JP2007228769A - パワー半導体スイッチング素子の駆動回路 - Google Patents
パワー半導体スイッチング素子の駆動回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007228769A JP2007228769A JP2006049485A JP2006049485A JP2007228769A JP 2007228769 A JP2007228769 A JP 2007228769A JP 2006049485 A JP2006049485 A JP 2006049485A JP 2006049485 A JP2006049485 A JP 2006049485A JP 2007228769 A JP2007228769 A JP 2007228769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching element
- power semiconductor
- gate
- semiconductor switching
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/0406—Modifications for accelerating switching in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の電圧駆動型のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路は、電圧駆動型のパワー半導体スイッチング素子と、該スイッチング素子のゲート電極に駆動信号を与える駆動同路と、該スイッチング素子のエミッタ制御端子或いはソース制御端子と半導体モジュールのエミッタ主端子或いはソース主端子の間にインダクタンスを有するパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路を備え、インダクタンスの両端に発生する電圧を検出し、その検出値に基づいて、ゲート駆動電圧或いはゲート駆動抵抗を可変させる。
【選択図】図1
Description
Claims (16)
- 電圧駆動型のパワー半導体スイッチング素子と、該スイッチング素子のゲート電極に駆動信号を与える駆動回路と、
該スイッチング素子のエミッタ制御端子或いはソース制御端子と半導体モジュールのエミッタ主端子或いはソース主端子の間にインダクタンスを有するパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記インダクタンスの両端に発生する電圧を検出し、その検出値に基づいて、ゲート駆動電圧或いはゲート駆動抵抗を可変させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項1に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記インダクタンスの両端に発生する電圧の検出を行っている期間、ゲート駆動電圧を増加させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項1に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記インダクタンスの両端に発生する電圧の検出を行っている期間、ゲート駆動抵抗を減少させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項1に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記パワー半導体スイッチング素子が、SiCパワーデバイスであることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 電圧駆動型のパワー半導体スイッチング素子と、
該スイッチング素子のゲート電極に駆動信号を与える駆動回路と、
該スイッチング素子のゲート電極と該駆動回路の間にゲート抵抗を有するパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記ゲート電圧を検出し、その検出値に基づいて、ゲート駆動電圧或いはゲート駆動抵抗を可変させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項5に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記ゲート電圧の検出を行っている期間、ゲート駆動電圧を増加させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項5に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記ゲート電圧の検出を行っている期間、ゲート駆動抵抗を減少させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項5に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記パワー半導体スイッチング素子が、SiCパワーデバイスであることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 電圧駆動型のパワー半導体スイッチング素子と、
該スイッチング素子のゲート電極に駆動信号を与える駆動回路と、
該スイッチング素子のゲート電極と該駆動回路の間にゲート抵抗を有するパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記ゲート抵抗に流れる電流を検出し、その検出値に基づいて、ゲート駆動電圧或いはゲート駆動抵抗を可変させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項9に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記ゲート抵抗に流れる電流の検出を行っている期間、ゲート駆動電圧を増加させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項9に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記ゲート抵抗に流れる電流の検出を行っている期間、ゲート駆動抵抗を減少させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項9に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記パワー半導体スイッチング素子が、SiCパワーデバイスであることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項3に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記スイッチング素子のエミッタ制御端子或いはソース制御端子と半導体モジュールのエミッタ主端子或いはソース主端子の間にインダクタンス有し、
該インダクタンスの両端に発生する電圧と、前記ゲート電圧とを検出し、その検出値に基づいて、ゲート駆動電圧或いはゲート駆動抵抗を可変させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項13に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記インダクタンスの両端に発生する電圧と、前記ゲート電圧とを検出を行している期間、ゲート駆動電圧を増加させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項13に記載のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記インダクタンスの両端に発生する電圧と、前記ゲート電圧とを検出を行している期間、ゲート駆動抵抗を減少させることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。 - 請求項13のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、
前記パワー半導体スイッチング素子が、SiCパワーデバイスであることを特徴とするパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006049485A JP4816139B2 (ja) | 2006-02-27 | 2006-02-27 | パワー半導体スイッチング素子の駆動回路 |
DE102007002543A DE102007002543A1 (de) | 2006-02-27 | 2007-01-17 | Treiberschaltung für Leistungs-Halbleiterschalelement |
US11/624,730 US7994826B2 (en) | 2006-02-27 | 2007-01-19 | Drive circuit for power semiconductor switching device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006049485A JP4816139B2 (ja) | 2006-02-27 | 2006-02-27 | パワー半導体スイッチング素子の駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007228769A true JP2007228769A (ja) | 2007-09-06 |
JP4816139B2 JP4816139B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=38329406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006049485A Expired - Fee Related JP4816139B2 (ja) | 2006-02-27 | 2006-02-27 | パワー半導体スイッチング素子の駆動回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7994826B2 (ja) |
JP (1) | JP4816139B2 (ja) |
DE (1) | DE102007002543A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015114790A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 株式会社日立製作所 | ゲート駆動回路及びそれを搭載したインバータシステム |
CN105281721A (zh) * | 2014-07-16 | 2016-01-27 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
JP2018182899A (ja) * | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 株式会社東芝 | ゲート駆動回路および電力変換装置 |
WO2019150555A1 (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 株式会社安川電機 | 半導体素子の駆動回路、半導体素子の駆動方法、およびモータ制御装置 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2488124B (en) * | 2011-02-15 | 2014-01-08 | Nujira Ltd | Control of cross-over point for a push-pull amplifier |
US8760215B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-06-24 | Delphi Technologies, Inc. | Threshold voltage based power transistor operation |
US9654085B2 (en) * | 2011-11-22 | 2017-05-16 | Abb Schweiz Ag | Intelligent gate driver for IGBT |
CN104756390B (zh) * | 2012-09-24 | 2018-03-16 | Tm4股份有限公司 | 用于受控电源开关模块的拓扑 |
CN103051193B (zh) * | 2012-12-26 | 2015-06-10 | 中国航天时代电子公司 | 一种隔离电源与mosfet驱动及检测功能集成的模块 |
WO2015070347A1 (en) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | Tm4 Inc. | Commutation cell, power converter and compensation circuit having dynamically controlled voltage gains |
DK2942870T3 (en) | 2014-05-09 | 2018-10-22 | Abb Schweiz Ag | Device and method for a power semiconductor contact |
GB201417564D0 (en) * | 2014-10-03 | 2014-11-19 | E2V Tech Uk Ltd | Switching arrangement |
JP6362996B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2018-07-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体駆動装置ならびにそれを用いた電力変換装置 |
CN104682678B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-08-11 | 深圳青铜剑科技股份有限公司 | 一种igbt驱动用的隔离电源 |
US10530353B2 (en) * | 2015-10-21 | 2020-01-07 | Microchip Technology Incorporated | Gate drive control system for SiC and IGBT power devices to control desaturation or short circuit faults |
US9490798B1 (en) * | 2015-10-21 | 2016-11-08 | Agileswitch, Llc | Gate drive control system for SiC and IGBT power devices |
CN115149933A (zh) | 2015-10-21 | 2022-10-04 | 密克罗奇普技术公司 | 用于SiC和IGBT功率器件控制去饱和或短路故障的栅极驱动控制*** |
CN105680839B (zh) * | 2015-12-31 | 2018-08-24 | 深圳青铜剑科技股份有限公司 | 一种i型三电平驱动电路 |
CN108039878B (zh) * | 2017-09-28 | 2021-08-31 | 长春理工大学 | 基于igbt低频噪声检测的低噪声偏置电路 |
CN109618440B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-12-03 | 九阳股份有限公司 | 一种电磁加热控制电路及控制方法 |
WO2021175496A1 (en) * | 2020-03-06 | 2021-09-10 | Eaton Intelligent Power Limited | Active gate driver for wide band gap power semiconductor devices |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004336533A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Toyota Industries Corp | 電圧駆動素子の駆動回路 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2793946B2 (ja) * | 1993-08-26 | 1998-09-03 | 三菱電機株式会社 | 電力用スイッチング装置 |
US5909039A (en) * | 1996-04-24 | 1999-06-01 | Abb Research Ltd. | Insulated gate bipolar transistor having a trench |
US6330143B1 (en) * | 2000-02-23 | 2001-12-11 | Ford Global Technologies, Inc. | Automatic over-current protection of transistors |
JP3642012B2 (ja) | 2000-07-21 | 2005-04-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置,電力変換装置及び自動車 |
US7033950B2 (en) * | 2001-12-19 | 2006-04-25 | Auburn University | Graded junction termination extensions for electronic devices |
JP2004048843A (ja) | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Meidensha Corp | 電圧駆動型パワー素子のドライブ回路 |
JP3883925B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-02-21 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
-
2006
- 2006-02-27 JP JP2006049485A patent/JP4816139B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-17 DE DE102007002543A patent/DE102007002543A1/de not_active Ceased
- 2007-01-19 US US11/624,730 patent/US7994826B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004336533A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Toyota Industries Corp | 電圧駆動素子の駆動回路 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015114790A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 株式会社日立製作所 | ゲート駆動回路及びそれを搭載したインバータシステム |
CN105281721A (zh) * | 2014-07-16 | 2016-01-27 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
CN105281721B (zh) * | 2014-07-16 | 2018-05-29 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
JP2018182899A (ja) * | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 株式会社東芝 | ゲート駆動回路および電力変換装置 |
WO2019150555A1 (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 株式会社安川電機 | 半導体素子の駆動回路、半導体素子の駆動方法、およびモータ制御装置 |
JPWO2019150555A1 (ja) * | 2018-02-02 | 2020-12-03 | 株式会社安川電機 | 半導体素子の駆動回路、半導体素子の駆動方法、およびモータ制御装置 |
US11342832B2 (en) | 2018-02-02 | 2022-05-24 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denkt | Driving circuit for semiconductor element, method for driving semiconductor element, and motor control apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102007002543A1 (de) | 2007-09-06 |
JP4816139B2 (ja) | 2011-11-16 |
US7994826B2 (en) | 2011-08-09 |
US20070200602A1 (en) | 2007-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4816139B2 (ja) | パワー半導体スイッチング素子の駆動回路 | |
JP6197685B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
US8537515B2 (en) | Driving circuit and semiconductor device with the driving circuit | |
CN107615664B (zh) | 功率晶体管驱动装置 | |
JP2007228447A (ja) | スイッチング素子のゲート駆動回路 | |
JP4816182B2 (ja) | スイッチング素子の駆動回路 | |
JP5516825B2 (ja) | 絶縁ゲート型スイッチング素子の駆動回路 | |
JP4740320B2 (ja) | 半導体素子の駆動回路 | |
JP4915158B2 (ja) | 電力用スイッチング素子の駆動装置 | |
JP6045611B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
US20120013370A1 (en) | Gate driving circuit for power semiconductor element | |
US7579880B2 (en) | Circuit for driving a semiconductor element | |
JP5831528B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008103895A (ja) | 絶縁ゲート型デバイスの駆動回路 | |
WO2014136252A1 (ja) | 半導体装置 | |
US20120139583A1 (en) | Driving circuit with zero current shutdown and a driving method thereof | |
JP2008086068A (ja) | 電圧駆動型素子のゲート駆動回路 | |
JP2010130557A (ja) | ゲート駆動装置 | |
JP5831527B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015220876A (ja) | 駆動回路システム | |
JP6731885B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015220932A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008147786A (ja) | 絶縁ゲートトランジスタの駆動回路 | |
KR101836247B1 (ko) | 인버터 구동 장치 | |
JP7206976B2 (ja) | スイッチング回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110322 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110802 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110815 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |