JP2007194559A - 複合光電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
複合光電変換素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007194559A JP2007194559A JP2006013816A JP2006013816A JP2007194559A JP 2007194559 A JP2007194559 A JP 2007194559A JP 2006013816 A JP2006013816 A JP 2006013816A JP 2006013816 A JP2006013816 A JP 2006013816A JP 2007194559 A JP2007194559 A JP 2007194559A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- semiconductor layer
- conversion element
- substrate
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
【解決手段】基体と、この基体上に形成された第1の電極と、この第1の電極上に形成され、前記基体に対し垂直に配向した、ナノカーボン材料を含むn型半導体層と、このn型半導体層上に形成されたp型有機半導体層と、このp型有機半導体層上に形成された第2の電極とを具備することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
C.W.Tang、Appl,PhyE Lett.48(2)1 8 3 (1986)。 G.Yu,J.Gao,J.C.Hummelen,F.Wudl and A.J.Heeger,SCIENCE,270,1789(1995)。
ナノカーボンからなるn型半導体層は、化学的成長法により成膜することができる。化学的成長法としては、固液平衡化学的成長法(液相CVD)または化学的気相成長法(気相CVD)を挙げることができる。これらの方法により、高配向のナノカーボン層を上部電極15上に形成することができる。これらの方法では、特に、低温でナノカーボン層の形成が可能な固液平衡化学的成長法を用いるのが好ましい。固液平衡化学的成長法によるナノカーボンからなるn型半導体層の形成プロセスについて、以下に説明する。
図1に示す構造を有する光電変換素子を以下のようにして製造した。
基板温度:900℃
合成時間:0.5時間
以上の条件で成膜されたカーボンナノチューブの膜厚は約3μmであり、カーボンナノチューブの長さは約3μmであり、それぞれのカーボンナノチューブは、基板に対し、垂直に配向していた。
基板温度を700℃としたことを除いて、上記実施例と同様にして、固液平衡化学的成長法によりカーボンナノチューブ層を成膜した。成膜されたカーボンナノチューブは、無配向であった。上記実施例と同様に光電変換素子を製造し、その光電変換特性を評価したところ、5Vで2〜3桁という低いオンオフ比しか得られなかった。
Claims (5)
- 基体と、この基体上に形成された第1の電極と、この第1の電極上に形成され、前記基体に対し垂直に配向した、ナノカーボン材料を含むn型半導体層と、このn型半導体層上に形成されたp型有機半導体層と、このp型有機半導体層上に形成された第2の電極とを具備することを特徴とする複合光電変換素子。
- 前記ナノカーボン材料は、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、及びカーボンナノフィラメントからなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の複合光電変換素子。
- 基体上に第1の電極を形成する工程、
前記第1の電極上に、化学的成長法により、ナノカーボン材料を含むn型半導体層を形成する工程、
前記n型半導体層上に、p型有機半導体層を形成する工程、及び
前記p型有機半導体層上に第2の電極を形成する工程
を具備することを特徴とする複合光電変換素子の製造方法。 - 前記ナノカーボン材料は、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、及びカーボンナノフィラメントからなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項3に記載の複合光電変換素子の製造方法。
- 前記化学的成長法は、固液平衡化学的成長法であることを特徴とする請求項3または4に記載の複合光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006013816A JP2007194559A (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 複合光電変換素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006013816A JP2007194559A (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 複合光電変換素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007194559A true JP2007194559A (ja) | 2007-08-02 |
Family
ID=38449987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006013816A Pending JP2007194559A (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 複合光電変換素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007194559A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010038787A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 国立大学法人岡山大学 | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP2011096914A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003012312A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Japan Science & Technology Corp | 有機液体による高配向整列カーボンナノチューブの合成方法及びその合成装置 |
JP2004152787A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-27 | Sharp Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2004158661A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機光電変換素子及びその製造方法 |
JP2004523129A (ja) * | 2001-06-11 | 2004-07-29 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 有機光起電力素子 |
WO2005002745A1 (en) * | 2003-06-25 | 2005-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Improved solar cells |
JP2005032852A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機光電変換素子 |
WO2005018012A1 (en) * | 2003-08-14 | 2005-02-24 | Sony Deutschland Gmbh | Carbon nanotubes based solar cells |
WO2005101524A2 (en) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating an optoelectronic device having a bulk heterojunction |
-
2006
- 2006-01-23 JP JP2006013816A patent/JP2007194559A/ja active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004523129A (ja) * | 2001-06-11 | 2004-07-29 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 有機光起電力素子 |
JP2003012312A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Japan Science & Technology Corp | 有機液体による高配向整列カーボンナノチューブの合成方法及びその合成装置 |
JP2004152787A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-27 | Sharp Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2004158661A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機光電変換素子及びその製造方法 |
WO2005002745A1 (en) * | 2003-06-25 | 2005-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Improved solar cells |
JP2007525010A (ja) * | 2003-06-25 | 2007-08-30 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 改良型太陽電池 |
JP2005032852A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機光電変換素子 |
WO2005018012A1 (en) * | 2003-08-14 | 2005-02-24 | Sony Deutschland Gmbh | Carbon nanotubes based solar cells |
JP2007502531A (ja) * | 2003-08-14 | 2007-02-08 | ソニー ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | カーボンナノチューブを用いた太陽電池 |
WO2005101524A2 (en) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating an optoelectronic device having a bulk heterojunction |
JP2007533165A (ja) * | 2004-04-13 | 2007-11-15 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | バルクヘテロ接合を有する光電子装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010038787A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 国立大学法人岡山大学 | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP5360838B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-12-04 | 国立大学法人 岡山大学 | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP2011096914A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Batmunkh et al. | Black phosphorus: synthesis and application for solar cells | |
Sun et al. | Self‐powered, flexible, and solution‐processable perovskite photodetector based on low‐cost carbon cloth | |
Hao et al. | Electrical and photovoltaic characteristics of MoS2/Si pn junctions | |
Cui et al. | A simple two-step electrodeposition of Cu2O/ZnO nanopillar solar cells | |
Peng et al. | Silicon nanowires for photovoltaic solar energy conversion | |
Bhopal et al. | Past and future of graphene/silicon heterojunction solar cells: a review | |
Wei et al. | Research progress on hybrid organic–inorganic perovskites for photo-applications | |
Kant et al. | Review of next generation photovoltaic solar cell technology and comparative materialistic development | |
Tiwari et al. | Functionalised graphene as flexible electrodes for polymer photovoltaics | |
Sumesh | Towards efficient photon management in nanostructured solar cells: Role of 2D layered transition metal dichalcogenide semiconductors | |
CN102897750A (zh) | 一种石墨烯薄膜的制备方法 | |
Wang et al. | Monocrystalline perovskite wafers/thin films for photovoltaic and transistor applications | |
Liu et al. | Recent progress of heterostructures based on two dimensional materials and wide bandgap semiconductors | |
Liu et al. | Preparation of monodispersed CuInS 2 nanopompons and nanoflake films and application in dye-sensitized solar cells | |
Das et al. | The photovoltaic performance of ZnO nanorods in bulk heterojunction solar cells | |
Yang et al. | Self-powered narrowband visible-light photodetection enabled by organolead halide perovskite CH3NH3PbBr3/p-Si heterojunction | |
Suragtkhuu et al. | Graphene‐like monoelemental 2D materials for perovskite solar cells | |
Choi et al. | Overview and outlook on graphene and carbon nanotubes in perovskite photovoltaics from single‐junction to tandem applications | |
CN103534204A (zh) | 石墨烯片,包含石墨烯片的透明电极、有源层以及使用透明电极的显示器、电子装置、光电子装置、电池、太阳能电池和染料敏化太阳能电池 | |
Rehman et al. | Development of directly grown‐graphene–silicon Schottky barrier solar cell using co‐doping technique | |
Ren et al. | 50° C low-temperature ALD SnO2 driven by H2O2 for efficient perovskite and perovskite/silicon tandem solar cells | |
Choi | Graphene-based vertical-junction diodes and applications | |
Sun et al. | Synthesis of ultrathin topological insulator β‐Ag2Te and Ag2Te/WSe2‐based high‐performance photodetector | |
Li et al. | CuI-Si heterojunction solar cells with carbon nanotube films as flexible top-contact electrodes | |
JP2007194559A (ja) | 複合光電変換素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081202 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120402 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120515 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120529 |