JP2007207977A - 発光素子及び発光素子アレイ - Google Patents

Abstract

【課題】基板材料の制約或いは発光強度低下やばらつき等が生じることなく、発光点ピッチを小さくでき、且つ、発光サイズを小さくすることが可能な発光素子及び発光素子アレイを提供する。
【解決手段】発光層１、発光層１の一方の面側に形成されたｐ型電流拡散層２、発光層の他方の面側に形成されたｎ型電流拡散層３、ｐ型電流拡散層の一部に形成されたｐ型電極４、ｎ型電流拡散層の一部に形成されたｎ型電極５を具備する。そして、ｐ型電極とｎ型電極とを互いに位置をずらして配置し、ｐ型電極とｎ型電極との選択パターンによって発光層２における発光点を制御する。そうすることで、発光点ピッチを小さくでき、発光点サイズを小さくできる。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子及びそれを用いた発光素子アレイに関し、特に、電子写真ＬＥＤプリンタヘッドの光源等として好適に用いることが可能な発光素子及び発光素子アレイに関するものである。

従来、発光素子の中でも、電子写真ＬＥＤプリンタヘッドのような光源用途においては、高精細化のために発光点をより小径化、集積化する必要性が高い。ところが、素子サイズ、素子ピッチ双方において、コンタクト電極サイズ、ワイヤーボンディングパッドサイズ、駆動方式の観点から単純にシュリンクすることは困難である。

そこで、集積度を上げるために、発光ダイオードのｐ、ｎの電極を行列配列することにより、端子数に対する発光素子数を増加させる方法が、特許文献１に記載された形態で広く使用され、高密度ＬＥＤアレイでは既に実用されている。

また、発光点のピッチを小さくし、発光点数を増加させる手法として、透明石英基板の両面に発光ダイオードを形成し、且つ、その相互の位置を意図的にずらしてレイアウトする例が、特許文献２に記載されている。
特許第３３４０６２６号公報 特開平６−２６８２５１号公報

従来の技術では、透明基板の上下に発光ダイオードを形成する場合には、発光ダイオードの発光波長に対して透明性を有する基板を使用しなければならない等、使用できる基板材料に制約が生じる。

また、透明基板の両面に発光ダイオードをレイアウトすると、基板裏面側の素子の発光強度の低下或いはばらつきの増大等が生じるという問題があった。

本発明の目的は、基板材料の制約或いは発光強度低下やばらつき等が生じることなく、発光点ピッチを小さくでき、且つ、発光サイズを小さくすることが可能な発光素子及び発光素子アレイを提供することにある。

本発明の発光素子は、上記目的を達成するため、発光層と、前記発光層の一方の面側に形成された第１の極性を有する第１電流拡散層と、前記発光層の他方の面側に形成された第２の極性を有する第２電流拡散層と、前記第１電流拡散層の一部に形成された第１電極と、前記第２電流拡散層の一部に形成された第２電極と、備え、前記第１電極と前記第２電極とが互いに位置をずらして配置されており、前記第１電極と前記第２電極との選択パターンによって前記発光層における発光点を制御することを特徴とする。

本発明においては、第１電極と第２電極とを互いに位置をずらして配置し、発光層における発光点の数を２つ以上とし、第１電極と第２電極との選択パターンによって発光層における発光点を制御する。そうすることで、基板材料の制約や発光素子の強度低下やバラツキ等を生じることなく、発光点ピッチを小さくでき、発光点サイズを小さくすることができる。

本発明によれば、発光層における発光部位を２つ以上増加させることが可能となり、基板材料の制約或いは発光強度低下やばらつき等を生じることなく、発光点ピッチを小さくでき、且つ、発光サイズを小さくすることが可能となる。

次に、添付図面を参照しながら発明を実施するための最良の形態について説明する。図１乃至図６は本発明に係る発光素子の実施形態の構造を示す概念図である。

まず、図１は、発光層１と、それを挟持する第１の導電型の電流拡散層２と、第１の導電性と異なる極性を持つ第２の導電型の電流拡散層３と、それぞれの電流拡散層上にキャリアを注入する第１の導電型電極４、第２の導電型電極５から構成される発光素子を示す。発光層１は１面と２面を有し、１面側に第１の導電型の電流拡散層２が、２面側に第２の導電型の電流拡散層３が設けられている。

第１の導電型電極４としては電極４ａ〜４ｃの３つの電極が設けられ、第２の導電型電極５としては電極５ａ〜５ｂの２つの電極が設けられている。

本実施形態では、第１の導電型の電流拡散層２はｐ型電流拡散層、第２の導電型の電流拡散層３はｎ型電流拡散層、第１の導電型電極４はｐ型電極、第２の導電型電極５はｎ型電極である。

ここで、ｐ型電極４とｎ型電極５は、互いに位置をずらしてそれぞれ２つ以上レイアウトされている。また、ｐ型電極４、ｎ型電極５はそれぞれ個別に選択できるように隣接電極と電気的に分離されている。

また、発光層１は、ｐｎ接合層の他、ｐ，ｎ電流拡散層よりバンドギャップの小さいダブルへテロ活性層、量子井戸層のいずれかで構成されている。

本実施形態では、上述のようにｐ型電極４とｎ型電極５の位置関係がずらされており、且つ、電流拡散層の膜厚をキャリア拡散が支配的な膜厚にすることにより、電流注入電極の選択パターンに応じて発光位置は変化する。即ち、選択したｎ型電極とｐ型電極の中間領域でのキャリアの再結合が支配的となり、ｐ型電極とｎ型電極との選択電極に応じて発光層１内で発光領域が移るのである。

例えば、ｐ型電極４ｂに対してｎ型電極５ａを選択すると、電極４ｂと電極５ａの中間領域におけるキャリア再結合が支配的となるため、発光領域は６ａ近傍が優位となり、ｎ型電極５ｂを選択すると発光領域は６ｂ近傍が優位となる。また、ｐ型電極４ａに対してｎ型電極５ａを選択すると発光領域は６ｃ、ｐ型電極４ｃに対してｎ型電極５ｂを選択すると発光領域は６ｄとなり、４箇所の発光点が得られる。

また、ｎ型電極５側を基準とし、ｎ型電極５ａに対してｐ型電極４ａを選択すると発光領域は６ｃ、ｐ型電極４ｂを選択すると発光領域は６ａ、ｐ型電極４ａ、４ｂを選択すると発光領域は６ａ、６ｃとなる。

更に、ｎ型電極５ｂに対してｐ型電極４ｂを選択すると発光領域は６ｂ、ｐ電極４ｃを選択すると発光領域は６ｄ、ｐ型電極４ｂ、４ｃを選択すると発光領域は６ｂ、６ｄとなり、４箇所の発光点が得られる。

実際に、発光素子を駆動する場合には、ｐ型電極４を基準としてｎ型電極５を選択する又はｎ型電極５を基準としてｐ型電極４を選択することにより、発光層１における複数の発光点の発光を制御する。

例えば、ｐ型電極４ｂに対してｎ型電極５ａと５ｂを選択すると発光領域は６ａ、６ｂとなり、ｐ型電極４ａ、４ｂに対してｎ型電極５ａを選択すると発光領域は６ａ、６ｃとなる。更に、ｐ型電極４ｂ、４ｃに対してｎ型電極５ｂを選択すると発光領域は６ｂ、６ｄとなり、ｐ型電極４ａ、４ｂ、４ｃに対してｎ型電極５ａ、５ｂを選択すると発光領域は６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄとなる。

反対に、ｎ型電極５を基準としてｐ型電極４を選択する場合も、全く同様に発光点を制御することができる。例えば、ｎ型電極５ａを基準としてｐ型電極４ａを選択すると発光領域は６ｃ、ｐ型電極４ｂを選択すると発光領域は６ａ、ｐ型電極４ａ、４ｂを選択すると発光領域は６ａ、６ｃとなる。

また、ｎ型電極５ｂを基準としてｐ型電極４ｂを選択すると発光領域は６ｂ、ｐ型電極４ｃを選択すると発光領域は６ｄ、ｐ型電極４ｂ、４ｃを選択すると発光領域は６ｂ、６ｄとなる。

更に、ｎ型電極５ａ、５ｂを基準としてｐ型電極４ａ、４ｂを選択すると発光領域は６ａ、６ｂ、６ｃとなり、ｐ型電極４ｂを選択すると発光領域は６ａ、６ｂとなり、ｐ型電極４ｂ、４ｃを選択すると発光領域は６ａ、６ｂ、６ｄとなる。

また、ｎ型電極５ａ、５ｂを基準としてｐ型電極４ａ、４ｂ、４ｃを選択すると発光領域は６ａ、６ｂ、６ｄ、６ｄとなる。このようにｐ型電極とｎ型電極との選択パターンによって４個の発光点の点滅を制御することができる。

以上のようにｐ型電極４とｎ型電極５との選択パターンによって発光層１の発光領域を制御できることは、以下の全ての形態において同様である。

また、図１では、ｐ型電極４を３個、ｎ型電極５を２個としているが、本発明は、この限りではない。例えば、図１のｐ型電極４ａ、４ｂ、４ｃのうちｐ型電極４ａ、４ｃはなくても良い。その場合には、発光領域は６ａ、６ｂのみとなる。

更に、例えば、ｐ型電極４を４個、ｎ型電極５を３個とする等電極の組み合わせは任意である。要はｐ型電極とｎ型電極の位置をずらして配置し、且つ、ｐ型電極とｎ型電極を１対２の関係又は２対１の関係とし、発光点を２つ以上とすれば良い。以上のことは、以下に説明する全ての形態において同様である。

そうすることで、発光層１内における発光部位を２つ以上増加させることが可能となる。そして、結果として基板材料に制約を生じることなく、また、基板裏面側の発光素子の発光強度低下やバラツキといった問題が生じることなく、発光点ピッチを小さくでき、且つ、発光サイズを小さくすることが可能となる。

次に、本発明の他の形態について説明する。本発明は基板の片側の電流拡散層を一部又はすべてを除去することにより、発光位置の制御性、集中性を向上させることが可能である。具体的な形態を図２〜図４に示す。

図２に示す形態は、素子上面の電流拡散層２を深さ方向に一部（或いはすべて）を除去する実施形態を示す。７はｐ型電流拡散層除去部を示す。なお、図２では図１と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。

このように素子上面のｐ型電流拡散層２を深さ方向に一部（或いはすべて）を除去することにより、ｐ型電極４から注入されたｐ型キャリアは広く拡散しないため、ｐ型キャリアの注入領域を制御できる。そのため、図１の実施形態の効果に加えて、発光層１における発光部位の制御性、集中性を更に向上させることができる。

図３に示す形態は、図２とは反対に素子下面の電流拡散層を深さ方向に一部（或いはすべて）を除去する形態を示す。図３では図１、図２と同一部分には同一符号を付している。このように素子下面のｎ電流拡散層３を深さ方向に一部（或いはすべて）を除去することにより、ｎ型キャリアの注入領域を制御でき、同様に発光層１における発光部位の制御性、集中性を更に向上することができる。

図４に示す形態は、図２と同様に素子上面の電流拡散層を一部（或いはすべて）を除去し、且つ、図３と同様に素子下面の電流拡散層を一部（或いはすべて）を除去する形態を示す。図４では図１〜図３と同一部分には同一符号を付している。

図４の形態においては、ｐ型キャリアとｎ型キャリアの双方のキャリア注入領域を制御できるため、図２、図３の形態に比べて発光部位の制御性や集中性を更に向上させることが可能となる。

このように図２〜図４の形態では、ｐ型電流拡散層２又はｎ型電流拡散層３の一部又は全てを除去することにより、その電流拡散層における電流阻害層として機能し、ｐ型、ｎ型キャリアの注入領域を制御できる。そのため、発光層１における発光部位の制御性や集中性を大幅に向上させることができる。

特に、図４の形態では、ｐ型電流拡散層２とｎ型電流拡散層３の位置をずらして配置した形となっているが、発光層１においてそのｐ型電流拡散層２とｎ型電流拡散層３がオーバーラップする領域が発光し、発光層１における発光部位の制御性や集中性をより向上させることが可能である。

また、電流拡散層を深さ方向に一部或いはすべてを除去するプロセスにおいて、図５或いは図６に示すように電流拡散層２、３と発光素子層１との間に電流拡散層と物理的若しくは化学的に選択性を有する選択加工層９を形成しても良い。そうすることにより、選択加工層９を除去プロセスにおける発光素子層１の保護或いは加工ストップ層として用いることができ、加工の再現性の改善を図ることも可能である。

図５、図６は発光層１の両面に選択加工層９、９′を形成し、ｐ型電流拡散層２とｎ型電流拡散層３をそれぞれ深さ方向に全て除去した形態を示す。図５、図６に示す形態では、上述のようにｐ型電流拡散層２とｎ型電流拡散層３の位置をずらして配置した形となっており、発光層１においてそのｐ型電流拡散層２とｎ型電流拡散層３がオーバーラップする領域が発光する。この形態では、図４の形態に比べて更に発光層１における発光部位の制御性や集中性を向上せることが可能である。

これらの発光素子層を挟持する構成は、発光素子層、拡散層、電極を他の支持基板に移設することによっても得られる。

例えば、図示しないシード基板上に分離層を介して発光層１、電流拡散層２、３をエピタキシャル成長させ、第１面の電極４を形成し、一方の電流拡散層２の一部を除去する等の加工を行う。その後、図示しない支持基板にその電極面を貼り合わせて分離層から分離し、露出した第２面に電極５を形成し、電流拡散層３の一部を除去する等の加工を行う。そうすることで、発光素子層が薄膜の場合でも本発明の構成を実現できる。

また、図２〜図６の形態では電流拡散層２、３のいずれか一方の一部又はすべてを除去する、或いは電流拡散層２、３の両方の一部又はすべてを除去すると説明したが、本発明はこれに限るものではない。

例えば、電流拡散層２、３のいずれか一方の一部に高抵抗層を形成しても良いし、電流拡散層２、３の両方の一部に高抵抗層を形成しても良い。そうすることで、同様に発光位置の制御性を向上させることができる。

図７はその場合の実施形態を示す断面図であり、ｐ型電流拡散層に高抵抗層を形成した例を示す。図７では図１〜図６と同一部分には同一符号を付している。図中２０は電流阻害層としての高抵抗層を示す。通常、電流拡散層（ＧａＡｓ等）はｐ型の場合は炭素（Ｃ）をドープし、ｎ型の場合にはＳｉ等をドープする。電流阻害層は、ドープを何もしない、若しくは反極性のドープをすることによって形成する。

図７の形態では、高抵抗層２０は、例えば、ｐ型電流拡散層（ｐ−ＧａＡｓ）２ａを成膜後、ノンドープＧａＡｓ若しくはｎ−ＧａＡｓを成膜、パターニングして形成し、その後、ｐ型電流拡散層（ｐ−ＧａＡｓ）２ｂを成膜する。

ｐ型電極から注入されたキャリア（正孔）は高抵抗層２０の領域を通れないので、図中に矢印で示すようにｐ電極の直下を選択的に流れ、電流拡散層の一部を除去又はすべてを除去した場合と同様の効果が得られる。また、ｐ型電流拡散層（ｐ−ＧａＡｓ）２ａの一部を除去した後に高抵抗層２０を成膜し、その高抵抗層２０を選択的に残しても、同様の効果が得られる。

なお、図７はｐ型電流拡散層２に高抵抗層２０を形成した例を示すものであるが、ｎ型電流拡散層３に形成しても良いし、ｐ型電流拡散層２とｎ型電流拡散層３の両方に形成しても良いことは言うまでもない。

次に、本発明の好適な実施例を例示的に説明する。

（第１実施例）
本発明の第１実施例に係る発光素子を図１〜図６を参照して説明する。図１に示すように、第１実施例として、例えば、ダブルへテロ型のＬＥＤ素子を説明する。その構成は以下の通りである。

ｐ型Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ層（発光層）１を挟持する形で、ｐ型Ａｌ0.40Ｇａ0.60Ａｓ層（電流拡散層）２、ｎ型ｌ0.40Ｇａ0.60Ａｓ層（電流拡散層）３が形成されている。そして、それぞれの電流拡散層上に、Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅからなるn型電極４、Ａｕ／Ｔｉからなるｐ型電極５が形成されている。

ｐ型電極４、ｎ型電極５は互いに対向する部分が除去されており、またエピタキシャル成長層（発光層１、電流拡散層２、３）はキャリアの拡散が電流拡散層内で十分には拡散しない範疇で形成されている。

この構成のため、ｐ型電極の任意の１つの電極４ｂを選択し、また電極４ｂに対して最近接のｎ型電極の一方の電極５ａを選択した場合には、双方の中間領域でのキャリア再結合が支配的になり、発光領域６ａ近傍の発光が優位となる。

また、ｐ型電極４ｂに対し、ｎ型電極５ｂを選択することにより、発光点は６ｂ近傍に移る。このように電極の選択により、１つの電極に対する発光部位を２つ以上のパターンにすることが可能となる。

しかしながら、双方の電極位置と電流拡散層の厚みでキャリア注入領域を規定するには構成に制約が多い。その場合には、図２に示すように、ｐ型電流拡散層除去部７として示す如く、ｐ型電流拡散層２の一部を除去することにより、上述のようにｐ型電極４から注入されたｐ型キャリアは広く拡散しないため、発光層１における発光部位の制御性や集中性を向上させることが可能となる。

また、図３に示すように、ｎ型電流拡散層除去部８として示す如く、ｎ型電流拡散層３の一部を除去することで、ｎ型キャリアの注入領域を制御でき、同様に発光部位の制御性や集中性を上げることが可能となる。

更に、図４に示すように、ｐ型電流拡散層２の一部、及びｎ型電流拡散層３の一部を除去することにより、ｐ、ｎ双方のキャリアの注入領域を制御でき、発光部位の制御性や集中性を更に改善することも可能である。

電流拡散層２や３を除去する際に、例えば、電流拡散層がＡｌＧａＡｓで、エッチングに硫酸系の薬液を用いている場合には、図５に示す様にエッチングストップ層（選択加工層）９としてＩｎＧａＰ層を設けると良い。そうすることで、素子形状、サイズの安定性とプロセス再現性を改善することができる。

選択加工層９は図２の形態の場合にはｐ型電流拡散層２側に形成し、図３の形態の場合にはｎ型電流拡散層３側に形成し、図４の形態の場合には図５に示すようにｐ型電流拡散層２側とｎ型電流拡散層３側に形成する。

ここで、これらの実施例においては、発光素子を形成する構成は非常に微細で且つ膜構成は薄いことが予想される。そこで、プロセスを簡便且つ具体化するために、図６に示す実施例に於いては、例えば、シード基板（図示せず）上にｐ型電流拡散層２、ｐ型エッチングストップ層９、発光層１、ｎ型エッチングストップ層９′、ｎ型電流拡散層３をこの順に形成する。

その後、ｎ型電極５を形成し、ｎ型電流拡散層３の一部を除去し（除去部８で示す）、支持基板１０にｎ型電極５面を貼り合わせ、シード基板からｐ型電流拡散層２を分離する。次いで、ｐ型電極４を形成し、ｐ型電流拡散層２の一部を除去（除去部７で示す）することによって、発光素子の上下面に加工を施した本発明による発光素子を実現することが可能になる。

（第２実施例）
図８は本発明の第２実施例を示す図であり、本発明の発光素子を用いた高密度発光素子アレイを示す。図８の実施例では、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（発光層）１３を挟持する形で、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（電流拡散層）１２、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層（電流拡散層）１４、１５が形成されており、ダブルへテロ型ＬＥＤが構成されている。

ｐ型電流拡散層１２は島状に分離され、各島状ＡｌＧａＡｓ層１２個々にｐ型電極１１が形成されている。また、ｎ型電流拡散層１４、１５は発光層１３を介して反対側に島状ｐ型電流拡散層１２のパターン間にオーバーラップする形でレイアウトされている。更に、ｎ型電流拡散層１４、１５は櫛歯状に互い違いにレイアウトされ、且つ、電気的に分離されている。

ここで、ｐ型電極１１の任意の電極１１′が選択され、対向するｎ型電流拡散層１４、１５のうちｎ型電流拡散層１４が選択された場合には、注入されたキャリアはｎ，ｐの電流拡散層がオーバーラップする１６に集中し、ここが発光する。

一方、ｐ型電極１１の任意の電極１１′が選択され、対向するｎ型電流拡散層１４と１５のうちｎ型電流拡散層１５が選択された場合には、注入されたキャリアは１６′に集中し、ここが発光する。以上のことから、各ｐ型電極に対し、２つずつの発光点を有するＬＥＤアレイを実現することが可能となる。

尚、発光点のピッチはｐ型電流拡散層１２のピッチの１／２程度となり、且つ、発光点サイズもｐ型電流拡散層１２のサイズの１／２程度となり、最小プロセス設計基準の半分のピッチでのアレイを作製することが可能となる。

ここで、本発明に係る発光層としては、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰからなるグループから選択した材料で構成すると良い。

また、ｐ型電極としては、Ｔｉ、Ａｕ、ＡｕＧｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｕ、のいずれか一つ、若しくはこれらのうち２つ以上積層した構成からなることが好ましい。

ｎ型電極としては、Ｔｉ、Ａｕ、ＡｕＧｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｕのうちいずれか一つ、若しくはこれらのうち２つ以上積層した構成からなることが好ましい。

ｐ型電流拡散層としては、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、Ｉｎ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰからなるグループから選択した材料で構成することが好ましい。

ｎ型電流拡散層としては、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、Ｉｎ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰからなるグループから選択した材料で構成することが好ましい。

選択加工層としては、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰからなるグループから選択した材料で構成される積層構造を有することが好ましい。

本発明は、発光デバイスのピッチ、発光部位サイズを同一設計ルールであってもシュリンクすることが可能となる。このため、例えば、プリンタヘッドＬＥＤアレイ等に、より高集積化、高密度化を実現する手段として好適に使用することができる。

本発明に係る発光素子の一実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明に係る発光素子で、第１の電流拡散層の一部が除去された形態を模式的に示す断面図である。 本発明に係る発光素子で、第２の電流拡散層の一部が除去された形態を模式的に示す断面図である。 本発明に係る発光素子で、第１の電流拡散層の一部と第２の電流拡散層の一部が除去された形態を模式的に示す断面図である。 本発明に係る発光素子で、選択加工層を有する形態を模式的に示す断面図である。 本発明に係る発光素子、選択加工層を有する構造を支持基板に貼り合わせた形態を模式的に示す断面図である。 本発明に係る発光素子で、電流阻害層として高抵抗層を有する形態を模式的に示す断面図である。 本発明の発光素子を用いた高密度発光ダイオードアレイの一例を模式的に示す斜視図である。

符号の説明

１ 発光層
２ ｐ型電流拡散層
３ ｎ型電流拡散層
４ａ、４ｂ、４ｃ ｐ型電極
５ａ、５ｂ ｎ型電極
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ 発光部
７ ｐ型電流拡散層除去部
８ ｎ型電流拡散層除去部
９、９′ 選択加工層
１０ 支持基板
１１、１１′ ｐ型電極
１２ ｐ型電流拡散層
１３ 発光層
１４、１５ ｎ型電流拡散層
１６、１６′ 発光部
２０ 高抵抗層

Claims (7)

1. 発光層と、
   前記発光層の一方の面側に形成された第１の極性を有する第１電流拡散層と、
   前記発光層の他方の面側に形成された第２の極性を有する第２電流拡散層と、
   前記第１電流拡散層の一部に形成された第１電極と、
   前記第２電流拡散層の一部に形成された第２電極と、
   を備え、前記第１電極と前記第２電極とが互いに位置をずらして配置されており、前記第１電極と前記第２電極との選択パターンによって前記発光層における発光点を制御することを特徴とする発光素子。
2. 前記第１電極と前記第２電極とが互いに重ならないように配置され、前記第１電極と前記第２電極との選択パターンによって前記発光層における発光点を制御することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１又は第２電流拡散層に電流を阻害する電流阻害層が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子。
4. 前記発光層はｐｎ接合層を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子。
5. 前記発光層は活性層を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子。
6. 前記発光層は量子井戸層を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光素子を複数列状に配列したことを特徴とする発光素子アレイ。

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