JP2007220817A - 薄膜トランジスタ及びその製法 - Google Patents
薄膜トランジスタ及びその製法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007220817A JP2007220817A JP2006038426A JP2006038426A JP2007220817A JP 2007220817 A JP2007220817 A JP 2007220817A JP 2006038426 A JP2006038426 A JP 2006038426A JP 2006038426 A JP2006038426 A JP 2006038426A JP 2007220817 A JP2007220817 A JP 2007220817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- thin film
- interlayer insulating
- oxide semiconductor
- gate insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
【解決手段】 絶縁基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、該酸化物半導体薄膜層上に形成されるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に積載されたゲート電極と、酸化物半導体薄膜層の該ゲート絶縁膜に被覆されていない範囲を少なくとも被覆する層間絶縁膜とを有し、該ゲート絶縁膜と該ゲート電極が自己整合的に同一形状に形成され、該層間絶縁膜中に水素を含有することを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。
【選択図】 図1
Description
酸化亜鉛や酸化マグネシウム亜鉛を半導体薄膜層として用いたTFTは、従来液晶ディスプレイに主に用いられているアモルファスシリコン(a−Si:H)を半導体薄膜層として用いたアモルファスシリコンTFTに比較して電子移動度が大きく、優れたTFT特性を有し、また、室温付近の低温でも多結晶薄膜が得られることで高い移動度が期待できる等の利点もあり、積極的な開発が進められている。
しかしながら、ソース・ドレイン電極からチャネルに至るまでの酸化物半導体薄膜層が抵抗となり、電流律速が生じるという問題がある。
酸化亜鉛TFTと同様の問題が既にアモルファスシリコンTFTにおいても存在し、下記特許文献1において、図4に示す構造が解決策として開示されている。該構造は基板101上に一対のソース・ドレイン電極102、半導体薄膜層103、ゲート絶縁膜104、ゲート電極105が順に形成されている。また、ゲート絶縁膜104とゲート電極105が自己整合的に同じ形状を有している。加えて、半導体薄膜層103の膜厚方向全体において、ゲート電極の直下方以外の領域に不純物が導入され、ゲート電極の直下方の範囲より低抵抗化したソース・ドレイン領域となっている。そのため、前記電流律速を抑制することができる。なお、アモルファスシリコンTFTにおけるソース・ドレイン領域形成の方法としては、半導体薄膜層の主成分であるアモルファスシリコンに対してドナーとなる元素、例えば燐(P)をイオンの状態で外部から注入するイオン注入法が示されている。
上記アモルファスシリコンTFTにおける解決方法を酸化亜鉛TFTに応用したとしても、アモルファスシリコンTFTと同様に、十分に低抵抗化されたソース・ドレイン領域を形成することができず、ソース・ドレイン電極からチャネルまでの寄生抵抗が十分に抑制されないという問題が生じる。
また、ソース・ドレイン領域を選択的に低抵抗化し、チャネル領域の抵抗減少に伴うリーク電流の増大を防止する。
また、層間絶縁膜中に水素を含有することで、層間絶縁膜に被覆された酸化物半導体薄膜層の水素濃度を増大させることできる。それにより層間絶縁膜に被覆された酸化物半導体薄膜層を低抵抗化することができ、低抵抗化されたソース・ドレイン領域を形成することができる。そのため、ソース・ドレイン電極からチャネルまでの抵抗を抑え、電流律速を抑制することができる。また、イオン注入法等の他の低抵抗化処理を別途行うことにより、ソース・ドレイン領域をより低抵抗化することができる。そのため、ソース・ドレイン電極からチャネルまでの抵抗をさらに抑え、十分に電流律速を抑制することができる。
エッチング処理で露出した範囲の上に水素を含有する層間絶縁膜を成膜することにより低抵抗化してソース・ドレイン領域とすることで、ソース・ドレイン電極からチャネルまでの抵抗を抑え、電流律速を抑制することができる。また、イオン注入法等の他の低抵抗化処理を別途行うことにより、ソース・ドレイン領域をより低抵抗化することができる。そのため、ソース・ドレイン電極からチャネルまでの抵抗をさらに抑え、十分に電流律速を抑制することができる。
図1は本発明に係るTFTの第一の実施形態を示す断面図である。
基板1の材料は、ガラスに限定されず、プラスチックや金属箔に絶縁体をコーティングしたもの等、絶縁体であれば使用可能である。
一対のソース・ドレイン電極2は、例えば、インジウムスズ酸化物(ITO)、n+ZnO等の導電性酸化物、金属、もしくは前記導電性酸化物により少なくとも一部を被覆された金属により形成される。
また、酸化物半導体薄膜層3はチャネル領域31と一対のソース・ドレイン領域32からなる。チャネル領域31は酸化物半導体薄膜層3のチャネルとして利用される範囲である。ソース・ドレイン領域32はチャネル領域31以外の領域に自己整合的に形成され、且つチャネル領域31より低抵抗化された領域である。本発明の場合、該低抵抗化は層間絶縁膜7を被膜することによって行う。
このソース・ドレイン領域32を設けることにより、ソース・ドレイン電極からチャネルまでの抵抗を抑えることができ、電流律速を抑制することができる。
この酸化物半導体薄膜層3の厚みは、特に限定されないが、例えば約25〜200nmに形成され、好ましくは、50〜100nm程度に形成される。なお、図1において、ソース・ドレイン領域32は、各ソース・ドレイン電極2上に形成されている部分の厚さが、一対のソース・ドレイン電極2間に形成された部分よりも薄く図示されているが、これは単なる図示の都合であって、実際には、両者の厚さはほぼ同一である。
ゲート絶縁膜4は、酸化珪素(SiOx)膜、酸窒化珪素(SiON)膜、窒化珪素(SiNx)膜あるいは窒化珪素(SiNx)に酸素もしくは酸素を構成元素に含む化合物を用いて酸素をドーピングした膜により形成される。このゲート絶縁膜4は酸化珪素化合物(SiOx)や酸窒化珪素(SiON)に比較して誘電率の大きい、窒化珪素(SiNx)に酸素あるいは酸素を構成元素として含む化合物、例えば酸化窒素(N2O)、を用いて酸素をドーピングした膜が好ましく用いられる。これにより、誘電率が高く、酸化物半導体薄膜層の保護の観点からも優れた薄膜トランジスタとなる。
ゲート電極6はCr、Tiで例示できる金属膜からなる。
また、ゲート電極6の両端は、ソース・ドレイン領域の内側端と膜厚方向に揃った位置に存在する。それにより、ソース・ドレイン領域とゲート電極間に寄生容量が生じず、動作速度の向上が図れる。
加えて、ゲート電極6の両端部はソース・ドレイン電極の内側端部より内側の位置にあることが好ましい。これにより、ゲート電極6とソース・ドレイン電極2間の寄生容量が生じなくなり、動作速度を向上させることができる。
層間絶縁膜7は水素を含有する。それにより層間絶縁膜7に被覆された酸化物半導体薄膜層を低抵抗化することができる。
なお、層間絶縁膜7の水素濃度をゲート絶縁膜4の水素濃度より高くすることが好ましい。これにより、層間絶縁膜7の直下方の酸化物半導体薄膜層である一対のソース・ドレイン領域32の抵抗をゲート絶縁膜4の直下方の酸化物半導体薄膜層であるチャネル領域31の抵抗より低くすることができる。
酸化物半導体薄膜層3の上に水素を含有する膜を成膜すると、該膜から酸化物半導体薄膜層3に水素が拡散する。水素は、電気的に浅い不純物準位を形成し、酸化物半導体薄膜層の低抵抗化を引き起こす。ゲート絶縁膜4と層間絶縁膜7の水素濃度を異なるものとすることによって、酸化物半導体薄膜層3への水素の拡散量も異なるものなり、抵抗も異なる。即ち、層間絶縁膜7の水素濃度をゲート絶縁膜4の水素濃度より高くすることで、層間絶縁膜7の直下方の酸化物半導体薄膜層の水素濃度が、ゲート絶縁膜4の直下方の酸化物半導体薄膜層の水素濃度より高くなり、低抵抗な一対のソース・ドレイン領域32を形成することができる。
具体的には、層間絶縁膜7に窒化珪素(SiNx)、ゲート絶縁膜4に酸化珪素(SiO2)を用いるなどすることで、層間絶縁膜の水素濃度をゲート絶縁膜の水素濃度より高くすることできる。また、成膜条件等により水素濃度を制御することもできる。
ゲート絶縁膜4の形成方法の一例として、プラズマ化学気相成長(PCVD)法でSiNを20〜50nm厚で形成する方法が挙げられる。条件例としては、基板温度250℃でNH3とSiH4の混合ガスをNH3がSiH4の4倍の流量となるように調整して行う条件が例示される。
このとき、層間絶縁膜7が水素を含有することにより、層間絶縁膜7に被覆された酸化物半導体薄膜層を低抵抗化することができる。
また、層間絶縁膜7の水素濃度がゲート絶縁膜4の水素濃度より高いものを用いることが好ましい。層間絶縁膜7からその下の酸化物半導体薄膜層3に水素が拡散するが、この拡散量はゲート絶縁膜からの拡散量より多くなる。そのため、層間絶縁膜7の直下方の酸化物半導体薄膜層の水素濃度がゲート絶縁膜4の直下方の水素濃度より高くなる。水素は電気的に浅い不純物準位を形成するため、層間絶縁膜7の直下方の範囲はゲート絶縁膜4の直下方の範囲より抵抗が低くなり、一対のソース・ドレイン領域32となる。
これにより、ソース・ドレイン電極からチャネルまでの抵抗を抑え、電流律速を抑制することができる。
また、層間絶縁膜を成膜する前に、別途イオン注入法等により低抵抗化処理を行うことで、ソース・ドレイン領域32をより低抵抗化することができ、電流律速をさらに抑制することができる。
また、層間絶縁膜7の形成方法の一例として、プラズマ化学気相成長(PCVD)法でSiN膜を100〜500nm厚で形成する方法が挙げられる。条件例としては、基板温度250℃でSiH4とNH3の混合ガスをSiH4/NH3が4〜20となるように流量を調整して行う条件が例示される。
なお、PCVD法による層間絶縁膜成膜前に水素もしくは水素を構成元素として含むガスによるプラズマに基板を暴露させることにより、層間絶縁膜に被覆された酸化物半導体薄膜層により効率的に水素を導入することができ、低抵抗化したソース・ドレイン領域を効率的に形成できる。
また、基板側に高周波電力を印加しつつPCVD法により層間絶縁膜を形成することによって、プラズマ中のイオンエネルギーを増大させることができ、酸化物半導体薄膜層中のより深い領域にまで水素を導入することが可能となる。
層間絶縁膜成膜後に層間絶縁膜の成膜温度以上の温度、例えば300℃で熱処理を行うことが好ましい。これにより、層間絶縁膜中の水素を酸化物半導体薄膜中に拡散することができ、より効果的に本発明の効果を奏することができる。
まず、基板1上の全面に酸化物半導体薄膜層3を形成し、パターニングする。その後、酸化物半導体薄膜層3上にゲート絶縁膜4を被覆して、その上にゲート電極7を積載する。ゲート電極7をマスクとして、ゲート絶縁膜4をエッチングする。
その後、層間絶縁膜7を形成する。このとき、層間絶縁膜7が水素を含有することで、層間絶縁膜7に被覆された酸化物半導体薄膜層を低抵抗化することができる。
このとき、層間絶縁膜の水素濃度をゲート絶縁膜4の水素濃度より高いものとする。水素拡散量の違いから、酸化物半導体薄膜層3において、層間絶縁膜7の直下方の範囲がゲート絶縁膜4の直下方の範囲より低抵抗化し、一対のソース・ドレイン領域32が形成される。
そして、コンタクトホールを開口して、一対のソース・ドレイン電極2をそれぞれに対応するソース・ドレイン領域32と接続する。最後に表示電極9を形成して、第二の実施形態に係るTFTアレイが完成する。
2 ソース・ドレイン電極
3 酸化物半導体薄膜層
31 チャネル領域
32 ソース・ドレイン領域
4 ゲート絶縁膜
6 ゲート電極
7 層間絶縁膜
100、200 薄膜トランジスタ
Claims (6)
- 絶縁基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、該酸化物半導体薄膜層上に形成されるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に積載されたゲート電極と、酸化物半導体薄膜層の該ゲート絶縁膜に被覆されていない範囲を少なくとも被覆する層間絶縁膜とを有し、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極が自己整合的に同一形状に形成され、前記層間絶縁膜中に水素を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 前記層間絶縁膜中の水素濃度が、前記ゲート絶縁膜中の水素濃度より大きいことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 基板上にチャネルとして働く酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を形成する工程と、該酸化物半導体薄膜層を被覆してゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜の上にゲート電極を積載する行程を含む薄膜トランジスタの製法において、前記ゲート電極をマスクとして前記ゲート絶縁膜をエッチング処理し、該エッチング処理で露出した範囲の上に水素を含有する層間絶縁膜を成膜することにより低抵抗化してソース・ドレイン領域とすることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。
- 前記層間絶縁膜中の水素濃度が、前記ゲート絶縁膜中の水素濃度より大きいことを特徴とする請求項3記載の薄膜トランジスタの製法。
- 前記層間絶縁膜の成膜にプラズマCVD法を用い、該層間絶縁膜の成膜前に水素もしくは水素を構成元素として含むガスによるプラズマに該基板を暴露させることを特徴とする請求項3又は4記載の薄膜トランジスタの製法。
- 前記層間絶縁膜の成膜にプラズマCVD法を用い、前記基板側に高周波電力を印加しつつ該層間絶縁膜を形成することを特徴とする請求項3乃至5いずれか記載の薄膜トランジスタの製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006038426A JP5015471B2 (ja) | 2006-02-15 | 2006-02-15 | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006038426A JP5015471B2 (ja) | 2006-02-15 | 2006-02-15 | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007220817A true JP2007220817A (ja) | 2007-08-30 |
JP5015471B2 JP5015471B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=38497782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006038426A Expired - Fee Related JP5015471B2 (ja) | 2006-02-15 | 2006-02-15 | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5015471B2 (ja) |
Cited By (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008072025A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2008141119A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2009141002A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Canon Inc | 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置 |
WO2009136645A2 (en) * | 2008-05-07 | 2009-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
JP2010171394A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-08-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 論理回路及び半導体装置 |
WO2010103935A1 (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2010239131A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011135059A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲート型トランジスタ |
JP2011142309A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2012049513A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
WO2012043338A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、薄膜トランジスタを備える画像表示装置 |
CN102437059A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-05-02 | 北京大学 | 一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法 |
JP2012151456A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2012164873A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Japan Display Central Co Ltd | 薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法 |
US8288768B2 (en) | 2009-01-20 | 2012-10-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device having the same |
JP2012208151A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
JP2012248883A (ja) * | 2012-08-15 | 2012-12-13 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
US8373237B2 (en) | 2008-12-04 | 2013-02-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor and method of manufacturing the same |
JP2013074073A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置 |
US8624240B2 (en) | 2010-08-03 | 2014-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Top gate thin film transistor and display apparatus including the same |
US8643801B2 (en) | 2011-02-28 | 2014-02-04 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus including the same |
JP2014042038A (ja) * | 2009-06-30 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2014063141A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
WO2014068859A1 (en) | 2012-11-05 | 2014-05-08 | Sony Corporation | Semiconductor device, display unit, and electronic apparatus |
US8759829B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer as channel formation layer |
JP2014160249A (ja) * | 2008-12-05 | 2014-09-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8835918B2 (en) | 2011-09-16 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20140125186A (ko) * | 2013-04-18 | 2014-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 박막 트랜지스터와 유기 발광 표시 장치 |
CN104124277A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板 |
US8883571B2 (en) | 2012-02-28 | 2014-11-11 | Sony Corporation | Transistor, method of manufacturing the transistor, semiconductor unit, method of manufacturing the semiconductor unit, display, and electronic apparatus |
US8946714B2 (en) | 2012-03-28 | 2015-02-03 | Sony Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus including multilayer insulation film |
JP2015043088A (ja) * | 2009-03-05 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 透過型の液晶表示装置 |
US8981374B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9048322B2 (en) | 2012-11-19 | 2015-06-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display substrate and method of manufacturing the same |
US9054137B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2015135989A (ja) * | 2010-03-08 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015144296A (ja) * | 2009-12-08 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015181158A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、入出力装置、及び電子機器 |
US9230996B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
KR20160039040A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 그를 이용한 디스플레이 장치 |
US9362312B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-06-07 | Joled Inc. | Semiconductor device, display unit, and electronic apparatus |
WO2016098651A1 (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | シャープ株式会社 | 半導体装置、その製造方法、および半導体装置を備えた表示装置 |
JP2016136647A (ja) * | 2010-11-11 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9412876B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9412763B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-08-09 | Joled Inc. | Display device and electronic unit |
US9443876B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
US9494830B2 (en) | 2013-06-05 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sequential circuit and semiconductor device |
US9530894B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2017034263A (ja) * | 2011-06-10 | 2017-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017079330A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9653614B2 (en) | 2012-01-23 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9698164B2 (en) | 2011-12-20 | 2017-07-04 | Joled Inc. | Display and electronic unit |
JP2017168854A (ja) * | 2012-06-29 | 2017-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017183737A (ja) * | 2011-06-29 | 2017-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017228752A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017228809A (ja) * | 2011-09-22 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9859437B2 (en) | 2010-03-30 | 2018-01-02 | Joled Inc. | Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and display device |
US9859391B2 (en) | 2015-10-27 | 2018-01-02 | Nlt Technologies, Ltd. | Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor |
US9911755B2 (en) | 2012-12-25 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor and capacitor |
CN107808826A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种底发射顶栅自对准薄膜晶体管的制备方法 |
US9923097B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9985056B2 (en) | 2015-10-12 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US10115830B2 (en) | 2014-07-29 | 2018-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device |
US10134781B2 (en) | 2013-08-23 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Capacitor and semiconductor device |
US10361290B2 (en) | 2014-03-14 | 2019-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film |
CN110224031A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-09-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 改善金属氧化物tft特性的结构与其制作方法 |
JP2019165230A (ja) * | 2014-02-05 | 2019-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10535779B2 (en) | 2015-07-17 | 2020-01-14 | Joled Inc. | Thin film transistor and method for manufacturing thin film transistor |
US10566437B2 (en) | 2015-08-25 | 2020-02-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin film transistor and array substrate |
JP2021184497A (ja) * | 2011-03-11 | 2021-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11594588B2 (en) | 2020-04-22 | 2023-02-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device for improving conductivity of active layer |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105097948B (zh) * | 2015-08-14 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示面板和装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086808A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Masashi Kawasaki | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
-
2006
- 2006-02-15 JP JP2006038426A patent/JP5015471B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086808A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Masashi Kawasaki | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
Cited By (185)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7737438B2 (en) | 2006-09-15 | 2010-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Field-effect transistor and method for manufacturing the same |
JP2008072025A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2008141119A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2009141002A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Canon Inc | 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置 |
WO2009136645A3 (en) * | 2008-05-07 | 2010-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
JP2009272427A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
WO2009136645A2 (en) * | 2008-05-07 | 2009-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
US8445902B2 (en) | 2008-05-07 | 2013-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
TWI406418B (zh) * | 2008-05-07 | 2013-08-21 | Canon Kk | 薄膜電晶體及其製造方法 |
US8373237B2 (en) | 2008-12-04 | 2013-02-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor and method of manufacturing the same |
KR20190123712A (ko) * | 2008-12-05 | 2019-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8999750B2 (en) | 2008-12-05 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014160249A (ja) * | 2008-12-05 | 2014-09-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR102103373B1 (ko) | 2008-12-05 | 2020-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102171713B1 (ko) | 2008-12-05 | 2020-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102321760B1 (ko) | 2008-12-05 | 2021-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20200123071A (ko) * | 2008-12-05 | 2020-10-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20190008975A (ko) * | 2008-12-05 | 2019-01-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9201280B2 (en) | 2008-12-05 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2018160679A (ja) * | 2008-12-05 | 2018-10-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9443888B2 (en) | 2008-12-24 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device including transistor and resistor incorporating hydrogen in oxide semiconductor |
KR101610018B1 (ko) | 2008-12-24 | 2016-04-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
JP2013042143A (ja) * | 2008-12-24 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR102111262B1 (ko) | 2008-12-24 | 2020-05-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층, 수동 소자, 및 반도체 장치 |
JP2020123727A (ja) * | 2008-12-24 | 2020-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101903353B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2018-10-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20180103789A (ko) * | 2008-12-24 | 2018-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9941310B2 (en) | 2008-12-24 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit with oxide semiconductor layers having varying hydrogen concentrations |
KR20200053455A (ko) * | 2008-12-24 | 2020-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP2016096346A (ja) * | 2008-12-24 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102650248B1 (ko) | 2008-12-24 | 2024-03-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 보호 회로 |
KR102005256B1 (ko) | 2008-12-24 | 2019-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101620517B1 (ko) | 2008-12-24 | 2016-05-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로 및 반도체 장치 |
JP2014123742A (ja) * | 2008-12-24 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR20160121475A (ko) * | 2008-12-24 | 2016-10-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층, 수동 소자, 및 반도체 장치 |
KR20170110056A (ko) * | 2008-12-24 | 2017-10-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102258562B1 (ko) | 2008-12-24 | 2021-05-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP2014197678A (ja) * | 2008-12-24 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20210064148A (ko) * | 2008-12-24 | 2021-06-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2010171394A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-08-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 論理回路及び半導体装置 |
KR101460016B1 (ko) | 2008-12-24 | 2014-11-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
KR20220110146A (ko) * | 2008-12-24 | 2022-08-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 보호 회로 |
US9202827B2 (en) | 2008-12-24 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and semiconductor device |
KR102426819B1 (ko) | 2008-12-24 | 2022-08-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8288768B2 (en) | 2009-01-20 | 2012-10-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device having the same |
US11233132B2 (en) | 2009-03-05 | 2022-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2015043088A (ja) * | 2009-03-05 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 透過型の液晶表示装置 |
US11961894B2 (en) | 2009-03-05 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9768281B2 (en) | 2009-03-12 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2011009697A (ja) * | 2009-03-12 | 2011-01-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
WO2010103935A1 (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102159147B1 (ko) * | 2009-03-12 | 2020-09-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US8993386B2 (en) | 2009-03-12 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102391280B1 (ko) | 2009-03-12 | 2022-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20200008051A (ko) * | 2009-03-12 | 2020-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR20210157428A (ko) * | 2009-03-12 | 2021-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2010239131A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US8936963B2 (en) | 2009-03-13 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
US9184189B2 (en) | 2009-03-27 | 2015-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic appliance |
US8759829B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer as channel formation layer |
US9054137B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US10062570B2 (en) | 2009-06-30 | 2018-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9831101B2 (en) | 2009-06-30 | 2017-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2014042038A (ja) * | 2009-06-30 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US10796908B2 (en) | 2009-06-30 | 2020-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20210090296A (ko) * | 2009-06-30 | 2021-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
KR102458127B1 (ko) | 2009-06-30 | 2022-10-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
US9576795B2 (en) | 2009-06-30 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10090171B2 (en) | 2009-06-30 | 2018-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9136115B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8846460B2 (en) | 2009-06-30 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9570628B2 (en) | 2009-11-27 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9184299B2 (en) | 2009-11-27 | 2015-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2011135059A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲート型トランジスタ |
JP2015144296A (ja) * | 2009-12-08 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2011142309A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2015135989A (ja) * | 2010-03-08 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10763371B2 (en) | 2010-03-30 | 2020-09-01 | Joled Inc. | Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and display device |
US9859437B2 (en) | 2010-03-30 | 2018-01-02 | Joled Inc. | Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and display device |
JP2023036811A (ja) * | 2010-07-26 | 2023-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2012049513A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
TWI514574B (zh) * | 2010-07-26 | 2015-12-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
US8624240B2 (en) | 2010-08-03 | 2014-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Top gate thin film transistor and display apparatus including the same |
CN103140920A (zh) * | 2010-09-28 | 2013-06-05 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜晶体管、其制造方法以及装备有该薄膜晶体管的图像显示装置 |
WO2012043338A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、薄膜トランジスタを備える画像表示装置 |
US8963147B2 (en) | 2010-09-28 | 2015-02-24 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thin film transistor, method of manufacturing the same, and image display device equipped with thin film transistor |
US10811522B2 (en) | 2010-11-11 | 2020-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2016136647A (ja) * | 2010-11-11 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11631756B2 (en) | 2010-11-11 | 2023-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10153360B2 (en) | 2010-11-11 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9673305B2 (en) | 2010-11-11 | 2017-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9911858B2 (en) | 2010-12-28 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2012151456A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2012164873A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Japan Display Central Co Ltd | 薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法 |
US9123588B2 (en) | 2011-02-08 | 2015-09-01 | Japan Display Inc. | Thin-film transistor circuit substrate and method of manufacturing the same |
US8643801B2 (en) | 2011-02-28 | 2014-02-04 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus including the same |
JP2021184497A (ja) * | 2011-03-11 | 2021-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6994134B2 (ja) | 2011-03-11 | 2022-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9368525B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-06-14 | Joled Inc. | Display device and electronic apparatus |
JP2012208151A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
US9412763B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-08-09 | Joled Inc. | Display device and electronic unit |
JP2017034263A (ja) * | 2011-06-10 | 2017-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017183737A (ja) * | 2011-06-29 | 2017-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9105732B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8835918B2 (en) | 2011-09-16 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2020074471A (ja) * | 2011-09-22 | 2020-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017228809A (ja) * | 2011-09-22 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019080071A (ja) * | 2011-09-22 | 2019-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013074073A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置 |
CN102437059A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-05-02 | 北京大学 | 一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法 |
US9698164B2 (en) | 2011-12-20 | 2017-07-04 | Joled Inc. | Display and electronic unit |
US9653614B2 (en) | 2012-01-23 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10079312B2 (en) | 2012-01-23 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9276120B2 (en) | 2012-02-28 | 2016-03-01 | Joled Inc. | Transistor, method of manufacturing the transistor, semiconductor unit, method of manufacturing the semiconductor unit, display, and electronic apparatus |
US8883571B2 (en) | 2012-02-28 | 2014-11-11 | Sony Corporation | Transistor, method of manufacturing the transistor, semiconductor unit, method of manufacturing the semiconductor unit, display, and electronic apparatus |
US9136387B2 (en) | 2012-03-28 | 2015-09-15 | Joled Inc. | Semiconductor device and electronic apparatus |
US8946714B2 (en) | 2012-03-28 | 2015-02-03 | Sony Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus including multilayer insulation film |
JP2017168854A (ja) * | 2012-06-29 | 2017-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US11393918B2 (en) | 2012-06-29 | 2022-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US10811521B2 (en) | 2012-06-29 | 2020-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2020065080A (ja) * | 2012-06-29 | 2020-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014063141A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9941309B2 (en) | 2012-08-03 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012248883A (ja) * | 2012-08-15 | 2012-12-13 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
WO2014068859A1 (en) | 2012-11-05 | 2014-05-08 | Sony Corporation | Semiconductor device, display unit, and electronic apparatus |
US9048322B2 (en) | 2012-11-19 | 2015-06-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display substrate and method of manufacturing the same |
US9911755B2 (en) | 2012-12-25 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor and capacitor |
US8981374B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9177969B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9331108B2 (en) | 2013-01-30 | 2016-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9917116B2 (en) | 2013-01-30 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9659977B2 (en) | 2013-01-30 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9362312B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-06-07 | Joled Inc. | Semiconductor device, display unit, and electronic apparatus |
KR20140125186A (ko) * | 2013-04-18 | 2014-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 박막 트랜지스터와 유기 발광 표시 장치 |
KR102107535B1 (ko) * | 2013-04-18 | 2020-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 박막 트랜지스터와 유기 발광 표시 장치 |
CN104124277A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板 |
US9939692B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sequential circuit and semiconductor device |
US9494830B2 (en) | 2013-06-05 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sequential circuit and semiconductor device |
US10134781B2 (en) | 2013-08-23 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Capacitor and semiconductor device |
JP2019197935A (ja) * | 2013-12-06 | 2019-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9923097B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9230996B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US9786690B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US9536904B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US10249645B2 (en) | 2014-02-05 | 2019-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
US11699762B2 (en) | 2014-02-05 | 2023-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
US11107837B2 (en) | 2014-02-05 | 2021-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semicondutor device, the display device, and the display module |
JP2019165230A (ja) * | 2014-02-05 | 2019-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US11942555B2 (en) | 2014-02-05 | 2024-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10680116B2 (en) | 2014-02-05 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including oxide semiconductor |
US9443876B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
US11011648B2 (en) | 2014-02-05 | 2021-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11640996B2 (en) | 2014-02-05 | 2023-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10811435B2 (en) | 2014-02-05 | 2020-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
US11355529B2 (en) | 2014-02-07 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9847358B2 (en) | 2014-02-07 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9412876B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10367013B2 (en) | 2014-02-07 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10763282B2 (en) | 2014-02-07 | 2020-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9997637B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10249768B2 (en) | 2014-02-07 | 2019-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9530894B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2015181158A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、入出力装置、及び電子機器 |
US9634150B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device |
US9859444B2 (en) | 2014-03-07 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device |
US10361290B2 (en) | 2014-03-14 | 2019-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film |
US11876126B2 (en) | 2014-03-14 | 2024-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US11094804B2 (en) | 2014-03-14 | 2021-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US10115830B2 (en) | 2014-07-29 | 2018-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device |
KR101679252B1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 그를 이용한 디스플레이 장치 |
KR20160039040A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 그를 이용한 디스플레이 장치 |
US9842864B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-12-12 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor substrate and display apparatus using the same |
WO2016098651A1 (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | シャープ株式会社 | 半導体装置、その製造方法、および半導体装置を備えた表示装置 |
US10535779B2 (en) | 2015-07-17 | 2020-01-14 | Joled Inc. | Thin film transistor and method for manufacturing thin film transistor |
JP2017228752A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2022008388A (ja) * | 2015-08-19 | 2022-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP7254867B2 (ja) | 2015-08-19 | 2023-04-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10566437B2 (en) | 2015-08-25 | 2020-02-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin film transistor and array substrate |
US9985056B2 (en) | 2015-10-12 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2017079330A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9859391B2 (en) | 2015-10-27 | 2018-01-02 | Nlt Technologies, Ltd. | Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor |
CN107808826A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种底发射顶栅自对准薄膜晶体管的制备方法 |
CN110224031A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-09-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 改善金属氧化物tft特性的结构与其制作方法 |
US11594588B2 (en) | 2020-04-22 | 2023-02-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device for improving conductivity of active layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5015471B2 (ja) | 2012-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5015471B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製法 | |
JP5015472B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製法 | |
JP5015470B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製法 | |
US10615266B2 (en) | Thin-film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate | |
JP5128792B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製法 | |
JP5099740B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
US9455333B2 (en) | Thin film transistor array panel | |
JP4873528B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
KR101413655B1 (ko) | 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
JP2007220818A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製法 | |
US8101949B2 (en) | Treatment of gate dielectric for making high performance metal oxide and metal oxynitride thin film transistors | |
US8735229B2 (en) | Method of manufacturing ZnO-based thin film transistor | |
US9246007B2 (en) | Oxide thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, and display apparatus | |
US20110095288A1 (en) | Thin film transistor and display device | |
US20150187948A1 (en) | Semiconductor device and method for producing same | |
KR20110109885A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 디스플레이 장치 | |
JP2008098447A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製法 | |
US20060246639A1 (en) | Thin film transistor and method of fabricating the same | |
US7871872B2 (en) | Method of manufacturing thin film transistor having lightly doped drain regions | |
US20180315781A1 (en) | Complementary thin film transistor and manufacturing method thereof, and array substrate | |
US8044576B2 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
US9252284B2 (en) | Display substrate and method of manufacturing a display substrate | |
KR101743111B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
JP2004063845A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法、平面表示装置の製造方法、薄膜トランジスタ及び平面表示装置 | |
US10510899B2 (en) | Thin film transistor, thin film transistor manufacturing method and liquid crystal display panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120119 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120530 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120607 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |