JP2007220318A - Electrooptic device and manufacturing method therefor - Google Patents

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司 大田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrooptic device that enables to obtain high image quality by inhibiting light-emission from parts other than an electrooptic element, and to provide its manufacturing method. <P>SOLUTION: Carriers (electrons) are injected into a light-emitting layer 13b of each functional layer 13 via an electrode 15 by forming the electrode 15 having the same shape as that of a pixel electrode 11 at a position opposite to the pixel electrode 11 on the functional layer 13. As a result, the density of the carriers (electrons) injected into the light-emitting layers 13b arranged so as to be protruded to a region R on the outer periphery of the pixel electrode 11 is very small, and the carriers are concentratedly injected into each light-emitting layer 13b in a region sandwiched between the pixel electrode 11 and the electrode 15. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to an electro-optical device and a method for manufacturing the electro-optical device.

従来より、軽量化、薄型化、高視野角等の観点から、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置が注目されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, an organic electroluminescence device including an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as “organic EL element”) has attracted attention from the viewpoints of weight reduction, thickness reduction, high viewing angle, and the like.

この有機ＥＬ素子は、基本的には、有機機能層を陽極と陰極とで挟んだ形態であって、両電極から注入されたキャリア（電子及び正孔）が再結合時に形成される励起子（エキシトン）が励起状態から基底状態に遷移する際に光を出射する。   This organic EL element basically has a form in which an organic functional layer is sandwiched between an anode and a cathode, and excitons (electrons and holes) injected from both electrodes are formed upon recombination ( Light is emitted when the exciton transitions from the excited state to the ground state.

ところで、有機機能層を、発光層以外に電荷注入層を備えた２層構造や、発光層以外に電荷注入層及び電子輸送層を備えた３層構造等といった積層構造にすることで発光効率を高めることができることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開平６−４５０７４号公報 By the way, the organic functional layer has a light emitting efficiency by forming a laminated structure such as a two-layer structure including a charge injection layer in addition to the light emitting layer or a three-layer structure including a charge injection layer and an electron transport layer in addition to the light emitting layer. It is known that it can be increased (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-6-45074

一般に、上述した電荷注入層（例えば、正孔注入層）には、チオフェン系ポリマーとスチレンポリマーよりなる材料（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）といった、発光層に使用される材料に比べて低抵抗な有機材料が使用される。この結果、電荷注入層には、陽極から注入されたキャリア（正孔）が電荷注入層（正孔注入層）全体に広がって分布するようになる。   Generally, the above-described charge injection layer (for example, hole injection layer) is made of an organic material having a low resistance compared to a material used for a light emitting layer, such as a material (PEDT / PSS) made of a thiophene polymer and a styrene polymer. used. As a result, carriers (holes) injected from the anode are spread and distributed throughout the charge injection layer (hole injection layer) in the charge injection layer.

また、液相プロセス（たとえば、液滴吐出法）によって形成される有機ＥＬ素子は、塗布された液状材料が画素電極上に均一に広がるようにするため、図１０に示すように、有機ＥＬ素子３０間を区画する絶縁層３１の下側部３１ａが親液化処理され、画素電極３２側に迫り出している。従って、電荷注入層３３ａ及び発光層３３ｂは、その親液処理された絶縁層３１ａ上を覆うように画素電極３２上に形成されている。   Further, in the organic EL element formed by a liquid phase process (for example, a droplet discharge method), the organic EL element is applied as shown in FIG. 10 in order to spread the applied liquid material uniformly on the pixel electrode. The lower portion 31a of the insulating layer 31 that divides 30 is subjected to a lyophilic process and protrudes toward the pixel electrode 32 side. Therefore, the charge injection layer 33a and the light emitting layer 33b are formed on the pixel electrode 32 so as to cover the insulating layer 31a subjected to the lyophilic treatment.

一方、対向電極３４は、隣接する他の有機ＥＬ素子３０に共通に各絶縁層３１及び発光層３３ｂ上の全面に渡って形成されている。このため、発光層３３ｂには、対向電極３４から注入されたキャリア（電子）が発光層３３ｂ全体に広がって分布する。   On the other hand, the counter electrode 34 is formed over the entire surface of each insulating layer 31 and the light emitting layer 33b in common with other adjacent organic EL elements 30. Therefore, in the light emitting layer 33b, carriers (electrons) injected from the counter electrode 34 are spread and distributed throughout the light emitting layer 33b.

従って、発光層３３ｂでは、その全域にて再結合が生じることから画素電極３２が形成された領域Ｒａだけでなくその外周囲の領域Ｒｂからも発光する。この結果、有機ＥＬ素子３０は、その素子の周囲からも発光するため、発光領域が広くなり、点発光よりもむしろ面発光となる。そのために、たとえば、光書き込みヘッドの発光素子として有機ＥＬ素子を使用した場合では、結像がぼけてしまい、解像度の低い画像となってしまうという問題があった。   Therefore, in the light emitting layer 33b, recombination occurs in the entire region, so that light is emitted not only from the region Ra where the pixel electrode 32 is formed but also from the outer peripheral region Rb. As a result, since the organic EL element 30 emits light from the periphery of the element, the light emitting region is widened, and surface emission is performed rather than point emission. Therefore, for example, when an organic EL element is used as the light emitting element of the optical writing head, there is a problem that the image is blurred and the image has a low resolution.

本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであって、各電気光学素子以外からの発光を抑制することで高い画像品質を得ることが可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides an electro-optical device capable of obtaining high image quality by suppressing light emission from other than each electro-optical element and a method for manufacturing the same. It is in.

本発明の電気光学装置は、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電
極層との間に配置され少なくとも発光層を含む機能層と、から構成された複数の電気光学素子を備えた電気光学装置において、前記第２電極層の形状を、前記第１電極層の形状に合わせている。 The electro-optical device of the present invention includes a first electrode layer, a second electrode layer, and a functional layer that is disposed between the first electrode layer and the second electrode layer and includes at least a light emitting layer. In the electro-optical device including a plurality of electro-optical elements, the shape of the second electrode layer is matched with the shape of the first electrode layer.

また、本発明の電気光学装置は、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置され少なくとも発光層を含む機能層と、から構成された複数の電気光学素子と、前記各電気光学素子の周囲に配置される絶縁層と
を備えた電気光学装置において、前記第１電極層上であってその周囲に、前記絶縁層の一部が乗り上げている。 The electro-optical device according to the aspect of the invention includes a first electrode layer, a second electrode layer, and a functional layer that is disposed between the first electrode layer and the second electrode layer and includes at least a light emitting layer. An electro-optic device comprising a plurality of electro-optic elements and an insulating layer disposed around each of the electro-optic elements, and a part of the insulation layer on and around the first electrode layer Is on board.

これらによれば、第１電極層と第２電極層との間に挟まれた領域の発光層にのみキャリアが集中して注入される。従って、各電気光学素子は、その周囲、即ち、画素電極の外周囲からは光が出射しないことから、解像度の高い画像を表示することができる。   According to these, carriers are concentrated and injected only into the light emitting layer in the region sandwiched between the first electrode layer and the second electrode layer. Accordingly, each electro-optical element does not emit light from its periphery, that is, from the outer periphery of the pixel electrode, so that an image with high resolution can be displayed.

この電気光学装置において、前記機能層は、前記発光層の他に少なくも電荷注入層を備え、前記電荷注入層の電気抵抗は、前記発光層に比べて低い材料で構成されていてもよい。   In this electro-optical device, the functional layer may include at least a charge injection layer in addition to the light emitting layer, and the electric resistance of the charge injection layer may be made of a material lower than that of the light emitting layer.

これによれば、電荷注入層の電気抵抗値が発光層に比べて小さくても、第１電極層と第２電極層との間に挟まれた領域の発光層に集中してキャリアが注入される。従って、各電気光学素子は、その周囲、即ち、画素電極の外周囲からは光が出射しないことから、解像度の高い画像を表示することができる。   According to this, even if the electric resistance value of the charge injection layer is smaller than that of the light emitting layer, carriers are injected concentratedly in the light emitting layer in the region sandwiched between the first electrode layer and the second electrode layer. The Accordingly, each electro-optical element does not emit light from its periphery, that is, from the outer periphery of the pixel electrode, so that an image with high resolution can be displayed.

この電気光学装置において、前記電気光学素子は、前記機能層が有機材料で構成された有機エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。
これによれば、有機エレクトロルミネッセンス素子において、その発光領域が周囲に広がらない。この結果、解像度の高い画像を表示することができる。 In this electro-optical device, the electro-optical element may be an organic electroluminescence element in which the functional layer is made of an organic material.
According to this, in the organic electroluminescence element, the light emitting region does not spread around. As a result, an image with high resolution can be displayed.

本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置され少なくとも発光層を含む機能層と、から構成された複数の電気光学素子を備えた電気光学装置の製造方法において、前記基板上に形成された前記第１電極層上に前記機能層を形成する工程と、前記機能層上に導電層を形成する工程と、前記第１電極層の形状に合うように前記導電層を形成して前記第２電極層を形成する工程とを備えている。   The electro-optical device manufacturing method of the present invention includes a first electrode layer, a second electrode layer, and a function including at least a light emitting layer disposed between the first electrode layer and the second electrode layer on a substrate. And forming a functional layer on the first electrode layer formed on the substrate in a method for manufacturing an electro-optical device including a plurality of electro-optic elements, and on the functional layer. Forming a conductive layer, and forming the second electrode layer by forming the conductive layer so as to match the shape of the first electrode layer.

これによれば、第２電極層の形状が第１電極層の形状に合った電気光学素子が形成される。従って、電気光学素子は、その周囲、即ち、画素電極の外周囲からは光が出射しないことから、解像度の高い画像を表示することができる電気光学装置を製造することができる。   According to this, an electro-optic element in which the shape of the second electrode layer matches the shape of the first electrode layer is formed. Therefore, since the electro-optic element does not emit light from its periphery, that is, from the outer periphery of the pixel electrode, an electro-optic device capable of displaying an image with high resolution can be manufactured.

この電気光学装置の製造方法において、前記機能層を液滴吐出法によって形成するようにしてもよい。
これによれば、第１電極層の周囲にも、機能層を構成する材料を含んだ液滴を塗布しても、その周囲に塗布された領域からの発光を抑制することができる。 In this electro-optical device manufacturing method, the functional layer may be formed by a droplet discharge method.
According to this, even when a droplet including the material constituting the functional layer is applied around the first electrode layer, light emission from the region applied around the first electrode layer can be suppressed.

（第１実施形態）
以下、本発明の一実施形態に係る電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、「有機ＥＬ装置」という）について各図に従って説明する。図１（ａ）は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の上面図であり、（ｂ）は、その陰極層を備えた有機ＥＬ
装置の一部概略断面図である。 (First embodiment)
Hereinafter, an organic electroluminescence device (hereinafter referred to as “organic EL device”) as an electro-optical device according to an embodiment of the invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a top view of the organic EL device according to the present embodiment, and FIG. 1B is an organic EL device including the cathode layer.
It is a partial schematic sectional drawing of an apparatus.

本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、アクティブマトリクス駆動方式であって、基板Ｓ上には各有機ＥＬ素子に供給する電流（キャリア）の量を制御するための図示しない薄膜トランジスタ等を備えている。尚、本実施形態の基板Ｓは、例えば、無アルカリガラスといった光透過性を有する材料で構成されている。   The organic EL device 10 of the present embodiment is an active matrix driving method, and includes a thin film transistor (not shown) on the substrate S for controlling the amount of current (carrier) supplied to each organic EL element. In addition, the board | substrate S of this embodiment is comprised with the material which has light transmittances, such as non-alkali glass, for example.

図１（ｂ）に示すように、基板Ｓは、その素子形成面Ｓａ上に複数の第１電極としての画素電極１１をマトリクス状に配置形成している。画素電極１１は、本実施形態では、矩形形状を成している。各画素電極１１は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、該薄膜トランジスタによって制御された電流（キャリア）が供給されるようになっている。尚、画素電極１１は、光透過性を有した導電性材料で構成されている。本実施形態の画素電極１１は、インジウム−スズ化合物（ＩＴＯ）で構成されている。   As shown in FIG. 1B, the substrate S has a plurality of pixel electrodes 11 as first electrodes arranged in a matrix on the element formation surface Sa. In the present embodiment, the pixel electrode 11 has a rectangular shape. Each pixel electrode 11 is electrically connected to a thin film transistor so that a current (carrier) controlled by the thin film transistor is supplied. The pixel electrode 11 is made of a conductive material having light transparency. The pixel electrode 11 of this embodiment is composed of an indium-tin compound (ITO).

また、基板Ｓ上には、絶縁層１２が形成されている。絶縁層１２は、親液性を有した第１絶縁層１２ａと、該第１絶縁層１２ａ上に配置された撥液性を有した第２絶縁層１２ｂとから構成されている。本実施形態では、第１絶縁層１２ａは酸化珪素（ＳｉＯｘ）で、第２絶縁層１２ｂはポリイミドでそれぞれ構成されている。   An insulating layer 12 is formed on the substrate S. The insulating layer 12 includes a first insulating layer 12a having lyophilicity and a second insulating layer 12b having liquid repellency disposed on the first insulating layer 12a. In the present embodiment, the first insulating layer 12a is made of silicon oxide (SiOx), and the second insulating layer 12b is made of polyimide.

また、第１絶縁層１２ａ及び第２絶縁層１２ｂは、それぞれ、画素電極１１に対応した位置に開口部Ｑｏが連通形成されている。つまり、各画素電極１１が配置された位置には、画素電極１１を囲むようにして凹部Ｚが形成されている。そして、第１絶縁層１２ａは、第２絶縁層１２ｂよりも凹部Ｚの底部の中心に向かって、即ち、画素電極１１に向かって迫り出すようして配置されている。そして、前述したように形成された絶縁層１２の各開口部Ｑｏによって画素が区画形成される。   The first insulating layer 12a and the second insulating layer 12b are each formed with an opening Qo at a position corresponding to the pixel electrode 11. That is, a recess Z is formed at a position where each pixel electrode 11 is disposed so as to surround the pixel electrode 11. The first insulating layer 12 a is disposed so as to protrude toward the center of the bottom of the recess Z, that is, toward the pixel electrode 11 from the second insulating layer 12 b. The pixels are partitioned by the openings Qo of the insulating layer 12 formed as described above.

各凹部Ｚには機能層１３が形成されている。機能層１３は、正孔注入層１３ａ及び発光層１３ｂとから構成されており、画素電極１１側から正孔注入層１３ａ、発光層１３ｂの順に積層されている。各正孔注入層１３ａ及び発光層１３ｂは、公知の高分子材料で構成されており、例えば、本実施形態では、正孔注入層１３ａをポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）で構成し、発光層１３ｂをアルキキノリール鎖体アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成している。従って、凹部Ｚを構成する絶縁層１２は、画素電極１１を囲むようにして形成されているので、機能層１３の一部は、画素電極１１の外周囲（図１（ｂ）中符号「Ｒ」にて示された領域）に、はみ出して配置される。尚、本実施形態の発光層１３ｂは白色の光を出射するものである。   In each recess Z, a functional layer 13 is formed. The functional layer 13 includes a hole injection layer 13a and a light emitting layer 13b, and the hole injection layer 13a and the light emitting layer 13b are stacked in this order from the pixel electrode 11 side. Each hole injection layer 13a and the light emitting layer 13b are made of a known polymer material. For example, in this embodiment, the hole injection layer 13a is made of polyethylene dioxythiophene (PEDOT), and the light emitting layer 13b. Is made of alkynolyl chain aluminum (Alq3). Accordingly, since the insulating layer 12 constituting the recess Z is formed so as to surround the pixel electrode 11, a part of the functional layer 13 is formed on the outer periphery of the pixel electrode 11 (see “R” in FIG. 1B). In the area shown in FIG. Note that the light emitting layer 13b of the present embodiment emits white light.

機能層１３上には対向電極１４が形成されている。図１（ａ）に示すように、対向電極１４は、前記画素電極１１に対向した位置に電極部１５を有している。電極部１５は、対向した画素電極１１と同じ形状を成している。本実施形態では、画素電極１１は矩形形状を成しているので、各電極部１５は、対応する画素電極１１と同じ大きさの矩形形状となっている。また、各電極部１５は隣接する他の電極部１５と細長の連結部１６を介して電気的に接続され、全電極部１５が同電位（接地電位）となる。本実施形態では、連結部１６は、電極部１５の各上下左右に連結されている。尚、対向電極１４は、本実施形態では、アルミニウム（Ａｌ）で構成されている。そして、電極部１５は、各機能層１３の発光層１３ｂに対してキャリア（電子）を注入する。   A counter electrode 14 is formed on the functional layer 13. As shown in FIG. 1A, the counter electrode 14 has an electrode portion 15 at a position facing the pixel electrode 11. The electrode portion 15 has the same shape as the opposing pixel electrode 11. In the present embodiment, since the pixel electrode 11 has a rectangular shape, each electrode portion 15 has a rectangular shape having the same size as the corresponding pixel electrode 11. In addition, each electrode portion 15 is electrically connected to another adjacent electrode portion 15 via an elongated connecting portion 16, and all the electrode portions 15 have the same potential (ground potential). In the present embodiment, the connecting portion 16 is connected to the upper, lower, left, and right sides of the electrode portion 15. The counter electrode 14 is made of aluminum (Al) in this embodiment. The electrode unit 15 injects carriers (electrons) into the light emitting layer 13 b of each functional layer 13.

そして、画素電極１１と、対向電極１４（電極部１５）と、前記画素電極１１と前記対向電極１４（電極部１５）との間に配置された機能層１３とで、一つの電気光学素子としての有機ＥＬ素子２０が構成されている。また、対向電極１４上の全面には図示しない保護層が形成されている。   The pixel electrode 11, the counter electrode 14 (electrode part 15), and the functional layer 13 disposed between the pixel electrode 11 and the counter electrode 14 (electrode part 15) serve as one electro-optical element. The organic EL element 20 is configured. A protective layer (not shown) is formed on the entire surface of the counter electrode 14.

そして、画素電極１１にキャリアが供給されて正孔注入層１３ａを介して発光層１３ｂにキャリア（正孔）が注入されるとともに、対向電極１４からキャリア（電子）が注入されることで、発光層１３ｂにて発光し、その光が基板Ｓを透過して素子形成面Ｓａと対向する面（光出射面）から外部に出射される。   Then, carriers are supplied to the pixel electrode 11 and carriers (holes) are injected into the light emitting layer 13b through the hole injection layer 13a, and carriers (electrons) are injected from the counter electrode 14 to emit light. The layer 13b emits light, and the light passes through the substrate S and is emitted to the outside from the surface (light emitting surface) facing the element formation surface Sa.

次に、前述のように構成された有機ＥＬ装置１０の製造方法について、図２及び図３に従って説明する。
まず、基板Ｓを洗浄した後、公知の方法によって所定の領域に薄膜トランジスタを形成する。その後、基板Ｓ上に、フォトリソグラフィー法等を使用することによって画素電極１１、及び、第１及び第２絶縁層１２ａ，１２ｂを順次形成する。このとき、第１及び第２絶縁層１２ａ，１２ｂ上に酸素プラズマ処理を施すことによって第２絶縁層１２ｂの表面を撥液化しておく（図２（ａ）参照）。 Next, a method for manufacturing the organic EL device 10 configured as described above will be described with reference to FIGS.
First, after cleaning the substrate S, a thin film transistor is formed in a predetermined region by a known method. Thereafter, the pixel electrode 11 and the first and second insulating layers 12a and 12b are sequentially formed on the substrate S by using a photolithography method or the like. At this time, the surface of the second insulating layer 12b is made liquid repellent by performing oxygen plasma treatment on the first and second insulating layers 12a and 12b (see FIG. 2A).

続いて、公知の液滴吐出法によって画素電極１１及び第１絶縁層１２ａ上に正孔注入層１３ａを形成する。これは、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）をエタノールといった有機溶媒に溶解した液状体Ｌを第１及び第２絶縁層１２ａ，１２ｂによって区画形成された凹部Ｚに塗布し（図２（ｂ）参照）、続いて、乾燥させることで形成する（図２（ｃ）参照）。   Subsequently, a hole injection layer 13a is formed on the pixel electrode 11 and the first insulating layer 12a by a known droplet discharge method. In this method, a liquid L obtained by dissolving polyethylene dioxythiophene (PEDOT) in an organic solvent such as ethanol is applied to the recesses Z defined by the first and second insulating layers 12a and 12b (see FIG. 2B). Subsequently, it is formed by drying (see FIG. 2C).

その後、正孔注入層１３ａ上に発光層１３ｂを形成する。これは、アルキキノリール鎖体アルミニウム（Ａｌｑ３）をエタノールといった有機溶媒に溶解した液状体を発光層１３ｂ上に塗布し、その後、乾燥させることで形成する（図２（ｄ）参照）。   Thereafter, the light emitting layer 13b is formed on the hole injection layer 13a. This is formed by applying a liquid material obtained by dissolving alkynolyl chain aluminum (Alq3) in an organic solvent such as ethanol on the light emitting layer 13b and then drying (see FIG. 2D).

次に、図３（ａ）に示すように、発光層１３ｂ及び第２絶縁層１２ｂ上の全面にアルミニウム（Ａｌ）からなる導電層２１を蒸着形成する。その後、図３（ｂ）に示すように、発光層１３ｂ上の画素電極１１と対向した領域及び第２絶縁層１２ｂ上の一部を覆うメタルマスクＭｏを配置する。そして、この状態でミリング処理を行う。このミリング処理は、たとえば、アルゴン（Ａｒ）ミリングである。   Next, as shown in FIG. 3A, a conductive layer 21 made of aluminum (Al) is deposited on the entire surface of the light emitting layer 13b and the second insulating layer 12b. Thereafter, as shown in FIG. 3B, a metal mask Mo is disposed to cover a region facing the pixel electrode 11 on the light emitting layer 13b and a part on the second insulating layer 12b. In this state, the milling process is performed. This milling process is, for example, argon (Ar) milling.

すると、メタルマスクＭｏが配置されていない領域に形成された導電層２１が除去される。その結果、図３（ｃ）に示すように、画素電極１１上に対向した位置には、その画素電極１１と同じ形状を成した、即ち、矩形形状を成した電極部１５が、また、第２絶縁層１２ｂ上は、隣接する他の電極部１５と連結するように細長の連結部１６がそれぞれ形成される。   Then, the conductive layer 21 formed in the region where the metal mask Mo is not disposed is removed. As a result, as shown in FIG. 3C, the electrode portion 15 having the same shape as that of the pixel electrode 11, that is, a rectangular shape, is formed at the position facing the pixel electrode 11. On the two insulating layers 12b, elongated connecting portions 16 are formed so as to be connected to other adjacent electrode portions 15, respectively.

その後、対向電極１４上の全面に保護層を形成することで、有機ＥＬ装置１０が完成する。
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。 Then, the organic EL device 10 is completed by forming a protective layer on the entire surface of the counter electrode 14.
As described above, the present embodiment has the following effects.

（１）本実施形態によれば、機能層１３上の、画素電極１１に対向した位置に、画素電極１１と同じ形状を成した電極部１５を形成し、この電極部１５を介して各機能層１３の発光層１３ｂにキャリア（電子）を注入するようにした。従って、画素電極１１の外周囲の領域Ｒにはみ出して配置された発光層１３ｂに対して注入されるキャリア（電子）の密度は非常に小さく、画素電極１１と電極部１５との間に挟まれた領域の発光層１３ｂにキャリアが集中して注入される。この結果、画素電極１１の外周囲の領域Ｒにてほとんど発光しないことから、発光領域が各有機ＥＬ素子２０の周囲に広がるのを抑制することができる。   (1) According to the present embodiment, the electrode part 15 having the same shape as the pixel electrode 11 is formed on the functional layer 13 at a position facing the pixel electrode 11, and each function is provided via the electrode part 15. Carriers (electrons) are injected into the light emitting layer 13b of the layer 13. Accordingly, the density of carriers (electrons) injected into the light emitting layer 13 b that protrudes from the outer peripheral region R of the pixel electrode 11 is very small and is sandwiched between the pixel electrode 11 and the electrode portion 15. Carriers are concentrated and injected into the light emitting layer 13b in the region. As a result, almost no light is emitted in the outer peripheral region R of the pixel electrode 11, so that the light emitting region can be prevented from spreading around each organic EL element 20.

（２）本実施形態によれば、対向電極１４の電極部１５は、機能層１３を形成後、画素
電極１１に対向する位置にメタルマスクを配置し、その状態でアルゴンミリング処理を施すことで形成するようにした。従って、ウェットエッチングを使用した場合に比べて、有機材料で構成された機能層１３に対する損傷を抑制しつつ対向電極１４の電極部１５を形成することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態に係る有機ＥＬ装置を図４に従って説明する。本実施形態においては、対向電極１４の形状が異なっている以外は上記第１実施形態と同様である。従って、同じ構成の部材については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。 (2) According to this embodiment, after forming the functional layer 13, the electrode portion 15 of the counter electrode 14 arranges a metal mask at a position facing the pixel electrode 11, and performs an argon milling process in that state. It was made to form. Therefore, compared with the case where wet etching is used, the electrode part 15 of the counter electrode 14 can be formed while suppressing damage to the functional layer 13 made of an organic material.
(Second Embodiment)
Next, an organic EL device according to a second embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment is the same as the first embodiment except that the shape of the counter electrode 14 is different. Accordingly, members having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図４は、第２実施形態に係る有機ＥＬ装置１０Ａの上面図である。図４に示すように、本実施形態では、電極部１５は画素電極１１の形状に合った矩形形状を成しているが、その各電極部１５を連結する連結部１６が上記第１実施形態とは異なり各電極部１５の上下隅部に配置されている。そして、各連結部１６は、隣接する他の電極部１５と交差するようにして配置されている。   FIG. 4 is a top view of the organic EL device 10A according to the second embodiment. As shown in FIG. 4, in this embodiment, the electrode portion 15 has a rectangular shape that matches the shape of the pixel electrode 11, but the connecting portion 16 that connects each electrode portion 15 is the first embodiment. Unlike the case, the electrode portions 15 are arranged at the upper and lower corners. And each connection part 16 is arrange | positioned so that the other adjacent electrode part 15 may be crossed.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、上記第１実施形態の効果に加えて、各連結部１６が隣接する他の電極部１５と接続していることから、各電極部１５がより確実に電気的に接続される。この結果、各電極部１５の電位をより均一にすることができる。
（第３実施形態）
次に、本発明を具体化した第３実施形態に係る有機ＥＬ装置を図５に従って説明する。本実施形態においては、対向電極１４の形状が異なっている以外は上記第１実施形態と同様である。従って、同じ構成の部材については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。 As described above, the present embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, since each connecting portion 16 is connected to another adjacent electrode portion 15, each electrode portion 15 can be more reliably electrically connected. Connected. As a result, the potential of each electrode portion 15 can be made more uniform.
(Third embodiment)
Next, an organic EL device according to a third embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment is the same as the first embodiment except that the shape of the counter electrode 14 is different. Accordingly, members having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図５は、第３実施形態に係る有機ＥＬ装置１０Ｂの上面図である。図５に示すように、本実施形態では、電極部１５は画素電極１１の形状に合った矩形形状を成しているが、その各電極部１５を連結する連結部１６が各電極部１５の上下側にのみ配置されている。そして、各連結部１６は、基板Ｓの一方向（図５中では、左右方向）に沿って絶縁層１２ｂの上に形成された配線２２を介して他の電極部１５と電気的に接続されている。   FIG. 5 is a top view of the organic EL device 10B according to the third embodiment. As shown in FIG. 5, in the present embodiment, the electrode portion 15 has a rectangular shape that matches the shape of the pixel electrode 11, but the connecting portion 16 that connects the electrode portions 15 includes the electrode portions 15. It is arranged only on the top and bottom sides. Each connecting portion 16 is electrically connected to the other electrode portion 15 through the wiring 22 formed on the insulating layer 12b along one direction (the left-right direction in FIG. 5) of the substrate S. ing.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、上記第１実施形態の効果に加えて、各連結部１６が配線２２を介して各電極部１５に接続されている。連結部１６は細線であるが、この配線２２を介することで連結部１６の長さを第１実施形態に比べて短くすることができる。この結果、連結部１６の形成不良による各電極部１５間の電気的接続の不良の発生を抑制することができる。
（第４実施形態）
次に、本発明を具体化した第４実施形態に係る有機ＥＬ装置を図６に従って説明する。図６（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０Ｃにおいては、基板Ｓ上に形成された画素電極１１はマトリクス状に配置形成されているのではなく、２列に配置された複数の画素電極１１が、基板Ｓの一方向に沿って（図６では、上下方向に沿って）千鳥格子状に配置形成されている。そして、千鳥格子状に配置形成された複数の画素電極１１の全体を囲むようにして絶縁層１２が配置されている。 As described above, the present embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, each connecting portion 16 is connected to each electrode portion 15 via the wiring 22. Although the connecting portion 16 is a thin line, the length of the connecting portion 16 can be shortened by using the wiring 22 as compared with the first embodiment. As a result, it is possible to suppress the occurrence of poor electrical connection between the electrode portions 15 due to the formation failure of the connecting portion 16.
(Fourth embodiment)
Next, an organic EL device according to a fourth embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIGS. 6A and 6B, in the organic EL device 10C of the present embodiment, the pixel electrodes 11 formed on the substrate S are not arranged in a matrix but formed in two columns. A plurality of pixel electrodes 11 are arranged in a staggered pattern along one direction of the substrate S (along the vertical direction in FIG. 6). An insulating layer 12 is arranged so as to surround the whole of the plurality of pixel electrodes 11 arranged and formed in a staggered pattern.

このような構成を成した有機ＥＬ装置１０Ｃは、光プリンタの露光ヘッドに搭載され、感光体を露光して所望の文字や図形の像を形成する用途に適用されるものである。
本実施形態の有機ＥＬ装置１０Ｃの画素電極１１は、上記第１〜第３実施形態の有機ＥＬ装置１０〜１０Ｂとは異なり、円形形状を成している。従って、図６（ａ）に示すよう
に、本実施形態の電極部１５は、それぞれ、対向する画素電極１１に形状に合うように円形形状を成している。また、各電極部１５は、連結部１６を介してその配置される列に対応して絶縁層１２上に形成された配線２３とで電気的に接続されている。つまり、図６中左側に列方向に沿って配置された複数の電極部１５は、連結部１６を介して図６中左側に列方向に沿って配置された絶縁層１２上に形成された配線２３ａに接続されている。また、右側に列方向に沿って配置された複数の電極部１５は、連結部１６を介して図６中右側に列方向に沿って配置された絶縁層１２上に形成された配線２３ｂに接続されている。 The organic EL device 10 </ b> C having such a configuration is mounted on an exposure head of an optical printer and is applied to an application for exposing a photosensitive member to form a desired character or graphic image.
Unlike the organic EL devices 10 to 10B of the first to third embodiments, the pixel electrode 11 of the organic EL device 10C of the present embodiment has a circular shape. Accordingly, as shown in FIG. 6A, the electrode portions 15 of the present embodiment each have a circular shape so as to match the shape of the opposing pixel electrode 11. In addition, each electrode portion 15 is electrically connected via a connecting portion 16 with a wiring 23 formed on the insulating layer 12 corresponding to the arranged row. In other words, the plurality of electrode portions 15 arranged along the column direction on the left side in FIG. 6 are formed on the insulating layer 12 arranged along the column direction on the left side in FIG. 23a. Further, the plurality of electrode portions 15 arranged along the column direction on the right side are connected to the wirings 23b formed on the insulating layer 12 arranged along the column direction on the right side in FIG. Has been.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様に、機能層１３上の、画素電極１１に対向した位置に、画素電極１１と同じ円形形状を成した電極部１５を形成したことから、各画素電極１１の外周囲の領域Ｒにはみ出して配置された発光層１３ｂに対して注入されるキャリア（電子）の密度を非常に小さくすることができる。この結果、画素電極１１の外周囲の領域Ｒにてほとんど発光しないことから、発光領域が各有機ＥＬ素子２０の周囲に広がるのを抑制することができる。 As described above, the present embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, as in the first embodiment, the electrode portion 15 having the same circular shape as the pixel electrode 11 is formed on the functional layer 13 at a position facing the pixel electrode 11. Therefore, the density of carriers (electrons) injected into the light emitting layer 13b that protrudes from the outer peripheral region R of each pixel electrode 11 can be made extremely small. As a result, almost no light is emitted in the outer peripheral region R of the pixel electrode 11, so that the light emitting region can be prevented from spreading around each organic EL element 20.

（２）本実施形態によれば、発光領域が各有機ＥＬ素子２０の周囲に広がらないので、解像度の高い像を表示することが可能な有機ＥＬ装置を実現することができる。
（第５実施形態）
次に、本発明を具体化した第５実施形態に係る有機ＥＬ装置を図７に従って説明する。本実施形態においては、対向電極１４の形状が異なっている以外は上記第４実施形態と同様である。従って、同じ構成の部材については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。 (2) According to the present embodiment, since the light emitting region does not spread around each organic EL element 20, an organic EL device capable of displaying an image with high resolution can be realized.
(Fifth embodiment)
Next, an organic EL device according to a fifth embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment is the same as the fourth embodiment except that the shape of the counter electrode 14 is different. Accordingly, members having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図７は、第５実施形態に係る有機ＥＬ装置１０Ｄの上面図である。図７に示すように、本実施形態では、電極部１５は画素電極１１の形状に合った円形形状を成しているが、その各電極部１５を連結する連結部１６が上記第４実施形態とは異なっている。詳しくは、各電極部１５は４つの連結部１６に接続されている。そして、各電極部１５は同じ列上に隣接する他の２つの電極部１５と接続されている。また、各電極部１５は、他の列上に配置された２つの電極部１５と接続されている。   FIG. 7 is a top view of an organic EL device 10D according to the fifth embodiment. As shown in FIG. 7, in this embodiment, the electrode portion 15 has a circular shape that matches the shape of the pixel electrode 11, but the connecting portion 16 that connects each electrode portion 15 is the fourth embodiment. Is different. Specifically, each electrode portion 15 is connected to four connecting portions 16. Each electrode unit 15 is connected to the other two electrode units 15 adjacent on the same column. Moreover, each electrode part 15 is connected with the two electrode parts 15 arrange | positioned on the other row | line | column.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、上記第４実施形態の効果に加えて、各連結部１６が隣接する他の４つの電極部１５と接続していることから、第４実施形態に比べて各電極部１５がより確実に電気的に接続される。この結果、各電極部１５の電位をより均一にすることができる。
（第６実施形態）
次に、本発明を具体化した第６実施形態に係る有機ＥＬ装置を図８に従って説明する。本実施形態においては、対向電極１４の形状が異なっている以外は上記第４実施形態と同様である。従って、同じ構成の部材については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。 As described above, the present embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, in addition to the effects of the fourth embodiment, each connecting portion 16 is connected to the other four electrode portions 15 adjacent to each other, and therefore, compared to the fourth embodiment. Each electrode part 15 is more reliably electrically connected. As a result, the potential of each electrode portion 15 can be made more uniform.
(Sixth embodiment)
Next, an organic EL device according to a sixth embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment is the same as the fourth embodiment except that the shape of the counter electrode 14 is different. Accordingly, members having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図８は、第５実施形態に係る有機ＥＬ装置１０Ｅの上面図である。図８に示すように、本実施形態では、電極部１５は画素電極１１の形状に合った円形形状を成しているが、その各電極部１５を連結する連結部１６が上記第４実施形態とは異なっている。詳しくは、各電極部１５は５つの連結部１６に接続されている。そして、各電極部１５は同じ列上に隣接する他の２つの電極部１５と接続されている。また、各電極部１５は、他の列上に配置された２つの電極部１５と接続されている。さらに、各電極部１５は、その配置される列に対応して絶縁層１２上に形成された配線２３とで電気的に接続されている。   FIG. 8 is a top view of an organic EL device 10E according to the fifth embodiment. As shown in FIG. 8, in the present embodiment, the electrode portion 15 has a circular shape that matches the shape of the pixel electrode 11, but the connecting portion 16 that connects each electrode portion 15 is the fourth embodiment. Is different. Specifically, each electrode portion 15 is connected to five connecting portions 16. Each electrode unit 15 is connected to the other two electrode units 15 adjacent on the same column. Moreover, each electrode part 15 is connected with the two electrode parts 15 arrange | positioned on the other row | line | column. Furthermore, each electrode part 15 is electrically connected by the wiring 23 formed on the insulating layer 12 corresponding to the row | line | column arrange | positioned.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、上記第４実施形態の効果に加えて、各連結部１６が隣接する他の５つの電極部１５と接続していることから、第４実施形態に比べて各電極部１５がより確実に電気的に接続される。この結果、各電極部１５の電位をより均一にすることができる。
（第７実施形態）
次に、本発明を具体化した第７実施形態に係る有機ＥＬ装置を図９に従って説明する。本実施形態の有機ＥＬ装置１０Ｆは、その対向電極１４が上記第１〜第６実施形態と異なり、対向する画素電極１１に合った形状を成す電極部１５を備えておらず、図９に示すように、基板Ｓに対向して全面に一様に形成されている。 As described above, the present embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, in addition to the effects of the fourth embodiment, each connecting portion 16 is connected to the other five electrode portions 15 adjacent to each other, and therefore, compared to the fourth embodiment. Each electrode part 15 is more reliably electrically connected. As a result, the potential of each electrode portion 15 can be made more uniform.
(Seventh embodiment)
Next, an organic EL device according to a seventh embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIG. Unlike the first to sixth embodiments, the organic EL device 10F according to the present embodiment does not include the electrode portion 15 having a shape that matches the opposing pixel electrode 11, and is shown in FIG. Thus, it is uniformly formed on the entire surface facing the substrate S.

また、第１絶縁層１２ａの一部が各画素電極１１上に乗り上げて、各画素電極１１の周囲を覆っている。そして、その第１絶縁層１２ａの一部を覆うように画素電極１１上に正孔注入層１３ａが配置されている。   Further, a part of the first insulating layer 12 a runs on each pixel electrode 11 and covers the periphery of each pixel electrode 11. A hole injection layer 13a is disposed on the pixel electrode 11 so as to cover a part of the first insulating layer 12a.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、各画素電極１１の第１絶縁層１２ａが画素電極１１の周囲を覆っているので、画素電極１１から供給されたキャリア（正孔）は正孔注入層１３ａの中央領域に集中して供給される。この結果、発光層１３ｂの発光領域は、そ中心になりその周囲に広がらない。 As described above, the present embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, since the first insulating layer 12a of each pixel electrode 11 covers the periphery of the pixel electrode 11, carriers (holes) supplied from the pixel electrode 11 are transferred to the hole injection layer 13a. Intensively supplied in the central area. As a result, the light emitting region of the light emitting layer 13b becomes the center and does not spread around it.

（２）本実施形態によれば、上記第１〜第６実施形態の対向電極１４のように、電極部１５や連結部１６を形成する必要がないので、対向電極１４の形成が従来と同じく公知の方法で形成することができる。   (2) According to the present embodiment, unlike the counter electrode 14 of the first to sixth embodiments, it is not necessary to form the electrode portion 15 and the connecting portion 16, so that the counter electrode 14 is formed as in the conventional case. It can be formed by a known method.

尚、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
・上記第１〜第３実施形態では、各有機ＥＬ素子２０の電極部１５を矩形形状に、上記第４〜第８実施形態では、各有機ＥＬ素子２０の電極部１５を円形形状としたが、本発明はこれらに限定されるものではなく、他の形状を成していても良い。要は、対向する位置に配置される画素電極１１の形状に合っていれば、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。 In addition, this invention can also be changed and embodied as follows.
-In the said 1st-3rd embodiment, although the electrode part 15 of each organic EL element 20 was made into the rectangular shape, in the said 4th-8th embodiment, the electrode part 15 of each organic EL element 20 was made into the circular shape. The present invention is not limited to these, and may have other shapes. In short, the same effect as the above embodiment can be obtained as long as it matches the shape of the pixel electrode 11 disposed at the opposing position.

・上記各実施形態では、機能層１３は、発光層１３ｂ以外に正孔注入層１３ａを備えていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、正孔注入層１３ａ及び発光層１３ｂ以外に正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層等を含んでいてもよい。   In each of the above embodiments, the functional layer 13 includes the hole injection layer 13a in addition to the light emitting layer 13b. However, the present invention is not limited to this, for example, the hole injection layer 13a and the light emitting layer. In addition to 13b, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like may be included.

・上記各実施形態では、有機ＥＬ素子２０の機能層１３を構成する正孔注入層１３ａ及び発光層１３ｂを液滴吐出法によって形成したが、本発明はこれに限定されず、公知の蒸着法やスパッタ法を使用して形成してもよい。   In each of the above embodiments, the hole injection layer 13a and the light emitting layer 13b constituting the functional layer 13 of the organic EL element 20 are formed by a droplet discharge method. However, the present invention is not limited to this, and a known vapor deposition method is used. Alternatively, a sputtering method may be used.

・上記各実施形態では、電気光学素子として有機ＥＬ素子２０を使用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の形態を成した発光素子であってもよい。たとえば、発光ダイオードであってもよい。   In each of the above embodiments, the organic EL element 20 is used as the electro-optical element, but the present invention is not limited to this, and may be a light emitting element having another form. For example, a light emitting diode may be used.

（ａ），（ｂ）は、それぞれ、第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を説明するための図。(A), (b) is a figure for demonstrating the structure of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment, respectively. （ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。(A)-(d) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment, respectively. 同じく、（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。Similarly, (a)-(c) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of this embodiment, respectively. 第２実施形態の有機ＥＬ装置の構成を説明するための図。The figure for demonstrating the structure of the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment. 第３実施形態の有機ＥＬ装置の構成を説明するための図。The figure for demonstrating the structure of the organic electroluminescent apparatus of 3rd Embodiment. （ａ），（ｂ）は、それぞれ、第４実施形態の有機ＥＬ装置の構成を説明するための図。(A), (b) is a figure for demonstrating the structure of the organic electroluminescent apparatus of 4th Embodiment, respectively. 第５実施形態の有機ＥＬ装置の構成を説明するための図。The figure for demonstrating the structure of the organic electroluminescent apparatus of 5th Embodiment. 第６実施形態の有機ＥＬ装置の構成を説明するための図。The figure for demonstrating the structure of the organic electroluminescent apparatus of 6th Embodiment. 第７実施形態の有機ＥＬ装置の構成を説明するための図。The figure for demonstrating the structure of the organic electroluminescent apparatus of 7th Embodiment. 従来の有機ＥＬ装置の構成を説明するための図。The figure for demonstrating the structure of the conventional organic EL apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ…電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス装置、１１…第１電極層としての画素電極、１５…第２電極層としての対向電極、１３…機能層、１３ａ…電荷注入層、１３ｂ…発光層、２０…電気光学素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子。

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F ... Organic electroluminescent apparatus as an electro-optical device, 11 ... Pixel electrode as 1st electrode layer, 15 ... Counter electrode as 2nd electrode layer, 13 ... Functional layer , 13a ... charge injection layer, 13b ... light emitting layer, 20 ... organic electroluminescence element as an electro-optical element.

Claims (6)

第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置され少なくとも発光層を含む機能層と、から構成された複数の電気光学素子を備えた電気光学装置において、
前記第２電極層の形状を、前記第１電極層の形状に合わせたことを特徴とする電気光学装置。 A plurality of electro-optical elements each including a first electrode layer, a second electrode layer, and a functional layer that is disposed between the first electrode layer and the second electrode layer and includes at least a light-emitting layer. In an electro-optical device,
An electro-optical device, wherein the shape of the second electrode layer is matched with the shape of the first electrode layer. 第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置され少なくとも発光層を含む機能層と、から構成された複数の電気光学素子と、
前記各電気光学素子の周囲に配置される絶縁層と
を備えた電気光学装置において、
前記第１電極層上であってその周囲に、前記絶縁層の一部が乗り上げていることを特徴とする電気光学装置。 A plurality of electro-optic elements including a first electrode layer, a second electrode layer, and a functional layer that is disposed between the first electrode layer and the second electrode layer and includes at least a light-emitting layer;
In an electro-optical device comprising an insulating layer disposed around each electro-optical element,
An electro-optical device, wherein a part of the insulating layer is placed on and around the first electrode layer. 請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記機能層は、前記発光層の他に少なくも電荷注入層を備え、
前記電荷注入層の電気抵抗は、前記発光層に比べて低い材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1,
The functional layer includes at least a charge injection layer in addition to the light emitting layer,
An electro-optical device, wherein the electric charge injection layer is made of a material having a lower electric resistance than that of the light emitting layer. 請求項１〜３のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記電気光学素子は、前記機能層が有機材料で構成された有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1,
The electro-optical device is an electro-optical device, wherein the functional layer is an organic electroluminescence device including an organic material. 基板上に、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置され少なくとも発光層を含む機能層と、から構成された複数の電気光学素子を備えた電気光学装置の製造方法において、
前記基板上に形成された前記第１電極層上に前記機能層を形成する工程と、
前記機能層上に導電層を形成する工程と
前記第１電極層の形状に合うように前記導電層を形成して前記第２電極層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A plurality of electro-optics comprising a first electrode layer, a second electrode layer, and a functional layer including at least a light emitting layer disposed between the first electrode layer and the second electrode layer on a substrate. In a method for manufacturing an electro-optical device including an element,
Forming the functional layer on the first electrode layer formed on the substrate;
An electro-optic comprising: a step of forming a conductive layer on the functional layer; and a step of forming the second electrode layer by forming the conductive layer so as to match the shape of the first electrode layer. Device manufacturing method. 請求項５に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記機能層を液滴吐出法によって形成するようにしたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

The method of manufacturing the electro-optical device according to claim 5.
A method of manufacturing an electro-optical device, wherein the functional layer is formed by a droplet discharge method.

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