JP2007183579A - 薄膜トランジスタ基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法は、薄膜トランジスタ140が形成されたゲート絶縁膜125を覆う保護膜150上にコンタクトホール及び画素電極160が形成される領域をオープンさせるための第1フォトレジストパターンを形成する段階、第1フォトレジストパターンが形成された保護膜150上に透明導電膜を全面蒸着させた後、コンタクトホール及び画素電極160が形成される領域以外に形成された透明導電膜を露出させる第2フォトレジストパターンを形成する段階、第2フォトレジストパターンにより露出された透明導電膜をエッチング処理した後、保護膜150上に残留する第1及び第2フォトレジストパターンを除去して、保護膜150上にコンタクトホール及び画素電極160を形成する段階を含む。
【選択図】図7
Description
110:基板
120:ゲートライン
122:ゲート電極
130:データライン
132:ソース電極
133:ドレイン電極
134:活性層
135:オーミック接触層
140:薄膜トランジスタ
150:保護膜
151:第1コンタクトホール
152:第2コンタクトホール
153:第3コンタクトホール
160:画素電極
161:画素領域
162:画素ホール
170:ストレージキャパシタ
180:ゲートパッド
181:ゲートパッド下部電極
182:ゲートパッド上部電極
190:データパッド
191:データパッド下部電極
192:データパッド上部電極
200:第1マスク
300:第2マスク
400:第3マスク
500:第1フォトレジスト
600:第2フォトレジスト
Claims (18)
- 基板上にゲートラインを形成する段階、
ゲート絶縁膜を介して前記ゲートラインと交差するデータラインを形成する段階、
前記ゲートラインとデータラインとの交差部に薄膜トランジスタを形成する段階、
前記薄膜トランジスタが形成されたゲート絶縁膜上に保護膜を形成した後、コンタクトホール及び画素電極が形成される領域をオープンさせるための第1フォトレジストパターンを形成する段階、
前記第1フォトレジストパターンが形成された保護膜上に透明導電膜を全面蒸着させた後、前記コンタクトホール及び画素電極が形成される領域以外に形成された透明導電膜を露出させる第2フォトレジストパターンを形成する段階、
前記第2フォトレジストパターンにより露出された透明導電膜をエッチング処理した後、前記保護膜上に残留する第1及び第2フォトレジストパターンを除去して、コンタクトホールが形成された保護膜及び画素電極を形成する段階、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ゲートラインと、前記ゲート絶縁膜及び保護膜を介してゲートラインと重畳される画素電極を含んで構成されるストレージキャパシタを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ゲートラインに接続されたゲートパッド下部電極、前記保護膜及びゲート絶縁膜を貫通してゲートパッド下部電極を露出させるコンタクトホール、及び前記コンタクトホールを通じてゲートパッド下部電極と接続されたゲートパッド上部電極を含んで構成されるゲートパッドを形成する段階を更に含み、
前記ゲートパッド上部電極は、ゲートパッド上に突出した形状に形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記データラインに接続されたデータパッド下部電極、前記保護膜を貫通してデータパッド下部電極を露出させるコンタクトホール、及び前記コンタクトホールを通じてデータパッド下部電極と接続されたデータパッド上部電極を含むデータパッドを形成する段階を更に含み、
前記データパッド上部電極は、データパッド上に突出した形状に形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記第1フォトレジストパターンを形成する段階は、
前記ゲート絶縁膜上に保護膜を全面形成する段階、
前記保護膜上にフォトレジストを全面形成した後、マスクを用いるフォトリソグラフィ工程を通じてコンタクトホールが形成される保護膜領域のフォトレジストをオープンさせる段階、
前記マスクを用いるフォトリソグラフィ工程を通じて画素電極が形成される保護膜領域のフォトレジストを一部エッチングする段階、
前記フォトレジストをアッシングして、前記画素電極が形成される保護膜領域に一部エッチングされたフォトレジストを除去する段階、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記第2フォトレジストパターンを形成する段階は、
前記第1フォトレジストパターンが形成された保護膜上に透明導電膜を形成した後、前記保護膜上にフォトレジストを全面形成する段階、
前記フォトレジストをアッシングして、コンタクトホール及び画素電極が形成される保護膜領域以外に形成された透明導電膜を露出させる段階、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記保護膜上にフォトレジストを全面形成した後、前記第2フォトレジストパターンによって覆われている透明導電膜をポリ(poly)化するために熱処理を施す段階を更に含むことを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記保護膜上にコンタクトホールを形成する段階は、
前記保護膜を貫通してドレイン電極を露出させる第1コンタクトホールを形成する段階、
前記保護膜及びゲート絶縁膜を貫通してゲートパッド下部電極を露出させる段階、
前記保護膜を貫通してドレインパッド下部電極を露出させる段階、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 基板上にゲートライン、前記ゲートラインに接続されたゲート電極及びゲートパッド下部電極を含む第1導電性パターンを形成する段階、
前記基板を覆うゲート絶縁膜上にチャンネルを形成するための半導体パターンと、データライン、前記データラインに接続されたソース電極、チャンネルを介してソース電極と対向するドレイン電極及びデータパッド下部電極を含む第2導電性パターンを形成する段階、
前記ゲート絶縁膜上に保護膜を形成した後、コンタクトホール及び画素電極が形成される保護膜領域をオープン及び露出させるための第1フォトレジストパターンを形成する段階、
前記第1フォトレジストパターンが形成された保護膜上に透明導電膜を全面蒸着させた後、前記保護膜領域以外に形成された透明導電膜を露出させるための第2フォトレジストパターンを形成する段階、
前記第2フォトレジストパターンにより露出された透明導電膜を除去した後、保護膜上に残留する第1及び第2フォトレジストパターンを除去して、コンタクトホールが形成された保護膜、画素電極、ゲートパッド上部電極及びデータパッド上部電極を含む第3導電性パターンを形成する段階、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記第1導電性パターンを形成する段階は、
基板上にゲート金属層を全面蒸着させる段階、
前記ゲート金属層上にフォトレジストを形成した後、第1マスクを用いるフォトリソグラフィ工程を通じてゲート金属層を露出させるフォトレジストパターンを形成する段階、
前記フォトレジストパターンにより露出されたゲート金属層をエッチングする段階、
前記エッチングされたゲート金属層上に残留するフォトレジストパターンをストリップ工程を通じて除去する段階、
を含むことを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記第2導電性パターンを形成する段階は、
前記第1導電性パターンが形成された基板上に、ゲート絶縁膜、チャンネルを形成する活性層とオーミック接触層に構成された半導体パターン及びデータ金属層を順次形成する段階、
前記データ金属層上にフォトレジストを全面形成した後、第2マスクを用いるフォトリソグラフィ工程を通じてチャンネル領域が部分エッチングされたフォトレジストパターンを形成する段階、
前記部分エッチングされたフォトレジストパターンにより露出されたデータ金属層、オーミック接触層及び活性層を順次エッチングする段階、
前記エッチングされたデータ金属層上に残留するフォトレジストパターンをストリップ工程を通じて除去する段階、
を含むことを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記保護膜上に第1フォトレジストパターンを形成する段階は、
前記第2導電性パターンが形成されたゲート絶縁膜上に保護膜を全面形成する段階、
前記保護膜上にフォトレジストを全面形成した後、第3マスクを用いるフォトリソグラフィ工程を通じてコンタクトホール及び画素電極が形成される保護膜領域のフォトレジストをオープン及び一部エッチングする段階、
前記フォトレジストをアッシングして、前記画素電極が形成される保護膜領域に一部エッチングされたフォトレジストを除去する段階、
を含むことを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記保護膜上にコンタクトホールを形成する段階は、
前記保護膜を貫通して薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させる第1コンタクトホールを形成する段階、
前記保護膜及びゲート絶縁膜を貫通してゲートパッド下部電極を露出させる第2コンタクトホールを形成する段階、
前記保護膜を貫通してデータパッド下部電極を露出させる第3コンタクトホールを形成する段階、
を含むことを特徴とする請求項12に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記第2フォトレジストパターンを形成する段階は、
前記第1フォトレジストパターンが形成された保護膜上に透明導電膜を全面形成する段階、
前記透明導電膜が形成された保護膜上にフォトレジストを全面形成する段階、
前記フォトレジストをアッシングして、コンタクトホール及び画素電極が形成される保護膜領域以外に形成された透明導電膜を露出させる段階、
を含むことを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記保護膜上にフォトレジストを全面形成した後、前記第2フォトレジストパターンによって覆われている透明導電膜をポリ(poly)化するために熱処理を施す段階を更に含むことを特徴とする請求項12に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記保護膜及び第3導電性パターンを形成する段階は、
前記第2フォトレジストパターンにより露出された透明導電膜を除去する段階、
前記第1及び第2フォトレジストパターンを除去して、保護膜上にコンタクトホールを形成する段階、
前記コンタクトホールが形成された保護膜上に、画素電極、ゲートパッド上部電極及びデータパッド上部電極を形成する段階、
を含むことを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記保護膜上にコンタクトホールを形成する段階は、
前記保護膜を貫通して、薄膜トランジスタのドレイン電極と画素電極とを接触させる第1コンタクトホールを形成する段階、
前記保護膜及びゲート絶縁膜を貫通して、ゲートパッド下部電極とゲートパッド上部電極とを接触させる第2コンタクトホールを形成する段階、
前記保護膜を貫通して、データパッド下部電極とデータパッド上部電極とを接触させる第3コンタクトホールを形成する段階、
を含むことを特徴とする請求項16に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ゲートパッド上部電極はゲートパッドの上部に突出した形態に形成され、前記データパッド上部電極はデータパッドの上部に突出した形態に形成されることを特徴とする請求項16に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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