 6th 27 ... seventh contact hole, 28 ... eighth contact hole, 30 ... substrate, 100 ... pixel region, 102 ... scanning line, 104 ... signal line, 106 ... power supply line, 108 ... switching TFT , 110 ... holding capacitor, 112 ... driving TFT, 114 ... light emitting element, 120 ... scanning line driving circuit, 130 ... data line driving circuit, 140 ... synchronization signal line, 200 ... pixel electrode, 202 ... first gate electrode, 204 ... first channel region, 206 ... first source region, 208 ... first drain region, 212 ... second gate electrode, 214 ... second Channel region, 216 ... second source region, 218 ... second drain region, 221 ... first semiconductor layer, 222 ... second semiconductor layer, 232 ... source electrode, 234 ... drain electrode, 236 ... upper electrode, 238 ... Lower electrode, 302 ... Gate insulating film, 304 ... First interlayer insulating film, 306 ... Inorganic insulating film, 308 ... Second interlayer insulating film, 309 ... Light absorbing insulating film, 310 ... Reflecting plate, 312 ... Etching Protective film, 314 ... functional layer, 316 ... cathode, 318 ... sealing film, 322 ... partition wall, 323 ... light absorption partition wall, 324 ... adhesive layer, 326 ... sealing transparent substrate, 328 ... color filter, 330 ... black matrix, 333 ... stray light, 600 ... personal computer, 602 ... keyboard, 604 ... main body, 606 ... display unit.

Claims (8)

透明導電材料よりなる画素電極と、光透過性陰極と、前記画素電極と前記陰極との間に狭持されるエレクトロルミネッセンス層を少なくとも含む機能層と、からなる発光素子と、
前記画素電極の光取出し方向と逆側に形成される、少なくとも可視範囲の波長の光を吸収する材料からなる光吸収絶縁膜と、
前記画素電極と電気的に接続し、個々の発光素子の発光量を制御する薄膜トランジスタと、
前記エレクトロルミネッセンス層の励起光に対応する波長範囲に少なくとも吸収を持つフィルタと、を具備することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 A light emitting device comprising a pixel electrode made of a transparent conductive material, a light-transmitting cathode, and a functional layer including at least an electroluminescence layer sandwiched between the pixel electrode and the cathode;
A light-absorbing insulating film made of a material that absorbs light having a wavelength in the visible range, which is formed on the opposite side of the light extraction direction of the pixel electrode;
A thin film transistor that is electrically connected to the pixel electrode and controls the light emission amount of each light emitting element;
An electroluminescence display device comprising: a filter having at least absorption in a wavelength range corresponding to excitation light of the electroluminescence layer. 前記フィルタは、前記発光素子上に形成される、赤色光、緑色光、青色光のうちのいずれかの一色の光を透過させるカラーフィルタと、前記カラーフィルタの周囲を遮光するブラックマトリクスと、からなることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   The filter includes: a color filter that is formed on the light emitting element and transmits light of any one color of red light, green light, and blue light; and a black matrix that blocks light around the color filter. The electroluminescent display device according to claim 1. 前記光吸収絶縁膜の上層に、少なくとも可視範囲の波長の光を吸収する材料からなる光吸収隔壁を具備することを特徴とする請求項１、又は２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   The electroluminescence display device according to claim 1, further comprising a light absorption partition made of a material that absorbs light having a wavelength in the visible range, at an upper layer of the light absorption insulating film. 前記フィルタは、前記陰極上に、封止膜のみを介して形成されていることを特徴とする請求項２、又は３に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   4. The electroluminescent display device according to claim 2, wherein the filter is formed on the cathode via only a sealing film. 前記封止膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項４に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   The electroluminescence display device according to claim 4, wherein the sealing film is a silicon nitride film. 前記光吸収絶縁膜と前記画素電極の間に、屈折率が、前記光吸収絶縁膜の屈折率よりは大きく、前記画素電極の屈折率よりは小さい値である材料からなる薄膜を具備することを特徴とする請求項１から５のうちのいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   A thin film made of a material having a refractive index larger than the refractive index of the light absorbing insulating film and smaller than the refractive index of the pixel electrode is provided between the light absorbing insulating film and the pixel electrode. The electroluminescence display device according to claim 1, wherein the electroluminescence display device is a display device. 前記光吸収絶縁膜の光学濃度が０．５から３．０の範囲内であることを特徴とする請求項１から６のうちのいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   7. The electroluminescence display device according to claim 1, wherein an optical density of the light absorption insulating film is in a range of 0.5 to 3.0. 請求項１から７のいずれかの１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置を具備することを特徴とする電子機器。

An electronic apparatus comprising the electroluminescence display device according to claim 1.

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