JP2007157797A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 周辺領域のチャージバランスを保つことによって、オフ耐圧を向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成されている中心領域Ｍと、その中心領域Ｍの周辺に形成されている周辺領域Ｎを有する半導体装置１は、ｐ⁻型のボディ領域２８（不純物低濃度半導体領域）と、ボディ領域２８の表面側を覆うとともに、その表面が導体層で覆われていない領域を有する絶縁層４２と、露出領域における絶縁層４２の裏面側に接しておりボディ領域２８の表面側の一部に設けられているｐ^＋型の第１半導体領域５１と、露出領域における絶縁層４２の裏面側に接しておりボディ領域２８の表面側の一部に設けられているｎ^＋型の第２半導体領域５２を備えている。第１半導体領域５１及び第２半導体領域５２は、相互に対をなした状態で、露出領域における絶縁層の裏面側に接している範囲に広がっている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置の周辺領域のチャージバランスを保つことによって、オフ耐圧が向上する半導体装置に関する。

半導体装置は、半導体素子が形成されている中心領域と、その中心領域の周辺に位置しているとともに、半導体素子が形成されていない周辺領域を備えている。この周辺領域の表面側には、不純物を低濃度に含む半導体領域が設けられている場合が多い。
図８に示す特許文献１の半導体装置１００は、中心領域Ｍと周辺領域Ｎを備えている。半導体装置１００の中心領域Ｍに、トレンチゲート電極１３０とソース領域１３２とボディコンタクト領域１３４とボディ領域１２８とドリフト領域１２６とドレイン領域１２０を備える縦型のＭＯＳ電界効果トランジスタが構成されている。半導体装置１００のドリフト領域１２６は、ｎ型コラム１２２とｐ型コラム１２４の対を単位とする互層が繰返された構造、即ちスーパージャンクション構造を採用している。スーパージャンクション構造を備える半導体装置はオフ耐圧が高く、オン抵抗が低いことが知られている。
特開２００５−１１６９５１号公報

半導体装置１００の周辺領域Ｎでは、スーパージャンクション構造の表面側に、ボディ領域１２８を備えている。ボディ領域１２８は、中心領域Ｍから伸びている。周辺領域Ｎに伸びているボディ領域１２８の表面側は、絶縁層１４２で覆われている。絶縁層１４２の中心領域Ｍ側の表面は、ソース電極Ｓで覆われている。絶縁層１４２の最外周側の表面は、半導体装置１００のｎ型の半導体領域（例えば、ドレイン領域１２０，ｎ型コラム１２２）の電圧を一定に維持する最外周電極ＳＴで覆われている。ソース電極Ｓと最外周電極ＳＴの間では、絶縁層１４２の表面が露出している。
半導体装置１００は、基板に実装するためのパッケージに封入する際に、パッケージとの隙間に封止材料を充填して封入する。封止材料には、半導体装置１００を温度、湿度、応力等の外部ストレスから保護することができる樹脂等の部材が選択される。周辺領域Ｎでは、露出領域１３７の絶縁層１４２の表面に封止材料が接触することとなる。この際、封止材料が有する外部電荷に引き寄せられて、露出領域１３７の絶縁層１４２の裏面に接するボディ領域１２８の表面側に、外部電荷と反対の極性の電荷が引き寄せられて電荷が集中することがある。これによって、周辺領域Ｎに伸びているボディ領域１２８のチャージバランスが崩れ、ひいては周辺領域Ｎのチャージバランスが崩れ、半導体装置１００のオフ耐圧が低下することがある。
この現象を克服するためには、外部電荷に引き寄せられることによって生じる電荷集中が発生したときにボディ領域１２８のチャージバランスが確保されるように条件設定すればよいが、外部電荷に引き寄せられることによって生じる電荷集中の度合いが様々であることから、その手法を採用することができない。
本発明は、上記の問題点を解決するために創案された。本発明では、周辺領域Ｎのチャージバランスを保つことによって、オフ耐圧を向上させる半導体装置を提供する。

（請求項１に記載の発明）
本発明の半導体装置は、半導体素子が形成されている中心領域と、その中心領域の周辺に形成されている周辺領域を有している。この半導体装置は、第１導電型あるいは第２導電型の不純物を低濃度に含むとともに、周辺領域の表面側に設けられている不純物低濃度半導体領域を備えている。また、不純物低濃度半導体領域の表面側を覆う絶縁層を備えている。その絶縁層は、表面が導体層で覆われていない露出領域を備えている。また、第１導電型の不純物を高濃度に含むとともに、露出領域における絶縁層の裏面側に接しており不純物低濃度半導体領域の表面側の一部に設けられている第１半導体領域と、第２導電型の不純物を高濃度に含むとともに、露出領域における絶縁層の裏面側に接しており不純物低濃度半導体領域の表面側の一部に設けられている第２半導体領域を備えている。第１半導体領域と第２半導体領域は、相互に対をなした状態で、前記露出領域における絶縁層の裏面側に接している範囲に広がっている。
第１半導体領域と第２半導体領域は、不純物低濃度半導体領域の表面に臨むように、所定の深さ（縦方向の寸法）で形成される。第１半導体領域と第２半導体領域の数は、それぞれが１つ以上存在していればよい。第１半導体領域と第２半導体領域は、相互に接するように隣接していてもよいし、間隔をおいて隣接していてもよい。
第１半導体領域と第２半導体領域は、対をなした状態で、絶縁層の露出領域に対応する範囲に広がっており、例えば帯状に伸びていてもよいし、あるいは市松模様をなすように広がっていてもよい。
一般的に、半導体装置は基板に実装するパッケージに収容する際に、半導体装置とパッケージの間に樹脂等の封止材料で充填される。したがって、露出している絶縁層の表面には封止材料が接触する。

本発明の半導体装置では、露出領域の絶縁層の裏面側で、不純物低濃度半導体領域の表面側に、不純物濃度の濃い第１半導体領域と第２半導体領域が設けられている。これにより、前述した封止材料等に起因する外部電荷が不純物低濃度半導体領域のチャージバランスに影響することを阻止することができる。外部電荷の極性が＋であれば、第１あるいは第２半導体領域に含まれる電子によって、外部電荷が不純物低濃度半導体領域のチャージバランスに影響することを阻止することができる。外部電荷の極性が−であれば、第２あるいは第１半導体領域に含まれる正孔によって、外部電荷が不純物低濃度半導体領域のチャージバランスに影響することを阻止することができる。外部電荷によって、不純物低濃度半導体領域で電荷が集中し、不純物低濃度半導体領域のチャージバランスが崩れる現象の発生を防止することができる。本発明の半導体装置は、不純物低濃度半導体領域のチャージバランスを保つことが可能であり、周辺領域のチャージバランスを保って半導体装置のオフ耐圧を高く保つことを可能とする。

（請求項２に記載の発明）
第１半導体領域と第２半導体領域は、不純物低濃度半導体領域に表面において、隣接して繰り返し設けられているのが好ましい。
本発明の半導体装置によれば、第１半導体領域と第２半導体領域が繰り返して設けられているので、広範囲において、外部電荷が不純物低濃度半導体領域のチャージバランスを崩す現象の発生を防止することができる。

（請求項３に記載の発明）
半導体装置が、第１導電型の不純物を含むとともに、不純物低濃度半導体領域の裏面側に設けられている第３半導体領域と、第２導電型の不純物を含むとともに、不純物低濃度半導体領域の裏面側に設けられている第４半導体領域を備えており、第３半導体領域と第４半導体領域が、相互に対をなした状態で、中心領域から周辺領域に至るまで、不純物低濃度半導体領域が広がっている面と平行な面内で分散配置されていることがある。いわゆる、スーパージャンクション構造を有する半導体装置は、上記の構成を備えている。
本発明は、スーパージャンクション構造を有する半導体装置に適用したときに特に有用である。本発明の半導体装置によれば、オフ耐圧を向上させることができるとともに、オン抵抗を減少させることができる。

（請求項４に記載の発明）
第１半導体領域と第２半導体領域の不純物濃度は、１×１０^１６ｃｍ^−３以上であることが好ましい。
第１半導体領域と第２半導体領域のそれぞれに、１×１０^１６ｃｍ^−３以上の不純物が含まれていれば、外部電荷が不純物低濃度半導体領域のチャージバランスに影響を及ぼすことを防止することができる。

本発明によれば、半導体装置の周辺領域のチャージバランスを保つことが可能となり、、半導体装置のオフ耐圧を向上させることができる。

以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。
（第１実施形態）半導体装置は、第１導電型あるいは第２導電型の不純物を低濃度に含むとともに、周辺領域の表面側に設けられている不純物低濃度半導体領域を備えている。また、不純物低濃度半導体領域の表面側を覆う絶縁層を備えており、その絶縁層の少なくとも一部は導体層で被覆されないで露出している。また、第１導電型の不純物を高濃度に含むとともに、露出領域における絶縁層の裏面側に接しており不純物低濃度半導体領域の表面側の一部に設けられている第１半導体領域を備えている。また、第２導電型の不純物を高濃度に含むとともに、露出領域における絶縁層の裏面側に接しており不純物低濃度半導体領域の表面側の一部に設けられている第２半導体領域を備えている。第１半導体領域と第２半導体領域は、不純物低濃度半導体領域の表面に沿って、半導体素子が形成されている中心領域を一巡するように、リング状に伸びている。
（第２実施形態）
リング状の第１半導体領域とリング状の第２半導体領域が、半導体装置の中心側から周辺側に向けて、繰返し配置されている。
（第３実施形態）不純物低濃度半導体領域は、中心領域から伸びているボディ領域である。
（第４実施形態）不純物低濃度半導体領域の裏面側に、スーパージャンクション構造が形成されている。
（第５実施形態）スーパージャンクション構造を構成するｎコラム（第３半導体領域）とｐコラム（第４半導体領域）は絶縁部材を介して隣接している。
（第６実施形態）不純物低濃度半導体領域は、ドレイン領域と同一導電型の不純物を低濃度に含むバッファ層である。
（第７実施形態）不純物低濃度半導体領域は、半導体装置がオフ状態の際に完全空乏化するリサーフ層である。
（第８実施形態）半導体装置は、第１導電型あるいは第２導電型の不純物を低濃度に含むとともに、周辺領域の表面側に設けられている不純物低濃度半導体領域を備えている。また、不純物低濃度半導体領域の表面側を覆う絶縁層を備えており、その絶縁層の少なくとも一部は導体層で被覆されないで露出している。絶縁層が導体層で覆われておらず露出している領域の表面側には、電気的にフローティング状態の導電性部材が等間隔で配設されている。また、第１導電型の不純物を高濃度に含むとともに、露出領域における絶縁層の裏面側に接しており不純物低濃度半導体領域の表面側の一部に設けられている第１半導体領域と、第２導電型の不純物を高濃度に含むとともに、露出領域における絶縁層の裏面側に接しており不純物低濃度半導体領域の表面側の一部に設けられている第２半導体領域を備え、第１半導体領域と第２半導体領域は、相互に対をなした状態で、露出領域における絶縁層の裏面側に接している範囲に広がっている。

以下に第１実施例の半導体装置１を図１、図２を参照して説明する。図１には、半導体装置１の要部斜視図が模式的に示されている。図２には、半導体装置１がパッケージに収容されている状態の一部が示されている。
図１に示す半導体装置１は、縦型のＭＯＳ電界効果トランジスタ群が形成されている中心領域Ｍと、その中心領域Ｍの周辺に形成されている周辺領域Ｎを有する。図１では、中心領域Ｍのごく一部のみを示しているが、実際には多数のＭＯＳ電界効果トランジスタ群が形成されている。

まず、中心領域Ｍと周辺領域Ｎの共通部分の構成に関して説明する。
半導体装置１は、裏面側（図１の下側）に、ｎ^＋型のシリコン単結晶からなるドレイン領域２０と、ドレイン領域２０の裏面に設けられたドレイン電極Ｄを備えている。ドレイン領域２０の上部に形成されたドリフト領域２６には、ｎ型コラム２２とｐ型コラム２４の繰り返し構造（スーパージャンクション構造）が形成されている。ｎ型コラム２２とｐ型コラム２４は、ドレイン領域２０と、ドリフト領域２６の上部に形成されているｐ⁻型のボディ領域２８の間を、縦方向（図１の上下方向）に伸びている。また、各コラム２２，２４は、奥行き方向（図１の紙面に垂直な方向）に伸びており、横方向（図１の左右方向）には所定の幅を有している。すなわち、各コラム２２，２４は薄板状に形成されており、横方向で互いに隣接して繰り返し設けられている。スーパージャンクション構造を有するドリフト領域２６の上部には、ｐ^-型のボディ領域２８が形成されている。上記の実施例は、特許請求の範囲でいう第１導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型である場合を示している。第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型である実施例もありえる。

次に、中心領域Ｍの構成に関して説明する。
中心領域Ｍでは、ｐ⁻型ボディ領域２８の表面側に、トレンチゲート電極３０、ｎ^＋型のソース領域３２、最端部に形成されたソース領域３８及びｐ^＋型のボディコンタクト領域３４が形成されている。トレンチゲート電極３０とｎ^＋型のソース領域３２，３８とｐ^＋型のボディコンタクト領域３４は、図１に示す奥行き方向に伸びている。トレンチゲート電極３０は、一対のソース領域３２，３２または一対のソース領域３２，３８の間を貫通して深さ方向に伸び、表面からドリフト領域２６のｎ型コラム２２に至るまで伸びている。トレンチゲート電極３０は、トレンチの内周をゲート絶縁膜３１で囲んだポリシリコンで形成されている。
ソース領域３２，３８とボディコンタクト領域３４は、半導体装置１の表面に配設されているソース電極Ｓと接触している。これにより、ボディ領域２８はボディコンタクト領域３４を介してソース電極Ｓと接続しており、ソース電極Ｓと同電位に固定されている。
ボディ領域２８は、トレンチゲート電極３０の側壁に対向している。すなわち、ボディ領域２８は、ゲート電圧が印加されるトレンチゲート電極３０のポリシリコン部に対して、ゲート絶縁膜３１を介して対向している。なお、トレンチゲート電極３０の上部には、絶縁層３６が設けられているので、トレンチゲート電極３０とソース電極Ｓは絶縁されている。トレンチゲート電極３０は、図示しない断面において、半導体装置１の外部に露出している導体に接続されており、ソース電圧と独立して制御することができる。

次に、周辺領域Ｎの構成に関して説明する。
周辺領域Ｎには、トレンチゲート電極３０やソース領域３２，３８やボディコンタクト領域３６が形成されていない。周辺領域Ｎには、中心領域側からボディ領域２８が伸びている。ボディ領域２８の表面側に、ｎ^＋型の第１半導体領域５１と、ｐ^＋型の第２半導体領域５２が形成されている。第１半導体領域５１と第２半導体領域５２は、図１に示す奥行き方向に伸びており、中心領域Ｍを一巡している。第１半導体領域５１と第２半導体領域５２は、平面視したときに閉じたループ形状（これをリング形状という）をしている。ｎ^＋型の第１半導体領域５１と、ｐ^＋型の第２半導体領域５２は、図１に示す横方向に隣接しながら繰り返して設けられている。すなわち合計７本のリング形状が形成されており、中心側から順に、ｐ^＋型、ｎ^＋型、ｐ^＋型、ｎ^＋型、ｐ^＋型、ｎ^＋型、ｐ^＋型となっている。
周辺領域Ｎでは、中心領域Ｍの最外周側のボディコンタクト領域３４から、ボディ領域２８の表面を覆う絶縁層４２が設けられている。絶縁層４２の表面側の一部は、中心領域Ｍから伸びるソース電極Ｓで覆われている。
周辺領域Ｎの端部には、ドレイン領域２０の上部に、ｎ型の終端領域２３が形成されている。終端領域２３の表面側の一部には、図１に示す奥行き方向に伸びるｎ⁺型の半導体領域２５が形成されている。終端領域２３は、最外周電極ＳＴで覆われている。上記した絶縁層４２は、終端領域２３の表面側の一部を覆うように形成されている（半導体領域２５の表面は覆っていない）。絶縁層４２は、最外周側では最外周電極ＳＴで覆われている。ソース電極Ｓと最外周電極ＳＴの間では絶縁層４２の表面が露出している。
前記した７本のリング形状をなす内側の第１半導体領域５１、内側の第２半導体領域５２、外側の第１半導体領域５１、外側の第２半導体領域５２は、絶縁層４２の表面が露出している範囲内に形成されており、絶縁層４２の表面が露出している範囲に広がっている。

半導体装置１を使用する場合には、ドレイン電極Ｄに数百Ｖ〜１０００Ｖの正電圧が印加され、ソース電極Ｓ及び最外周電極ＳＴが接地され、トレンチゲート電極３０にゲート電圧がオンオフ制御される。トレンチゲート電極３０にゲートオン電圧が印加されると、トレンチゲート電極３０の側壁に対向するボディ領域２８がｎ型に反転する。そのために、ソース領域３２，３８とドリフト領域２６のｎ型コラム２２の間が、反転したボディ領域２８（チャネル領域）を介して導通状態となる。そして、ソース領域３２，３８からドレイン領域２０に電子が移動し、半導体装置１はオン状態となる。
また、トレンチゲート電極３０に印加する電圧がオフされると、ボディ領域２８の反転層（チャネル領域）が消失し、半導体装置１はオフ状態となる。ドリフト領域２６では、スーパジャンクション構造のｐｎ接合界面から、ｎ型コラム２２とｐ型コラム２４に空乏層が広がり、半導体装置１は高いオフ耐圧を実現する。

図２に示すように、半導体装置１を基板に実装可能なパッケージＰに収容する際には、半導体装置の各端子（各電極等に電気的に接続されているボンディングパッド）がボンディングワイヤＷでパッケージＰのリードＬに接続される。そして、半導体装置１とパッケージＰの間がモールド樹脂等の封止材料Ｒで埋められ、半導体装置１はパッケージＰに収容される。したがって、図１に示す絶縁層４２のうち、表面が露出している領域（ソース電極Ｓと最外周電極ＳＴに覆われていない領域）の表面は、封止材料Ｒに接触する。

本実施例の半導体装置１では、露出領域の絶縁層４２の裏面側で、ボディ領域２８の表面側に、不純物濃度の濃い第１半導体領域５１と第２半導体領域５２が設けられている。これにより、封止材料Ｒ等に起因する外部電荷がボディ領域２８のチャージバランスに影響することを阻止することができる。外部電荷の極性が＋であれば、第１半導体領域５１に含まれる電子によって、外部電荷がボディ領域２８のチャージバランスに影響することを阻止することができる。外部電荷の極性が−であれば、第２半導体領域５２に含まれる正孔によって、外部電荷がボディ領域２８のチャージバランスに影響することを阻止することができる。外部電荷によって、ボディ領域２８で電荷が集中し、ボディ領域２８のチャージバランスが崩れる現象の発生を防止することができる。したがって、半導体装置１を用いれば、ボディ領域２８のチャージバランスを保つことが可能であり、周辺領域Ｎのチャージバランスを保って半導体装置のオフ耐圧を高く保つことを可能とする。

本実施例の半導体装置１は、周辺領域Ｎのドリフト領域２６の上部に、中心領域Ｍからボディ領域２８が伸びている場合について説明したが、周辺領域Ｎのドリフト領域２６の上部に、図３に示す半導体装置１ａのように、ｎ⁻型のバッファ領域２９が設けられていてもよい。この場合、ｎ^＋型の第１半導体領域５１とｐ^＋型の第２半導体領域５２は、露出領域の絶縁層４２下のバッファ領域２９の表面に設けられている。後の構成及び動作は、図１に示した実施例の半導体装置１と同様である。この様な構成の場合も、バッファ領域２９が受ける封止材料Ｒに起因する外部電荷の影響を、第１半導体領域５１と第２半導体領域５２で吸収することができる。また、半導体装置１ａでは、オフ時に、ボディ領域２８とバッファ領域２９の接合部に空乏層が広がり、さらなるオフ耐圧の向上が望める。

また、ドリフト領域に繰り返し構造を備えていない半導体装置にも本発明を適用することができる。図４に示す半導体装置１ｂは、繰り返し構造を有していないドリフト領域２６ｂが中心領域Ｍから周辺領域Ｎに至るまで設けられている。この場合、ｎ⁺型の第１半導体領域５１と、ｐ^＋型の第２半導体領域５２は、露出領域の絶縁層４２下のドリフト領域２６ｂの表面に設けられる。この様な構成の場合も、外部電荷によって、ドリフト領域２６ｂで電荷が集中し、ドリフト領域２６ｂのチャージバランスが崩れる現象の発生を防止することができる。したがって、半導体装置１ｂを用いれば、ドリフト領域２６ｂのチャージバランスを保つことが可能であり、周辺領域Ｎのチャージバランスを保って半導体装置のオフ耐圧を高く保つことを可能とする。

また、図５に示す半導体装置１ｃは、図４に示す半導体装置１ｂの構成に加え、周辺領域Ｎのドリフト領域２６ｃの表面側に、リサーフ層６０を備えている。この場合、ｎ^＋型の第１半導体領域５１と、ｐ^＋型の第２半導体領域５２は、露出領域の絶縁層４２下のリサーフ層６０の表面に設けられる。この様な構成の場合も、外部電荷によって、リサーフ層６０で電荷が集中し、リサーフ層６０のチャージバランスが崩れる現象の発生を防止することができる。したがって、半導体装置１ｃを用いれば、リサーフ層６０のチャージバランスを保つことが可能であり、周辺領域Ｎのチャージバランスを保って半導体装置のオフ耐圧を高く保つことを可能とする。また、半導体装置１ｃにはリサーフ層６０が設けられているので、オフ時には、リサーフ層６０とドリフト領域２１のｐｎ接合界面から空乏層が広がる。半導体装置１ｃでは、周辺領域Ｎの端部に向かって図５の右方向（横方向）にリサーフ層６０が伸びている。これにより、オフ時には、図５に示す右方向に空乏層が広がり易い。したがって、半導体装置のさらなるオフ耐圧の向上が望める。

また、図６に示す半導体装置１ｄは、図１に示す半導体装置１の構成に加え、スーパージャンクション構造のｎ型コラム２２とｐ型コラム２４が、絶縁層２７を介して隣接している。これにより、半導体装置のさらなるオン抵抗の低減、及びオフ耐圧の向上が望める。
また、図７に示す半導体装置１ｅでは、絶縁層４２の露出領域における絶縁層４２の表面側に、電気的にフローティング状態の導電性部材７０が等間隔に配設されている。これにより、半導体装置のさらなるオン抵抗の低減、及びオフ耐圧の向上が望める。
また、本実施例では、半導体装置１の中心領域Ｍのゲート電極がトレンチゲート電極３０である場合について説明したが、トレンチゲート電極ではなくてもよい。例えば、プレーナゲート電極が設けられていてもよい。
また、中心領域Ｍの最端部の形成されたソース領域３８は、形成されていなくてもよい。
また、本実施例では、露出領域における絶縁層４２の裏面側に接している不純物低濃度半導体領域の表面側の全域に、第１半導体領域５１あるいは第２半導体領域５２を形成する場合について説明したが、第１半導体領域５１あるいは第２半導体領域５２は、露出領域に限らず、絶縁層４２の裏面側に接している不純物低濃度半導体領域の表面側の全域に形成されていてもよい。
また、絶縁層４２の露出領域の表面が接触する部材、すなわち、半導体装置の不純物低濃度半導体領域が受ける外部電荷の要因となる部材は、パッケージＰの封止材料Ｒに限定されるものではない。例えば、ポリイミド等の絶縁膜でもよい。
また、本実施例では、半導体装置１が縦型ＭＯＳ電界効果トランジスタである場合について説明したが、本発明は、ＩＧＢＴ等他の半導体装置にも適用することができる。
また、半導体装置１の第１半導体領域５１、第２半導体領域５２は中心領域Ｍを一巡している場合について説明したが、第１半導体領域５１、第２半導体領域５２は、例えば帯状に伸びていてもよいし、あるいは市松模様をなすように広がっていてもよい。
また、半導体装置１には、第１半導体領域５１と第２半導体領域５２の組合せが２つ設けられている場合について説明した。半導体装置１では、各半導体領域５１，５２が交互に隣接している。しかしながら、第１半導体領域５１と第２半導体領域５２は、半導体装置に１つずつ設けられていてもよいし、３つ以上ずつ設けられていてもよい。
また、半導体装置１の第１半導体領域５１と第２半導体領域５２は、本実施例のように相互に接するように隣接していてもよいし、間隔をおいて隣接していてもよい。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

半導体装置１の要部斜視図を示す。 半導体装置１がパッケージＰに収容されている様子を示す。 バッファ領域２９に第１半導体領域５１と第２半導体領域５２を備える半導体装置１ａの断面図を示す。 ドリフト領域２１に第１半導体領域５１と第２半導体領域５２を備える半導体装置１ｂの断面図を示す。 リサーフ領域６０に第１半導体領域５１と第２半導体領域５２を備える半導体装置１ｃの断面図を示す。 ｎコラム２２とｐコラム２４が絶縁層２７を介して隣接している半導体装置１ｄの断面図を示す。 絶縁層４２の露出領域の表面に、電気的にフローティング状態の導電性部材７０を等間隔に配設した半導体装置１ｅの断面図を示す。 従来の半導体装置１００の要部斜視図を示す。

符号の説明

１，１ａ，１ｂ，１ｃ 半導体装置
２０ ドレイン領域
２２ ｎ型コラム
２３ 終端領域
２４ ｐ型コラム
２５ ｎ^＋半導体領域
２６，２６ｂ，２６ｃ ドリフト領域
２７ 絶縁層
２８ ボディ領域
２９ バッファ領域
３０ トレンチゲート電極
３１ ゲート絶縁膜
３２ ソース領域
３４ ボディコンタクト領域
３６，４２ 絶縁層
３８ ソース領域
５１ 第１半導体領域
５２ 第２半導体領域
６０ リサーフ層
７０ 導電性部材
Ｄ ドレイン電極
Ｌ リードフレーム
Ｍ 中心領域
Ｎ 周辺領域
Ｐ パッケージ
Ｒ 封止材料
Ｓ ソース電極
ＳＴ 最外周電極
Ｗ ボンディングワイヤ

Claims (4)

1. 半導体素子が形成されている中心領域と、その中心領域の周辺に形成されている周辺領域を有する半導体装置であり、
   第１導電型あるいは第２導電型の不純物を低濃度に含むとともに、前記周辺領域の表面側に設けられている不純物低濃度半導体領域と、
   前記不純物低濃度半導体領域の表面側を覆うとともに、その表面が導体層で覆われていない露出領域を有する絶縁層と、
   第１導電型の不純物を高濃度に含むとともに、前記露出領域における絶縁層の裏面側に接しており前記不純物低濃度半導体領域の表面側の一部に設けられている第１半導体領域と、
   第２導電型の不純物を高濃度に含むとともに、前記露出領域における絶縁層の裏面側に接しており前記不純物低濃度半導体領域の表面側の一部に設けられている第２半導体領域を備え、
   前記第１半導体領域と前記第２半導体領域は、相互に対をなした状態で、前記露出領域における絶縁層の裏面側に接している範囲に広がっていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１半導体領域と前記第２半導体領域は、前記不純物低濃度半導体領域の表面において、隣接して繰り返し設けられていることを特徴とする請求項１の半導体装置。
3. 第１導電型の不純物を含むとともに、不純物低濃度半導体領域の裏面側に設けられている第３半導体領域と、
   第２導電型の不純物を含むとともに、不純物低濃度半導体領域の裏面側に設けられている第４半導体領域を備え、
   前記第３半導体領域と前記第４半導体領域は、相互に対をなした状態で、前記中心領域から周辺領域に至るまで、前記不純物低濃度半導体領域が広がっている面と平行な面内で分散配置されていることを特徴とする請求項１又は２の半導体装置。
4. 前記第１半導体領域と第２半導体領域の不純物濃度は、１×１０^１６ｃｍ^−３以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの半導体装置。

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