JP2007180447A - 半田付け方法、半田付け装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ボイドの発生を抑制する。
【解決手段】密閉可能な容器内に半田付け対象物を収容するとともに、当該容器内に還元性ガスを供給し、容器内の圧力を常圧以上の圧力まで加圧した状態で半田付けを行う。加圧状態は、半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において維持する。
【選択図】図6
【解決手段】密閉可能な容器内に半田付け対象物を収容するとともに、当該容器内に還元性ガスを供給し、容器内の圧力を常圧以上の圧力まで加圧した状態で半田付けを行う。加圧状態は、半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において維持する。
【選択図】図6
Description
本発明は、回路基板に半導体素子を半田付けする半田付け方法、半田付け装置、及び半導体素子の製造方法に関する。
従来、セラミックス基板の表面に配線層となる金属板を接合するとともに裏面に接合層となる金属板を接合し、表面側の金属板には半導体素子を接合する一方で、裏面側の金属板には半導体素子の発する熱を放熱する放熱装置(ヒートシンク)を接合し、モジュール化した半導体モジュールが知られている。この種の半導体モジュールでは、表面側の金属板に対して半導体素子を半田付けにより接合している。
ところで、半導体素子の半田付けでは、半田を溶融して凝固させるまでの過程において半田の中にボイドが発生する場合が多く、問題とされている。半田の中に多くのボイドが発生した場合には、電気や熱の抵抗が高くなることに加えて、1つのボイドがある程度以上の大きさになると半導体素子からの電気や熱が当該ボイドを迂回して金属板側に流れることになる。このため、半導体素子からの電気や熱は、ボイドがあると当該ボイドがない部位を迂回して金属板側(回路側)に到達することから、ボイド周縁部に位置する半導体素子の部位には局所的な高温領域(ホットスポット)が生じ、半導体素子の破壊に繋がる虞がある。
そこで、従来、ボイドの発生を抑制するための提案がなされている(特許文献1や特許文献2参照)。特許文献1及び特許文献2では、加熱時に容器内を真空引きして減圧し、真空に近い状態で半田を溶融し、半田付けを行うことを提案している。
特開2005−230830号公報
特開2005−271059号公報
しかしながら、本発明者の実験によれば、真空に近い状態で半田を溶融し、半田付けを行った場合でもボイドが発生することを確認した。本発明者の実験結果は、図7に示しており、その詳細は後述する。したがって、特許文献1や特許文献2の半田付けの方法では、ボイドの発生を抑制し得るとは言い難い。
この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、ボイドの発生を抑制することができる半田付け方法、及び半田付け装置を提供することにある。
上記問題を解決するために、請求項1に記載の発明は、容器内に回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物を収容し、還元性ガスからなる雰囲気ガス又は当該還元性ガスを含む雰囲気ガスで前記容器内を満たした状態で前記半田を溶融温度以上の温度まで加熱して前記半田を溶融し、その後に前記温度を前記溶融温度未満の温度まで下げて前記半田を凝固させることにより、前記回路基板と半導体素子とを半田付けする半田付け方法であって、前記容器は、密閉可能に構成されており、前記温度が前記溶融温度に達するまでの間に前記雰囲気ガスによって前記容器内の圧力を前記常圧以上の溶融開始時圧力まで加圧するとともに、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において前記容器内の圧力を前記溶融開始時圧力以上の圧力とすることにより、加圧状態で半田付けを行うことを要旨とする。
請求項9に記載の発明は、回路基板の接合部位に半導体素子を半田付けする半田付け装置であって、密閉可能な容器と、前記回路基板と前記半導体素子との間に介在される半田を加熱し、溶融させる加熱手段と、前記容器内に還元性ガスからなる雰囲気ガス又は当該還元性ガスを含む雰囲気ガスを導入するガス導入手段とを備え、前記容器には、前記回路基板と前記半導体素子との間に前記半田を介在させた半田付け対象物を収容するとともに、前記加熱手段は、前記ガス導入手段により前記雰囲気ガスを前記容器内に導入した状態で前記容器内の温度を前記半田の溶融温度以上の温度まで加熱して当該半田を溶融し、前記容器内の温度が前記溶融温度に達するまでの間に前記雰囲気ガスによって前記容器内の圧力を前記常圧以上の溶融開始時圧力まで加圧するとともに、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において前記容器内の圧力を前記溶融開始時圧力以上の圧力とすることにより、加圧状態で半田付けを行うことを要旨とする。
請求項10に記載の発明は、密閉可能な容器内に回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物を収容し、還元性ガスからなる雰囲気ガス又は当該還元性ガスを含む雰囲気ガスで前記容器内を満たした状態で前記半田を溶融温度以上の温度まで加熱して前記半田を溶融し、その後に前記半田の温度を前記溶融温度未満の温度まで下げて前記半田を凝固させることにより、前記回路基板に前記半導体素子を半田付けした半導体装置の製造方法であって、前記温度が前記溶融温度に達するまでの間に前記雰囲気ガスによって前記容器内の圧力を前記常圧以上の溶融開始時圧力まで加圧するとともに、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において前記容器内の圧力を前記溶融開始時圧力以上の圧力とすることにより、加圧状態で半田付けを行うことを要旨とする。
請求項1、請求項9及び請求項10に記載の発明によれば、半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域では、常圧以上の圧力による加圧状態で半田付けが行われる。このため、半田の溶融時には、当該半田の表面張力に打ち勝つ力が加えられ、ボイド発生の要因と考えられる表面張力の影響が抑えられる。したがって、ボイドの発生を抑制できる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の半田付け方法において、前記溶融開始時圧力は、0.11MPa以上の圧力であることを要旨とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の半田付け方法において、前記溶融開始時圧力は、0.13MPa以上の圧力であることを要旨とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の半田付け方法において、前記溶融開始時圧力は、0.13MPa以上の圧力であることを要旨とする。
請求項2、及び請求項3に記載の発明によれば、好適にボイドの発生を抑制できる。なお、容器内の圧力は、常圧(おおよそ0.1023MPa)に近いと、容器の耐久性の点で有利となる。
請求項4に記載の発明は、請求項1〜請求項3のうちいずれか一項に記載の半田付け方法において、前記半田溶融域では、前記溶融開始時圧力よりも高い圧力の前記雰囲気ガスを第1の圧力調整手段を介して一定圧にして導入することにより、前記容器内の圧力を一定に保つ、又は漸増させることを要旨とする。
請求項5に記載の発明は、請求項1〜請求項3のうちいずれか一項に記載の半田付け方法において、前記半田溶融域では、前記容器内の圧力を監視し、当該監視によって得られた圧力値に基づき前記溶融開始時圧力よりも高い圧力の前記雰囲気ガスを前記容器内に導入することにより、前記容器内の圧力を一定に保つ、又は漸増させることを要旨とする。
請求項3及び請求項4に記載の発明によれば、容器内の圧力を常圧以上の圧力に保つことができる。特に、凝固させる場合には、容器内の温度が低下することに伴い容器内の圧力が低下していくので、第1の圧力調整手段などを設けて容器内に雰囲気ガスを供給することで常圧以上の圧力に保つことができる。そして、容器内の圧力を一定に保つ、又は容器内の圧力を漸増させることにより、安定した加圧状態を作り出すことで確実にボイドの発生を抑制できる。
請求項6に記載の発明は、請求項4又は請求項5に記載の半田付け方法において、前記半田溶融域では、前記雰囲気ガスを前記容器内に導入する一方で、前記容器内に導入した前記雰囲気ガスを第2の圧力調整手段を介して前記容器外に排出することにより、前記容器内で前記雰囲気ガスを流通させることを要旨とする。これによれば、容器内の雰囲気ガスが容器内外で流通されるので、還元作用によって生じる容器内の水分を雰囲気ガスの排出によって除去することができる。
請求項7に記載の発明は、請求項1〜請求項6のうちいずれか一項に記載の半田付け方法において、前記半田付け対象物は、前記回路基板、前記半田、及び前記半導体素子の順に積層状態で前記容器内に収容するとともに、前記半導体素子の直上には当該半導体素子を前記回路基板側に押圧する押圧体を配置することを要旨とする。これによれば、溶融した半田の表面張力によって半導体素子が浮き上がることを防止でき、当該半導体素子と回路基板とを確実に半田付けすることができる。
請求項8に記載の発明は、請求項1〜請求項7のうちいずれか一項に記載の半田付け方法において、前記半田溶融域では、加熱終了時から凝固するまでの圧力を、加熱終了時の圧力よりも高めることを要旨とする。これによれば、半田の溶融時においてボイドが発生したとしても、容器内の圧力をさらに高めることで溶融した半田が凝固するまでの間に発生したボイドを消滅させることができる。したがって、ボイドの発生を抑制することができる。
本発明によれば、ボイドの発生を抑制することができる。
以下、本発明を具体化した一実施形態を図1〜図7にしたがって説明する。
図1及び図2は、半導体装置としての半導体モジュール10を示している。半導体モジュール10は、回路基板11と、当該回路基板11に接合される半導体素子12と、放熱装置としてのヒートシンク13とから構成されている。回路基板11は、セラミックス基板14の両面に金属板15,16を接合して構成されている。セラミックス基板14は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素などにより形成されている。また、金属板15は、配線層として機能し、例えば、アルミニウム(純アルミニウム及びアルミニウム合金)や銅などで形成されている。半導体素子12は、金属板15に接合(半田付け)されている。図2の符号「H」は、半田層を示している。半導体素子12は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor )やダイオードからなり、回路基板11(金属板15)には複数(本実施形態では4つ)の半導体素子12が接合されている。また、金属板16は、セラミックス基板14とヒートシンク13とを接合する接合層として機能し、例えば、アルミニウムや銅などで形成されている。ヒートシンク13は、金属板16に接合されている。
図1及び図2は、半導体装置としての半導体モジュール10を示している。半導体モジュール10は、回路基板11と、当該回路基板11に接合される半導体素子12と、放熱装置としてのヒートシンク13とから構成されている。回路基板11は、セラミックス基板14の両面に金属板15,16を接合して構成されている。セラミックス基板14は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素などにより形成されている。また、金属板15は、配線層として機能し、例えば、アルミニウム(純アルミニウム及びアルミニウム合金)や銅などで形成されている。半導体素子12は、金属板15に接合(半田付け)されている。図2の符号「H」は、半田層を示している。半導体素子12は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor )やダイオードからなり、回路基板11(金属板15)には複数(本実施形態では4つ)の半導体素子12が接合されている。また、金属板16は、セラミックス基板14とヒートシンク13とを接合する接合層として機能し、例えば、アルミニウムや銅などで形成されている。ヒートシンク13は、金属板16に接合されている。
図3は、半田付けに用いる半田付け装置HKの構成を概略的に示している。半田付け装置HKは、回路基板11(金属板15)に半導体素子12を半田付けするための装置として構成されている。また、本実施形態の半田付け装置HKは、図5に示すように、6枚の回路基板11で構成される半導体モジュール(半導体装置)100の半田付けを行う装置として構成されている。このため、半導体モジュール100には、24個の半導体素子12が半田付けされるようになっている。
半田付け装置HKは、密閉可能な容器(チャンバ)17を備え、当該容器17は開口部18aを有する箱型の本体部材18と当該本体部材18の開口部18aを開放及び閉鎖する蓋部材19とから構成されている。本体部材18には、半導体モジュール100を位置決めし、支持する支持台20が設置されている。また、本体部材18には、蓋部材19の装着部位にパッキン21が配設されている。
蓋部材19は、本体部材18の開口部18aを閉鎖可能な大きさで形成されており、本体部材18に蓋部材19を装着することにより容器17内には密閉空間Sが形成されるようになっている。また、蓋部材19において、密閉空間Sと対向する部位は、非磁性かつ電気的絶縁材で形成されている。本実施形態では、電気的絶縁材としてガラスが用いられており、蓋部材19にはガラス板22が組み付けられている。
また、本体部材18には、容器17内に還元性ガス(本実施形態では水素(H2))を供給するためのガス導入手段としての還元性ガス供給部23が接続されている。還元性ガス供給部23は、配管23aと、当該配管23aの開閉バルブ23bと、第1の圧力調整手段としての減圧弁23cと、水素タンク23dとを備えている。減圧弁23cは、開閉バルブ23bを介して導入した水素タンク23dからの水素ガスの圧力を一定圧にし、容器17内に供給するようになっている。また、本体部材18には、容器17内に不活性ガス(本実施形態では窒素(N2))を供給するための不活性ガス供給部24が接続されている。不活性ガス供給部24は、配管24aと、当該配管24aの開閉バルブ24bと、窒素タンク24cとを備えている。また、本体部材18には、容器17内を真空引きするための真空部25が接続されている。真空部25は、配管25aと、当該配管25aの開閉バルブ25bと、真空ポンプ25cとを備えている。また、本体部材18には、容器17内に充満したガスを外部に排出するためのガス排出部26が接続されている。ガス排出部26は、配管26aと、当該配管26aの開閉バルブ26bと、第2の圧力調整手段としての絞り弁26cとを備えている。容器17内のガスは、絞り弁26cにて排出量が調整され、外部に排出される。半田付け装置HKは、還元性ガス供給部23、不活性ガス供給部24、真空部25及びガス排出部26を備えることにより、密閉空間S内の圧力を調整可能な構成とされており、圧力調整によって加圧されたり、減圧されたりする。
また、本体部材18には、容器17内において温度を計測する温度センサ(例えば、熱電対など)27が設置されている。本実施形態において温度センサ27は、半導体素子12と金属板15の接合部位(半田付けを行う部位)の温度を計測し得るように容器17内に設置されている。
半田付け装置HKの上部(蓋部材19の上部)には、加熱手段としての高周波加熱コイル28が設置されている。本実施形態において高周波加熱コイル28は、図5に示すように、6枚の回路基板11に各別に対応するように6つの高周波加熱コイル28が各回路基板11の上側に配置されている。本実施形態の高周波加熱コイル28は、1枚の回路基板11を覆う大きさで、かつ後述する錘35の上面の輪郭よりも大きく形成されている。また、各高周波加熱コイル28は、渦巻き状(角形の渦巻き状)に形成されており、平面的に展開されている。また、各高周波加熱コイル28は、蓋部材19(ガラス板22の装着部位)に対向するように配置されている。また、各高周波加熱コイル28は、半田付け装置HKが備える高周波発生装置29に電気的に接続されているとともに、容器17内に設置された温度センサ27の計測結果に基づき、所定の温度に制御されるようになっている。また、各高周波加熱コイル28には、コイル内部に冷却水を通すための冷却路30が形成されているとともに、半田付け装置HKが備える冷却水タンク31に接続されている。
図4は、半田付けを行う際に使用する治具32(図4(a))と押圧体としての錘35(図4(b))を示している。治具32は、回路基板11を構成するセラミックス基板14と同一の大きさをなす平板状に形成されている。治具32は、例えば、グラファイトやセラミックスなどの材料で形成されている。治具32は、図3に示すように、半田付け時において回路基板11上に半田シート33と、半導体素子12と、錘35とを位置決めするために使用される。このため、治具32には、回路基板11における半導体素子12の接合部位に対応する部位に位置決め用の貫通孔34が形成されている。貫通孔34は、半導体素子12のサイズに応じた大きさで形成されている。そして、本実施形態においては、回路基板11上に複数個(4つ)の半導体素子12が接合されるので、治具32には複数個(4つ)の貫通孔34が形成されている。
錘35は、当該錘35を通る磁束の変化により電流が発生し、自身の電気抵抗によって発熱する材料を用いて形成されている。本実施形態の錘35は、ステンレスで形成されている。錘35は、図3に示すように、半田付け時において半導体素子12の直上において当該半導体素子12の上面(非接合面)に接するように配置されるとともに、半導体素子12を回路基板11側に押圧するために使用される。本実施形態の錘35は、削り出しによって作製された一体化部品とされている。そして、錘35の押圧面35aは、治具32の各貫通孔34に嵌挿可能で、かつ4つの半導体素子12の非接合面に接して押圧可能に形成されている。錘35の押圧面35aが、半導体素子12の非接合面に接する面となる。図4(a)には錘35を二点鎖線で示し、当該錘35を治具32に設置した状態を示している。
次に、前述した半田付け装置HKを用いて半導体素子12の半田付けを行う方法について説明する。なお、図3に示す半田付け装置HKを用いて半田付けを行う場合には、回路基板11にヒートシンク13を接合した物となる半田付け対象物を予め作製しておく。
半田付けを行う際には、最初に、本体部材18から蓋部材19を外し、開口部18aを開放する。そして、図3に示すように本体部材18の支持台20に半田付け対象物を置き、位置決めする。次に、半田付け対象物の各回路基板11(セラミックス基板14)上に治具32を置き、治具32の各貫通孔34内に半田シート33と半導体素子12を配置する。半田シート33は、回路基板11(金属板15)と半導体素子12との間に配置する。そして、半導体素子12を配置した回路基板11に錘35を置く。この状態において、回路基板11(金属板15)上には、金属板15側から順に半田シート33、半導体素子12、錘35が積層される。半田シート33、半導体素子12、錘35は、半田付け装置HKの上下方向、すなわち、蓋部材19側に向かって積層される。半田付け対象物は、地面に対して水平な状態で置かれている。また、錘35の押圧面35aは、半導体素子12の非接合面に接触し、押圧する。
次に、蓋部材19を本体部材18に取り付け、開口部18aを閉塞し、容器17内に密閉空間Sを形成する。密閉空間S内に半田付け対象物を収容した状態(図3に示す)において、各高周波加熱コイル28は、半田付け対象物(各錘35)の上方に配置されるとともに、各高周波加熱コイル28と半田付け対象物(各錘35)との間には蓋部材19に組み付けられたガラス板22が配置される。本実施形態では、高周波加熱コイル28を錘35の上方に配置した場合、当該錘35の上面の輪郭によって形成される領域から高周波加熱コイル28がはみ出るようになっている。本実施形態のように渦巻き状に形成した高周波加熱コイル28は、中央寄りに磁束が多く発生することから、当該高周波加熱コイル28の中央に錘35(回路基板11の接合部位)を配置することが好ましい。
次に、容器17内のガス置換を行う。まず、真空部25を操作して容器17内を真空引きするとともに、不活性ガス供給部24を操作して容器17内に窒素を供給し、密閉空間S内を不活性ガスで充満させる。この真空引きと窒素の供給を数回繰り返した後、還元性ガス供給部23を操作して容器17内に水素を供給し、容器17内を還元性ガス雰囲気とする。
次に、高周波発生装置29を作動させ、各高周波加熱コイル28に高周波電流を流す。すると、錘35には、当該錘35を通る高周波の磁束が発生するとともに渦電流が発生する。その結果、高周波加熱コイル28の磁束内に置かれた錘35は、電磁誘導作用によって発熱し、その熱が錘35の押圧面35aから半導体素子12に伝わる。そして、回路基板11の各接合部位は、錘35に生じた熱が当該錘35の押圧面35aを介して集中的(局所的)に伝わり、加熱される。この結果、半田シート33は、半導体素子12を介して伝わる熱が溶融温度以上の温度になることにより溶融する。また、半導体素子12は、錘35によって回路基板11側に押圧されているので、溶融した半田の表面張力で動かされることはない。
そして、半田シート33が完全に溶融したならば、高周波発生装置29を停止させ、溶融した半田が凝固する迄の間、冷却する。溶融した半田は、溶融温度未満に冷却されることによって凝固し、金属板15と半導体素子12とを接合する。金属板15と半導体素子12とが接合したならば、半導体モジュール100が完成する。そして、蓋部材19を本体部材18から取り出し、治具32と錘35を外した後に容器17内から半導体モジュール100を取り出す。なお、半導体モジュール100を容器17から取り出す際、容器17内のガスはガス排出部26を介して大気開放される。
なお、容器17内の圧力は、温度センサ27によって計測される温度(半田付けを行う部位の温度)や時間の経過をもとに加圧及び減圧される。加圧及び減圧は、各ガス供給部23,24、真空部25及びガス排出部26を操作することにより、容器17内にガスを供給したり、又は容器17内からガスを排出したりして行う。また、容器17内では、加熱時及び冷却時に、還元性ガス供給部23の減圧弁23cとガス排出部26の絞り弁26cの作用により、還元性ガスが流通される。
以下、本実施形態の半田付けにおいて加熱時及び冷却時に容器17内の内部雰囲気を調整する態様を、図6(a)に示す実験例1と図6(b)に示す実験例2を用いて説明する。
実験例1及び実験例2で用いた半導体モジュール10の各寸法は、以下のとおりである。
セラミックス基板14は、窒化アルミニウムからなり、30mm×30mmの四角形で、厚み0.635mmである。金属板15,16は、純アルミニウム(例えば、工業用純アルミニウムである1000系アルミニウム)からなり、27mm×27mmの四角形で、厚み0.4mmである。半導体素子12は、厚み0.35mmである。半田シート33は、Sn(錫)−Cu(銅)−Ni(ニッケル)−P(リン)系の鉛フリー半田からなり、厚み0.1mm〜0.2mmである。
セラミックス基板14は、窒化アルミニウムからなり、30mm×30mmの四角形で、厚み0.635mmである。金属板15,16は、純アルミニウム(例えば、工業用純アルミニウムである1000系アルミニウム)からなり、27mm×27mmの四角形で、厚み0.4mmである。半導体素子12は、厚み0.35mmである。半田シート33は、Sn(錫)−Cu(銅)−Ni(ニッケル)−P(リン)系の鉛フリー半田からなり、厚み0.1mm〜0.2mmである。
最初に、実験例1(図6(a))を説明する。実験例1では、図6(a)のグラフに示すように容器17内の圧力を変遷(調整)させている。
加熱前、容器17内は、常圧(本明細書では0.1MPa)よりも高い0.13MPa(本実施形態では、この圧力が溶融開始時圧力となる)の還元性ガス雰囲気に置換する。容器17内の圧力は、半田の溶融温度(本実施形態では217℃)に達するまでの間に常圧以上の圧力まで加圧する。そして、ガス置換後は、半田の溶融温度よりも高い250℃になるまで加熱し、その温度を時間aまで維持する。
加熱前、容器17内は、常圧(本明細書では0.1MPa)よりも高い0.13MPa(本実施形態では、この圧力が溶融開始時圧力となる)の還元性ガス雰囲気に置換する。容器17内の圧力は、半田の溶融温度(本実施形態では217℃)に達するまでの間に常圧以上の圧力まで加圧する。そして、ガス置換後は、半田の溶融温度よりも高い250℃になるまで加熱し、その温度を時間aまで維持する。
また、容器17内の圧力は、ガス置換後の圧力と同様に0.13MPaを維持するように雰囲気調整を行う。すなわち、実験例1では、加熱時、容器17内の圧力を常圧以下(真空状態)に下げることなく、0.13MPaを維持している。そして、時間aの経過後、加熱を終了する。実験例1では、冷却時も、容器17内の圧力を0.13MPaに維持するように雰囲気調整を行う。そして、半田の溶融温度よりも下がり、半田が凝固したならば(時間b)、容器17内の圧力を常圧以下に一旦減圧し、還元性ガスを放出した後に大気を導入して常圧に戻す。図6(a)のグラフの横には、実験例1で半田付けした場合の半導体素子12の裏面側(接合面側)を示したX線写真を掲載している。X線写真では、最も色が濃くなっている部分が半田層Hである。このX線写真によれば、一部の半田層Hに不濡れを確認したが、ボイドについては全く確認できなかった。
次に、実験例2(図6(b))を説明する。実験例2では、図6(b)のグラフに示すように、容器17内の圧力を変遷(調整)させている。
実験例2では、実験例1を示す図6(a)のグラフと図6(b)のグラフを比較して分かるように、時間aが経過するまでの圧力の状態は同じである。すなわち、実験例2でも、加熱時は、容器17内の圧力を常圧よりも高い0.13MPaとしている。そして、実験例2では、時間aが経過したならば、加熱を終了し、冷却する際に容器17内の圧力をさらに加圧している。具体的に言えば、実験例2では、0.2MPaまで加圧している。その後、半田の溶融温度よりも下がり、半田が凝固したならば(時間b)、容器17内の圧力を常圧以下に一旦減圧し、還元性ガスを放出した後に大気を導入して常圧に戻す。
実験例2では、実験例1を示す図6(a)のグラフと図6(b)のグラフを比較して分かるように、時間aが経過するまでの圧力の状態は同じである。すなわち、実験例2でも、加熱時は、容器17内の圧力を常圧よりも高い0.13MPaとしている。そして、実験例2では、時間aが経過したならば、加熱を終了し、冷却する際に容器17内の圧力をさらに加圧している。具体的に言えば、実験例2では、0.2MPaまで加圧している。その後、半田の溶融温度よりも下がり、半田が凝固したならば(時間b)、容器17内の圧力を常圧以下に一旦減圧し、還元性ガスを放出した後に大気を導入して常圧に戻す。
図6(b)のグラフの横には、実験例2で半田付けした場合の半導体素子12の裏面側(接合面側)を示したX線写真を掲載している。このX線写真によれば、何れの半田層Hにも、不濡れ及びボイドを全く確認できなかった。
参考までに、加熱時及び冷却時、又は冷却時に容器17内の圧力を常圧以下として半田付けを行った場合の結果を比較例1及び比較例2として図7(a),(b)に示す。
図7(a)に示す比較例1は、加熱前に容器17内を還元性ガス雰囲気に置換し(0.13MPa)、加熱時(温度が半田の溶融温度に達する前に)に容器17内を常圧以下に減圧した場合の例である。比較例1では、加熱時及び冷却時の何れも、容器17内の圧力を常圧以下としている。この場合のX線写真は、図7(a)のグラフの横に掲載している。このX線写真によれば、何れの半田層Hにもボイドが発生し、そのボイドが広範囲に亘って発生していることが分かる。つまりボイドは、真空でも発生することが確認された。このことは、ボイドの中にガスが殆ど存在しないことを強く示唆している。
図7(a)に示す比較例1は、加熱前に容器17内を還元性ガス雰囲気に置換し(0.13MPa)、加熱時(温度が半田の溶融温度に達する前に)に容器17内を常圧以下に減圧した場合の例である。比較例1では、加熱時及び冷却時の何れも、容器17内の圧力を常圧以下としている。この場合のX線写真は、図7(a)のグラフの横に掲載している。このX線写真によれば、何れの半田層Hにもボイドが発生し、そのボイドが広範囲に亘って発生していることが分かる。つまりボイドは、真空でも発生することが確認された。このことは、ボイドの中にガスが殆ど存在しないことを強く示唆している。
図7(b)に示す比較例2は、加熱前に容器17内を還元性ガス雰囲気に置換し(0.13MPa)、加熱時は0.13MPaを維持する一方で、冷却時は容器17内を常圧以下に減圧した場合の例である。この場合のX線写真は、図7(b)のグラフの横に掲載している。このX線写真によれば、ボイドの発生量は比較例1に比して改善されているが、依然として何れの半田層Hにもボイドが発生していることが分かる。また、一部の半田層Hには、不濡れも発生している。
実験例1及び実験例2と、比較例1及び比較例2とを比較すると、実験例1及び実験例2ではボイドの発生に関して改善されていることが一目瞭然である。この実験例1及び実験例2では、半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域(溶融開始から凝固まで)で容器17内の圧力を、常圧を超える圧力とし、加圧している。この加圧によってボイドの発生を抑制させている。
また、実験例1及び実験例2では、半田溶融域において水素タンク23dから容器17内の圧力(0.13MPa)よりも高い圧力とされた還元性ガスが供給され、減圧弁23cを介することで容器17内の圧力を一定に保つようになっている。また、ガス排出部26の絞り弁26cからは一定量のガスが排出されており、そのガス排出による減圧分を補うように還元性ガス供給部23から容器17内に還元性ガスが供給されて容器17内の圧力を一定圧に保っているとともに、容器17内でガスを流通させている。また、半田溶融域では、加熱によって容器17内が昇温されることによる圧力上昇分を加味して一定圧に保たれる。
以下、これらの実験結果を踏まえ、ボイドの発生要因について考察する。
溶融した半田の表面張力は、溶融直後の低温ほど大きく、高温になるほど低下する。また、半田と接合部材(半導体素子12と金属板15)の表面は、酸化物などによって低温では濡れ性が悪い状態である。半田が濡れる界面は、半田、接合部材、雰囲気ガス(本実施形態では還元性ガス)の3種類の物質が交差している。そして、この3種類の物質が交差する線上では、接合部材と雰囲気ガスの間に働く固体−気体間の表面張力と、溶融した半田と雰囲気ガスの間に働く液体−気体間の表面張力と、接合部材と溶融した半田の間に働く固体−液体間の界面張力が、交差する線からそれぞれの界面方向に向かって働く。
溶融した半田の表面張力は、溶融直後の低温ほど大きく、高温になるほど低下する。また、半田と接合部材(半導体素子12と金属板15)の表面は、酸化物などによって低温では濡れ性が悪い状態である。半田が濡れる界面は、半田、接合部材、雰囲気ガス(本実施形態では還元性ガス)の3種類の物質が交差している。そして、この3種類の物質が交差する線上では、接合部材と雰囲気ガスの間に働く固体−気体間の表面張力と、溶融した半田と雰囲気ガスの間に働く液体−気体間の表面張力と、接合部材と溶融した半田の間に働く固体−液体間の界面張力が、交差する線からそれぞれの界面方向に向かって働く。
半田の溶融直後の状態は、半田と雰囲気ガスの間に働く表面張力が大きく、半田と接合部材の間の界面力は負の状態の場合が多い。このような時には、半田は拡がらずに寧ろ接合面積を縮小して球になろうとする。この傾向を抑えて半田が縮小しないようにするためには、本実施形態のように錘35を載せて押圧し、半田付けを行うことが有効となる。これは、例えば柔軟なボールを板で挟んで錘を載せればボールが潰れることから理解できる。しかし、球になろうとする傾向を雰囲気の圧力によって防止することはできない。この点は、例えば水で満たしたボールをガスで加圧しても球形のまま変形しないが、錘を載せれば潰れることで理解できる。
本明細書の背景技術にも記載したが、従来のボイドの発生対策としては、容器17内の圧力を常圧以下(真空)とし、その状態で加熱することである。これは、ボイドの発生原因を雰囲気ガス(あるいは残留ガスや半田などから発生するガス)によるものとし、ガス抜きした真空下ではボイドの発生が抑えられるという考えに基づいている。しかし、本発明者の実験によれば、図7(a)に示すように、常圧以下(真空)で半田付けをした場合であってもボイドは発生することを確認した。また、10mm角前後の面積を持つパワートランジスタなどの半導体素子を、半田シートを挟んで回路基板と接合する場合、ボイドは点在し、多くは100〜200μmの半田厚さを貫通した円筒型で接合部両面に繋がっていることを確認した。加熱前に半導体素子12と回路基板11との間に存在していた半田が加熱によってボイド部分で消滅しているのは、その部分の半田が何らかの力でボイド周辺部に押し退けられたことを意味している。
これらの確認結果から本発明者は、ボイドの中身が低圧状態(真空に近い状態)であり、ボイドを発生させる力は表面張力であると考えた。表面張力は、換言すれば、表面積を最小にしようとする力である。そして、本発明者は、直径1mmの不濡れ部分が接合せずに密着に近い状態で存在する場合(不濡れ部分の表面積(0.025×πmm2))よりも、直径1mm、高さ100μmの円筒(ボイド円筒面の表面積(1×π×0.1mm2))で存在する方が、安定していることを発見した。このため、ボイドの中身が真空に近い状態であれば、その表面張力に打ち勝つ圧力で加圧すればボイドは消滅すると考えられる。この理論に基づき加圧状態で半田付けを行ったところ(図6(a)、(b))、ボイドを計測できないボイドゼロの状態が実現できた。
また、ボイドの状態は、ガスの有無によって決まるのではなく表面張力により決まるとすれば、材質、表面状態、温度、半田の厚さなどの要因が支配する筈であり、同一条件で半田の厚さを100μmと150μmで実験したところ、150μmの方が良い結果を得られた。2枚の板を隙間を空けて液体につけると良く濡れば液面が上昇し、隙間が狭いと液面は高くなり、隙間が広いと液面は低くなる。濡れが悪くてはじけば液面は押し込まれ、隙間が狭いと低い位置まで押し込まれ、隙間が広ければあまり押し込まれない。このようなことから、半田の厚みが100μmよりも150μmの方が圧力によってボイドを抑制し易いことが成り立つ。また、本発明者の考えによれば、ボイドの発生は容器17内の圧力を高めるほど効果があると言える。
したがって、本実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
(1)半田溶融域において、容器17内の圧力を常圧以上の圧力に加圧し、半田付けを行うようにした。このため、半田の溶融時には、当該半田の表面張力に打ち勝つ力が加えられ、ボイド発生の要因と考えられる表面張力の影響が抑えられる。したがって、ボイドの発生を抑制できる。
(2)還元性ガス供給部23に減圧弁23cを設け、容器17内の圧力を一定圧に保つようにした。このため、半田溶融域において容器17内の圧力を一定圧に保つことで、安定した加圧状態が作り出され、確実にボイドの発生を抑制できる。特に、溶融した半田を凝固させる場合には、容器17内の温度が低下することに伴い容器17内の圧力が低下していくので、減圧弁23cを介して容器17内に還元性ガスを供給することで常圧以上の圧力に保つことができる。
(1)半田溶融域において、容器17内の圧力を常圧以上の圧力に加圧し、半田付けを行うようにした。このため、半田の溶融時には、当該半田の表面張力に打ち勝つ力が加えられ、ボイド発生の要因と考えられる表面張力の影響が抑えられる。したがって、ボイドの発生を抑制できる。
(2)還元性ガス供給部23に減圧弁23cを設け、容器17内の圧力を一定圧に保つようにした。このため、半田溶融域において容器17内の圧力を一定圧に保つことで、安定した加圧状態が作り出され、確実にボイドの発生を抑制できる。特に、溶融した半田を凝固させる場合には、容器17内の温度が低下することに伴い容器17内の圧力が低下していくので、減圧弁23cを介して容器17内に還元性ガスを供給することで常圧以上の圧力に保つことができる。
(3)ガス排出部26(絞り弁26c)により、容器17内のガスを外部に排出するようにした。これによれば、還元性ガスが容器17の内外で流通されるので、還元作用によって生じる容器17内の水分をガス排出によって除去することができる。
(4)実験例2では、加熱終了時に容器17内の圧力をさらに加圧するようにした。これによれば、半田の溶融時においてボイドが発生したとしても、容器17内の圧力をさらに高めることで溶融した半田が凝固するまでの間に発生したボイドを消滅させることができる。したがって、ボイドの発生を抑制することができる。
(5)高周波加熱コイル28を錘35から離間して配置し、錘35を発熱させる。このため、複数の半導体素子12を回路基板11に半田付けする場合であっても、錘35毎に高周波加熱コイル28を設けることなく複数箇所の接合部位を加熱することができる。また、溶融した半田の冷却時においては、高周波加熱コイル28を、錘35及び回路基板11とは別に取り扱うことが可能となるので、当該高周波加熱コイル28を用いて他の半導体モジュール100の半田付けを行うこともできる。また、半導体素子12を押圧する錘35を発熱させて回路基板11の接合部位を加熱することで、当該接合部位に対して集中的に熱を伝えることができる。したがって、回路基板11全体や容器17全体を加熱する場合に比べて効率的な加熱を実現できる。
(5)高周波加熱コイル28を錘35から離間して配置し、錘35を発熱させる。このため、複数の半導体素子12を回路基板11に半田付けする場合であっても、錘35毎に高周波加熱コイル28を設けることなく複数箇所の接合部位を加熱することができる。また、溶融した半田の冷却時においては、高周波加熱コイル28を、錘35及び回路基板11とは別に取り扱うことが可能となるので、当該高周波加熱コイル28を用いて他の半導体モジュール100の半田付けを行うこともできる。また、半導体素子12を押圧する錘35を発熱させて回路基板11の接合部位を加熱することで、当該接合部位に対して集中的に熱を伝えることができる。したがって、回路基板11全体や容器17全体を加熱する場合に比べて効率的な加熱を実現できる。
(6)半導体素子12の直上に配置される錘35の上方に高周波加熱コイル28を配置した。このため、回路基板11における複数の接合部位に対して平面的に熱を伝えることができ、均等に加熱することができる。この結果、各接合部位に配置した半田シート33の溶融の開始と終了を近似(ほぼ同時)させることができ、半田付け作業の効率化を図ることができる。
(7)高周波加熱コイル28を容器17の外部に配置した。このため、高周波加熱コイル28は、半田付け作業において加熱時間以外で拘束されなくなる(使用不可状態にならない)。したがって、容器17の交換などにより、次の半田付け作業を行うことが可能となり、生産効率を向上させることができる。また、高周波加熱コイル28を容器17の外部に配置することにより、容器17内に加熱部材(本実施形態では高周波加熱コイル28)を配置する構成に比べて容器17の容積が少なくなる。したがって、容器17の小型化を図ることができる。また、雰囲気調整としては、主に、容器17内からの空気の排出(真空引き)、不活性ガス(窒素ガスなど)の供給と排出、還元性ガス(水素など)の供給と排出がある。このため、容積を少なくすることにより、例えば、空気の排出においては排出に掛かる時間を少なくしたり、排出に掛かるエネルギー(例えば、真空ポンプ25cを動作させる)の消費量を少なくしたりすることができる。また、不活性ガスや還元性ガスの供給又は排出においては、供給又は排出に掛かる時間を少なくしたり、供給又は排出に掛かるエネルギーの消費量を少なくしたり、あるいは供給するガスの消費量を少なくしたりすることができる。
(8)高周波加熱コイル28と対向する容器17の部位(本実施形態では蓋部材19)をガラス板22(電気的絶縁材)で形成した。このため、容器17自体が発熱することを回避できるとともに、磁束の通過によって錘35を発熱させることができる。
(9)錘35に、各半導体素子12の非接合面に接触可能な押圧面35aを形成した。すなわち、錘35を一つの集合体として構成した。このため、一つの錘35によって押圧される押圧面積を広げることが可能となり、溶融した半田の表面張力による影響を受け難く、安定した状態で半田付け作業を行うことができる。
(10)複数の回路基板11の半田付けを行う場合に、各回路基板11(錘35)に対して1つの高周波加熱コイル28を対応付けて配置し、当該回路基板11に配置した錘35を発熱させるようにした。このため、複数の回路基板11に配置される複数の錘35を纏めて1つの高周波加熱コイル28で発熱させる場合に比して効率が良い。
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○ 実施形態では、容器17内の圧力を一定圧に保つようにしているが、図8に示すように、半田溶融域において容器17内の圧力を漸増させるようにしても良い。
○ 実施形態では、容器17内の圧力を一定圧に保つようにしているが、図8に示すように、半田溶融域において容器17内の圧力を漸増させるようにしても良い。
○ 実施形態では、容器17内の圧力を0.13MPaとしているが、0.13MPaよりも高い圧力まで加圧しても良い。また、実験例2のように加熱終了時に容器17内の圧力をさらに加圧する場合、その時の圧力値は変更しても良い。なお、容器17内の圧力は、当該容器17の耐久性も加味して設定される。
○ 実施形態では、容器17内の圧力を0.13MPaとしているが、材質や表面処理の状況によっては0.11MPa以上、0.13MPa以下の範囲の圧力としても良い。容器17内の圧力は、容器17外の常圧に近い方が、当該容器17の耐久性の点で有利である。ボイドを抑制するために必要な容器17内の圧力は、濡れ性と表面張力などによって変更可能である。なお、従来、半田付けの際に用いるリフロー炉では、炉内への大気侵入を防止する目的で炉内に不活性ガスを供給することが行われているが、当該不活性ガスを供給しても炉内の圧力は常圧程度となっている。
○ 実施形態において容器17内の圧力を監視し、当該監視によって得られた圧力値に基づき溶融開始時の圧力よりも高い圧力の還元性ガスを容器17内に導入し、容器17内の圧力を一定に保つようにしても良い。または、還元性ガスの供給により、容器17内の圧力を漸増させても良い。
○ 実施形態において容器17(還元性ガス供給部23)に絞り弁を接続し、当該絞り弁を介して還元性ガスを供給(導入)することにより、容器17内の圧力を漸増させるようにしても良い。
○ 実施形態では加熱時及び冷却時に容器17内が還元性ガス雰囲気(水素100%)とされているが、還元性ガスを含むガス雰囲気としても良い。例えば、3%の水素(還元性ガス)を窒素(不活性ガス)に混合したガス雰囲気としても良い。
○ 還元性ガスは、水素を含むガスに限らず、ホルムアルデヒドを含むなど他の組成のガスであっても良い。
○ 実施形態では、高周波加熱コイル28による高周波誘導加熱により加熱を行っているが、加熱の方法は変更しても良い。例えば、容器17内にヒータを設けて加熱しても良いし、ヒートシンク13に熱媒体を流通させて当該ヒートシンク13から半田シート33に熱を伝えるように加熱しても良い。
○ 実施形態では、高周波加熱コイル28による高周波誘導加熱により加熱を行っているが、加熱の方法は変更しても良い。例えば、容器17内にヒータを設けて加熱しても良いし、ヒートシンク13に熱媒体を流通させて当該ヒートシンク13から半田シート33に熱を伝えるように加熱しても良い。
○ 実施形態の半田付け装置HKに、容器17内の内部雰囲気を調整する雰囲気調整装置を設け、当該雰囲気調整装置が各ガス供給部23,24、真空部25及びガス排出部26を制御することにより内部雰囲気を調整するようにしても良い。この場合、雰囲気調整装置は、各開閉バルブ23b,24b,25b,26bや真空ポンプ25cにそれぞれ接続される。そして、雰囲気調整装置により、各開閉バルブ23b,24b,25b,26bの開閉及び真空ポンプ25cの作動が制御され、これらの制御により容器17内へのガス(還元性ガスや不活性ガス)の供給及び容器17内からのガスや空気の排出が行われる。
○ 半田付けされる半田付け対象物としては、ヒートシンク13を接合していない状態の回路基板11でも良い。この場合、本実施形態の容器17内には、回路基板11と半導体素子12からなる半導体装置が収容されて半田付けされることとなる。また、半田付け対象物(半導体モジュール100)を6個の回路基板11で構成したが、回路基板11の数は変更しても良い。
○ 蓋部材19は、本体部材18に対して着脱式でも良いし、開閉式でも良い。
○ 蓋部材19における高周波加熱コイル28と対向する部位を、ガラス以外の電気的絶縁材で形成しても良い。例えば、セラミックスや樹脂でも良い。また、蓋部材19が容器17の内外の気圧差を受け、強度を上げる必要がある場合には、蓋部材19を、例えば、グラスファイバーと樹脂との複合材(GFRP(ガラス繊維強化プラスチック)で構成しても良い。また、蓋部材19を、金属で構成しても良い。金属としては非磁性材の金属が好ましい。なお、蓋部材19に磁性材性の金属を用いる場合には、錘35よりも電気抵抗率が高いものを用いた方が良い。また、金属と絶縁材との複合材で構成しても良い。また、錘35に効果的に磁束を導くように錘35直上部には強磁性体の電磁鋼板等を用いると良い。
○ 蓋部材19における高周波加熱コイル28と対向する部位を、ガラス以外の電気的絶縁材で形成しても良い。例えば、セラミックスや樹脂でも良い。また、蓋部材19が容器17の内外の気圧差を受け、強度を上げる必要がある場合には、蓋部材19を、例えば、グラスファイバーと樹脂との複合材(GFRP(ガラス繊維強化プラスチック)で構成しても良い。また、蓋部材19を、金属で構成しても良い。金属としては非磁性材の金属が好ましい。なお、蓋部材19に磁性材性の金属を用いる場合には、錘35よりも電気抵抗率が高いものを用いた方が良い。また、金属と絶縁材との複合材で構成しても良い。また、錘35に効果的に磁束を導くように錘35直上部には強磁性体の電磁鋼板等を用いると良い。
○ 錘35は、削り出しによる一体化部品に代えて、複数の分割体を接合し、一つの集合体として構成しても良い。例えば、錘35は、半導体素子12毎に設置可能な分割体として構成しても良い。具体的に言えば、実施形態の場合には、回路基板11に4つの半導体素子12が接合されるので、4つの錘35を各半導体素子12の直上に配置して加圧しても良い。
○ 半田シート33の成分は、実施形態に限定されず、変更しても良い。すなわち、ボイドの発生を抑制するためには、半田の溶融時(溶けている間)に加圧すれば良く、使用する半田シート33の成分は限定されない。
○ 実施形態では、容器17内へのガスの入口側となる還元性ガス供給部23に減圧弁23cを設ける一方で、容器17外への出口側となるガス排出部26に絞り弁26cを設けているが、弁体の配設態様を変更しても良い。例えば、還元性ガス供給部23とガス排出部26の何れにも減圧弁23cを設けても良いし、何れにも絞り弁26cを設けても良い。また、実施形態とは逆に、還元性ガス供給部23に絞り弁26cを設ける一方で、ガス排出部26に減圧弁を設けても良い。また、容器17内へのガスの入口側となる還元性ガス供給部23のみに減圧弁又は絞り弁を設けても良い。上記の各配置態様によれば、減圧弁を設ける場合には容器17内の圧力を一定に保つことが可能である。一方で、減圧弁を設けずに絞り弁を設ける場合には、容器17内に供給するガスの流量を容器17外に排出するガスの流量よりも多く設定することで、容器17内の圧力を漸増させることが可能である。なお、容器17の入口側に接続される圧力調整手段が第1の圧力調整手段となり、容器17の出口側に接続される圧力調整手段が第2の圧力調整手段となる。
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想を以下に追記する。
(イ)前記溶融開始時圧力は、0.11MPa〜0.13MPaの範囲の圧力であることを特徴とする請求項1に記載の半田付け方法。
(イ)前記溶融開始時圧力は、0.11MPa〜0.13MPaの範囲の圧力であることを特徴とする請求項1に記載の半田付け方法。
11…回路基板、12…半導体素子、17…容器、23…還元性ガス供給部、23c…減圧弁、26…ガス排出部、26c…絞り弁、28…高周波加熱コイル、33…半田シート、35…錘、HK…半田付け装置。
Claims (10)
- 容器内に回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物を収容し、還元性ガスからなる雰囲気ガス又は当該還元性ガスを含む雰囲気ガスで前記容器内を満たした状態で前記半田を溶融温度以上の温度まで加熱して前記半田を溶融し、その後に前記温度を前記溶融温度未満の温度まで下げて前記半田を凝固させることにより、前記回路基板と半導体素子とを半田付けする半田付け方法であって、
前記容器は、密閉可能に構成されており、
前記温度が前記溶融温度に達するまでの間に前記雰囲気ガスによって前記容器内の圧力を前記常圧以上の溶融開始時圧力まで加圧するとともに、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において前記容器内の圧力を前記溶融開始時圧力以上の圧力とすることにより、加圧状態で半田付けを行うことを特徴とする半田付け方法。 - 前記溶融開始時圧力は、0.11MPa以上の圧力であることを特徴とする請求項1に記載の半田付け方法。
- 前記溶融開始時圧力は、0.13MPa以上の圧力であることを特徴とする請求項1に記載の半田付け方法。
- 前記半田溶融域では、前記溶融開始時圧力よりも高い圧力の前記雰囲気ガスを第1の圧力調整手段を介して一定圧にして導入することにより、前記容器内の圧力を一定に保つ、又は漸増させることを特徴とする請求項1〜請求項3のうちいずれか一項に記載の半田付け方法。
- 前記半田溶融域では、前記容器内の圧力を監視し、当該監視によって得られた圧力値に基づき前記溶融開始時圧力よりも高い圧力の前記雰囲気ガスを前記容器内に導入することにより、前記容器内の圧力を一定に保つ、又は漸増させることを特徴とする請求項1〜請求項3のうちいずれか一項に記載の半田付け方法。
- 前記半田溶融域では、前記雰囲気ガスを前記容器内に導入する一方で、前記容器内に導入した前記雰囲気ガスを第2の圧力調整手段を介して前記容器外に排出することにより、前記容器内で前記雰囲気ガスを流通させることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の半田付け方法。
- 前記半田付け対象物は、前記回路基板、前記半田、及び前記半導体素子の順に積層状態で前記容器内に収容するとともに、前記半導体素子の直上には当該半導体素子を前記回路基板側に押圧する押圧体を配置することを特徴とする請求項1〜請求項6のうちいずれか一項に記載の半田付け方法。
- 前記半田溶融域では、加熱終了時から凝固するまでの圧力を、加熱終了時の圧力よりも高めることを特徴とする請求項1〜請求項7のうちいずれか一項に記載の半田付け方法。
- 回路基板に半導体素子を半田付けする半田付け装置であって、
密閉可能な容器と、
前記回路基板と前記半導体素子との間に介在される半田を加熱し、溶融させる加熱手段と、
前記容器内に還元性ガスからなる雰囲気ガス又は当該還元性ガスを含む雰囲気ガスを導入するガス導入手段とを備え、
前記容器には、前記回路基板と前記半導体素子との間に前記半田を介在させた半田付け対象物を収容するとともに、
前記加熱手段は、前記ガス導入手段により前記雰囲気ガスを前記容器内に導入した状態で前記容器内の温度を前記半田の溶融温度以上の温度まで加熱して当該半田を溶融し、
前記容器内の温度が前記溶融温度に達するまでの間に前記雰囲気ガスによって前記容器内の圧力を前記常圧以上の溶融開始時圧力まで加圧するとともに、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において前記容器内の圧力を前記溶融開始時圧力以上の圧力とすることにより、加圧状態で半田付けを行うことを特徴とする半田付け装置。 - 密閉可能な容器内に回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物を収容し、還元性ガスからなる雰囲気ガス又は当該還元性ガスを含む雰囲気ガスで前記容器内を満たした状態で前記半田を溶融温度以上の温度まで加熱して前記半田を溶融し、その後に前記半田の温度を前記溶融温度未満の温度まで下げて前記半田を凝固させることにより、前記回路基板に前記半導体素子を半田付けした半導体装置の製造方法であって、
前記温度が前記溶融温度に達するまでの間に前記雰囲気ガスによって前記容器内の圧力を前記常圧以上の溶融開始時圧力まで加圧するとともに、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において前記容器内の圧力を前記溶融開始時圧力以上の圧力とすることにより、加圧状態で半田付けを行う半導体装置の製造方法。
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EP06843456A EP1968108A1 (en) | 2005-12-28 | 2006-12-27 | Soldering method, soldering apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
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---|---|---|---|
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US (1) | US20090218386A1 (ja) |
EP (1) | EP1968108A1 (ja) |
JP (1) | JP2007180447A (ja) |
KR (1) | KR20080089608A (ja) |
CN (1) | CN101390205A (ja) |
WO (1) | WO2007077877A1 (ja) |
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WO2007077877A1 (ja) | 2007-07-12 |
CN101390205A (zh) | 2009-03-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110308 |