JP2007213699A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 書き込みトランスファゲートトランジスタ103、104及び読み出しトランスファゲートトランジスタ105、106を有する第1、第2のSRAMセルSC00、SC01において、第1のSRAMセルSC00の読み出しゲートトランジスタ106は、第1のビット線BLに接続され、第2のSRAMセルSC01の読み出しゲートトランジスタ106は、第2のビット線/BLに接続されることを特徴とする。また、第1、第2のSRAMセルSC00、SC01のトランスファゲートトランジスタ106は、共通の読み出しワード線RWLに接続されることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
102 第2のインバータ
103 第1のトランスファゲートトランジスタ
104 第2のトランスファゲートトランジスタ
105 第3のトランスファゲートトランジスタ
106 第4のトランスファゲートトランジスタ
201 プリチャージ回路
202、204、207 インバータ
203 MUX
205、206 PMOSトランジスタ
301 n型ソース/ドレイン拡散層
302 p型ソース/ドレイン拡散層
401、402 コンタクト
SC00、SC01、… SRAMセル
BL 第1のビット線
/BL 第2のビット線
RBL(n)、RBL(2n)、RBL(2n+1) 読み出しワード線
WWL(2n)、WWL(2n+1) 書き込みワード線
n01、nb01 記憶ノード
Claims (12)
- 第1のインバータと、入力端子が前記第1のインバータの出力端子に、出力端子が前記第1のインバータの入力端子に接続される第2のインバータと、ゲートが第1の書き込みワード線に、ソースが前記第1のインバータの出力端子に、ドレインが第1のビット線に接続される第1のトランジスタと、ゲートが前記第1の書き込みワード線に、ソースが前記第1のインバータの入力端子に、ドレインが第2のビット線に接続される第2のトランジスタと、ゲートが前記第1のインバータの入力端子に、ソースがグランドに接続される第3のトランジスタと、ゲートが読み出しワード線に、ソースが前記第3のトランジスタに接続される第4のトランジスタと、を有する第1のSRAMセルと、
第3のインバータと、入力端子が前記第3のインバータの出力端子に、出力端子が前記第3のインバータの入力端子に接続される第4のインバータと、ゲートが第2の書き込みワード線に、ソースが前記第3のインバータの出力端子に、ドレインが第1のビット線に接続される第5のトランジスタと、ゲートが前記第2の書き込みワード線に、ソースが前記第3のインバータの入力端子に、ドレインが第2のビット線に接続される第6のトランジスタと、ゲートが前記第3のインバータの入力端子に、ソースがグランドに接続される第7のトランジスタと、ソースが前記第3のトランジスタに接続される第8のトランジスタと、を備える第2のSRAMセルと、
を備え、前記第1のSRAMセルの前記第4のトランジスタのドレインは前記第1のビット線に接続され、前記第2のSRAMセルの前記第8のトランジスタのドレインは、前記第2のビット線に接続されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第8のトランジスタのゲートが前記読み出しワード線に接続されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 読み出し時に、前記第1のSRAMセルのデータが前記第1のビット線に読み出され、前記第2のSRAMセルのデータが前記第2のビット線に読み出されることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体記憶装置。
- 読み出し時に、前記第1のビット線及び前記第2のビット線に読み出されたデータのどちらか一方を選択し、一方の読み出しデータを出力する機能を有することを特徴とする請求項2又は請求項3記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のSRAMセルと前記第2のSRAMセルは、前記読み出しワード線を中心にして点対称の関係にあることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1乃至前記第8のトランジスタ及び前記第1、前記第2のインバータのゲートは互いに平行に配置され、前記ゲートに直行するように前記第1乃至前記第8のトランジスタ及び前記第1、前記第2のインバータのソース/ドレイン領域が配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1の書き込みワード線、前記第2の書き込みワード線及び前記読み出しワード線と、前記第1乃至前記第8のトランジスタ及び前記第1、第2のインバータのゲートとが平行に配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1の書き込みワード線、前記第2の書き込みワード線及び前記読み出しワード線と、前記第1のビット線及び前記第2のビット線とが平行に配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のインバータのゲートとは前記第1の書き込みワード線方向に沿って、一直線上に並ぶように配置され、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタ、前記第1のインバータと前記第2のインバータは、前記第1の書き込みワード線に対して点対称の関係にあることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のインバータと前記第3のトランジスタは、隣接するように配置され、前記第1のインバータ、前記第1のトランジスタ及び前記第1の書き込みワード線は、前記第3のトランジスタ、前記第4のトランジスタ及び前記読み出しワード線と線対称の関係にあることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第3のトランジスタのゲートと前記第8のトランジスタのゲートとは前記読み出しワード線方向に沿って、一直線上に並ぶように配置され、前記第3のトランジスタと前記第7のトランジスタ、前記第4のトランジスタと前記第8のトランジスタは、前記読み出しワード線に対して点対称の関係にあることを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第7のトランジスタと前記第3のインバータは、隣接するように配置され、前記第3のトランジスタ、前記第4のトランジスタ、前記第8のトランジスタ、前記第7のトランジスタ及び前記読み出しワード線は、前記第4のインバータ、前記第5のトランジスタ、前記第6のトランジスタ及び前記第2の書き込みワード線と線対称の関係にあることを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
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