JP2007201399A5 - - Google Patents

Claims (8)

第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の上に形成され、第１および第２の接続孔を有する絶縁層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層に電気的に接続する前記絶縁層上の第３の導電層とを有し、
前記第１の接続孔において、前記第１の導電層及び前記第３の導電層は電気的に接続し、
前記第２の接続孔において、前記第２の導電層及び前記第３の導電層は電気的に接続し、
前記第３の導電層の端部の一部は、前記第２の接続孔の内側に形成されることを特徴とする半導体装置。 A first conductive layer;
A second conductive layer;
An insulating layer formed on the first conductive layer and the second conductive layer and having first and second connection holes;
A third conductive layer on the insulating layer electrically connected to the first conductive layer and the second conductive layer;
In the first connection hole, the first conductive layer and the third conductive layer are electrically connected,
In the second connection hole, the second conductive layer and the third conductive layer are electrically connected,
A part of the end portion of the third conductive layer is formed inside the second connection hole . 請求項１において、前記第３の導電層と電気的に接続する第２の導電層の端部の一部が前記第２の接続孔の内側に形成されることを特徴とする半導体装置。 2. The semiconductor device according to claim 1 , wherein a part of an end portion of the second conductive layer that is electrically connected to the third conductive layer is formed inside the second connection hole. 第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の上に形成され、接続孔を有する絶縁層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層に電気的に接続する第３の導電層とを有し、
前記接続孔において、前記第１の導電層及び第３の導電層、並びに前記第２の導電層及び第３の導電層は、それぞれ電気的に接続し、
前記第３の導電層の端部の一部は、前記接続孔の内側に形成されることを特徴とする半導体装置。 A first conductive layer;
A second conductive layer;
An insulating layer formed on the first conductive layer and the second conductive layer and having a connection hole;
A third conductive layer electrically connected to the first conductive layer and the second conductive layer;
In the connection hole, the first conductive layer and the third conductive layer, and the second conductive layer and the third conductive layer are electrically connected, respectively.
A part of the end portion of the third conductive layer is formed inside the connection hole . 第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の上に形成され、接続孔を有する第１の絶縁層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層に電気的に接続する第３の導電層とを有し、
前記接続孔において、前記第１の導電層及び第３の導電層、並びに前記第２の導電層及び第３の導電層は、それぞれ電気的に接続し、
前記第３の導電層の端部の一部は、前記接続孔の内側に形成され、
前記第１の導電層は半導体層の一部からなり、前記第２の導電層は前記半導体層の他部と第２の絶縁層を介して重畳することを特徴とする半導体装置。 A first conductive layer;
A second conductive layer;
A first insulating layer formed on the first conductive layer and the second conductive layer and having a connection hole;
A third conductive layer electrically connected to the first conductive layer and the second conductive layer;
In the connection hole, the first conductive layer and the third conductive layer, and the second conductive layer and the third conductive layer are electrically connected, respectively.
A part of the end portion of the third conductive layer is formed inside the connection hole,
The semiconductor device, wherein the first conductive layer is formed of a part of a semiconductor layer, and the second conductive layer overlaps with another part of the semiconductor layer through a second insulating layer . 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第２の導電層は、第１の領域と第２の領域とを有し、前記第１の領域の膜厚は、前記第２の領域の膜厚より薄く、前記第３の導電層は、前記第２の導電層の前記第１の領域で電気的に接続することを特徴とする半導体装置。 In any one of claims 1 to 4, wherein the second conductive layer has a first realm and a second region, the thickness of the first region, the second The semiconductor device is characterized in that the third conductive layer is electrically connected in the first region of the second conductive layer. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第２の導電層に電気的に接続される画素電極を有することを特徴とする半導体装置。 6. The semiconductor device according to claim 1 , further comprising: a pixel electrode that is electrically connected to the second conductive layer. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記第１の導電層は、ソース領域又はドレイン領域であることを特徴とする半導体装置。 7. The semiconductor device according to claim 1 , wherein the first conductive layer is a source region or a drain region. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第１の導電層は、第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域であり、前記第２の導電層は、第２のトランジスタのゲート電極であることを特徴とする半導体装置。 In any one of claims 1 to 5, wherein the first conductive layer is a source or drain region of the first transistor, the second conductive layer, the gate electrode of the second transistor A semiconductor device characterized by the above.