JP2007184595A - 有機エレクトロルミネセントデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 181
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
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- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
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- G09G2360/147—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light originating from the display screen the originated light output being determined for each pixel
- G09G2360/148—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light originating from the display screen the originated light output being determined for each pixel the light being detected by light detection means within each pixel
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Abstract
【解決手段】1実施形態による有機ELデバイスは、制御領域304および感知領域306を備える基板302を含む。制御領域304上方にはスイッチ素子206および駆動素子204が配置される。感知領域306上方にはフォトセンサ210が配置される。OLED素子202は感知領域306内に配置され、フォトセンサ210を照射する。フォトセンサ210および駆動素子204に蓄積容量208が接続される。OLED素子202によるフォトセンサ210への照射に応答し、フォトセンサ210にてOLED素子202の輝度に対応した光電流が発生することで、蓄積容量208の電圧が該光電流により調整されて駆動素子204を通る電流が制御され、よってOLED素子202の輝度が変化する。
【選択図】図3N
Description
20 画素エレメント
30 パネル
40 入力ユニット
50 電子装置
202 有機エレクトロルミネセント素子(OLED素子)
204 駆動素子
206 スイッチ素子
208 蓄積容量
210 フォトセンサ
212 輝度
302 基板
304 制御領域
306 感知領域
307 蓄積容量領域
308 緩衝層
309 ボトム電極
310 第1のアクティブ層
312 第2のアクティブ層
314 フォトレジスト層
316 ドーパント
318 フォトレジスト層
320 チャネル領域
322 N+イオン
324 ソース
326 ドレイン
328 ゲート誘電体層
330 n型トランジスタのゲート
332 p型トランジスタのゲート
334 フォトセンサゲート
335 トップ電極
336 軽ドープソース/ドレイン(LDD)
340 イオン注入
344 p型トランジスタのソース
346 p型トランジスタのドレイン
348 誘電体層
350 フォトセンサアクティブ層
352 フォトセンサドープ層
354 開口
356 導電コンタクト
358 フォトセンサソース
360 フォトセンサドレイン
362 保護層
364 平坦化層
366 コンタクト開口
368 画素電極層
370 画素定義層
372 有機発光層
374 陰極
Claims (18)
- 制御領域および感知領域を有する基板と、
前記制御領域上方に位置するスイッチ素子および駆動素子と、
前記感知領域上方に位置するフォトセンサと、
前記感知領域内に配置されると共に前記フォトセンサを照射するよう作動するOLED素子と、
前記フォトセンサおよび前記駆動素子に接続される蓄積容量と、
を備えた画素エレメントを含む有機エレクトロルミネセントデバイスであって、
前記OLED素子からの前記フォトセンサへの照射に応答し、前記フォトセンサが前記OLED素子の輝度に対応する光電流を発生させることで、前記蓄積容量の電圧が該光電流により調整されて前記駆動素子を通る電流が制御され、よって前記OLED素子の輝度が変化する有機エレクトロルミネセントデバイス。 - 前記スイッチ素子および前記駆動素子がトップゲートトランジスタであり、前記フォトセンサがボトムゲートトランジスタである請求項1記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
- 前記画素エレメントが複数の層から形成され、前記スイッチ素子、前記駆動素子および前記フォトセンサが、それらの層のうちの同一の層に位置するゲートを有している請求項1記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
- 前記スイッチ素子が第1のアクティブ層を備え、前記駆動素子が第2のアクティブ層を備えており、該第1および第2のアクティブ層がポリシリコン層である請求項1記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
- 前記フォトセンサが第3のアクティブ層を備えており、該第3のアクティブ層がアモルファスシリコン層である請求項1記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
- 前記スイッチ素子内に配置される第1のアクティブ層と、
前記駆動素子内に配置される第2のアクティブ層と、
前記第1および第2のアクティブ層ならびに前記感知領域上方に配置されるゲート誘電体層と、
をさらに含む請求項1記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。 - 前記制御領域上方の前記ゲート誘電体層上に配置されると共に前記スイッチ素子内に位置する第1のゲート、および前記制御領域上方の前記ゲート誘電体層上に配置されると共に前記駆動素子内に位置する第2のゲートと、
前記感知領域上方の前記ゲート誘電体層上に配置される第3のゲートと、
をさらに含み、
前記第1、第2および第3のゲートが同一の層にある請求項6記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。 - 少なくとも前記第1、第2および第3のゲートを覆う誘電体層と、
前記感知領域上方における前記誘電体層の一部上方に配置される第3のアクティブ層と、
をさらに含む請求項7記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。 - 前記第3のアクティブ層上方に配置されるフォトセンサドープ層と、
前記フォトセンサドープ層の対向するサイドにそれぞれ電気的に接続するフォトセンサソースおよびフォトセンサドレインと、
をさらに含む請求項8記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。 - 前記誘電体層が、前記第1および第2のゲートならびに前記第1および第2のアクティブ層の一部を露出させる複数の開口をさらに備え、かつ、該開口は導電コンタクトで充填される請求項6記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
- 前記導電コンタクト、前記誘電体層、前記フォトセンサソースおよび前記フォトセンサドレイン上方に配置される保護層と、
前記保護層およびその下の前記フォトセンサの上方に配置される平坦化層と、
をさらに含む請求項10記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。 - 前記平坦化層上方に位置する第1の電極と、
前記第1の電極上に配置される有機発光層と、
前記有機発光層上方に配置される第2の電極と、
をさらに含み、
前記第1の電極、前記有機発光層および前記第2の電極が前記OLED素子を形成する請求項11記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。 - ディスプレイパネルをさらに含み、前記画素エレメントが、該ディスプレイパネルの画素エレメントのアレイとして配列される請求項1記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
- 前記ディスプレイパネルに接続されて、前記ディスプレイパネルに画像を表示させるべく前記ディスプレイパネルへ入力を供給するよう作動する入力ユニットをさらに含む請求項13記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
- 前記ディスプレイパネルに入力を供給するための手段をさらに含む請求項13記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
- 前記ディスプレイパネルが電子装置の一部である請求項13記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
- 制御領域および感知領域を有する基板と、
前記制御領域上方に位置するスイッチ素子および駆動素子と、
前記感知領域上方に位置するフォトセンサと、
前記感知領域内に配置されると共に前記フォトセンサを照射するよう作動するOLED素子と、
前記フォトセンサおよび前記駆動素子に接続される蓄積容量と、
を含み、
前記OLED素子からの前記フォトセンサへの照射に応答し、前記フォトセンサにて前記OLED素子の輝度に対応する光電流が発生することで、前記蓄積容量の電圧が該光電流により調整されて前記駆動素子を通る電流が制御され、よって前記OLED素子の輝度が変化することとなり、
前記スイッチ素子がトップゲートトランジスタであり、前記フォトセンサがボトムゲートトランジスタである有機エレクトロルミネセントデバイス。 - 制御領域および感知領域を備える基板を準備する工程と、
前記基板の前記制御領域上方にアクティブ層を形成する工程と、
前記アクティブ層および前記基板の前記感知領域上方にゲート誘電体層を形成する工程と、
前記ゲート誘電体層上に導電層を形成する工程と、
前記導電層をパターニングして、前記制御領域内に第1および第2のゲートを、前記感知領域内に第3のゲートを形成する工程と、
少なくとも前記第1、第2および第3のゲートを覆うように誘電体層を形成する工程と、
前記感知領域上方における前記誘電体層の一部上にフォトセンサアクティブ層を形成する工程と、
前記フォトセンサアクティブ層上にフォトセンサドープ層を形成する工程と、
前記フォトセンサドープ層の対向するサイドにそれぞれ電気的に接続するフォトセンサソースおよびフォトセンサドレインを形成する工程と、
前記感知領域および前記制御領域の一部上方にOLED素子を形成する工程と、
を含む有機エレクトロルミネセントデバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/326,247 US7449697B2 (en) | 2006-01-04 | 2006-01-04 | Organic electroluminescent devices and fabrication methods thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007184595A true JP2007184595A (ja) | 2007-07-19 |
JP4471225B2 JP4471225B2 (ja) | 2010-06-02 |
Family
ID=38223435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006349323A Active JP4471225B2 (ja) | 2006-01-04 | 2006-12-26 | 有機エレクトロルミネセントデバイスおよびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7449697B2 (ja) |
JP (1) | JP4471225B2 (ja) |
CN (1) | CN100461445C (ja) |
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CN111328171A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-06-23 | 陕西速源节能科技有限公司 | 一种电灯亮度控制*** |
CN112086526B (zh) * | 2020-09-01 | 2023-11-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2006-01-04 US US11/326,247 patent/US7449697B2/en active Active
- 2006-04-13 CN CNB2006100725980A patent/CN100461445C/zh active Active
- 2006-12-26 JP JP2006349323A patent/JP4471225B2/ja active Active
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JP2016053934A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | エバーディスプレイ オプトロニクス(シャンハイ) リミテッド | Amoledパネルに組み合わせられたタッチ装置及びその製造方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070152180A1 (en) | 2007-07-05 |
CN100461445C (zh) | 2009-02-11 |
CN1996611A (zh) | 2007-07-11 |
JP4471225B2 (ja) | 2010-06-02 |
US7449697B2 (en) | 2008-11-11 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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