JP2007165596A - 窒化物系半導体発光素子及び窒化物系半導体発光素子の製造方法、ランプ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型半導体層2、発光層3、p型半導体層4、透光性導電酸化膜層11が順に配置された窒化物系半導体発光素子であって、前記透光性導電酸化膜層11が、光取り出し層として機能する第1層7と、前記第1層7の前記p型半導体層4側に配置され、電流拡散層として機能する第2層6とを少なくとも有する窒化物系半導体発光素子12とする。
【選択図】図1
Description
屈折率が異なる材料同士の界面で発生する反射損失を低減させる方法としては、光取り出し面に凹凸加工を施す技術がある。凹凸加工を施す方法としては、化合物半導体材料そのものに凹凸加工を施す方法があげられる(特許文献1参照)。
また、透明電極として設けられた透光性導電酸化膜に凹凸加工を施すことによっても、光取り出し効率を向上させることができる。この場合、透光性導電酸化膜が、電流拡散層としての本来の役割に加えて、光取り出し層としての役割も担うことになる。しかしながら、透光性導電酸化膜に凹凸加工を施す場合、凹凸形状の制御が難しく、必要以上にエッチングしてしまい電流拡散性能が劣化してしまう場合があった。
(1)n型半導体層、発光層、p型半導体層、透光性導電酸化膜層が順に配置された窒化物系半導体発光素子であって、前記透光性導電酸化膜層が、光取り出し層として機能する第1層と、前記第1層の前記p型半導体層側に配置され、電流拡散層として機能する第2層とを少なくとも有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
(2)n型半導体層、発光層、p型半導体層、透光性導電酸化膜層が順に配置された窒化物系半導体発光素子であって、前記透光性導電酸化膜層が、粒状結晶からなる第1層と、前記第1層の前記p型半導体層側に配置され、柱状結晶からなる第2層とを少なくとも有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
(3)n型半導体層、発光層、p型半導体層、透光性導電酸化膜層が順に配置された窒化物系半導体発光素子であって、前記透光性導電酸化膜層が、真空蒸着することにより形成された第1層と、前記第1層の前記p型半導体層側に配置され、スパッタすることにより形成された第2層とを少なくとも有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
(4)前記第1層の前記第2層と反対側の面が凹凸形状とされていることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
(5)前記凹凸形状が前記第1層をエッチングすることによって形成されたものであり、前記第1層は、前記第1層をエッチングする場合のエッチング速度が前記第2層よりも速い材料からなることを特徴とする(4)に記載の窒化物系半導体発光素子。
(6)前記凹凸形状が、無秩序に形成された凹部と凸部とからなることを特徴とする(4)または(5)に記載の窒化物系半導体発光素子。
(7)前記凹凸形状を構成する凹部と凸部との高低差が35nm〜2000nmであることを特徴とする(4)〜(6)のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
(8)前記第2層がITO(In2O3−SnO2)、AZO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−GeO2)からなる群から選ばれた少なくとも一種類の材料で形成されていることを特徴とする(1)〜(7)のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
(9)前記第2層の膜厚が35nm〜2μmであることを特徴とする(1)〜(8)のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
(10)前記第1層がITO(In2O3−SnO2)、AZO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−GeO2)からなる群から選ばれた少なくとも一種類の材料で形成されていることを特徴とする(1)〜(9)のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
(11)前記第1層の膜厚が35nm〜2000nmであることを特徴とする(1)〜(10)のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
(13)前記第1層をウェットエッチングすることにより、前記第1層の表面を凹凸形状とする工程を備え、前記ウェットエッチングに用いるエッチング溶液が、シュウ酸、塩化鉄、塩酸の混合液であることを特徴とする(12)に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
(14)前記第2層をスパッタすることにより形成することを特徴とする(12)または(13)に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
(15)前記第2層を300〜800℃の雰囲気で真空蒸着することにより形成することを特徴とする(12)または(13)に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
(16)前記第2層を真空蒸着することにより形成した後、300〜800℃で熱処理することを特徴とする(12)または(13)に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
(17)前記第1層を真空蒸着することにより形成することを特徴とする(12)〜(16)のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
(18)(1)〜(11)のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子を用いたことを特徴とするランプ。
また、本発明の窒化物系半導体発光素子の製造方法によれば、優れた光取り出し効率を有し、かつ、優れた電流拡散性能を有する窒化物系半導体発光素子を形成できる。
また、本発明のランプは、本発明の窒化物系半導体発光素子を用いたものであるので、優れた発光特性を持つものとなる。
図1は、本発明の窒化物系半導体発光素子の一例を模式的に示した断面図である。図1において、符号12は窒化物系半導体発光素子を示し、符号1は基板を示し、符号2はn型半導体層を示し、符号3は発光層を示し、符号4はp型半導体層を示し、符号5は負極を示し、符号8は正極を示し、符号11は透光性導電酸化膜層を示している。本発明の窒化物系半導体発光素子12においては、図1に示すように、透光性導電酸化膜層11は、電流拡散層(特許請求の範囲における「第2層」)6と光取り出し層(特許請求の範囲における「第1層」)7の2層から構成されている。
真空蒸着法は、蒸着時の粒子のエネルギーが大きくないため、得られた透光性導電酸化物からなる膜はアモルファス状態か結晶性が低い膜となる。しかし、蒸着中に300℃〜800℃で成膜するか、成膜後に300℃〜800℃で熱処理することにより、緻密で結晶性の高い膜を得ることができる。上記の熱処理の温度が300℃未満である場合、結晶化を向上させる効果が小さく、800℃を越える場合、窒化物系半導体素子にダメージを与えてしまう。
電流拡散層6に用いられる材料としては、透光性、導電性を持つ酸化物であればいかなる材料であってよいが、好ましくはITO(In2O3−SnO2)、AZO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−GeO2)からなる群から選ばれた少なくとも一種類の材料が用いられる。
ウエットエッチングを行なう場合、エッチング液として、シュウ酸、塩化鉄と塩酸の混合液、リン酸、硝酸、塩酸、HI、HBrなどを用いることができるが、シュウ酸、塩化鉄と塩酸の混合液を用いることがより好ましい。
光取り出し層7の形成方法としては、光取り出し層7をエッチングする際のエッチング速度が電流拡散層6よりも速い光取り出し層7が形成される方法を用いることが望ましい。具体的には、例えば、光取り出し層7の形成方法としては、真空蒸着法を用いることが、アモルファス状または結晶性の低い膜を得ることが出来るので好ましい。
基板1上には、通常、バッファ層を介して、窒化物系半導体からなるn型半導体層2、発光層3およびp型半導体層4が積層される。使用する基板1やエピタキシャル層の成長条件によっては、バッファ層が不要である場合がある。
窒化物系半導体は、Al、GaおよびIn以外に他のIII族元素を含有することができ、必要に応じてGe、Si、Mg、Ca、Zn、Be、P、AsおよびBなどの元素を含有することもできる。さらに、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件等に依存して必然的に含まれる不純物、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含む場合もある。
MBE法では、元素状のゲルマニウムもドーピング源として利用できる。p型にはMg原料としては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp2Mg)を用いる。
下地層を成長させる際の成長温度は、800〜1200℃が好ましく、さらに好ましくは1000〜1200℃の範囲に調整する。この成長温度範囲内で成長させれば結晶性の良いものが得られる。また、MOCVD成長炉内の圧力は15〜40kPaに調整する。
nクラッド層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは0.005〜0.5μmであり、より好ましくは0.005〜0.1μmである。nクラッド層のn型ドープ濃度は1×1017〜1×1020/cm3が好ましく、より好ましくは1×1018〜1×1019/cm3である。ドープ濃度がこの範囲であると、良好な結晶性の維持および素子の動作電圧低減の点で好ましい。
また、発光層3は、上記のような単一量子井戸(SQW)構造の他に、上記Ga1-sInsNを井戸層として、この井戸層よりバンドギャップエネルギーが大きいAlcGa1-cN(0≦c<0.3かつb>c)障壁層とからなる多重量子井戸(MQW)構造としてもよい。また、井戸層および障壁層には、不純物をドープしてもよい。
pクラッド層としては、発光層3のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層3へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、好ましくは、AldGa1-dN(0<d≦0.4、好ましくは0.1≦d≦0.3)のものが挙げられる。pクラッド層が、このようなAlGaNからなると、発光層3へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。pクラッド層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは1〜400nmであり、より好ましくは5〜100nmである。pクラッド層のp型ドープ濃度は、1×1018〜1×1021/cm3が好ましく、より好ましくは1×1019〜1×1020/cm3である。p型ドープ濃度が上記範囲であると、結晶性を低下させることなく良好なp型結晶が得られる。
正極8であるボンディングパッドは、Au,Al,NiおよびCu等の材料を用いた各種構造が公知であり、これら公知の材料を何ら制限なく用いることが出来る。
図4に示すランプ30は、図1に示す本発明の窒化物系半導体発光素子12を用い、従来公知の方法により製造することができる。具体的には、例えば、2本のフレーム34、34の一方に窒化物系半導体素子12を樹脂などで接着し、窒化物系半導体素子12の正極8、負極5を金からなるワイヤー31、32でそれぞれフレーム34、34に接合した後、透明な樹脂からなるモールド33で窒化物系半導体発光素子12の周辺をモールドすることにより砲弾型の図4に示すランプ30を作成することができる。
(実験例1)
以下に示す方法により、図2および図3に示す発光素子を得た。図2は、本実施例の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の断面を示した模式図であり、図3は、図2に示した発光素子の平面を示した模式図である。
窒化ガリウム系化合物半導体層20としては、MOCVD法により、図2に示すように、厚さ8μmのアンドープGaNからなる下地層10、厚さ2μmのGeドープn型GaNコンタクト層および厚さ0.02μmのn型In0.1Ga0.9Nクラッド層がこの順序で積層されたn型半導体層2、厚さ16nmのSiドープGaN障壁層および厚さ2.5nmのIn0.06Ga0.94N井戸層を5回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層3、および厚さ0.01μmのMgドープp型Al0.07Ga0.93Nクラッド層と厚さ0.18μmのMgドープp型Al0.02Ga0.98Nコンタクト層がこの順序で積層されたp型半導体層4からなるものを形成した。
初めに、反応性イオンエッチング法によって負極5を形成する部分のn型GaNコンタクト層を露出させた。次に、フォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、p型AlGaNコンタクト層上の正極8を形成する領域にのみ、表1に示す組成、膜厚の電流拡散層6を、表1に示す成膜方法で形成した。そして、得られた電流拡散層6の結晶状態を調べた。その結果を表1に示す。
なお、凹部と凸部との高低差は、測定装置としてAFM(AtomicForce Microscope。DegitalInstrument社(米国)製)を用いて、以下に示す測定条件で測定した。
測定条件
スキャン幅:10μm
スキャンレート:1Hz
測定回数:256
モード:タッピングモード
そして、得られたチップに、プローブ針による通電を行い、電流印加値20mAにおける順方向電圧の測定をした。また、得られたチップをTO−18缶パッケージに実装し、テスターによって印加電流20mAにおける発光出力を計測した。その結果を、表1に示す。
また。得られたチップの発光面の発光分布を調べた。その結果、正極8上の全面で発光しているのが確認できた。
窒化ガリウム系化合物半導体層20の積層された実験例1と同様の基板1に、正極8および負極5を次の手順で形成した。
すなわち、実験例1と同様にして、負極5を形成する部分のn型GaNコンタクト層を露出させ、p型AlGaNコンタクト層上の正極8を形成する領域にのみ、表1に示す組成、膜厚の電流拡散層6を、表1に示す成膜方法で形成した。その後、電流拡散層6の上に、表1に示す組成、膜厚(成膜時)の光取り出し層7を、表1に示す成膜方法で形成した。
その後、実験例1と同様にして得られたチップの順方向電圧(Vf)の測定および発光出力の計測を行なった。
その結果を、表1に示す。
一方、電流拡散層6と光取り出し層7の両方ともスパッタで成膜した実験例14では、シュウ酸(3M)を用いたエッチングによってほとんどエッチングされなかった。その結果、Vfは低いが、出力が低いものとなり、電流拡散層6は電流拡散層として機能しているが、光取り出し層7は光取り出し層として十分に機能していないことがわかった。
また、電流拡散層6と光取り出し層7の両方とも蒸着で成膜した実験例15では、エッチングによって、多くの電流拡散層6が除去されたために、Vf,出力ともに良好な結果が得られなかった。よって、電流拡散層6は電流拡散層として十分に機能していないし、光取り出し層7も光取り出し層として十分に機能していないことがわかった。
また、実験例13に示すように、電流拡散層6を蒸着によって成膜した後に500℃、10分の熱処理を行なった場合でも、電流拡散層6をスパッタで形成した実験例1〜実験例12と同様、高い出力が得られることが確認できた。
また、電流拡散層6の膜厚が50nm〜1000nmである実験例1〜実験例13では、膜厚が、2500nmと厚い実験例17と比較して、出力が高くなった。
また、実験例1〜実験例13では、光取り出し層7のエッチング後の膜厚が10nmと薄い実験例18と比較して、出力が高くなった。
また、実験例1〜実験例13では、光取り出し層7のエッチング後の膜厚が2400nmと厚い実験例19と比較して、透過率が高く出力が高かった。
2 n型半導体層
3 発光層
4 p型半導体層
5 負極
6 電流拡散層(第2層)
7 光取り出し層(第1層)
8 正極
9 バッファ層
10 下地層
12 窒化物系半導体発光素子
11 透光性導電酸化膜層
20 窒化ガリウム系化合物半導体層
30 ランプ
Claims (18)
- n型半導体層、発光層、p型半導体層、透光性導電酸化膜層が順に配置された窒化物系半導体発光素子であって、
前記透光性導電酸化膜層が、光取り出し層として機能する第1層と、前記第1層の前記p型半導体層側に配置され、電流拡散層として機能する第2層とを少なくとも有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子。 - n型半導体層、発光層、p型半導体層、透光性導電酸化膜層が順に配置された窒化物系半導体発光素子であって、
前記透光性導電酸化膜層が、粒状結晶からなる第1層と、前記第1層の前記p型半導体層側に配置され、柱状結晶からなる第2層とを少なくとも有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子。 - n型半導体層、発光層、p型半導体層、透光性導電酸化膜層が順に配置された窒化物系半導体発光素子であって、
前記透光性導電酸化膜層が、真空蒸着することにより形成された第1層と、前記第1層の前記p型半導体層側に配置され、スパッタすることにより形成された第2層とを少なくとも有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子。 - 前記第1層の前記第2層と反対側の面が凹凸形状とされていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記凹凸形状が前記第1層をエッチングすることによって形成されたものであり、
前記第1層は、前記第1層をエッチングする場合のエッチング速度が前記第2層よりも速い材料からなることを特徴とする請求項4に記載の窒化物系半導体発光素子。 - 前記凹凸形状が、無秩序に形成された凹部と凸部とからなることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記凹凸形状を構成する凹部と凸部との高低差が35nm〜2000nmであることを特徴とする請求項4〜請求項6のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記第2層がITO(In2O3−SnO2)、AZO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−GeO2)からなる群から選ばれた少なくとも一種類の材料で形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記第2層の膜厚が35nm〜2000nmであることを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記第1層がITO(In2O3−SnO2)、AZO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−GeO2)からなる群から選ばれた少なくとも一種類の材料で形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記第1層の膜厚が35nm〜2000nmであることを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- n型半導体層、発光層、p型半導体層、透光性導電酸化膜層が順に配置され、前記透光性導電酸化膜層が、第1層と、前記第1層の前記p型半導体層側に配置された第2層とを少なくとも有する窒化物系半導体発光素子の製造方法であって、
前記p型半導体層上に、電流拡散層として機能する前記第2層を形成する工程と、
前記第2層上に、光取り出し層として機能する前記第1層を形成する工程とを備えることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。 - 前記第1層をウェットエッチングすることにより、前記第1層の表面を凹凸形状とする工程を備え、前記ウェットエッチングに用いるエッチング溶液が、シュウ酸、塩化鉄、塩酸の混合液であることを特徴とする請求項12に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記第2層をスパッタすることにより形成することを特徴とする請求項12または請求項13に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記第2層を300〜800℃の雰囲気で真空蒸着することにより形成することを特徴とする請求項12または請求項13に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記第2層を真空蒸着することにより形成した後、300〜800℃で熱処理することを特徴とする請求項12または請求項13に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1層を真空蒸着することにより形成することを特徴とする請求項12〜請求項16のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1〜請求項11のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子を用いたことを特徴とするランプ。
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