JP2003280555A - Display device and method for manufacturing display device - Google Patents
Display device and method for manufacturing display deviceInfo
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に関し、特
に、外光の反射の影響による表示装置の視認性の低下を
軽減する技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly to a technique for reducing deterioration of visibility of the display device due to the influence of reflection of external light.
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス表示装置
（以下、「有機ＥＬ表示装置」または「有機ＥＬパネ
ル」ともいう）が、新たな平面型表示装置として注目さ
れている。とくに、薄膜トランジスタ（Thin Film Tran
sistor：以下、「ＴＦＴ」ともいう）をスイッチング素
子として備えるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装
置は、現在広く普及している液晶表示装置にとって代わ
る次世代表示装置の最有力候補であり、実用化に向けて
熾烈な開発競争の最中にある。2. Description of the Related Art An organic electroluminescence display device (hereinafter, also referred to as "organic EL display device" or "organic EL panel") has been attracting attention as a new flat display device. In particular, thin film transistors
sistor: An active matrix type organic EL display device having a switching element (hereinafter also referred to as “TFT”) is a most promising candidate for a next-generation display device that replaces the liquid crystal display device that is currently widespread, and is ready for practical use. It is in the midst of fierce development competition.
【０００３】有機ＥＬ素子は液晶表示素子と異なり、素
子自身が発光するため、液晶表示装置では必須の構成で
あったバックライトが不要となり、装置のさらなる薄型
化、軽量化が期待できる。また、自発光することを利用
して、液晶表示装置のバックライトなど、発光装置とし
ての利用も期待されている。Unlike the liquid crystal display element, the organic EL element emits light by itself, so that a backlight, which is an indispensable component in the liquid crystal display device, is unnecessary, and further thinning and weight saving of the device can be expected. In addition, it is expected to be used as a light emitting device such as a backlight of a liquid crystal display device by utilizing self-luminance.
【０００４】図１は、一般的な有機ＥＬパネルの構成を
示す。有機ＥＬパネル２００は、ガラス基板２１０上に
形成された有機ＥＬ素子２６０と、ガラス基板２１０を
挟んで有機ＥＬ素子２６０と逆側に設けられた円偏光板
２７０を備える。図１では、有機ＥＬパネル２００を使
用するときの表示画面側が上になるように描いている
が、通常、有機ＥＬ素子２６０を形成するときは、ガラ
ス基板２１０の上に、透明電極２２８、発光素子層２３
０、対向電極２３２が、この順に積層形成される。発光
素子層２３０の材料となる有機化合物は、可視光領域の
透過率が高く、また、発光素子層２３０の膜厚は非常に
薄いので、明るい場所で有機ＥＬパネル２００を使用し
たとき、外光が、ガラス基板２１０、透明電極２２８、
および発光素子層２３０を透過して対向電極２３２に到
達する。対向電極２３２は金属材料の蒸着等により形成
されており、その表面は非常に平滑で鏡面となってい
る。そのため、有機ＥＬパネル２００の内部に入射した
外光は、対向電極２３２の表面で反射して再度発光素子
層２３０、透明電極２２８、およびガラス基板２１０を
透過する。円偏光板２７０を設けない場合には、この反
射光が外部に出射してくる結果、有機ＥＬパネル２００
に外部の景色が写り、有機ＥＬパネル２００本来の表示
と重なってコントラストを下げるので、視認性が著しく
低下する。また、アクティブマトリクス型の有機ＥＬパ
ネルには、各画素の有機ＥＬ素子２６０を駆動するため
のＴＦＴ（図示せず）が設けられているが、そのＴＦＴ
の電極表面でも反射が起こり、視認性を低下させる一因
となっている。FIG. 1 shows the structure of a general organic EL panel. The organic EL panel 200 includes an organic EL element 260 formed on a glass substrate 210 and a circularly polarizing plate 270 provided on the opposite side of the organic EL element 260 with the glass substrate 210 sandwiched therebetween. In FIG. 1, the display screen side when the organic EL panel 200 is used is drawn up, but normally when forming the organic EL element 260, the transparent electrode 228 and the light emission are provided on the glass substrate 210. Element layer 23
0 and the counter electrode 232 are laminated in this order. The organic compound used as the material of the light emitting element layer 230 has a high transmittance in the visible light region and the film thickness of the light emitting element layer 230 is very thin. Therefore, when the organic EL panel 200 is used in a bright place, the external light is not emitted. , The glass substrate 210, the transparent electrode 228,
Then, the light passes through the light emitting element layer 230 and reaches the counter electrode 232. The counter electrode 232 is formed by vapor deposition of a metal material or the like, and its surface is very smooth and mirror-finished. Therefore, the external light that has entered the organic EL panel 200 is reflected by the surface of the counter electrode 232 and again passes through the light emitting element layer 230, the transparent electrode 228, and the glass substrate 210. When the circularly polarizing plate 270 is not provided, this reflected light is emitted to the outside, and as a result, the organic EL panel 200
Since the external scenery is reflected in the image and overlaps with the original display of the organic EL panel 200 to lower the contrast, the visibility is significantly reduced. Further, the active matrix type organic EL panel is provided with a TFT (not shown) for driving the organic EL element 260 of each pixel.
Reflection also occurs on the surface of the electrode, which is one of the factors that reduce the visibility.
【０００５】このような問題を解決するために、図１の
有機ＥＬパネル２００には円偏光板２７０が設けられて
いる。円偏光板２７０は、直線偏光板２７２と位相差板
２７４からなり、直線偏光板２７２の偏向軸と位相差板
２７４の光軸とのなす角を４５度傾けることにより円偏
光が得られる。円偏光には、反射により円偏光の向きが
逆向きに変わるという特徴があるので、対向電極２３２
の表面で反射した円偏光は、円偏光板２７０を再び通過
することができない。これにより、外光の反射による視
認性の低下を軽減することができる。In order to solve such a problem, the organic EL panel 200 of FIG. 1 is provided with a circularly polarizing plate 270. The circularly polarizing plate 270 is composed of a linearly polarizing plate 272 and a retardation plate 274, and circularly polarized light is obtained by inclining the angle formed by the deflection axis of the linearly polarizing plate 272 and the optical axis of the retardation plate 274 by 45 degrees. Since the circularly polarized light has a characteristic that the direction of the circularly polarized light changes to the opposite direction due to reflection, the counter electrode 232
The circularly polarized light reflected on the surface of the circular polarizing plate 270 cannot pass through the circularly polarizing plate 270 again. As a result, it is possible to reduce deterioration of visibility due to reflection of external light.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、円偏光
板２７０を設けることにより、外光の反射が遮断される
だけではなく、有機ＥＬ素子２６０からの発光も５０％
以上が遮断されてしまう。円偏光板２７０を設けること
で、明るい場所における有機ＥＬパネル２００のコント
ラストを向上させることができる一方で、その代償とし
て、表示画面全体の輝度の低下が避けられない。暗い場
所においても十分な視認性を得るためには、有機ＥＬ素
子２６０の発光輝度を高める必要があるため、有機ＥＬ
素子２６０の劣化を助長し、また、消費電力が増大する
という問題がある。However, by providing the circularly polarizing plate 270, not only the reflection of external light is blocked, but also 50% of the light emitted from the organic EL element 260 is emitted.
The above will be cut off. By providing the circularly polarizing plate 270, it is possible to improve the contrast of the organic EL panel 200 in a bright place, but at the cost thereof, a decrease in the brightness of the entire display screen is unavoidable. In order to obtain sufficient visibility even in a dark place, it is necessary to increase the emission brightness of the organic EL element 260.
There is a problem that the deterioration of the element 260 is promoted and the power consumption is increased.
【０００７】本発明は、そうした課題に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、表示装置の視認性を改善する
技術の提供にある。The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a technique for improving the visibility of a display device.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のある態様は、表
示装置に関する。この表示装置は、光学素子と、光学素
子を制御するトランジスタと、を備え、トランジスタの
電極は、金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物のい
ずれかを含む材料により形成される。電極は、クロム、
チタン、タングステン、タンタル、モリブデン、鉛、の
いずれかの金属の酸化物、窒化物、または酸化窒化物を
含む材料により形成されてもよい。これにより、電極や
配線による外光の反射を軽減することができる。One aspect of the present invention relates to a display device. This display device includes an optical element and a transistor that controls the optical element, and an electrode of the transistor is formed of a material containing any of metal oxide, metal nitride, and metal oxynitride. The electrodes are chrome,
It may be formed of a material including an oxide, a nitride, or an oxynitride of any metal of titanium, tungsten, tantalum, molybdenum, and lead. Thereby, reflection of external light by the electrodes and wiring can be reduced.
【０００９】本発明の別の態様も、表示装置に関する。
この表示装置は、発光素子層と、発光素子層を挟んで設
けられる透明電極および対向電極と、を備え、対向電極
は、発光素子層からの発光を外部へ射出するために開口
される領域にのみ設けられる。これにより、対向電極に
よる外光の反射を軽減することができる。Another aspect of the present invention also relates to a display device.
This display device includes a light-emitting element layer, a transparent electrode and a counter electrode which are provided with the light-emitting element layer interposed therebetween, and the counter electrode is provided in an area opened to emit light emitted from the light-emitting element layer to the outside. Only provided. Thereby, reflection of external light by the counter electrode can be reduced.
【００１０】対向電極は画素ごとに設けられ、複数の画
素の対向電極を電気的に接続する第２の透明電極をさら
に備えてもよい。The counter electrode may be provided for each pixel, and may further include a second transparent electrode for electrically connecting the counter electrodes of a plurality of pixels.
【００１１】本発明のさらに別の態様も、表示装置に関
する。この表示装置は、発光素子層と、発光素子層から
の発光を外部へ射出するために開口される領域を除いた
領域に設けられる、外部から入射した光の反射を抑える
ためのマスク層と、を備える。これにより、より効果的
に外光の反射を軽減することができる。Yet another aspect of the present invention also relates to a display device. This display device includes a light emitting element layer, a mask layer for suppressing reflection of light incident from the outside, which is provided in a region excluding a region opened for emitting light emitted from the light emitting device layer to the outside, Equipped with. Thereby, reflection of external light can be reduced more effectively.
【００１２】本発明のさらに別の態様は、表示装置の製
造方法に関する。この製造方法は、基板上に、可視光を
実質的に透過する材料により画素電極を形成する工程
と、画素電極の上に、発光素子層を形成する工程と、発
光素子層の上に、対向電極を形成する工程と、発光素子
層からの発光を外部へ射出するために開口される領域を
残して、対向電極を除去する工程と、を含む。対向電極
を除去する工程の後に、複数の画素の対向電極を電気的
に接続すべく、可視光を実質的に透過する材料を全面に
堆積して導電層を形成する工程をさらに含んでもよい。
導電層を形成する工程の後に、少なくとも対向電極を除
去した領域に、外部から入射した光の反射を抑えるため
のマスク層を形成する工程をさらに含んでもよい。Yet another aspect of the present invention relates to a method of manufacturing a display device. This manufacturing method includes a step of forming a pixel electrode on a substrate with a material that substantially transmits visible light, a step of forming a light emitting element layer on the pixel electrode, and a step of forming a light emitting element layer on the substrate. The method includes a step of forming an electrode and a step of removing the counter electrode, leaving a region opened for emitting light emitted from the light emitting element layer to the outside. After the step of removing the counter electrode, the method may further include the step of depositing a material that substantially transmits visible light on the entire surface to form a conductive layer in order to electrically connect the counter electrodes of the plurality of pixels.
After the step of forming the conductive layer, a step of forming a mask layer for suppressing reflection of light incident from the outside may be further included in at least the region where the counter electrode is removed.
【００１３】なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本
発明の表現を方法、装置、システム、などの間で変換し
たものもまた、本発明の態様として有効である。It is to be noted that any combination of the above constituent elements and the expression of the present invention converted between a method, an apparatus, a system, etc. are also effective as an aspect of the present invention.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）本実施の形
態では、表示装置における外光の反射の影響を軽減する
ために、ＴＦＴの電極や配線を、反射率の比較的低い金
属酸化物、金属窒化物などの材料で形成する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (First Embodiment) In this embodiment, in order to reduce the influence of reflection of external light in a display device, the electrodes and wirings of the TFT are made of metal having a relatively low reflectance. It is formed of a material such as an oxide or a metal nitride.
【００１５】図２は、第１の実施の形態に係る表示装置
１００の１画素分の回路構成を示す。この回路は、有機
発光素子ＯＬＥＤと、有機発光素子ＯＬＥＤを制御する
ための２つのトランジスタＴｒ１およびＴｒ２と、保持
容量Ｃと、走査信号を送る走査線ＳＬと、輝度データを
送るデータ線ＤＬと、有機発光素子ＯＬＥＤに電流を供
給する電源供給線Ｖｄｄとを備える。FIG. 2 shows a circuit configuration for one pixel of the display device 100 according to the first embodiment. This circuit includes an organic light emitting element OLED, two transistors Tr1 and Tr2 for controlling the organic light emitting element OLED, a storage capacitor C, a scanning line SL for transmitting a scanning signal, and a data line DL for transmitting luminance data. A power supply line Vdd that supplies a current to the organic light emitting element OLED.
【００１６】電源供給線Ｖｄｄは、有機発光素子ＯＬＥ
Ｄを発光させるための電流を供給する。データ線ＤＬ
は、有機発光素子ＯＬＥＤのそれぞれの輝度を制御する
ための輝度データの信号を流す。走査線ＳＬは、有機発
光素子ＯＬＥＤのそれぞれの発光タイミングを制御する
ための走査信号を流す。The power supply line Vdd is connected to the organic light emitting element OLE.
A current is supplied to cause D to emit light. Data line DL
Sends a signal of brightness data for controlling the brightness of each of the organic light emitting elements OLED. The scanning line SL passes a scanning signal for controlling each light emission timing of the organic light emitting element OLED.
【００１７】第１のトランジスタ（以下、「スイッチン
グトランジスタ」ともいう）Ｔｒ１は、ゲート電極が走
査線ＳＬに接続され、ドレイン電極（またはソース電
極）がデータ線ＤＬに接続され、ソース電極（またはド
レイン電極）が第２のトランジスタ（以下、「駆動用ト
ランジスタ」ともいう）Ｔｒ２のゲート電極に接続され
る。本実施の形態では、スイッチングトランジスタは、
２つのゲート電極を有するダブルゲート構造をとってい
るが、別の形態では、シングルゲート構造または３以上
のゲート電極を有するマルチゲート構造であってもよ
い。また、スイッチングトランジスタＴｒ１は、ｎチャ
ネルトランジスタであってもｐチャネルトランジスタで
あってもよい。In the first transistor (hereinafter also referred to as "switching transistor") Tr1, the gate electrode is connected to the scanning line SL, the drain electrode (or source electrode) is connected to the data line DL, and the source electrode (or drain). The electrode is connected to the gate electrode of the second transistor (hereinafter, also referred to as “driving transistor”) Tr2. In the present embodiment, the switching transistor is
Although it has a double gate structure having two gate electrodes, it may have a single gate structure or a multi-gate structure having three or more gate electrodes in another form. Further, the switching transistor Tr1 may be an n-channel transistor or a p-channel transistor.
【００１８】駆動用トランジスタＴｒ２は、ソース電極
（またはドレイン電極）が有機発光素子ＯＬＥＤの陽極
に接続され、ドレイン電極（またはソース電極）が電源
供給線Ｖｄｄに接続される。駆動用トランジスタＴｒ２
も、スイッチングトランジスタＴｒ１と同様に、シング
ルゲート構造であってもマルチゲート構造であってもよ
く、ｎチャネルトランジスタであってもｐチャネルトラ
ンジスタであってもよい。In the driving transistor Tr2, the source electrode (or drain electrode) is connected to the anode of the organic light emitting element OLED, and the drain electrode (or source electrode) is connected to the power supply line Vdd. Driving transistor Tr2
Like the switching transistor Tr1, it may have a single-gate structure or a multi-gate structure, and may be an n-channel transistor or a p-channel transistor.
【００１９】有機発光素子ＯＬＥＤは、陽極が駆動用ト
ランジスタＴｒ２のソース電極（またはドレイン電極）
に接続され、陰極は接地される。保持容量Ｃの一端は、
スイッチングトランジスタＴｒ１のドレイン電極（また
はソース電極）と駆動用トランジスタＴｒ２のゲート電
極に接続され、他端は、図示しない配線に接続され接地
される。保持容量Ｃの他端は、電源供給線Ｖｄｄに接続
されてもよい。In the organic light emitting device OLED, the anode is the source electrode (or drain electrode) of the driving transistor Tr2.
And the cathode is grounded. One end of the storage capacitor C is
The drain electrode (or source electrode) of the switching transistor Tr1 is connected to the gate electrode of the driving transistor Tr2, and the other end is connected to a wiring (not shown) and grounded. The other end of the storage capacitor C may be connected to the power supply line Vdd.
【００２０】以上の構成によってなされる動作を説明す
る。有機発光素子ＯＬＥＤの輝度データの書込のために
走査線ＳＬの走査信号がハイになると、スイッチングト
ランジスタＴｒ１がオンとなり、データ線ＤＬに入力さ
れた輝度データが駆動用トランジスタＴｒ２および保持
容量Ｃに設定される。すると、その輝度データに応じた
電流が駆動用トランジスタＴｒ２のソース−ドレイン間
に流れ、この電流が有機発光素子ＯＬＥＤに流れること
により有機発光素子ＯＬＥＤが発光する。走査線ＳＬの
走査信号がローになると、スイッチングトランジスタＴ
ｒ１がオフとなるが、駆動用トランジスタＴｒ２のゲー
ト電圧は保持されるので、有機発光素子ＯＬＥＤは引き
続き設定された輝度データに応じて発光する。The operation performed by the above configuration will be described. When the scan signal of the scan line SL becomes high for writing the brightness data of the organic light emitting element OLED, the switching transistor Tr1 is turned on, and the brightness data input to the data line DL is supplied to the driving transistor Tr2 and the storage capacitor C. Is set. Then, a current corresponding to the brightness data flows between the source and drain of the driving transistor Tr2, and this current flows in the organic light emitting element OLED, so that the organic light emitting element OLED emits light. When the scanning signal of the scanning line SL becomes low, the switching transistor T
Although r1 is turned off, since the gate voltage of the driving transistor Tr2 is held, the organic light emitting element OLED continues to emit light according to the set brightness data.
【００２１】次の走査タイミングになると、再び走査線
ＳＬの走査信号がハイになり、スイッチングトランジス
タＴｒ１がオンとなって、データ線ＤＬに入力された新
たな輝度データが駆動用トランジスタＴｒ２および保持
容量Ｃに設定される。これにより、有機発光素子ＯＬＥ
Ｄは、新たな輝度データに応じて発光する。At the next scanning timing, the scanning signal on the scanning line SL becomes high again, the switching transistor Tr1 is turned on, and the new luminance data input to the data line DL is supplied to the driving transistor Tr2 and the storage capacitor. Set to C. Accordingly, the organic light emitting device OLE
D emits light according to the new brightness data.
【００２２】図３は、第１の実施の形態に係る表示装置
１００の上面を模式的に示す。図３は、図２と同様に、
１画素分の回路が形成された部分の上面を示す。斜線を
施した部分は、有機発光素子ＯＬＥＤからの発光を外部
へ射出するための画素開口部３８を示し、太斜線を施し
た部分は、スイッチングトランジスタＴｒ１、駆動用ト
ランジスタＴｒ２、および保持容量Ｃの電極と、電源供
給線Ｖｄｄ、データ線ＤＬ、および走査線ＳＬの配線と
を示す。本実施の形態では、太斜線を施した電極および
配線を、反射率が高いクロム、アルミニウム、銀、ニッ
ケルなどの単体金属ではなく、それらよりも反射率の低
い、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸化窒化物の
いずれかを含む材料、たとえば、クロム、チタン、タン
グステン、タンタル、モリブデン、鉛、のいずれかの金
属の酸化物、窒化物、または酸化窒化物を含む材料で形
成する。これにより、電極および配線部分による外光の
反射を軽減し、表示のコントラストを向上させることが
できる。FIG. 3 schematically shows the upper surface of the display device 100 according to the first embodiment. FIG. 3 is similar to FIG.
The upper surface of a portion where a circuit for one pixel is formed is shown. The shaded portion shows the pixel opening 38 for emitting the light emitted from the organic light emitting element OLED to the outside, and the shaded portion shows the switching transistor Tr1, the driving transistor Tr2, and the storage capacitor C. The electrodes and wirings of the power supply line Vdd, the data line DL, and the scanning line SL are shown. In the present embodiment, the electrodes and wirings with thick diagonal lines are not a single metal such as high reflectance chromium, aluminum, silver and nickel, but a lower reflectance than those, metal oxides, metal nitrides, Alternatively, a material containing any of metal oxynitrides, for example, a material containing an oxide, a nitride, or an oxynitride of any metal of chromium, titanium, tungsten, tantalum, molybdenum, and lead is used. As a result, reflection of external light from the electrodes and wiring portions can be reduced, and the display contrast can be improved.
【００２３】図４は、第１の実施の形態に係る表示装置
１００の断面構造を概略的に示す。図４では、図２に示
した１画素分の回路のうち、駆動用トランジスタＴｒ２
および有機発光素子ＯＬＥＤが形成された部分の断面構
造を示す。表示装置１００は、絶縁性基板１０の上に設
けられた、絶縁層１２、能動層１４、ゲート絶縁層１
６、ゲート電極１８、層間絶縁層２０、ドレイン電極２
２、ソース電極２４、第１の平坦化層２６、および第２
の平坦化層３４を含むＴＦＴ基板５０と、画素電極２
８、発光素子層３０、および対向電極３２を含む有機発
光素子６０とを備える。FIG. 4 schematically shows a sectional structure of the display device 100 according to the first embodiment. In FIG. 4, among the circuits for one pixel shown in FIG. 2, the driving transistor Tr2
2 shows a cross-sectional structure of a portion where an organic light emitting element OLED is formed. The display device 100 includes an insulating layer 12, an active layer 14, and a gate insulating layer 1 provided on an insulating substrate 10.
6, gate electrode 18, interlayer insulating layer 20, drain electrode 2
2, source electrode 24, first planarization layer 26, and second
Of the TFT substrate 50 including the flattening layer 34 and the pixel electrode 2
8, the light emitting element layer 30, and the organic light emitting element 60 including the counter electrode 32.
【００２４】この表示装置１００を製造する手順を説明
する。基板１０は、石英、ガラス、無アルカリガラス、
ガラスセラミック、シリコン、プラスチックなどの絶縁
性材料により形成された基板であってよい。基板１０の
上に、酸化ケイ素ＳｉＯ２、窒化ケイ素ＳｉＮ、窒化酸
化ケイ素ＳｉＯｘＮｙなどの材料を、プラズマＣＶＤ法
などにより積層し、絶縁層１２を形成する。この絶縁層
１２は、ガラスなどの材料により形成された基板１０を
用いた場合に、ナトリウムイオンなどの不純物が基板１
０から能動層１４に侵入するのを防ぐために設けられて
いる。このような不純物侵入の恐れがない基板１０を用
いる場合には、絶縁層１２を設けなくてもよい。A procedure for manufacturing the display device 100 will be described. The substrate 10 is made of quartz, glass, non-alkali glass,
It may be a substrate formed of an insulating material such as glass ceramic, silicon, or plastic. On the substrate 10, materials such as silicon oxide SiO 2 , silicon nitride SiN, and silicon nitride oxide SiO x N y are laminated by a plasma CVD method or the like to form the insulating layer 12. When the substrate 10 made of a material such as glass is used as the insulating layer 12, impurities such as sodium ions are contained in the substrate 1.
It is provided in order to prevent 0 from entering the active layer 14. When using the substrate 10 that does not have such a risk of intrusion of impurities, the insulating layer 12 may not be provided.
【００２５】絶縁層１２の上に、プラズマＣＶＤ法など
により非晶質シリコン（amorphoussilicon：以下、「ａ
−Ｓｉ」ともいう）膜を形成する。つづいて、そのａ−
Ｓｉ膜の表面にＸｅＣｌエキシマレーザビームを照射し
てアニール処理を行うことにより、ａ−Ｓｉ膜を溶融再
結晶化して多結晶シリコン（poly-silicon：以下、「ｐ
−Ｓｉ」ともいう）膜に改質する。さらに、ｐ−Ｓｉ膜
を島化エッチングすることにより、能動層１４を形成す
る。Amorphous silicon (hereinafter referred to as "a") is formed on the insulating layer 12 by a plasma CVD method or the like.
-Si ") film is formed. Then, that a-
By irradiating the surface of the Si film with a XeCl excimer laser beam to perform an annealing treatment, the a-Si film is melted and recrystallized to form poly-silicon (hereinafter, referred to as “p-silicon”).
-Also referred to as "Si"). Further, the active layer 14 is formed by island etching the p-Si film.
【００２６】能動層１４の上に、ＣＶＤ法により酸化ケ
イ素ＳｉＯ２、窒化ケイ素ＳｉＮなどを全面に蒸着し、
ゲート絶縁層１６を形成する。ゲート絶縁層１６の上
に、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸化窒化物な
どの反射率の低い導電性材料をスパッタ法などにより成
膜し、ホトリソグラフィ技術およびドライエッチング技
術を用いて、能動層１４と重畳するようにゲート電極１
８を形成する。このとき、このゲート電極１８に接続す
る配線（図示せず）も同様に金属酸化物、金属窒化物、
または金属酸化窒化物などにより形成する。On the active layer 14, silicon oxide SiO 2 , silicon nitride SiN, etc. are vapor-deposited on the entire surface by the CVD method.
The gate insulating layer 16 is formed. A conductive material having a low reflectance such as a metal oxide, a metal nitride, or a metal oxynitride is formed on the gate insulating layer 16 by a sputtering method or the like, and using a photolithography technique and a dry etching technique, Gate electrode 1 so as to overlap active layer 14
8 is formed. At this time, the wiring (not shown) connected to the gate electrode 18 is also made of metal oxide, metal nitride,
Alternatively, a metal oxynitride or the like is used.
【００２７】つづいて、ゲート電極１８をマスクとし
て、ｐ−Ｓｉの能動層１４に対し、ゲート絶縁層１６を
通してＮ型またはＰ型のイオンを注入する。これによ
り、能動層１４のうちゲート電極１８に覆われていない
部分にＮ型またはＰ型の不純物イオンが注入される。不
純物イオンの種類は、形成すべきトランジスタの種別に
応じて選択されればよい。ゲート電極１８の直下の能動
層１４は、真性または実質的に真性なｐ−Ｓｉ膜のまま
である。Next, using the gate electrode 18 as a mask, N-type or P-type ions are implanted into the p-Si active layer 14 through the gate insulating layer 16. As a result, N-type or P-type impurity ions are implanted into the portion of the active layer 14 not covered with the gate electrode 18. The type of impurity ions may be selected according to the type of transistor to be formed. The active layer 14 immediately below the gate electrode 18 remains an intrinsic or substantially intrinsic p-Si film.
【００２８】さらに、能動層１４の幅よりも狭い幅に、
ゲート電極１８およびゲート絶縁層１６を覆うレジスト
を形成する。つづいて、このレジストをマスクとして再
びイオン注入を行う。レジストで覆われていなかった部
分の能動層１４は、不純物イオンが高濃度に注入されて
おり、ソース領域およびドレイン領域となる。レジスト
で覆われていた部分の能動層１４は、不純物イオンが低
濃度に注入されたＬＤＤ領域となる。Further, in a width narrower than the width of the active layer 14,
A resist is formed to cover the gate electrode 18 and the gate insulating layer 16. Subsequently, ion implantation is performed again using this resist as a mask. Impurity ions are implanted at a high concentration in the active layer 14 which is not covered with the resist and becomes the source region and the drain region. The active layer 14 in the portion covered with the resist becomes an LDD region in which impurity ions are implanted at a low concentration.
【００２９】レジストを除去した後、プラズマＣＶＤ法
によりＳｉＯ２、ＳｉＮなどを全面に蒸着して、層間絶
縁層２０を形成する。つづいて、ソース領域およびドレ
イン領域に対応する位置に、層間絶縁層２０を貫通して
能動層１４に到達するようにコンタクトホールを形成
し、そのコンタクトホールに金属酸化物、金属窒化物、
または金属酸化窒化物などの反射率の低い導電性材料を
充填してドレイン電極２２およびソース電極２４を形成
する。このとき、ドレイン電極２２およびソース電極２
４に接続する配線（図示せず）も同様に金属酸化物、金
属窒化物、または金属酸化窒化物などにより形成する。[0029] After removing the resist, SiO 2, SiN or the like is deposited on the entire surface by plasma CVD method to form an interlayer insulating layer 20. Subsequently, a contact hole is formed at a position corresponding to the source region and the drain region so as to penetrate the interlayer insulating layer 20 and reach the active layer 14, and a metal oxide, a metal nitride,
Alternatively, the drain electrode 22 and the source electrode 24 are formed by filling a conductive material having a low reflectance such as metal oxynitride. At this time, the drain electrode 22 and the source electrode 2
Similarly, a wiring (not shown) connected to No. 4 is made of metal oxide, metal nitride, metal oxynitride, or the like.
【００３０】さらに、その上に、有機樹脂などの材料を
堆積させて第１の平坦化層２６を形成する。これによ
り、トランジスタなどの回路を形成した部分を覆い、基
板表面を平坦化する。有機発光素子６０の形成に先立っ
てＴＦＴ基板５０の表面を平坦化しておくことは、有機
発光素子６０の発光不良を防止するために重要である。Further, a material such as an organic resin is deposited thereon to form the first flattening layer 26. As a result, the portion where the circuit such as the transistor is formed is covered and the substrate surface is flattened. It is important to flatten the surface of the TFT substrate 50 before forming the organic light emitting device 60 in order to prevent defective light emission of the organic light emitting device 60.
【００３１】第１の平坦化層２６の、駆動用トランジス
タＴｒ２のドレイン電極２２およびソース電極２４に対
応する位置に、第１の平坦化層２６を貫通してドレイン
電極２２およびソース電極２４に到達するようにコンタ
クトホールを形成し、その上から金属酸化物、金属窒化
物、または金属酸化窒化物などの反射率の低い導電性材
料を充填し、パターニングすることにより、電源供給線
Ｖｄｄおよび上層の画素電極２８とのコンタクト部３６
を形成する。The first flattening layer 26 penetrates through the first flattening layer 26 and reaches the drain electrode 22 and the source electrode 24 at positions corresponding to the drain electrode 22 and the source electrode 24 of the driving transistor Tr2. To form a contact hole, a conductive material having a low reflectance such as a metal oxide, a metal nitride, or a metal oxynitride is filled on the contact hole, and patterning is performed, whereby the power supply line Vdd and the upper layer are formed. Contact part 36 with the pixel electrode 28
To form.
【００３２】第１の平坦化層２６の上に、有機樹脂など
の材料を堆積させて第２の平坦化層３４を形成する。第
２の平坦化層３４のコンタクト部３６に対応する位置
に、第２の平坦化層３４を貫通してコンタクト部３６に
到達するようにコンタクトホールを形成し、その上から
透明電極材料である酸化インジウム・スズ（Indium Tin
Oxide：ＩＴＯ）を堆積させ、パターン化して画素電極
２８を形成する。本実施の形態では、画素電極２８は陽
極である。陽極の材料としては、ＩＴＯのほか、酸化ス
ズ（ＳｎＯ２）、または酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ3）
等が例示されるが、一般的には、ホール注入効率や表面
抵抗の低さからＩＴＯが用いられる。A material such as an organic resin is deposited on the first flattening layer 26 to form a second flattening layer 34. A contact hole is formed at a position corresponding to the contact portion 36 of the second planarization layer 34 so as to penetrate the second planarization layer 34 and reach the contact portion 36, and a transparent electrode material is formed on the contact hole. Indium tin oxide
Oxide (ITO) is deposited and patterned to form the pixel electrode 28. In this embodiment, the pixel electrode 28 is an anode. As the material of the anode, in addition to ITO, tin oxide (SnO 2 ) or indium oxide (In 2 O 3 )
However, ITO is generally used because of its low hole injection efficiency and low surface resistance.
【００３３】画素電極２８の上に、発光素子層３０が形
成される。発光素子層３０は、有機発光材料を含む発光
層のほか、その上下に正孔輸送層および電子輸送層を設
けてもよい。一般に、これらの有機層は、複数の形成室
を備えるマルチチャンバー型製造装置にて真空蒸着法を
用いて形成される。発光層の材料としては、アルミキノ
リン錯体（Ａｌｑ３）、またはキナクリドン誘導体を含
むビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（bis (1
0-hydroxybenzo[h]quinolinato) beryllium：Ｂｅｂｑ
２）等が例示される。正孔輸送層の材料としては、N,
N’-ジフェニル-N,N’-ジ(3-メチルフェニル)-1,1’-ビ
フェニル-4,4’-ジアミン（N,N’-diphenyl-N,N’-di(3
-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine：ＴＰ
Ｄ）、4,4’,4’’-トリス(3-メチルフェニルフェニル
アミノ)トリフェニルアミン（4,4’,4’’-tris(3-meth
ylphenylphenylamino)triphenylamine：ＭＴＤＡＴ
Ａ）、N,N’-ジ(ナフタレン-１-イル)-N,N’-ジフェニ
ル-ベンジジン(N,N'-Di(naphthalene-１-yl)-N,N'-diph
enyl-benzidine：ＮＰＢ)、等が例示される。電子輸送
層の材料としては、Ａｌｑ３またはＢｅｂｑ２等が例示
される。A light emitting element layer 30 is formed on the pixel electrode 28. The light emitting device layer 30 may be provided with a hole transport layer and an electron transport layer above and below the light emitting layer containing an organic light emitting material. Generally, these organic layers are formed using a vacuum deposition method in a multi-chamber type manufacturing apparatus having a plurality of forming chambers. As the material of the light emitting layer, an aluminum quinoline complex (Alq3) or a bis (benzoquinolinolato) beryllium complex (bis (1
0-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium: Bebq
2) etc. are illustrated. As the material of the hole transport layer, N,
N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (N, N'-diphenyl-N, N'-di (3
-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine: TP
D), 4,4 ', 4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (4,4', 4 ''-tris (3-meth
ylphenylphenylamino) triphenylamine: MTDAT
A), N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diph
enyl-benzidine: NPB), and the like. Examples of the material for the electron transport layer include Alq3 and Bebq2.
【００３４】発光素子層３０の上に、対向電極３２が形
成される。本実施の形態では、対向電極３２は陰極であ
る。陰極の材料としては、例えば、リチウムを微量に含
むアルミニウム合金、マグネシウムインジウム合金、ま
たはマグネシウム銀合金等が例示される。対向電極３２
は、電子輸送層側から順に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）
層およびアルミニウム（Ａｌ）層を備えた２層構造であ
ってもよい。対向電極３２による外光の反射を軽減する
ために、対向電極３２も反射率の低い材料で形成される
ことが望ましいが、発光素子層３０への電子注入効率な
ども考慮して設計されればよい。以上の工程により、本
実施の形態の表示装置１００が製造される。A counter electrode 32 is formed on the light emitting element layer 30. In this embodiment, the counter electrode 32 is a cathode. Examples of the material of the cathode include an aluminum alloy containing a small amount of lithium, a magnesium indium alloy, a magnesium silver alloy, and the like. Counter electrode 32
Is lithium fluoride (LiF) in order from the electron transport layer side.
A two-layer structure including a layer and an aluminum (Al) layer may be used. In order to reduce the reflection of external light by the counter electrode 32, it is desirable that the counter electrode 32 is also formed of a material having a low reflectance, but if it is designed in consideration of the efficiency of electron injection into the light emitting element layer 30 and the like. Good. Through the above steps, the display device 100 according to the present embodiment is manufactured.
【００３５】図４は、製造工程を分かりやすく示すため
に、基板１０を下に配置した様子を図示しているが、実
際に表示装置として使用する際には、ユーザは基板１０
側から見ることになる。ユーザから見て有機発光素子６
０よりも手前に位置するＴＦＴの電極および配線を、反
射率の低い金属酸化物、金属窒化物、または金属酸化窒
化物などの材料で形成することで、外光の反射の影響が
軽減される。FIG. 4 illustrates a state in which the substrate 10 is arranged below in order to show the manufacturing process in an easy-to-understand manner.
It will be seen from the side. Organic light emitting element 6 seen from the user
The influence of reflection of external light is reduced by forming the electrodes and wirings of the TFT located before 0 from materials such as metal oxide, metal nitride, or metal oxynitride having a low reflectance. .
【００３６】（第２の実施の形態）本実施の形態では、
表示装置における外光の反射の影響を軽減するために、
図３に示した画素の構成のうち、対向電極３２を画素開
口部３８の領域のみに設ける。本実施の形態の表示装置
の回路構成は、図２に示した第１の実施の形態の回路構
成と同様である。以下、第１の実施の形態と異なる部分
を中心に説明する。(Second Embodiment) In the present embodiment,
In order to reduce the influence of external light reflection on the display device,
In the pixel configuration shown in FIG. 3, the counter electrode 32 is provided only in the region of the pixel opening 38. The circuit configuration of the display device of this embodiment is the same as the circuit configuration of the first embodiment shown in FIG. Hereinafter, description will be made focusing on the parts different from the first embodiment.
【００３７】まず、図３を参照して説明する。通常、対
向電極３２は、製造プロセスの簡略化という観点から、
表示装置１００の全面にわたって形成される。このと
き、ＴＦＴの電極や配線の隙間部分、すなわち、図３に
おいて斜線および太斜線を施していない部分から、対向
電極３２による外光の反射がもれ、視認性に影響を与え
ることがある。そのため、本実施の形態では、画素開口
部３８の領域以外に対向電極３２を設けないことで、対
向電極３２による外光の反射を軽減する。First, a description will be given with reference to FIG. In general, the counter electrode 32 is used in order to simplify the manufacturing process.
It is formed over the entire surface of the display device 100. At this time, reflection of external light from the counter electrode 32 may be leaked from the gap between the electrodes and wiring of the TFT, that is, the portion not shaded and thick shaded in FIG. 3, which may affect visibility. Therefore, in the present embodiment, the counter electrode 32 is not provided except in the region of the pixel opening 38, thereby reducing the reflection of external light by the counter electrode 32.
【００３８】図５は、第２の実施の形態に係る表示装置
１００の断面構造を概略的に示す。ＴＦＴ基板５０、画
素電極２８、および発光素子層３０の構成は、図４に示
した第１の実施の形態と同様である。対向電極３２は、
画素開口部３８の領域のみに設けられる。すなわち、第
１の実施の形態で説明した製造工程において、対向電極
３２を形成した後に、パターニングにより画素開口部３
８の領域のみを残し、他の部分を除去する。画素開口部
３８の領域以外の対向電極３２を除去すると、各画素の
対向電極３２が孤立し、電気的接続が断たれる。これら
を配線により接続してもよいが、製造プロセスを簡略化
するという観点から、ＩＴＯなどの透明導電性材料で全
面を覆って導電層４０を形成し、各画素の対向電極３２
を電気的に接続する。さらに、導電層４０の上に黒顔料
などで遮光層４２を形成し、画素開口部３８以外の領域
における外光の反射を抑える。なお、本実施の形態にお
いても、ＴＦＴの電極および配線は、反射率の低い金属
酸化物、金属窒化物、または金属酸化窒化物などにより
形成されることが好ましい。導電層４０を反射率の低い
金属酸化物、金属窒化物、または金属酸化窒化物などに
より形成しておいてもよい。この場合は、遮光層４２を
設けなくてもよい。FIG. 5 schematically shows a sectional structure of the display device 100 according to the second embodiment. The configurations of the TFT substrate 50, the pixel electrode 28, and the light emitting element layer 30 are the same as those in the first embodiment shown in FIG. The counter electrode 32 is
It is provided only in the region of the pixel opening 38. That is, in the manufacturing process described in the first embodiment, the pixel opening 3 is formed by patterning after forming the counter electrode 32.
Only the area of 8 is left and the other parts are removed. When the counter electrode 32 other than the region of the pixel opening 38 is removed, the counter electrode 32 of each pixel is isolated and the electrical connection is cut off. These may be connected by wiring, but from the viewpoint of simplifying the manufacturing process, the entire surface is covered with a transparent conductive material such as ITO to form the conductive layer 40, and the counter electrode 32 of each pixel is formed.
To be electrically connected. Further, a light shielding layer 42 is formed on the conductive layer 40 with a black pigment or the like to suppress reflection of external light in a region other than the pixel openings 38. Note that, also in this embodiment mode, the electrodes and wirings of the TFT are preferably formed of a metal oxide, a metal nitride, a metal oxynitride, or the like having low reflectance. The conductive layer 40 may be formed of a metal oxide, a metal nitride, a metal oxynitride, or the like having a low reflectance. In this case, the light shielding layer 42 may not be provided.
【００３９】（第３の実施の形態）本実施の形態では、
表示装置における外光の反射の影響を軽減するために、
図３に示した画素の構成のうち、画素開口部３８以外の
領域を反射率の低い材料で形成されたマスク層で覆う。
本実施の形態の表示装置の回路構成は、図２に示した第
１の実施の形態の回路構成と同様である。以下、第１の
実施の形態と異なる部分を中心に説明する。(Third Embodiment) In the present embodiment,
In order to reduce the influence of external light reflection on the display device,
In the structure of the pixel shown in FIG. 3, a region other than the pixel opening 38 is covered with a mask layer formed of a material having a low reflectance.
The circuit configuration of the display device of this embodiment is the same as the circuit configuration of the first embodiment shown in FIG. Hereinafter, description will be made focusing on the parts different from the first embodiment.
【００４０】図６は、第３の実施の形態に係る表示装置
１００の断面構造を概略的に示す。本実施の形態の表示
装置１００の構成は、マスク層４４を新たに設けたこと
を除いて、図４に示した第１の実施の形態と同様であ
る。ＴＦＴの形成に先立って、画素開口部３８以外の領
域に、黒色顔料などの反射率の低い材料によりマスク層
４４を形成する。マスク層４４は、反射率の低い材料を
全面蒸着した後、エッチング処理などにより画素開口部
３８の領域を除去してもよい。画素開口部３８以外の領
域をマスク層４４で覆うことで、より効果的に外光の反
射を抑えることができる。マスク層４４は、ＴＦＴの形
成後に形成してもよい。この場合、マスク層４４は、ユ
ーザからみてＴＦＴよりも奥に配置されることになるの
で、ＴＦＴの電極および配線部分を、反射率の低い金属
酸化物、金属窒化物、または金属酸化窒化物などにより
形成するのが好ましい。FIG. 6 schematically shows a sectional structure of the display device 100 according to the third embodiment. The configuration of the display device 100 of this embodiment is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 4 except that a mask layer 44 is newly provided. Prior to the formation of the TFT, a mask layer 44 is formed in a region other than the pixel opening 38 with a material having a low reflectance such as black pigment. The mask layer 44 may be formed by depositing a material having a low reflectance on the entire surface and then removing the region of the pixel opening 38 by etching or the like. By covering the area other than the pixel openings 38 with the mask layer 44, reflection of external light can be suppressed more effectively. The mask layer 44 may be formed after the TFT is formed. In this case, since the mask layer 44 is disposed deeper than the TFT as viewed from the user, the electrode and wiring portion of the TFT should be made of metal oxide, metal nitride, metal oxynitride, or the like having low reflectance. Is preferably formed by.
【００４１】これらの実施の形態によれば、外光の反射
を抑え、表示装置の視認性を向上させることができる。
また、円偏光板を設けなくとも効果的に外光の反射を軽
減することができるので、有機発光素子からの発光を効
率よく利用することができ、消費電力の低減、有機発光
素子の劣化の軽減にも寄与する。According to these embodiments, reflection of external light can be suppressed and the visibility of the display device can be improved.
Further, since reflection of external light can be effectively reduced without providing a circularly polarizing plate, light emission from the organic light emitting element can be efficiently used, power consumption can be reduced, and deterioration of the organic light emitting element can be prevented. It also contributes to mitigation.
【００４２】以上、本発明を実施の形態をもとに説明し
た。これらの実施の形態は例示であり、それらの各構成
要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形が可能
なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあること
は当業者に理解されるところである。以下、そうした例
を述べる。The present invention has been described above based on the embodiments. It is understood by those skilled in the art that these embodiments are exemplifications, that various modifications can be made to the combinations of their respective constituent elements and respective processing processes, and that such modifications are also within the scope of the present invention. is there. Hereinafter, such an example will be described.
【００４３】実施の形態では、スイッチングトランジス
タＴｒ１および駆動用トランジスタＴｒ２は、ゲート電
極１８が能動層１４の上層にあるトップゲート方式であ
ったが、ゲート電極１８が能動層１４の下層にあるボト
ムゲート方式であってもよい。In the embodiment, the switching transistor Tr1 and the driving transistor Tr2 are of the top gate type in which the gate electrode 18 is in the upper layer of the active layer 14, but the bottom electrode in which the gate electrode 18 is in the lower layer of the active layer 14 is used. It may be a system.
【００４４】実施の形態では、有機発光素子を例にとっ
て説明したが、光学素子は、無機発光素子であってもよ
く、液晶表示素子であってもよい。実施の形態では、駆
動用トランジスタＴｒ２の電極は、有機発光素子６０の
陽極に接続されていたが、別の形態では、有機発光素子
６０の陰極に接続されてもよい。In the embodiment, the organic light emitting element has been described as an example, but the optical element may be an inorganic light emitting element or a liquid crystal display element. Although the electrode of the driving transistor Tr2 is connected to the anode of the organic light emitting element 60 in the embodiment, it may be connected to the cathode of the organic light emitting element 60 in another embodiment.
【００４５】スイッチングトランジスタは、二つ以上直
列におかれてもよい。その際、電流増幅率など、それら
のトランジスタの特性を異ならせてもよい。例えば、駆
動用トランジスタに近い側のスイッチングトランジスタ
の電流増幅率を低めに設定すれば、漏れ電流を減らす効
果が大きい。さらに、これらのスイッチングトランジス
タと駆動用トランジスタの特性を変えてもよい。例え
ば、駆動用トランジスタの電流増幅率を小さくした場
合、同じ輝度レンジに対応する設定データのレンジが広
がるため、輝度の制御が容易になる。Two or more switching transistors may be arranged in series. At that time, the characteristics of these transistors such as the current amplification factor may be different. For example, if the current amplification factor of the switching transistor on the side closer to the driving transistor is set lower, the effect of reducing the leakage current is great. Further, the characteristics of these switching transistor and driving transistor may be changed. For example, when the current amplification factor of the driving transistor is reduced, the range of setting data corresponding to the same brightness range is expanded, so that the brightness can be easily controlled.
【００４６】[0046]
【発明の効果】本発明によれば、表示装置の視認性を向
上させることができる。According to the present invention, the visibility of the display device can be improved.
【図１】 従来の表示装置の断面を模式的に示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross section of a conventional display device.
【図２】 第１の実施の形態に係る表示装置の１画素分
の回路構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of one pixel of the display device according to the first embodiment.
【図３】 第１の実施の形態に係る表示装置の上面を模
式的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing an upper surface of the display device according to the first embodiment.
【図４】 第１の実施の形態に係る表示装置の断面を模
式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram schematically showing a cross section of the display device according to the first embodiment.
【図５】 第２の実施の形態に係る表示装置の断面を模
式的に示す図である。FIG. 5 is a diagram schematically showing a cross section of a display device according to a second embodiment.
【図６】 第３の実施の形態に係る表示装置の断面を模
式的に示す図である。FIG. 6 is a diagram schematically showing a cross section of a display device according to a third embodiment.
１０ 基板、 １２ 絶縁層、 １４ 能動層、 １６
ゲート絶縁層、 １８ ゲート電極、 ２０ 層間絶
縁層、 ２２ ドレイン電極、 ２４ ソース電極、
２６ 第１の平坦化層、 ２８ 画素電極、 ３０ 発
光素子層、 ３２ 対向電極、 ３４ 第２の平坦化
層、 ３６ コンタクト部、 ３８ 画素開口部、 ４
０ 導電層、 ４２ 遮光層、 ４４ マスク層、 ５
０ ＴＦＴ基板、 ６０ 有機発光素子、 １００ 表
示装置、 Ｖｄｄ 電源供給線、ＤＬ データ線、 Ｓ
Ｌ 走査線、 ＯＬＥＤ 有機発光素子。10 substrate, 12 insulating layer, 14 active layer, 16
Gate insulating layer, 18 gate electrode, 20 interlayer insulating layer, 22 drain electrode, 24 source electrode,
26 1st planarization layer, 28 pixel electrode, 30 light emitting element layer, 32 counter electrode, 34 2nd planarization layer, 36 contact part, 38 pixel opening part, 4
0 conductive layer, 42 light shielding layer, 44 mask layer, 5
0 TFT substrate, 60 organic light emitting device, 100 display device, Vdd power supply line, DL data line, S
L scan line, OLED organic light emitting device.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｖ ６１７Ｍ Ｆターム(参考） 3K007 AB17 BB06 DB03 4M104 AA09 BB13 BB14 BB16 BB17 BB18 BB30 BB31 BB32 BB33 BB36 CC01 CC05 DD16 DD17 DD37 GG09 HH20 5C094 AA11 BA03 BA27 CA19 DA09 EA04 EA05 FB01 FB16 GB10 5F110 AA30 BB01 CC02 CC04 CC08 DD02 DD03 DD05 DD13 DD14 DD15 EE01 EE28 EE44 FF02 FF03 FF29 GG02 GG13 GG35 GG45 HJ13 HL01 HM15 NN03 NN23 NN24 NN27 NN35 NN73 NN78 PP03 QQ11 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01L 29/78 616V 617M F term (reference) 3K007 AB17 BB06 DB03 4M104 AA09 BB13 BB14 BB16 BB17 BB18 BB30 BB31 BB32 BB33 BB36 CC01 CC05 DD16 DD17 DD37 GG09 HH20 5C094 AA11 BA03 BA27 CA19 DA09 EA04 EA05 FB01 FB16 GB10 5F110 AA30 BB01 CC02 CC04 CC08 DD02 DD03 DD05 DD13 DD14 DD15 EE01 EE28 NN NN35 NN28NN NN35 NN2835 NN25 PP03 QQ11
Claims (8)
金属酸化窒化物のいずれかを含む材料により形成される
ことを特徴とする表示装置。1. An optical element, and a transistor for controlling the optical element, wherein an electrode of the transistor includes a metal oxide, a metal nitride,
A display device formed of a material containing any of metal oxynitrides.
テン、タンタル、モリブデン、鉛、のいずれかの金属の
酸化物、窒化物、または酸化窒化物を含む材料により形
成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。2. The electrode is formed of a material including an oxide, a nitride, or an oxynitride of a metal selected from chromium, titanium, tungsten, tantalum, molybdenum, and lead. Item 2. The display device according to item 1.
設けられる透明電極および対向電極と、を備え、 前記対向電極は、前記発光素子層からの発光を外部へ射
出するために開口される領域にのみ設けられることを特
徴とする表示装置。3. A light emitting element layer, and a transparent electrode and a counter electrode provided so as to sandwich the light emitting element layer, wherein the counter electrode is opened to emit light emitted from the light emitting element layer to the outside. A display device characterized in that it is provided only in an area.
数の画素の前記対向電極を電気的に接続する第２の透明
電極をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の
表示装置。4. The display device according to claim 3, wherein the counter electrode is provided for each pixel, and further includes a second transparent electrode electrically connecting the counter electrodes of a plurality of pixels.
される領域を除いた領域に設けられる、外部から入射し
た光の反射を抑えるためのマスク層と、 を備えることを特徴とする表示装置。5. A light emitting element layer, and a mask layer for suppressing reflection of light incident from the outside, the mask layer being provided in an area excluding an area opened for emitting light emitted from the light emitting element layer to the outside. A display device comprising:
料により画素電極を形成する工程と、 前記画素電極の上に、発光素子層を形成する工程と、 前記発光素子層の上に、対向電極を形成する工程と、 前記発光素子層からの発光を外部へ射出するために開口
される領域を残して、前記対向電極を除去する工程と、 を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。6. A step of forming a pixel electrode on a substrate with a material that substantially transmits visible light, a step of forming a light emitting element layer on the pixel electrode, and a step of forming a light emitting element layer on the pixel electrode. A step of forming a counter electrode, and a step of removing the counter electrode, leaving a region opened for emitting light emitted from the light emitting element layer to the outside. Production method.
数の画素の対向電極を電気的に接続すべく、可視光を実
質的に透過する材料を全面に堆積して導電層を形成する
工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の表
示装置の製造方法。7. A step of depositing a material that substantially transmits visible light over the entire surface to form a conductive layer after the step of removing the counter electrode so as to electrically connect the counter electrodes of a plurality of pixels. The method for manufacturing a display device according to claim 6, further comprising:
くとも前記対向電極を除去した領域に、外部から入射し
た光の反射を抑えるためのマスク層を形成する工程をさ
らに含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置の
製造方法。8. The method further comprises, after the step of forming the conductive layer, forming a mask layer for suppressing reflection of light incident from the outside in at least the region where the counter electrode is removed. A method of manufacturing a display device according to claim 7.
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