JP2007184229A - 有機電界発光表示素子の製造方法及び有機電界発光表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の有機電界発光表示素子の製造方法は、上部基板上にアノード電極を形成する段階と、前記上部基板上にZnO膜を成膜させるために、ZnOを全面蒸着する段階と、前記ZnO膜をパターニングし、前記上部基板上に有機発光層が形成されるセル領域を分離させる逆テーパ状の隔壁を形成する段階と、前記隔壁により分離された前記セル領域に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上にカソード電極を形成する段階とを含む。
【選択図】図3
Description
Claims (18)
- 上部基板上にアノード電極を形成する段階と、
前記上部基板上にZnO膜を成膜させるために、ZnOを全面蒸着する段階と、
前記ZnO膜をパターニングし、前記上部基板上に有機発光層が形成されるセル領域を分離させる逆テーパ状の隔壁を形成する段階と、
前記隔壁により分離された前記セル領域に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層上にカソード電極を形成する段階と
を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。 - 前記ZnOは、150°C以上の温度で蒸着され、かつ成長されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記ZnO膜は、下部に非晶質の分布度が高く、上部に結晶質の分布度が高いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記ZnO膜は、フォトリソグラフィ工程とウェットエッチング工程でパターニングされることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記カソード電極を形成する段階は、前記逆テーパ状の隔壁及び前記有機発光層が形成された前記上部基板上に電極物質を全面塗布する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記アノード電極上に有機発光層が形成される領域を露出させて絶縁膜を形成する段階と、
前記上部基板と対面する下部基板上に薄膜トランジスタアレイを形成する段階と、
前記上部基板と前記下部基板とを合着する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。 - 前記薄膜トランジスタアレイを形成する段階は、前記カソード電極と接続されたドレイン電極を含む駆動用薄膜トランジスタ及び前記駆動用薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極を含むスイッチング用薄膜トランジスタを形成する段階を含むことを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記カソード電極と前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極を接続させるためのスペーサを前記絶縁膜上に形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記カソード電極は、前記スペーサを囲むように形成され、前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記有機発光層が形成される領域を露出させるバス電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 上部基板上に形成されたアノード電極と、
前記上部基板上に有機発光層が形成されるセル領域を分離させ、ZnOに形成された逆テーパ状の隔壁と、
前記隔壁により分離された前記セル領域に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成されたカソード電極と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。 - 前記逆テーパ状の隔壁は、下部に非晶質の分布度が高く、上部に結晶質の分布度が高いことを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記アノード電極上に前記有機発光層が形成される領域を露出させる絶縁膜と、
前記上部基板と対面するように合着された下部基板上に形成された薄膜トランジスタアレイと
をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示素子。 - 前記薄膜トランジスタアレイは、前記カソード電極と接続されたドレイン電極を含む駆動用薄膜トランジスタ及び前記駆動用トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極を含むスイッチング用薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記カソード電極と前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極を接続させるスペーサを前記上部基板上にさらに備えることを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記カソード電極は、前記スペーサを囲むように形成され、前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されることを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記有機発光層が形成される領域を露出させるバス電極を前記上部基板上にさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記隔壁は、前記絶縁膜上にZnOを全面蒸着した後、フォトリソグラフィ工程とウェットエッチング工程でパターニングして形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示素子。
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