JP2007169087A - Sintered compact, ceramic capacitor, and their production method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、セラミックコンデンサの誘電層材料として好適な焼結体とその製造方法、及びセラミックコンデンサとその製造方法に関する。 The present invention relates to a sintered body suitable for a dielectric layer material of a ceramic capacitor and a method for manufacturing the same, and a ceramic capacitor and a method for manufacturing the same.
従来より、積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体層の材料として、チタン酸バリウムがよく用いられている。また、内部電極の材料としては、ＰｔやＰｂ合金が用いられることもあるが、高価であるため、比較的安価なＮｉやＮｉ合金等の卑金属がよく用いられるようになってきている。例えば、特許文献１参照。
ＮｉやＮｉ合金を内部電極に用いた場合には、Ｎｉの球状化収縮による内部電極の切れやデラミネーション（層間剥離）などを抑制する観点から、焼成温度は１１００℃以下にするのが望ましい。しかし、現状の材料では、１１００℃以下の低温焼成では焼結しない、もしくは緻密な焼結体を得ることが困難であった。 When Ni or a Ni alloy is used for the internal electrode, the firing temperature is desirably 1100 ° C. or less from the viewpoint of suppressing internal electrode breakage and delamination (delamination) due to Ni spheroidizing shrinkage. However, with current materials, it has been difficult to obtain a dense sintered body that does not sinter or does not sinter at a low temperature firing of 1100 ° C. or lower.
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、１１００℃以下の低温焼成でも、緻密で欠陥のない焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a sintered body and a ceramic capacitor that are dense and free from defects even at a low temperature firing of 1100 ° C. or lower, and a method for producing them.
本発明の焼結体は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含むことを特徴としている。 The sintered body of the present invention is characterized by containing barium titanate as a main component, and K, B, Si, Mg elements and rare earth elements as subcomponents added to the main component.
また、本発明の焼結体は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、この主成分に添加された副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含むことを特徴としている。 In addition, the sintered body of the present invention includes barium titanate as a main component, and includes Al, Cu, Si, Mn, Mg elements and rare earth elements as subcomponents added to the main component. It is said.
主成分（チタン酸バリウム）に対して、上述したような副成分を添加することで、１１００℃以下の低温焼成でも焼結可能であり、また緻密な焼結体が得られる。 By adding the above-mentioned subcomponent to the main component (barium titanate), sintering is possible even at a low temperature firing of 1100 ° C. or lower, and a dense sintered body is obtained.
また、本発明のセラミックコンデンサは、複数の電極と、これら電極間に設けられ、主成分（チタン酸バリウム）と上述の副成分とを含む誘電体層と、を備えたことを特徴としている。 The ceramic capacitor of the present invention is characterized by comprising a plurality of electrodes and a dielectric layer provided between the electrodes and containing a main component (barium titanate) and the above-mentioned subcomponent.
誘電体層の低温焼成が可能になることで、電極の球状化収縮による電極の切れやデラミネーションなどの構造欠陥を抑制できる。 Since the dielectric layer can be fired at a low temperature, structural defects such as electrode breakage and delamination due to spheroidizing shrinkage of the electrode can be suppressed.
また、本発明の焼結体の製造方法は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ｋの化合物と、Ｂの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加して焼成することを特徴としている。 In the method for producing a sintered body of the present invention, a compound of K, a compound of B, a compound of Si, a compound of Mg, and a compound of a rare earth element are added to barium titanate as a raw material of an auxiliary component. It is characterized by adding and firing.
また、本発明の焼結体の製造方法は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ａｌの化合物と、Ｃｕの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｎの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加して焼成することを特徴としている。 Further, the method for producing a sintered body of the present invention includes: barium titanate, as an auxiliary component raw material, an Al compound, a Cu compound, an Si compound, an Mn compound, an Mg compound, and a rare earth It is characterized by adding an elemental compound and firing.
また、本発明のセラミックコンデンサの製造方法は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ｋの化合物と、Ｂの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加したものを用いてシート状の誘電体層を形成する工程と、複数の誘電体層の間に電極を介在させてこれらを積層する工程と、を備えたことを特徴としている。 In the method for manufacturing a ceramic capacitor of the present invention, a compound of K, a compound of B, a compound of Si, a compound of Mg, and a compound of rare earth element are added to barium titanate as a raw material of the accessory component. And a step of forming a sheet-like dielectric layer using the above and a step of laminating them by interposing electrodes between a plurality of dielectric layers.
また、本発明のセラミックコンデンサの製造方法は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ａｌの化合物と、Ｃｕの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｎの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加したものを用いてシート状の誘電体層を形成する工程と、複数の誘電体層の間に電極を介在させてこれらを積層する工程と、を備えたことを特徴としている。 In addition, the method for producing a ceramic capacitor of the present invention includes: barium titanate, a raw material of an auxiliary component, an Al compound, a Cu compound, an Si compound, an Mn compound, an Mg compound, and a rare earth element. Characterized in that it comprises a step of forming a sheet-like dielectric layer using a compound added with the above compound, and a step of laminating them by interposing electrodes between a plurality of dielectric layers. .
本発明によれば、焼結体の品質を損なわずに、従来よりも低温での焼成が可能になる。この結果、製造コストを下げることができ、また、電極の球状化収縮を抑制してコンデンサの容量低下を抑制することができる。 According to the present invention, firing at a lower temperature than before can be performed without impairing the quality of the sintered body. As a result, the manufacturing cost can be reduced, and the reduction in capacitance of the capacitor can be suppressed by suppressing the spheroidizing shrinkage of the electrode.
以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係る焼結体は、主成分として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。希土類元素は、例えば、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる１種以上の元素である。また、副成分として、その他の元素、例えばＢａ、Ｍｎなどを含んでいてもよい。
[First Embodiment]
The sintered body according to the first embodiment of the present invention includes barium titanate (BaTiO 3 ) as a main component, and K, B, Si, and Mg elements as subcomponents added to the main component. And rare earth elements. The rare earth element is, for example, one or more elements selected from Y, Dy, and Ho. Moreover, other elements, such as Ba and Mn, may be included as subcomponents.
このような焼結体は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、ＫとＢの水和物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加し、これを還元性雰囲気で焼成することで得られる。チタン酸バリウムは、例えば、酸化チタンの粉末と炭酸バリウムの粉末とを混合して熱処理する固相法にて合成することができる。なお、固相法に限らず、水熱法、シュウ酸法、ゾルゲル法などによりチタン酸バリウムを合成してもよい。 In such a sintered body, K and B hydrates, Si compounds, Mg compounds, and rare earth element compounds are added to barium titanate as raw materials of subcomponents and reduced. It can be obtained by firing in a neutral atmosphere. Barium titanate can be synthesized, for example, by a solid phase method in which titanium oxide powder and barium carbonate powder are mixed and heat-treated. Note that barium titanate may be synthesized not only by the solid phase method but also by a hydrothermal method, an oxalic acid method, a sol-gel method, or the like.
本実施形態に係る焼結体によれば、主成分（チタン酸バリウム）に対して、上述のような副成分を添加することで、１１００℃以下の低温焼成でも焼結が可能になり、また、緻密な焼結体が得られた。さらに、低温での焼成により、製造コストの低減も図れる。 According to the sintered body according to the present embodiment, by adding the above-described subcomponent to the main component (barium titanate), sintering is possible even at a low temperature firing of 1100 ° C. or lower. A dense sintered body was obtained. Furthermore, the manufacturing cost can be reduced by firing at a low temperature.
図１は、本実施形態に係るセラミックコンデンサの断面構造を例示する模式断面図である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating the cross-sectional structure of a ceramic capacitor according to this embodiment.
このセラミックコンデンサは、対向する内部電極２間に、上述の主成分及び副成分を含む誘電体層１が設けられた構造を有する。これは、上述の主成分及び副成分を含むものをシート状に成形したグリーンシートの片面に内部電極２を形成し、これを複数枚積層して焼成することで得られる。また、この積層体の側面には、内部電極２の端部に接続された外部電極３、４が設けられている。
This ceramic capacitor has a structure in which a
内部電極２や外部電極３、４の材料としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の金属もしくはこれらの合金、Ｉｎ−Ｇａ、Ａｇ、Ａｇ−１０Ｐｄ合金等、または、カーボン、グラファイト、カーボンとグラファイトの混合物等を用いることができる。
Examples of the material for the
内部電極２は、例えば、上記の主たる材料からなる粉末に、有機バインダ、分散剤、有機溶剤、必要に応じて還元剤等を所定量加えた後に混練し、所定の粘度とした導電ペーストを、グリーンシートの片面に所定のパターンとなるように印刷し、還元雰囲気中で焼成することにより形成される。内部電極２としては、比較的安価なＮｉまたはＮｉ合金が望ましい。
The
また、外部電極３、４としては、低抵抗で安価であることからＣｕが望ましい。外部電極３、４は、内部電極２及び誘電体層１からなる積層体に対して、その外側面に塗布法などを用いて形成される。
Further, as the
本実施形態に係るセラミックコンデンサによれば、１１００℃以下の低温焼成が可能になることから、特にＮｉやＮｉ合金を内部電極２に用いた場合でも、Ｎｉの球状化収縮を抑制でき、これに起因する電極の切れやデラミネーションなどの構造欠陥を防げる。これにより、コンデンサの容量低下を抑制できる。
According to the ceramic capacitor according to the present embodiment, low-temperature firing at 1100 ° C. or lower is possible, and thus even when Ni or Ni alloy is used for the
次に、本実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法の一例について説明する。 Next, an example of a method for manufacturing a ceramic capacitor according to this embodiment will be described.
まず、誘電体層の主成分ＢａＴｉＯ３の原料として、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２を、ＢａＴｉＯ３におけるＢａ／Ｔｉ比が１．０００〜１．０１１の範囲内となるように秤量して、調合する。 First, BaCO 3 and TiO 2 are weighed and mixed so that the Ba / Ti ratio in BaTiO 3 is in the range of 1.000 to 1.011 as raw materials for the main component BaTiO 3 of the dielectric layer.
次に、上記主成分の化合物をボールミルに入れ、水を加えて湿式で約２０時間混合・粉砕を行いスラリーとする。そして、このスラリーを脱水・乾燥し、１０００℃以上で仮焼した後、粉砕して、平均粒子径が０．２μｍ未満となるように整粒した。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡によって粉末を観察し、１００個の粒子の粒子径を測長して求めた。 Next, the main component compound is put in a ball mill, water is added, and the mixture is wet-mixed for about 20 hours to obtain a slurry. The slurry was dehydrated and dried, calcined at 1000 ° C. or higher, pulverized, and sized so that the average particle size was less than 0.2 μm. The average particle size was determined by observing the powder with a scanning electron microscope and measuring the particle size of 100 particles.
次に、上記主成分に対して、Ｋ２Ｏ・２Ｂ２Ｏ３・５Ｈ２Ｏ、ＢａＣＯ３、ＭｇＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＳｉＯ２、Ｒｅ２Ｏ３（Ｒｅは、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる１種以上の元素）の各化合物の粉末を各々秤量し、これらの化合物をボールミルに入れ、トルエン−エタノール混合溶剤、ポリビニルブチラール系バインダおよび可塑剤とともに適度な粘度になるまで混合し、ドクターブレード法によりグリーンシートを作製した。 Next, K 2 O.2B 2 O 3 .5H 2 O, BaCO 3 , MgO, Mn 3 O 4 , SiO 2 , Re 2 O 3 (Re is from Y, Dy, Ho) Each compound powder of one or more selected elements is weighed, put into a ball mill, and mixed with a toluene-ethanol mixed solvent, a polyvinyl butyral binder and a plasticizer until an appropriate viscosity is obtained. Green sheets were produced by the blade method.
次に、各グリーンシート上に、Ｎｉ粉末からなる導電ペーストを用いて内部電極を所定形状にスクリーン印刷した後、その導電ペーストが印刷されたグリーンシートを複数積層し、熱圧着して一体化し、積層体を作製した。 Next, on each green sheet, after the internal electrode is screen-printed in a predetermined shape using a conductive paste made of Ni powder, a plurality of green sheets on which the conductive paste is printed are stacked, integrated by thermocompression bonding, A laminate was produced.
そして、その積層体を空気中にて加熱することで有機バインダを除去した後、１１００℃の還元性雰囲気で２時間焼成した後、さらに１０００℃のＮ２ガス雰囲気中で２時間再酸化処理し、この後、内部電極が露出している積層体の端面部に外部電極を焼き付け、図１に例示される構造が得られる。 And after removing the organic binder by heating the laminate in the air, it was baked in a reducing atmosphere at 1100 ° C. for 2 hours and then re-oxidized in an N 2 gas atmosphere at 1000 ° C. for 2 hours. Thereafter, the external electrode is baked on the end surface portion of the laminate in which the internal electrode is exposed, and the structure illustrated in FIG. 1 is obtained.
次に、表１に、誘電体層の組成を様々に変えた実施例１〜１１及び比較例Ａ〜Ｋについての各種評価結果を示す。
実施例１〜１１及び比較例Ａ〜Ｋにおいて、誘電体層一層あたりの厚さは５μｍで、有効誘電体層は１０層とした。また、一層あたりの内部（対向）電極面積は、０．９１×１０−６［ｍｍ２］である。 In Examples 1 to 11 and Comparative Examples A to K, the thickness per dielectric layer was 5 μm, and the effective dielectric layer was 10 layers. Moreover, the internal (counter) electrode area per layer is 0.91 × 10 −6 [mm 2 ].
比誘電率εは、温度２５［℃］、周波数１［ｋＨｚ］、電圧２．５［Ｖ］の条件で、ＬＣＲメーターを用いて静電容量を測定し、この測定によって得られた静電容量、誘電体層の厚さ、及び内部電極面積から算出した。 The relative dielectric constant ε is a capacitance obtained by measuring an electrostatic capacity using an LCR meter under conditions of a temperature of 25 [° C.], a frequency of 1 [kHz], and a voltage of 2.5 [V]. The thickness was calculated from the thickness of the dielectric layer and the area of the internal electrode.
誘電損失ｔａｎδは、上記比誘電率と同一条件下で、ＬＣＲメーターを用いて測定した。 The dielectric loss tan δ was measured using an LCR meter under the same conditions as the relative dielectric constant.
絶縁抵抗Ｒは、２５℃の条件下で、実施例１〜１１及び比較例Ａ〜Ｋの各積層セラミックコンデンサに、直流１００［Ｖ］の電圧を３分間印加し測定した。 The insulation resistance R was measured by applying a voltage of DC 100 [V] for 3 minutes to each of the multilayer ceramic capacitors of Examples 1 to 11 and Comparative Examples A to K under the condition of 25 ° C.
容量変化率は、実施例１〜１１及び比較例Ａ〜Ｋの各積層セラミックコンデンサを恒温層に入れ、−５５℃から８５℃の各温度において、周波数１［ｋＨｚ］、電圧２．５［Ｖ］の条件で、ＬＣＲメーターを用いて静電容量を測定し、２５℃の静電容量に対する静電容量の変化を求めることによって得た。この静電容量の変化率から、ＥＩＡ（Electronic Industries Association）のＸ５Ｒ規格（−５５℃から８５℃の容量変化率（２５℃基準）がプラスマイナス１５％）の適合性を判断した。 The rate of change in capacitance was determined by putting each of the multilayer ceramic capacitors of Examples 1 to 11 and Comparative Examples A to K into a constant temperature layer, and at a temperature of −55 ° C. to 85 ° C., a frequency of 1 [kHz] and a voltage of 2.5 [V ] Was obtained by measuring the capacitance using an LCR meter and determining the change in capacitance with respect to the capacitance at 25 ° C. From this rate of change in capacitance, the suitability of the EIA (Electronic Industries Association) X5R standard (capacity change rate from -55 ° C. to 85 ° C. (25 ° C. standard) is plus or minus 15%) was judged.
また、「焼結しない」とは、厚さ４０μｍのグリーンシートを複数枚重ねて厚さ１ｍｍになるようにし、その後１ｃｍ角に切断し焼成して得た密度測定用サンプルにて密度を測定し、これが５．７以下の密度の場合に、「焼結しない」とした。 “Do not sinter” means that a plurality of green sheets with a thickness of 40 μm are stacked so as to have a thickness of 1 mm, and then the density is measured with a sample for density measurement obtained by cutting into 1 cm square and firing. In the case where the density is 5.7 or less, “not sintered” is set.
表１において、１列目の項目は、誘電体層の主成分ＢａＴｉＯ３におけるＢａ／Ｔｉ比を表す。 In Table 1, the item in the first column represents the Ba / Ti ratio in the main component BaTiO 3 of the dielectric layer.
また、副成分における、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏの各数値は、主成分（ＢａＴｉＯ３）１００モル部に対して、Ｋ化合物のＫに換算したモル部、Ｂ化合物のＢに換算したモル部、Ｓｉ化合物のＳｉに換算したモル部、Ｍｇ化合物のＭｇに換算したモル部、Ｙ化合物のＹに換算したモル部、Ｄｙ化合物のＤｙに換算したモル部、Ｈｏ化合物のＨｏに換算したモル部、をそれぞれを表す。 In addition, the numerical values of K, B, Si, Mg, Y, Dy, and Ho in the subcomponents are based on 100 parts by mole of the main component (BaTiO 3 ), in mole parts converted to K of the K compound, The mole part converted to B, the mole part converted to Si of the Si compound, the mole part converted to Mg of the Mg compound, the mole part converted to Y of the Y compound, the mole part converted to Dy of the Dy compound, the Ho compound Each represents a molar part converted to Ho.
表１の結果より、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００より小さい比較例Ｉは、比誘電率が低く、またＸ５Ｒ規格に不適合であった。Ｂａ／Ｔｉ比が１．０１１より大きい比較例Ｈは、比誘電率が低かった。したがって、Ｂａ／Ｔｉ比は、１．０００〜１．０１１が望ましい。 From the results shown in Table 1, Comparative Example I having a Ba / Ti ratio of less than 1.000 had a low relative dielectric constant and was incompatible with the X5R standard. In Comparative Example H where the Ba / Ti ratio was greater than 1.011, the relative dielectric constant was low. Therefore, the Ba / Ti ratio is desirably 1.000 to 1.011.
また、主成分１００モル部に対するＫ化合物のＫに換算した割合が０．２５モル部より小さい比較例Ａは、１１００℃では焼結しなかった。Ｋ化合物のＫに換算した割合が１．００モル部より大きい比較例Ｂは、比誘電率が低く、またＸ５Ｒ規格に不適合であった。同じくＫ化合物のＫに換算した割合が１．００モル部より大きい比較例Ｅは、比誘電率が低かった。したがって、主成分１００モル部に対するＫ化合物のＫに換算した割合は、０．２５〜１．００モル部が望ましい。 Further, Comparative Example A in which the ratio of the K compound converted to K with respect to 100 mol parts of the main component was smaller than 0.25 mol parts did not sinter at 1100 ° C. Comparative Example B in which the ratio of K compound converted to K was larger than 1.00 mol part had a low relative dielectric constant and was incompatible with the X5R standard. Similarly, Comparative Example E in which the ratio of the K compound converted to K was larger than 1.00 mol part had a low relative dielectric constant. Therefore, the ratio of K compound converted to K with respect to 100 mol parts of the main component is preferably 0.25 to 1.00 mol parts.
また、主成分１００モル部に対するＢ化合物のＢに換算した割合が０．５０モル部より小さい比較例Ａ及び比較例Ｃは、１１００℃では焼結しなかった。Ｂ化合物のＢに換算した割合が２．００モル部より大きい比較例Ｂ及び比較例Ｄは、比誘電率が低く、またＸ５Ｒ規格に不適合であった。したがって、主成分１００モル部に対するＢ化合物のＢに換算した割合は、０．５０〜２．００モル部が望ましい。 Further, Comparative Example A and Comparative Example C, in which the ratio of the B compound to B relative to 100 mol parts of the main component was smaller than 0.50 mol parts, were not sintered at 1100 ° C. Comparative Example B and Comparative Example D, in which the ratio of the B compound converted to B was larger than 2.00 mol parts, had a low relative dielectric constant and were incompatible with the X5R standard. Therefore, the ratio of the B compound converted to B with respect to 100 mol parts of the main component is preferably 0.50 to 2.00 mol parts.
また、主成分１００モル部に対するＳｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．１０モル部より小さい比較例Ｆは、１１００℃では焼結しなかった。Ｓｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．９０モル部より大きい比較例Ｇは、比誘電率が低く、またＸ５Ｒ規格に不適合であった。したがって、主成分１００モル部に対するＳｉ化合物のＳｉに換算した割合は、１．１０〜１．７０モル部が望ましい。 In addition, Comparative Example F in which the ratio of the Si compound to 100 mol parts of the Si compound in terms of Si was smaller than 1.10 mol parts was not sintered at 1100 ° C. Comparative Example G in which the ratio of Si compound converted to Si was larger than 1.90 mol part had a low relative dielectric constant and was incompatible with the X5R standard. Therefore, the ratio of Si compound converted to Si with respect to 100 mol parts of the main component is desirably 1.10 to 1.70 mol parts.
また、主成分１００モル部に対する希土類元素（Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ）化合物の希土類元素（Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ）に換算した割合が０．７０モル部より小さい比較例Ｊは、１１００℃では焼結しなかった。希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合が１．６０モル部より大きい比較例Ｋは、比誘電率が低かった。したがって、主成分１００モル部に対する希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合は、０．７０〜１．６０モル部が望ましい。 Further, Comparative Example J in which the ratio of the rare earth element (Y, Dy, Ho) compound converted to the rare earth element (Y, Dy, Ho) with respect to 100 mol parts of the main component is smaller than 0.70 mol parts is sintered at 1100 ° C. I didn't. In Comparative Example K in which the ratio of the rare earth element compound converted to the rare earth element was larger than 1.60 mol parts, the relative dielectric constant was low. Therefore, the ratio of the rare earth element compound converted to the rare earth element with respect to 100 mol parts of the main component is preferably 0.70 to 1.60 mol parts.
なお、上述の望ましい条件をすべて満足する実施例１〜１１について、主成分１００モル部に対するＭｇ化合物のＭｇに換算した割合は、１．００〜１．７０モル部の範囲内であった。 In addition, about Examples 1-11 which satisfy | fill all the above-mentioned desirable conditions, the ratio converted into Mg of Mg compound with respect to 100 mol part of main components was in the range of 1.00-1.70 mol part.
以上の結果より、主成分のＢａ／主成分のＴｉ比が１．０００〜１．０１１であり、主成分１００モル部に対して、Ｋ化合物のＫに換算した割合が０．２５〜１．００モル部、Ｂ化合物のＢに換算した割合が０．５０〜２．００モル部、Ｓｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．１０〜１．７０モル部、Ｍｇ化合物のＭｇに換算した割合が１．００〜１．７０モル部、希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合が０．７０〜１．６０モル部であることが望ましい。これを満足する実施例１〜１１では、１１００℃以下でも正常に焼結し、高い比誘電率が得られ、かつＸ５Ｒ規格にも適合する。 From the above results, the Ba ratio of the main component / Ti ratio of the main component is 1.000 to 1.011, and the ratio of the K compound converted to K with respect to 100 mol parts of the main component is 0.25 to 1. 00 parts by mole, the ratio of B compound converted to B is 0.50 to 2.00 mole part, the ratio of Si compound converted to Si is 1.10 to 1.70 mole part, the ratio of Mg compound converted to Mg Is preferably 1.00 to 1.70 mole parts, and the ratio of the rare earth element compound converted to rare earth elements is 0.70 to 1.60 mole parts. In Examples 1 to 11 that satisfy this requirement, sintering is normally performed even at 1100 ° C. or lower, a high dielectric constant is obtained, and the X5R standard is also satisfied.
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
本発明の第２の実施形態に係る焼結体は、主成分として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を含み、この主成分に添加された副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。希土類元素は、例えば、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる１種以上の元素である。また、副成分として、その他元素、例えばＢａなどを含んでいてもよい。 The sintered body according to the second embodiment of the present invention contains barium titanate (BaTiO 3 ) as a main component, and subcomponents added to the main component include Al, Cu, Si, Mn, and Mg. Contains each element and rare earth elements. The rare earth element is, for example, one or more elements selected from Y, Dy, and Ho. Moreover, other elements, for example, Ba etc. may be included as a subcomponent.
このような焼結体は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ａｌの化合物と、Ｃｕの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｎの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加し、これを還元性雰囲気で焼成することで得られる。チタン酸バリウムは、例えば、酸化チタンの粉末と炭酸バリウムの粉末とを混合して熱処理する固相法にて合成することができる。なお、固相法に限らず、水熱法、シュウ酸法、ゾルゲル法などによりチタン酸バリウムを合成してもよい。 Such a sintered body contains barium titanate, as an auxiliary component raw material, an Al compound, a Cu compound, an Si compound, an Mn compound, an Mg compound, and a rare earth element compound. It is obtained by adding and baking in a reducing atmosphere. Barium titanate can be synthesized, for example, by a solid phase method in which titanium oxide powder and barium carbonate powder are mixed and heat-treated. Note that barium titanate may be synthesized not only by the solid phase method but also by a hydrothermal method, an oxalic acid method, a sol-gel method, or the like.
本実施形態に係る焼結体によれば、主成分（チタン酸バリウム）に対して、上述のような副成分を添加することで、１１００℃以下の低温焼成でも焼結が可能になり、また、緻密な焼結体が得られた。さらに、低温での焼成により、製造コストの低減も図れる。 According to the sintered body according to the present embodiment, by adding the above-described subcomponent to the main component (barium titanate), sintering is possible even at a low temperature firing of 1100 ° C. or lower. A dense sintered body was obtained. Furthermore, the manufacturing cost can be reduced by firing at a low temperature.
第２の実施形態に係るセラミックコンデンサの断面構造は、第１の実施形態と同様であり、図１に例示されるように、対向する内部電極２間に、上述の主成分及び副成分を含む誘電体層１が設けられた構造を有する。
The cross-sectional structure of the ceramic capacitor according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and includes the above-mentioned main component and subcomponent between the opposing
そして、第２の実施形態に係るセラミックコンデンサにおいても、１１００℃以下の低温焼成が可能になることから、特にＮｉやＮｉ合金を内部電極２に用いた場合でも、Ｎｉの球状化収縮を抑制でき、これに起因する電極の切れやデラミネーションなどの構造欠陥を防げる。これにより、コンデンサの容量低下を抑制できる。
The ceramic capacitor according to the second embodiment can also be fired at a low temperature of 1100 ° C. or lower, so that Ni spheroidizing shrinkage can be suppressed even when Ni or Ni alloy is used for the
次に、第２の実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法の一例について説明する。 Next, an example of a method for manufacturing a ceramic capacitor according to the second embodiment will be described.
まず、誘電体層の主成分ＢａＴｉＯ３の原料として、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２を、ＢａＴｉＯ３におけるＢａ／Ｔｉ比が１．０００〜１．００８の範囲内となるように秤量して、調合する。 First, BaCO 3 and TiO 2 are weighed and mixed so that the Ba / Ti ratio in BaTiO 3 is in the range of 1.000 to 1.008 as the raw material for the main component BaTiO 3 of the dielectric layer.
次に、上記主成分の化合物をボールミルに入れ、水を加えて湿式で約２０時間混合・粉砕を行いスラリーとする。そして、このスラリーを脱水・乾燥し、１０００℃以上で仮焼した後、粉砕して、平均粒子径が０．２μｍ未満となるように整粒した。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡によって粉末を観察し、１００個の粒子の粒子径を測長して求めた。 Next, the main component compound is put in a ball mill, water is added, and the mixture is wet-mixed for about 20 hours to obtain a slurry. The slurry was dehydrated and dried, calcined at 1000 ° C. or higher, pulverized, and sized so that the average particle size was less than 0.2 μm. The average particle size was determined by observing the powder with a scanning electron microscope and measuring the particle size of 100 particles.
次に、上記主成分に対して、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＢａＣＯ３、ＭｇＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＳｉＯ２、Ｒｅ２Ｏ３（Ｒｅは、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる１種以上の元素）の各化合物の粉末を各々秤量し、これらの化合物をボールミルに入れ、トルエン−エタノール混合溶剤、ポリビニルブチラール系バインダおよび可塑剤とともに適度な粘度になるまで混合し、ドクターブレード法によりグリーンシートを作製した。 Next, with respect to the main component, Al 2 O 3 , CuO, BaCO 3 , MgO, Mn 3 O 4 , SiO 2 , Re 2 O 3 (Re is one or more selected from Y, Dy, and Ho) Weigh each compound powder of each element), put these compounds in a ball mill, mix with toluene-ethanol mixed solvent, polyvinyl butyral binder and plasticizer until appropriate viscosity is obtained. Produced.
次に、各グリーンシート上に、Ｎｉ粉末からなる導電ペーストを用いて内部電極を所定形状にスクリーン印刷した後、その導電ペーストが印刷されたグリーンシートを複数積層し、熱圧着して一体化し、積層体を作製した。 Next, on each green sheet, after the internal electrode is screen-printed in a predetermined shape using a conductive paste made of Ni powder, a plurality of green sheets on which the conductive paste is printed are stacked, integrated by thermocompression bonding, A laminate was produced.
そして、その積層体を空気中にて加熱することで有機バインダを除去した後、１１００℃の還元性雰囲気で２時間焼成した後、さらに１０００℃のＮ２ガス雰囲気中で２時間再酸化処理し、この後、内部電極が露出している積層体の端面部に外部電極を焼き付け、図１に例示される構造が得られる。 And after removing the organic binder by heating the laminate in the air, it was baked in a reducing atmosphere at 1100 ° C. for 2 hours and then re-oxidized in an N 2 gas atmosphere at 1000 ° C. for 2 hours. Thereafter, the external electrode is baked on the end surface portion of the laminate in which the internal electrode is exposed, and the structure illustrated in FIG. 1 is obtained.
次に、表２に、誘電体層の組成を様々に変えた実施例１２〜２４及び比較例Ｌ〜Ｘについての各種評価結果を示す。
実施例１２〜２４及び比較例Ｌ〜Ｘにおいて、誘電体層一層あたりの厚さは５μｍで、有効誘電体層は１０層とした。また、一層あたりの内部（対向）電極面積は、０．９１×１０−６［ｍｍ２］である。 In Examples 12 to 24 and Comparative Examples L to X, the thickness per dielectric layer was 5 μm, and the effective dielectric layer was 10 layers. Moreover, the internal (counter) electrode area per layer is 0.91 × 10 −6 [mm 2 ].
比誘電率εは、温度２５［℃］、周波数１［ｋＨｚ］、電圧２．５［Ｖ］の条件で、ＬＣＲメーターを用いて静電容量を測定し、この測定によって得られた静電容量、誘電体層の厚さ、及び内部電極面積から算出した。 The relative dielectric constant ε is a capacitance obtained by measuring an electrostatic capacity using an LCR meter under conditions of a temperature of 25 [° C.], a frequency of 1 [kHz], and a voltage of 2.5 [V]. The thickness was calculated from the thickness of the dielectric layer and the area of the internal electrode.
誘電損失ｔａｎδは、上記比誘電率と同一条件下で、ＬＣＲメーターを用いて測定した。 The dielectric loss tan δ was measured using an LCR meter under the same conditions as the relative dielectric constant.
絶縁抵抗Ｒは、２５℃の条件下で、実施例１２〜２４及び比較例Ｌ〜Ｘの各積層セラミックコンデンサに、直流１００［Ｖ］の電圧を３分間印加し測定した。 The insulation resistance R was measured by applying a voltage of DC 100 [V] for 3 minutes to each of the multilayer ceramic capacitors of Examples 12 to 24 and Comparative Examples L to X under the condition of 25 ° C.
容量変化率は、実施例１２〜２４及び比較例Ｌ〜Ｘの各積層セラミックコンデンサを恒温層に入れ、−５５℃から８５℃の各温度において、周波数１［ｋＨｚ］、電圧２．５［Ｖ］の条件で、ＬＣＲメーターを用いて静電容量を測定し、２５℃の静電容量に対する静電容量の変化を求めることによって得た。この静電容量の変化率から、ＥＩＡ（Electronic Industries Association）のＸ５Ｒ規格（−５５℃から８５℃の容量変化率（２５℃基準）がプラスマイナス１５％）の適合性を判断した。 The rate of change in capacitance was determined by putting each of the multilayer ceramic capacitors of Examples 12 to 24 and Comparative Examples L to X into a constant temperature layer, and at a temperature of −55 ° C. to 85 ° C., a frequency of 1 [kHz] and a voltage of 2.5 [V ] Was obtained by measuring the capacitance using an LCR meter and determining the change in capacitance with respect to the capacitance at 25 ° C. From this rate of change in capacitance, the suitability of the EIA (Electronic Industries Association) X5R standard (capacity change rate from -55 ° C. to 85 ° C. (25 ° C. standard) is plus or minus 15%) was judged.
また、「焼結しない」とは、厚さ４０μｍのグリーンシートを複数枚重ねて厚さ１ｍｍになるようにし、その後１ｃｍ角に切断し焼成して得た密度測定用サンプルにて密度を測定し、これが５．７以下の密度の場合に、「焼結しない」とした。 “Do not sinter” means that a plurality of green sheets with a thickness of 40 μm are stacked so as to have a thickness of 1 mm, and then the density is measured with a sample for density measurement obtained by cutting into 1 cm square and firing. In the case where the density is 5.7 or less, “not sintered” is set.
表２において、１列目の項目は、誘電体層の主成分ＢａＴｉＯ３におけるＢａ／Ｔｉ比を表す。 In Table 2, the item in the first column represents the Ba / Ti ratio in the main component BaTiO 3 of the dielectric layer.
また、副成分における、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏの各数値は、主成分（ＢａＴｉＯ３）１００モル部に対して、Ａｌ化合物のＡｌに換算したモル部、Ｃｕ化合物のＣｕに換算したモル部、Ｓｉ化合物のＳｉに換算したモル部、Ｍｎ化合物のＭｎに換算したモル部、Ｍｇ化合物のＭｇに換算したモル部、Ｙ化合物のＹに換算したモル部、Ｄｙ化合物のＤｙに換算したモル部、Ｈｏ化合物のＨｏに換算したモル部、をそれぞれ表す。 In addition, each numerical value of Al, Cu, Si, Mn, Mg, Y, Dy, and Ho in the subcomponent is a molar part converted to Al of the Al compound with respect to 100 molar parts of the main component (BaTiO 3 ), Cu Mol part converted to Cu of compound, mol part converted to Si of Si compound, mol part converted to Mn of Mn compound, mol part converted to Mg of Mg compound, mol part converted to Y of Y compound, Dy The molar part converted to Dy of the compound and the molar part converted to Ho of the Ho compound are respectively represented.
表２の結果より、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００より小さい比較例Ｔは、Ｘ５Ｒ規格に不適合であった。Ｂａ／Ｔｉ比が１．００８より大きい比較例Ｘは、１１００℃では焼結しなかった。したがって、Ｂａ／Ｔｉ比は、１．０００〜１．００８が望ましい。 From the results shown in Table 2, Comparative Example T having a Ba / Ti ratio of less than 1.000 was incompatible with the X5R standard. Comparative Example X with a Ba / Ti ratio greater than 1.008 did not sinter at 1100 ° C. Therefore, the Ba / Ti ratio is desirably 1.000 to 1.008.
また、主成分１００モル部に対するＡｌ化合物のＡｌに換算した割合が０．１５モル部より小さい比較例Ｌは、１１００℃では焼結しなかった。Ａｌ化合物のＡｌに換算した割合が０．５０モル部より大きい比較例Ｏは、比誘電率が低かった。したがって、主成分１００モル部に対するＡｌ化合物のＡｌに換算した割合は、０．１５〜０．５０モル部が望ましい。 Further, Comparative Example L in which the ratio of the Al compound converted to Al with respect to 100 mol parts of the main component was smaller than 0.15 mol parts was not sintered at 1100 ° C. Comparative Example O in which the ratio of Al compound converted to Al was larger than 0.50 mol part had a low relative dielectric constant. Therefore, the ratio of the Al compound converted to Al with respect to 100 mol parts of the main component is preferably 0.15 to 0.50 mol parts.
また、主成分１００モル部に対するＣｕ化合物のＣｕに換算した割合が０．１０モル部より小さい比較例Ｎは、１１００℃では焼結しなかった。Ｃｕ化合物のＣｕに換算した割合が０．７０モル部より大きい比較例Ｍは、絶縁抵抗が低く、またＸ５Ｒ規格に不適合であった。したがって、主成分１００モル部に対するＣｕ化合物のＣｕに換算した割合は、０．１０〜０．７０モル部が望ましい。 Further, Comparative Example N in which the ratio of the Cu compound converted to Cu with respect to 100 mol parts of the main component was smaller than 0.10 mol parts was not sintered at 1100 ° C. Comparative Example M in which the ratio of Cu compound converted to Cu is larger than 0.70 mol part has low insulation resistance and is incompatible with the X5R standard. Therefore, the ratio of the Cu compound converted to Cu with respect to 100 mol parts of the main component is preferably 0.10 to 0.70 mol parts.
また、主成分１００モル部に対するＳｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．３０モル部より小さい比較例Ｓは、１１００℃では焼結しなかった。Ｓｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．９０モル部より大きい比較例Ｒは、Ｘ５Ｒ規格に不適合であった。したがって、主成分１００モル部に対するＳｉ化合物のＳｉに換算した割合は、１．３０〜１．９０モル部が望ましい。 In addition, Comparative Example S in which the ratio of Si compound to 100 mol parts of the Si compound in terms of Si was smaller than 1.30 mol parts was not sintered at 1100 ° C. Comparative Example R in which the ratio of the Si compound converted to Si was larger than 1.90 mol part was incompatible with the X5R standard. Therefore, the ratio of Si compound converted to Si with respect to 100 mol parts of the main component is desirably 1.30 to 1.90 mol parts.
また、主成分１００モル部に対するＭｎ化合物のＭｎに換算した割合が０．１０モル部より小さい比較例Ｐは、１１００℃では焼結しなかった。Ｍｎ化合物のＭｎに換算した割合が０．５０モル部より大きい比較例Ｑは、比誘電率が低かった。したがって、主成分１００モル部に対するＭｎ化合物のＭｎに換算した割合は、０．１０〜０．５０モル部が望ましい。 Further, Comparative Example P in which the ratio of Mn compound to Mn with respect to 100 mol parts of the main component was smaller than 0.10 mol parts was not sintered at 1100 ° C. In Comparative Example Q in which the ratio of Mn compound converted to Mn was larger than 0.50 mol part, the relative dielectric constant was low. Therefore, the ratio of the Mn compound converted to Mn with respect to 100 mol parts of the main component is preferably 0.10 to 0.50 mol parts.
また、主成分１００モル部に対するＭｇ化合物のＭｇに換算した割合が１．００モル部より小さい比較例Ｖは、１１００℃では焼結しなかった。Ｍｇ化合物のＭｇに換算した割合が２．００モル部より大きい比較例Ｕは、１１００℃では焼結しなかった。したがって、主成分１００モル部に対するＭｇ化合物のＭｇに換算した割合は、１．００〜２．００モル部が望ましい。 Further, Comparative Example V in which the ratio of the Mg compound to 100 mol parts of the main component in terms of Mg was smaller than 1.00 mol parts was not sintered at 1100 ° C. The comparative example U in which the ratio of Mg compound converted to Mg was larger than 2.00 mol parts was not sintered at 1100 ° C. Therefore, the ratio of the Mg compound converted to Mg with respect to 100 mol parts of the main component is preferably 1.00 to 2.00 mol parts.
また、主成分１００モル部に対する希土類元素（Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ）化合物の希土類元素に換算した割合が０．８０モル部より小さい比較例Ｘは、１１００℃では焼結しなかった。希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合が１．６０モル部より大きい比較例Ｗは、１１００℃では焼結しなかった。したがって、主成分１００モル部に対する希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合は、０．８０〜１．６０モル部が望ましい。 Further, Comparative Example X in which the ratio of the rare earth element (Y, Dy, Ho) compound to the rare earth element relative to 100 mole parts of the main component was smaller than 0.80 mole part was not sintered at 1100 ° C. The comparative example W in which the ratio of the rare earth element compound converted to the rare earth element was larger than 1.60 mol parts was not sintered at 1100 ° C. Therefore, the ratio of the rare earth element compound converted to the rare earth element with respect to 100 mol parts of the main component is desirably 0.80 to 1.60 mol parts.
以上の結果より、主成分のＢａ／主成分のＴｉ比が１．０００〜１．００８であり、主成分１００モル部に対して、Ａｌ化合物のＡｌに換算した割合が０．１５〜０．５０モル部、Ｃｕ化合物のＣｕに換算した割合が０．１０〜０．７０モル部、Ｓｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．３０〜１．９０モル部、Ｍｎ化合物のＭｎに換算した割合が０．１０〜０．５０モル部、Ｍｇ化合物のＭｇに換算した割合が１．００〜２．００モル部、希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合が０．８０〜１．６０モル部であることが望ましい。これを満足する実施例１２〜２４では、１１００℃以下でも正常に焼結し、高い比誘電率が得られ、かつＸ５Ｒ規格にも適合する。 From the above results, the Ba ratio of the main component / Ti ratio of the main component is 1.000 to 1.008, and the ratio of the Al compound converted to Al with respect to 100 mol parts of the main component is 0.15 to 0.00. 50 mol parts, the ratio of Cu compound converted to Cu is 0.10 to 0.70 mol parts, the ratio of Si compound converted to Si is 1.30 to 1.90 mol parts, the ratio of Mn compound converted to Mn Is 0.10 to 0.50 mole part, the ratio of Mg compound converted to Mg is 1.00 to 2.00 mole part, and the ratio of rare earth element compound converted to rare earth element is 0.80 to 1.60 mole part It is desirable that In Examples 12 to 24 that satisfy this requirement, normal sintering was achieved even at 1100 ° C. or lower, a high relative dielectric constant was obtained, and the X5R standard was also met.
１ 誘電体層
２ 内部電極
３，４ 外部電極
1
Claims (11)
前記主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含むことを特徴とする焼結体。 As a main component, contains barium titanate,
A sintered body comprising K, B, Si, Mg elements and rare earth elements as subcomponents added to the main component.
前記主成分１００モル部に対して、
前記Ｋが、０．２５〜１．００モル部、
前記Ｂが、０．５０〜２．００モル部、
前記Ｓｉが、１．１０〜１．７０モル部、
前記Ｍｇが、１．００〜１．７０モル部、
および前記希土類元素が、０．７０〜１．６０モル部
の割合で含まれることを特徴とする請求項１記載の焼結体。 Ba of the main component / Ti ratio of the main component is 1.000 to 1.011,
For 100 mole parts of the main component,
K is 0.25 to 1.00 mol part,
B is 0.50 to 2.00 mol part,
The Si is 1.10 to 1.70 mol parts,
Mg is 1.00 to 1.70 mol part,
The sintered body according to claim 1, wherein the rare earth element is contained in a proportion of 0.70 to 1.60 mol parts.
前記主成分に添加された副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含むことを特徴とする焼結体。 As a main component, contains barium titanate,
A sintered body comprising Al, Cu, Si, Mn, Mg elements and rare earth elements as subcomponents added to the main component.
前記主成分１００モル部に対して、
前記Ａｌが、０．１５〜０．５０モル部、
前記Ｃｕが、０．１０〜０．７０モル部、
前記Ｓｉが、１．３０〜１．９０モル部、
前記Ｍｎが、０．１０〜０．５０モル部、
前記Ｍｇが、１．００〜２．００モル部、
および前記希土類元素が、０．８０〜１．６０モル部
の割合で含まれることを特徴とする請求項３記載の焼結体。 Ba of the main component / Ti ratio of the main component is 1.000 to 1.008,
For 100 mole parts of the main component,
The Al is 0.15 to 0.50 mole part,
Cu is 0.10 to 0.70 mole part,
The Si is 1.30 to 1.90 mol parts,
The Mn is 0.10 to 0.50 mole part,
Mg is 1.00 to 2.00 mol part,
The sintered body according to claim 3, wherein the rare earth element is contained in a proportion of 0.80 to 1.60 mol parts.
前記誘電体層は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、かつ前記主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含むことを特徴とするセラミックコンデンサ。 A ceramic capacitor comprising a plurality of electrodes and a dielectric layer provided between the electrodes,
The dielectric layer includes barium titanate as a main component, and K, B, Si, Mg elements and rare earth elements as subcomponents added to the main component.
前記誘電体層は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、かつ前記主成分に添加された副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含むことを特徴とするセラミックコンデンサ。 A ceramic capacitor comprising a plurality of electrodes and a dielectric layer provided between the electrodes,
The dielectric layer includes barium titanate as a main component, and Al, Cu, Si, Mn, Mg elements and rare earth elements as subcomponents added to the main component. Capacitor.
複数の前記誘電体層の間に電極を介在させてこれらを積層する工程と、
を備えたことを特徴とするセラミックコンデンサの製造方法。 A sheet-like dielectric layer is prepared by adding barium titanate to the K component, B compound, Si compound, Mg compound, and rare earth element compound as raw materials for the accessory component. Forming, and
Laminating them with an electrode interposed between the plurality of dielectric layers;
A method of manufacturing a ceramic capacitor, comprising:
複数の前記誘電体層の間に電極を介在させてこれらを積層する工程と、
を備えたことを特徴とするセラミックコンデンサの製造方法。
Sheet material using barium titanate added with an Al compound, Cu compound, Si compound, Mn compound, Mg compound, and rare earth element compound as a raw material of the accessory component Forming a dielectric layer of
Laminating them with an electrode interposed between the plurality of dielectric layers;
A method of manufacturing a ceramic capacitor, comprising:
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| US9530564B2 (en) | 2013-04-08 | 2016-12-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and multilayer ceramic capacitor |
| US20190252120A1 (en) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic electronic component and method of producing the same |
| US10903008B2 (en) * | 2018-02-09 | 2021-01-26 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic electronic component and method of producing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5037009B2 (en) | 2012-09-26 |
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