JP2007142013A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光源からの光でレチクルを照明する照明光学系14と、前記レチクル20のパターンを被処理体に投影する投影光学系30と、を備え、前記投影光学系の最も前記被処理体側に配置された光学素子300と前記被処理体との間に供給される液体LQを介して前記被処理体を露光する露光装置であって、前記光学素子の前記光が通過しない面は、研磨面であることを特徴とする露光装置を提供する。
【選択図】図1
Description
次に、図6及び図7を参照して、露光装置300を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図6は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル製作)では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ3(ウェハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は、前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
10 照明装置
20 レチクル
25 レチクルステージ
30 投影光学系
300 光学素子
310 第1の面
320 第2の面
330 側面
40 被処理体
45 ウェハステージ
50 測距手段
60 液体給排機構
62 液体供給装置
62a 供給管
62b 供給ノズル
64 液体回収装置
64a 回収管
64b 回収ノズル
68 液体給排部
68a及び68b 表面
70 液浸制御部
80 制御部
90 同面板(補助部材)
90a 表面
LQ 液体
Claims (9)
- 光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系と、を備え、前記投影光学系の最も前記被処理体側に配置された光学素子と前記被処理体との間に供給される液体を介して前記被処理体を露光する露光装置であって、
前記光学素子の前記光が通過しない面は、研磨面であることを特徴とする露光装置。 - 前記研磨面の表面粗さは、PV値で60nm未満であることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記光学素子の前記光が通過しない面のうち、前記液体と接触する部分が前記研磨面であることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記光学素子の前記光が通過しない面は複数あり、それらの面のうち、前記液体と接触する面が前記研磨面であることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記光学素子の周囲に配置され、前記液体を給排する液体給排部を更に有し、
前記液体給排部の前記液体と接触する部分は、PV値で60nm未満に研磨された研磨面であることを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。 - 前記被処理体の周囲に配置され、前記被処理体の表面と同じ高さの表面を持つ補助部材を更に有し、
前記補助部材の前記液体と接触する部分は、PV値で60nm未満に研磨された研磨面であることを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。 - レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系の最も前記被処理体側に配置された光学素子と前記被処理体との間に供給される液体を介して前記被処理体を露光する露光装置であって、
前記光学素子の周囲に配置され、前記液体を給排する液体給排部を有し、
前記液体給排部の前記液体と接触する部分は、PV値で60nm未満に研磨された研磨面であることを特徴とする露光装置。 - レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記被処理体との間に供給される液体を介して前記被処理体を露光する露光装置であって、
前記被処理体の周囲に配置され、前記被処理体の表面と同じ高さを有する補助部材を有し、
前記補助部材の前記液体と接触する部分は、PV値で60nm未満に研磨された研磨面であることを特徴とする露光装置。 - 請求項1乃至8のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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