JP2007214554A - レーザー光照射装置、レーザー光照射方法並びに半導体装置の作製方法 - Google Patents
レーザー光照射装置、レーザー光照射方法並びに半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】レーザー発振器からレーザー光を射出し、レーザー光を補正レンズを介して凹レンズを有するビームエキスパンダー光学系に入射させる際、レーザー発振器の射出点を第1の共役点、第1の共役点の像が補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、補正レンズから第2の共役点までの距離をb、凹レンズの焦点距離をf、補正レンズと凹レンズとの距離をXとすると、Xが、b−3f≦X≦b+f、を満たすようにレーザー発振器、補正レンズおよび凹レンズを配置させる。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、上記実施の形態で示したレーザー光照射装置またはレーザー光の照射方法を用いた半導体装置の作製方法に関して、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態3で示した作製方法を用いて得られた半導体装置の使用形態の一例について説明する。具体的には、非接触でデータの入出力が可能である半導体装置の適用例に関して図面を参照して以下に説明する。非接触でデータの入出力が可能である半導体装置は利用の形態によっては、RFIDタグ、IDタグ、ICタグ、ICチップ、RFタグ、無線タグ、電子タグまたは無線チップともよばれる。
80 半導体装置
81 高周波回路
82 電源回路
83 リセット回路
84 クロック発生回路
85 データ復調回路
86 データ変調回路
87 制御回路
88 記憶回路
89 アンテナ
91 コード抽出回路
92 コード判定回路
93 CRC判定回路
94 出力ユニット回路
101 レーザー発振器
102 補正レンズ
103 ビームエキスパンダー光学系
103a 凹レンズ
103b 凸レンズ
104 被照射物
105 レーザー光
203 ビームエキスパンダー光学系
203a 第1の凸レンズ
203b 第2の凸レンズ
501 レーザー発振器
502 ビームエキスパンダー光学系
503 被照射物
504 レーザー光
601 レーザー発振器
602 補正レンズ
603 ビームエキスパンダー光学系
603a 凹レンズ
603b 凸レンズ
604 被照射物
605 レーザー光
613a 凸レンズ
701 基板
702 剥離層
703 絶縁膜
704 半導体膜
704a 半導体膜
704b 半導体膜
704c 半導体膜
704d 半導体膜
705 ゲート絶縁膜
706a 不純物領域
706b 不純物領域
706c チャネル領域
707 ゲート電極
708 絶縁膜
709 絶縁膜
710 絶縁膜
711 絶縁膜
712 導電膜
713 導電膜
714 絶縁膜
715 開口部
716 開口部
717 第1のシート材
718 第2のシート材
719 導電膜
721 基板
722 導電膜
723 樹脂
724 導電性粒子
730a トランジスタ
730b トランジスタ
730c トランジスタ
730d トランジスタ
731 導電膜
732 層
733 素子群
901 レーザー発振器
902 補正レンズ
903 ビームエキスパンダー光学系
903a 凹レンズ
903b 凸レンズ
904 回折光学素子
905 ミラー
908 吸着ステージ
909 Xステージ
910 Yステージ
1201 基板
1202 導電膜
1203 ICチップ
3210 表示部
3200 リーダ/ライタ
3220 品物
3230 半導体装置
3240 リーダ/ライタ
3250 半導体装置
3260 商品
Claims (22)
- レーザー発振器と、前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を入射させるビームエキスパンダー光学系と、前記レーザー発振器と前記ビームエキスパンダー光学系との間に配置された補正レンズとを有し、
前記ビームエキスパンダー光学系は入射口に凹レンズを有し、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凹レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凹レンズとの距離をXとすると、
前記Xが、b−3|f|≦X≦b+|f|、
を満たすことを特徴とするレーザー光照射装置。 - レーザー発振器と、前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を入射させるビームエキスパンダー光学系と、前記レーザー発振器と前記ビームエキスパンダー光学系との間に配置された補正レンズとを有し、
前記ビームエキスパンダー光学系は入射口に凹レンズを有し、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凹レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凹レンズとの距離をXとすると、
前記Xが概略、X=b−|f|、
であることを特徴とするレーザー光照射装置。 - レーザー発振器と、前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を入射させるビームエキスパンダー光学系と、前記ビームエキスパンダー光学系を通った前記レーザー光を入射させる回折光学素子と、前記レーザー発振器と前記ビームエキスパンダー光学系との間に配置された補正レンズとを有し、
前記ビームエキスパンダー光学系は、前記レーザー光の進行方向において順に設けられた凹レンズと凸レンズとを有し、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凹レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凹レンズとの距離をXとすると、
前記Xが、b−3|f|≦X≦b+|f|、
を満たすことを特徴とするレーザー光照射装置。 - レーザー発振器と、前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を入射させるビームエキスパンダー光学系と、前記ビームエキスパンダー光学系を通った前記レーザー光を入射させる回折光学素子と、前記レーザー発振器と前記ビームエキスパンダー光学系との間に配置された補正レンズとを有し、
前記ビームエキスパンダー光学系は、前記レーザー光の進行方向において順に設けられた凹レンズと凸レンズとを有し、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凹レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凹レンズとの距離をXとすると、
前記Xが概略、X=b−|f|、
であることを特徴とするレーザー光照射装置。 - レーザー発振器と、前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を入射させるビームエキスパンダー光学系と、前記レーザー発振器と前記ビームエキスパンダー光学系との間に配置された補正レンズとを有し、
前記ビームエキスパンダー光学系は入射口に凸レンズを有し、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凸レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凸レンズとの距離をXとすると、
前記Xが、b−|f|≦X≦b+3|f|、
を満たすことを特徴とするレーザー光照射装置。 - レーザー発振器と、前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を入射させるビームエキスパンダー光学系と、前記レーザー発振器と前記ビームエキスパンダー光学系との間に配置された補正レンズとを有し、
前記ビームエキスパンダー光学系は入射口に凸レンズを有し、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凸レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凸レンズとの距離をXとすると、
前記Xが概略、X=b+|f|、
であることを特徴とするレーザー光照射装置。 - レーザー発振器と、前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を入射させるビームエキスパンダー光学系と、前記ビームエキスパンダー光学系を通った前記レーザー光を入射させる回折光学素子と、前記レーザー発振器と前記ビームエキスパンダー光学系との間に配置された補正レンズとを有し、
前記ビームエキスパンダー光学系は、前記レーザー光の進行方向において順に設けられた第1の凸レンズと第2の凸レンズとを有し、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記第1の凸レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記第1の凸レンズとの距離をXとすると、
前記Xが、b−|f|≦X≦b+3|f|、
を満たすことを特徴とするレーザー光照射装置。 - レーザー発振器と、前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を入射させるビームエキスパンダー光学系と、前記ビームエキスパンダー光学系を通った前記レーザー光を入射させる回折光学素子と、前記レーザー発振器と前記ビームエキスパンダー光学系との間に配置された補正レンズとを有し、
前記ビームエキスパンダー光学系は、前記レーザー光の進行方向において順に設けられた第1の凸レンズと第2の凸レンズとを有し、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記第1の凸レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記第1の凸レンズとの距離をXとすると、
前記Xが概略、X=b+|f|、
であることを特徴とするレーザー光照射装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記補正レンズは、凸レンズであることを特徴とするレーザー光照射装置。 - レーザー発振器からレーザー光を射出し、
前記レーザー光を補正レンズを介して入射口に凹レンズを有するビームエキスパンダー光学系に入射させる際、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凹レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凹レンズとの距離をXとすると、
前記Xが、b−3|f|≦X≦b+|f|、
を満たすように前記レーザー発振器、前記補正レンズおよび前記凹レンズを配置して前記レーザー光を照射することを特徴とするレーザー光の照射方法。 - レーザー発振器からレーザー光を射出し、
前記レーザー光を補正レンズを介して入射口に凹レンズを有するビームエキスパンダー光学系に入射させる際、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凹レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凹レンズとの距離をXとすると、
前記Xが概略、X=b−|f|、
となるように前記レーザー発振器、前記補正レンズおよび前記凹レンズを配置して前記レーザー光を照射することを特徴とするレーザー光の照射方法。 - レーザー発振器からレーザー光を射出し、
前記レーザー光を補正レンズを介して、前記レーザー光の進行方向に対して順に設けられた凹レンズと凸レンズとを有するビームエキスパンダー光学系に入射させ、
前記凹レンズおよび前記凸レンズを通った前記レーザー光を回折光学素子に入射させる際、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凹レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凹レンズとの距離をXとすると、
前記Xが、b−3|f|≦X≦b+|f|、
を満たすように前記レーザー発振器、前記補正レンズおよび前記凹レンズを配置して前記レーザー光を照射することを特徴とするレーザー光の照射方法。 - レーザー発振器からレーザー光を射出し、
前記レーザー光を補正レンズを介して、前記レーザー光の進行方向に対して順に設けられた凹レンズと凸レンズとを有するビームエキスパンダー光学系に入射させ、
前記凹レンズおよび前記凸レンズを通った前記レーザー光を回折光学素子に入射させる際、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凹レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凹レンズとの距離をXとすると、
前記Xが概略、X=b−|f|、
となるように前記レーザー発振器、前記補正レンズおよび前記凹レンズを配置して前記レーザー光を照射することを特徴とするレーザー光の照射方法。 - 請求項10乃至請求項13のいずれか一項において、
前記レーザー発振器と前記凹レンズとの距離を0.5m以上離して前記レーザー光を照射することを特徴とするレーザー光の照射方法。 - レーザー発振器からレーザー光を射出し、
前記レーザー光を補正レンズを介して入射口に凸レンズを有するビームエキスパンダー光学系に入射させる際、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凸レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凸レンズとの距離をXとすると、
前記Xが、b−|f|≦X≦b+3|f|、
を満たすように前記レーザー発振器、前記補正レンズおよび前記凸レンズを配置して前記レーザー光を照射することを特徴とするレーザー光の照射方法。 - レーザー発振器からレーザー光を射出し、
前記レーザー光を補正レンズを介して入射口に凸レンズを有するビームエキスパンダー光学系に入射させる際、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凸レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凸レンズとの距離をXとすると、
前記Xが概略、X=b+|f|、
となるように前記レーザー発振器、前記補正レンズおよび前記凸レンズを配置して前記レーザー光を照射することを特徴とするレーザー光の照射方法。 - 請求項15または請求項16において、
前記レーザー発振器と前記凸レンズとの距離を0.5m以上離して前記レーザー光を照射することを特徴とするレーザー光の照射方法。 - レーザー発振器からレーザー光を射出し、
前記レーザー光を補正レンズを介して、前記レーザー光の進行方向に対して順に設けられた第1の凸レンズと第2の凸レンズとを有するビームエキスパンダー光学系に入射させ、
前記第1の凸レンズおよび前記第2の凸レンズを通った前記レーザー光を回折光学素子に入射させる際、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記第1の凸レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記第1の凸レンズとの距離をXとすると、
前記Xが、b−|f|≦X≦b+3|f|、
を満たすように前記レーザー発振器、前記補正レンズおよび前記第1の凸レンズを配置して前記レーザー光を照射することを特徴とするレーザー光の照射方法。 - レーザー発振器からレーザー光を射出し、
前記レーザー光を補正レンズを介して、前記レーザー光の進行方向に対して順に設けられた第1の凸レンズと第2の凸レンズとを有するビームエキスパンダー光学系に入射させ、
前記第1の凸レンズおよび前記第2の凸レンズを通った前記レーザー光を回折光学素子に入射させる際、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記第1の凸レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記第1の凸レンズとの距離をXとすると、
前記Xが概略、X=b+|f|、
となるように前記レーザー発振器、前記補正レンズおよび前記第1の凸レンズを配置して前記レーザー光を照射することを特徴とするレーザー光の照射方法。 - 請求項10乃至請求項19のいずれか一項において、
前記補正レンズとして、凸レンズを用いることを特徴とするレーザー光の照射方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザー光を照射する半導体装置の作製方法であって、
レーザー発振器から前記レーザー光を射出し、
前記レーザー光を補正レンズを介して入射口に凹レンズを有するビームエキスパンダー光学系に入射させる際、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凹レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凹レンズとの距離をXとすると、
前記Xが、b−3|f|≦X≦b+|f|、
を満たすように前記レーザー発振器、前記補正レンズおよび前記凹レンズを配置して前記半導体膜に前記レーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザー光を照射する半導体装置の作製方法であって、
レーザー発振器から前記レーザー光を射出し、
前記レーザー光を補正レンズを介して入射口に凸レンズを有するビームエキスパンダー光学系に入射させる際、
前記レーザー発振器の射出点を第1の共役点、前記第1の共役点の像が前記補正レンズを介して結像される点を第2の共役点、前記補正レンズから前記第2の共役点までの距離をb、前記凸レンズの焦点距離をf、前記補正レンズと前記凸レンズとの距離をXとすると、
前記Xが、b−|f|≦X≦b+3|f|、
を満たすように前記レーザー発振器、前記補正レンズおよび前記凸レンズを配置して前記半導体膜に前記レーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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