JP2007200949A - 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 - Google Patents
蛍光体板及びこれを備えた発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007200949A JP2007200949A JP2006014462A JP2006014462A JP2007200949A JP 2007200949 A JP2007200949 A JP 2007200949A JP 2006014462 A JP2006014462 A JP 2006014462A JP 2006014462 A JP2006014462 A JP 2006014462A JP 2007200949 A JP2007200949 A JP 2007200949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- phosphor
- phosphor plate
- light emitting
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48237—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16151—Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】光出射面から出射される白色光の色むらを低減することができ、色むらを確実に改善することができる蛍光体板及びこれを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】LED素子3の光取出側に配設され、LED素子3から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体を含有する波長変換用の蛍光体板9であって、蛍光体の含有量は、蛍光体板9の中央部がその縁部より多い含有量に設定されている。
【選択図】図1
【解決手段】LED素子3の光取出側に配設され、LED素子3から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体を含有する波長変換用の蛍光体板9であって、蛍光体の含有量は、蛍光体板9の中央部がその縁部より多い含有量に設定されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体板及びこれを備えた発光装置に関する。
周知のように、単一の発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)素子から発せられる光と、この光で蛍光体が励起されて発する波長変換光との混合により白色光を得ることができる発光装置が実用化されている。
このような発光装置においては、蛍光体を含有する蛍光体板の厚さを一定の寸法に設定し、LED素子から様々な方向に発せられる各光の行路長を蛍光体板内で一定の寸法に近づけて色むらを改善することが重要とされる。
このため、光取出側に開口するケースと、このケース内に収容されたLED素子と、このLED素子の光取出側に配置された蛍光体含有のカバーとを備えた発光装置が従来から開発されている(例えば特許文献1参照)。
このような発光装置においては、LED素子として青色光を発する青色LED素子であり、また蛍光体として青色光で励起されて黄色光を発する蛍光体であると、LED素子から発せられる青色の励起光と蛍光体から発せられる黄色の波長変換光との混合により白色光が得られる。
特開2003−347601号公報
しかし、特許文献1によると、LED素子から様々な方向に発せられる各青色光の行路長がケース内で一定でなく、このためカバー(蛍光体板)の縁部から出射される白色光が、その中央部から出射される白色光と比べて黄色味を帯びた白色光となり、色むらを確実に改善することができないという問題があった。
従って、本発明の目的は、光出射面から出射される白色光の色むらを低減することができ、もって色むらを確実に改善することができる蛍光体板及びこれを備えた発光装置を提供することにある。
(1)本発明は、上記目的を達成するために、発光素子の光取出側に配設され、前記発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体を含有する波長変換用の板部材であって、前記蛍光体の含有量は、前記板部材の中央部がその縁部より多い含有量に設定されていることを特徴とする蛍光体板を提供する。
(2)本発明は、上記目的を達成するために、光取出側に開口する内部空間を有するケースと、前記ケースの光取出側に配設された蛍光体板と、前記蛍光体板の光反取出側に配設され、かつ前記ケース内に収容された発光素子とを備えた発光装置において、前記蛍光体板は、上記(1)に記載の蛍光体板であることを特徴とする発光装置を提供する。
本発明によると、光出射面から出射される白色光の色むらを低減することができ、色むらを確実に改善することができる。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る蛍光体板を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。図2は、本発明の第1の実施の形態に係る蛍光体板を備えた発光装置のLED素子を説明するために示す断面図である。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る蛍光体板を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。図2は、本発明の第1の実施の形態に係る蛍光体板を備えた発光装置のLED素子を説明するために示す断面図である。
〔発光装置1の全体構成〕
図1において、発光装置1は、素子収容用のパッケージ2と、このパッケージ2内に収容されたLED素子3と、このLED素子3の光取出側に配置された蛍光体板9とから大略構成されている。
図1において、発光装置1は、素子収容用のパッケージ2と、このパッケージ2内に収容されたLED素子3と、このLED素子3の光取出側に配置された蛍光体板9とから大略構成されている。
(パッケージ2の構成)
パッケージ2は、図1に示すように、LED素子3を収容可能なケース5と、ケース5の一方側(図1では下側)開口部を覆う素子搭載基板6とを有している。
パッケージ2は、図1に示すように、LED素子3を収容可能なケース5と、ケース5の一方側(図1では下側)開口部を覆う素子搭載基板6とを有している。
<ケース5の構成>
ケース5は、図1に示すように、基板側から光取出側に向かって開口する平面円形状の内部空間5Aを有し、全体が例えばアルミナ(Al2O3)等のセラミックス材料からなる箱体によって形成されている。ケース5の材料としては、Al2O3の他にシリコン(Si)や窒化アルミニウム(AlN)あるいは白色樹脂が用いられる。ケース5内には、LED素子3からの光を光取出側に反射するための傾斜面5aが設けられている。傾斜面5aのケース底に対する傾斜角度は45°〜60°の角度に設定されている。ケース5の光取出側には、蛍光体板9を取り付けるための段状面5bが設けられている。
ケース5は、図1に示すように、基板側から光取出側に向かって開口する平面円形状の内部空間5Aを有し、全体が例えばアルミナ(Al2O3)等のセラミックス材料からなる箱体によって形成されている。ケース5の材料としては、Al2O3の他にシリコン(Si)や窒化アルミニウム(AlN)あるいは白色樹脂が用いられる。ケース5内には、LED素子3からの光を光取出側に反射するための傾斜面5aが設けられている。傾斜面5aのケース底に対する傾斜角度は45°〜60°の角度に設定されている。ケース5の光取出側には、蛍光体板9を取り付けるための段状面5bが設けられている。
<素子搭載基板6の構成>
素子搭載基板6はAl2O3のセラミックス材料によって形成されている。素子搭載基板6の材料としては、Al2O3の他に、SiやAlNあるいは白色樹脂が用いられる。素子搭載基板6の光取出側面(表面)には、LED素子3のp側電極(パッド電極)10及びn側電極11(共に後述)にそれぞれ金(Au)からなるボンディングワイヤ12,13を介して接続する第1配線パターン14,15が設けられている。素子搭載基板6の実装側面(裏面)には、LED素子3に対して電源電圧を供給するための第2配線パターン16,17が設けられている。そして、第1配線パターン14と第2配線パターン16と及び第1配線パターン15と第2配線パターン17とは、それぞれ素子搭載基板6を貫通するビアホール19,20内に充填されたビアパターン22,23により電気的に接続されている。第1配線パターン14,15及び第2配線パターン16,17は、例えばタングステン(W),モリブデン(Mo)等の高融点金属によりビアパターン22,23と一体的に形成されている。
素子搭載基板6はAl2O3のセラミックス材料によって形成されている。素子搭載基板6の材料としては、Al2O3の他に、SiやAlNあるいは白色樹脂が用いられる。素子搭載基板6の光取出側面(表面)には、LED素子3のp側電極(パッド電極)10及びn側電極11(共に後述)にそれぞれ金(Au)からなるボンディングワイヤ12,13を介して接続する第1配線パターン14,15が設けられている。素子搭載基板6の実装側面(裏面)には、LED素子3に対して電源電圧を供給するための第2配線パターン16,17が設けられている。そして、第1配線パターン14と第2配線パターン16と及び第1配線パターン15と第2配線パターン17とは、それぞれ素子搭載基板6を貫通するビアホール19,20内に充填されたビアパターン22,23により電気的に接続されている。第1配線パターン14,15及び第2配線パターン16,17は、例えばタングステン(W),モリブデン(Mo)等の高融点金属によりビアパターン22,23と一体的に形成されている。
なお、第1配線パターン14,15及び第2配線パターン16,17の表面には、ニッケル(Ni),アルミニウム(Al),白金(Pt),チタン(Ti),Au,銀(Ag),銅(Cu)など単層又は積層あるいは半田材料による金属層が必要に応じて形成される。
(LED素子3の構成)
LED素子3は、パッド電極10及びn側電極11を有するフェイスアップ型の青色LED素子からなり、図1に示すように、ケース5の内部空間5Aに収容され、かつ素子搭載基板6上に接着剤100によって搭載されている。また、LED素子3は、サファイア(Al2O3)基板24上にAlNからなるバッファ層25及びn型半導体(n−GaN)層26・発光層27・p型半導体(p−GaN)層28を順次結晶成長させることにより形成されている。そして、ピーク発光波長が例えば460nm〜463nmである青色光を発するように構成されている。LED素子3には、パッド電極10のサファイア基板側に位置し、かつp−GaN層28のパッド電極側面(上面)を覆う電流拡散導電膜としての酸化インジウム・酸化錫(ITO)からなる透明電極29が配設されている。また、LED素子3には、パッド電極10とn側電極11との間に介在し、かつマイグレーションによる電極間の短絡発生を防止するための保護膜30が配設されている。LED素子2の平面縦横寸法は、例えば縦寸法及び横寸法をそれぞれ約0.3mmとする平面サイズに設定されている。
LED素子3は、パッド電極10及びn側電極11を有するフェイスアップ型の青色LED素子からなり、図1に示すように、ケース5の内部空間5Aに収容され、かつ素子搭載基板6上に接着剤100によって搭載されている。また、LED素子3は、サファイア(Al2O3)基板24上にAlNからなるバッファ層25及びn型半導体(n−GaN)層26・発光層27・p型半導体(p−GaN)層28を順次結晶成長させることにより形成されている。そして、ピーク発光波長が例えば460nm〜463nmである青色光を発するように構成されている。LED素子3には、パッド電極10のサファイア基板側に位置し、かつp−GaN層28のパッド電極側面(上面)を覆う電流拡散導電膜としての酸化インジウム・酸化錫(ITO)からなる透明電極29が配設されている。また、LED素子3には、パッド電極10とn側電極11との間に介在し、かつマイグレーションによる電極間の短絡発生を防止するための保護膜30が配設されている。LED素子2の平面縦横寸法は、例えば縦寸法及び横寸法をそれぞれ約0.3mmとする平面サイズに設定されている。
(蛍光体板9の構成)
蛍光体板9は、2色成形法によって形成された第1光透過性部材9A及び第2透過性部材9Bからなり、ケース5の内部空間5Aに収容され、かつ段状面5bに取り付けられている。蛍光体板9の厚さは均一な寸法に設定されている。第1光透過性部材9Aは、蛍光体板9の中央部に配置されている。そして、LED素子3からの励起光(青色光)を受けて励起されることにより、波長変換光(黄色光)を発するYAG(Yttrium Aluminum Garnet)等の蛍光体を含有するシリコーン等の光透過性樹脂からなる平面円形状の薄板部材によって形成されている。第1光透過性部材9Aの外径aは、LED素子3の平面サイズ(0.3mm)と同程度の寸法(a≧0.3mm)に設定されている。第2光透過性部材9Bは、蛍光体板9の縁部(第1光透過性部材9Aの外周囲)に配置されている。そして、蛍光体を含有しないシリコーン等の光透過性樹脂からなる円環状の薄板部材によって形成されている。第2光透過性部材9Bの光出射面は凹凸面で形成されている。これにより、第2光透過性部材9Bから出射される青色光がその光出射面と空気層との界面で拡散し、第1光透過性部材9Aから出射される黄色味の帯びた白色光と混合し易くなる。
蛍光体板9は、2色成形法によって形成された第1光透過性部材9A及び第2透過性部材9Bからなり、ケース5の内部空間5Aに収容され、かつ段状面5bに取り付けられている。蛍光体板9の厚さは均一な寸法に設定されている。第1光透過性部材9Aは、蛍光体板9の中央部に配置されている。そして、LED素子3からの励起光(青色光)を受けて励起されることにより、波長変換光(黄色光)を発するYAG(Yttrium Aluminum Garnet)等の蛍光体を含有するシリコーン等の光透過性樹脂からなる平面円形状の薄板部材によって形成されている。第1光透過性部材9Aの外径aは、LED素子3の平面サイズ(0.3mm)と同程度の寸法(a≧0.3mm)に設定されている。第2光透過性部材9Bは、蛍光体板9の縁部(第1光透過性部材9Aの外周囲)に配置されている。そして、蛍光体を含有しないシリコーン等の光透過性樹脂からなる円環状の薄板部材によって形成されている。第2光透過性部材9Bの光出射面は凹凸面で形成されている。これにより、第2光透過性部材9Bから出射される青色光がその光出射面と空気層との界面で拡散し、第1光透過性部材9Aから出射される黄色味の帯びた白色光と混合し易くなる。
〔発光装置1の動作〕
LED素子3に電源から第2配線パターン16,17及びビアパターン22,23・第1配線パターン14,15・ボンディングワイヤ12,13を介して電圧が印加されると、LED素子3の発光層27において青色光を発し、この青色光がLED素子3の光取出面からケース5の内部空間5Aに出射される。
LED素子3に電源から第2配線パターン16,17及びビアパターン22,23・第1配線パターン14,15・ボンディングワイヤ12,13を介して電圧が印加されると、LED素子3の発光層27において青色光を発し、この青色光がLED素子3の光取出面からケース5の内部空間5Aに出射される。
次に、LED素子3からの出射光が内部空間5Aを透過して蛍光体板9に入射する。この場合、LED素子3からの出射光の一部が内部空間5Aを透過し、またケース5の傾斜面5aで反射してから内部空間5Aを透過し、それぞれ蛍光体板9(第1光透過性部材9A及び第2光透過性部材9B)に入射する。
そして、蛍光体板9の第1光透過性部材9Aでは入射した青色光を受けて励起されることにより黄色の波長変換光を発する。このため、LED素子3から発せられる青色の励起光と蛍光体板9の第1光透過性部材9Aから発せられる黄色の波長変換光とが混合して白色光となる。
この後、第1光透過性部材9Aを白色光が、また第2光透過性部材9Bを青色光がそれぞれ透過し、その光出射面から出射される。この場合、第1光透過性部材9Aの中央部から青色味の帯びた白色光が、またその周縁部から黄色味の帯びた白色光がそれぞれ出射される。このうち、第1光透過性部材9Aの周縁部から出射される黄色味の帯びた白色光は、第2光透過性部材9Bから出射される青色光と混合して青色味の帯びた白色光となる。
[第1の実施の形態の効果]
以上説明した第1の実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。
以上説明した第1の実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。
(1)蛍光体板9の周縁部における光出射面では、第1光透過性部材9Aの周縁部から出射される黄色味の帯びた白色光と、第2光透過性部材9Bから出射される青色光との混合による白色光を得ることができる。これにより、蛍光体板9の光出射面から出射される白色光の色むらを低減することができ、色むらを確実に改善することができる。
(2)蛍光体を含有する第1光透過性部材9A及び蛍光体を含有しない第2光透過性部材9Bによって蛍光体板9が形成されているため、蛍光体の含有量を低減することができ、材料コストの低廉化を図ることができる。
なお、本実施の形態では、第2光透過性部材9Bの光出射面が凹凸面で形成されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、平面であってもよい。
[第2の実施の形態]
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る蛍光体板を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。図3において、図1と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る蛍光体板を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。図3において、図1と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図3に示すように、第2の実施の形態に示す発光装置30は、第1光透過性部材31A及び第2光透過性部材31Bからなる蛍光体板31を備え、この蛍光体板31の光取出側に第1光透過性部材31Aが配置されている点に特徴がある。
このため、第1光透過性部材31Aは、LED素子3からの励起光(青色光)を受けて励起されることにより、波長変換光(黄色光)を発するYAG等の蛍光体を含有するシリコーン等の光透過性樹脂からなる平面円形状の薄板部材によって形成されている。第2光透過性部材31Bは、蛍光体を含有しないシリコーン等の光透過性樹脂からなる平面円形状の薄板部材によって形成されている。第2光透過性部材31Bの外径は、第1光透過性部材31Aの外径より大きい寸法に設定されている。第2透過性部材31Bの中央部には、光取出側に開口し、かつ第1光透過性部材31Aを収容する平面円形状の凹部32が設けられている。
[第2の実施の形態の効果]
以上説明した第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態の効果(1)及び(2)に加え、次に示す効果が得られる。
以上説明した第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態の効果(1)及び(2)に加え、次に示す効果が得られる。
蛍光体板31の光取出側に第1光透過性部材31Aが配置されているため、蛍光体の含有量を第1の実施の形態における蛍光体の含有量と比べて低減することができる。
なお、本実施の形態では、第2透過性部材31Bの中央部に光取出側に開口する凹部32を設け、この凹部32内に第1透過性部材31Aを収容する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、第2光透過性部材の光出射面を平面で形成し、この平面上に第1光透過性部材を取り付けてもよい。
また、本実施の形態では、第1光透過性部材31Aが蛍光体板31の光取出側に配置されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、図4に示すように蛍光体板31の発光素子側に第1光透過性部材31Aを配置してもよい。この場合、第2光透過性31Bの中央部には、発光素子側に開口し、かつ第1光透過性部材31Aを収容する平面円形状の凹部32が設けられている。
[第3の実施の形態]
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る蛍光体板を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。図5において、図1と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る蛍光体板を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。図5において、図1と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図5に示すように、第3の実施の形態に示す発光装置50は、第1光透過性部材51A及び第2光透過性部材51Bからなる蛍光体板51を備え、第1光透過性部材51Aにおける蛍光体の含有量がその中央部から縁部に向かって漸次少なくなる含有量に設定されている点に特徴がある。
このため、第1光透過性部材51Aは、LED素子3からの励起光(青色光)を受けて励起されることにより、波長変換光(黄色光)を発するYAG等の蛍光体を含有するシリコーン等の光透過性樹脂からなる略逆円錐形状の板部材によって形成されている。第2光透過性部材51Bは、蛍光体を含有しないシリコーン等の光透過性樹脂からなる平面円形状の薄板部材によって形成されている。第2透過性部材51Bの中央部には、光取出側に開口し、かつ第1光透過性部材51Aを収容する略逆円錐形状の凹部52が設けられている。
[第3の実施の形態の効果]
以上説明した第3の実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。
以上説明した第3の実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。
(1)第1光透過性部材51Aにおける蛍光体の含有量がその中央部から縁部に向かって漸次少なくなる含有量に設定されているため、LED素子3から発せられる青色の励起光とこの励起光を受けて励起されることにより発せられる黄色の波長変換光との混合による黄色味の帯びない所望の白色光を第1光透過性部材51Aの光出射面で得ることができる。これにより、蛍光体板51の光出射面から出射される白色光の色むらを低減することができ、色むらを確実に改善することができる。
(2)蛍光体を含有する第1光透過性部材51A及び蛍光体を含有しない第2光透過性部材51Bによって蛍光体板9が形成されているため、蛍光体の含有量を低減することができ、材料コストの低廉化を図ることができる。
[第4の実施の形態]
図6は、本発明の第4の実施の形態に係る蛍光体板を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。図6において、図1と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図6は、本発明の第4の実施の形態に係る蛍光体板を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。図6において、図1と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図6に示すように、第4の実施の形態に示す発光装置60は、蛍光体板61が単一の光透過性部材によって形成されている点に特徴がある。
このため、蛍光体板61は、シリコーン等の光透過性樹脂からなる平面円形状の薄板部材によって形成されている。蛍光体板61の中央部には、LED素子3(図1に示す)からの励起光(青色光)を受けて励起されることにより、波長変換光(黄色光)を発するYAG等の蛍光体が図6に2点鎖線で示す領域Aに含有されている。
[第4の実施の形態の効果]
以上説明した第4の実施の形態によれば、第1の実施の形態の効果(1)及び(2)に加え、次に示す効果が得られる。
蛍光体板61が単一の部材によって形成されているため、部品点数を削減することができ、製造コストの低廉化を図ることができる。
以上説明した第4の実施の形態によれば、第1の実施の形態の効果(1)及び(2)に加え、次に示す効果が得られる。
蛍光体板61が単一の部材によって形成されているため、部品点数を削減することができ、製造コストの低廉化を図ることができる。
なお、本実施の形態では、蛍光体板61の材料(光透過性樹脂)中に蛍光体を成分として含有する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、蛍光体板の光出射面上にドット状に形成してもよい。
以上、本発明の発光装置を上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能であり、例えば次に示すような変形も可能である。
(1)各実施の形態では、LED素子3から発せられる光(青色光)を受けて励起されることにより黄色の波長変換光を発する蛍光体板9である場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、LED素子から発せられる紫色光(波長370〜390nm)を受けて励起されることにより白色の波長変換光を発する蛍光体板であってもよい。
(2)各実施の形態では、フェイスアップ型のLED素子3を用いてワイヤ接続する場合について説明したが、フェイスダウン型のLED素子3を用いてもよい。この場合、LED素子3は第1配線パターン14,15にフリップチップ接続される。
(3)各実施の形態では、ケース5内が空間である場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、ケース5内にLED素子3を封止するシリコーン等の光透過性樹脂からなる封止部材を充填してもよい。この場合、封止部材の材料としては、シリコーンの代わりに、エポキシ等の樹脂材料やN2,Ar等の不活性ガスを用いてもよい。
(4)各実施の形態では、蛍光体板がケースの段状面に取り付けられている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、段状面の無いケースの開口端面に蛍光体板を取り付けても勿論よい。
1,30,50,60…発光装置、2…パッケージ、3…LED素子、5…ケース、5A…内部空間、5a…傾斜面、5b…段状面、6…素子搭載基板、9,31,51,61…蛍光体板、9A、31A,51A…第1光透過性部材、9B,31B,51B…第2光透過性部材、10…パッド電極、11…n側電極、12,13…ボンディングワイヤ、14,15…第1配線パターン、16,17…第2配線パターン、19,20…ビアホール、22,23…ビアパターン、24…サファイア基板、25…バッファ層、26…n型半導体(n−GaN)層、27…発光層、28…p型半導体(p−GAN)層、29…透明電極、30…保護膜、32,52…凹部
Claims (10)
- 発光素子の光取出側に配設され、前記発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体を含有する波長変換用の板部材であって、
前記蛍光体の含有量は、前記板部材の中央部がその縁部より多い含有量に設定されていることを特徴とする蛍光体板。 - 前記板部材は、前記蛍光体を含有する第1光透過性部材と、前記蛍光体を含有しない第2光透過性部材とからなる請求項1に記載の蛍光体板。
- 前記蛍光体の含有量は、前記板部材の中央部から縁部に向かって漸次少なくなる含有量に設定されている請求項1に記載の蛍光体板。
- 前記発光素子は発光ダイオード素子からなる請求項1に記載の蛍光体板。
- 前記蛍光体は、前記板部材の光出射面から白色光を出射するための蛍光体である請求項1に記載の蛍光体板。
- 前記第1光透過性部材は前記板部材の中央部に配置されている請求項2に記載の蛍光体板。
- 前記第1光透過性部材は前記板部材の光取出側に配置されている請求項6に記載の蛍光体板。
- 前記第1光透過性部材は前記板部材の発光素子側に配置されている請求項6に記載の蛍光体板。
- 光取出側に開口する内部空間を有するケースと、
前記ケースの光取出側に配設された蛍光体板と、
前記蛍光体板の光反取出側に配設され、かつ前記ケース内に収容された発光素子とを備えた発光装置において、
前記蛍光体板は、請求項1に記載の蛍光体板であることを特徴とする発光装置。 - 前記ケースの内面部には、前記発光素子から発せられる光を光取出側に反射するための傾斜面が設けられている請求項9に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006014462A JP2007200949A (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006014462A JP2007200949A (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007200949A true JP2007200949A (ja) | 2007-08-09 |
Family
ID=38455273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006014462A Withdrawn JP2007200949A (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007200949A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011024934A1 (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
CN103474555A (zh) * | 2013-09-10 | 2013-12-25 | 厦门市信达光电科技有限公司 | 一种led灯珠 |
CN103474556A (zh) * | 2013-09-18 | 2013-12-25 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种机械式封装led器件及机械式封装方法 |
JP2016157694A (ja) * | 2010-07-19 | 2016-09-01 | レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート | フルスペクトル半導体白色光源、製造方法および応用 |
JP2016538723A (ja) * | 2013-11-13 | 2016-12-08 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 量子ドット蛍光体を含むledキャップ |
-
2006
- 2006-01-23 JP JP2006014462A patent/JP2007200949A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011024934A1 (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
JP2016157694A (ja) * | 2010-07-19 | 2016-09-01 | レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート | フルスペクトル半導体白色光源、製造方法および応用 |
US9722154B2 (en) | 2010-07-19 | 2017-08-01 | Rensselaer Polytechnic Institute | Full spectrum solid state white light source, method for manufacturing and applications |
CN103474555A (zh) * | 2013-09-10 | 2013-12-25 | 厦门市信达光电科技有限公司 | 一种led灯珠 |
CN103474556A (zh) * | 2013-09-18 | 2013-12-25 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种机械式封装led器件及机械式封装方法 |
JP2016538723A (ja) * | 2013-11-13 | 2016-12-08 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 量子ドット蛍光体を含むledキャップ |
US10128418B2 (en) | 2013-11-13 | 2018-11-13 | Nanoco Technologies Ltd. | LED cap containing quantum dot phosphors |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20070120463A1 (en) | Phosphor plate and light emitting device having same | |
US8922118B2 (en) | Light-emitting device | |
KR100491314B1 (ko) | 발광장치 | |
JP2007109946A (ja) | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 | |
JP2007109947A (ja) | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 | |
US7420217B2 (en) | Thin film LED | |
JP6045999B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
TWI543399B (zh) | 半導體發光裝置 | |
JP4773755B2 (ja) | チップ型半導体発光素子 | |
JP2007335798A (ja) | 発光装置 | |
JP2007134656A (ja) | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 | |
JP2007019096A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2004253651A (ja) | 発光装置 | |
JP2007035802A (ja) | 発光装置 | |
JP2015028997A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2007123437A (ja) | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 | |
JP2008071955A (ja) | 発光装置 | |
JPH10284759A (ja) | 発光装置及びそれを用いた表示装置 | |
JP2007194525A (ja) | 半導体発光装置 | |
EP2657999A2 (en) | Wavelength converter and semiconductor light emitting device | |
JP5077282B2 (ja) | 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置 | |
JP2007324275A (ja) | 発光装置 | |
JP2007200949A (ja) | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 | |
WO2018235231A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2007280983A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080325 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090925 |