KR101697611B1 - Organic electro luminescent device - Google Patents

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KR101697611B1
KR101697611B1 KR1020100101316A KR20100101316A KR101697611B1 KR 101697611 B1 KR101697611 B1 KR 101697611B1 KR 1020100101316 A KR1020100101316 A KR 1020100101316A KR 20100101316 A KR20100101316 A KR 20100101316A KR 101697611 B1 KR101697611 B1 KR 101697611B1
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Abstract

본 발명은, 제 1, 2, 3, 4 화소영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 각 화소영역 내에 형성된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터 위로 평탄한 표면을 가지며 형성된 보호층과; 상기 보호층 위로 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 각각 제 1 두께를 가지며 형성된 적, 녹 및 제 1 청색 컬러필터 패턴과; 상기 보호층 위로 상기 제 4 화소영역에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가지며 형성된 제 2 청색 컬러필터 패턴과; 상기 적, 녹, 제 1 청색 및 제 2 청색 컬러필터 패턴을 덮으며 평탄한 표면을 가지며 형성된 무색 투명한 평탄화층과; 상기 평탄화층 상부로 상기 제 1, 2, 3, 4 화소영역 각각에 형성된 화이트를 발광하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 다이오드와; 상기 제 1 기판과 대응하여 합착된 제 1 기판을 포함하는 유기전계 발광소자를 제공한다.The present invention provides a liquid crystal display device comprising: a first substrate on which first, second, third, and fourth pixel regions are defined; A switching and driving thin film transistor formed in each pixel region; A protective layer having a flat surface over the switching and driving thin film transistors; Green, and blue color filter patterns having a first thickness on the first, second, and third pixel regions, respectively, over the protective layer; A second blue color filter pattern formed on the protection layer to have a second thickness in the fourth pixel region that is thinner than the first thickness; A colorless transparent planarization layer covering the red, green, and blue first and second blue color filter patterns and having a planar surface; An organic light emitting diode (OLED) emitting white light formed on each of the first, second, third, and fourth pixel regions on the planarization layer; And a first substrate bonded to the first substrate in correspondence with the first substrate.

Description

유기전계 발광소자{Organic electro luminescent device}[0001] The present invention relates to an organic electroluminescent device,

본 발명은 유기전계 발광소자(organic electro luminescent device)에 관한 것이며, 특히 소비전력을 저감하고 명 대비비(ambient contrast ratio)를 향상시킬 수 있는 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device capable of reducing power consumption and improving ambient contrast ratio.

평판 디스플레이(FPD; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.An organic electroluminescent device, which is one of flat panel displays (FPDs), has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, since it is a self-luminous type that emits light by itself, it has a large contrast ratio, can realize an ultra-thin display, can realize a moving image with a response time of several microseconds (μs), has no viewing angle limit, And it is driven with a low voltage of 5 to 15 V direct current, so that it is easy to manufacture and design a driving circuit.

또한, 상기 유기전계 발광소자의 제조공정은 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에 제조 공정이 매우 단순하다. In addition, since the manufacturing process of the organic electroluminescent device is all the deposition and encapsulation equipment, the manufacturing process is very simple.

이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 액티브 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하므로, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것만큼의 순간 휘도를 내야만 한다. An organic electroluminescent device having such characteristics is largely divided into a passive matrix type and an active matrix type. In a passive matrix type, a scan line and a signal line cross each other to form a matrix type device, The scan lines are sequentially driven in order to drive the scan lines. Therefore, in order to obtain the required average brightness, the instantaneous brightness must be as much as the average brightness multiplied by the number of lines.

그러나 액티브 매트릭스 방식에서는, 픽셀(pixel)을 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 화소영역별로 위치하고, 이 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극은 화소영역 단위로 온(on)/오프(off)되고, 이 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극은 공통전극이 된다. However, in the active matrix method, a thin film transistor (a thin film transistor) which is a switching element for turning on / off a pixel is provided for each pixel region, and the first electrode connected to the thin film transistor The first electrode is turned on / off, and the second electrode facing the first electrode becomes a common electrode.

그리고 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 화소영역에 인가된 전압이 스토리지 커패시터에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다. 따라서 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 타입의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다. In the active matrix system, the voltage applied to the pixel region is charged in the storage capacitor, and power is applied until the next frame signal is applied. Thus, do. Therefore, since the same luminance is exhibited even when a low current is applied, an active matrix type organic electroluminescent device is mainly used since it has advantages of low power consumption, high definition, and large size.

이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure and operating characteristics of such an active matrix organic electroluminescent device will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 회로도이다. 1 is a circuit diagram of one pixel of a general active matrix organic electroluminescent device.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소는 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 커패시터(StgC), 그리고 유기전계 발광 다이오드(E)로 이루어진다. As shown, one pixel of the active matrix type organic electroluminescent device includes a switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, a storage capacitor StgC, and an organic light emitting diode E, .

즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. That is, a gate line GL is formed in a first direction and a data line DL is formed in a second direction intersecting the first direction to define a pixel region P, A power supply line PL for applying a power supply voltage is formed.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극을 통해 상기 유기전계발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. A switching thin film transistor STr is formed at the intersection of the data line DL and the gate line GL and a driving thin film transistor DTr electrically connected to the switching thin film transistor STr is formed have. The first electrode, which is one terminal of the organic light emitting diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode of the organic light emitting diode E is connected to the power supply line PL. At this time, the power supply line PL transmits a power supply voltage to the organic light emitting diode E through the drain electrode of the driving thin film transistor DTr. A storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 전원배선(PL)을 통해 전류가 공급되어 유기전계발광 다이오드(E)가 동작하고 이를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on and the signal of the data line DL is transmitted to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr, The thin film transistor DTr is turned on so that current is supplied through the power supply line PL to operate the organic light emitting diode E and light is output through the organic light emitting diode E. At this time, when the driving thin film transistor DTr is turned on, a level of a current flowing from the power supply line PL to the organic light emitting diode E is determined. Accordingly, the organic light emitting diode E The storage capacitor StgC is capable of maintaining a constant gate voltage of the driving thin film transistor DTr when the switching thin film transistor STr is turned off The level of the current flowing through the organic light emitting diode E can be kept constant until the next frame even if the switching thin film transistor STr is turned off.

전술한 구성을 갖는 유기전계 발광소자는 상기 유기 발광층 자체가 각각 적, 녹, 청색을 발광하는 발광물질로 형성하여 컬러를 표시하는 방법과 상기 유기 발광층 전체를 화이트를 발광하는 유기 발광물질을 형성함으로써 백색광을 발광하도록 하고, 각 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 안료를 포함하는 컬러필터 패턴을 형성하여 백색광을 발광하는 유기 발광층으로부터 나온 백색광이 상기 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴을 통과하도록 함으로써 컬러를 표시하는 방법이 있다.In the organic electroluminescent device having the above-described structure, the organic electroluminescent layer itself is formed of a luminescent material that emits red, green, and blue, respectively, to display a color, and a method of forming an organic luminescent material A color filter pattern including red, green and blue pigments is formed corresponding to each pixel region so that white light emitted from the organic light emitting layer emitting white light passes through the red, green and blue color filter patterns There is a way to display color.

최근에는 휘도 특성을 향상 및 소비전력을 감속시키기 위해 적, 녹, 청색 화소영역 이외에 화이트를 발광하는 화이트 화소영역까지 형성하여 총 4가지 색에 의해 컬러를 표시하는 유기전계 발광소자가 제안되었다.In recent years, an organic electroluminescent device has been proposed in which a white pixel region that emits white in addition to red, green, and blue pixel regions is formed to improve luminance characteristics and reduce power consumption, thereby displaying colors by a total of four colors.

한편, 일반적으로 표시소자의 명 대비비(Ambient Contrast Ratio : ACR) 를 향상시키기 위해서 원형 편광판(Circular Polarizer)을 사용자가 바라보는 최외측 면에 구비하고 있는데, 이러한 원형 편광판을 유기전계 발광소자에 구비하는 경우, 명 대비비(ACR) 특성은 향상되나, 소비전력이 증가하게 된다. Generally, in order to improve the Ambient Contrast Ratio (ACR) of the display device, a circular polarizer is provided on the outermost surface facing the user. Such a circular polarizer is provided in the organic electroluminescent device , The ACR characteristics are improved but the power consumption is increased.

이러한 소비전력 증가를 방지하기 위한 대안으로 백색 유기 발광층을 구비한 유기전계 발광소자의 경우, 컬러필터를 사용하여 명 대비비(ACR)을 개선하기도 하는데, 이때 화이트 화소영역의 경우에 컬러필터 패턴을 별도로 형성하지 않기 때문에 유기전계 발광소자의 명 대비비(ACR)이 특성을 저하시키게 된다. In order to prevent such an increase in power consumption, an organic light emitting device having a white organic light emitting layer may improve a light to dark ratio (ACR) using a color filter. In this case, (ACR) of the organic electroluminescent device degrades the characteristics because it is not separately formed.

즉, 백색 유기 발광층을 구비한 유기전계 발광소자에서 컬러 구현을 위해 컬러필터를 사용하게 되는데, 이를 활용해 원형 편광판을 사용하지 않고 명 대비비(ACR)를 향상시키는 방법이 시도되고 있지만, 이 경우 화이트 화소영역에는 컬러필터가 형성되지 않기 때문에 명 대비비(ACR)에 악영향을 주게 된다. In other words, a color filter is used for color implementation in an organic electroluminescent device having a white organic light emitting layer. However, a method of improving the ratio of light to noise (ACR) without using a circular polarizer has been attempted. The color filter is not formed in the white pixel region, which adversely affects the ratio of light to dark (ACR).

적, 녹, 청색의 컬러필터 패턴으로 이루어진 유기전계 발광소자의 경우 명 대비비(ACR) 측면에서는 유리하나 화이트 화소영역이 구비되지 않으므로 더욱더 소비전력이 상승되는 문제가 발생한다. In the case of an organic electroluminescent device including red, green, and blue color filter patterns, there is a problem in that the power consumption is further increased because the white pixel region is not provided in terms of the ratio of light to dark (ACR).

이로 인해 일반적으로 적, 녹 ,청 및 화이트의 4가지 화소영역을 갖는 유기전계 발광소자에 있어서는 이상적으로 화이트를 나타내는 소자의 색좌표가 패널의 기준 색좌표와 동일할 경우 소비전력이 낮아지는 경향을 보인다. In general, in an organic EL device having four pixel regions of red, green, blue and white, the power consumption tends to be lowered when the color coordinates of the device that ideally represents white are the same as the reference color coordinates of the panel.

일반적으로 화이트 소자의 색좌표는 패널의 기준 색좌표에 비해 색온도가 낮은 경향이 있으며 이를 보완하고자 투과율이 낮은 청색 화소영역이 함께 구동해 패널의 기준 색좌표를 맞춰주게 되며, 이 경우 실제로 화이트 구동 시 청색 화소영역의 구동이 함께 진행되므로 소비전력 상승을 유발하고 있다.
In general, the color coordinates of a white element tends to have a lower color temperature than a reference color coordinate of a panel. To compensate for this, a blue pixel region having a low transmittance is driven together to match a reference color coordinate of the panel. In this case, So that the power consumption is increased.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 소비전력의 상승없이 명 대비비가 우수한 적, 녹, 청 및 화이트 화소영역을 구비한 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device having red, green, blue and white pixel regions with excellent light-to-light ratio without increasing power consumption.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 제 1, 2, 3, 4 화소영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 각 화소영역 내에 형성된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터 위로 평탄한 표면을 가지며 형성된 보호층과; 상기 보호층 위로 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 각각 제 1 두께를 가지며 형성된 적, 녹 및 제 1 청색 컬러필터 패턴과; 상기 보호층 위로 상기 제 4 화소영역에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가지며 형성된 제 2 청색 컬러필터 패턴과; 상기 적, 녹, 제 1 청색 및 제 2 청색 컬러필터 패턴을 덮으며 평탄한 표면을 가지며 형성된 무색 투명한 평탄화층과; 상기 평탄화층 상부로 상기 제 1, 2, 3, 4 화소영역 각각에 형성된 화이트를 발광하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 다이오드와; 상기 제 1 기판과 대응하여 합착된 제 2 기판을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device including a first substrate having first, second, third and fourth pixel regions defined therein; A switching and driving thin film transistor formed in each pixel region; A protective layer having a flat surface over the switching and driving thin film transistors; Green, and blue color filter patterns having a first thickness on the first, second, and third pixel regions, respectively, over the protective layer; A second blue color filter pattern formed on the protection layer to have a second thickness in the fourth pixel region that is thinner than the first thickness; A colorless transparent planarization layer covering the red, green, and blue first and second blue color filter patterns and having a planar surface; An organic light emitting diode (OLED) emitting white light formed on each of the first, second, third, and fourth pixel regions on the planarization layer; And a second substrate bonded to the first substrate.

이때, 상기 유기전계 발광소자는 상기 유기 발광층 내부에서 발생된 빛이 상기 제 1 기판을 향하여 출사되는 하부 발광 방식인 것이 특징이다. Here, the organic electroluminescent device is a bottom emission type in which light generated in the organic emission layer is emitted toward the first substrate.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 제 1, 2, 3, 4 화소영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 각 화소영역 내에 형성된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터 위로 평탄한 표면을 가지며 형성된 보호층과; 상기 보호층 위로 상기 제 1, 2, 3, 4 화소영역 각각에 형성된 화이트를 발광하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 다이오드와; 상기 제 1 기판과 마주하며 위치하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판의 내측면에 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 각각 제 1 두께를 가지며 형성된 적, 녹 및 제 1 청색 컬러필터 패턴과; 상기 제 2 기판의 내측면에 상기 제 4 화소영역에 대응하여 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가지며 형성된 제 2 청색 컬러필터 패턴과; 상기 적, 녹, 제 1 청색 및 제 2 청색 컬러필터 패턴을 덮으며 평탄한 표면을 가지며 형성된 무색 투명한 평탄화층을 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device including a first substrate having first, second, third and fourth pixel regions defined therein; A switching and driving thin film transistor formed in each pixel region; A protective layer having a flat surface over the switching and driving thin film transistors; An organic light emitting diode emitting white light formed on each of the first, second, third and fourth pixel regions on the protective layer; A second substrate facing the first substrate; Green, and blue color filter patterns formed on the inner surface of the second substrate with a first thickness in the first, second, and third pixel regions, respectively; A second blue color filter pattern formed on an inner surface of the second substrate to have a second thickness corresponding to the fourth pixel region and thinner than the first thickness; And a colorless transparent planarization layer covering the red, green, first blue and second blue color filter patterns and having a flat surface.

이때, 상기 유기전계 발광소자는 상기 유기 발광층 내부에서 발생된 빛이 상기 제 2 기판을 향하여 출사되는 상부 발광 방식인 것이 특징이다. Here, the organic electroluminescent device is a top emission type in which light generated in the organic emission layer is emitted toward the second substrate.

또한, 상기 제 1 두께는 1㎛ 내지 3㎛ 이며, 상기 제 2 두께는 상기 제 1 두께의 1/20 내지 1/5 인 것이 특징이며, 상기 제 4 화소영역을 통해서는 색온도가 9000K 이상인 블루이쉬한 화이트가 표현되는 것이 특징이다.The first thickness is 1 占 퐉 to 3 占 퐉, and the second thickness is 1/20 to 1/5 of the first thickness. The fourth pixel region has a color temperature of 9000K or more, One white is characterized by being expressed.

또한, 상기 제 1 기판의 제 1, 2, 3, 4 화소영역 각각의 경계에는 서로 교차하는 게이트 배선과 데이터 배선이 구비되며, 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선과 나란하게 배치된 전원배선이 구비된 것이 특징이다.In addition, a gate wiring and a data wiring intersecting each other are provided at the boundaries of the first, second, third and fourth pixel regions of the first substrate, and power wiring lines arranged in parallel with the gate wiring or the data wiring are provided Feature.

또한, 상기 유기전계 발광 다이오드는, 상기 각 화소영역에 순차 적층된 제 1 전극과 유기 발광층과 화상을 표시하는 표시영역의 전면에 형성된 제 2 전극으로 이루어지며, 상기 제 1 전극은 상기 각 화소영역에 형성된 상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 것이 특징이며, 이때, 상기 보호층 위로 상기 각 화소영역의 경계에는 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 상기 유기 발광층을 둘러싸는 형태로 뱅크가 형성된 것이 특징이다. 또한, 상기 뱅크는 블랙을 나타내는 물질로 이루어지거나 또는 투명한 유기절연물질로 이루어진 것이 특징이다.
The organic light emitting diode may include a first electrode sequentially stacked on the pixel region, a second electrode formed on an entire surface of the organic light emitting layer and a display region for displaying an image, And a bank is formed at a boundary of each pixel region on the protective layer so as to surround the edge of the first electrode and surround the organic light emitting layer. In addition, the bank may be formed of a material showing black or a transparent organic insulating material.

본 발명에 따른 유기전계 발광 소자는, 화이트 화소영역에 블루 영역에서의 투과율이 적색 및 녹색 영역에서의 투과율대비 높은 특성을 갖는 화이트 컬러필터 물질을 구비하여 블루쉬한 화이트를 표시하도록 함으로써 명 대비비를 향상시키는 동시에 소비전력을 저감시키는 효과가 있다.
The organic electroluminescent device according to the present invention includes a white color filter material having a white pixel region having a high transmittance in a blue region and a high transmittance in a red region and a green region, And the power consumption is reduced.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 회로도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 적, 녹, 청색, 화이트를 표시하는 4개의 화소영역에 대한 단면도.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 적, 녹, 청색, 화이트를 표시하는 4개의 화소영역에 대한 단면도.
1 is a circuit diagram of a pixel of a general active matrix organic electroluminescent device.
FIG. 2 is a cross-sectional view of four pixel regions showing red, green, blue, and white of the organic electroluminescent device according to the first embodiment of the present invention; FIG.
3 is a cross-sectional view of four pixel regions showing red, green, blue, and white of an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention;

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 적, 녹, 청색 및 화이트를 표시하는 4개의 화소영역에 대한 단면도이다. 이때, 설명의 편의를 위해 스위칭 박막트랜지스터가 형성될 영역을 스위칭 영역(미도시), 구동 박막트랜지스터가 형성될 영역을 구동영역(DA) 이라 정의한다.FIG. 2 is a cross-sectional view of four pixel regions representing red, green, blue, and white of an organic electroluminescent device according to the first embodiment of the present invention. Here, for convenience of description, a region where a switching thin film transistor is to be formed is defined as a switching region (not shown), and a region where a driving thin film transistor is formed is defined as a driving region DA.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 적, 녹, 제 1 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c) 및 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)으로 구성된 컬러필터층(175)과 유기전계 발광 다이오드(E)가 형성된 제 1 기판(110)과, 유기전계 발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)으로 구성되고 있다. As shown in the figure, the organic EL device 101 according to the first embodiment of the present invention includes a driving and switching thin film transistor (DTr) (not shown) and red, green, and first blue color filter patterns 175a, 175b and 175c A first substrate 110 on which an organic light emitting diode E is formed and a color filter layer 175 composed of a first blue color filter pattern 175d and a second blue color filter pattern 175d, 2 substrate 170 as shown in FIG.

우선, 제 1 기판(110)의 구성에 대해 설명한다. First, the structure of the first substrate 110 will be described.

상기 제 1 기판(110) 상부에는 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)이 전면에 형성되어 있다. 상기 버퍼층(미도시)은 상부에 구성되는 반도체층(113)의 결정화시 상기 제 1 기판(110) 자체의 내부로부터 나오는 알카리 이온의 방출에 의한 상기 반도체층(113)의 특성 저하를 방지하기 위함이며, 결정화 공정을 진행하지 않는 반도체층(113)을 구비하는 경우 생략될 수 있다. A buffer layer (not shown) made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x) is formed on the entire surface of the first substrate 110. In order to prevent deterioration of the characteristics of the semiconductor layer 113 due to the release of alkali ions from the inside of the first substrate 110 itself during the crystallization of the semiconductor layer 113 formed on the upper portion of the buffer layer (not shown) And may be omitted when the semiconductor layer 113 is not provided with a crystallization process.

또한, 상기 버퍼층 상부로 각 화소영역(P1, P2, P3, P4) 내의 스위칭 및 구동영역(미도시, DA)에 대응하여 순수 폴리실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 제 1 영역(113a) 그리고 상기 제 1 영역(113a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제 2 영역(113b)으로 구성된 반도체층(113)이 형성되어 있다.  In addition, the upper portion of the buffer layer is made of pure polysilicon corresponding to the switching and driving regions (not shown) in the respective pixel regions P1, P2, P3 and P4, and the central portion thereof includes a first region 113a, A semiconductor layer 113 is formed on both sides of the first region 113a and includes a second region 113b doped with a high concentration of impurities.

또한, 상기 반도체층(113)을 덮으며 전면에 게이트 절연막(116)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(116) 위로는 상기 반도체층(113)의 제 1 영역(113a)에 대응하여 게이트 전극(120)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트 절연막(116) 위로는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 이룰 게이트 전극(미도시)과 연결되며 일방향으로 연장하며 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다. A gate insulating layer 116 is formed on the entire surface of the semiconductor layer 113 and a gate electrode 116 corresponding to the first region 113a of the semiconductor layer 113 is formed on the gate insulating layer 116. [ 120 are formed. The gate insulating layer 116 is connected to a gate electrode (not shown) for forming a switching thin film transistor (not shown) and extends in one direction to form a gate wiring (not shown).

상기 게이트 전극(120)과 게이트 배선(미도시) 위로 전면에 층간절연막(123)이 형성되어 있다. 이때, 상기 층간절연막(123)과 그 하부의 게이트 절연막(116)에은 상기 제 1 영역(113a) 양측면에 위치한 상기 제 2 영역(113b) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(125)이 형성되어 있다. An interlayer insulating film 123 is formed on the entire surface of the gate electrode 120 and the gate wiring (not shown). A semiconductor layer contact hole 125 is formed in the interlayer insulating layer 123 and the lower gate insulating layer 116 to expose each of the second regions 113b located on both sides of the first region 113a .

또한, 상기 반도체층 콘택홀(125)을 포함하는 층간절연막(123) 상부에는 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)을 정의하는 데이터 배선(미도시)과, 상기 데이터 배선(미도시)과 이격하여 전원배선(미도시)이 형성되고 있다. 이때, 상기 전원배선(미도시)은 상기 게이트 절연막(116) 상부로 상기 게이트 배선(미도시)과 나란하게 이격하며 형성될 수도 있다.A data line (not shown) for defining the pixel regions P1, P2, P3, and P4 intersects with the gate wiring (not shown) is formed on the interlayer insulating film 123 including the semiconductor layer contact hole 125 And power supply wiring (not shown) is formed apart from the data wiring (not shown). At this time, the power supply line (not shown) may be formed on the gate insulating layer 116 to be spaced apart from the gate line (not shown).

상기 층간절연막(123) 위로 각 구동영역(DA) 및 스위칭 영역(미도시)에는 서로 이격하며 상기 반도체층 콘택홀(125)을 통해 노출된 제 2 영역(113b)과 각각 접촉하며 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성되어 있다. 이때, 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136)과, 이들 두 전극(133, 136)과 각각 접촉하는 제 2 영역(113b)을 포함하는 반도체층(113)과, 상기 반도체층(113) 상부에 형성된 게이트 절연막(116) 및 게이트 전극(120)은 각각 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 이룬다. And a second region 113b which is spaced apart from each other in the driving region DA and the switching region (not shown) above the interlayer insulating layer 123 and exposed through the semiconductor layer contact hole 125, (133, 136) are formed. The semiconductor layer 113 includes the source and drain electrodes 133 and 136 and a second region 113b that is in contact with the two electrodes 133 and 136, The gate insulating film 116 and the gate electrode 120 are formed as a driving thin film transistor DTr and a switching thin film transistor (not shown), respectively.

이때, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과 전기적으로 연결되며 형성되고 있다. 상기 전원배선(미도시)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되고 있다. At this time, the switching thin film transistor (not shown) is electrically connected to the driving thin film transistor DTr, a gate wiring (not shown) and a data wiring (not shown). The power supply wiring (not shown) is connected to the driving thin film transistor DTr.

한편, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 상기 제 2 영역(113b)에 도핑되는 불순물에 따라 p타입 또는 n타입 박막트랜지스터를 이루게 된다. p타입 박막트랜지스터의 경우는 제 2 영역(113b)에 3족의 원소 예를들면 붕소(B)를 도핑함으로써 이루어지게 되며, 캐리어로서 정공이 이용된다. Meanwhile, the driving and switching thin film transistor DTr (not shown) forms a p-type or n-type thin film transistor according to impurities doped in the second region 113b. In the case of the p-type thin film transistor, the second region 113b is formed by doping a group III element such as boron (B), and holes are used as carriers.

따라서, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 연결되는 제 1 전극(147)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 타입에 따라 애노드 또는 캐소드 전극의 역할을 하게 되는 것이다. 본 발명의 제 1 실시예에 있어서는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과와 연결된 상기 제 1 전극(147)은 애노드 전극의 역할을 하게 되는 것이 특징이다. The first electrode 147 connected to the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr functions as an anode or a cathode electrode depending on the type of the driving thin film transistor DTr. In the first embodiment of the present invention, the first electrode 147 connected to the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr functions as an anode electrode.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어서는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 폴리실리콘의 반도체층(113)을 가지며 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 보텀 게이트 타입(Bottom gate type)으로 구성될 수도 있음은 자명하다. In the organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention, the driving thin film transistor DTr and the switching thin film transistor (not shown) have a polysilicon semiconductor layer 113 and a top gate type Top gate type). However, it is obvious that the driving and switching thin film transistor (DTr) (not shown) may be a bottom gate type having a semiconductor layer of amorphous silicon.

상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터가 보텀 게이트 타입으로 구성되는 경우, 그 적층구조는 게이트 전극/게이트 절연막/순수 비정질 실리콘의 액티브층과 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층으로 이루어진 반도체층과/서로 이격하는 소스 및 드레인 전극으로 이루어지게 된다. 이때, 게이트 배선은 상기 게이트 전극이 형성된 층에 상기 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극과 연결되도록 형성되며, 상기 데이터 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 소스 전극이 형성된 층에 상기 소스 전극과 연결되도록 형성되게 된다. When the driving and switching thin film transistors are configured as a bottom gate type, the laminated structure is separated from the active layer of the gate electrode / the gate insulating film / the pure amorphous silicon and the semiconductor layer composed of the ohmic contact layer of the impurity amorphous silicon / And a source electrode and a drain electrode. At this time, the gate wiring is formed to be connected to the gate electrode of the switching thin film transistor in the layer where the gate electrode is formed, and the data wiring is formed so as to be connected to the source electrode in the layer in which the source electrode of the switching thin film transistor is formed.

한편, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 위로는 전면에 평탄한 표면을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있다.On the other hand, a protective layer 140 having a flat surface over the entire surface of the driving and switching thin film transistor DTr (not shown) is formed.

또한, 평탄한 표면을 갖는 상기 보호층(140) 위로는 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)별로 순차 반복하는 형태로, 적, 녹, 청색의 안료를 포함하는 컬러 레지스트로서 일정한 제 1 두께를 가지며 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c)이 구비되고 있으며, 상기 청색 컬러필터 패턴(175c)이 형성된 화소영역과 이웃하는 화소영역(이하 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c)이 형성된 화소영역을 제 1, 2, 3 화소영역(P1, P2, P3)이라 정의하며, 상기 제 3 화소영역(P3)과 이웃하여 블루이쉬 화이트를 표시하는 화소영역을 제 4 화소영역(P4)이라 정의한다.)에는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가지며 청색 컬러필터 패턴(175d)이 형성되고 있는 것이 특징이다. 이하, 설명의 편의를 위해 제 1 두께의 청색 컬러필터 패턴을 제 1 청색 컬러필터 패턴(175c), 제 2 두께의 청색 컬러필터 패턴을 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)이라 정의한다. The protective layer 140 having a smooth surface is repeatedly formed for each pixel region P1, P2, P3, and P4 in a sequential manner. As a color resist including red, green, and blue pigments, Green, and blue color filter patterns 175a, 175b, and 175c, and pixel regions adjacent to the pixel regions in which the blue color filter patterns 175c are formed (hereinafter, And a pixel region adjacent to the third pixel region P3 and displaying blueish white is defined as a first pixel region P1, a second pixel region P2, and a third pixel region P3, (Hereinafter, referred to as a fourth pixel region P4) has a second thickness that is thinner than the first thickness and has a blue color filter pattern 175d. Hereinafter, for convenience of explanation, a blue color filter pattern having a first thickness is defined as a first blue color filter pattern 175c, and a blue color filter pattern having a second thickness is defined as a second blue color filter pattern 175d.

상기 제 1 두께를 갖는 상기 적, 녹 및 제 1 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c)과 상기 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)은 컬러필터층(175)을 이룬다.The red, green and first blue color filter patterns 175a, 175b and 175c having the first thickness and the second blue color filter pattern 175d form a color filter layer 175.

한편, 상기 제 1 두께는 1㎛ 내지 3㎛ 정도가 되며, 상기 제 2 두께는 상기 제 1 두께의 1/20 내지 1/5 수준이 되는 것이 특징이다. On the other hand, the first thickness is about 1 탆 to 3 탆, and the second thickness is about 1/20 to 1/5 of the first thickness.

다음, 상기 적, 녹, 제 1 청색 및 제 2 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c, 175d) 위로는 그 표면이 평탄한 구조를 가지며 무색 투명한 유기절연물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 평탄화층(145)이 형성되어 있다.Next, the planarization layer 145 (not shown) is formed on the red, green, blue and blue color filter patterns 175a, 175b, 175c and 175d with a smooth surface and a colorless transparent organic insulation material. Is formed.

이때, 상기 평탄화층(145)과 상기 보호층(140)에는 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)의 드레인 전극(136)을 각각 노출시키는 드레인 콘택홀(143)이 구비되고 있으며, 도면에 나타내지 않았지만, 평탄화층(145)과 상기 보호층(140)과 층간절연막(123)에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(120)을 노출시키는 게이트 콘택홀(미도시)이 구비되고 있다.A drain contact hole 143 is formed in the planarization layer 145 and the passivation layer 140 to expose the drain electrode 136 of the switching and driving thin film transistors (not shown) A gate contact hole (not shown) for exposing the gate electrode 120 of the driving thin film transistor DTr is formed in the planarization layer 145, the passivation layer 140, and the interlayer insulating layer 123 .

다음, 상기 드레인 콘택홀(143) 및 게이트 콘택홀(미도시)이 구비된 상기 평탄화층(145) 상부에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 접촉되며, 각 화소영역(P1, P2, P3, P4) 별로 제 1 전극(147)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 전극(147)은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지고 있는 것이 특징이다. 이때, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 평탄화층(145) 상부에는 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 드레인 전극(미도시)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(120)을 각각 노출시키는 드레인 콘택홀(143) 및 게이트 콘택홀(미도시)을 통해 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 드레인 전극(136)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(120)과 동시에 접촉하는 전극 연결패턴(미도시)이 형성되고 있다. Next, the drain electrode 136 of the driving TFT DTr and the drain contact hole 143 are formed on the planarization layer 145 having the drain contact hole 143 and the gate contact hole (not shown) And a first electrode 147 is formed for each of the pixel regions P1, P2, P3, and P4. The first electrode 147 may be made of a transparent conductive material having a relatively large work function value such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) Feature. A drain contact (not shown) for exposing the drain electrode (not shown) of the switching thin film transistor (not shown) and a gate electrode 120 of the driving thin film transistor DTr is formed on the planarization layer 145, An electrode connection pattern (not shown) which simultaneously contacts the drain electrode 136 of the switching thin film transistor (not shown) and the gate electrode 120 of the driving thin film transistor DTr through the hole 143 and the gate contact hole Not shown) are formed.

다음, 상기 제 1 전극(147) 위로 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)의 경계에는 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)을 둘러싸는 형태로 상기 제 1 전극(147)의 테두리와 중첩하며 뱅크(150)가 형성되어 있다. 이때, 상기 뱅크(150)는 유기절연물질 예를들면 폴리이미드(poly-imide), 포토아크릴(Photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어지거나, 또는 블랙을 나타내는 물질 예를들면 블랙수지로 이루어지는 것이 특징이다. Next, the first electrode 147 and the second electrode 147 are formed on the boundary of the pixel regions P1, P2, P3, and P4 and surrounding the pixel regions P1, P2, P3, And a bank 150 is formed. At this time, the bank 150 may be formed of any one of organic insulating materials such as polyimide, photo acryl and benzocyclobutene (BCB), or may be formed of a material showing black, for example, black And a resin.

상기 뱅크(150)로 둘러싸인 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)에 있어 상기 제 1 전극(147) 위로는 화이트를 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 발광층(155)이 형성되고 있다. The organic light emitting layer 155 is formed on each of the pixel regions P1, P2, P3, and P4 surrounded by the bank 150 to emit white light on the first electrode 147.

또한, 화이트를 발광하는 상기 유기 발광층(155) 위로는 화상을 표시하는 표시영역 전면에 제 2 전극(158)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 2 전극(158)은 캐소드 전극의 역할 및 반사판의 하도록 비교적 두꺼운 두께 일례로 500Å 내지 3000Å 정도의 두께를 가지며 일함수 값이 비교적 낮은 불투명 금속물질인 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg), 마그네슘-은 합금(MgAg) 중 어느 하나의 물질로 이루어지고 있는 것이 특징이다. A second electrode 158 is formed on the entire surface of the display region for displaying an image above the organic light emitting layer 155 that emits white light. At this time, the second electrode 158 functions as a cathode electrode and is made of aluminum (Al), an aluminum alloy (AlNd) having a relatively thick thickness for the reflection plate and a thickness of about 500 Å to about 3000 Å and an opaque metal material having a relatively low work function value ), Silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), aluminum-magnesium alloy (AlMg), and magnesium-silver alloy (MgAg).

한편, 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)에 순차 적층되며 구비된 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. The first electrode 147, the organic light emitting layer 155, and the second electrode 158, which are sequentially stacked on the pixel regions P1, P2, P3, and P4, form the organic light emitting diode E .

도면에 나타나지 않았지만, 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155) 사이 및 상기 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158) 사이에는 각각 상기 유기 발광층(155)의 발광 효율 향상을 위해 다층 구조의 제 1 발광보상층(미도시)과 제 2 발광보상층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다. Although not shown in the drawing, a multilayer structure (not shown) may be formed between the first electrode 147 and the organic emission layer 155, and between the organic emission layer 155 and the second electrode 158, A first light emission compensation layer (not shown) and a second emission compensation layer (not shown) may be further formed.

이때, 다층의 상기 제 1 발광보상층(미도시)은 상기 제 1 전극(147)으로부터 순차 적층되며 정공주입층(hole injection layer)과 정공수송층(hole transporting layer)으로 이루어지며, 또한, 상기 제 2 발광보상층(미도시)은 상기 유기 발광층(155)으로부터 전자수송층(electron transporting layer)과 전자주입층(electron injection layer)으로 이루어진다. 상기 다층 구조의 제 1 발광보상층(미도시)과 상기 제 2 발광보상층(미도시)은 상기 표시영역 전면에 판형태로 형성될 수도 있고, 또는 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)별로 분리 형성될 수도 있다.At this time, the first emission compensation layer (not shown) of a plurality of layers is sequentially stacked from the first electrode 147, and is composed of a hole injection layer and a hole transporting layer, 2 emission compensation layer (not shown) is composed of an electron transporting layer and an electron injection layer from the organic light emitting layer 155. The first emission compensation layer (not shown) and the second emission compensation layer (not shown) of the multi-layer structure may be formed in a plate shape on the entire surface of the display region, or may be formed in each pixel region P1, P2, P3, P4 ) May be separately formed.

한편, 전술한 구성을 갖는 제 1 기판(110)에 대응하여 인캡슐레이션을 위해 제 2 기판(170)이 구비되고 있으며, 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)의 사이에 그 테두리를 따라 씰패턴(미도시)이 구비됨으로서 상기 씰패턴(미도시)에 의해 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 170)이 고정되어 패널 상태를 이루거나, 또는 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(Frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 페이스 씰(미도시)이 공기층 없이 상기 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(170)과 완전 밀착되도록 개재되어 상기 페이스 씰(미도시)에 의해 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 170)이 고정되어 패널 상태를 이룸으로써 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)를 이루고 있다. A second substrate 170 is provided for encapsulation in correspondence with the first substrate 110 having the above-described configuration. The second substrate 170 is provided between the first substrate 110 and the second substrate 170, The first and second substrates 110 and 170 are fixed by the seal pattern (not shown) to form a panel state, or a transparent, A face seal (not shown) made of any one of a frit, an organic insulating material and a polymer material is interposed so as to be in intimate contact with the first substrate 110 and the second substrate 170 without an air layer, The first and second substrates 110 and 170 are fixed to form the panel state, thereby forming the organic light emitting device 101 according to the first embodiment of the present invention.

전술한 구성을 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 상기 유기 발광층(155)에서 발광된 빛이 상기 컬러필터층(175)을 통과하여 제 1 기판(110)면을 향하여 나오게 되는 하부발광 방식을 이루는 것이 특징이다.  In the organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention having the above-described configuration, light emitted from the organic light emitting layer 155 passes through the color filter layer 175, The light emitting device is characterized in that it forms a lower light emitting method which is directed toward the light emitting device.

또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 화이트를 표시하기 위한 제 4 화소영역(P1)에 적, 녹, 청색을 표시하기 위해 구비된 제 1 두께를 갖는 적, 녹 및 제 1 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c)보다 얇은, 더욱 정확히는 상기 제 1 두께의 1/20 내지 1/5 정도인 제 2 두께를 가져 색순도가 매우 낮은 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)이 구비되고 있는 것이 특징이다. The organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention includes red, green and blue phosphors having a first thickness for displaying red, green and blue in a fourth pixel region P1 for displaying white, A second blue color filter pattern having a very low color purity having a second thickness that is thinner than the rust and first blue color filter patterns 175a, 175b, 175c, more precisely about 1/20 to 1/5 of the first thickness 175d are provided.

따라서, 상기 화이트를 발광하는 유기발광층(155)으로부터 나온 빛은 상대적으로 매우 낮은 색순도를 갖는 상기 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)을 투과함으로써 블루이쉬한 화이트(BW)를 표시하게 된다. 이러한 블루이쉬한 화이트(BW)는 그 색온도가 9000K 정도가 되므로 표시장치에서 통상적으로 요구되는 색온도에 부합하게 되는 것이 특징이다.Therefore, light emitted from the organic light emitting layer 155 emitting white light passes through the second blue color filter pattern 175d having a relatively low color purity, thereby displaying bluish white (BW). Such blueish white (BW) has a color temperature of about 9000 K, which is characterized by meeting the color temperature ordinarily required in a display device.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 화이트를 표시하는 제 4 화소영역(P4)에 화이트 표현 시 9000K의 색온도를 갖는 화이트를 표현하기 위해 상대적으로 적, 녹, 제 1 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c)의 제 1 두께보다 얇은 즉, 상기 제 1 두께의 1/20 내지 1/5수준인 제 2 두께로서 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)을 형성한 것이 특징이다. The organic electroluminescent element 101 according to the first embodiment of the present invention may be applied to the fourth pixel region P4 displaying white in order to express white having a color temperature of 9000K in white representation, The second blue color filter pattern 175d is formed as a second thickness that is thinner than the first thickness of the blue color filter patterns 175a, 175b, and 175c, that is, 1/20 to 1/5 of the first thickness Feature.

따라서, 이러한 구성에 의해 상기 제 4 화소영역(P4)을 통해서는 9000K 수준의 색온도를 갖는 블루이쉬한 화이트(BW)를 표현할 수 있으며, 이에 의해 유기전계 발광소자(101)의 소비전력을 감소시킴과 동시에 화이트를 표시하는 제 4 화소영역(P4)에서의 외광 반사를 줄임으로써 명 대비비(ACR) 특성을 향상시킬 수 있는 것이 또 다른 특징이다.
Accordingly, blue-white (BW) having a color temperature of 9000K level can be expressed through the fourth pixel region P4 by this structure, thereby reducing the power consumption of the organic light emitting diode 101 (ACR) characteristic can be improved by reducing the reflection of external light in the fourth pixel region P4 displaying white simultaneously.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 적, 녹, 청색 및 화이트를 표시하는 4개의 화소영역에 대한 단면도이다. 이때, 설명의 편의를 위해 스위칭 박막트랜지스터가 형성될 영역을 스위칭 영역(미도시), 구동 박막트랜지스터가 형성될 영역을 구동영역(DA) 이라 정의한다. 또한, 본 발명에 따른 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 경우 컬러필터층 및 평탄화층이 제 2 기판에 형성된 것을 제외하면 그 외의 구성요소는 제 1 실시예와 동일하므로 차별점이 있는 부분 위주로 설명한다. 이때, 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였다.FIG. 3 is a cross-sectional view of four pixel regions representing red, green, blue, and white of an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention. Here, for convenience of description, a region where a switching thin film transistor is to be formed is defined as a switching region (not shown), and a region where a driving thin film transistor is formed is defined as a driving region DA. The organic electroluminescent device according to the second embodiment of the present invention has the same components as those of the first embodiment except that the color filter layer and the planarization layer are formed on the second substrate. do. At this time, the same constituent elements as those of the first embodiment are given the same reference numerals.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 상부 발광방식 유기전계 발광소자(101)의 제 1 기판(110)에는 전면에 버퍼층(111)이 형성되어 있으며, 상기 버퍼층 위로 각 화소영역(P)의 경계에 서로 교차하며 게이트 및 데이터 배선(미도시)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선(미도시) 또는 데이터 배선(미도시)과 이격하며 전원배선(미도시)이 형성되어 있다. As shown in the figure, a buffer layer 111 is formed on a first substrate 110 of a top emission type organic electroluminescent device 101 according to a second embodiment of the present invention, P, and a gate wiring and a data wiring (not shown) are formed. The power wiring (not shown) is formed so as to be spaced apart from the gate wiring (not shown) or the data wiring (not shown).

또한, 각 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과 연결되며 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 구비되고 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 전원배선(미도시)과 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.Each pixel region P is connected to the gate wiring (not shown) and the data wiring (not shown) and includes a switching thin film transistor (not shown). The switching thin film transistor (not shown) (Not shown), and a driving thin film transistor DTr is formed.

한편, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 위로는 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)의 드레인 전극(136)을 각각 노출시키는 드레인 콘택홀(143)과 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(미도시)을 노출시키는 게이트 콘택홀(미도시)을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있다.A drain contact hole 143 and a switching thin film transistor (not shown) for exposing the drain electrode 136 of the driving and switching thin film transistor DTr (not shown) are formed above the driving and switching thin film transistor DTr And a gate contact hole (not shown) exposing a gate electrode (not shown) of the gate electrode (not shown).

또한, 상기 드레인 콘택홀(143) 및 게이트 콘택홀(미도시)을 구비한 보호층(140) 위로는 각 화소영역(P1, P2, P3, P4) 별로 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 접촉하며 제 1 전극(147)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 전극(147)은 이중층 구조를 이루는 것이 특징이다. 이때, 상기 제 1 전극(147)의 상부층(147b)은 애노드 전극의 역할을 하며, 하부층(147a)은 반사판의 역할을 하는 것이 특징이다. On the protective layer 140 having the drain contact hole 143 and the gate contact hole (not shown), the drain electrode of the driving thin film transistor DTr is formed for each pixel region P1, P2, P3, And the first electrode 147 is formed through the drain contact hole 143 and the drain contact hole 143. At this time, the first electrode 147 has a bilayer structure. At this time, the upper layer 147b of the first electrode 147 serves as an anode electrode, and the lower layer 147a serves as a reflector.

즉, 상기 제 1 전극(147)의 상부층(147b)은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며, 상기 제 1 전극(147)의 하부층(147a)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로써 이루어짐으로써 상기 제 1 전극(147) 상부에 형성되는 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛을 상부로 반사시켜 발광효율을 향상시키는 역할을 하게 된다. The upper layer 147b of the first electrode 147 may be formed of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) having a relatively large work function value to serve as an anode electrode. And the lower layer 147a of the first electrode 147 is made of a metal material having excellent reflection efficiency such as aluminum (Al) or silver (Ag) And the light emitted from the light emitting layer 155 is reflected upward to improve the luminous efficiency.

다음, 상기 이중층 구조를 갖는 제 1 전극(147) 위로 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)의 경계에는 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)을 둘러싸는 형태로 상기 제 1 전극(147)의 테두리와 중첩하도록 뱅크(150)가 형성되어 있다. 이때, 상기 뱅크(150)은 일반적인 투명한 유기절연물질 예를들면 폴리이미드, 포토아크릴(Photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어질 수도 있으며, 또는 블랙을 나타내는 물질 예를들면 블랙수지로 이루어질 수도 있다. Next, the first electrode 147 having the bilayer structure is formed on the boundary of each pixel region P1, P2, P3, and P4 in a manner surrounding each pixel region P1, P2, P3, The bank 150 is formed so as to overlap with the edge of the bank 147. At this time, the bank 150 may be made of a common transparent organic insulating material such as polyimide, photo acryl, benzocyclobutene (BCB), or a black material such as a black resin .

또한, 상기 뱅크(150)로 둘러싸인 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)에 있어 상기 제 1 전극(147) 위로는 화이트를 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 발광층(155)이 형성되고 있으며, 상기 유기 발광층(155) 위로는 표시영역 전면에 제 2 전극(158)이 형성되어 있다. An organic light emitting layer 155 is formed on each of the pixel regions P1, P2, P3, and P4 surrounded by the bank 150 to emit white light on the first electrode 147, A second electrode 158 is formed on the entire surface of the organic emission layer 155.

상기 유기 발광층(155) 상부에 형성된 상기 제 2 전극(158)은 캐소드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 하나로 빛의 투과가 비교적 잘 이루어지도록 10Å 내지 200Å 정도의 두께를 갖도록 형성되는 것이 특징이다.The second electrode 158 formed on the organic light emitting layer 155 may be formed of a metal material having relatively low work function value such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), silver (Ag) (Mg), gold (Au), and aluminum magnesium alloy (AlMg) to have a thickness of about 10 Å to 200 Å so that light can be transmitted relatively easily.

한편, 각 화소영역(P1, P2, P3, P4)에 순차 적층되며 구비된 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. The first electrode 147, the organic light emitting layer 155, and the second electrode 158, which are sequentially stacked on the pixel regions P1, P2, P3, and P4, form the organic light emitting diode E .

도면에 나타나지 않았지만, 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155) 사이 및 상기 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158) 사이에는 각각 상기 유기 발광층(155)의 발광 효율 향상을 위해 제 1 실시예에서 제시된 바와같이, 다층 구조의 제 1 발광보상층(미도시)과 제 2 발광보상층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다. Although not shown in the figure, the first electrode 147 and the organic light emitting layer 155 are formed between the organic light emitting layer 155 and the second electrode 158, and between the first electrode 147 and the organic light emitting layer 155, As shown in the embodiment, a first luminescence compensation layer (not shown) and a second luminescence compensation layer (not shown) having a multilayer structure may be further formed.

한편, 전술한 구성을 갖는 제 1 기판(110)에 대응하여 제 2 기판(170)의 내측면에는 상기 제 1, 2, 3 화소영역(P1, P2, P3)에 각각 대응하여 1㎛ 내지 3㎛ 정도의 제 1 두께를 갖는 적, 녹 및 제 1 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c)이 구비되고 있으며, 상기 제 3 화소영역(P3)과 이웃한 제 4 화소영역(P4)에 대응해서는 제 1 두께의 1/20 내지 1/5 정도인 제 2 두께를 갖는 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)이 형성되고 있는 것이 특징이다. 이때, 상기 적, 녹, 제 1 청색 및 제 2 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c, 175d)은 컬러필터층(175)을 이룬다.On the other hand, on the inner surface of the second substrate 170 corresponding to the first substrate 110 having the above-described configuration, the first, second, and third pixel regions P1, P2, Green and first blue color filter patterns 175a, 175b and 175c having a first thickness of about 1 占 퐉 and corresponding to a fourth pixel region P4 adjacent to the third pixel region P3 A second blue color filter pattern 175d having a second thickness of about 1/20 to 1/5 of the first thickness is formed. At this time, the red, green, first blue and second blue color filter patterns 175a, 175b, 175c, and 175d form a color filter layer 175.

또한, 상기 적, 녹, 제 1 청색 및 제 2 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c, 175d)으로 이루어진 상기 컬러필터층(175)을 덮으며 상기 제 2 기판(170)의 전면에 평탄한 표면을 가지며 무색 투명한 유기절연물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 평탄화층(183)이 형성되어 있다.A flat surface is formed on the front surface of the second substrate 170 so as to cover the color filter layer 175 composed of the red, green, first blue and second blue color filter patterns 175a, 175b, 175c and 175d And a planarization layer 183 formed of a colorless transparent organic insulating material.

전술한 구성을 갖는 제 1 및 제 2 기판(110, 170)은, 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)의 사이에 그 테두리를 따라 씰패턴(미도시)이 구비됨으로서 상기 씰패턴(미도시)에 의해 고정되어 패널 상태를 이루거나, 또는 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(Frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 페이스 씰(미도시)이 공기층 없이 상기 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(170) 사이에 완전 밀착되어 개재된 후 접착되어 패널 상태를 이룸으로써 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)를 이루고 있다.  The first and second substrates 110 and 170 having the above-described configuration are provided with a seal pattern (not shown) along the rim between the first substrate 110 and the second substrate 170, A face seal (not shown) made of any one of frit, organic insulating material, and polymer material that is fixed by a pattern (not shown) to form a panel state, or is transparent and has adhesive property, The first substrate 110 and the second substrate 170. The organic EL device according to the second embodiment of the present invention is formed by bonding the first substrate 110 and the second substrate 170 with each other.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 상부발광 방식이 되며, 제 1 실시예와 동일하게 화이트를 표시하기 위한 제 4 화소영역(P4)에 적, 녹, 청색을 표시하기 위해 구비된 적, 녹 및 제 1 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c)의 제 1 두께의 1/20 내지 1/5 정도인 제 2 두께를 갖는 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)이 구비됨으로서 상기 화이트를 발광하는 유기 발광층(155)으로부터 나온 빛이 그 두께가 얇아 상대적으로 매우 낮은 색순도를 갖는 상기 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)을 투과함으로써 블루이쉬한 화이트(BW)를 표시하게 된다. The organic electroluminescent device 101 according to the second embodiment of the present invention having such a constitution becomes an upper light emitting type, and in the fourth pixel region P4 for displaying white as in the first embodiment, And a second blue color filter pattern 175 having a second thickness that is about 1/20 to 1/5 of the first thickness of the red, green, and first blue color filter patterns 175a, 175b, and 175c provided for displaying blue, The light emitted from the organic light emitting layer 155 that emits white light is transmitted through the second blue color filter pattern 175d having a relatively low color purity so as to be bluish white (BW ).

따라서, 제 4 화소영역(P4)에 의해 구현되는 이러한 블루이쉬한 화이트(BW)는 그 색온도가 9000K 정도가 되므로 표시장치에서 통상적으로 요구되는 색온도에 부합되며, 이에 의해 유기전계 발광소자(101)의 소비전력을 감소시킴과 동시에 화이트를 표시하는 제 4 화소영역(P4)에서의 외광 반사를 줄임으로써 명 대비비(ACR) 특성을 향상시킬 수 있다.
Accordingly, the bluish white BW realized by the fourth pixel region P4 has a color temperature of about 9000 K, which is in accordance with the color temperature ordinarily required in the display device, (ACR) characteristic can be improved by reducing the external light reflection in the fourth pixel region P4 displaying white.

이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 특징적인 부분인 제 1 두께를 갖는 적, 녹, 제 1 청색 및 제 2 청색 컬러필터 패턴을 포함하는 컬러필터층을 형성하는 방법에 대해 간단히 설명한다. 그 외의 구성요소는 일반적인 유기전계 발광소자의 제조 방법과 동일하므로 그 설명은 생략한다.Hereinafter, the organic electroluminescent device according to the first and second embodiments of the present invention having the above-described configuration, which includes the red, green, first blue and second blue color filter patterns having the first thickness, A method for forming the color filter layer will be briefly described. Other components are the same as those of a general organic electroluminescent device, and a description thereof will be omitted.

컬러필터층(175)을 이루는 구성요소 중 적 및 녹색 컬러필터 패턴(175a, 175b)은 각각 적색 및 녹색 레지스트를 제 1 실시예의 경우 상기 보호층(140) 위 또는 제 2 실시예의 경우 상기 제 2 기판(도 3의 170)상에 도포하여 컬러 물질층(미도시)을 형성한 후, 상기 적색 컬러필터 패턴(175a)의 경우 상기 제 1 화소영역(P1)에 대응하여 개구를 갖는 노광 마스크(미도시)를 이용하고, 상기 녹색 컬러필터 패턴(175b)의 경우 상기 제 2 화소영역(P2)에 대응하여 개구를 갖는 노광 마스크(미도시)를 이용하여 적정 시간 자외선을 조사하는 노광을 실시한 후, 노광된 상기 컬러 물질층(미도시)을 현상하고, 열처리하여 경화시킴으로서 제 1 두께를 갖는 적색 및 녹색 컬러필터 패턴(175a, 175b)을 형성할 수 있다.The red and green color filter patterns 175a and 175b among the constituent elements of the color filter layer 175 are formed on the protective layer 140 in the case of the first embodiment or on the protective layer 140 in the case of the second embodiment, (Not shown) having an opening corresponding to the first pixel region P1 in the case of the red color filter pattern 175a after a color material layer (not shown) (Not shown) having an opening corresponding to the second pixel area P2 in the case of the green color filter pattern 175b is used for exposure for an appropriate time ultraviolet ray, The exposed color material layer (not shown) is developed and cured by heat treatment to form red and green color filter patterns 175a and 175b having a first thickness.

한편, 제 1 두께를 갖는 제 1 청색 컬러필터 패턴(175c)과, 제 2 두께를 갖는 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)의 경우는, 청색 레지스트를 도포하여 컬러 물질층(미도시)을 형성하고, 제 3 화소영역(P3)에 대해 개구를 갖는 노광 마스크(미도시)를 이용하여 1차 노광을 실시한 후, 상기 제 3 개구(P3)에 대응하여 개구를 갖는 노광 마스크(미도시)를 쉬프트시켜 상기 개구가 상기 제 4 화소영역(P4)에 대응되도록 정렬시킨 후 2차 노광을 실시하고, 이후 현상 및 경화 공정을 진행함으로써 제 1 두께의 제 1 청색 컬러필터 패턴(175c)과 제 2 두께의 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)을 형성할 수 있다. On the other hand, in the case of the first blue color filter pattern 175c having the first thickness and the second blue color filter pattern 175d having the second thickness, a blue color resist is applied to form a color material layer (not shown) And an exposure mask (not shown) having an opening corresponding to the third opening P3 is formed on the third pixel region P3 after performing a first exposure using an exposure mask The second color filter pattern 175c having the first thickness and the second color filter pattern 175c having the first thickness are formed by performing the second exposure and then performing the developing and curing process, A second blue color filter pattern 175d having a predetermined thickness can be formed.

이때, 상기 1차 노광과 2차 노광은 노광량을 달리하는 것이 특징이다. 즉, 1차 노광과 2차 노광은 노광 시간을 조절하거나 또는 노광 장치의 노광 세기를 조절함으로서 제 3 화소영역(P3)에 대응하는 컬러 물질층(미도시)과 제 4 화소영역(P4)에 대응하는 컬러 물질층(미도시)에 단위 면적당 조사되는 노광량을 달리할 수 있다. At this time, the primary exposure and the secondary exposure are characterized by varying exposure amounts. In other words, the primary exposure and the secondary exposure are performed by controlling the exposure time or adjusting the exposure intensity of the exposure apparatus, so that the color material layer (not shown) corresponding to the third pixel region P3 and the fourth pixel region P4 The amount of exposure to be irradiated per unit area may be different in the corresponding color material layer (not shown).

일례로 제 1 두께를 갖는 적, 녹 및 제 1 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c) 형성을 위한 노광 시는 단위면적당 노광량이 100mJ 정도가 되도록 노광을 실시하고, 제 2 두께를 갖는 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d) 형성을 위한 노광 시는 단위 면적당 노광량이 5mJ 내지 20mJ정도가 되도록 노광을 실시한 후, 현상 및 경화를 진행함으로서 전술한 바와같은 제 1 두께의 적, 녹, 제 1 청색 컬러필터 패턴(175a, 175b, 175c)과, 제 2 두께를 갖는 제 2 청색 컬러필터 패턴(175d)을 형성할 수 있다.For example, the exposure is performed so that the exposure amount per unit area is about 100 mJ at the time of exposure for forming the red, green and first blue color filter patterns 175a, 175b and 175c having the first thickness, The exposure for forming the blue color filter pattern 175d is performed such that the exposure amount per unit area is about 5 mJ to 20 mJ, and then development and curing are carried out so that the red, green and first blue color of the first thickness The filter patterns 175a, 175b and 175c and the second blue color filter pattern 175d having the second thickness can be formed.

이러한 구성을 갖는 컬러필터층을 형성하는 공정 이외의 타 구성요소를 형성하는 공정은 일반적인 유기전계 발광소자를 제조하는 방법과 동일하게 진행되므로 그 설명은 생략한다.
The steps of forming the other components other than the step of forming the color filter layer having the above-described structure are the same as those of the general method of manufacturing an organic electroluminescent device, and therefore the description thereof is omitted.

110 : 제 1 기판 113 : 반도체층
113a : 제 1 영역 113b : 제 2 영역
116 : 게이트 절연막 120 : (구동 박막트랜지스터의)게이트 전극
123 : 층간절연막 125 : 반도체층 콘택홀
133 : (구동 박막트랜지스터의)소스 전극
136 : (구동 박막트랜지스터의)드레인 전극
140 : 보호층 143 : 드레인 콘택홀
145 : 평탄화층 147 : 제 1 전극
150 : 뱅크 155 : 유기 발광층
158 : 제 2 전극 170 : 제2기판
175 : 컬러필터층 175a, 175b : 적 및 녹색 컬러필터 패턴
175c : 제 1 청색 컬러필터 패턴 175d : 제 2 청색 컬러필터 패턴
DA : 구동영역 DTr : 구동 박막트랜지스터
E : 유기전계 발광 다이오드 P1, P2, P3, P4 : 제 1, 2, 3, 4 화소영역110: first substrate 113: semiconductor layer
113a: first region 113b: second region
116: gate insulating film 120: gate electrode (of the driving thin film transistor)
123: interlayer insulating film 125: semiconductor layer contact hole
133: source electrode (of the driving thin film transistor)
136: drain electrode (of the driving thin film transistor)
140: protective layer 143: drain contact hole
145: planarization layer 147: first electrode
150: bank 155: organic light emitting layer
158: second electrode 170: second substrate
175: Color filter layer 175a, 175b: Red and green color filter pattern
175c: first blue color filter pattern 175d: second blue color filter pattern
DA: driving region DTr: driving thin film transistor
E: organic electroluminescent diode P1, P2, P3, P4: first, second, third and fourth pixel regions

Claims (10)

제 1, 2, 3, 4 화소영역이 정의된 제 1 기판과;
상기 각 화소영역 내에 형성된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터와;
상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터 위로 평탄한 표면을 가지며 형성된 보호층과;
상기 보호층 위로 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 각각 제 1 두께를 가지며 형성된 적, 녹 및 제 1 청색 컬러필터 패턴과;
상기 보호층 위로 상기 제 4 화소영역에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가지며 형성된 제 2 청색 컬러필터 패턴과;
상기 적, 녹, 제 1 청색 및 제 2 청색 컬러필터 패턴을 덮으며 평탄한 표면을 가지며 형성된 무색 투명한 평탄화층과;
상기 평탄화층 상부로 상기 제 1, 2, 3, 4 화소영역 각각에 형성된 화이트를 발광하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 다이오드와;
상기 제 1 기판과 대응하여 합착된 제 2 기판
을 포함하는 유기전계 발광소자.
A first substrate having first, second, third, and fourth pixel regions defined therein;
A switching and driving thin film transistor formed in each pixel region;
A protective layer having a flat surface over the switching and driving thin film transistors;
Green, and blue color filter patterns having a first thickness on the first, second, and third pixel regions, respectively, over the protective layer;
A second blue color filter pattern formed on the protection layer to have a second thickness in the fourth pixel region that is thinner than the first thickness;
A colorless transparent planarization layer covering the red, green, and blue first and second blue color filter patterns and having a planar surface;
An organic light emitting diode (OLED) emitting white light formed on each of the first, second, third, and fourth pixel regions on the planarization layer;
The second substrate, which is attached and fixed in correspondence with the first substrate,
And an organic electroluminescent device.
제 1 항에 있어서,
상기 유기전계 발광 다이오드 내부에서 발생된 빛이 상기 제 1 기판을 향하여 출사되는 하부 발광 방식인 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1,
Wherein the organic light emitting diode is a bottom emission type in which light generated in the organic light emitting diode is emitted toward the first substrate.
제 1, 2, 3, 4 화소영역이 정의된 제 1 기판과;
상기 각 화소영역 내에 형성된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터와;
상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터 위로 평탄한 표면을 가지며 형성된 보호층과;
상기 보호층 위로 상기 제 1, 2, 3, 4 화소영역 각각에 형성된 화이트를 발광하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 다이오드와;
상기 제 1 기판과 마주하며 위치하는 제 2 기판과;
상기 제 2 기판의 내측면에 상기 제 1, 2, 3 화소영역에 각각 제 1 두께를 가지며 형성된 적, 녹 및 제 1 청색 컬러필터 패턴과;
상기 제 2 기판의 내측면에 상기 제 4 화소영역에 대응하여 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가지며 형성된 제 2 청색 컬러필터 패턴과;
상기 적, 녹, 제 1 청색 및 제 2 청색 컬러필터 패턴을 덮으며 평탄한 표면을 가지며 형성된 무색 투명한 평탄화층
을 포함하는 유기전계 발광소자.
A first substrate having first, second, third, and fourth pixel regions defined therein;
A switching and driving thin film transistor formed in each pixel region;
A protective layer having a flat surface over the switching and driving thin film transistors;
An organic light emitting diode emitting white light formed on each of the first, second, third and fourth pixel regions on the protective layer;
A second substrate facing the first substrate;
Green, and blue color filter patterns formed on the inner surface of the second substrate with a first thickness in the first, second, and third pixel regions, respectively;
A second blue color filter pattern formed on an inner surface of the second substrate to have a second thickness corresponding to the fourth pixel region and thinner than the first thickness;
A colorless transparent planarizing layer covering the red, green, first blue and second blue color filter patterns and having a flat surface,
And an organic electroluminescent device.
제 3 항에 있어서,
상기 유기전계 발광 다이오드 내부에서 발생된 빛이 상기 제 2 기판을 향하여 출사되는 상부 발광 방식인 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method of claim 3,
Wherein the organic light emitting diode is a top emission type in which light generated in the organic light emitting diode is emitted toward the second substrate.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 두께는 1㎛ 내지 3㎛ 이며, 상기 제 2 두께는 상기 제 1 두께의 1/20 내지 1/5 인 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1 or 3,
Wherein the first thickness is 1 占 퐉 to 3 占 퐉 and the second thickness is 1/20 to 1/5 of the first thickness.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 4 화소영역을 통해서는 색온도가 9000K 이상인 블루이쉬한 화이트가 표현되는 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1 or 3,
And blueish white having a color temperature of 9000K or more is displayed through the fourth pixel region.
청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 7 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 기판의 제 1, 2, 3, 4 화소영역 각각의 경계에는 서로 교차하는 게이트 배선과 데이터 배선이 구비되며, 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선과 나란하게 배치된 전원배선이 구비된 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1 or 3,
A gate wiring and a data wiring intersecting each other are formed at boundaries of the first, second, third, and fourth pixel regions of the first substrate, and power wiring lines arranged in parallel with the gate wiring or the data wiring are provided. Organic electroluminescent device.
청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 8 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 유기전계 발광 다이오드는, 상기 각 화소영역에 순차 적층된 제 1 전극과 유기 발광층과 화상을 표시하는 표시영역의 전면에 형성된 제 2 전극으로 이루어지며, 상기 제 1 전극은 상기 각 화소영역에 형성된 상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1 or 3,
Wherein the organic light emitting diode comprises a first electrode sequentially stacked in each pixel region, and a second electrode formed on an entire surface of the organic light emitting layer and a display region displaying an image, wherein the first electrode is formed in each pixel region And the organic thin film transistor is connected to the driving thin film transistor.
청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 9 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 8 항에 있어서,
상기 보호층 위로 상기 각 화소영역의 경계에는 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 상기 유기 발광층을 둘러싸는 형태로 뱅크가 형성된 것이 특징인 유기전계 발광소자.
9. The method of claim 8,
Wherein a bank is formed at a boundary of each of the pixel regions on the protective layer so as to surround the edge of the first electrode and surround the organic light emitting layer.
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 10 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 9 항에 있어서,
상기 뱅크는 블랙을 나타내는 물질로 이루어지거나 또는 투명한 유기절연물질로 이루어진 것이 특징인 유기전계 발광소자. 10. The method of claim 9,
Wherein the bank is made of a material that is black or a transparent organic insulating material.
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