JP2007234390A - 有機elパネルの製造方法及びその製造装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板サイズが大きい場合でも、パネル面内における有機膜の膜厚ばらつきを低減し、パネル発光むらが低減された有機ELパネルを製造する。
【解決手段】有機ELパネルの製造方法は、基板10上に有機EL材料を含む塗布液を塗布することにより塗布膜55aを形成する塗布工程と、基板10を、チャンバー690内でステージ610上に載置し、基板10に対向するように配置されると共に複数の開口部623が設けられた蓋部621と基板10の周囲を囲む側壁部622とを有するキャップ620で覆った状態で、チャンバー690内の気体を排気することにより塗布膜55aを乾燥させる乾燥工程とを備える。
【選択図】図7

Description

本発明は、有機EL(Electro-Luminescence)パネルの製造方法及び装置の技術分野に関する。
この種の有機ELパネルの製造方法では、有機ELの画素は、基板上の画素領域に、インクジェット法等を用いて、液体状の高分子有機材料を塗布して有機膜を形成し、次いで、その基板を乾燥処理することで溶媒を除去し、有機膜を硬化させる乾燥工程を有して形成される(例えば、特許文献1参照)。従来、このような有機膜を硬化させる硬化乾燥方法としては、減圧状態で乾燥させる減圧乾燥が用いられることが多い。例えば、有機膜が塗布された複数のウェハは、気密に構成された減圧乾燥装置の炉をなすオーブンの内部に収容される。オーブンの内部は、負圧に設定され、その内部にガスが供給され、熱線等により温度を上げると共に、そのオーブン内で発生した熱気流を排気口から排気され得るようになっている(例えば、特許文献2から4参照)。
特開2005−310709号公報 特開平7−183206号公報 特開平5−315236号公報 特開2002−246305号公報
ところで、このような減圧乾燥によって有機膜を硬化させる場合、基板の周囲から乾燥が進むため、基板の中央部、周辺部での乾燥速度の違いによる膜厚ばらつきが生じるおそれがあるという技術的問題点がある。特に、基板サイズが大きい程、このような膜厚ばらつきが大きくなり易く、面内の膜厚均一性を得ることが困難であるという技術的問題点がある。
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、基板サイズが大きい場合でも、パネル面内における有機膜の膜厚ばらつきを低減でき、パネル発光むらが低減された有機ELパネルを製造するための有機ELパネルの製造方法及び装置を提供することを課題とする。
本発明の第1の有機ELパネルの製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に有機EL材料を含む塗布液を塗布することにより塗布膜を形成する塗布工程と、前記基板を、チャンバー内でステージ上に配置し、前記基板に対向するように配置されると共に複数の開口部が設けられた蓋部と前記基板の周囲を囲む側壁部とを有する排気調整具で覆った状態で、前記チャンバー内の気体を排気することにより前記塗布膜を乾燥させる乾燥工程とを備える。
本発明の第1の有機ELパネルの製造方法によれば、例えばインクジェット法(即ち、液滴吐出法)等の塗布法を用いて塗布液を、例えば各画素に個別に複数の凹部が設けられた基板上に塗布することにより塗布膜を形成する。このように形成された塗布膜を乾燥させることによって、例えば凹部毎に互いに電気的に分離された発光層を形成する。このような発光層は互いに独立して発光でき、例えば複数の凹部の各々に赤色、緑色及び青色の各々の色に発光する有機EL材料を含む塗布液を塗り分けて発光層を形成することで、フルカラーの画像表示が可能となる。
本発明の第1の有機ELパネルの製造方法では特に、基板を、チャンバー内でステージ上に載置し、基板に対向するように配置されると共に複数の開口部が設けられた蓋部と基板の周囲を囲む側壁部とを有する排気調整具で覆った状態で、チャンバー内の気体を排気することにより塗布膜を真空或いは減圧乾燥させる。即ち、先ず、基板上に塗布液を塗布した後、塗布膜が形成された基板をチャンバー内のステージ上に載置する。次に、例えば同じ形状を有する複数の開口部が例えば等間隔で設けられた蓋部と蓋部の周囲を囲むように設けられた側壁部とを有する排気調整具で、基板を覆う。排気調整具は、例えばキャップ状の部材からなり、以下のように、塗布膜を乾燥する際の排気速度或いは排気方向を調整する機能を有する。即ち、基板の塗布膜が形成された基板面は、複数の開口部が設けられた蓋部によって覆われ、基板の周囲は、側壁部によって囲まれる。次に、このように基板を複数の開口部が設けられた排気調整具で覆った状態で、チャンバー内の気体を排気することにより、塗布膜を乾燥させる、即ち、塗布膜に含まれる溶媒を除去する。よって、塗布膜に含まれる溶媒が気化した気体を、排気調整具の内部から複数の開口部を介して排気調整具の外部へ排気させ、更にチャンバー外へと排気させることができる。即ち、基板をこのような複数の開口部が設けられた排気調整具によって覆うことにより、塗布膜に含まれる溶媒が気化した気体(即ち、溶媒が蒸発した溶媒蒸気)を排気する排気方向或いは排気速度を、基板面内における位置によらず殆ど一定にする、即ち均一にすることができる。より具体的には、例えばチャンバー内の気体を排気するために生じ得る、例えば基板面に沿った排気の流れを、排気調整具(特にその側壁部)によって、排気調整具の内部で殆ど或いは全く発生しないようにすることができる。即ち、例えばチャンバー内における基板の配置或いはチャンバー内の気体をチャンバー外へ排気するための排気口の位置等によらず、塗布膜を基板面内で殆ど均一に乾燥させることができる。更に、塗布膜に含まれる溶媒が気化した気体は、排気調整具の内部から複数の開口部を介して排気調整具の外部へと排気されるので、排気方向は、例えば塗布膜が形成された基板面から複数の開口部が設けられた蓋部へ向けた方向で一定とすることができる。加えて、複数の開口部の形状或いは配置によって排気速度を調節することも可能である。即ち、仮に、このような複数の開口部が設けられた排気調整具で基板を覆わない場合に生じ得る排気速度或いは排気方向の差異に起因して、塗布膜の基板面における位置によって乾燥速度がばらついてしまうことを抑制或いは防止できる。よって、塗布膜が乾燥して形成される発光層の膜厚が不均一になってしまうことを抑制或いは防止できる、即ち、発光層のばらつきを抑制できる。また基板サイズが大きい場合であっても基板面内の塗布膜を均一に乾燥でき、発光層の膜厚のばらつきを抑制できる。
仮に、排気調整具によって基板を覆わないで、塗布膜の真空或いは減圧乾燥を行うとすれば、塗布膜の表面からの溶媒蒸気がチャンバー内の開放空間中に蒸発することとなる。この際、溶媒の蒸発速度は、チャンバーの排気口に近い側ほど大きくなってしまったり、或いはチャンバー形状によりチャンバー内で差異が生じてしまったりするおそれがある。このため、塗布膜の基板面における位置によって溶媒の除去速度(即ち、乾燥速度)が大きく異なってしまうおそれがある。これにより、特に大型パネルにおいて、パネル面内の発光むらが生じてしまうおそれがある。しかるに本発明によれば、上述の如き排気調整具によって基板を覆った状態で、塗布膜の真空或いは減圧乾燥を行うので、排気調整具内の空間の対流或いは拡散を通じて溶媒の蒸発が行われることとなる。このため、塗布膜の溶媒を、塗布膜の基板面における位置によらず、殆ど均一に蒸発させることができる。言い換えれば、排気調整具によって基板を覆うことにより、塗布膜の溶媒を、比較的狭い空間で乾燥させることができると共に、塗布膜表面の溶媒蒸気の対流或いは拡散を均一にすることができる。その結果、塗布膜の基板面における位置によって乾燥速度がばらついてしまうことを抑制或いは防止できる。
以上説明したように、本発明の第1の有機ELパネルの製造方法によれば、塗布膜を基板面内で殆ど均一に乾燥させることができ、パネル面内における発光むらが低減された高品位の画像表示の可能な有機ELパネルを製造することができる。
尚、本発明に係る「排気調整具」とは、上述したような、基板上における排気速度或いは排気方向を均一にし、乾燥速度を均一にするための道具或いは部品を意味する。このため、「排気調整具」は、排気速度或いは排気方向を均一にする「排気均一手段」、又は乾燥速度を均一にする「乾燥速度均一手段」などと言い換えることも可能である。
本発明の第1の有機ELパネルの製造方法の一態様では、前記塗布液は、沸点が200℃以上である高沸点溶媒を含む。
この態様によれば、例えばインクジェット法等による塗布の形成に適した高沸点溶媒が含まれるので、排気調整具によって一層効果的に塗布膜を基板面内で殆ど或いは均一に乾燥させることができる。
本発明の第1の有機ELパネルの製造方法の他の態様では、前記複数の開口部は、前記蓋部において均一に形成される。
この態様によれば、複数の開口部は、典型的には、互いに同じ形状で且つ等間隔で形成される。よって、塗布膜に含まれる溶媒が気化した気体を排気する排気方向或いは排気速度を、基板面内における位置によらず殆ど一定にすることが確実にできる。従って、塗布膜が乾燥されて形成される発光層の膜厚を均一にすることができ、パネル面内における発光むらを一層確実に低減或いは防止できる。ここで、「蓋部において均一」とは、複数の開口部が互いに同じ形状であり、蓋部における複数の開口部の個数の密度が同じ場合や、複数の開口部が互いに異なる形状であり、蓋部における一定面積に対する複数の開口部が形成される面積の割合が、一定面積毎に同じ場合を意味する。
本発明の第1の有機ELパネルの製造方法の他の態様では、前記複数の開口部の各々の開口面積は、前記基板の中央部に近い程大きい。
この態様によれば、基板の中央部付近の気体の排気速度を、基板の周辺部付近の気体の排気速度よりも大きくすることができる。よって、塗布膜のうち、基板の中央部上に形成された部分と、基板の周辺部に形成された部分とが夫々乾燥される乾燥速度の差を小さくすることができる。尚、ここで「開口部の開口面積」とは、基板の法線方向から見て、開口部が形成されている領域の面積を意味する。
本発明の第1の有機ELパネルの製造方法の他の態様では、前記乾燥工程は、前記ステージの温度を、前記塗布膜の表面温度よりも高い第1所定温度に維持するように制御すると共に、前記排気調整具の温度を、前記表面温度よりも高い第2所定温度に維持するように制御する。
この態様によれば、ステージの温度は、塗布膜の表面温度よりも高い第1所定温度に維持されるので、基板を介して塗布膜を加熱することができ、塗布膜の乾燥を促進することができる。更に、排気調整具の温度が、塗布膜の表面温度よりも高い第2所定温度に維持されるので、塗布膜に含まれる溶媒が蒸発した気体が、排気調整具によって冷やされて結露してしまうことを低減或いは防止できる。このため、塗布膜の乾燥を促進すると共に、塗布膜の基板面内における乾燥むらをより一層低減できる。
更に、高沸点溶媒を用いるインクジェット法等により形成された塗布膜は、加熱のみで溶媒を完全に除去することが困難であり、真空乾燥する工程が必要となる。仮に、真空乾燥工程と熱ベーク工程を別々のチャンバーで行うとすれば、工程数が増加してしまうし、工程間を移動させる必要が出てきてしまう。更に、塗布膜の表面における溶媒蒸気の対流或いは拡散の制御が困難になってしまう。しかるに本態様によれば、基板を排気調整具で覆った状態で、ステージ及び排気調整具を加熱するので、排気調整具内の限られた空間で溶媒を蒸発させることができ、空間内の対流或いは拡散を基板(即ちパネル)全体で均一にすることができる。
上述したステージ及び排気調整具の各々の温度を維持するように制御する態様では、前記第1所定温度は、前記基板の中央部に近い程高いようにしてもよい。
この場合には、塗布膜を、基板の中央部に近い程加熱することができる。よって、塗布膜のうち、基板の中央部上に形成された部分と、基板の周辺部に形成された部分とが夫々乾燥される乾燥速度の差を小さくすることができる。
上述したステージ及び排気調整具の各々の温度を維持するように制御する態様では、前記ステージと前記側壁部と間に、互いに熱が移動するのを妨げる断熱部材が設けられてもよい。
この場合には、ステージ及び排気調整具の各々の温度を互いに独立して確実に制御することが可能となるので、塗布膜のうち、基板の中央部上に形成された部分と、基板の周辺部上に形成された部分とが夫々乾燥される乾燥速度の差をより一層小さくすることができる。
本発明の第2の有機ELパネルの製造方法は上記課題を解決するために、基板上に有機EL材料を含む塗布液を塗布することによって塗布膜を形成する塗布工程と、前記基板を、チャンバー内でステージ上に載置し、前記ステージの温度を所定温度に保つように制御した状態で、前記チャンバー内の気体を排気することにより前記塗布膜を乾燥させる乾燥工程とを備える。
本発明の第2の有機ELパネルの製造方法によれば、上述した第1の有機ELパネルの製造方法と概ね同様に、塗布膜を乾燥させることによって発光層を形成する。
本発明の第2の有機ELパネルの製造方法では特に、基板を、チャンバー内でステージ上に配置し、ステージの温度を所定温度に保つように制御した状態で、チャンバー内の気体を排気することにより塗布膜を乾燥させる。よって、ステージの温度は、塗布膜の表面温度よりも高い所定温度に維持されるので、基板を介して塗布膜を加熱することができる。従って、塗布膜の乾燥を促進すると共に、塗布膜の基板面内における乾燥むらを低減できる。
本発明の第2の有機ELパネルの製造方法の一態様では、前記所定温度は、前記基板の中央部に近い程高い。
この態様によれば、塗布膜を、基板の中央部に近い程加熱することができる。よって、塗布膜のうち、基板の中央部上に形成された部分と、基板の周辺部に形成された部分とが夫々乾燥される乾燥速度の差を小さくすることができる。
本発明の第1の有機ELパネルの製造装置は上記課題を解決するために、基板上に有機EL材料を含む塗布液が塗布されることによって塗布膜が形成された後に、前記塗布膜を乾燥させる有機ELパネルの製造装置であって、前記基板を載置するためのステージと、前記基板の上方を覆うと共に複数の開口部が設けられた蓋部と前記基板の周囲を囲む側壁部とを有する排気調整具と、前記ステージ及び前記排気調整具が内部に配設されるチャンバーと、前記チャンバー内の気体を排気する排気手段とを備える。
本発明の第1の有機ELパネルの製造装置によれば、上述した本発明の第1の有機ELパネルの製造方法と同様に、塗布膜を基板面内で均一に乾燥させることができ、パネル面内における発光むらが低減或いは防止された高品位の画像表示の可能な有機ELパネルを製造することができる。
本発明の第2の有機ELパネルの製造装置は上記課題を解決するために、基板上に有機EL材料を含む塗布液が塗布されることによって塗布膜が形成された後に、前記塗布膜を乾燥させる有機ELパネルの製造装置であって、前記基板を載置するためのステージと、前記ステージの温度を所定温度に保つように制御する温度制御手段と、前記ステージが内部に配設されるチャンバーと、前記チャンバー内の気体を排気する排気手段とを備える。
本発明の第2の有機ELパネルの製造装置によれば、上述した本発明の第2の有機ELパネルの製造装置と同様に、塗布膜の表面温度よりも高い所定温度に維持されたステージによって、基板を介して塗布膜を加熱することができる。従って、塗布膜の乾燥を促進すると共に、塗布膜の基板面内における乾燥むらを低減できる。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態に係る有機ELパネルの製造方法及び装置について、図1から図12を参照して説明する。
<有機ELパネルの全体構成>
先ず、本発明の有機ELパネルの製造方法を適用することのできる有機ELパネルの全体構成について、図1を参照して説明する。ここに図1は、有機ELパネルの全体構成を示すブロック図である。ここでは、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式の有機ELパネルを例にとる。
図1において、有機ELパネル100の画像表示領域110には、縦横に配線されたデータ線114及び走査線112が設けられており、それらの交点に対応する各画素部70はマトリクス状に配列されている。更に、画像表示領域110には各データ線114に対して配列された画素部70に対応する電源供給線117が設けられている。
画像表示領域110の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路130及びデータ線駆動回路150が設けられている。走査線駆動回路130は複数の走査線112に走査信号を順次供給する。データ線駆動回路150は、画像表示領域110に配線されたデータ線114に画像信号を供給する。尚、走査線駆動回路130の動作と、データ線駆動回路150の動作とは、外部回路から供給される同期信号160によって相互に同期が図られる。電源供給線117には、外部回路から画素駆動用電源が供給される。図1中、一つの画素部70に着目すれば、画素部70には、有機EL素子72が設けられると共に、例えばTFTを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ76及び駆動用トランジスタ74、並びに保持容量78が設けられている。スイッチング用トランジスタ76のゲート電極には走査線112が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ76のソース電極にはデータ線114が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ76のドレイン電極には駆動用トランジスタ74のゲート電極が電気的に接続されている。駆動用トランジスタ74のソース電極には、電源供給線117が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ74のドレイン電極には有機EL素子72の陽極が電気的に接続されている。尚、図1に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。
<画素部の構成>
次に、画素部70の具体的な構成について、図2及び図3を参照して説明する。ここに図2は、任意の画素部の平面図であり、図3は、図2のA−A´線での断面図である。尚、図2及び図3においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
図2及び図3において、例えば透明樹脂やガラス基板等の透明部材により構成される基板10上には、スイッチング用トランジスタ76及び駆動用トランジスタ74の半導体層3が形成されている。半導体層3は例えば低温ポリシリコン技術を用いて形成される。半導体層3上には、半導体層3を埋め込んで、スイッチング用トランジスタ76及び駆動用トランジスタ74のゲート絶縁層2が形成されている。ゲート絶縁層2上に、駆動用トランジスタ74のゲート電極3a及び走査線112が形成されている。走査線112の一部は、スイッチング用トランジスタ76のゲート電極として形成されている。ゲート電極3a及び走査線112は、Al(アルミニウム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)、Ti(チタン)、銅(Cu)等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成されている。走査線112や駆動用トランジスタ74のゲート電極3aを埋め込んで、ゲート絶縁層2上には層間絶縁層41が形成されている。層間絶縁層41及びゲート絶縁層2は例えばシリコン酸化膜から構成されている。
層間絶縁層41上には、例えばアルミニウム(Al)又はITO(Indium Tin Oxide)を含む導電材料から夫々構成される、データ線114及び電源供給線117、更には駆動用トランジスタ74のドレイン電極42が形成されている。層間絶縁層41には、層間絶縁層41の表面から層間絶縁層41及びゲート絶縁層2を貫通して、駆動用トランジスタ74の半導体層3に至るコンタクトホール501及び502が形成されている。
図3に示すように、電源供給線117及びドレイン電極42を構成する導電膜は、コンタクトホール501及び502の各々の内壁に沿って半導体層3の表面に至るように連続的に形成されている。保持容量78の下部容量電極は、走査線112と同一の層に、例えば同様の材料を用いて形成され、電源供給線117の一部が保持容量78の上部容量電極として形成されている。層間絶縁層41は誘電体膜として形成されており、層間絶縁層41の一部分が下部容量電極及び上部容量電極の間に挟持される。
層間絶縁層41上には、電源供給線117及びドレイン電極42を埋め込んで、保護層45として例えばシリコン窒化膜(SiN)が形成されている。保護層45上には、例えばシリコン酸化膜よりなる第1バンク層46が形成され、更に第1バンク層46上に第2バンク層47が形成されている。第1バンク層46及び第2バンク層47によって、画素部70における有機EL層50の形成領域が規定されている。
有機EL層50の形成領域に、その表面が露出するように、保護層45上に陽極34が形成されている。陽極34は、透明性導電材料としてITOを用いて、有機EL層50の形成領域から延びてドレイン電極42の一部と重畳するように形成されている。
有機EL層50の形成領域において、陽極34上には有機EL層50が形成されている。有機EL層50は、発光層50a及び正孔注入層50bを含んでいる。有機EL層50において、基板10上に、正孔注入層50b及び発光層50aは、この順に順次積層されている。尚、有機EL層50は、正孔輸送層を含むようにしてもよいし、電子注入層又は電子輸送層(以下適宜、電子注入/輸送層と称する)を含むようにしてもよい。或いは、有機EL層50は、発光層50aのみを含むようにしてもよい。
有機EL素子72は、陽極34及び陰極49と、陽極34及び陰極49間に挟持される有機EL層50を含む。尚、図3には封止基板について図示を省略してある。陰極49は、例えばアルミニウム(Al)を含む金属材料を用いて形成されるか、又はカルシウム(Ca)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化ストロンチウム(SrF2)、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成された導電膜の積層膜として形成されている。
有機ELパネルの駆動時、走査線112を介して走査信号が供給されることにより、スイッチング用トランジスタ76がオン状態になる。スイッチング用トランジスタ76がオン状態となると、データ線114より画像信号が保持容量78に書き込まれる。この保持容量78に書き込まれた画像信号の電流に応じて、駆動用トランジスタ74の電気的な導通状態が決まる。そして、駆動用トランジスタ74のチャネルを介して電源供給線117より、保持容量78に書き込まれた画像信号に応じた電流が有機EL素子72の陽極34に供給されると、供給された電流に応じて有機EL層50における発光層50aが発光する。本実施形態では、図3中、矢印Xで示すように、有機EL素子72からの発光を基板10側から表示光として出射させるボトムエミッション型として、有機ELパネル100は構成されている。尚、有機ELパネルを封止基板側から表示光として有機EL素子72の発光を出射させるトップエミッション型として構成してもよい。
次に、本実施形態に係る有機ELパネルの製造方法及び装置について、図4から図12を参照して説明する。ここに図4は、本実施形態に係る有機ELパネルの製造プロセスの各工程を説明するためのフローチャートである。図5及び図6は、本実施形態に係る有機ELのELパネルを製造する一連の製造工程示す工程図である。尚、図5及び図6では、図3に示した画素部の断面図に対応して示してある。
先ず、図4及び図5(a)に示すように、基板10上に、走査線112やデータ線114等の各種配線や、駆動用トランジスタ74等の駆動素子を形成し、続いて、画素毎に陽極34を形成し、更に、陽極34より上層側に、第1及び第2バンク層46及び47を形成する(ステップS10)。
次に、図4及び図5(b)に示すように、正孔注入層50bの形成材料を、インクジェット法により、画素部70毎に陽極34上に塗布する(ステップS11)。その後、基板10上に塗布された正孔注入層50bの形成材料を、加熱或いはベーク処理することにより、正孔注入層50bを成膜する(ステップS12)。
次に、図4及び図6(a)に示すように、正孔注入層50b上に、インクジェット法(即ち、液滴吐出法)を用いて、発光層の形成材料(即ち、発光材料)を塗布する(ステップS13)。より具体的には、基板10上で平面的に見て、第1及び第2バンク層46及び47に囲まれた正孔注入層50b上に液滴吐出ヘッド部900よりインクとして発光材料54aを選択的に塗布することにより、塗布膜55aを形成する。発光材料54aとしては、蛍光或いは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。尚、発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応した発光材料を用いることで、フルカラー表示を行うことが可能となる。即ち、赤色の発色光を発光する発光材料、緑色の発色光を発光する発光材料、及び青色の発色光を発光する発光材料を、それぞれ対応する画素部70に吐出し塗布することにより、フルカラー表示を行うことが可能となる。
発光材料54aとして具体的には、(ポリ)フレオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)等のポリシラン系等の高分子系材料を好適に用いることができる。或いは、これらの高分子系材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いてもよい。
次に、図4及び図6(b)に示すように、乾燥処理工程によって、発光材料54aが塗布されることにより形成された塗布膜55aを乾燥させる(ステップS14)。即ち、塗布膜55a中の溶媒を、蒸発させることで除去する。本実施形態では、溶媒としては、インクジェット法に適した、沸点が200℃以上である高沸点溶媒が用いられている。
ここで、本実施形態に係る乾燥処理工程及び有機ELパネルの製造装置について、図7及び図8を参照して詳細に説明する。ここに図7は、本実施形態に係る有機ELパネルの製造装置を示す模式図であり、図8は、本実施形態に係るキャップの蓋部を示す平面図である。尚、図7では、基板10上の画素部70毎に形成された、駆動用トランジスタ74等の駆動素子、陽極34、第1及び第2バンク層46及び47等については図示を省略している。即ち、基板10上の画像表示領域110(図1参照)には、図6(a)を参照して上述した塗布膜55aが複数形成されているが、図7では、基板10上の画像表示領域110に形成された一の塗布膜55aとして表している。
図7に示すように、本実施形態では特に、乾燥処理工程(図4中、ステップS14)において、塗布膜55aが形成された基板10を、チャンバー690内でステージ610上に載置し、基板10に対向するように配置されると共に複数の開口部623が設けられた蓋部621と基板10の周囲を囲む側壁部622とを有するキャップ620で覆った状態で、チャンバー690内の気体を排気することにより塗布膜55aを真空或いは減圧乾燥させる。尚、キャップ620は、本発明に係る「排気調整具」の一例である。
即ち、乾燥処理工程において、先ず、塗布膜55aが形成された基板10をチャンバー690内のステージ610上に載置する。
次に、ステージ610上に載置された基板10を、キャップ620で覆う。キャップ620は、蓋部621及び側壁部622からなる。蓋部621は、基板10に対向するように配置される。側壁部622は、蓋部621の周囲を囲むように設けられている。即ち、基板10の塗布膜55aが形成された基板面は、蓋部621によって覆われ、基板10の周囲は、側壁部622によって囲まれる。
図7及び図8に示すように、キャップ620の蓋部621には、円状の複数の開口部623が、ほぼ等間隔で設けられている、即ち、均一に形成されている。より具体的には、複数の開口部623は、直径が例えば2〜20mm程度の一定の円状であり、例えば10〜50mmの一定のピッチでマトリクス状に配列されている。
次に、このように基板10を複数の開口部623が設けられたキャップ620で覆った状態で、チャンバー690内の気体を、排気ファン680によって排気口682を介して排気することにより、塗布膜55aを真空或いは減圧乾燥させる、即ち、塗布膜55aに含まれる溶媒を蒸発させることにより除去する。ここで、排気ファン680及び排気口682は、本発明に係る「排気手段」の一例である。排気ファン680は、チャンバー690の外部に設けられており、排気口682を介してチャンバー690内の気体をチャンバー690の外部へ排気するように構成されている。排気口682は、チャンバー690の壁面に少なくとも1箇所設けられており、チャンバー690内と排気ファン680との間を通気させる。このように構成されているので、塗布膜55aに含まれる溶媒が気化した気体を、キャップ620内部から複数の開口部623を介してキャップ620外部へ排気させ、更にチャンバー690外へと排気させることができる。即ち、塗布膜55aが形成された基板10を、図8を参照して上述した如き、それぞれ円状で且つほぼ等間隔で形成された複数の開口部623が設けられたキャップ620によって覆うことにより、塗布膜55aに含まれる溶媒が気化した気体を排気する排気方向或いは排気速度を、基板10の基板面内における位置によらず殆ど一定にする、即ち均一にすることができる。より具体的には、チャンバー690内の気体を排気するために生じ得る、基板10の基板面に沿った排気の流れ(即ち、図7中、X方向或いはこれに交わるY方向に沿った排気の流れ)を、キャップ620(特にその側壁部622)によってキャップ620内部で殆ど或いは全く発生しないようにすることができる。即ち、チャンバー690内における基板10の配置、或いはチャンバー690内の気体をチャンバー690外へ排気するための排気口682のチャンバー690における位置等によらず、塗布膜55aを基板10の基板面内で殆ど均一に乾燥させることができる。更に、塗布膜55aに含まれる溶媒が気化した気体は、キャップ620内部から複数の開口部623を介してキャップ620外部へと排気されるので、排気方向は、塗布膜55aが形成された基板10の基板面から複数の開口部623が設けられた蓋部621へ向けた方向(即ち、図7中、下から上へ示すブロック矢印の方向、つまり、Z方向)で殆ど一定とすることができる。加えて、複数の開口部623の形状或いは蓋部621における配置によって、排気速度を調節することも可能である。即ち、仮に、このような複数の開口部623が設けられたキャップ620で基板10を覆わない場合に生じ得る、基板面の位置による排気速度或いは排気方向の差異に起因して、塗布膜55aの、基板10上における位置によって乾燥速度がばらついてしまうことを抑制或いは防止できる。よって、塗布膜55aが乾燥して形成される発光層50aの膜厚が不均一になってしまうことを抑制或いは防止できる、即ち、発光層50aのばらつきを抑制できる。言い換えれば、基板10の基板サイズ(即ち、有機ELパネルのサイズ)が大きい場合であっても基板面内の塗布膜55aを殆ど或いは好ましくは完全に均一に乾燥でき、発光層50aの膜厚のばらつきを抑制或いは防止できる。
仮に、キャップ620によって基板10を覆わないで、塗布膜55aの真空或いは減圧乾燥を行うとすれば、塗布膜55aの表面からの溶媒蒸気がチャンバー690内の開放空間中に一気に蒸発することとなる。この際、溶媒の蒸発速度は、チャンバー690の排気口682に近い側ほど大きくなってしまうおそれがある。このため、塗布膜55aの基板10上における位置によって溶媒の除去速度が大きく異なってしまうおそれがある。これにより、特に大型パネルにおいて、パネル面内の発光むらが生じてしまうおそれがある。しかるに本実施形態によれば、キャップ620によって基板10を覆った状態で、塗布膜55aを乾燥させるので、キャップ620内の空間の対流或いは拡散を通じて溶媒の蒸発が行われることとなる。このため、塗布膜55aの溶媒を、基板10上における位置によらず、殆ど均一に蒸発させることができる。言い換えれば、キャップ620によって基板10を覆うことにより、塗布膜55aの溶媒を、チャンバー690内の全体空間よりも狭いキャップ620内の空間で乾燥させることができると共に、塗布膜55a表面の溶媒蒸気の対流或いは拡散を均一にすることができる。その結果、塗布膜55aの基板10上における位置によって乾燥速度がばらついてしまうことを抑制或いは防止できる。
次に、本実施形態の第1変形例について、図9を参照して説明する。ここに図9は、本実施形態の第1変形例における図8と同趣旨の平面図である。
図9に第1変形例として示すように、キャップ620の蓋部621に設けられる複数の開口部623は、各々の開口面積(即ち、基板10の法線方向から見て、開口部623が形成されている領域の面積)が、基板10の中央部に近い程大きくなるように構成してもよい。このようにすれば、基板10の中央部付近の気体の排気速度を、基板10の周辺部付近の気体の排気速度よりも大きくすることができる。よって、塗布膜55aのうち、基板10の中央部上に形成された部分と、基板10の周辺部に形成された部分とが夫々乾燥される乾燥速度の差を小さくすることができる。従って、発光層50aの膜厚のばらつきを、より一層確実に抑制或いは防止できる。
次に、本実施形態の第2変形例について、図10を参照して説明する。ここに図10は、本実施形態の第2変形例における図8と同趣旨の平面図である。
図10に第2変形例として示すように、キャップ620の蓋部621に設けられる複数の開口部623は、各々が基板10の一辺に沿った形状(即ち、図10中、Y方向に沿った形状)であり、該一辺に交わる方向(即ち、図10中、X方向)に配列されるように構成してもよい。このようにすれば、例えば、該一辺に交わる方向(即ち、図10中、X方向)に移動させつつ、基板10の一端から順に乾燥させる場合においても、基板面内の塗布膜55aを殆ど均一に乾燥でき、発光層50aの膜厚のばらつきを抑制できる。
更に、再び図7において、本実施形態では特に、乾燥処理工程(図4中、ステップS14参照)において、ステージ610の温度を、塗布膜55aの表面温度よりも高い温度に維持するように制御或いは加熱する。即ち、ステージ610は、温度コントローラ640によって、その温度制御が可能に構成された、例えばホットープレートであり、本実施形態では、室温とされるチャンバー690内において、ステージ610の温度は、塗布膜55aの表面温度よりも高い、例えば35℃から45℃の範囲内の温度となるように、温度コントローラ640によって制御されている。よって、基板10を介して塗布膜55aを、殆ど均一に加熱することができる。従って、塗布膜の乾燥を促進すると共に、塗布膜55aの基板面内における乾燥むらをより一層低減できる。その結果、発光層50aの膜厚のばらつきを抑制できる。
加えて、図7において、本実施形態では特に、乾燥処理工程(図4中、ステップS14参照)において、キャップ620の温度を、塗布膜55aの表面温度よりも高い温度に維持するように制御或いは加熱する。即ち、キャップ620は、温度コントローラ630によって、その温度制御が可能に構成されており、本実施形態では、室温(例えば、20℃から25℃程度)とされるチャンバー690内において、キャップ620の温度は、塗布膜55aの表面温度よりも高い、例えば35℃から45℃の範囲内の温度となるように、温度コントローラ630によって制御されている。よって、キャップ620内部の飽和蒸気圧を高めることができる。従って、仮に、キャップ620を加熱しないでステージ610を加熱した場合と比較して、塗布膜55aの表面から蒸発した溶媒がキャップ620の内面で冷やされて結露してしまうことを低減或いは防止できる。また、仮に、キャップ620を加熱しないでステージ610を加熱した場合には、塗布膜55aの溶媒の蒸発速度が大きくなりすぎて、キャップ620による排気速度或いは排気方向を均一にする効果が低減してしまうおそれがある。しかるに本実施形態では特に、ステージ610に加えて、キャップ620も加熱するので、キャップ620内部を、塗布膜55aから蒸発した溶媒である程度満たすことができる。よって、塗布膜55aの溶媒の蒸発速度を抑制できる。従って、キャップ620内の空間における溶媒蒸気の対流或いは拡散を均一にすることができる。その結果、塗布膜55aの基板10上における乾燥むらをより一層低減できる。尚、キャップ620の温度制御は、キャップ620の全体を、塗布膜55aの表面温度よりも高い温度に維持するように制御してもよいし、キャップ620の内壁或いは内面(即ち、基板10に対向する面)だけの温度を同様に制御してもよい。或いは、キャップ620の例えば蓋部621等のような一部だけの温度を同様に制御するようにしてもよい。
図7において、本実施形態では特に、ステージ610とキャップ620の側壁部622と間に、互いに熱が移動するのを妨げる断熱部材650が設けられている。即ち、断熱部材650は、基板10を囲むように且つステージ610と側壁部622との間に設けられている。
よって、キャップ620及びステージ610を互いに独立して温度制御することができる。従って、塗布膜55aのうち、基板10の中央部上に形成された部分と、基板10の周辺部上に形成された部分とが夫々乾燥される乾燥速度を、より一層精度よく制御でき、乾燥速度の差をより一層小さくすることができる。
図11は、乾燥処理工程(図4中、ステップS14参照)おける、キャップ620の有無、キャップ620の温度制御の有無、及びステージ610の温度制御の有無のそれぞれをパラメータとして、有機ELパネルを製造した場合の、画素部70のパネル面内の輝度ばらつき(以下、単に「面内輝度ばらつき」とも呼ぶ)を測定した実施例1〜4を比較例と共に示している。尚、各実施例では、キャップ620及びステージ610の温度制御はいずれも40℃で一定とした。パネル面内の輝度ばらつきは、パネルの中央部及び四隅付近のそれぞれ一箇所の画素部の輝度を測定し、それらの輝度のばらつきの範囲として、図11中、面内輝度ばらつきに係る項目710、711、712、713及び714に示してある。
画素部70の面内輝度ばらつきは、画素部70における発光層50aの膜厚のばらつきと相関関係がある。即ち、基板面内の発光層50aの膜厚のばらつきが大きい程、面内輝度ばらつきは大きく、逆に、基板面内の発光層50aの膜厚のばらつきが小さい程、面内輝度ばらつきは小さい。
図11中、比較例として示すように、基板10をキャップ620で覆わず、且つ、ステージ610の温度制御を行わない場合には、面内輝度ばらつきは±30%となった(面内輝度ばらつきに係る項目710参照)。本実験も含め、乾燥処理後のベークは、ステージ温度のみを130℃に設定し行った。
図11中、実施例1として示すように、基板10をキャップ620で覆い、且つ、キャップ620及びステージ610のいずれの温度制御も行わない場合には、面内輝度ばらつきは±15%となった(面内輝度ばらつきに係る項目711参照)。よって、基板10をキャップ620で覆うことにより、比較例に比べて、面内輝度ばらつきを低減できる、即ち、基板面内の発光層50aの膜厚のばらつきを低減できる。尚、実施例1では、比較例に比べて、面内輝度ばらつきは約半分にまで低減されている。
図11中、実施例2として示すように、基板10をキャップ620で覆い、且つ、キャップ620のみを40℃で一定となるように温度制御した場合には、面内輝度ばらつきは±10%となった(面内輝度ばらつきに係る項目712参照)。よって、基板10をキャップ620で覆うことにより、比較例に比べて、面内輝度ばらつきを低減できると共に、キャップ620を40℃で一定となるように制御することにより、実施例1に比べて、更に面内輝度ばらつきを低減できる、即ち、基板面内の発光層50aの膜厚のばらつきを低減できる。
図11中、実施例3として示すように、基板10をキャップ620で覆い、且つ、ステージ610のみを40℃で一定となるように温度制御した場合には、面内輝度ばらつきは±12%となった(面内輝度ばらつきに係る項目713参照)。よって、基板10をキャップ620で覆うことにより、比較例に比べて、面内輝度ばらつきを低減できると共に、ステージ610を40℃で一定となるように制御することにより、実施例1に比べて、更に面内輝度ばらつきを低減できる、即ち、基板面内の発光層50aの膜厚のばらつきを低減できる。
図11中、実施例4として示すように、基板10をキャップ620で覆い、且つ、キャップ620及びステージ610を40℃で一定となるように温度制御した場合には、面内輝度ばらつきは±10%となった(面内輝度ばらつきに係る項目714参照)。よって、基板10をキャップ620で覆うことにより、比較例に比べて、面内輝度ばらつきを低減することができると共に、キャップ620及びステージ610を40℃で一定となるように制御することにより、実施例1に比べて、更に面内輝度ばらつきを低減することができる、即ち、基板面内の発光層50aの膜厚のばらつきを低減できる。
図12は、ステージを温度制御する場合における、ステージの制御温度と面内輝度ばらつきとの関係を示すグラフである。尚、面内輝度ばらつきは、パネルの中央部及び四隅付近のそれぞれ一箇所の画素部の輝度を測定し、それらの輝度のばらつきを示したものである。
図12において、データC1は、乾燥処理工程(図4中、ステップS14参照)において、基板10をキャップ620で覆い、且つステージ610のみの温度を制御する場合の、基板10の温度と面内輝度ばらつきとの関係を示している。
図12のデータC1に示すように、ステージ610の温度(言い換えれば、基板10の温度)を35℃から45℃の範囲の温度で一定となるように制御した場合には、ステージ610の温度が35℃未満或いは45℃を超える温度で一定となるように制御した場合に比較して、面内輝度ばらつきを低減できる。尚、面内輝度ばらつきは40℃付近で極小となるので、乾燥処理工程において、ステージ610の温度を40℃付近で一定となるように制御することが望ましい。
再び図4において、乾燥処理された塗布膜55aに対して、加熱或いはベーク処理を行うことにより、発光層50aを形成する(ステップS15)。即ち、正孔注入層50b及び発光層50aからなる有機EL層50を形成する。その後、有機EL層50上に陰極49を形成し(ステップS16)、有機EL素子72を例えば封止基板により封止する。
以上説明したように、本実施形態の有機ELパネルの製造方法によれば、塗布膜55aを基板10の基板面内で殆ど均一に乾燥させることができ、画像表示領域110内における発光むらが低減された高品位の画像表示の可能な有機ELパネルを製造することができる。
尚、本実施形態の如く、基板10をキャップ620で覆い、且つ、キャップ620やステージ610の温度を制御する場合に限らず、図11を参照して説明したように、キャップ620及びステージ610の温度を制御しない場合であっても、基板10をキャップ620で覆った状態で、塗布膜55aの乾燥処理を行うことにより、発光層50aの膜厚のばらつきを低減できる(図11中、実施例1参照)。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態に係る有機ELパネルの製造方法及び装置について、図13及び図14を参照して説明する。ここに図13は、第2実施形態における図7と同趣旨の模式図である。図14は、第2実施形態に係る有機ELパネルの製造装置のステージを示す平面図である。尚、図13及び図14において、図1から図12に示した第1実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
図13において、第2実施形態に係る有機ELパネルの製造装置は、図7を参照して上述した第1実施形態に係る有機ELパネルの製造装置のステージ610及び温度コントローラ640の各々に代えて、ステージ810及び温度コントローラ840を備えている点で、第1実施形態に係る有機ELパネルの製造装置と異なる。
図13において、本実施形態では特に、乾燥処理工程(図4中、ステップS14参照)において、ステージ810の温度を、基板10の中央部に近い程高くなるように制御する。
即ち、図13及び図14に示すように、ステージ810は、例えばペルチェ素子等の温度制御が可能な複数の分割部分811からなり、図14に示すように、複数の分割部分811は、格子上に配列されている。より具体的には、ステージ810は、例えば、一辺の長さが300〜400mm程度の基板10を乾燥させる場合には、50mm角程度の大きさの複数の分割部分811が縦横に6〜10個程度マトリクス状に配列されることにより構成されている。複数の分割部分811は、温度コントローラ840によって、それぞれ互いに独立して温度制御可能に構成されている。乾燥工程において、温度コントローラ840によって、複数の分割部分811は、基板10の中央部に近いもの程高くなるように制御される。よって、塗布膜55aを、基板10の中央部に近い程加熱することができる。従って、塗布膜55aのうち、基板10の中央部上に形成された部分と、基板10の周辺部に形成された部分とが夫々乾燥される乾燥速度の差を小さくすることができる。その結果、基板面内の発光層50aの膜厚のばらつきを低減でき、画像表示領域110内における発光むらが低減された高品位の画像表示の可能な有機ELパネルを製造することができる。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態に係る有機ELパネルの製造方法及び装置について、図15を参照して説明する。ここに図15は、第3実施形態における図13と同趣旨の模式図である。尚、図15において、図1から図14に示した第1及び第2実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
図15において、第3実施形態に係る有機ELパネルの製造装置は、図13を参照して上述した第2実施形態に係る有機ELパネルの製造装置と比較して、キャップ620、温度コントローラ630及び断熱部材650を備えていない点で、第2実施形態に係る有機ELパネルの製造装置と異なる。その他の構成は、第2実施形態に係る有機ELパネルの製造装置を概ね同様である。
図15において、本実施形態では特に、上述した第2実施形態と同様に、乾燥処理工程(図4中、ステップS14)において、ステージ810の温度を、基板10の中央部に近い程高くなるように制御する。即ち、乾燥処理工程において、温度コントローラ840によって、複数の分割部分811は、基板10の中央部に近いもの程高くなるように制御される。よって、塗布膜55aを、基板10の中央部に近い程加熱することができる。従って、塗布膜55aのうち、基板10の中央部上に形成された部分と、基板10の周辺部に形成された部分とが夫々乾燥される乾燥速度の差を小さくすることができる。即ち、塗布膜55aを基板面内で均一に乾燥させることができ、パネル面内における発光むらが低減或いは防止された高品位の画像表示の可能な有機ELパネルを製造することができる。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ELパネルの製造方法及び装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
有機ELパネルの全体構成を示すブロック図である。 有機ELパネルの画素部の平面図である。 図2のA−A´線断面図である。 有機ELパネルの製造プロセスの各工程を説明するためのフローチャートである。 有機ELのELパネルを製造する一連の製造工程示す工程図(その1)である。 有機ELのELパネルを製造する一連の製造工程示す工程図(その2)である。 第1実施形態に係る有機ELパネルの製造装置を示す模式図である。 第1実施形態に係るキャップの蓋部を示す平面図である。 第1変形例における図8と同趣旨の平面図である。 第2変形例における図8と同趣旨の平面図である。 パネル面内の輝度ばらつきを測定した結果を示す表である。 ステージの制御温度と面内輝度ばらつきとの関係を示すグラフである。 第2実施形態における図7と同趣旨の模式図である。 第2実施形態に係る有機ELパネルの製造装置のステージを示す平面図である。 第3実施形態における図13と同趣旨の模式図である。
符号の説明
10…基板、55a…塗布膜、610…ステージ、620…キャップ、621…蓋部、622…側壁部、623…開口部、630、640…温度コントローラ、650…断熱部材、680…排気ファン、682…排気口、690…チャンバー

Claims (11)

  1. 基板上に有機EL材料を含む塗布液を塗布することにより塗布膜を形成する塗布工程と、
    前記基板を、チャンバー内でステージ上に載置し、前記基板に対向するように配置されると共に複数の開口部が設けられた蓋部と前記基板の周囲を囲む側壁部とを有する排気調整具で覆った状態で、前記チャンバー内の気体を排気することにより前記塗布膜を乾燥させる乾燥工程と
    を備えたことを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
  2. 前記塗布液は、沸点が200℃以上である高沸点溶媒を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法。
  3. 前記複数の開口部は、前記蓋部において均一に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機ELパネルの製造方法。
  4. 前記複数の開口部の各々の開口面積は、前記基板の中央部に近い程大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の有機ELパネルの製造方法。
  5. 前記乾燥工程は、前記ステージの温度を、前記塗布膜の表面温度よりも高い第1所定温度に維持するように制御すると共に、前記排気調整具の温度を、前記表面温度よりも高い第2所定温度に維持するように制御することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の有機ELパネルの製造方法。
  6. 前記第1所定温度は、前記基板の中央部に近い程高いことを特徴とする請求項5に記載の有機ELパネルの製造方法。
  7. 前記ステージと前記側壁部と間に、互いに熱が移動するのを妨げる断熱部材が設けられることを特徴とする請求項5又は6に記載の有機ELパネルの製造方法。
  8. 基板上に有機EL材料を含む塗布液を塗布することによって塗布膜を形成する塗布工程と、
    前記基板を、チャンバー内でステージ上に載置し、前記ステージの温度を前記塗布膜の表面温度よりも高い所定温度に維持するように制御した状態で、前記チャンバー内の気体を排気することにより前記塗布膜を乾燥させる乾燥工程と
    を備えたことを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
  9. 前記所定温度は、前記基板の中央部に近い程高いことを特徴とする請求項8に記載の有機ELパネルの製造方法。
  10. 基板上に有機EL材料を含む塗布液が塗布されることによって塗布膜が形成された後に、前記塗布膜を乾燥させる有機ELパネルの製造装置であって、
    前記基板を載置するためのステージと、
    前記基板の上方を覆うと共に複数の開口部が設けられた蓋部と前記基板の周囲を囲む側壁部とを有する排気調整具と、
    前記ステージ及び前記排気調整具が内部に配設されるチャンバーと、
    前記チャンバー内の気体を排気する排気手段と
    を備えたことを特徴とする有機ELパネルの製造装置。
  11. 基板上に有機EL材料を含む塗布液が塗布されることによって塗布膜が形成された後に、前記塗布膜を乾燥させる有機ELパネルの製造装置であって、
    前記基板を載置するためのステージと、
    前記ステージの温度を所定温度に保つように制御する温度制御手段と、
    前記ステージが内部に配設されるチャンバーと、
    前記チャンバー内の気体を排気する排気手段と
    を備えたことを特徴とする有機ELパネルの製造装置。
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