JP2007157409A - Ito film forming device and ito film forming method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、低温成膜法により処理対象の基板の面にＩＴＯ膜をスパッタ成膜するインライン方式のＩＴＯ成膜装置とＩＴＯ成膜方法に関し、特に、ディスプレイパネル用の基板を処理の対象とするものである。 The present invention relates to an in-line type ITO film forming apparatus and an ITO film forming method for sputtering an ITO film on a surface of a substrate to be processed by a low temperature film forming method, and particularly to a substrate for a display panel. Is.
近年、情報化社会への進展が著しく、ディスプレイ装置の使用も多様化し、種々のディスプレイ装置が開発、実用化されている。
特に、液晶表示装置は、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ Ｔｕｂｅ、ブラウン管) に代わり、広く普及されるようになってきた。
液晶表示装置用のカラー表示用の液晶パネルは、簡単には、バックライトからの光が各色の着色層を通過して表示されるが、各色の着色層を通過する光は、画素毎に液晶をスイッチング素子としてオン−オフ制御されている。
そして、この画素毎に液晶をスイッチング素子としてオン−オフ制御するための制御用電極の材質としては、従来から、透明導電性のＩＴＯ膜（錫をドープしたインジウム酸化物）が用いられている。
ＩＴＯ膜の成膜方法としては、ＩＴＯ焼結体をターゲットとし、所定のスパッタリング条件の下で基板上にＩＴＯをスパッタリングすることにより、所望のＩＴＯ膜を形成する方法が、特開平６−２４８２６号公報（特許文献１）、特開平６−２４７７６５号公報（特許文献２）等にて知られている。
In particular, liquid crystal display devices have been widely used in place of CRT (Cathode-Ray Tube, CRT).
In a liquid crystal panel for color display for a liquid crystal display device, light from a backlight is displayed through a colored layer of each color, but the light passing through the colored layer of each color is liquid crystal for each pixel. Are controlled on and off as switching elements.
A transparent conductive ITO film (indium oxide doped with tin) has been conventionally used as a material for a control electrode for on-off control using a liquid crystal as a switching element for each pixel.
As a method for forming an ITO film, a method for forming a desired ITO film by sputtering an ITO on a substrate under a predetermined sputtering condition using an ITO sintered body as a target is disclosed in JP-A-6-24826. It is known in Japanese Patent Publication (Patent Document 1), Japanese Patent Laid-Open No. 6-247765 (Patent Document 2), and the like.
生産性向上の面、低コスト化の面等から、面付け生産が行われているが、これに用いられる透明なガラス基板の大型化の要求は強く、最近では、Ｇ６世代（１８００ｍｍ×１５００ｍｍサイズ）サイズの大サイズのガラス基板での量産化が現実のものとなってきている。
そして、生産性の面から、このような、大サイズのガラス基板を用いた処理基板へのＩＴＯ膜の成膜をインラインで行う、図４（ａ）にその概略構成配置図を示すような、インライン方式のＩＴＯスパッタ成膜装置も提案されている。
ここに示すスパッタ装置においては、図４（ｂ）に示すように、大サイズのガラス基板をベース基板とする処理基板８６３を、キャリア８６０に搭載して鉛直方向８９２に立てた状態で、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、処理基板７６３の一面側に電極用のＩＴＯ膜をスパッタ成膜する。
簡単には、処理基板８６３は、ローディングチャンバー８１１に投入され、予備チャンバー８１２を経て、第１のスパッタチャンバー８８３に投入され、搬送されながらスパッタ処理され、回転処理部８２０に搬入され、ここで、回転部によりキャリアごと１８０度回転され、向きを変え、第２のスパッタチャンバー８３３に投入され、搬送されながらスパッタ処理される。
そして、スパッタ後、予備チャンバー８３２、アンローディングチャンバー８３１を経て搬出される。
ここでは、図４（ｂ）に示すように、キャリア（基板ホールダとも言う）８６０と呼ばれる、処理基板８６３を保持するための枠体８６１を有するサポート部材に、処理基板８６３を載せた状態で、キャリア８６０ごと立てた状態で搬送する。
キャリア８６０は、枠体８６１に、順に、処理基板８６３、裏板８６１を嵌め込み、処理基板８６３を保持する処理基板保持部１０１を備えたものであり、処理基板８６３は、鉛直方向８９２に沿うように立てた状態でキャリア８６０の処理基板保持部１０１にはめ込まれている。
そして、図４（ａ）に示すように、処理基板８６３は、処理基板保持部１０１ごとキャリア８６０に搭載されて、水平方向８９１に搬送され、鉛直方向８９２に沿うように立てた状態で、ターゲット８７１と平行にして対向させてスパッタが行われる。
尚、図４（ａ）中、点線矢印は、キャリア８６０の搬送方向を示している。
図示していないが、ここでのスパッタ方式は、ターゲット８７１の裏面側（処理基板８６３側とは反対の側）に、外側磁極と内側磁極の間で磁場が閉じるように設計し、発生したプラズマをターゲット８７１近傍のみに存在するようにしているマグネトロンスパッタ方式のものである。
大サイズの処理基板として、例えば、大サイズの透明なガラス基板の一面側に各色の着色層をカラーフィルタ（以下、ＣＦとも言う）として形成したカラーフィルタ形成基板を処理基板が挙げられ、この処理基板のＣＦ形成面側に、電極用のＩＴＯ膜を成膜する。
Impositional production is carried out from the viewpoint of productivity improvement and cost reduction, but there is a strong demand for enlargement of the transparent glass substrate used for this, and recently, the G6 generation (1800 mm x 1500 mm size) ) Mass production with large glass substrates is becoming a reality.
And, from the aspect of productivity, in-line deposition of the ITO film on the processing substrate using such a large glass substrate is performed in-line, as shown in FIG. An inline ITO sputter deposition apparatus has also been proposed.
In the sputtering apparatus shown here, as shown in FIG. 4 (b), a
Briefly, the
Then, after sputtering, the material is unloaded through the preliminary chamber 832 and the
Here, as shown in FIG. 4B, in a state where the
The carrier 860 includes a processing substrate holding portion 101 that holds the
Then, as shown in FIG. 4A, the
In FIG. 4A, a dotted arrow indicates the conveyance direction of the carrier 860.
Although not shown, the sputtering method here is designed so that the magnetic field is closed between the outer magnetic pole and the inner magnetic pole on the back side of the target 871 (the side opposite to the
An example of a large-size processing substrate is a color filter-formed substrate in which a colored layer of each color is formed as a color filter (hereinafter also referred to as CF) on one surface side of a large-size transparent glass substrate. An ITO film for electrodes is formed on the CF forming surface side of the substrate.
図４（ｂ）に示すキャリア８６０には、図示していない駆動用モーター（キャリア側のものではない）からの駆動力を歯車（図示していない）との噛み合わせで伝える溝を切った溝形成部８６８がその下部に設けられており、更に、歯車による磨耗を極力抑えるために、キャリア８６０の溝形成部８６８の進行方向両側、下側に平坦部を有する搬送支持レール８６６、８６７が、キャリアの荷重を支えるために設けられており、本体側にある前記の歯車とは異なるボビンのような回転体８６９にキャリア側の搬送支持レール８６６、８６８の平坦部が乗っかるようになっている。
キャリア８６０は、その下側に設けられた搬送支持レール８６６、８６７に保持されながら、溝形成部８６８にて駆動用モーターからの駆動力を歯車の噛み合わせで受けて、搬送される。
Ｇ６世代では、スパッタ処理する処理基板８６３とキャリ８６０アを併せた重量は１００ｋｇ程度となるため、どうしても磨耗が発生するためこのように、できるだけ、前記溝形成部２００と歯車との嵌合を少なくしている。
尚、キャリア８６０の材質としては重量の面、剛性の面から、Ｔｉが好ましく用いられる。
スパッタリングは、Ａｒガス雰囲気中、１０-5ｔｏｒｒ〜１０-2ｔｏｒｒ圧下で、プレート状にされた、成膜する膜組成のＩＴＯをターゲットとして用いて行う。
この場合、ＣＦを形成する着色層の耐熱性（ＣＦからの脱ガス）の面から、基板の大型化にともないキャリア等の熱伸びの問題を考慮して、低温で成膜を行うことが求められている。
尚、このような、マグネトロンスパッタ方式で、低温スパッタには、例えば、Ｉｎ2 Ｏ3 、９０ｗ％＋ＳｎＯ2 、１０ｗ％組成の焼結したターゲット材を、厚さ８ｍｍ〜１５ｍｍとして用いる。
例えば、ターゲットとしては、Ｃｕプレートをバッキング材として、インジウム半田を接着層とし、数枚の焼結ターゲット材をつなぎ合わせている。
The carrier 860 shown in FIG. 4 (b) has a groove in which a groove for transmitting a driving force from a driving motor (not shown on the carrier side) not shown is engaged with a gear (not shown). A forming portion 868 is provided at the lower portion thereof, and in order to suppress wear by the gears as much as possible,
The carrier 860 is conveyed by receiving the driving force from the driving motor by the engagement of the gears at the groove forming portion 868 while being held by the conveying
In the G6 generation, the combined weight of the
As a material of the carrier 860, Ti is preferably used from the viewpoint of weight and rigidity.
Sputtering is performed in an Ar gas atmosphere under a pressure of 10 −5 torr to 10 −2 torr using a ITO film having a film composition to be deposited as a target.
In this case, from the viewpoint of the heat resistance (degassing from CF) of the colored layer forming CF, it is required to perform film formation at a low temperature in consideration of the problem of thermal expansion of carriers and the like as the substrate becomes larger. It has been.
In addition, in such a magnetron sputtering method, for example, a sintered target material having a composition of In 2 O 3 , 90 w% + SnO 2 , 10 w% is used in a low temperature sputtering with a thickness of 8 mm to 15 mm.
For example, as a target, a Cu plate is used as a backing material, indium solder is used as an adhesive layer, and several sintered target materials are joined together.
このように、従来、インライン方式のスパッタ装置において、ターゲットとスパッタ処理対象の基板とを立てた状態で対向させてスパッタを行っており、当初は、液晶表示パネル用のＣＦ形成基板の作製において着色層上にＩＴＯ膜を成膜する場合、スパッタ成膜を２３０℃の高温で行い、ＩＴＯ膜を配していた。
このような成膜法を、ここでは、高温成膜法とも言う。
尚、アニール温度は、２３０℃に限定する必要はありませんが、これより高いとＣＦ形成基板の着色層へのダメージが発生、これより低いとＩＴＯ膜質改善能力が低下する。
近年では、ＣＦ形成基板からの脱ガスや成膜時のＣＦ形成基板への熱負荷低減のため、近年では、液晶表示パネル用のＣＦ形成基板の作製において着色層上にＩＴＯ膜を成膜する場合、スパッタ成膜を１２０℃の低温で行い、成膜後にアニール処理を行って、ＩＴＯ膜を得る低温成膜方法が採られるようになってきた。
高温成膜法の場合、ＣＦ形成基板からの脱ガス量が成膜されたＩＴＯ膜品質に影響するのに対し、低温成膜方法の場合は、ＣＦ形成基板からの脱ガス量が少なく、成膜されたＩＴＯ膜品質への脱ガスの影響はすくない。
しかし、インライン方式のスパッタ装置において、低温成膜方法を採り入れ、量産する際、得られたＩＴＯ膜のシート抵抗値が所望の値でない場合、インライン方式であるためこの情報を成膜部等へフィードバックしても、大量の不良膜付けが行われてしまうという問題があった。
As described above, in the conventional in-line sputtering apparatus, sputtering is performed with the target and the substrate to be sputtered facing each other in an upright state, and coloring is initially performed in the production of a CF-formed substrate for a liquid crystal display panel. When forming an ITO film on the layer, sputtering film formation was performed at a high temperature of 230 ° C., and the ITO film was disposed.
Such a film formation method is also referred to herein as a high temperature film formation method.
The annealing temperature need not be limited to 230 ° C., but if it is higher than this, damage to the colored layer of the CF-formed substrate occurs, and if it is lower than this, the ability to improve the ITO film quality is lowered.
In recent years, an ITO film is formed on a colored layer in the production of a CF formation substrate for a liquid crystal display panel in order to degas from the CF formation substrate and to reduce the thermal load on the CF formation substrate during film formation. In some cases, a low-temperature film formation method has been adopted in which sputtering film formation is performed at a low temperature of 120 ° C. and annealing is performed after film formation to obtain an ITO film.
In the case of the high temperature film formation method, the amount of degassing from the CF forming substrate affects the quality of the ITO film formed, whereas in the case of the low temperature film forming method, the amount of degassing from the CF forming substrate is small. The effect of degassing on the deposited ITO film quality is not significant.
However, when the low-temperature film forming method is adopted and mass production is carried out in the in-line type sputtering apparatus, if the sheet resistance value of the obtained ITO film is not a desired value, this information is fed back to the film forming unit etc. because it is an in-line method. However, there was a problem that a large amount of defective film was formed.
上記のように、近年、情報化社会への進展が著しく、ディスプレイ装置の使用も多様化し、特に、液晶表示装置が広く普及されるようになり、その生産性向上の面、低コスト化の面から、面付け生産が行われているが、液晶表示パネル用のＣＦ形成基板の作製において着色層上にＩＴＯ膜を成膜する場合、インライン方式のスパッタ装置において、スパッタ成膜を低温で行い、成膜後にアニール処理を行って、ＩＴＯ膜を得る低温成膜方法を採る場合、得られたＩＴＯ膜のシート抵抗値が所望の値でないと、大量の不良膜付けが行われてしまうという問題があり、その対応が求められていた。
本発明はこれに対応するもので、インライン方式のスパッタ装置において、スパッタ成膜を低温で行い、成膜後にアニール処理を行って、ＩＴＯ膜を得る低温成膜方法を採る場合、得られたＩＴＯ膜のシート抵抗値が所望の値でないと、大量の不良膜付けが行われてしまうという問題を、解決できるインライン方式のＩＴＯ成膜装置、ＩＴＯ成膜方法を提供しようとするものである。
As described above, in recent years, progress toward the information society has been remarkable, and the use of display devices has been diversified. In particular, liquid crystal display devices have become widespread, improving productivity and reducing costs. From the viewpoint of imposition production, when forming an ITO film on a colored layer in the production of a CF forming substrate for a liquid crystal display panel, the sputter film formation is performed at a low temperature in an in-line type sputtering apparatus, When a low temperature film formation method for obtaining an ITO film by performing an annealing process after film formation is employed, if the sheet resistance value of the obtained ITO film is not a desired value, there is a problem that a large number of defective films are attached. There was a need for that.
This invention respond | corresponds to this, and in the in-line type sputtering apparatus, when sputtering film formation is performed at a low temperature and annealing treatment is performed after the film formation, and the low temperature film formation method for obtaining the ITO film is employed, the obtained ITO An object of the present invention is to provide an in-line ITO film forming apparatus and an ITO film forming method capable of solving the problem that a large amount of defective film is formed unless the sheet resistance value of the film is a desired value.
本発明のＩＴＯ成膜装置は、処理対象の基板の面にＩＴＯ膜を成膜するインライン方式のＩＴＯ成膜装置であって、順に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理部とを、備えていることを特徴とするものである。
そして、上記のＩＴＯ成膜装置であって、前記高周波測定部の測定結果に基づき、成膜されたＩＴＯ膜のアニール処理後のシート抵抗値の良否を予測判定する判定処理部を備えていることを特徴とするものであり、該前記判定処理部は、あらかじめ、複数の試料用の基板について、アニール処理後のシート抵抗値がばらけるように、ＩＴＯ成膜処理の条件を調整し、それぞれ、前記ＩＴＯ成膜処理、前記測定処理、前記アニール処理を、順に行い、各試料用の基板の測定処理により、それぞれ得られた所定の複数の周波数ｆｉ（ｉ＝１〜ｎ）における抵抗Ｒfi（ｉ＝１〜ｎ）と、各試料用の基板の対応するアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0i（ｉ＝１〜ｎ）とから、その値が所定の範囲である場合に、アニール処理後のシート抵抗値Ｒが所望の所定値（通常２５Ω）以下に対応付けできる関係を有する、選ばれた関数Ｆ（Ｒfi）を用いて、成膜された処理対象の基板について、その測定結果から、該処理対象の基板のアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0 の良否を予測して判定するものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記のいずれかのＩＴＯ成膜装置であって、処理対象の基板をキャリアに搭載した状態で、搬送しながら、前記スパッタ処理部にて、処理対象の基板の成膜する側の面とターゲットとを、平行に対向させ、水平もしくは鉛直方向から斜めに傾けて配して、スパッタ処理を行い、該処理対象の基板の一面側にＩＴＯ膜を成膜するものであることを特徴とするものである。
Ｉまた、上記いずれかのＩＴＯ成膜装置であって、前記処理対象の基板が、その一面側に各色の着色層をカラーフィルタとして形成したカラーフィルタ形成基板で、該カラーフィルタ形成面側にＩＴＯ膜を成膜するものであることを特徴とするものである。
The ITO film forming apparatus of the present invention is an in-line type ITO film forming apparatus for forming an ITO film on the surface of a substrate to be processed, and sequentially forming an ITO film by sputtering using a low temperature film forming method. A processing unit, a high-frequency measuring unit that measures resistance and / or reactance at a predetermined frequency using a high-frequency AC four-terminal method, and an annealing process that anneals the sputtered ITO film. And a processing unit.
And it is said ITO film-forming apparatus, Comprising: The judgment processing part which predicts the quality of the sheet resistance value after the annealing process of the formed ITO film | membrane based on the measurement result of the said high frequency measurement part is provided. The determination processing unit previously adjusts the conditions of the ITO film forming process so that the sheet resistance value after the annealing process varies for a plurality of sample substrates, The ITO film formation process, the measurement process, and the annealing process are performed in order, and the resistance R fi (i) at a plurality of predetermined frequencies fi (i = 1 to n) respectively obtained by the measurement process of the substrate for each sample. i = 1 to n) and the sheet resistance value R 0i (i = 1 to n) after annealing corresponding to the substrate for each sample, when the value is within a predetermined range, Sheet resistance value R is the place Of a predetermined value can be related association (usually 25 [Omega]) or less, using the selected function F (R fi), the substrate to be processed which is formed from the measurement result, the substrate of the processed The sheet resistance value R 0 after annealing is predicted and judged to be good or bad.
Further, in any of the above ITO film forming apparatuses, the surface on the film forming side of the substrate to be processed is transported in the sputter processing unit while the substrate to be processed is mounted on the carrier. The target and the target are arranged in parallel and inclined at an angle from the horizontal or vertical direction, the sputtering process is performed, and an ITO film is formed on one surface side of the target substrate. To do.
I In any one of the above ITO film forming apparatuses, the substrate to be processed is a color filter forming substrate in which a colored layer of each color is formed as a color filter on one surface side, and the ITO on the color filter forming surface side A film is formed.
本発明のＩＴＯ成膜方法は、処理対象の基板の面に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理とを、順に行い、ＩＴＯ膜が成膜されたＩＴＯ膜付着基板を得る、インライン方式のＩＴＯ成膜方法であって、前記ＩＴＯ成膜処理後、前記アニール処理前に、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の複数の周波数における抵抗およびまたはリアクタンスを測定する測定処理と、該測定処理の測定結果に基づき、成膜されたＩＴＯ膜のアニール処理後のシート抵抗値の良否を予測判定する判定処理を行うもので、該判定処理の結果に基づいて、成膜条件の変更を行う、あるいは必要に応じて成膜中止するものであることを特徴とするものである。
そして、上記のＩＴＯ成膜方法であって、前記判定処理は、あらかじめ、複数の試料用の基板について、アニール処理後のシート抵抗値がばらけるように、ＩＴＯ成膜処理の条件を調整し、それぞれ、前記ＩＴＯ成膜処理、前記測定処理、前記アニール処理を、順に行い、各試料用の基板の測定処理により、それぞれ得られた所定の複数の周波数ｆｉ（ｉ＝１〜ｎ）における抵抗Ｒfi（ｉ＝１〜ｎ）と、各試料用の基板の対応するアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0i（ｉ＝１〜ｎ）とから、その値が所定の範囲である場合に、アニール処理後のシート抵抗値Ｒが所望の所定値（通常２５Ω）以下に対応付けできる関係を有する、関数Ｆ（Ｒfi）を選び、処理対象の基板については、前記関数Ｆ（Ｒfi）の測定結果をもとに、該成膜された処理対象の基板のアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0 の良否を予測して判定するものであることを特徴とするものであり、前記関数Ｆ（Ｒfi）が、ｆ１、ｆ２を、それぞれ、１００ｋＨｚ、１０ＭＨｚとして、Ｒf2／Ｒf1であることを特徴とするものである。
尚、ここで言う高周波数とは、１０ｋＨｚ〜１２ＭＨｚの範囲を含むものである。
また、ｆ１、ｆ２を、それぞれ、１００ｋＨｚ、１０ＭＨｚとした場合、以下、Ｒf1をＲ100 kHz 、Ｒf2をＲ10MHz とも記す。
The ITO film forming method according to the present invention includes an ITO film forming process for sputtering an ITO film on a surface of a substrate to be processed by a low temperature film forming method, and an annealing process for annealing the sputtered ITO film. The in-line ITO film forming method is performed in order to obtain an ITO film-attached substrate on which an ITO film is formed. The ITO film is formed by sputtering after the ITO film forming process and before the annealing process. , A measurement process for measuring resistance and reactance at a plurality of predetermined frequencies by a high-frequency AC four-terminal method, and a sheet resistance value after annealing of the deposited ITO film based on the measurement result of the measurement process A determination process for predicting pass / fail is performed. Based on the result of the determination process, the film formation conditions are changed, or the film formation is stopped if necessary. It is an butterfly.
And it is said ITO film-forming method, Comprising: The said determination process adjusts the conditions of an ITO film-forming process beforehand so that the sheet resistance value after an annealing process may be distributed about the board | substrate for several samples, The ITO film forming process, the measurement process, and the annealing process are sequentially performed, and the resistance R at a plurality of predetermined frequencies fi (i = 1 to n) respectively obtained by the measurement process of the substrate for each sample. When fi (i = 1 to n) and the sheet resistance value R 0i (i = 1 to n) after the corresponding annealing treatment of the substrate for each sample, the annealing treatment is performed when the value is within a predetermined range. The function F (R fi ) is selected so that the subsequent sheet resistance value R can be matched to a desired predetermined value (usually 25Ω) or less, and the measurement result of the function F (R fi ) is obtained for the substrate to be processed. Based on the And characterized in that it is intended to determine to predict the quality of the sheet resistance R 0 after annealing of the substrate of interest, the function F (R fi) is the f1, f2, respectively, 100kHz It is characterized by Rf2 / Rf1 at 10 MHz.
In addition, the high frequency said here includes the range of 10 kHz-12 MHz.
When f1 and f2 are 100 kHz and 10 MHz, respectively, R f1 is also referred to as R 100 kHz and R f2 is also referred to as R 10 MHz .
（作用）
本発明のＩＴＯ成膜装置は、このような構成にすることにより、インライン方式のスパッタ装置において、スパッタ成膜を低温で行い、成膜後にアニール処理を行って、ＩＴＯ膜を得る低温成膜方法を採る場合、得られたＩＴＯ膜のシート抵抗値が所望の値でないと、大量の不良膜付けが行われてしまうという問題を、解決できるインライン方式のＩＴＯ成膜装置の提供を可能とするものである。
具体的には、順に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理部とを、備えていることにより、これを達成している。
詳しくは、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部を、この順に備えていることにより、低温成膜法によるＩＴＯ成膜後、アニール処理前に、所定の複数の周波数ｆｉ（ｉ＝１〜ｎ）における抵抗Ｒfi（ｉ＝１〜ｎ）や、リアクタンスの測定を可能にしている。
成膜後、アニール前に、早かに、その測定結果の情報を得ることができる。
そして、高周波測定部の測定結果に基づき、成膜されたＩＴＯ膜のアニール処理後のシート抵抗値の良否を予測判定する判定処理部を備えている請求項２の発明の形態とすることにより、成膜された処理対象の基板について、その測定結果から、該処理対象の基板のアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0 の良否を予測して判定することを可能としている。
判定処理部としては、あらかじめ、複数の試料用の基板について、アニール処理後のシート抵抗値がばらけるように、ＩＴＯ成膜処理の条件を調整し、それぞれ、前記ＩＴＯ成膜処理、前記測定処理、前記アニール処理を、順に行い、各試料用の基板の測定処理により、それぞれ得られた所定の複数の周波数ｆｉ（ｉ＝１〜ｎ）における抵抗Ｒfi（ｉ＝１〜ｎ）と、各試料用の基板の対応するアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0i（ｉ＝１〜ｎ）とから、その値が所定の範囲である場合に、アニール処理後のシート抵抗値Ｒが所望の所定値（通常２５Ω）以下に対応付けできる関係を有する、選ばれた関数Ｆ（Ｒfi）を用いて、成膜された処理対象の基板について、その測定結果から、該処理対象の基板のアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0 の良否を予測して判定するものである請求項３の発明の形態が挙げられる。
尚、ＩＴＯ成膜する際、ＩＴＯ膜の膜質変動要素が、一番高いのは酸素分圧で、通常、アニール処理後のシート抵抗値がばらけるようにするためには、ＩＴＯ成膜処理の際の導入する酸素分圧（％表示）にて調整する。
また、このようなインライン方式のＩＴＯ成膜装置としては、処理対象の基板をキャリアに搭載した状態で、搬送しながら、前記スパッタ処理部にて、処理対象の基板の成膜する側の面とターゲットとを、平行に対向させ、水平もしくは鉛直方向から斜めに傾けて配して、スパッタ処理を行い、該処理対象の基板の一面側にＩＴＯ膜を成膜するものである、請求項４の発明の形態が挙げられる。
処理対象の基板が、その一面側に各色の着色層をカラーフィルタとして形成したカラーフィルタ形成基板で、該カラーフィルタ形成面側にＩＴＯ膜を成膜するものである場合には、低温成膜法によりＣＦ形成基板からの脱ガスや成膜時のＣＦ形成基板への熱負荷を低減し、生産性良く、着色層上へ所望のシート抵抗値のＩＴＯを配設することを可能としており、特に、有効である。
(Function)
The ITO film forming apparatus according to the present invention has such a configuration, and in the in-line type sputtering apparatus, the sputter film formation is performed at a low temperature, and an annealing process is performed after the film formation to obtain an ITO film. If the sheet resistance value of the obtained ITO film is not a desired value, it is possible to provide an in-line ITO film forming apparatus that can solve the problem that a large amount of defective films are attached. It is.
Specifically, in order, an ITO film formation processing unit that forms an ITO film by sputtering using a low-temperature film formation method, and an ITO film formed by sputtering with respect to the resistance and resistance at a predetermined frequency using a high-frequency AC four-terminal method. Alternatively, this is achieved by including a high-frequency measuring unit that measures reactance and an annealing unit that anneals the sputtered ITO film.
Specifically, for the sputter-deposited ITO film, a high-frequency measuring unit that measures resistance and / or reactance at a predetermined frequency by a high-frequency AC four-terminal method is provided in this order. It is possible to measure the resistance R fi (i = 1 to n) and reactance at a plurality of predetermined frequencies fi (i = 1 to n) after the ITO film formation and before the annealing process.
Information on the measurement results can be obtained immediately after film formation and before annealing.
And based on the measurement result of the high-frequency measurement unit, by providing a determination processing unit that predicts and determines the quality of the sheet resistance value after annealing of the formed ITO film, It is possible to predict and judge the quality of the sheet resistance value R 0 after annealing of the substrate to be processed from the measurement result of the substrate to be processed.
As the determination processing unit, the conditions of the ITO film forming process are adjusted in advance so that the sheet resistance value after the annealing process is varied for a plurality of sample substrates, and the ITO film forming process and the measurement process are respectively performed. The annealing treatment is performed in order, and the resistance R fi (i = 1 to n) at each of a plurality of predetermined frequencies fi (i = 1 to n) respectively obtained by the measurement processing of the substrate for each sample, When the sheet resistance value R 0i (i = 1 to n) after annealing corresponding to the sample substrate is within a predetermined range, the sheet resistance value R after annealing is a desired predetermined value. (Usually 25Ω) After the annealing treatment of the substrate to be processed from the measurement result of the substrate to be processed using the selected function F (R fi ) having a relationship that can be correlated with Sheet resistance value R 0 The form of the invention of
When forming an ITO film, the film quality variation factor of the ITO film is the highest in oxygen partial pressure. Usually, in order to vary the sheet resistance value after annealing, The oxygen partial pressure (% display) to be introduced is adjusted.
In addition, as such an in-line ITO film forming apparatus, while the substrate to be processed is mounted on a carrier, the sputter processing unit transfers the surface of the substrate to be processed to the film forming side. 5. The target according to
When the substrate to be processed is a color filter forming substrate in which a colored layer of each color is formed as a color filter on one surface side, and an ITO film is formed on the color filter forming surface side, a low temperature film forming method This makes it possible to degas from the CF-formed substrate and reduce the thermal load on the CF-formed substrate during film formation, and to arrange ITO with a desired sheet resistance value on the colored layer with good productivity. ,It is valid.
尚、成膜後、アニール前のＩＴＯ膜を通常の直流方式の４端子法で測定すると、酸素分圧を増加した膜では、シート抵抗値が低下して、良化している傾向にありますが、これをアニールすると酸素分圧の高い領域では、シート抵抗値は逆に悪化してしまうため、アニール前の状態では、通常の直流方式の４端子法での測定では、アニール後のシート抵抗を予測判定することができないのです。
例えば、直流方式の４端子法での、成膜後、アニール前のシート抵抗Ｒｓとアニール後のシート抵抗Ｒｓ１とは、表２に示すような関係となる。
本発明者は、このような中、高周波の交流４端子法による、成膜後、アニール前のＩＴＯ膜の測定結果から、直流方式の４端子法での、アニール後のシート抵抗値Ｒｓを予測判定することができる方法を見出したものである。
In addition, when the ITO film before film formation and before annealing is measured by the usual DC method with four terminals, the film with increased oxygen partial pressure tends to decrease and improve. When this is annealed, the sheet resistance value is worsened in the region where the oxygen partial pressure is high. Therefore, in the state before annealing, the sheet resistance after annealing is predicted in the measurement using the normal DC four-terminal method. It cannot be judged.
For example, in the direct current four-terminal method, the sheet resistance Rs after film formation and before annealing and the sheet resistance Rs1 after annealing have a relationship as shown in Table 2.
In this situation, the inventor predicts the sheet resistance value Rs after annealing in the DC four-terminal method from the measurement result of the ITO film after film formation and before annealing by the high-frequency AC four-terminal method. It is a method that can be determined.
本発明のＩＴＯ成膜方法は、このような構成にすることにより、スパッタ成膜を低温で行い、成膜後にアニール処理を行って、ＩＴＯ膜を得る低温成膜方法を採る場合、得られたＩＴＯ膜のシート抵抗値が所望の値でないと、大量の不良膜付けが行われてしまうという問題を、解決できるインライン方式のＩＴＯ成膜方法の提供を可能としている。 The ITO film formation method of the present invention was obtained when the low temperature film formation method for obtaining the ITO film by performing the sputter film formation at a low temperature and performing the annealing process after the film formation by adopting such a configuration was obtained. If the sheet resistance value of the ITO film is not a desired value, it is possible to provide an in-line ITO film forming method that can solve the problem that a large amount of defective film is formed.
本発明は、上記のように、インライン方式のスパッタ装置において、スパッタ成膜を低温で行い、成膜後にアニール処理を行って、ＩＴＯ膜を得る低温成膜方法を採る場合、得られたＩＴＯ膜のシート抵抗値が所望の値でないと、大量の不良膜付けが行われてしまうという問題を、解決できるインライン方式のＩＴＯ成膜装置、ＩＴＯ成膜方法の提供を可能とした。 As described above, in the in-line type sputtering apparatus, when the present invention adopts the low-temperature film formation method for obtaining the ITO film by performing the sputtering film formation at a low temperature and performing the annealing process after the film formation, the obtained ITO film If the sheet resistance value is not a desired value, it is possible to provide an in-line ITO film forming apparatus and an ITO film forming method capable of solving the problem that a large amount of defective films are formed.
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明のＩＴＯ成膜装置の実施の形態の１例の、ラインにおけるＩＴＯ成膜処理部、高周波測定部、アニール処理部の配列状態を示した概略構成図で、図１（ｂ）は高周波測定部の概略構成を示した図で、図２（ａ）は図１に示す実施の形態例のＩＴＯ成膜装置におけるキャリアと搬送用の回転ロールを示した概略断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１方向からみた図で、図３は各関数とシート抵抗値との関係をグラフ化して示した図である。
図１（ａ）中点線矢印は処理対象の基板の搬送方向を示し、また。図１（ｂ）中、実線矢印は情報ないし制御の方向を示している。
図１〜図２、図４中、１０は（インライン方式の）ＩＴＯ成膜装置、２０、２０Ａ、２０ＢはＩＴＯ成膜処理部（スパッタ処理部とも言う）、３０は高周波測定部、３１はプローブヘッド（測定部とも言う）、３１ａは端子用針部、３２は高周波測定装置、３３はコントロール部、４０は判定処理部、５０はアニール処理部、８０は処理対象の基板（単に基板とも言う）、８０ａは成膜後、アニール前の処理対象の基板、８０ｂはアニール処理後の処理対象の基板、９０はターゲット、９５はターゲット保持部である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1A is a schematic configuration diagram showing an arrangement state of an ITO film formation processing unit, a high-frequency measurement unit, and an annealing processing unit in a line as an example of an embodiment of the ITO film formation apparatus of the present invention. (B) is the figure which showed schematic structure of the high frequency measurement part, FIG.2 (a) is the schematic sectional drawing which showed the carrier and the rotation roll for conveyance in the ITO film-forming apparatus of the embodiment shown in FIG. 2B is a diagram viewed from the B1 direction of FIG. 2A, and FIG. 3 is a graph showing the relationship between each function and the sheet resistance value.
A dotted line arrow in FIG. 1A indicates the direction of transport of the substrate to be processed. In FIG. 1B, solid arrows indicate the direction of information or control.
1 to 2 and 4, 10 is an (in-line type) ITO film forming apparatus, 20, 20 </ b> A and 20 </ b> B are ITO film forming units (also referred to as sputtering units), 30 is a high-frequency measuring unit, and 31 is a probe. Head (also referred to as measurement unit), 31a is a terminal needle unit, 32 is a high-frequency measuring device, 33 is a control unit, 40 is a determination processing unit, 50 is an annealing processing unit, and 80 is a substrate to be processed (also simply referred to as a substrate). , 80a is a substrate to be processed after film formation and before annealing, 80b is a substrate to be processed after annealing, 90 is a target, and 95 is a target holding portion.
はじめに、本発明のＩＴＯ成膜装置の実施の形態の１例を、図１に基づいて説明する。 本例のＩＴＯ成膜装置１０は、ディスプレイパネル用のＧ６世代サイズ（１８００ｍｍ×１５００ｍｍサイズ）以上の大サイズの透明なガラス基板をベース基板とする処理対象の基板８０を、キャリア（図２の１００）に搭載して立てた状態で、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、処理対象の基板８０の一面側に電極用のＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜装置で、図１（ａ）に示すように、順に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理部２０と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部３０と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理部５０と、成膜されたＩＴＯ膜のアニール処理後のシート抵抗値の良否を予測判定する判定処理部４０とを備えているものである。
本例のＩＴＯ成膜装置は、図４に示す、従来の各部の構成配列のインライン方式のスパッタ装置において、処理対象の基板（図４（ｂ）の８６３に相当）の搬送方向、スパッタによりＩＴＯ成膜を行うＩＴＯ成膜処理部２０Ｂの後側に、高周波測定部３０、アニール処理部５０をインラインの装置内に設けているものである。
尚、図１においては、図４に示すスパッタによるＩＴＯ成膜装置２０Ａ、２０Ｂを併せてＩＴＯ成膜装置２０として示している。
ここでは、処理対象の基板８０として、Ｇ６世代サイズの透明なガラス基板の一面側に各色の着色層をカラーフィルタとして形成したカラーフィルタ形成基板を用い、そのカラーフィルタ形成面側にＩＴＯ膜をスパッタ成膜するものである。
First, an example of an embodiment of an ITO film forming apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. The ITO
The ITO film forming apparatus of this example is an in-line type sputtering apparatus having a conventional arrangement of each part shown in FIG. 4, and the direction of conveyance of the substrate to be processed (corresponding to 863 in FIG. 4B) and the ITO by sputtering. A high-
In FIG. 1, the ITO film forming apparatuses 20A and 20B by sputtering shown in FIG.
Here, a color filter forming substrate in which a colored layer of each color is formed as a color filter on one surface side of a G6 generation size transparent glass substrate is used as the substrate 80 to be processed, and an ITO film is sputtered on the color filter forming surface side. A film is formed.
本例においては、図２（ａ）に示すように、スパッタ処理の際には、処理対象の基板８０の成膜する側の面とターゲット９０とを、平行に対向させ、立てた状態のままキャリア１００を搬送する。
尚、本例におけるキャリア１００は、図２に示すように、枠体１１０に、処理対象の基板８０、裏板１２０を順に嵌め込み、処理対象の基板８０を保持する処理基板保持部１０１を備えている。
枠体１１０の材質については、剛性が大きく、強固で、軽いものが好ましく、Ｔｉやステンレスが挙げられる。
他の各部についても、剛性が大きく、強固で軽い材質が好まく、枠体と同様に、Ｔｉやステンレスが用いられる。
In this example, as shown in FIG. 2A, during the sputtering process, the surface of the substrate 80 to be processed and the target 90 face each other in parallel and remain in an upright state. The
As shown in FIG. 2, the
The material of the frame 110 is preferably a rigid, strong and light material, such as Ti or stainless steel.
For each of the other parts, a material having high rigidity, strong and light is preferred, and Ti and stainless steel are used as in the case of the frame.
本例においては、このように、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部３０を、上記の配列順に備えていることにより、ＩＴＯ成膜処理部２０における低温成膜法によるＩＴＯ成膜後、アニール処理部５０によるアニール処理前に、所定の複数の周波数ｆｉ（ｉ＝１〜ｎ）における抵抗Ｒfi（ｉ＝１〜ｎ）や、リアクタンスの測定が可能である。
高周波測定部３０は、図１（ｂ）に示すように、コントロール部３３の制御の下で、プローブヘッド（測定部とも言う）３１の端子用針部３１ａを処理対象の基板８０のＩＴＯ成膜面側に押し付けて、これに接続する高周波測定装置３２にて、周波数に対応した抵抗値とリアクタンス値を測定する。
判定処理部４０は、高周波測定部３０の測定結果に基づき、成膜されたＩＴＯ膜のアニール処理後のシート抵抗値の良否を予測判定するものである。
詳しくは、あらかじめ、複数の試料用の基板について、アニール処理後のシート抵抗値がばらけるように、ＩＴＯ成膜処理の条件を調整し、それぞれ、前記ＩＴＯ成膜処理、前記測定処理、前記アニール処理を、順に行い、各試料用の基板の測定処理により、それぞれ得られた所定の複数の周波数ｆｉ（ｉ＝１〜ｎ）における抵抗Ｒfi（ｉ＝１〜ｎ）と、各試料用の基板の対応するアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0i（ｉ＝１〜ｎ）とから、その値が所定の範囲である場合に、アニール処理後のシート抵抗値Ｒが所望の所定値（通常２５Ω）以下に対応付けできる関係を有する、選ばれた関数Ｆ（Ｒfi）を用いて、成膜された処理対象の基板について、その測定結果から、該処理対象の基板のアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0 の良否を予測して判定するものである。
これにより、成膜された処理対象の基板８０について、その測定結果から、該処理対象の基板８０のアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0 の良否を予測して判定する。
In this example, the ITO film thus sputtered is provided with the high-
As shown in FIG. 1B, the high-
The
Specifically, for a plurality of sample substrates, the conditions of the ITO film forming process are adjusted in advance so that the sheet resistance value after the annealing process varies, and the ITO film forming process, the measuring process, and the annealing are respectively performed. The processing is performed in order, and the resistance R fi (i = 1 to n) at each of a plurality of predetermined frequencies fi (i = 1 to n) obtained by the measurement processing of the substrate for each sample, and for each sample When the sheet resistance value R 0i (i = 1 to n) after annealing corresponding to the substrate is within a predetermined range, the sheet resistance value R after annealing is a desired predetermined value (usually 25Ω). ) Using the selected function F (R fi ) having a relationship that can be correlated to the following, the sheet resistance after annealing of the substrate to be processed is determined from the measurement results of the substrate to be processed. Predicts whether the value R 0 is good or bad It is determined.
Thereby, the quality of the sheet resistance value R 0 after annealing of the substrate 80 to be processed is predicted and determined from the measurement result of the substrate 80 to be processed.
このような、関数Ｆ（Ｒfi）の選択は、例えば、複数の試料用の基板について、アニール処理後のシート抵抗値がばらけるように、処理条件としての導入酸素分圧量（％表示）を変化させてＩＴＯ成膜を行い、それぞれ、ＩＴＯ成膜処理、測定処理、アニール処理を、順に行い、各試料用の基板の測定処理により、それぞれ得られた所定の複数の周波数ｆｉ（ｉ＝１〜ｎ）における抵抗Ｒfi（ｉ＝１〜ｎ）と、各試料用の基板の対応するアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0i（ｉ＝１〜ｎ）とから、その値が所定の範囲である場合に、アニール処理後のシート抵抗値Ｒが所望の所定値（通常２５Ω）以下に対応付けできる関係を有する、選ばれた関数Ｆ（Ｒfi）を用いて、成膜された処理対象の基板について、その測定結果から、該処理対象の基板のアニール処理後のシート抵抗値Ｒ0 の良否を予測して判定するが、更に、上記の導入酸素分圧量を変化させた場合についての、具体的な測定結果を挙げて、判定が可能であることを、以下説明する。
尚、ＩＴＯ成膜する際、ＩＴＯ膜の膜質変動要素が、一番高いのは酸素分圧で、成膜装置でのリークや下地基板からの脱ガスの影響により、この酸素分圧がばらつき、膜質が悪化する。
上記の導入酸素分圧量を変化させた場合についての、試料用の基板について、各測定周波数に対応した抵抗とリアクタンスの測定結果、およびアニール後のシート抵抗は、表１のようになった。
尚、各試料用の基板Ｎｏ１〜Ｎｏ６の成膜条件について、酸素分圧は、それぞれ、表１に示す％表示、０．１％、０．４％、０．５％、０．６％、０．７％、１．１％であるが、その他は同じく、下記の条件で行った。
成膜温度 １２０℃
成膜圧力 ０．４Ｐａ
ＤＣ投入パワー １．８Ｗ/ ｃｍ2
表２には、対応させて、各試料用の基板の成膜後、アニール前のシート抵抗Ｒｓ１とアニール後のシート抵抗Ｒｓとを挙げて示す。
尚、上記％表示の数値は、ＩＴＯ膜を成膜する際に導入する酸素分圧量を％で示したものであり、ここでは、以下同様に扱う。
但し、分かり易くするため、シート抵抗Ｒｓについては、定数０．０５をかけた値で示してある。
ＣＦ形成基板の着色層上へのＩＴＯ膜のシート抵抗値としては、通常、２５Ω／□以下であることが求められるが、即ち、（ＩＴＯ膜のシート抵抗値）×０．０５としては、１．２５以下であることが求められるが、図３に示すグラフのように、この場合、（ＩＴＯ膜のシート抵抗Ｒｓ）×０．０５のグラフは下に凸型のグラフであり、関数Ｆ１のグラフは上に凸型のグラフで、概略その数値を２．０以上とすれば、これに対応する（ＩＴＯ膜のシート抵抗Ｒｓ）×０．０５の値は、１．２５以下となる。
同様に、関数Ｆ２、Ｆ３についても、それぞれ、概略２．５以上にすれば、これに対応する（ＩＴＯ膜のシート抵抗Ｒｓ）×０．０５の値は、１．２５以下となる。
また、関数Ｆ４についても同様に、概略０．４以上にすれば、これに対応する（ＩＴＯ膜のシート抵抗Ｒｓ）×０．０５の値は、１．２５以下となる。
したがって、関数Ｆ１を用いる場合には、これらの値が２．０以上であるか否かを判定基準とし、Ｆ２、Ｆ３を用いる場合には、これらの値が２．５以上であるか否かを判定基準とし、また、関数Ｆ４を用いる場合には、これらの値が０．４以上であるか否かを判定基準とすれば良い。
このように、選ばれた関数を用い、該関数に応じて決めた判定基準の値をもとに、アニール後のシート抵抗の値を予測して、その量非を判定することができる。
Such a function F (R fi ) is selected, for example, by introducing oxygen partial pressure as a processing condition (in%) so that the sheet resistance value after annealing is varied for a plurality of sample substrates. The ITO film is formed by changing the above, and the ITO film forming process, the measuring process, and the annealing process are sequentially performed, and a predetermined plurality of frequencies fi (i = i = a resistor R fi (i = 1~n) in 1 to n), from a sheet resistance value R 0i after corresponding annealing treatment of the substrate for each sample (i = 1~n), range the value of the predetermined In the case where the sheet resistance value R after annealing is set to a desired predetermined value (usually 25Ω) or less, the film F is processed using the selected function F (R fi ). From the measurement result of the substrate of It determines to predict the quality of the sheet resistance R 0 after annealing the substrate further, for the case of changing the above introduction oxygen partial pressure amount, by way of specific measurements, can be determined This will be described below.
In addition, when forming an ITO film, the film quality variation factor of the ITO film is the highest in oxygen partial pressure, and this oxygen partial pressure varies due to leakage in the film forming apparatus and degassing from the base substrate. Film quality deteriorates.
Table 1 shows the resistance and reactance measurement results corresponding to each measurement frequency and the sheet resistance after annealing for the sample substrate when the oxygen partial pressure introduced above was changed.
In addition, about the film-forming conditions of the board | substrate No1-No6 for each sample, oxygen partial pressure is represented by% shown in Table 1, respectively 0.1%, 0.4%, 0.5%, 0.6%, Although it was 0.7% and 1.1%, others were similarly performed on the following conditions.
Deposition temperature 120 ° C
Deposition pressure 0.4Pa
DC input power 1.8W / cm 2
Table 2 shows the sheet resistance Rs1 before annealing and the sheet resistance Rs after annealing after forming the substrate for each sample.
Note that the above numerical value in% indicates the oxygen partial pressure amount to be introduced when forming the ITO film in%, and is treated in the same manner hereinafter.
However, for the sake of easy understanding, the sheet resistance Rs is indicated by a value multiplied by a constant 0.05.
The sheet resistance value of the ITO film on the colored layer of the CF forming substrate is usually required to be 25 Ω / □ or less. That is, (sheet resistance value of ITO film) × 0.05 is 1 However, in this case, the graph of (ITO sheet resistance Rs) × 0.05 is a downwardly convex graph as shown in FIG. The graph is an upwardly convex graph. If the numerical value is approximately 2.0 or more, the corresponding value of (sheet resistance Rs of ITO film) × 0.05 is 1.25 or less.
Similarly, if the functions F2 and F3 are each set to approximately 2.5 or more, the corresponding value of (sheet resistance Rs of the ITO film) × 0.05 is 1.25 or less.
Similarly, if the function F4 is set to approximately 0.4 or more, the value of (sheet resistance Rs of the ITO film) × 0.05 corresponding thereto is 1.25 or less.
Therefore, when using the function F1, whether or not these values are 2.0 or more is used as a criterion. When using F2 and F3, whether or not these values are 2.5 or more. When the function F4 is used, it may be determined whether these values are 0.4 or more.
Thus, using the selected function, the sheet resistance value after annealing can be predicted based on the value of the determination criterion determined in accordance with the function, and the non-quantity can be determined.
尚、成膜後、アニール前のＩＴＯ膜を通常の直流方式の４端子法で測定すると、酸素分圧を増加した膜では、シート抵抗値が低下して、良化している傾向にありますが、これをアニールすると酸素分圧の高い領域では、シート抵抗値は逆に悪化してしまうため、アニール前の状態では、通常の直流方式の４端子法での測定では、アニール後のシート抵抗を予測判定することができないのです。
直流方式の４端子法での、成膜後、アニール前のシート抵抗Ｒｓ１とアニール後のシート抵抗Ｒｓとは、例えば、表２に示すような関係となり、成膜後、アニール前のシート抵抗Ｒｓ１により、アニール後のシート抵抗Ｒｓを予測判定することはできない。
In addition, when the ITO film before film formation and before annealing is measured by the usual DC method with four terminals, the film with increased oxygen partial pressure tends to decrease and improve. When this is annealed, the sheet resistance value is worsened in the region where the oxygen partial pressure is high. Therefore, in the state before annealing, the sheet resistance after annealing is predicted in the measurement using the normal DC four-terminal method. It cannot be judged.
In the direct current four-terminal method, the sheet resistance Rs1 after film formation and before annealing and the sheet resistance Rs after annealing have the relationship shown in Table 2, for example, and the sheet resistance Rs1 after film formation and before annealing is as follows. Therefore, the sheet resistance Rs after annealing cannot be predicted and determined.
尚、本例は１例で本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、処理対象の基板とターゲットとを対向させ、鉛直方向から傾けた上体で搬送する形態も挙げられる。
場合によっては、処理対象の基板を水平搬送する形態も挙げられる。
勿論、処理対象の基板を水平状態として、アニール前のＩＴＯ膜を、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する形態も挙げられる。
In addition, this example is an example and this invention is not limited to this.
For example, a form in which the substrate to be processed and the target are opposed to each other and transported by an upper body inclined from the vertical direction is also possible.
Depending on the case, the form which conveys the board | substrate of a process target horizontally is also mentioned.
Of course, the substrate to be processed may be in a horizontal state, and the resistance and / or reactance of the ITO film before annealing may be measured at a predetermined frequency by a high-frequency AC four-terminal method.
１０ （インライン方式の）ＩＴＯ成膜装置
２０、２０Ａ、２０Ｂ ＩＴＯ成膜処理部（スパッタ処理部とも言う）
３０ 高周波測定部
３１ プローブヘッド（測定部とも言う）
３１ａ 端子用針部
３２ 高周波測定装置
３３ コントロール部
４０ 判定処理部
５０ アニール処理部
８０ 処理対象の基板（単に基板とも言う）
８０ａ 成膜後、アニール前の処理対象の基板
８０ｂ アニール処理後の処理対象の基板
９０ ターゲット
９５ ターゲット保持部
１００ キャリア
１０１ 処理基板保持部
１１０ 枠体
１２０ 裏板
１５０ 支持部
１６１、１６２ 位置決め回転ロール
１６１ａ、１６２ａ 軸
１７１、１７２ 搬送支持レール（単に支持部とも言う）
１９０ 回転ロール（回転体とも言う）
１９０ａ 軸
２００ 溝形成部
２１０ 歯車
２４１ 水平方向
２４２ 鉛直方向
８１１ ローディングチャンバー
８１２ 予備チャンバー
８１３ スパッタチャンバー
８２０ 回転処理部
８２１ 回転部
８３１ アンローディングチャンバー
８３２ 予備チャンバー
８３３ スパッタチャンバー
８４１〜８４３ チャンバー仕切り
８４１ａ〜８４３ａ チャンバー仕切り
８６０、８６０ａ キャリア
８６０Ａ 基板保持部
８６１ 枠体
８６２ 裏板（押さえ板とも言う）
８６３ 処理基板
８６４ 支持部
８６５ 位置決回転ローラ
８６５ａ、８６５ｂ 軸
８６６、８６７ 搬送支持レール（単に支持部とも言う）
８６８ 溝形成部
８６９ 回転ローラ（回転部とも言う）
８６９ａ 軸
８７１、８７２ ターゲット
８９１ 水平方向
８９２ 鉛直方向
10 (In-line type) ITO
30 High-frequency measurement unit 31 Probe head (also called measurement unit)
80a Substrate 80b to be processed after film formation and before annealing 90b Substrate 90 to be processed after annealing Target 95
190 Rotating roll (also called rotating body)
863 Processing substrate 864 Support portion 865 Positioning rotation rollers 865a,
868 Groove forming portion 869 Rotating roller (also referred to as rotating portion)
869a Axis 871, 872 Target 891 Horizontal direction 892 Vertical direction
Claims (8)
8. The ITO film forming method according to claim 7, wherein the function F (R fi ) is R f2 / R f1 where f1 and f2 are 100 kHz and 10 MHz, respectively. Film forming method.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014213291A (en) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 大日本印刷株式会社 | Method of manufacturing optical functional film, and coating device of optical functional film |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222030A (en) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Oji Kako Kk | Transparent conductive film |
| JP2002309372A (en) * | 2001-04-13 | 2002-10-23 | Canon Inc | Inline type film deposition apparatus, film deposition method and liquid crystal element |
| JP2004063271A (en) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Toyobo Co Ltd | Manufacturing method of transparent conductive film |
| JP2005238534A (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | Conductive thermoplastic resin film |
-
2005
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222030A (en) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Oji Kako Kk | Transparent conductive film |
| JP2002309372A (en) * | 2001-04-13 | 2002-10-23 | Canon Inc | Inline type film deposition apparatus, film deposition method and liquid crystal element |
| JP2004063271A (en) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Toyobo Co Ltd | Manufacturing method of transparent conductive film |
| JP2005238534A (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | Conductive thermoplastic resin film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014213291A (en) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 大日本印刷株式会社 | Method of manufacturing optical functional film, and coating device of optical functional film |
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