JP2007158132A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. ダイシングブレードにより個々の素子に分離するIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、
   第１の基板にIII族窒化物系化合物半導体素子を形成し、
   その最上層に電極を形成し、
   前記III族窒化物系化合物半導体素子の一方の伝導型層側からエピタキシャル層の当該ダイシングブレードが通過すべき部分を、エッチングにより一部又は全部を除いて溝部を形成し、
   当該溝部の底面部及び側面部に絶縁膜を形成し、
   導電性の第２の基板と、導電性多層膜を介して、前記電極を形成した側から前記III族窒化物系化合物半導体素子を形成した前記第１の基板とを貼り合わせ、
   その後に前記第１の基板を除き、
   前記III族窒化物系化合物半導体素子の新たにあらわになった層に電極を形成したのちに、
   前記III族窒化物系化合物半導体素子の他方の伝導型層側から、前記ダイシングブレードにて前記溝部の底面部を除去し、且つ側面部の絶縁膜を完全には除去しない様に操作してダイシング作業を行うものであり、
   前記導電性多層膜は、スズを含むはんだと、当該スズを含むはんだの上下に設けられたスズの拡散を防止する層を少なくとも含み、
   前記溝部の側面部に形成される前記絶縁膜は、III族窒化物系化合物半導体層のｐ層からｎ層に渡って形成して、ｐ層及びｎ層の短絡を防ぐように形成されることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
2. III族窒化物系化合物半導体素子であって、
   導電性の基板と、
   当該導電性の基板と、導電性多層膜を介して接合された第１の電極と、
   当該第１の電極と接合された第１の伝導型の層と、それと異なる第２の伝導型の層とが少なくとも積層されたIII族窒化物系化合物半導体素子層と、
   当該III族窒化物系化合物半導体素子層の第１の電極とは逆側である表面側に形成された第２の電極と、
   素子外周部であって、前記III族窒化物系化合物半導体素子層の２つの伝導型の層の側面に渡って形成された絶縁膜とを有し、
   前記導電性多層膜は、スズを含むはんだと、当該スズを含むはんだの上下に設けられたスズの拡散を防止する層を少なくとも含むことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。