JP2007194663A5 - - Google Patents

Claims (6)

半導体基板上に下部導電膜を形成する段階と、
前記下部導電膜上に電気的に連結された板型導電膜を形成する段階と、
前記板型導電膜を食刻して前記板型導電膜を貫通する相互隔離された複数個のホールを形成する段階と、
前記ホールを埋め込む絶縁膜を形成する段階と、
前記板型導電膜上に形成されている絶縁膜を除去して前記複数個のホールにのみ絶縁膜が残るようにする段階と、
前記板型導電膜に電気的に連結された上部導電膜を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法。 Forming a lower conductive film on a semiconductor substrate;
Forming an electrically connected plate-type conductive film on the lower conductive film;
Etching the plate-type conductive film to form a plurality of mutually isolated holes penetrating the plate-type conductive film;
Forming an insulating film filling the holes;
Removing the insulating film formed on the plate-type conductive film so that the insulating film remains only in the plurality of holes;
Forming a top conductive film electrically connected to the plate-type conductive film, and a method of manufacturing a bonding pad structure of a semiconductor device. 半導体基板上に第１導電膜を形成する段階と、
前記第１導電膜上に電気的に連結された第１連続的な導電膜を形成するが、前記第１連続的な導電膜を貫通しながら延びてその側壁が前記第１連続的な導電膜で取り囲まれた複数個の第１島型絶縁体を含む前記第１連続的な導電膜を形成する段階と、
前記第１連続的な導電膜に電気的に連結された第２導電膜を形成する段階を含み、
前記第１連続的な導電膜を形成する段階は、
前記下部導電膜上に電気的に連結された板型導電膜を形成する段階と、
前記板型導電膜を食刻して前記板型導電膜を貫通する相互離隔された複数個のホールを形成する段階を含み、
前記第１島型絶縁体を形成する段階は、
前記ホールを埋め込む絶縁膜を形成する段階と、
前記板型導電膜上に形成されている絶縁膜を除去して前記複数個のホールにのみ絶縁膜が残るようにする段階とを含むことを特徴とする半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法。 Forming a first conductive film on a semiconductor substrate;
A first continuous conductive film electrically connected to the first conductive film is formed. The first continuous conductive film extends through the first continuous conductive film and has a sidewall extending through the first continuous conductive film. Forming the first continuous conductive film including a plurality of first island type insulators surrounded by
Forming a second conductive film electrically connected to the first continuous conductive film;
Forming the first continuous conductive film comprises:
Forming an electrically connected plate-type conductive film on the lower conductive film;
Etching the plate-type conductive film to form a plurality of mutually spaced holes penetrating the plate-type conductive film;
Forming the first island type insulator;
Forming an insulating film filling the holes;
Preparation of the bonding pad structure of the semi-conductor elements you; and a step to ensure that only the insulating film on the plurality of holes by removing the insulating film formed on the plate-type conductive film is left Method. 前記第１連続的な導電膜は周辺部と中心部とを備え、前記第１連続的な導電膜内に存在する前記複数個の島型絶縁体を前記中心部を除いた前記周辺部にのみ存在することを特徴とする請求項２に記載の半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法。 The first continuous conductive film has a peripheral portion and a central portion, and the plurality of island-type insulators existing in the first continuous conductive film are only in the peripheral portion excluding the central portion. method for manufacturing a bonding pad structure of a semiconductor device according to claim 2, characterized in that present. 前記第２導電膜上に電気的に連結された第２連続的な導電膜を形成するが、前記第２連続的な導電膜を貫通しながら延びてその側壁が前記第２連続的な導電膜で取り囲まれた複数個の第２島型絶縁体を含む前記第２連続的な導電膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法。 A second continuous conductive film electrically connected to the second conductive film is formed. The second continuous conductive film extends through the second continuous conductive film and has a sidewall extending through the second continuous conductive film. 3. The method of manufacturing a bonding pad structure for a semiconductor device according to claim 2, further comprising the step of forming the second continuous conductive film including a plurality of second island type insulators surrounded by. . 前記第１島型絶縁体と前記第２島型絶縁体は相互重畳されることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法。 5. The method of manufacturing a bonding pad structure for a semiconductor device according to claim 4, wherein the first island type insulator and the second island type insulator are overlapped with each other . 前記第１島型絶縁体と前記第２島型絶縁体は相互一致することを特徴とする請求項５に記載の半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法。 6. The method of manufacturing a bonding pad structure for a semiconductor device according to claim 5, wherein the first island type insulator and the second island type insulator are coincident with each other .