JP2007194331A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の基板を積層した状態で処理室内に収容し、基板の積層方向に延在し、それぞれが複数のガス噴出口2481、2482を有する、内外2重管構造のガスノズル233を備え、内外のガスノズルに設けられるそれぞれのガス噴出口2481、2482は、基板積層方向においてそれぞれ対応し、且つ対応したガス噴出口2481、2482の開口中心を略一致して設けられ、さらに、外側のガスノズル2332に設けられたガス噴出口2482の開口面積が、内側のガスノズル2331に設けられたガス噴出口2481の開口面積より大きく設定され、内側のガスノズル2331からは反応性ガスが供給され、内側のガスノズル2331と外側のガスノズル2332との間の空間からは不活性ガスが供給される。
【選択図】図3
Description
複数の基板を互いにそれぞれ間隔をあけて積層した状態で収容する処理室と、
前記処理室内に所望のガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内の雰囲気を排出する排気手段と、を有し、
前記ガス供給手段は、前記基板の積層方向に延在し、それぞれが複数のガス噴出口を有する、内外2重管構造のガスノズルを備え、
前記内外のガスノズルに設けられるそれぞれのガス噴出口は、前記積層方向においてそれぞれ対応し、且つ対応したガス噴出口の開口中心を略一致して設けられ、
さらに、外側のガスノズルに設けられたガス噴出口の開口面積が、内側のガスノズルに設けられたガス噴出口の開口面積より大きく設定され、
前記内側のガスノズルからは反応性ガスが供給され、前記内側のガスノズルと外側のガスノズルとの間の空間からは不活性ガスが供給される、基板処理装置が提供される。
図1は、本発明の一実施例で好適に用いられる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面で示し、図2は本実施例で好適に用いられる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を図1のA−A線横断面図で示す。
第1のガス供給管232aにTEMAH、第1のキャリアガス供給管234aにキャリアガス(N2)、第1のサポートガス供給管235aにサポートガス(N2)、第3のキャリアガス供給管234cにキャリアガス(N2)をそれぞれ流す。
第1のガス供給管232aの第1のバルブ243aおよび第1のサポートガス供給管235aの第6のバルブ243fを閉め、TEMAHの供給を停止する。このときガス排気管231の第5のバルブ243eは開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留TEMAHガスを処理室201内から排除する。このときN2等の不活性ガスを処理室201内へ供給すると、更に残留TEMAHガスを排除する効果が高まる。
第2のガス供給管232bにO3、第2のキャリアガス供給管234bにキャリアガス(N2)、第2のサポートガス供給管235bにサポートガス(N2)をそれぞれを流す。
本発明の好ましい一実施例において、基板処理装置は、一例として、半導体装置の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。図5は、本実施例の基板処理装置を説明するための概略斜透視図である。
カセット110がカセットステージ114に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口(図示せず)がフロントシャッタ(図示せず)によって開放される。その後、カセット110はカセット搬入搬出口(図示せず)から搬入され、カセットステージ114の上にウエハ200が垂直姿勢であって、カセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、カセット110は、カセットステージ114によって、カセット110内のウエハ200が水平姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が筐体後方を向けるように、筐体後方に右周り縦方向90°回転させられる。
107…予備カセット棚
110…カセット
111…筐体
114…カセットステージ
115…ボートエレベータ
118…カセット搬送装置
118a…カセットエレベータ
118b…カセット搬送機構
123…移載棚
125…ウエハ移載機構
125a…ウエハ移載装置
125b…ウエハ移載装置エレベータ
125c…ツイーザ
128…アーム
134a…クリーンユニット
134b…クリーンユニット
147…炉口シャッタ
200…ウエハ
201…処理室
202…処理炉
203…反応管
207…ヒータ
209…マニホールド
217…ボート
218…ボート支持台
219…シールキャップ
220…Oリング
231…ガス排気管
232a…第1のガス供給管
232b…第2のガス供給管
233…ノズル
2331…内側ノズル
2332…外側ノズル
233a…第1のノズル
233b…第2のノズル
234a…第1のキャリアガス供給管
234b…第2のキャリアガス供給管
234c…第3のキャリアガス供給管
235a…第1のサポートガス供給管
235b…第2のサポートガス供給管
240… 液体マスフローコントローラ
241a…第1のマスフローコントローラ
241b…第2のマスフローコントローラ
241c…第3のマスフローコントローラ
241d…第4のマスフローコントローラ
241e…第5のマスフローコントローラ
241f…第6のマスフローコントローラ
242…気化器
243a…第1のバルブ
243b…第2のバルブ
243c…第3のバルブ
243d…第4のバルブ
243e…第5のバルブ
243f…第6のバルブ
243g…第7のバルブ
243h…第8のバルブ
246…真空ポンプ
248…ガス供給孔
2481…内側ガス供給孔
2482…外側ガス供給孔
248a…第1のガス供給孔
248b…第2のガス供給孔
267…ボート回転機構
280…コントローラ
301…反応性ガス
302…サポートガス
Claims (1)
- 複数の基板を互いにそれぞれ間隔をあけて積層した状態で収容する処理室と、
前記処理室内に所望のガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内の雰囲気を排出する排気手段と、を有し、
前記ガス供給手段は、前記基板の積層方向に延在し、それぞれが複数のガス噴出口を有する、内外2重管構造のガスノズルを備え、
前記内外のガスノズルに設けられるそれぞれのガス噴出口は、前記積層方向においてそれぞれ対応し、且つ対応したガス噴出口の開口中心を略一致して設けられ、
さらに、外側のガスノズルに設けられたガス噴出口の開口面積が、内側のガスノズルに設けられたガス噴出口の開口面積より大きく設定され、
前記内側のガスノズルからは反応性ガスが供給され、前記内側のガスノズルと外側のガスノズルとの間の空間からは不活性ガスが供給される、基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006009769A JP2007194331A (ja) | 2006-01-18 | 2006-01-18 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006009769A JP2007194331A (ja) | 2006-01-18 | 2006-01-18 | 基板処理装置 |
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JP2007194331A true JP2007194331A (ja) | 2007-08-02 |
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Family Applications (1)
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JP2006009769A Pending JP2007194331A (ja) | 2006-01-18 | 2006-01-18 | 基板処理装置 |
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Country | Link |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009094424A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
JP2012253134A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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JPS62113419A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Nec Corp | 気相エピタキシヤル成長装置 |
JPH09102463A (ja) * | 1995-10-04 | 1997-04-15 | Sharp Corp | 成膜装置 |
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2006
- 2006-01-18 JP JP2006009769A patent/JP2007194331A/ja active Pending
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